JPH05208836A - Production of glass thin film and production system therefor - Google Patents

Production of glass thin film and production system therefor

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Publication number
JPH05208836A
JPH05208836A JP1510292A JP1510292A JPH05208836A JP H05208836 A JPH05208836 A JP H05208836A JP 1510292 A JP1510292 A JP 1510292A JP 1510292 A JP1510292 A JP 1510292A JP H05208836 A JPH05208836 A JP H05208836A
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JP
Japan
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thin film
substrate
glass
composition
glass fine
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Pending
Application number
JP1510292A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shinji Ishikawa
真二 石川
Hiroo Kanamori
弘雄 金森
Akira Urano
章 浦野
Haruhiko Aikawa
晴彦 相川
Chizai Hirose
智財 広瀬
Masahide Saito
真秀 斎藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/14Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1415Reactant delivery systems

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain a glass thin film having a desired composition by respectively detecting the intensities at plural wavelengths of the radiation emitted from each substrate to control the composition of a glass thin film formed on the substrate. CONSTITUTION:Plural substrates 11 are put on turntable 12 at the lower part of a reaction vessel 16. Each of the substrates 11 is e.g. a SiO2 wafer, Si wafer. A glass fine particle layer is formed on each substrate 11 through a flame stream from a burner 13 at the upper part of the reaction vessel 16. The respective outputs from interference-type infrared photometers 19, 119 are analyzed by a CPU 30 to determine concentrations of SiO2, B2O3, P2O5, etc., which are, in turn, used as the information for controlling a heater controller 34, etc. Thereby, the composition of the glass fine particles built up on the substrates 11 can be kept uniform, or brought to a desired distribution.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光導波路等を形成する
ために用いるガラス薄膜の製造方法及び装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a glass thin film used for forming an optical waveguide or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】図1は、従来の酸化物ガラス薄膜の製造
方法を実施するための装置を示す。反応容器6内のター
ンテーブル2上には複数の基板1が載置される。これら
の基板1には、トーチ3からの火炎流にともなってガラ
ス微粒子が堆積される。基板1に堆積されなかったガラ
ス微粒子や排気ガスは排気管4に吸引される。この場
合、基板1上にガラス微粒子を一様に堆積するため、基
板1を載置したターンテーブル2は、その中央の垂直軸
を中心として回転される。また、トーチ3もターンテー
ブル2の動径方向に所定範囲で往復移動される。ターン
テーブル2には下部ヒータ5が設けられていて、ターン
テーブル2上の基板1を一様に加熱する。なお、従来例
の具体的内容については、特開昭58−105111号
公報等に詳しく記載されている。
2. Description of the Related Art FIG. 1 shows an apparatus for carrying out a conventional method for producing an oxide glass thin film. A plurality of substrates 1 are placed on the turntable 2 in the reaction container 6. Glass fine particles are deposited on these substrates 1 along with the flame flow from the torch 3. The glass particles and exhaust gas not deposited on the substrate 1 are sucked into the exhaust pipe 4. In this case, since the glass particles are uniformly deposited on the substrate 1, the turntable 2 on which the substrate 1 is placed is rotated about the central vertical axis. Further, the torch 3 is also reciprocated within the predetermined range in the radial direction of the turntable 2. The turntable 2 is provided with a lower heater 5 to uniformly heat the substrate 1 on the turntable 2. The specific contents of the conventional example are described in detail in JP-A-58-105111.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来装置
の場合、ガラス微粒子層の形成中におけるその組成の決
定は、トーチ3への原料・燃料の供給量、ターンテーブ
ル2の温度等の各種条件の調節によって経験的に行われ
ていたので、最終的に得られる酸化物ガラス薄膜の組成
を十分に制御・調節することが出来なかった。
However, in the case of the above-mentioned conventional apparatus, the composition of the glass fine particle layer is determined during the formation of the glass fine particle layer under various conditions such as the feed amount of the raw material / fuel to the torch 3 and the temperature of the turntable 2. However, the composition of the finally obtained oxide glass thin film could not be sufficiently controlled and adjusted.

【0004】そこで、本発明は、ガラス微粒子層の形成
中におけるその組成の測定精度を高めることによって、
所望の組成を有するガラス薄膜を製造しうる方法及びそ
の装置を提供することを目的とする。
Therefore, according to the present invention, by increasing the accuracy of measuring the composition of the glass fine particle layer during formation,
An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for producing a glass thin film having a desired composition.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るガラス薄膜の製造方法では、反応容器
内に酸水素炎とともに原料を供給してガラス微粒子を生
成し、このガラス微粒子を基板上に堆積して多孔質状の
薄膜を形成した後、基板を高温で加熱して多孔質状の薄
膜を透明化する。さらに、かかる製造方法においては、
(a)多孔質状の薄膜の形成の際に、基板から出射した
放射光の複数波長における強度をそれぞれ検出し、
(b)検出された放射光の上記複数波長における強度比
に応じて、ガラス微粒子の生成とガラス微粒子の堆積と
の条件を調節して基板上に形成すべき多孔質状の薄膜の
組成を制御することとしている。
In order to solve the above problems, in the method for producing a glass thin film according to the present invention, a raw material is supplied together with an oxyhydrogen flame into a reaction vessel to produce glass fine particles, and the glass fine particles are After depositing on the substrate to form a porous thin film, the substrate is heated at a high temperature to make the porous thin film transparent. Furthermore, in such a manufacturing method,
(A) When the porous thin film is formed, the intensities of the emitted light emitted from the substrate at a plurality of wavelengths are detected,
(B) The composition of the porous thin film to be formed on the substrate is controlled by adjusting the conditions for the production of glass particles and the deposition of glass particles according to the intensity ratio of the detected radiated light at the above-mentioned plurality of wavelengths. I am going to do it.

【0006】また、本発明に係る酸化物ガラス薄膜の製
造装置は、(a)反応容器内に酸水素炎とともに原料を
供給してガラス微粒子を生成し、このガラス微粒子を基
板上に堆積して多孔質状の薄膜を形成する火炎堆積手段
と、(b)多孔質状の薄膜の形成の際に、基板から出射
した放射光の複数波長における強度をそれぞれ検出する
検出手段と、(c)検出手段によって検出された放射光
の上記複数波長における強度比に応じて、前記火炎堆積
手段を調節して前記基板上に形成すべき多孔質状の薄膜
の組成を制御するガラス薄膜の製造装置。
Further, the oxide glass thin film manufacturing apparatus according to the present invention comprises (a) supplying a raw material together with an oxyhydrogen flame into a reaction vessel to generate glass fine particles, and depositing the glass fine particles on a substrate. Flame deposition means for forming a porous thin film, (b) detection means for detecting the intensities of radiated light emitted from the substrate at a plurality of wavelengths when forming the porous thin film, and (c) detection An apparatus for producing a glass thin film, which controls the composition of a porous thin film to be formed on the substrate by adjusting the flame deposition means according to the intensity ratio of the radiated light detected by the means at the plurality of wavelengths.

【0007】[0007]

【作用】上記酸化物ガラス薄膜の製造方法によれば、多
孔質状の薄膜の形成の際に、基板から出射した放射光の
複数波長における強度をそれぞれ検出するとともに、こ
れらの強度比に応じてガラス微粒子の生成とガラス微粒
子の堆積との条件を調節して基板上に形成すべき多孔質
状の薄膜の組成を制御することとしている。この場合、
放射光の複数波長における強度比が多孔質状の薄膜の組
成比に対応しているので、多孔質状の薄膜の形成中にお
けるその組成の測定精度を高めることができ、所望の組
成を有するガラス薄膜を提供することができる。
According to the above method for producing an oxide glass thin film, when the porous thin film is formed, the intensities of the radiated light emitted from the substrate at a plurality of wavelengths are detected, and the intensity ratio is determined according to the intensity ratio of these. The composition of the porous thin film to be formed on the substrate is controlled by adjusting the conditions for the production of glass particles and the deposition of glass particles. in this case,
Since the intensity ratio of synchrotron radiation at multiple wavelengths corresponds to the composition ratio of the porous thin film, it is possible to improve the measurement accuracy of the composition during the formation of the porous thin film, and the glass having the desired composition A thin film can be provided.

【0008】また、上記酸化物ガラス薄膜の製造装置に
よれば、多孔質状の薄膜の形成の際に、検出手段が基板
から出射した放射光の所定波長における強度を検出する
とともに、組成制御手段が検出手段の検出結果に応じて
前記火炎堆積手段を調節して基板上に形成すべき多孔質
状の薄膜の組成を制御することとしている。このため、
多孔質状の薄膜の形成中におけるその組成の測定精度を
高めることができ、所望の組成を有するガラス薄膜を提
供することができる。
Further, according to the above oxide glass thin film manufacturing apparatus, when the porous thin film is formed, the detecting means detects the intensity of the radiated light emitted from the substrate at a predetermined wavelength, and the composition controlling means. According to the detection result of the detection means, the flame deposition means is adjusted to control the composition of the porous thin film to be formed on the substrate. For this reason,
The accuracy of measuring the composition of the porous thin film during formation can be improved, and a glass thin film having a desired composition can be provided.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明の実施例について具体的に説明
する。
EXAMPLES Examples of the present invention will be specifically described below.

【0010】図2は、実施例に係るガラス薄膜の製造装
置の構成を示した斜視図である。反応容器16の下部に
設けられたターンテーブル12上には複数の基板11が
載置される。これらの基板11としては、SiO2 ウェ
ハ、Siウェハ等を用いることができる。各基板11上
には、反応容器16の上部に設けられたバーナ13から
の火炎流にともなってガラス微粒子が供給される。これ
により、各基板11上にガラス微粒子層が形成される。
基板11に堆積されなかったガラス微粒子や排気ガス
は、反応容器16の側部に設けられた排気管4に吸引さ
れる。反応容器16の上部に設けられた赤外窓18は、
基板11が発生する放射光を干渉型赤外光度計19に導
く。
FIG. 2 is a perspective view showing the structure of the glass thin film manufacturing apparatus according to the embodiment. A plurality of substrates 11 are placed on a turntable 12 provided below the reaction container 16. As the substrate 11, a SiO 2 wafer, a Si wafer, or the like can be used. Glass fine particles are supplied onto each substrate 11 along with a flame flow from a burner 13 provided above the reaction vessel 16. As a result, a glass fine particle layer is formed on each substrate 11.
The glass particles and the exhaust gas not deposited on the substrate 11 are sucked into the exhaust pipe 4 provided on the side of the reaction container 16. The infrared window 18 provided on the upper part of the reaction vessel 16 is
The radiated light generated by the substrate 11 is guided to the interferometric infrared photometer 19.

【0011】図3は、図2の製造装置の側面図である。
反応容器16の下部に設けられたターンテーブル12中
には、基板11の温度を一定に保って基板11へのガラ
ス微粒子の付着を良くするためのヒータ12aが固設さ
れている。このヒータ12aは、外部に設けられた電源
20によって、ターンテーブル12の温度を監視しつつ
加熱される。
FIG. 3 is a side view of the manufacturing apparatus shown in FIG.
In the turntable 12 provided under the reaction container 16, a heater 12a for keeping the temperature of the substrate 11 constant and improving the adhesion of glass particles to the substrate 11 is fixed. The heater 12a is heated by the power supply 20 provided outside while monitoring the temperature of the turntable 12.

【0012】基板11上にガラス微粒子を均一に供給し
堆積させるため、基板11を支持するターンテーブル1
2は水平面内で回転する。また、バーナ13もターンテ
ーブル12の回転の半径方向に往復移動する。この結
果、バーナ13はターンテーブル12に対して2次元的
に走査されることとなる。
A turntable 1 for supporting the substrate 11 in order to uniformly supply and deposit fine glass particles on the substrate 11.
2 rotates in the horizontal plane. The burner 13 also reciprocates in the radial direction of rotation of the turntable 12. As a result, the burner 13 is two-dimensionally scanned with respect to the turntable 12.

【0013】図4は図2の製造装置の制御系の一部を示
した図である。干渉型赤外光度計19には、基板11が
発生する放射光が導かれる。一方、別の干渉型赤外光度
計119には、比較資料111からの参照光が反射鏡1
18aを介して入射する。比較資料111は、溶融石英
基板を一定温度で加熱したものである。各干渉型赤外光
度計19、119は、基板11または比較資料111が
発生する放射光または参照光の発光強度分布中のSi−
O結合、B−O結合、P−O結合等の格子振動に対応す
る発光ピークを検出してその波長とその強度を検出す
る。
FIG. 4 is a diagram showing a part of a control system of the manufacturing apparatus of FIG. Radiation light generated by the substrate 11 is guided to the interferometric infrared photometer 19. On the other hand, another interferometric infrared photometer 119 is provided with the reference light from the comparative material 111.
It is incident through 18a. Comparative material 111 is a fused quartz substrate heated at a constant temperature. Each of the interferometric infrared photometers 19 and 119 is made up of Si- in the emission intensity distribution of the emitted light or the reference light generated by the substrate 11 or the comparative material 111.
Emission peaks corresponding to lattice vibrations such as O-bonds, B-O bonds, and P-O bonds are detected to detect the wavelength and its intensity.

【0014】CPU30は、各干渉型赤外光度計19、
119の出力を解析してSiO2 、B2 3 、P2 5
等の濃度を決定する。得られたSiO2 、B2 3 、P
2 5 等の濃度は、原料供給系32、ヒータコントロー
ラ34等の制御のための情報として用いられる。これに
より、基板11上に堆積されるガラス微粒子層の組成を
均一に保つことができ、或いはガラス微粒子層の組成を
所望の分布に形成することができる。
The CPU 30 includes each interferometric infrared photometer 19,
The output of 119 is analyzed to analyze SiO 2 , B 2 O 3 , P 2 O 5
Etc. to determine the concentration. Obtained SiO 2 , B 2 O 3 , P
The concentrations of 2 O 5 and the like are used as information for controlling the raw material supply system 32, the heater controller 34, and the like. Thereby, the composition of the glass fine particle layer deposited on the substrate 11 can be kept uniform, or the composition of the glass fine particle layer can be formed in a desired distribution.

【0015】図5は、B2 3 およびP2 5 を添加し
たSiO2 系のガラス微粒子層の発光スペクトルを示し
た図である。この場合、ガラス微粒子層の温度は750
℃に保っていた。図示のように、ガラス微粒子層が発生
する波長5〜15μm帯の赤外放射光には、Si−O結
合に対応する波数1080cm-1の発光ピークと、P−
O結合に対応する波数1320cm-1の発光ピークと、
B−O結合に対応する波数1420cm-1の発光ピーク
とが存在する。各発光ピークの強度はSiO2、B2
3 およびP2 5 の濃度に対応しているので、かかる発
光ピークの強度比を算出することでガラス微粒子層の組
成比を決定することができる。
FIG. 5 is a diagram showing an emission spectrum of a SiO 2 type glass fine particle layer to which B 2 O 3 and P 2 O 5 are added. In this case, the temperature of the glass fine particle layer is 750.
It was kept at ℃. As shown in the figure, in the infrared radiant light in the wavelength band of 5 to 15 μm generated by the glass fine particle layer, the emission peak at the wave number of 1080 cm −1 corresponding to the Si—O bond and the P−
An emission peak at a wave number of 1320 cm −1 corresponding to O-bonding,
There is an emission peak at a wavenumber of 1420 cm −1 corresponding to the B—O bond. The intensity of each emission peak is SiO 2 , B 2 O
Since it corresponds to the concentrations of 3 and P 2 O 5 , the composition ratio of the glass fine particle layer can be determined by calculating the intensity ratio of such emission peaks.

【0016】図6は、各発光ピークの強度と各成分の濃
度との関係を示す図である。B濃度およびP濃度は、ガ
ラス微粒子層であるスートをICP(誘導結合発光プラ
ズマ分析)によって測定した結果を示す。また、B−O
結合およびP−O結合に対応する発光強度比は、Si−
O結合の発光強度を基準としたものである。例えば、B
−O結合の場合、(B−O結合の発光強度/Si−O結
合の発光強度)によって発光強度比が与えられる。表か
らも明らかなように、B−O結合およびP−O結合に対
応する発光強度比は、ガラス微粒子層であるスート中の
B濃度およびP濃度とほぼ線形な関係にあることがわか
る。予備実験によってガラス微粒子層の組成とその放射
光との関係を予め正確に求めておけば、基板11上に堆
積したガラス微粒子層の発生する放射光からこのガラス
微粒子層の組成をより正確に求めることができる。
FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the intensity of each emission peak and the concentration of each component. The B concentration and the P concentration show the results of measuring the soot, which is a glass fine particle layer, by ICP (inductively coupled emission plasma analysis). Also, B-O
The emission intensity ratio corresponding to the bond and the P-O bond is Si-
It is based on the emission intensity of O bond. For example, B
In the case of —O bond, the emission intensity ratio is given by (emission intensity of B—O bond / emission intensity of Si—O bond). As is clear from the table, it is found that the emission intensity ratio corresponding to the B—O bond and the P—O bond has a substantially linear relationship with the B concentration and P concentration in the soot that is the glass fine particle layer. If the relationship between the composition of the glass particle layer and its emitted light is accurately obtained in advance by a preliminary experiment, the composition of this glass particle layer is obtained more accurately from the emitted light generated by the glass particle layer deposited on the substrate 11. be able to.

【0017】以下、実施例に係るガラス薄膜の製造装置
の動作について簡単に説明する。バーナ13にH2 、O
2 等の燃料ガスと、SiCl4 、BCl3 、PCl3
GeCl4 等の原料ガスとを供給することにより、原料
ガスを加過水分解してSiO2 系のガラス微粒子を各基
板11上に堆積する。これと同時に、ターンテーブル1
2を回転させ、かつ、バーナ13を往復移動させている
ので、バーナ13からのガラス微粒子は各基板11上に
一様に堆積される。
The operation of the glass thin film manufacturing apparatus according to the embodiment will be briefly described below. H 2 , O on burner 13
Fuel gas such as 2 , SiCl 4 , BCl 3 , PCl 3 ,
By supplying a raw material gas such as GeCl 4 to the raw material gas, the raw material gas is decomposed with permeating water to deposit SiO 2 -based glass fine particles on each substrate 11. At the same time, turntable 1
Since 2 is rotated and the burner 13 is reciprocated, the glass particles from the burner 13 are uniformly deposited on each substrate 11.

【0018】この場合、ガラス微粒子層の形成中に、C
PU30が各干渉型赤外光度計19、119の出力を解
析してB2 3 、P2 5 等の濃度をモニタしている。
さらに、得られたB2 3 、P2 5 等の濃度に基づい
て、原料供給系32、ヒータコントローラ34等が制御
されているので、基板11上に堆積されるガラス微粒子
層の組成を均一に保つことができる。
In this case, during formation of the glass fine particle layer, C
The PU 30 analyzes the output of each interferometric infrared photometer 19, 119 to monitor the concentration of B 2 O 3 , P 2 O 5, etc.
Further, since the raw material supply system 32, the heater controller 34, etc. are controlled based on the obtained concentrations of B 2 O 3 , P 2 O 5, etc., the composition of the glass fine particle layer deposited on the substrate 11 is controlled. Can be kept uniform.

【0019】その後、各基板11を別の炉内で高温に加
熱し、堆積されたガラス微粒子層を透明化してガラス薄
膜を得る。また、上記の動作において2段階の組成制御
を行えば、低屈折率のガラス薄膜上に高屈折率のガラス
薄膜を形成することができる。これにリソグラフィ技術
とRIE等によるエッチングとを施し、その上に低屈折
率のガラス薄膜を形成すれば、各基板11上に光導波路
を形成するができる。
Thereafter, each substrate 11 is heated to a high temperature in another furnace to make the deposited glass fine particle layer transparent and obtain a glass thin film. Further, if the composition control is performed in two steps in the above operation, the glass thin film having a high refractive index can be formed on the glass thin film having a low refractive index. An optical waveguide can be formed on each substrate 11 by subjecting this to a lithography technique and etching by RIE or the like to form a glass thin film having a low refractive index thereon.

【0020】本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。例えば、比較資料111を用いないで、この比較
資料111の発光スペクトル中の各発光ピークの発光強
度比を予めCPU30に記憶しておいて、基板11上に
堆積したガラス微粒子層の組成を求めることもできる。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, without using the comparative material 111, the emission intensity ratio of each emission peak in the emission spectrum of the comparative material 111 is stored in the CPU 30 in advance, and the composition of the glass fine particle layer deposited on the substrate 11 is obtained. You can also

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るガラ
ス薄膜の製造方法によれば、多孔質状の薄膜の形成の際
に、基板から出射した放射光の複数波長における強度を
それぞれ検出するとともに、この結果に応じてガラス微
粒子の生成とガラス微粒子の堆積との条件を調節して基
板上に形成すべき多孔質状の薄膜の組成を制御すること
としている。このため、多孔質状の薄膜の形成中におけ
るその組成の測定精度を高めることができ、所望の組成
を有するガラス薄膜を提供することができる。
As described above, according to the method for manufacturing a glass thin film of the present invention, the intensities of the radiated light emitted from the substrate at a plurality of wavelengths are respectively detected when the porous thin film is formed. At the same time, the composition of the porous thin film to be formed on the substrate is controlled by adjusting the conditions for the production of glass particles and the deposition of glass particles according to this result. Therefore, the accuracy of measuring the composition of the porous thin film during formation can be improved, and a glass thin film having a desired composition can be provided.

【0022】また、本発明に係るガラス薄膜の製造装置
によれば、多孔質状の薄膜の形成の際に、検出手段が基
板から出射した放射光の複数波長における強度をそれぞ
れ検出するとともに、組成制御手段が検出手段の検出結
果に応じて前記火炎堆積手段を調節して基板上に形成す
べき多孔質状の薄膜の組成を制御することとしている。
このため、多孔質状の薄膜の形成中におけるその組成の
測定精度を高めることができ、所望の組成を有するガラ
ス薄膜を提供することができる。
Further, according to the apparatus for producing a glass thin film of the present invention, when the porous thin film is formed, the detecting means detects the intensities of the radiated light emitted from the substrate at a plurality of wavelengths, respectively, and the composition The control means controls the flame deposition means according to the detection result of the detection means to control the composition of the porous thin film to be formed on the substrate.
Therefore, the accuracy of measuring the composition of the porous thin film during formation can be improved, and a glass thin film having a desired composition can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来のガラス薄膜の製造装置を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a conventional glass thin film manufacturing apparatus.

【図2】実施例のガラス薄膜の製造装置の斜視図。FIG. 2 is a perspective view of an apparatus for manufacturing a glass thin film according to an embodiment.

【図3】実施例のガラス薄膜の製造装置の側面図。FIG. 3 is a side view of the glass thin film manufacturing apparatus of the embodiment.

【図4】実施例のガラス薄膜の製造装置の制御系の要部
を示した図。
FIG. 4 is a diagram showing a main part of a control system of a glass thin film manufacturing apparatus of an example.

【図5】ガラス微粒子層の発光スペクトルを示した図で
ある。
FIG. 5 is a diagram showing an emission spectrum of a glass fine particle layer.

【図6】各発光ピークの強度と各成分の濃度との関係を
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the intensity of each emission peak and the concentration of each component.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…基板、12、13…火炎堆積手段、16…反応容
器、18、19…検出手段、30…組成制御手段。
11 ... Substrate, 12, 13 ... Flame deposition means, 16 ... Reaction vessel, 18, 19 ... Detection means, 30 ... Composition control means.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 相川 晴彦 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 広瀬 智財 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 (72)発明者 斎藤 真秀 神奈川県横浜市栄区田谷町1番地 住友電 気工業株式会社横浜製作所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Haruhiko Aikawa 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Sumitomo Electric Industries, Ltd. Yokohama Works (72) Satoshi Hirose 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, Kanagawa Sumitomo Denki Kogyo Co., Ltd. Yokohama Works (72) Inventor Masahide Saito 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Sumitomo Denki Kogyo Co., Ltd. Yokohama Works

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 反応容器内に酸水素炎とともに原料を供
給してガラス微粒子を生成し、該ガラス微粒子を基板上
に堆積して多孔質状の薄膜を形成した後、該基板を高温
で加熱して前記多孔質状の薄膜を透明化するガラス薄膜
の製造方法において、 前記多孔質状の薄膜の形成の際に、前記基板から出射し
た放射光の複数波長における強度をそれぞれ検出し、 検出された放射光の前記複数波長における強度比に応じ
て、前記ガラス微粒子の生成と該ガラス微粒子の堆積と
の条件を調節して前記基板上に形成すべき多孔質状の薄
膜の組成を制御することを特徴とするガラス薄膜の製造
方法。
1. A raw material is supplied together with an oxyhydrogen flame into a reaction vessel to generate glass fine particles, the glass fine particles are deposited on a substrate to form a porous thin film, and then the substrate is heated at a high temperature. In the method of manufacturing a glass thin film for making the porous thin film transparent, in forming the porous thin film, the intensities of the radiated light emitted from the substrate are detected at a plurality of wavelengths, respectively, and are detected. And controlling the composition of the porous thin film to be formed on the substrate by adjusting the conditions of the production of the glass fine particles and the deposition of the glass fine particles according to the intensity ratio of the emitted light at the plurality of wavelengths. A method for producing a glass thin film, comprising:
【請求項2】 反応容器内に酸水素炎とともに原料を供
給してガラス微粒子を生成し、該ガラス微粒子を基板上
に堆積して多孔質状の薄膜を形成する火炎堆積手段と、 前記多孔質状の薄膜の形成の際に、前記基板から出射し
た放射光の複数波長における強度をそれぞれ検出する検
出手段と、 前記検出手段によって検出された放射光の前記複数波長
における強度比に応じて、前記火炎堆積手段を調節して
前記基板上に形成すべき多孔質状の薄膜の組成を制御す
る組成制御手段と、 を備えるガラス薄膜の製造装置。
2. A flame deposition means for supplying a raw material together with an oxyhydrogen flame into a reaction vessel to generate glass fine particles, and depositing the glass fine particles on a substrate to form a porous thin film, said porous material. When forming a thin film in the shape of a detector, each detecting the intensity of the emitted light emitted from the substrate at a plurality of wavelengths, according to the intensity ratio of the emitted light detected by the detector at the plurality of wavelengths, An apparatus for producing a glass thin film, comprising: a composition control unit that adjusts a flame deposition unit to control the composition of a porous thin film to be formed on the substrate.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05232335A (en) * 1992-02-20 1993-09-10 Hitachi Cable Ltd Production of glass waveguide

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