JPH05208890A - 半導体単結晶引上装置のルツボ - Google Patents
半導体単結晶引上装置のルツボInfo
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- JPH05208890A JPH05208890A JP3872892A JP3872892A JPH05208890A JP H05208890 A JPH05208890 A JP H05208890A JP 3872892 A JP3872892 A JP 3872892A JP 3872892 A JP3872892 A JP 3872892A JP H05208890 A JPH05208890 A JP H05208890A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】黒鉛ルツボ４をより多数回にわたって使用する
ことができる半導体単結晶引上装置のルツボを提供す
る。 【構成】石英ルツボ５を保持する半導体単結晶引上装置
の黒鉛ルツボ４において、黒鉛ルツボ４の側壁に、該側
壁の内外面を貫通する貫通孔４ａを形成したことを特徴
とし、また石英ルツボ５と、該石英ルツボ５を保持した
黒鉛ルツボ４とを有する半導体単結晶引上装置のルツボ
において、前記石英ルツボ５の上端面に小径側下面が当
接するリング状の蓋９を更に設けたことを特徴とする。
ことができる半導体単結晶引上装置のルツボを提供す
る。 【構成】石英ルツボ５を保持する半導体単結晶引上装置
の黒鉛ルツボ４において、黒鉛ルツボ４の側壁に、該側
壁の内外面を貫通する貫通孔４ａを形成したことを特徴
とし、また石英ルツボ５と、該石英ルツボ５を保持した
黒鉛ルツボ４とを有する半導体単結晶引上装置のルツボ
において、前記石英ルツボ５の上端面に小径側下面が当
接するリング状の蓋９を更に設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体単結晶引上装置
のルツボの改良に関する。
のルツボの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体単結晶、例えば高純度シリコン単
結晶を製造する方法としては、従来より黒鉛製のルツボ
によって保持された石英製のルツボに多結晶シリコンを
投入し、該多結晶シリコンをヒーターによって溶解し、
該シリコン融液を種結晶に基づいて徐々に引き上げつつ
凝固させて製造する方法が知られている。
結晶を製造する方法としては、従来より黒鉛製のルツボ
によって保持された石英製のルツボに多結晶シリコンを
投入し、該多結晶シリコンをヒーターによって溶解し、
該シリコン融液を種結晶に基づいて徐々に引き上げつつ
凝固させて製造する方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法によっ
て高純度シリコン単結晶を製造すると、当初は高純度の
シリコン単結晶を製造できるものの、複数回のシリコン
引上げを行なううちに徐々に結晶欠陥の発生率が上昇
し、黒鉛ルツボが強度的に何ら問題がないにも拘らず、
ついには黒鉛ルツボを新品のものと交換せざるをえなか
った。したがって本発明は、複数回のシリコン引上げを
行なっても結晶欠陥の発生率の上昇を抑制することがで
き、したがって黒鉛ルツボをより多数回にわたって使用
することができる半導体単結晶引上装置のルツボを提供
することを目的とする。
て高純度シリコン単結晶を製造すると、当初は高純度の
シリコン単結晶を製造できるものの、複数回のシリコン
引上げを行なううちに徐々に結晶欠陥の発生率が上昇
し、黒鉛ルツボが強度的に何ら問題がないにも拘らず、
ついには黒鉛ルツボを新品のものと交換せざるをえなか
った。したがって本発明は、複数回のシリコン引上げを
行なっても結晶欠陥の発生率の上昇を抑制することがで
き、したがって黒鉛ルツボをより多数回にわたって使用
することができる半導体単結晶引上装置のルツボを提供
することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を達
成するために研究を重ね、当初高純度であった黒鉛ルツ
ボが複数回のシリコン引上げを行なううちに、石英ルツ
ボ及び雰囲気からの金属類による汚染を受けて黒鉛ルツ
ボの表面及び内部に金属類の汚染を蓄積し、特に黒鉛ル
ツボの側壁から底壁への移行部である湾曲部のうち、石
英ルツボと接触する内面側に金属汚染が蓄積しているこ
とを発見した。すなわち複数回のシリコン引上げを行な
ううちに、何らかの原因によって黒鉛ルツボの湾曲部内
面側に金属汚染が蓄積し、この金属類がシリコンの引上
げ中に何らかの原因によって（おそらくは分子拡散か又
は対流によると思われる）黒鉛ルツボ内面と石英ルツボ
外面との間隙を通って上昇し、雰囲気中を拡散してシリ
コン融液に混入し、あるいは凝固直後のシリコン単結晶
に付着して結晶欠陥を発生させることを見出した。本発
明は上記知見に基づいてなされたものであり、すなわ
ち、石英ルツボを保持する半導体単結晶引上装置の黒鉛
ルツボにおいて、黒鉛ルツボの側壁に、該側壁の内外面
を貫通する貫通孔を形成したことを特徴とする半導体単
結晶引上装置の黒鉛ルツボであり、更には、石英ルツボ
と、該石英ルツボを保持した黒鉛ルツボとを有する半導
体単結晶引上装置のルツボにおいて、前記石英ルツボの
上端面に小径側下面が当接するリング状の蓋を更に設け
たことを特徴とする半導体単結晶引上装置のルツボであ
る。
成するために研究を重ね、当初高純度であった黒鉛ルツ
ボが複数回のシリコン引上げを行なううちに、石英ルツ
ボ及び雰囲気からの金属類による汚染を受けて黒鉛ルツ
ボの表面及び内部に金属類の汚染を蓄積し、特に黒鉛ル
ツボの側壁から底壁への移行部である湾曲部のうち、石
英ルツボと接触する内面側に金属汚染が蓄積しているこ
とを発見した。すなわち複数回のシリコン引上げを行な
ううちに、何らかの原因によって黒鉛ルツボの湾曲部内
面側に金属汚染が蓄積し、この金属類がシリコンの引上
げ中に何らかの原因によって（おそらくは分子拡散か又
は対流によると思われる）黒鉛ルツボ内面と石英ルツボ
外面との間隙を通って上昇し、雰囲気中を拡散してシリ
コン融液に混入し、あるいは凝固直後のシリコン単結晶
に付着して結晶欠陥を発生させることを見出した。本発
明は上記知見に基づいてなされたものであり、すなわ
ち、石英ルツボを保持する半導体単結晶引上装置の黒鉛
ルツボにおいて、黒鉛ルツボの側壁に、該側壁の内外面
を貫通する貫通孔を形成したことを特徴とする半導体単
結晶引上装置の黒鉛ルツボであり、更には、石英ルツボ
と、該石英ルツボを保持した黒鉛ルツボとを有する半導
体単結晶引上装置のルツボにおいて、前記石英ルツボの
上端面に小径側下面が当接するリング状の蓋を更に設け
たことを特徴とする半導体単結晶引上装置のルツボであ
る。
【０００５】
【作用】黒鉛ルツボの側壁に貫通孔を形成したときに
は、黒鉛ルツボの湾曲部内面側に蓄積した金属類は、黒
鉛ルツボ内面と石英ルツボ外面との間隙を通って上昇す
る途中において貫通孔より黒鉛ルツボ側壁外面側に移行
し、したがって黒鉛ルツボ内面と石英ルツボ外面との間
隙の上端にまで至る確率が著しく減少するから、シリコ
ン融液及び凝固直後のシリコン単結晶への金属類の混入
を著しく低減することができ、黒鉛ルツボをより多数回
にわたって使用することができる。また石英ルツボの上
端面に小径側下面が当接するリング状の蓋を設けたとき
には、黒鉛ルツボの湾曲部内面側に蓄積した金属類は、
黒鉛ルツボ内面と石英ルツボ外面との間隙の上端にまで
至った後に、蓋によって大径側に移動せざるをえず、し
たがって上記と同様にシリコン融液とシリコン単結晶へ
の金属類の混入を著しく低減することができる。また雰
囲気中に浮遊する金属類が黒鉛ルツボ内面と石英ルツボ
外面との間隙を下って黒鉛ルツボの湾曲部内面側に蓄積
することも減少するから、一層シリコン融液とシリコン
単結晶への金属類の混入が防止され、したがって黒鉛ル
ツボをより多数回にわたって使用することができる。
は、黒鉛ルツボの湾曲部内面側に蓄積した金属類は、黒
鉛ルツボ内面と石英ルツボ外面との間隙を通って上昇す
る途中において貫通孔より黒鉛ルツボ側壁外面側に移行
し、したがって黒鉛ルツボ内面と石英ルツボ外面との間
隙の上端にまで至る確率が著しく減少するから、シリコ
ン融液及び凝固直後のシリコン単結晶への金属類の混入
を著しく低減することができ、黒鉛ルツボをより多数回
にわたって使用することができる。また石英ルツボの上
端面に小径側下面が当接するリング状の蓋を設けたとき
には、黒鉛ルツボの湾曲部内面側に蓄積した金属類は、
黒鉛ルツボ内面と石英ルツボ外面との間隙の上端にまで
至った後に、蓋によって大径側に移動せざるをえず、し
たがって上記と同様にシリコン融液とシリコン単結晶へ
の金属類の混入を著しく低減することができる。また雰
囲気中に浮遊する金属類が黒鉛ルツボ内面と石英ルツボ
外面との間隙を下って黒鉛ルツボの湾曲部内面側に蓄積
することも減少するから、一層シリコン融液とシリコン
単結晶への金属類の混入が防止され、したがって黒鉛ル
ツボをより多数回にわたって使用することができる。
【０００６】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
図１は本発明によるルツボの第１実施例を用いた半導体
単結晶引上装置の一例の縦断面図を示し、減圧容器１の
内部には該減圧容器１と同軸に保温筒２が配置されてお
り、該保温筒２の内部には保温筒２と同軸にヒーター３
が配置されており、該ヒーター３の内部にはヒーター３
と同軸に且つ回転自在に黒鉛ルツボ４が配置されてお
り、該黒鉛ルツボ４内に石英ルツボ５が保持されてい
る。石英ルツボ５内には多結晶シリコンが投入され、該
多結晶シリコンはヒーター３による加熱を受けてシリコ
ン融液６となり、該シリコン融液６を種結晶７に基づい
て徐々に引き上げることにより、シリコン単結晶８を得
るものである。図２は本実施例の黒鉛ルツボ４を示し、
この黒鉛ルツボ４の側壁には、該側壁の内外面を貫通す
る複数の貫通孔４ａが形成されている。
図１は本発明によるルツボの第１実施例を用いた半導体
単結晶引上装置の一例の縦断面図を示し、減圧容器１の
内部には該減圧容器１と同軸に保温筒２が配置されてお
り、該保温筒２の内部には保温筒２と同軸にヒーター３
が配置されており、該ヒーター３の内部にはヒーター３
と同軸に且つ回転自在に黒鉛ルツボ４が配置されてお
り、該黒鉛ルツボ４内に石英ルツボ５が保持されてい
る。石英ルツボ５内には多結晶シリコンが投入され、該
多結晶シリコンはヒーター３による加熱を受けてシリコ
ン融液６となり、該シリコン融液６を種結晶７に基づい
て徐々に引き上げることにより、シリコン単結晶８を得
るものである。図２は本実施例の黒鉛ルツボ４を示し、
この黒鉛ルツボ４の側壁には、該側壁の内外面を貫通す
る複数の貫通孔４ａが形成されている。
【０００７】本実施例は以上のように形成されており、
複数回のシリコン引上げを行なうと、主として黒鉛ルツ
ボ４の湾曲部内面側４ｃに金属類が蓄積するが、この金
属類は、黒鉛ルツボ４内面と石英ルツボ５外面との間隙
を上昇する途中において貫通孔４ａに遭遇し、該貫通孔
４ａの断面積は黒鉛ルツボ４と石英ルツボ５との間隙よ
りもはるかに大きいから、金属類は図示矢印のごとく貫
通孔４ａを通って黒鉛ルツボ４側壁外面側に移行する。
したがって黒鉛ルツボ４と石英ルツボ５との間隙の上端
にまで至る確率は著しく減少するから、シリコン融液６
中への金属類の混入は著しく低減し、また凝固直後のシ
リコン単結晶８への金属類の付着も低減し、この結果発
明者による実験では、黒鉛ルツボ４の使用寿命を従来の
場合の約３倍程度とすることができた。なお本実施例で
は貫通孔４ａとして円形の孔を設けたが、貫通孔４ａの
形状としては例えば断面長方形とすることもできるし、
円形の貫通孔と長方形の貫通孔とを交互に設けることも
できる。また貫通孔４ａを設ける高さは、黒鉛ルツボ４
による保温性能を損なわないように、シリコン融液６の
充填域よりも若干高い位置に設けることが好ましい。更
に貫通孔４ａの穿設方向としては、本実施例では図２に
示すように黒鉛ルツボ４と石英ルツボ５との軸芯に対し
て直交する方向に穿設しているが、その他に例えば小径
側に向って下向きに穿設することもできる。
複数回のシリコン引上げを行なうと、主として黒鉛ルツ
ボ４の湾曲部内面側４ｃに金属類が蓄積するが、この金
属類は、黒鉛ルツボ４内面と石英ルツボ５外面との間隙
を上昇する途中において貫通孔４ａに遭遇し、該貫通孔
４ａの断面積は黒鉛ルツボ４と石英ルツボ５との間隙よ
りもはるかに大きいから、金属類は図示矢印のごとく貫
通孔４ａを通って黒鉛ルツボ４側壁外面側に移行する。
したがって黒鉛ルツボ４と石英ルツボ５との間隙の上端
にまで至る確率は著しく減少するから、シリコン融液６
中への金属類の混入は著しく低減し、また凝固直後のシ
リコン単結晶８への金属類の付着も低減し、この結果発
明者による実験では、黒鉛ルツボ４の使用寿命を従来の
場合の約３倍程度とすることができた。なお本実施例で
は貫通孔４ａとして円形の孔を設けたが、貫通孔４ａの
形状としては例えば断面長方形とすることもできるし、
円形の貫通孔と長方形の貫通孔とを交互に設けることも
できる。また貫通孔４ａを設ける高さは、黒鉛ルツボ４
による保温性能を損なわないように、シリコン融液６の
充填域よりも若干高い位置に設けることが好ましい。更
に貫通孔４ａの穿設方向としては、本実施例では図２に
示すように黒鉛ルツボ４と石英ルツボ５との軸芯に対し
て直交する方向に穿設しているが、その他に例えば小径
側に向って下向きに穿設することもできる。
【０００８】次に図３は本発明の第２実施例を示し、こ
の実施例では黒鉛ルツボ４の側壁の内周面に環状溝４ｂ
を形成し、この環状溝４ｂに貫通孔４ａの内面側を開口
している。すなわち前記第１実施例では貫通孔４ａを黒
鉛ルツボ４の全周に隙間なく形成することはできないか
ら、隣接する貫通孔４ａ，４ａ同士の間を金属類が上昇
するおそれがある。しかるにこの第２実施例では黒鉛ル
ツボ４の内周全域に環状溝４ｂが形成されているから、
黒鉛ルツボ４と石英ルツボ５との間隙の上端にまで金属
類が上昇する確率を一層低減することができる。
の実施例では黒鉛ルツボ４の側壁の内周面に環状溝４ｂ
を形成し、この環状溝４ｂに貫通孔４ａの内面側を開口
している。すなわち前記第１実施例では貫通孔４ａを黒
鉛ルツボ４の全周に隙間なく形成することはできないか
ら、隣接する貫通孔４ａ，４ａ同士の間を金属類が上昇
するおそれがある。しかるにこの第２実施例では黒鉛ル
ツボ４の内周全域に環状溝４ｂが形成されているから、
黒鉛ルツボ４と石英ルツボ５との間隙の上端にまで金属
類が上昇する確率を一層低減することができる。
【０００９】次に図４は本発明の第３実施例を示し、こ
の実施例では蓋９が設けられており、蓋９はリング状の
円板部９ａと、この円板部９ａの小径側下面に石英ルツ
ボ５の厚さ分だけ残して突設した小径側鍔９ｂと、円板
部９ａの大径側下面に突設した大径側鍔９ｃとからな
り、石英ルツボ５の上端面に小径側下面が当接するよう
に配置されている。この実施例の場合には、黒鉛ルツボ
４と石英ルツボ５との間隙の上端にまで至った金属類は
蓋９によって図示矢印のごとく大径側に移動し、更に大
径側鍔９ｃによって下方に移動するから、上記第１，第
２実施例と同様にシリコン融液６及びシリコン単結晶８
への金属類の混入は著しく低減し、この結果黒鉛ルツボ
４をより多数回にわたって使用することができる。また
雰囲気中に浮遊する金属類が黒鉛ルツボ４と石英ルツボ
５との間隙を下って黒鉛ルツボの湾曲部内面側４ｃに蓄
積することも減少するから、一層シリコン融液６の純度
を高く保つことができ、また結晶欠陥の発生率を低減す
ることができる。なお小径側鍔９ｂは専ら蓋９を石英ル
ツボ５に被せるときの芯出しの機能を果たすものである
から、小径側鍔９ｂに代えて、例えば１２０°間隔に３
個の突起を設けることもできる。また大径側鍔９ｃは必
ずしも設ける必要はないが、シリコン融液６中への金属
類の混入を確実に防止するために本実施例のように大径
側鍔９ｃを設けることが好ましい。
の実施例では蓋９が設けられており、蓋９はリング状の
円板部９ａと、この円板部９ａの小径側下面に石英ルツ
ボ５の厚さ分だけ残して突設した小径側鍔９ｂと、円板
部９ａの大径側下面に突設した大径側鍔９ｃとからな
り、石英ルツボ５の上端面に小径側下面が当接するよう
に配置されている。この実施例の場合には、黒鉛ルツボ
４と石英ルツボ５との間隙の上端にまで至った金属類は
蓋９によって図示矢印のごとく大径側に移動し、更に大
径側鍔９ｃによって下方に移動するから、上記第１，第
２実施例と同様にシリコン融液６及びシリコン単結晶８
への金属類の混入は著しく低減し、この結果黒鉛ルツボ
４をより多数回にわたって使用することができる。また
雰囲気中に浮遊する金属類が黒鉛ルツボ４と石英ルツボ
５との間隙を下って黒鉛ルツボの湾曲部内面側４ｃに蓄
積することも減少するから、一層シリコン融液６の純度
を高く保つことができ、また結晶欠陥の発生率を低減す
ることができる。なお小径側鍔９ｂは専ら蓋９を石英ル
ツボ５に被せるときの芯出しの機能を果たすものである
から、小径側鍔９ｂに代えて、例えば１２０°間隔に３
個の突起を設けることもできる。また大径側鍔９ｃは必
ずしも設ける必要はないが、シリコン融液６中への金属
類の混入を確実に防止するために本実施例のように大径
側鍔９ｃを設けることが好ましい。
【００１０】次に図５は本発明の第４実施例を示し、上
記第３実施例では小径側鍔９ｂが石英ルツボ５の外面側
に当接するように設けられていたが、この第４実施例は
小径側鍔９ｂを石英ルツボ５の内面側に当接するように
設けたものである。小径側鍔９ｂに代えて上記第３実施
例と同様に例えば１２０°間隔に３個の突起を設けるこ
ともできる。次に図６は本発明の第５実施例を示し、こ
の実施例では小径側鍔９ｂの下面を石英ルツボ５の上端
面に当接するように構成したものである。このように構
成したときには、図６に示すように石英ルツボ５が軟化
して黒鉛ルツボ４内に沈み込んだときでも、蓋９が浮き
上がる事態が防止される。
記第３実施例では小径側鍔９ｂが石英ルツボ５の外面側
に当接するように設けられていたが、この第４実施例は
小径側鍔９ｂを石英ルツボ５の内面側に当接するように
設けたものである。小径側鍔９ｂに代えて上記第３実施
例と同様に例えば１２０°間隔に３個の突起を設けるこ
ともできる。次に図６は本発明の第５実施例を示し、こ
の実施例では小径側鍔９ｂの下面を石英ルツボ５の上端
面に当接するように構成したものである。このように構
成したときには、図６に示すように石英ルツボ５が軟化
して黒鉛ルツボ４内に沈み込んだときでも、蓋９が浮き
上がる事態が防止される。
【００１１】
【発明の効果】本発明により、黒鉛ルツボの湾曲部内面
側に蓄積した金属類がシリコン融液及び凝固直後のシリ
コン単結晶に混入する事態は抑制され、また蓋を設けた
構成では黒鉛ルツボの湾曲部内面側への金属類の蓄積が
抑制され、したがって黒鉛ルツボをより多数回にわたっ
て使用することができると同時に、無欠陥比率の高い半
導体単結晶を製造することができる。
側に蓄積した金属類がシリコン融液及び凝固直後のシリ
コン単結晶に混入する事態は抑制され、また蓋を設けた
構成では黒鉛ルツボの湾曲部内面側への金属類の蓄積が
抑制され、したがって黒鉛ルツボをより多数回にわたっ
て使用することができると同時に、無欠陥比率の高い半
導体単結晶を製造することができる。
【図１】本発明の第１実施例を用いた半導体単結晶引上
装置の一例の縦断面図
装置の一例の縦断面図
【図２】該実施例の縦断面斜視図
【図３】第２実施例の縦断面斜視図
【図４】第３実施例の縦断面斜視図
【図５】第４実施例の要部縦断面斜視図
【図６】第５実施例の要部縦断面斜視図
１…減圧容器 ２…保温筒 ３
…ヒーター ４…黒鉛ルツボ ４ａ…貫通孔 ４
ｂ…環状溝 ４ｃ…湾曲部内面側 ５…石英ルツボ ６
…シリコン融液 ７…種結晶 ８…シリコン単結晶 ９
…蓋 ９ａリング状円板部 ９ｂ…小径側鍔 ９
ｃ…大径側鍔
…ヒーター ４…黒鉛ルツボ ４ａ…貫通孔 ４
ｂ…環状溝 ４ｃ…湾曲部内面側 ５…石英ルツボ ６
…シリコン融液 ７…種結晶 ８…シリコン単結晶 ９
…蓋 ９ａリング状円板部 ９ｂ…小径側鍔 ９
ｃ…大径側鍔
Claims (3)
- 【請求項１】石英ルツボを保持する半導体単結晶引上装
置の黒鉛ルツボにおいて、 黒鉛ルツボの側壁に、該側壁の内外面を貫通する貫通孔
を形成したことを特徴とする半導体単結晶引上装置の黒
鉛ルツボ。 - 【請求項２】黒鉛ルツボの側壁の内周面に環状溝を形成
し、該環状溝に前記貫通孔の内面側を開口した請求項１
記載の半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボ。 - 【請求項３】石英ルツボと、該石英ルツボを保持した黒
鉛ルツボとを有する半導体単結晶引上装置のルツボにお
いて、 前記石英ルツボの上端面に小径側下面が当接するリング
状の蓋を更に設けたことを特徴とする半導体単結晶引上
装置のルツボ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3872892A JP2864846B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体単結晶引上装置のルツボ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3872892A JP2864846B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体単結晶引上装置のルツボ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05208890A true JPH05208890A (ja) | 1993-08-20 |
| JP2864846B2 JP2864846B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=12533393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3872892A Expired - Lifetime JP2864846B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 半導体単結晶引上装置のルツボ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2864846B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008201619A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 黒鉛ルツボおよびこれを備えたシリコン単結晶製造装置 |
| JP2008273788A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボおよびそれを使用したシリコン単結晶の製造方法 |
| CN104990409A (zh) * | 2015-06-30 | 2015-10-21 | 重庆科技学院 | 一种坩埚及用其制备具有织构特征的铁酸铋靶材的方法 |
| CN105174296A (zh) * | 2015-05-22 | 2015-12-23 | 鸿福晶体科技(安徽)有限公司 | 一种氢氧化铝焙烧专用组合坩埚盖 |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP3872892A patent/JP2864846B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008201619A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 黒鉛ルツボおよびこれを備えたシリコン単結晶製造装置 |
| JP2008273788A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Shinetsu Quartz Prod Co Ltd | シリコン単結晶引上用石英ガラスルツボおよびそれを使用したシリコン単結晶の製造方法 |
| CN105174296A (zh) * | 2015-05-22 | 2015-12-23 | 鸿福晶体科技(安徽)有限公司 | 一种氢氧化铝焙烧专用组合坩埚盖 |
| CN104990409A (zh) * | 2015-06-30 | 2015-10-21 | 重庆科技学院 | 一种坩埚及用其制备具有织构特征的铁酸铋靶材的方法 |
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| JP2864846B2 (ja) | 1999-03-08 |
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