JPH0520712A - Recording medium, recording method and recorder - Google Patents

Recording medium, recording method and recorder

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JPH0520712A
JPH0520712A JP3259909A JP25990991A JPH0520712A JP H0520712 A JPH0520712 A JP H0520712A JP 3259909 A JP3259909 A JP 3259909A JP 25990991 A JP25990991 A JP 25990991A JP H0520712 A JPH0520712 A JP H0520712A
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liquid crystal
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Kaoru Teramura
薫 寺村
Masabumi Ota
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Abstract

PURPOSE:To provide the recording system which can easily attain the recording and many-valued recording of both reverisible and irreversible modes by only the control of the energy of light for irradiation by using the recording medium having a high-polymer liquid crystal recording film. CONSTITUTION:An optothermal conversion layer 4, an oriented layer 3 and the recording layer 2 consisting of the high-polymer liquid crystal which executes recording and erasing by causing a change or phase transition in a reversible orientation state are formed on a substrate 1. The material which is changed in the orientation state or phase state in a part in its thickness direction when irradiated with light for a short period of time is used for the recording layer 2. The size of the recording pits formed in the thickness direction of the recording layer 2 is changed in multiple stages, by which the many-valued recording is executed. The recording of both reversible and irreversible modes is executed by the recording pits over the entire part of the thickness direction and the recording pits in a part in the thickness direction.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、高分子液晶からなる記
録層を有する記録媒体を用い、加熱または光の照射によ
り情報の記録・消去を可逆的に行う記録媒体および記録
方法ならびにそれを用いた記録装置に関する。詳しく
は、本発明は、光ディスク、光カード、光テープ等の光
記録媒体や熱記録媒体あるいはディスプレイ等の表示媒
体に応用可能な記録媒体における記録、消去の方法に関
わり、さらに本発明は、情報の多値記録を可能ならしめ
る新規な記録方式、および情報の可逆モード、非可逆モ
ードの両モードの記録が可能なマルチモード記録を簡易
な操作によって可能ならしめる新規な記録方式に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention uses a recording medium having a recording layer made of a polymer liquid crystal, and a recording medium and a recording method for reversibly recording / erasing information by heating or irradiating light, and a recording method therefor. Related to the recording device. More specifically, the present invention relates to a recording / erasing method in a recording medium applicable to an optical recording medium such as an optical disk, an optical card, an optical tape, a thermal recording medium, or a display medium such as a display. The present invention relates to a new recording method that enables multi-valued recording and a new recording method that enables multi-mode recording capable of recording both reversible mode and irreversible mode of information by a simple operation.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報を熱エネルギーの形で印加
し、記録材料の形状変化や物性変化として記録するいわ
ゆるヒートモード記録システムが実用化されつつある。
このようなヒートモード記録媒体としては、Te、B
i、Se、Tb、Inなどを主成分とする金属材料を用
いた無機系の記録媒体、あるいはシアニンなどのポリメ
チン系色素、フタロシアニン、ナフタロシアニン、ポル
フィリンなどの大環状アザアヌレン系色素、ナフトキノ
ン、アントラキノン系色素およびジチオール金属錯体系
色素などの有機色素を用いた記録媒体が知られている。
これらの記録媒体は集光したレーザー光の照射などによ
り熱エネルギーが印加されると、照射部分の記録層が溶
融あるいは蒸発して孔(ピット)を形成し、情報を記録す
るものである。しかし、これらの記録媒体は記録した情
報を消去して再び新しい情報を記録する可能性を有して
いない。
2. Description of the Related Art In recent years, a so-called heat mode recording system has been put into practical use in which information is applied in the form of thermal energy and recorded as a change in shape or a change in physical properties of a recording material.
As such a heat mode recording medium, Te, B
An inorganic recording medium using a metal material containing i, Se, Tb, In, etc. as a main component, or a polymethine dye such as cyanine, a macrocyclic azaannulene dye such as phthalocyanine, naphthalocyanine, and porphyrin, naphthoquinone, anthraquinone Recording media using organic dyes such as dyes and dithiol metal complex dyes are known.
When heat energy is applied to these recording media by irradiation of condensed laser light, the recording layer in the irradiated portion is melted or evaporated to form holes (pits) and information is recorded. However, these recording media have no possibility of erasing recorded information and recording new information again.

【0003】そこで、このような再生専用、追記型のヒ
ートモード光記録システムの発達とともに、記録、再
生、消去が可能な可逆記録媒体の必要性が高まってい
る。こうした可逆記録媒体として、たとえばGd、T
b、Dyなどの希土類金属とFe、Ni、Coなどの遷
移金属とからなる合金薄膜を用いた光磁気記録媒体があ
る。これは、レーザー光照射による加熱と外部印加磁界
を併用して記録し、磁化の向きによる光の振動面の回転
方向の違いを利用して再生するものである。また、情報
の消去はレーザー光照射による加熱と記録時とは逆向き
の外部磁界を印加することにより行なわれる。しかし、
この光磁気記録媒体は再生時の感度が低く、S/N比が
悪く、さらに酸化などの影響による記録感度の劣化や記
録の保存安定性、記録装置内に設けられる磁場発生装置
及び周辺機器等の信頼性に問題があるなどの欠点を有し
ている。
Therefore, with the development of such a read-only, write-once, heat mode optical recording system, the need for a reversible recording medium capable of recording, reproducing, and erasing is increasing. As such a reversible recording medium, for example, Gd, T
There is a magneto-optical recording medium using an alloy thin film made of a rare earth metal such as b or Dy and a transition metal such as Fe, Ni or Co. In this, recording is performed by using heating by irradiation of laser light and an externally applied magnetic field in combination, and reproduction is performed by utilizing the difference in the rotation direction of the vibrating surface of light depending on the direction of magnetization. Information is erased by heating with laser light irradiation and applying an external magnetic field in the opposite direction to that at the time of recording. But,
This magneto-optical recording medium has low sensitivity during reproduction, a poor S / N ratio, deterioration of recording sensitivity due to the influence of oxidation and the like, storage stability of recording, magnetic field generators and peripheral devices provided in the recording device, etc. It has drawbacks such as reliability problems.

【0004】また、可逆記録媒体として、Ge、Te、
Se、Sb、In、Snなどの元素を主成分とする無機
材料薄膜からなる記録層の結晶−非晶質間の相転移を利
用したものは、レーザー光照射のみで、ヒートモードで
記録、消去ができる利点があるが、記録部と未記録部の
コントラストや記録ピットの保存安定性に問題があり、
とりわけ記録層の酸化など材料の安定性に関して重大な
欠点を有している。
As reversible recording media, Ge, Te,
The one utilizing the phase transition between the crystal and the amorphous of the recording layer composed of an inorganic material thin film containing elements such as Se, Sb, In and Sn as a main component records and erases in a heat mode only by laser irradiation. However, there are problems with the contrast between the recorded and unrecorded areas and the storage stability of the recording pits.
In particular, it has serious drawbacks regarding the stability of the material such as oxidation of the recording layer.

【0005】上記欠点を解決する手段として、特開昭58
-125247号公報には、高分子液晶の透明な配向状態と不
透明なランダム状態を、熱又は電界によって可逆的に変
化させることを特徴とする記録材料が開示されている。
また高分子液晶中に光吸収剤を添加せしめて、レーザー
光を熱源として利用して記録、消去を行う手法も開示さ
れており、このような例としては特開昭59-10390号、同
59-35989号、同60-114823号公報等に記載のものが挙げ
られる。
As a means for solving the above drawbacks, Japanese Patent Laid-Open No. 58-58
Japanese Patent Publication No. 125247 discloses a recording material characterized in that a transparent alignment state and an opaque random state of a polymer liquid crystal are reversibly changed by heat or an electric field.
There is also disclosed a method of recording and erasing by using a laser light as a heat source by adding a light absorber to a polymer liquid crystal, and examples of such a method are disclosed in JP-A-59-10390 and JP-A-59-10390.
Examples thereof include those described in JP-A-59-35989 and JP-A-60-114823.

【0006】また、可逆記録媒体と追記型記録媒体の両
方の性能を有するヒートモード記録媒体に関する報告が
特開平2-48987号、同2-89229号公報等により、インジウ
ム系の無機記録層からなる形状変化型記録媒体として報
じられている。この記録媒体は、強いエネルギーを照射
するとホール(孔)が形成され非可逆記録となり、比較
的弱いエネルギーを照射すると形状が変化した可逆なピ
ットが形成されるというものである。ところが、この記
録媒体では、記録部と未記録部のコントラストや記録ピ
ットの保存安定性に問題があり、特に記録層の酸化など
材料の安定性に関して欠点を有しており、さらにメディ
アの構成上、記録層の上にエアーギャップ(空隙)を必
要とするなど、生産性の面でも数多くの問題を含んでい
る。
Further, a report on a heat mode recording medium having both performances of a reversible recording medium and a write-once type recording medium is disclosed in JP-A-2-48987 and 2-89229, which comprises an indium-based inorganic recording layer. It is reported as a shape change type recording medium. This recording medium is such that upon irradiation with strong energy, holes (holes) are formed, resulting in irreversible recording, and upon irradiation with relatively weak energy, reversible pits with a changed shape are formed. However, this recording medium has a problem in the contrast between the recorded portion and the unrecorded portion and the storage stability of the recording pits, and particularly has a defect regarding the material stability such as the oxidation of the recording layer. However, there are many problems in terms of productivity, such as requiring an air gap above the recording layer.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記高分子液晶を記録
層として利用した記録媒体の場合、記録層材料の低熱伝
導性のために記録時の転送速度が遅い上に、消去は記録
時よりもさらに数桁以上遅くなるために、熱エネルギー
以外に電界・磁界等の第3の力を印加せねばならず、光
メモリーとしての利用を検討すると、容易に高S/N比
の記録ができるという利点がある反面、システム的にあ
るいは速度的に実用には供し得なかった。
In the case of a recording medium using the above-mentioned polymer liquid crystal as a recording layer, the transfer rate at the time of recording is slow due to the low thermal conductivity of the recording layer material, and the erasing is faster than the recording. In addition to the thermal energy, a third force such as an electric field / magnetic field must be applied because it becomes more than several orders of magnitude slower. Considering its use as an optical memory, recording with a high S / N ratio is easy. Despite its advantages, it could not be put to practical use in terms of system or speed.

【0008】さらに従来の記録方法によると、配向状態
とランダム状態の2状態における透過光あるいは反射光
の有無によって検出を行っていたために、その記録信号
は低レベル(O)と飽和レベル(a)の2値に対応して
おり、そのメモリー密度は108bit/cm2が限界であ
り、将来の計算機の大容量化、高速処理化を考慮する
と、メモリー密度は未だ不十分である。
Further, according to the conventional recording method, since the detection is carried out by the presence or absence of transmitted light or reflected light in the two states of the alignment state and the random state, the recording signal is low level (O) and saturation level (a). The memory density is limited to 10 8 bit / cm 2 , and the memory density is still insufficient in consideration of future increase in capacity and high speed of the computer.

【0009】また、特開昭63−26647号公報等に
は強誘電性液晶(FLCP)を用いた記録媒体が開示さ
れている。しかしながら、この強誘電性液晶記録媒体は
レスポンス的にも誘電異方性が正のものを使用する場合
が多いため、その配向方向は記録膜面に対して垂直方向
に配向する成分(ホメオトロピック配向成分)が強くな
る。また、液晶部位の配向方向のスイッチングによる2
状態の複屈折率の差よりも、配向−未配向状態の複屈折
率の差の方が大きくなることは公知であり、さらにシス
テムが量産性およびコスト的な問題からオルソスコープ
で構成される点等を考慮しても、記録層材料には、記録
膜面に平行に配向(ホモジニアス配向)する方が容易に
高S/N比を得られることは明らかである。しかるに、
上記強誘電性液晶記録媒体で誘電異方性が負のものを用
いると、ホモジニアス配向性が現れるが、その応答性は
通常の液晶と比較しても大差なく、かえってその構造が
特殊であるためにコスト的にも不利であり、実用化には
至らなかったという状況がある。
Further, Japanese Patent Laid-Open No. 63-26647 discloses a recording medium using a ferroelectric liquid crystal (FLCP). However, this ferroelectric liquid crystal recording medium is often used with a positive dielectric anisotropy in terms of response, so that its orientation direction is a component (homeotropic orientation) that is oriented perpendicular to the recording film surface. Component) becomes stronger. In addition, 2 due to switching of the alignment direction of the liquid crystal part
It is known that the difference in the birefringence between the oriented and unoriented states is larger than the difference in the birefringence between the states, and the system is composed of an orthoscope from the viewpoint of mass productivity and cost. Considering the above, it is clear that a high S / N ratio can be easily obtained in the recording layer material by orienting it in parallel with the recording film surface (homogeneous orientation). However,
When a ferroelectric liquid crystal recording medium having a negative dielectric anisotropy is used, a homogeneous alignment property appears, but its response is not much different from that of a normal liquid crystal, and rather its structure is special. In addition, there is a situation that it is not cost effective and has not been put to practical use.

【0010】上記のメモリー密度の限界を打破する方法
として、単一の記録スポット中に複数の信号を書き込む
多重記録方式が検討されており、その1つとして光化学
ホールバーニング(PHB)による高密度光メモリーが
報告されている。ところが、PHB方式は当該メモリー
膜を数K乃至数十Kという極低温に保持することが必要
で、光情報記録システムとしては解決すべき問題が多
く、実用化には至っていない。
As a method for overcoming the above-mentioned memory density limit, a multiple recording method for writing a plurality of signals in a single recording spot is being studied, and one of them is high density light by photochemical hole burning (PHB). Memory is reported. However, the PHB method requires keeping the memory film at an extremely low temperature of several K to several tens of K, and there are many problems to be solved as an optical information recording system, and it has not been put to practical use.

【0011】本発明は、上記の事情に鑑み、高分子液晶
記録層の配向状態または相状態の変化による記録、消去
が高速かつ確実に行われる記録媒体、記録方法および記
録装置を提供することを目的とする。また、本発明は、
多重記録を可能とし、高密度記録を達成する記録媒体、
記録方法および記録装置を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、記録光ビームの照射条件を変えると
いう簡易な操作によって容易に可逆、非可逆両モードの
記録を達成できる記録媒体、記録方法および記録装置を
提供することを目的とする。
In view of the above circumstances, the present invention provides a recording medium, a recording method, and a recording apparatus in which recording and erasing can be performed at high speed and reliably by changing the alignment state or phase state of a polymer liquid crystal recording layer. To aim. Further, the present invention is
A recording medium that enables multiple recording and achieves high density recording,
An object of the present invention is to provide a recording method and a recording device.
A further object of the present invention is to provide a recording medium, a recording method, and a recording apparatus that can easily achieve recording in both reversible and irreversible modes by a simple operation of changing the irradiation condition of a recording light beam.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対して、光エネルギー照射に伴う熱によって液晶部
位の配向状態が可逆的に変化する高分子液晶記録層への
記録、消去性能を検討した結果、記録時及び消去時の光
照射条件を適切に選択して記録層中の分子配向状態の変
化する部分(記録ピット)の膜厚方向の大きさをコントロ
ールすることにより、上記の目的が達成できることを見
出した。
For the above-mentioned purpose, the inventors of the present invention recorded and erased on a polymer liquid crystal recording layer in which the alignment state of the liquid crystal site was reversibly changed by heat accompanying the irradiation of light energy. As a result of examining the performance, by appropriately selecting the light irradiation conditions at the time of recording and erasing and controlling the size in the film thickness direction of the portion (recording pit) where the molecular orientation state changes in the recording layer, It was found that the purpose of can be achieved.

【0013】すなわち、本発明によれば、少なくとも基
板上に可逆的な配向状態の変化または相変化を起こして
記録、消去を行う高分子液晶からなる記録層と該高分子
液晶を配向させる配向層を有し、該記録層は短時間の光
照射によりその厚さ方向の一部分の配向状態または相状
態が変化するものであることを特徴とする記録媒体が提
供される。この記録媒体は、記録光ビームの強度を変調
せしめて照射することにより、この変化部分の大きさを
制御して1つの記録ピットに複数の情報を入力するいわ
ゆる多重記録を行うことも可能である。
That is, according to the present invention, at least a recording layer made of a polymer liquid crystal that causes reversible change of orientation state or phase change on a substrate for recording and erasing and an alignment layer for orienting the polymer liquid crystal. And a recording layer characterized in that the recording layer has a partially changed orientation state or phase state in the thickness direction thereof by light irradiation for a short time. In this recording medium, it is also possible to perform so-called multiple recording in which a plurality of pieces of information are input to one recording pit by controlling the size of the changed portion by irradiating the recording light beam with the intensity of the recording light beam modulated. .

【0014】また、本発明によれば、少なくとも基板上
に可逆的な配向状態の変化または相変化を起こして記
録、消去を行う高分子液晶からなる記録層と該高分子液
晶を配向させる配向層を有し、該記録層は光照射により
その厚さ方向の一部分あるいは全部分の配向状態または
相状態が変化するものであることを特徴とする記録媒体
が提供される。この記録媒体は、記録層の厚さ方向の一
部分の分子の配向状態あるいは相状態を変化させること
により可逆記録を行い、記録層の厚さ方向の全部分の分
子の配向状態あるいは相状態を変化させることにより非
可逆記録を行うようにし、両者を単一の記録媒体上に入
力するいわゆるマルチモード記録を行うことも可能であ
る。このマルチモード記録においては、前述のインジウ
ム系相変化型記録媒体のようなホール形成などの記録層
の物理的な変化が起こらないために、エアーギャップ等
を必要とせず、生産性の高いものとなる。
Further, according to the present invention, at least a recording layer made of a polymer liquid crystal for performing recording and erasing by causing a reversible change in orientation state or phase change on the substrate and an alignment layer for orienting the polymer liquid crystal. And a recording medium characterized in that the recording layer is such that the orientation state or phase state of a part or all of the recording layer in the thickness direction is changed by light irradiation. This recording medium performs reversible recording by changing the orientation state or phase state of a part of the molecule in the thickness direction of the recording layer, and changes the orientation state or phase state of a molecule in the whole part of the recording layer in the thickness direction. It is also possible to perform irreversible recording by doing so and to perform so-called multi-mode recording in which both are input on a single recording medium. In this multi-mode recording, since no physical change of the recording layer such as formation of holes as in the above-mentioned indium-based phase change recording medium does not occur, an air gap or the like is not required and the productivity is high. Become.

【0015】また、本発明によれば、上記構成において
記録層を構成する高分子液晶の初期配向状態の膜厚方向
の複屈折率と膜厚の積(リターデーション)が25〜7
50nmの範囲であることを特徴とする記録媒体が提供
される。この記録媒体を用いた場合、当該記録層の膜厚
方向のリターデーション変化に起因する再生光量の変化
が記録前よりも記録後の方が増加するような記録を行
い、かつ当該記録ピットを外力を印加せずに完全に消去
せしめる記録・消去を行うことができる。
Further, according to the present invention, the product (retardation) of the birefringence in the film thickness direction and the film thickness (retardation) in the initial alignment state of the polymer liquid crystal constituting the recording layer in the above structure is 25 to 7.
A recording medium is provided which is in the range of 50 nm. When this recording medium is used, recording is performed so that the change in the reproducing light amount due to the change in the retardation in the film thickness direction of the recording layer increases after recording rather than before recording, and the recording pit is subjected to external force. It is possible to perform recording / erasing for completely erasing without applying a voltage.

【0016】また本発明によれば、上記の如き可逆的な
配向状態の変化または相変化を起こす高分子液晶からな
る記録層を有する記録媒体を用いた記録方法が提供され
る。
Further, according to the present invention, there is provided a recording method using a recording medium having a recording layer made of a polymer liquid crystal which undergoes reversible change in orientation state or phase change as described above.

【0017】さらに本発明によれば、入力した信号を少
なくとも3段階以上の信号に変換する信号処理手段と、
記録時に光ビームを出力する光ビーム出力手段と、該光
ビーム出力手段から数段階の強度の光ビームを出力せし
める光ビーム変調手段とを具備し、上記の如き記録媒体
に多段階の記録ピットを形成せしめることにより情報の
記録を行なうことを特徴とする記録装置が提供される。
Further, according to the present invention, signal processing means for converting an input signal into a signal of at least three stages or more,
A light beam output means for outputting a light beam at the time of recording, and a light beam modulation means for causing the light beam output means to output a light beam having an intensity of several steps are provided. Provided is a recording device characterized by recording information by forming the information.

【0018】本発明に用いる高分子液晶からなる記録層
は、熱的に分子の配向状態又は相間の可逆的な変化によ
り記録、消去を行ない、かつ反復使用に耐えるものであ
る。本方式において、熱的な分子の配向状態変化とはす
なわち高分子液晶分子の配向状態変化を表わし、たとえ
ばスメクチック-ネマチック転移のような分子集合状態
変化やコレステリック高分子液晶のねじれピッチの変化
等を表わすものである。また相変化とはたとえば液晶相
-アイソトロピック相転移のような相間の変化などを意
味する。なお本記録媒体において、熱的に変化した領域
と未変化の領域とは光学的あるいは偏光光学的なコント
ラスト差の検出を介して情報の再生を行うものである。
The recording layer composed of a polymer liquid crystal used in the present invention is capable of recording and erasing by thermal orientation of molecules or reversible change between phases and enduring repeated use. In this method, the change in the thermal alignment state of the molecule means the change in the alignment state of the high-molecular liquid crystal molecules. To represent. The phase change is, for example, a liquid crystal phase.
-It means a change between phases such as isotropic phase transition. In this recording medium, information is reproduced between the thermally changed area and the unchanged area by detecting the optical or polarization optical contrast difference.

【0019】このような高分子液晶を利用した記録方法
は、従来の文献、公報等(例えばV.P. Shibaev et al.
著、Polymer Communications、第24巻、第363〜365頁、
1983年)により数多くの報告が成されているが、高分子
液晶が熱的に変化し、これを偏光光学的あるいは単に光
学的に再生しうる点から記録媒体への応用可能性を示唆
したに過ぎず、消去時には電界、磁界の介助を必要と
し、同一記録媒体において光ビームの照射のみによる可
逆・非可逆の両モード記録の可能性までは検討されてお
らず、将来的な実用には提供し難いものであった。
A recording method using such a polymer liquid crystal is disclosed in conventional literatures, publications, etc. (eg VP Shibaev et al.
Written, Polymer Communications, Volume 24, Pages 363-365,
In 1983), a number of reports were made, but it was suggested that the polymer liquid crystal is thermally changed and can be applied to a recording medium from the viewpoint that it can be reproduced optically by polarization or simply optically. However, the possibility of reversible / irreversible mode recording by irradiating only the light beam on the same recording medium has not been studied, because it requires the assistance of an electric field and a magnetic field during erasing, and it is provided for future practical use. It was difficult to do.

【0020】しかるに本発明者らは、従来方式のように
記録層の膜厚方向の全部分あるいは大部分を熱的に変化
させて記録した場合は記録部と未記録部のコントラスト
比は大きくなるが、熱拡散による記録ピットの拡大に起
因する記録密度の低下や記録・消去時の転送速度の遅
延、あるいは消去後のピットに消え残り部分や再記録部
分あるいは偏光光学的な散乱部のような初期配向状態や
記録状態とも異なる第3の状態の出現等種々の問題点を
検討し、これらに対応すべく短時間露光によって記録層
の厚さ方向の一部分を変化させる記録方法を見出し、さ
らにはこのこの記録ピットの大きさを照射光強度の変調
によって制御する手段を用いて、当該高分子液晶メモリ
ーが容易に多値記録を行い得ることにより上記の諸問題
を克服し、かつ多重記録が可能となることを見出した。
However, when the present invention thermally changes all or most of the recording layer in the film thickness direction as in the conventional method, the contrast ratio between the recorded portion and the unrecorded portion becomes large. However, there is a decrease in the recording density due to the expansion of recording pits due to thermal diffusion, a delay in the transfer speed during recording / erasing, or a portion remaining in the pit after erasing, a re-recorded portion, or a polarization optical scattering portion. Various problems such as the appearance of a third state different from the initial orientation state and the recording state were examined, and a recording method for changing a part of the thickness direction of the recording layer by short-time exposure was found in order to address these problems. By using the means for controlling the size of the recording pits by modulating the intensity of irradiation light, the polymer liquid crystal memory can easily perform multi-valued recording to overcome the above-mentioned problems, and to realize multiplex recording. It was found that the recording is possible.

【0021】ここで、本発明における記録ピットの大き
さの制御とは、具体的には図1に示したような状態を言
う。つまり、記録光ビームの強度が小なる場合には
(a)のように記録ピットは記録層と配向層との境界部
分に小さく形成され、強度が大なる場合には(b)に示
したように記録ピットが(a)よりも記録層の内部に到
達することを意味する。この時、元の高分子液晶の配向
状態がホモジニアス配向である場合は、直交した一対の
偏光板を介して、偏光の光路長変化、すなわちリターデ
ーションの変化に起因する透過光または反射光量の変化
として検出することが可能となる。
Here, the control of the size of the recording pit in the present invention specifically refers to the state as shown in FIG. That is, when the intensity of the recording light beam is low, the recording pits are formed small at the boundary between the recording layer and the alignment layer as shown in (a), and when the intensity is high, as shown in (b). It means that the recording pit reaches the inside of the recording layer more than (a). At this time, if the orientation state of the original polymer liquid crystal is homogeneous orientation, through a pair of orthogonal polarizing plates, the change in the optical path length of the polarized light, that is, the change in the amount of transmitted light or reflected light due to the change in retardation. Can be detected as

【0022】すなわち、図1のような記録ピットの形成
がなされた場合、膜厚方向の偏光の光路長が、未記録部
>図1の(a)の状態の部分>図1の(b)の状態の部
分の順に短くなる。この時にクロスニコル下で偏光の透
過光または反射光の光量の変化を検出して、情報の再生
を行うことができる。既報によると、リターデーション
Rと再生光量Iとの関係は次式(1)で表わされる。 I=I0sin2(πR/λ) ・・・・・ (1) ここで、I0 は入射光量、λは入射光波長である。従っ
て、リターデーションRが非常に小さい場合はIは偏光
光路長に比例し、未記録部>図1の(a)の状態の部分
>図1の(b)の状態の部分の順に小さくなるが、ある
一定の範囲では、未記録部<図1の(a)の状態の部分
<図1の(b)の状態の部分の順に再生光量を制御する
ことも可能である。例えば、膜厚が約2μmで複屈折率
が0.20程度の場合には前者のケース、膜厚が約3μ
mで複屈折率が0.20程度の場合には後者のケースと
なる。本発明においてはいずれのケースも採用しうる。
ところで、前者と後者のケースを比較すると、特に
(a)と(b)の2状態間で前者のケースよりも後者の
ケースの方が判定しやすく、さらには従来の光記録シス
テムを考慮した場合、記録前よりも記録後に再生光量が
増加する方が検出系が簡易であり、結局システム自体が
容易になるというメリットがある。そこで本発明者ら
は、このような記録状態を達成しうる条件を検討した結
果、リターデーションRの値が25〜750nmという
範囲において上記状態が実現されることを見出した。こ
の場合、記録層の膜厚は媒体構成にも関連するが、反射
型記録媒体ではおよそ0.5〜2.5μmの範囲、透過
型記録媒体ではその2倍程度の膜厚が好適であり、さら
に複屈折率は高分子液晶のメソーゲン部位の構造及び配
向状態にも起因するために一概に特定はしにくいが、お
よそ0.05〜0.30の範囲が好適である。
That is, when the recording pits are formed as shown in FIG. 1, the optical path length of the polarized light in the film thickness direction is unrecorded portion> portion in the state of FIG. 1 (a)> FIG. 1 (b). It becomes shorter in order of the part of the state. At this time, information can be reproduced by detecting a change in the amount of polarized transmitted light or reflected light under crossed Nicols. According to the previous report, the relationship between the retardation R and the reproduction light amount I is expressed by the following equation (1). I = I 0 sin 2 (πR / λ) (1) where I 0 is the incident light amount and λ is the incident light wavelength. Therefore, when the retardation R is very small, I is proportional to the polarization optical path length, and becomes smaller in the order of the unrecorded portion> the portion in the state of FIG. 1 (a)> the portion in the state of FIG. 1 (b). In a certain range, it is also possible to control the reproduction light amount in the order of unrecorded portion <portion in state (a) of FIG. 1 <portion in state (b) of FIG. For example, when the film thickness is about 2 μm and the birefringence is about 0.20, the former case, the film thickness is about 3 μm.
The latter case occurs when the birefringence is about 0.20 at m. Either case can be adopted in the present invention.
By the way, comparing the former case with the latter case, it is easier to judge the latter case than the former case between the two states of (a) and (b), and further, when considering the conventional optical recording system. The advantage that the detection system is simpler when the amount of reproduction light is increased after recording than before recording, and the system itself becomes easier after all. Therefore, as a result of studying the conditions capable of achieving such a recording state, the present inventors have found that the above state is realized when the retardation R value is in the range of 25 to 750 nm. In this case, although the film thickness of the recording layer is related to the medium structure, it is preferable that the film thickness of the reflective recording medium is approximately 0.5 to 2.5 μm and that of the transmissive recording medium is twice that. Further, the birefringence index is difficult to be specified unconditionally because it also depends on the structure and alignment state of the mesogenic site of the polymer liquid crystal, but a range of about 0.05 to 0.30 is preferable.

【0023】また、従来方式のように記録ビーム光の照
射エネルギーが充分に大きい場合には記録層の膜厚方向
の全部分が熱的に変化するために電場または磁場の印加
をせずに光ビーム照射のみでは消去されないことを確認
し、これに対して記録光ビームの照射エネルギーが比較
的小さい場合には記録層の厚さ方向の一部分が変化し、
光ビーム照射のみでも消去可能であるという現象を見出
し、当該高分子液晶メモリーは容易にマルチモード記録
が可能であることを見出した。
When the irradiation energy of the recording beam light is sufficiently large as in the conventional method, the entire portion in the film thickness direction of the recording layer is thermally changed, and thus the light is applied without applying an electric field or a magnetic field. It was confirmed that the beam was not erased only by irradiation, and on the other hand, when the irradiation energy of the recording light beam was relatively small, part of the recording layer in the thickness direction changed,
We have found that it can be erased only by irradiation with a light beam, and that the polymer liquid crystal memory can easily perform multimode recording.

【0024】ここで、本発明におけるマルチモード記録
とは記録ピットの大きさを記録光の照射条件によって制
御することであり、具体的には図2に示したような記録
光強度の差によって(a)(b)の二状態を形成することをい
う。つまり、記録ビーム光の強度が小なる場合には(a)
のように記録ピットは記録層内にて形成されその上端は
記録層の表層部には到達しない。しかし強度が大なる場
合には(b)に示したように記録ピットが(a)よりも大きく
形成され記録光照射部の全膜厚に渡って高分子液晶が状
態変化することを意味する。この時、元の高分子液晶層
の配向状態がホモジニアス配向である場合は、直交した
一対の偏光板を介して、偏光の光路長変化、すなわちリ
ターデーションの変化に起因する透過光または反射光量
の変化として検出することも可能であり、可逆・非可逆
の二状態を判別して、多値記録とすることも可能であ
る。
Here, the multi-mode recording in the present invention is to control the size of the recording pits according to the irradiation condition of the recording light, and specifically, by the difference of the recording light intensities as shown in FIG. Forming the two states of a) and b). In other words, if the intensity of the recording beam light is low, (a)
As described above, the recording pit is formed in the recording layer, and its upper end does not reach the surface layer portion of the recording layer. However, when the strength is high, it means that the recording pit is formed larger than that in (a) as shown in (b) and the state of the polymer liquid crystal changes over the entire film thickness of the recording light irradiation portion. At this time, if the original alignment state of the polymer liquid crystal layer is a homogeneous alignment, through a pair of orthogonal polarizing plates, the change of the optical path length of the polarized light, that is, the amount of transmitted light or reflected light due to the change of retardation It is also possible to detect it as a change, and it is also possible to discriminate between reversible and irreversible two states and to make multi-valued recording.

【0025】本発明によれば、マルチモード記録におい
ても前記多値記録と同様、リターデーションRの値を2
5〜750nmの範囲とすることで、記録前よりも記録
後に再生光量が増加するような記録媒体を実現できる。
この場合、前述した利点に加え、未記録状態を仮に0、
(a)状態を+K、(b)状態を−Kというように3値
に対応させることにより、従来システムと比較して、複
素演算等がより簡易に処理できるシステムを設計するこ
とが可能となる。
According to the present invention, also in the multi-mode recording, the value of the retardation R is set to 2 as in the multi-valued recording.
By setting the thickness in the range of 5 to 750 nm, it is possible to realize a recording medium in which the reproduction light amount increases after recording as compared with before recording.
In this case, in addition to the above-mentioned advantages, the unrecorded state is temporarily set to 0,
By associating the (a) state with + K and the (b) state with -K such as -K, it is possible to design a system that can more easily process complex operations and the like compared to the conventional system. .

【0026】以下に本発明を図面に基いて詳細に説明す
る。本発明に用いる記録媒体は、図3に示すように、基
板1上に高分子液晶から成る記録層2、高分子液晶層を
配向させる配向層3、及び光ビームを吸収する光熱変換
層4より構成されることを基本とし、場合によっては光
ビームを吸収する色素等の光吸収剤を記録層2または配
向層3中に添加することによって光熱変換層4を省略す
ることも可能である。
The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. As shown in FIG. 3, the recording medium used in the present invention comprises a recording layer 2 made of polymer liquid crystal on a substrate 1, an alignment layer 3 for orienting the polymer liquid crystal layer, and a photothermal conversion layer 4 for absorbing a light beam. It is possible to omit the photothermal conversion layer 4 by adding a light absorbing agent such as a dye that absorbs a light beam to the recording layer 2 or the alignment layer 3 based on the constitution.

【0027】先ず、上記構成において短時間の光照射に
よりその厚さ方向の一部分の配向状態または相状態を変
化させる記録方法について述べる。集光されたビーム光
を本記録媒体に照射すると、光熱変換層4にて吸収され
た光が熱に変換され、その結果、図4のような温度分布
が記録層2中に形成され、その中の一部の温度が等方性
転移温度(アイソトロピック点)以上に加熱される。こ
こで光照射を打ち切り、記録層2を急冷させることによ
り、層内で等方相転移温度以上に加熱された部分が、そ
のままの状態(等方相状態)で保持され、その部分のみが
選択的に偏光光学的に異なる状態となり、図5のような
記録が行なわれる。
First, a recording method in which the orientation state or phase state of a part in the thickness direction is changed by light irradiation for a short time in the above structure will be described. When the recording medium is irradiated with the condensed beam light, the light absorbed in the photothermal conversion layer 4 is converted into heat, and as a result, a temperature distribution as shown in FIG. 4 is formed in the recording layer 2, A part of the temperature inside is heated above the isotropic transition temperature (isotropic point). By stopping the light irradiation and quenching the recording layer 2 here, the portion heated in the layer above the isotropic phase transition temperature is retained as it is (isotropic phase state), and only that portion is selected. Then, the states become different from each other in terms of polarization optics, and recording as shown in FIG. 5 is performed.

【0028】本発明においていう短時間露光による記録
とは、当該記録媒体に照射するビーム光の走査を1点当
たりの露光時間が数ms以下となるような速度で走査す
ることをいい、さらに具体的には数十μs以下であるこ
とが望ましい。露光時間が数ns以下と極端に短い場合
は記録層2は等方相転移温度以上に加熱されず、記録ピ
ットは形成されない。また時間が極端に長い場合は等方
相転移温度以上に加熱された部分が拡散し、図6に示し
たように全膜厚が等方性状態となるために、容易に消去
できなくなる。
Recording by short-time exposure in the present invention means scanning of the light beam applied to the recording medium at a speed such that the exposure time per point is several ms or less, and more specifically. From the standpoint of view, it is desirable to be several tens of μs or less. When the exposure time is extremely short, such as several nanoseconds or less, the recording layer 2 is not heated above the isotropic phase transition temperature and recording pits are not formed. Further, when the time is extremely long, the portion heated above the isotropic phase transition temperature diffuses and the entire film thickness becomes an isotropic state as shown in FIG.

【0029】また、上記のようにして形成された記録
は、記録時とは異なる条件で記録部に光を照射すること
により、例えば記録層を等方相転移温度よりも低い液晶
温度まで加熱したり、記録時よりも長時間加熱したり、
冷却速度が遅くなるように加熱することにより、消去す
ることができる。すなわち、このような加熱により、等
方性状態で保持された記録ピットは再加熱され、記録ピ
ットを含む微小領域の粘度を低下せしめて領域内の分子
が分子運動できる状態になったときに、周囲の配向して
いる高分子液晶分子及び配向層から配向規制力を受け
て、ランダム状態の高分子液晶分子が再配向することに
より、消去がなされる。この分子再配向が起こる温度は
等方相転移温度より数℃〜数十℃低い温度が好適である
が、消え残りのない完全な消去を行うためには、少なく
とも記録ピット全体がこの温度範囲に入るように加熱す
る必要がある。また、消去時には緩やかに温度が変化す
るのが好ましい。従って、消去時には記録時よりも低パ
ワーにてかつ記録時よりも比較的長い時間照射すること
により、確実な消去ができるようになる。この時、例え
ば記録時と同じ照射時間で強度のみを弱くすると、記録
ピット全体を均一に加熱することができず、また照射時
間のみを長くすると、膜厚方向の深部までが高い温度に
加熱され、結局再記録されてしまう。
In the recording formed as described above, for example, the recording layer is heated to a liquid crystal temperature lower than the isotropic phase transition temperature by irradiating the recording portion with light under a condition different from that at the time of recording. Or heating for a longer time than when recording,
It can be erased by heating so that the cooling rate becomes slow. That is, by such heating, the recording pits held in the isotropic state are reheated, and when the viscosity of the minute area including the recording pits is reduced and the molecules in the area are allowed to undergo molecular motion, The liquid crystal molecules in the random state are re-aligned under the influence of the alignment control force from the surrounding polymer liquid crystal molecules and the alignment layer, thereby erasing. The temperature at which this molecular reorientation occurs is preferably a few degrees Celsius to several tens of degrees Celsius lower than the isotropic phase transition temperature, but at least the entire recording pit should be in this temperature range in order to perform complete erasure without erasure. It needs to be heated to enter. Further, it is preferable that the temperature gradually changes during erasing. Therefore, by irradiating with a power lower than that at the time of recording and a relatively longer time than that at the time of recording, it becomes possible to surely perform erasing. At this time, for example, if the intensity is weakened for the same irradiation time as during recording, the entire recording pit cannot be heated uniformly, and if only the irradiation time is increased, the deep part in the film thickness direction is heated to a high temperature. After all, it will be re-recorded.

【0030】本発明で利用される記録媒体の層構成は図
3のみに限定されず、例えば図7のように記録層2の中
心部等に光熱変換層4を設けるようにしてもよい。この
場合はビーム光照射時に図4とは異なる温度分布が記録
層2内で形成され、図7の場合には、記録層中心部が最
も高温となる分布をする。従ってこれらの構成の記録媒
体においては記録部分は各々温度分布に応じた領域で記
録されることになる。しかしながら、上記構成の記録媒
体を用いた場合には不具合点も出現する可能性があり、
例えば図7の場合には図3の構成よりも記録部が配向層
3から離れているために、配向層3からの配向規制力が
低下し、消去時の性能が劣化する可能性もある。しかし
上記のような問題も記録層膜厚の調整や配向層の材料、
膜厚、ラビング方法等の選択、さらに光熱変換層の構成
及び材料の選択等により容易に克服し得る。
The layer structure of the recording medium used in the present invention is not limited to that shown in FIG. 3, and a photothermal conversion layer 4 may be provided in the central portion of the recording layer 2 as shown in FIG. 7, for example. In this case, a temperature distribution different from that shown in FIG. 4 is formed in the recording layer 2 when the beam light is irradiated, and in the case of FIG. 7, the center portion of the recording layer has the highest temperature distribution. Therefore, in the recording medium having these configurations, the recording portion is recorded in each area according to the temperature distribution. However, in the case of using the recording medium having the above-mentioned configuration, there may be some inconveniences,
For example, in the case of FIG. 7, since the recording portion is farther from the alignment layer 3 than in the configuration of FIG. 3, the alignment regulating force from the alignment layer 3 may be reduced, and the performance at the time of erasing may be deteriorated. However, the above-mentioned problems are also caused by the adjustment of the recording layer thickness and the material of the alignment layer,
It can be easily overcome by selecting the film thickness, rubbing method, etc., and further selecting the constitution and material of the photothermal conversion layer.

【0031】以上、短時間の照射により記録層の厚さ方
向の一部分の配向状態または相状態を変化させて記録を
行う方法につき図3を参照して述べたが、前述したよう
に、本発明によれば、図3と同様な構成の記録媒体に記
録光ビームの強度を多段階に変調せしめて照射し、当該
記録ビーム光強度に応じて形成される記録ピットの大き
さを多段階に異ならせて記録を行い、透過光または反射
光の光量差あるいは位相差によってそれを検出する多値
記録を行うことも可能である。
The method of recording by changing the orientation state or the phase state of a part of the recording layer in the thickness direction by the irradiation for a short time has been described above with reference to FIG. According to the method, the intensity of the recording light beam is modulated and applied to the recording medium having the same structure as that of FIG. 3 and the size of the recording pit formed in accordance with the intensity of the recording beam is different in the multiple levels. It is also possible to perform multi-valued recording in which the recording is performed and the difference is detected by the difference in the amount of transmitted light or the reflected light or the phase difference.

【0032】さらに、前述したように、本発明によれ
ば、図3と同様な構成の記録媒体に記録ビーム光の照射
エネルギーを多段階に変調せしめて照射し、入力すべき
情報の種類、用途によって記録層の厚さ方向の部分的な
変化による記録ピットであって光又は熱によって消去可
能な可逆的記録ピットと、記録層の膜厚方向の全部分の
変化による記録ピットであって光又は熱によって容易に
消去されない非可逆的記録ピットを形成して記録を行
い、透過光または反射光の光量差あるいは位相差によっ
てそれを検出するいわゆるマルチモード記録を行うこと
も可能である。
Furthermore, as described above, according to the present invention, the recording medium having the same structure as that of FIG. Is a reversible recording pit that is erasable by light or heat due to a partial change in the thickness direction of the recording layer and a recording pit due to a change in the entire thickness direction of the recording layer It is also possible to perform so-called multi-mode recording in which an irreversible recording pit that is not easily erased by heat is formed for recording, and the pit is detected by a light amount difference or phase difference of transmitted light or reflected light.

【0033】本発明において用いられる高分子液晶は公
知のものが利用できるが、メソーゲン部位を主鎖ないし
側鎖に有し、平均分子量が500以上のものが利用でき
る。又、当該高分子液晶は架橋されているものであって
も良く、光架橋型であればなお好ましい。
Known polymer liquid crystals can be used in the present invention, but those having a mesogen moiety in the main chain or side chain and an average molecular weight of 500 or more can be used. Further, the polymer liquid crystal may be crosslinked, and more preferably a photocrosslinking type.

【0034】以下に本発明で用いる高分子液晶の具体例
を挙げるが、以下において*は不斉炭素原子であること
を示す。
Specific examples of the polymer liquid crystal used in the present invention will be given below. In the following, * indicates an asymmetric carbon atom.

【0035】[0035]

【表1】 [Table 1]

【0036】[0036]

【表2】 [Table 2]

【0037】[0037]

【表3】 [Table 3]

【0038】[0038]

【表4】 [Table 4]

【0039】[0039]

【表5】 [Table 5]

【0040】[0040]

【表6】 [Table 6]

【0041】[0041]

【表7】 [Table 7]

【0042】[0042]

【表8】 [Table 8]

【0043】[0043]

【表9】 [Table 9]

【0044】[0044]

【表10】 [Table 10]

【0045】[0045]

【表11】 [Table 11]

【0046】[0046]

【表12】 [Table 12]

【0047】このような高分子液晶は通常単独ないし混
合して使用され、更に他の低分子液晶を加えて使用する
ことも可能である。ここで添加される低分子液晶は高分
子液晶の粘度、相転移温度等をコントロールして、記録
特性及び消去特性の改善を目的とするもので、ネマチッ
クやスメクチックあるいはコレステリック液晶で公知の
ものが利用できる。
Such polymer liquid crystals are usually used alone or as a mixture, and it is also possible to use other low molecular liquid crystals in addition. The low-molecular liquid crystal added here is for the purpose of improving the recording characteristics and the erasing characteristics by controlling the viscosity and phase transition temperature of the high-molecular liquid crystal, and a known nematic, smectic or cholesteric liquid crystal is used. it can.

【0048】このような高分子液晶を使用して、例えば
メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロ
ヘキサノン等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢
酸メチル、カルビトールアセテート、ブチルカルビトー
ルアセテート等のエステル系、メチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、テトラヒドロフラン等のエーテル系、な
いしトルエン、キシレン等の芳香族系、ジクロロエタン
等のハロゲン化アルキル系、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N−N−ジメチルアセトアミド、アルコール系等
溶液に溶解して、例えば、ディップコーティング、スプ
レーコーティング、スピナーコーティング、ブレードコ
ーティング、ローラコーティング、カーテンコーティン
グ、ワイアーコーティング等の溶液塗布法や場合によっ
ては加熱による融液状態から塗布して形成することが可
能である。
Using such a polymer liquid crystal, for example, a ketone system such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, etc., an ester system such as butyl acetate, ethyl acetate, methyl acetate, carbitol acetate, butyl carbitol acetate, methyl, etc. Dissolve in ether type such as cellosolve, ethyl cellosolve, tetrahydrofuran, aromatic type such as toluene and xylene, halogenated alkyl type such as dichloroethane, N, N-dimethylformamide, N-N-dimethylacetamide, alcohol type, etc. For example, solution coating methods such as dip coating, spray coating, spinner coating, blade coating, roller coating, curtain coating and wire coating, and in some cases melting by heating. It can be formed by coating from the state.

【0049】本発明で用いられる光熱変換層4を形成す
る材料には公知のものを利用できるが、具体的には下記
のようなものが例示される。例えば、有機材料として
は、シアニン類、ピリリウム類、スクアリリウム類、ク
ロコニウム類、アズレン類、ペンタメチン類等のメチン
・ポリメチン系化合物、チオインジゴ類等のインダンス
レン系化合物、アントラキノン類、ナフトキノン類等の
キノン系化合物、ジチオール類、ジアミン類、フタロシ
アニン類、ナフタロシアニン類、テトラヒドロコリン
類、インドアニリン類等の金属錯体系化合物、ジフェニ
ルメタン系化合物、ジオキサジン系化合物、ジチアジン
系化合物、トリフェニルアミン系化合物、アゾ染料系化
合物等の可視あるいは近赤外域に吸収を持つ色素群など
が挙げられ、無機材料としては、例えば、金、白金、
銀、銅、鉛、亜鉛、アルミニウム、ニッケル、タンタ
ル、コバルト、クロム、ゲルマニウム、ニオブ、パラジ
ウム、スズ等の各種金属の蒸着、CVD、スパッタリン
グ膜などが挙げられるが、本発明は特にこれらに限定さ
れるものではない。
As the material for forming the photothermal conversion layer 4 used in the present invention, known materials can be used, and specifically, the following materials are exemplified. For example, as organic materials, methine / polymethine compounds such as cyanines, pyryliums, squaryliums, croconiums, azulenes and pentamethines, indanthrene compounds such as thioindigos, quinones such as anthraquinones and naphthoquinones. Compounds, dithiols, diamines, phthalocyanines, naphthalocyanines, tetrahydrocholines, metal complex compounds such as indoanilines, diphenylmethane compounds, dioxazine compounds, dithiazine compounds, triphenylamine compounds, azo dyes Examples include dye groups having absorption in the visible or near-infrared region of system compounds, and the inorganic materials include, for example, gold, platinum,
Examples of the vapor deposition of various metals such as silver, copper, lead, zinc, aluminum, nickel, tantalum, cobalt, chromium, germanium, niobium, palladium, tin, CVD, sputtering film, etc., the present invention is not limited thereto. Not something.

【0050】尚、上記無機材料及び一部の有機材料を利
用すると、光熱変換層4を反射層としても利用できるた
めに、情報の再生は記録層側より再生光を反射して、そ
の反射光を検出する方式が採用でれる。光熱変換層4の
反射率が低い場合には記録層2の透過光により情報を検
出する方式が採用され易いため、再生光は記録層2、基
板1のいずれの側から入射されても良い。
When the above-mentioned inorganic material and some organic materials are used, the photothermal conversion layer 4 can also be used as a reflection layer. Therefore, when reproducing information, the reproduction light is reflected from the recording layer side and the reflected light is reflected. Can be adopted. When the reflectance of the photothermal conversion layer 4 is low, the method of detecting information by the transmitted light of the recording layer 2 is easily adopted, and thus the reproducing light may be incident from either side of the recording layer 2 and the substrate 1.

【0051】本記録媒体を構成する他の構成材料につい
ても説明すると、配向層3の材料としては公知の材料が
利用できるが、具体的にはポリイミドあるいはその前駆
体であるポリイミック酸などにラビング処理を施したも
のや、シリコン酸化物等を斜方蒸着したものなどが使用
できる。
Other constituent materials constituting the present recording medium will be described. Known materials can be used as the material of the alignment layer 3. Specifically, a rubbing treatment is performed on polyimide or its precursor polyamic acid. It is possible to use those subjected to the above, or those obtained by oblique vapor deposition of silicon oxide or the like.

【0052】又、基板1を構成する材料についても種々
の公知の材料が使用できるが、例えばポリエチレン、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリスチ
レン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリビニル
アルコール、ポリビニルアセテート、ポリアミド、ポリ
イミド、ポリオレフィン、アクリル樹脂、フェノール樹
脂、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂、及び上記の誘導体な
どの各種プラスチックやガラス、石英板、セラミックな
どを利用することが可能である。
Various known materials can be used as the material for the substrate 1. For example, polyethylene, polyethylene terephthalate, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polycarbonate, polyvinyl alcohol, polyvinyl acetate, polyamide, polyimide, polyolefin. It is possible to use various plastics such as acrylic resin, phenol resin, epoxy resin, fluorine resin, and the above derivatives, glass, quartz plate, ceramics, and the like.

【0053】次に本発明による情報記録装置について説
明する。図8は本発明の実施例に関わる情報記録装置を
示す概略構成図である。情報信号処理装置10は、入力
される情報信号を2値化し、かつ情報信号の種類によっ
て可逆・非可逆各記録モードと消去モードとを区別し
て、光源ドライブ回路11を駆動するものである。また
光源ドライブ回路11は上記情報信号処理回路10から
の信号に応じて光源12を駆動し、光源12から記録光
ビームを出力する。光源12は記録用レーザービームを
記録媒体に照射するものであり、半導体レーザー(L
D)やHe−Neレーザー等を用いることがでるが、価
格的及び構成上LDが好適である。光源12より射出さ
れた光ビームは整形レンズ13にてコリメートされる。
その後、整形レンズ13直下のミラー16によって記録
時と消去時の光学系の選択が行なわれ、まず記録時には
対物レンズ14を通過してモータ28により回転駆動さ
れた記録媒体30に集光される。これにより照射部分に
状態変化が生じて、光源12で変調出力された照射光強
度に応じて、可逆・非可逆の記録ピットが形成される。
Next, the information recording apparatus according to the present invention will be described. FIG. 8 is a schematic configuration diagram showing an information recording apparatus according to an embodiment of the present invention. The information signal processing device 10 drives the light source drive circuit 11 by binarizing the input information signal and distinguishing between the reversible / irreversible recording mode and the erasing mode according to the type of the information signal. The light source drive circuit 11 drives the light source 12 in response to the signal from the information signal processing circuit 10 and outputs a recording light beam from the light source 12. The light source 12 irradiates a recording medium with a recording laser beam, and a semiconductor laser (L
D) or He-Ne laser can be used, but LD is preferable in terms of cost and configuration. The light beam emitted from the light source 12 is collimated by the shaping lens 13.
After that, an optical system at the time of recording and at the time of erasing is selected by a mirror 16 directly below the shaping lens 13, and first at the time of recording, it passes through the objective lens 14 and is condensed on a recording medium 30 which is rotationally driven by a motor 28. As a result, the state of the irradiated portion changes, and reversible / irreversible recording pits are formed according to the intensity of the irradiated light modulated and output by the light source 12.

【0054】さらに対物レンズ15は消去光ビームを出
力する際に用いる光学系で、光源12より出力された光
ビームは整形レンズ13でコリメートされた後、ミラー
16によって対物レンズ15を通過して記録時とは異な
る照射条件によって情報記録媒体30に集光照射され
る。ミラー16はモータ17及びモータドライバ回路1
8を経て情報信号処理回路10によって制御される。
Further, the objective lens 15 is an optical system used when outputting the erasing light beam. The light beam output from the light source 12 is collimated by the shaping lens 13 and then passed through the objective lens 15 by the mirror 16 for recording. The information recording medium 30 is focused and irradiated under an irradiation condition different from the time. The mirror 16 is a motor 17 and a motor driver circuit 1
Controlled by the information signal processing circuit 10 via 8.

【0055】一方、情報の再生は光源20から再生光ビ
ームによって行なわれ、光源20より射出された再生光
ビームは整形レンズ21でコリメートされた後、ビーム
スプリッター22を通過し、波長板23で直線あるいは
円偏光に変換された後に対物レンズ24を経て情報記録
媒体30に照射される。この再生光ビームは記録媒体3
0にて反射され、前述の対物レンズ24、波長板23を
通過し、ビームスプリッター22を透過した後、集光レ
ンズ25を経て検出器26に導かれる。この検出器26
は例えばフォトダイオード等の光電変換素子からなり、
記録媒体30からの再生情報を検出し、再生信号処理装
置27に出力され、再生信号として出力される。なお、
検出器26からの検出信号は再生信号処理装置27を介
して制御装置29にもフィードバックされ、この制御装
置29は対物レンズ14,15,24のフォーカシング
制御、トラッキング制御を行なう。
On the other hand, the reproduction of information is performed by the reproduction light beam from the light source 20, the reproduction light beam emitted from the light source 20 is collimated by the shaping lens 21, passes through the beam splitter 22, and is linearly formed by the wave plate 23. Alternatively, after being converted into circularly polarized light, the information recording medium 30 is irradiated through the objective lens 24. This reproducing light beam is used for the recording medium 3
The light is reflected at 0, passes through the objective lens 24 and the wave plate 23, passes through the beam splitter 22, and is guided to the detector 26 through the condenser lens 25. This detector 26
Is a photoelectric conversion element such as a photodiode,
The reproduction information from the recording medium 30 is detected, output to the reproduction signal processing device 27, and output as a reproduction signal. In addition,
The detection signal from the detector 26 is also fed back to the control device 29 via the reproduction signal processing device 27, and this control device 29 performs focusing control and tracking control of the objective lenses 14, 15, 24.

【0056】なお、上記ではマルチモード記録を行う場
合の装置例につき述べたが、可逆モードと非可逆モード
を区別しないで、短時間のレーザ光照射を行い記録層の
厚さ方向の一部分の配向状態または相状態が変化するよ
うに記録光強度を調整するようにすれば請求項1記載の
記録媒体用の情報記録装置となり、また記録光パワーを
数段階に変化させる機構を設けることにより請求項2記
載の記録媒体用の情報記録装置を構成することができ
る。
Although an example of a device for performing multi-mode recording has been described above, orientation of a portion of the recording layer in the thickness direction of the recording layer is performed by irradiating laser light for a short time without distinguishing between the reversible mode and the irreversible mode. The information recording apparatus for a recording medium according to claim 1, wherein the recording light intensity is adjusted so that the state or the phase state changes, and the mechanism for changing the recording light power in several steps is provided. An information recording device for the recording medium described in 2 can be configured.

【0057】[0057]

【実施例】以下に実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following examples.

【0058】実施例1 基板1として光学研磨された厚さ1.2mmのガラス板
を用い、この基板1上に厚さ約900Åのクロム膜を蒸
着し、光熱変換層4を設けた。そしてその上にポリイミ
ック酸数重量%を含むN−メチルピロリドン溶液をスピ
ンコート法にて約1000Åの厚さにて製膜後、90℃
で乾燥した後に270℃で1時間脱水縮合させてポリイ
ミド化させた。この膜に100g/cm2の荷重で10
回のラビング処理を施し、配向層3を形成した。次い
で、この配向層3上に、前記のNo.33の液晶をテト
ラヒドロフラン中に10重量%溶解した溶液により、同
じくスピンコート法によって厚さ0.5μmの記録層2
を形成し、図3に示す構成の記録媒体を作製した。
Example 1 An optically polished glass plate having a thickness of 1.2 mm was used as a substrate 1, and a chromium film having a thickness of about 900 Å was vapor-deposited on the substrate 1 to provide a photothermal conversion layer 4. Then, an N-methylpyrrolidone solution containing several% by weight of polyamic acid was formed thereon by a spin coating method to a thickness of about 1000Å, and then 90 ° C.
After drying at 270 ° C., dehydration condensation was performed at 270 ° C. for 1 hour to form a polyimide. Apply 10g to this film under a load of 100g / cm 2.
The rubbing process was performed once to form the alignment layer 3. Then, on the alignment layer 3, the above-mentioned No. The recording layer 2 having a thickness of 0.5 μm was also formed by a spin coating method using a solution of 33 of the liquid crystal dissolved in tetrahydrofuran in an amount of 10% by weight.
Then, a recording medium having the structure shown in FIG. 3 was produced.

【0059】この記録媒体を170℃で30分間アニー
ル処理し、記録層2の高分子液晶の分子をホモジニアス
配向させたところ、偏光顕微鏡観察によって良好な配向
をしていることが確認された。
When this recording medium was annealed at 170 ° C. for 30 minutes to orient the molecules of the polymer liquid crystal of the recording layer 2 in a homogeneous orientation, it was confirmed by polarization microscope observation that the orientation was good.

【0060】<記録>上記で作製した記録媒体に対して
発振波長780nm、ビーム径1μmの半導体レーザー
光を用いて、線速3m/s、光強度10mWにて直線状
に記録を形成した。偏光顕微鏡を用いて、直交ニコル下
でステージ角45°(対角位)にて当該記録部分を観察
したところ、記録部分が選択的に暗状態を形成してお
り、未記録部分と明らかなコントラストを有しているこ
とが判った。
<Recording> Recording was linearly formed on the recording medium prepared above using a semiconductor laser beam having an oscillation wavelength of 780 nm and a beam diameter of 1 μm at a linear velocity of 3 m / s and a light intensity of 10 mW. Observation of the recorded part under a crossed Nicols at a stage angle of 45 ° (diagonal position) using a polarization microscope revealed that the recorded part selectively formed a dark state and had a clear contrast with the unrecorded part. Was found to have.

【0061】<再生>上記のようにして記録が形成され
た記録媒体に対して、先の半導体レーザー光の光強度を
1mWに落とし、線速3m/sにて、記録線に対して垂
直にスキャンし、その反射光をピンフォトダイオードで
検出できる様なシステムを使い、半導体レーザー光が記
録層に入射する前と、反射された後に各々1枚の偏光板
を設けて、この一対の偏光板の方位が直交するように設
置した。この状態で受光素子から得られる応答を計測し
たところ、未記録部と記録部では明らかな出力差が得ら
れ、S/N比換算で少なくとも30dB以上で検出でき
ることが判った。
<Reproduction> With respect to the recording medium on which the recording is formed as described above, the light intensity of the semiconductor laser light is lowered to 1 mW, and the linear velocity is set to 3 m / s to be perpendicular to the recording line. Using a system that can scan and detect the reflected light with a pin photodiode, one polarizing plate is provided before the semiconductor laser light is incident on the recording layer and one after it is reflected. It was installed so that the azimuths were orthogonal. When the response obtained from the light receiving element in this state was measured, it was found that a clear output difference was obtained between the unrecorded portion and the recorded portion, and it was possible to detect with an S / N ratio conversion of at least 30 dB or more.

【0062】<消去>この記録媒体を170℃に加熱し
たホットステージ上で30秒間加熱した後、急冷したと
ころ上記記録線は完全に消去されていることが偏光顕微
鏡によって確認された。
<Erase> When this recording medium was heated on a hot stage heated to 170 ° C. for 30 seconds and then rapidly cooled, it was confirmed by a polarization microscope that the recording line was completely erased.

【0063】上記記録後の記録媒体に対して5μmのビ
ーム径に集光した半導体レーザー光を用いて強度6m
W、線速50mm/sで再生の際と同様に記録線と垂直
方向にスキャンし、部分的消去を試みた。そしてこの記
録媒体を偏光顕微鏡観察したところ、記録線の一部が幅
2.5μmに渡って消去されていることが確認できた。
An intensity of 6 m is obtained by using a semiconductor laser beam focused on a beam diameter of 5 μm on the recording medium after the recording.
Scanning was performed in the direction perpendicular to the recording line in the same manner as in reproduction at W and a linear velocity of 50 mm / s, and partial erasing was attempted. When the recording medium was observed with a polarizing microscope, it was confirmed that part of the recording line was erased over a width of 2.5 μm.

【0064】実施例2 基板1として光学研磨された50×50(mm2)、厚
さ1.2mmのガラス板を用い、この基板1上に厚さ約
900Åのクロム蒸着膜を設けて光熱変換層4とした。
そしてその上に、ポリイミック酸数wt%を含むN−メ
チルピロリドン溶液を用いてスピンコート法にて約10
00Åの厚さの薄膜を塗工し、乾燥後、270℃で1時
間脱水縮合してポリイミド化させた。この膜に100g
/cm2の荷重で10回のラビング処理を施し、配向層
3を形成した。
Example 2 As a substrate 1, an optically polished glass plate having a thickness of 50 × 50 (mm 2 ) and a thickness of 1.2 mm was used, and a chromium vapor deposition film having a thickness of about 900 Å was provided on the substrate 1 to perform photothermal conversion. It was Layer 4.
Then, a solution of N-methylpyrrolidone containing several wt% of polyimic acid is spin-coated thereon for about 10
A thin film having a thickness of 00Å was applied, dried, and dehydrated and condensed at 270 ° C. for 1 hour to form a polyimide. 100g on this membrane
The alignment layer 3 was formed by performing rubbing treatment 10 times with a load of / cm 2 .

【0065】次いで、この配向層3上に前記のNo.3
3の液晶を5wt%テトラヒドロフラン溶液とし、スピ
ンコート法にて5000Åの記録層2を形成した後、1
70℃にて30分間アニール処理を施し、当該液晶分子
を配向させた後に急冷し、記録媒体を作製した。
Next, on the alignment layer 3, the above-mentioned No. Three
The liquid crystal of 3 was used as a 5 wt% tetrahydrofuran solution, and the recording layer 2 of 5000 Å was formed by spin coating, and then 1
Annealing treatment was performed at 70 ° C. for 30 minutes to align the liquid crystal molecules, and then rapidly cooled to prepare a recording medium.

【0066】この記録媒体を偏光顕微鏡を用いて直交ニ
コル下で観察したところ、ステージ角に依存して明らか
な明暗差が生じ、当該高分子液晶の分子が基板面に対し
てホモジニアス配向していることが確認された。
When this recording medium was observed under a crossed Nicols using a polarization microscope, a clear difference in light and shade was produced depending on the stage angle, and the molecules of the polymer liquid crystal were homogeneously aligned with respect to the substrate surface. It was confirmed.

【0067】次に、この記録媒体を用いて、以下の手順
で記録・消去・再生の実験を行なった。
Next, using this recording medium, recording / erasing / reproducing experiments were conducted in the following procedure.

【0068】〈記録〉本記録媒体に対して発振波長78
0nm、ビーム径1μmに集光した半導体レーザー光を
用いて、線速4m/sで強度を16,12,8mWと変
えて、各強度毎に直線状に10μmピッチで数本のライ
ンを記録した。その記録媒体を反射型偏光顕微鏡を用い
て直交ニコル下、対角位(ステージ角45°)で観察し
たところ、記録部分は周囲の未記録部と異なり、選択的
に暗状態を形成していた。この部分はステージ角に依存
せずに常時、暗状態であるために、上記操作により等方
性部分が記録層中に出現したことが確認された。
<Recording> An oscillation wavelength of 78 is applied to this recording medium.
Using a semiconductor laser beam focused at 0 nm and a beam diameter of 1 μm, the intensity was changed to 16, 12, 8 mW at a linear velocity of 4 m / s, and several lines were recorded linearly for each intensity at a pitch of 10 μm. . When the recording medium was observed at a diagonal position (stage angle of 45 °) under a crossed Nicols using a reflection type polarization microscope, the recorded portion selectively formed a dark state unlike the surrounding unrecorded portion. . Since this portion is always in the dark state regardless of the stage angle, it was confirmed that the isotropic portion appeared in the recording layer by the above operation.

【0069】〈再生〉上記記録済媒体を用いて、記録時
に使用した半導体レーザー光にて強度3mW、線速4m
/sで記録層側から記録線と垂直方向に走査した。照射
光は媒体入射前に偏光子を通過し媒体から反射後検光子
を経て受光素子(光電増倍管)にて光量が計測できるよ
うにした。この受光素子からの応答により各信号が表1
3のように再生できることが判った。
<Reproduction> Using the above recorded medium, the intensity of the semiconductor laser beam used for recording was 3 mW and the linear velocity was 4 m.
/ S was scanned from the recording layer side in the direction perpendicular to the recording line. The irradiation light passed through the polarizer before entering the medium, was reflected from the medium, passed through the analyzer, and was allowed to measure the amount of light by the light receiving element (photomultiplier tube). Each signal is shown in Table 1 according to the response from this light receiving element.
It turns out that it can be regenerated like 3.

【0070】[0070]

【表13】 [Table 13]

【0071】上記の結果から、本記録媒体の再生信号は
記録光強度に依存し、記録光強度が高い程、記録したラ
インの幅が太くなり、未記録部との明暗差を大きくなる
ということが判った。
From the above results, the reproduction signal of the present recording medium depends on the recording light intensity, and the higher the recording light intensity, the wider the width of the recorded line and the greater the difference in brightness from the unrecorded portion. I understood.

【0072】〈消去〉上記記録媒体に対して波長780
nmの半導体レーザー光を5μmに集光したビームを用
いて、強度8mW、線速200mm/sで基板側から再
生光と同様に記録線とは垂直に消去光を走査した。この
媒体を偏光顕微鏡にてクロスニコル下で消去光と記録線
との交叉部を観察したところ、記録光強度12mWと8
mWで記録した部分では幅2μmに渡って記録線が消去
され、元のホモジニアス配向状態に戻っていることが確
認された。しかし、16mWで記録した部分は、記録線
が薄くなっているものの完全な消去には至らなかった。
<Erase> A wavelength of 780 is applied to the recording medium.
An erasing light was scanned from the substrate side at a linear velocity of 200 mm / s at a linear velocity of 200 mm / s in the same manner as the reproducing light and erasing light perpendicular to the recording line using a beam obtained by concentrating a semiconductor laser light of 5 nm to 5 μm. When the intersection of the erasing light and the recording line was observed under a crossed Nicols with a polarizing microscope, the recording light intensity was 12 mW and 8
It was confirmed that the recording line was erased over the width of 2 μm in the portion recorded at mW and returned to the original homogeneous alignment state. However, in the portion recorded at 16 mW, although the recording line was thin, it was not completely erased.

【0073】比較例1 上記実施例1で用いた記録媒体を再度170℃で30分
間アニール処理し、初期化した後、下記条件で記録、消
去の実験を行なった。 ・記録条件 ビーム径:1μmφ ビーム強度:1.6mW 線速:3m/s ・消去 ビーム径:5μmφ ビーム強度:6mW 線速:50mm/s
Comparative Example 1 After the recording medium used in Example 1 was annealed again at 170 ° C. for 30 minutes to initialize it, recording and erasing experiments were conducted under the following conditions. Recording conditions Beam diameter: 1 μmφ Beam intensity: 1.6 mW Linear velocity: 3 m / s Erase beam diameter: 5 μmφ Beam intensity: 6 mW Linear velocity: 50 mm / s

【0074】記録後のラインを観察したところ、実施例
の場合よりも明らかに太い線が形成されていることが判
った。又、これに対して消去を行なったが、消去後のラ
インはほとんど変わらず、若干記録後よりも細くなって
いる部分がある程度で、記録線が完全に消去できていな
いことが判った。
When the line after recording was observed, it was found that a line thicker than that in the example was formed. When erasing was performed on this, it was found that the line after erasing was almost unchanged, and the recording line could not be completely erased because there was a portion that was slightly thinner than after recording.

【0075】比較例2 実施例2にて使用した媒体を用いて、同実施例と同様の
操作によって、波長780nm、ビーム径5μmの半導
体レーザー光を線速4m/s、強度16〜4mWで走査
した。この媒体を実施例2と同様に偏光顕微鏡で観察し
たが、記録線には変化は見られず、消去はできなかっ
た。
Comparative Example 2 Using the medium used in Example 2, a semiconductor laser beam having a wavelength of 780 nm and a beam diameter of 5 μm was scanned at a linear velocity of 4 m / s and an intensity of 16 to 4 mW by the same operation as in the same example. did. When this medium was observed with a polarization microscope in the same manner as in Example 2, no change was observed in the recording line and erasure was impossible.

【0076】比較例3 比較例2と同様の条件で、消去光のビーム径を実施例2
と同じく直径1μmまで集光して、以下比較例2と同様
の操作をしたところ、強度8〜16mWでは記録線とは
垂直に新たな線が引かれており再記録されていた。又、
強度7〜1mWでは媒体上に偏光光学的な変化は見られ
なかった。
Comparative Example 3 Under the same conditions as in Comparative Example 2, the beam diameter of the erasing light was changed to that in Example 2.
When the same operation as in Comparative Example 2 was performed after condensing the light to a diameter of 1 μm in the same manner as above, a new line was drawn perpendicularly to the recording line at the intensity of 8 to 16 mW and re-recording was performed. or,
No polarization optical change was observed on the medium at an intensity of 7 to 1 mW.

【0077】実施例3 光学研磨された厚さ1.2mmのパイレクスガラスを基
板1として用い、これに厚さ約900Åのクロム膜を蒸
着し、光熱変換層4を設けた。この上にポリアミック酸
数重量%を含むN−メチルピロリドン溶液をスピンコー
トし約100nmの薄膜を形成した後、270℃で1時
間脱水縮合しポリイミド化した。この膜に100g/c
2の荷重で10回ラビング処理し、配向層3を形成し
た。次いで、この配向層3上に前記No.33の液晶を
テトラヒドロフラン中に約10重量%溶解した溶液を用
い、ブレードコート法によりウェットギャップ10μm
にて前記配向層3上に厚さ300nmの記録層2を形成
し、オーブン中で170℃で30分間配向処理を施し、
図3に示す構成の記録媒体を作製した。この記録媒体を
偏光顕微鏡を用いて、直交ニコル下で観察したところ、
ステージ角に依存して大きな明暗差を呈することから本
高分子液晶のメソーゲン部位が基板に対して良好なホモ
ジニアス配向をしていることが確認された。
Example 3 An optically polished Pyrex glass having a thickness of 1.2 mm was used as a substrate 1, and a chromium film having a thickness of about 900 Å was vapor-deposited on the substrate 1 to provide a photothermal conversion layer 4. A N-methylpyrrolidone solution containing several% by weight of a polyamic acid was spin-coated on this to form a thin film having a thickness of about 100 nm, which was then dehydrated and condensed at 270 ° C. for 1 hour to form a polyimide. 100g / c on this film
The alignment layer 3 was formed by rubbing 10 times under a load of m 2 . Then, on the alignment layer 3, the No. A liquid crystal of 33 was dissolved in tetrahydrofuran in an amount of about 10% by weight, and a wet gap of 10 μm was obtained by a blade coating method.
To form a recording layer 2 having a thickness of 300 nm on the alignment layer 3 and subjected to an alignment treatment in an oven at 170 ° C. for 30 minutes,
A recording medium having the structure shown in FIG. 3 was produced. When this recording medium was observed under a crossed Nicols using a polarization microscope,
It was confirmed that the mesogen moiety of the present polymer liquid crystal had a good homogeneous orientation with respect to the substrate, because it showed a large difference in brightness depending on the stage angle.

【0078】次に光ビーム出力手段として波長780n
m、定格出力強度35mWの半導体レーザー(LD)と
これをサンプル面上にφ1μmにフォーカスする光学系
を有し、光ビーム変調手段として半導体レーザードライ
ブ回路を有し、可逆・非可逆各々の情報に応じて2段階
の出力信号を発生する信号出力手段を具備する記録装置
を使用し、2つの情報に応じてサンプル面上の強度が可
逆モードの場合は8mW、非可逆モードでは16mWの
2段階に変調して、各々250ns基板側から記録ビー
ム光を照射した。
Next, as a light beam output means, a wavelength of 780n
m, a semiconductor laser (LD) with a rated output intensity of 35 mW, and an optical system for focusing this on the sample surface to φ1 μm, and a semiconductor laser drive circuit as a light beam modulating means, for reversible and irreversible information. According to two pieces of information, the intensity on the sample surface is set to 8 mW in the reversible mode and 16 mW in the irreversible mode according to two pieces of information. Modulation was performed, and the recording beam light was irradiated from the substrate side of 250 ns.

【0079】この記録媒体を用い、上記記録装置の試料
面上ビーム光強度を2mWに下げ、連続点灯(CW)で
記録層側より一対の偏光板を介して反射率を測定したと
ころ表14のような結果が得られた。
Using this recording medium, the beam light intensity on the sample surface of the recording apparatus was lowered to 2 mW, and the reflectance was measured from the recording layer side through a pair of polarizing plates under continuous lighting (CW). The result is as follows.

【0080】[0080]

【表14】 [Table 14]

【0081】また、本記録媒体に対して、波長780n
m、定格出力強度35mWのLDをサンプル面上にφ5
μmにフォーカスし、連続点灯(CW)、試料面上ビー
ム光強度を8mW、線速200mm/sで基板側から消
去光を照射したところ、上記記録ピットの内8mWで記
録した部分は完全に消去できることが確認されたが、1
5mWで記録した部分は消去光線速を20mm/sに減
速して数回走査したにも関わらず、消去することはでき
なかった。
Further, with respect to the present recording medium, a wavelength of 780n
LD with a rated output intensity of 35 mW on the sample surface of φ5
When erasing light was irradiated from the substrate side at a continuous lighting (CW) with a focus on μm, a beam light intensity on the sample surface of 8 mW, and a linear velocity of 200 mm / s, the portion recorded with 8 mW of the above recording pits was completely erased. It was confirmed that it was possible, but 1
The portion recorded at 5 mW could not be erased even though the erasing light velocity was reduced to 20 mm / s and scanning was performed several times.

【0082】実施例4 光学研磨された厚さ1.2mmのパイレクスガラスを基
板1として用い、これに厚さ約900Åのクロム膜を蒸
着し、光熱変換層4を設けた。この上にポリアミック酸
数重量%を含むN−メチルピロリドン溶液をスピンコー
トし約100nmの薄膜を形成した後、270℃で1時
間脱水縮合しポリイミド化した。この膜に100g/c
2の荷重で10回ラビング処理し、配向層3を形成し
た。次いで、この配向層上に前記No.33の液晶をテ
トラヒドロフラン中に約10重量%溶解した溶液を用
い、スピンコート法により前記配向層3上に厚さ1.2
μmの記録層2を形成し、オーブン中で170℃で30
分間配向処理を施し、図3に示す構成の記録媒体を作製
した。この記録媒体を偏光顕微鏡を用いて、直交ニコル
下で観察したところ、ステージ角に依存して大きな明暗
差を呈することから本高分子液晶のメソーゲン部位が基
板に対して良好なホモジニアス配向をしていることが確
認された。
Example 4 Optically polished Pyrex glass having a thickness of 1.2 mm was used as the substrate 1, and a chromium film having a thickness of about 900 Å was vapor-deposited on the substrate 1 to provide the photothermal conversion layer 4. A N-methylpyrrolidone solution containing several% by weight of a polyamic acid was spin-coated on this to form a thin film having a thickness of about 100 nm, which was then dehydrated and condensed at 270 ° C. for 1 hour to form a polyimide. 100g / c on this film
The alignment layer 3 was formed by rubbing 10 times under a load of m 2 . Then, on the alignment layer, the No. A solution of 33 liquid crystal of about 10% by weight in tetrahydrofuran was spin-coated on the alignment layer 3 to a thickness of 1.2.
The recording layer 2 having a thickness of μm is formed, and the recording layer 2 is heated in an oven at 170 ° C. for 30 minutes.
The recording medium having the structure shown in FIG. When this recording medium was observed under a crossed Nicols using a polarization microscope, it showed a large difference in brightness depending on the stage angle, so that the mesogen portion of the present polymer liquid crystal had a good homogeneous orientation with respect to the substrate. Was confirmed.

【0083】次に光ビーム出力手段として波長780n
m、定格出力強度35mWの半導体レーザー(LD)と
これをサンプル面上にφ5μmにフォーカスする光学系
を有し、光ビーム変調手段として半導体レーザードライ
ブ回路を有し、5種類の情報に応じて5段階の出力信号
を発生する信号出力手段を具備する記録装置を使用し、
5つの情報に応じてサンプル面上の強度を0mW、12
mW、13mW、14mW、15mWの5段階に変調さ
せて、各々25μs基板側から記録ビーム光を照射し
た。この信号に基づくレーザービームの照射により大き
さな異なる5段階の情報が記録された。このサンプルを
用い、上記記録装置の試料面上ビーム光強度を2mWに
下げ、連続点灯(CW)で記録層側より一対の偏光板を
介して反射率を測定したところ表15のような結果が得
られた。
Next, a wavelength of 780n is used as a light beam output means.
m, a semiconductor laser (LD) having a rated output intensity of 35 mW, and an optical system for focusing this on a sample surface to φ5 μm, and a semiconductor laser drive circuit as a light beam modulating means, which has five types depending on five kinds of information. Using a recording device having a signal output means for generating a step output signal,
The intensity on the sample surface is set to 0 mW, 12 according to the 5 information.
The recording beam was irradiated from the substrate side of 25 μs after being modulated in 5 steps of mW, 13 mW, 14 mW, and 15 mW. By irradiating the laser beam based on this signal, information of five different levels was recorded. Using this sample, the beam light intensity on the sample surface of the recording apparatus was lowered to 2 mW, and the reflectance was measured from the recording layer side through a pair of polarizing plates under continuous lighting (CW). Was obtained.

【0084】[0084]

【表15】 また本記録媒体を再度オーブン中で170℃で30分
間配向処理を施すことにより、上記記録ピットは完全に
消去できることが確認された。
[Table 15] It was also confirmed that the recording pits could be completely erased by subjecting the recording medium to the orientation treatment again at 170 ° C. for 30 minutes in the oven.

【0085】実施例5 光学研磨された厚さ1.2mmの硼硅酸ガラスを基板1
として用い、この基板1上に厚さ約1000Åのクロム
膜を蒸着して光熱変換層4を設けた。そしてその上にポ
リアミック酸数重量%を含むN−メチルピロリドン溶液
をスピンコート法にて塗布して、約500nmの薄膜を
形成した。これを270℃で1時間脱水縮合してポリイ
ミド化し、室温放冷後、この膜に100g/cm2の荷
重で10回ラビング処理を施し、配向層3を形成した。
次いで、この配向層3上に前記のNo.33の液晶をテ
トラヒドロフラン溶液中に10重量%溶解した溶液を用
い、配向層同様スピンコート法により厚さ約1.6μm
の記録層2を形成した後、オーブン中で170℃で30
分間配向処理を施し、図3に示す構成の記録媒体を作製
した。
Example 5 Optically polished borosilicate glass having a thickness of 1.2 mm was used as the substrate 1.
Then, a chromium film having a thickness of about 1000 Å was vapor-deposited on the substrate 1 to form the photothermal conversion layer 4. Then, an N-methylpyrrolidone solution containing several% by weight of polyamic acid was applied thereon by spin coating to form a thin film of about 500 nm. This was dehydrated and condensed at 270 ° C. for 1 hour to form a polyimide, allowed to cool at room temperature, and rubbed with a load of 100 g / cm 2 for 10 times to form an alignment layer 3.
Then, on the alignment layer 3, the No. A liquid crystal of 33 was dissolved in a tetrahydrofuran solution in an amount of 10% by weight, and a thickness of about 1.6 μm was obtained by spin coating as in the alignment layer.
After forming recording layer 2 of
The recording medium having the structure shown in FIG.

【0086】この記録媒体を偏光顕微鏡を用いて直交ニ
コル下で観察したところ、ステージ角に依存して明らか
な明暗差を呈することから、高分子液晶記録膜が基板に
対して良好なホモジニアス配向をしていることが確認さ
れた。また本記録媒体のリターデーションを顕微分光シ
ステムにより測定したところ、波長780nmにおいて
約190nmであった。
When this recording medium was observed under a crossed Nicols using a polarizing microscope, a clear difference in brightness was exhibited depending on the stage angle. Therefore, the polymer liquid crystal recording film showed a good homogeneous alignment with the substrate. It was confirmed that Further, the retardation of this recording medium was measured by a microspectroscopic system, and it was about 190 nm at a wavelength of 780 nm.

【0087】次に光源として波長780nm、定格出力
強度35mWの半導体レーザー(LD)とこのビーム光
をサンプル面上にφ5μmに集光する光学系を持ち、さ
らにビーム光を変調する手段としてLDドライブ回路と
本記録媒体を定速で運動させるモータおよびモータドラ
イブを有する記録装置を使用し、5種類の情報に応じて
レーザー光強度を5段階に変調しながら、当該記録媒体
の基板1側から100mm/sの走査速度で、デューテ
ィー比50%にて、表16の条件により記録光を照射し
た。
Next, a semiconductor laser (LD) having a wavelength of 780 nm and a rated output intensity of 35 mW is used as a light source, and an optical system for condensing this beam light to φ5 μm on the sample surface, and an LD drive circuit as a means for modulating the beam light. And a recording apparatus having a motor and a motor drive for moving the recording medium at a constant speed are used, the laser light intensity is modulated in five stages according to five kinds of information, and 100 mm / Recording light was irradiated under the conditions shown in Table 16 at a scanning speed of s and a duty ratio of 50%.

【0088】[0088]

【表16】 [Table 16]

【0089】本記録媒体を用い、上記記録装置のビーム
光強度を3mWに下げ、連続点灯(CW)にて記録層側
より一対に互いに直交する偏光板を介して、当該記録部
分の反射光量を測定したところ、表16のような結果が
得られた。
Using this recording medium, the beam light intensity of the recording apparatus was lowered to 3 mW, and the amount of reflected light at the recording portion was changed from the recording layer side through a pair of polarizing plates orthogonal to each other during continuous lighting (CW). Upon measurement, the results shown in Table 16 were obtained.

【0090】また、本記録媒体を上記記録装置にてレー
ザー光強度6mW、走査速度0.64mm/sにて基板
側から消去光を連続点灯(CW)にて照射したところ、
上記記録ピットはほぼ完全に消去できることが確認され
た。
When the recording medium was irradiated with erasing light from the substrate side by continuous lighting (CW) at a laser beam intensity of 6 mW and a scanning speed of 0.64 mm / s in the recording apparatus,
It was confirmed that the recording pits could be almost completely erased.

【0091】実施例6 光学研磨された厚さ1.2mmのパイレクスガラスを基
板1として用い、この基板1上に厚さ約1000Åのク
ロム膜を蒸着して光熱変換層4を設けた。そしてその上
にポリアミック酸数重量%を含むN−メチルピロリドン
溶液をスピンコート法により塗布して、約500nmの
薄膜を形成した。これを270℃で1時間脱水縮合して
ポリイミド化し、室温放冷後、この膜に100g/cm
2の荷重で10回ラビング処理を施し、配向層3を形成
した。次いで、この配向層3上に前記のNo.33の液
晶をテトラヒドロフラン溶液中に10重量%溶解した溶
液を用い、配向層同様スピンコート法により厚さ約1.
6μmの記録層2を形成した後、オーブン中で170℃
で30分間配向処理を施し、図3に示す構成の記録媒体
を作製した。
Example 6 An optically polished Pyrex glass having a thickness of 1.2 mm was used as a substrate 1, and a chromium film having a thickness of about 1000 Å was vapor-deposited on the substrate 1 to provide a photothermal conversion layer 4. Then, an N-methylpyrrolidone solution containing several% by weight of polyamic acid was applied thereon by spin coating to form a thin film of about 500 nm. This was dehydrated and condensed at 270 ° C. for 1 hour to form a polyimide, allowed to cool at room temperature, and then 100 g / cm 2 was added to this film.
A rubbing treatment was applied 10 times with a load of 2 to form an alignment layer 3. Then, on the alignment layer 3, the No. The liquid crystal of No. 33 was dissolved in a tetrahydrofuran solution in an amount of 10% by weight, and a thickness of about 1.
After forming the recording layer 2 of 6 μm, 170 ° C. in an oven
Was subjected to an alignment treatment for 30 minutes to prepare a recording medium having the structure shown in FIG.

【0092】この記録媒体を偏光顕微鏡を用いて直交ニ
コル下で観察したところ、ステージ角に依存して明らか
な明暗差を呈することから、高分子液晶記録膜が基板に
対して良好なホモジニアス配向をしていることが確認さ
れた。また本記録媒体のリターデーションを顕微分光シ
ステムにより測定したところ、波長780nmにおいて
約190nmであった。
When this recording medium was observed under a crossed Nicols using a polarizing microscope, a clear difference in brightness was exhibited depending on the stage angle. Therefore, the polymer liquid crystal recording film showed a good homogeneous alignment with the substrate. It was confirmed that Further, the retardation of this recording medium was measured by a microspectroscopic system, and it was about 190 nm at a wavelength of 780 nm.

【0093】次に光源として波長780nm、定格出力
強度35mWの半導体レーザー(LD)とこのビーム光
をサンプル面上にφ5μmに集光する光学系を持ち、さ
らにビーム光を変調する手段としてLDドライブ回路と
本記録媒体を定速で運動させるモータおよびモータドラ
イブを有する記録装置を使用し、3種類の情報に応じて
レーザー光強度を3段階に変調しながら、当該記録媒体
の基板1側から100mm/sの走査速度で、デューテ
ィー比50%にて、表17の条件により記録光を照射し
た。
Next, a semiconductor laser (LD) having a wavelength of 780 nm and a rated output intensity of 35 mW is used as a light source, and an optical system for condensing this beam light to φ5 μm on the sample surface, and an LD drive circuit as a means for modulating the beam light. And a recording device having a motor and a motor drive for moving the recording medium at a constant speed are used, the laser light intensity is modulated in three stages according to three kinds of information, and 100 mm / Recording light was irradiated under the conditions of Table 17 at a scanning speed of s and a duty ratio of 50%.

【0094】[0094]

【表17】 [Table 17]

【0095】本記録媒体を用い、上記記録装置のビーム
光強度を3mWに下げ、連続点灯(CW)にて記録層側
より、一対に互いに直交する偏光板を介して、当該記録
部分の反射光量を測定したところ、表17のような結果
が得られた。
Using this recording medium, the beam light intensity of the above recording apparatus was lowered to 3 mW, and the amount of reflected light of the recording portion from the recording layer side through the pair of polarizing plates orthogonal to each other during continuous lighting (CW). Was measured, and the results shown in Table 17 were obtained.

【0096】また、本記録媒体を上記記録装置にてレー
ザー光強度6mW、走査速度0.64mm/sにて、基
板側から消去光を連続点灯(CW)にて照射したとこ
ろ、上記記録ピットは可逆記録がほぼ完全に消去できる
のに対して、非可逆記録はほとんど変化なく消去できな
いことが、偏光顕微鏡で確認された。
When the recording medium was irradiated with erasing light by continuous lighting (CW) from the substrate side with a laser light intensity of 6 mW and a scanning speed of 0.64 mm / s in the recording apparatus, the recording pits were formed. It was confirmed by a polarization microscope that the reversible recording could be erased almost completely, whereas the irreversible recording could not be erased with almost no change.

【0097】[0097]

【発明の効果】本発明によれば、高分子液晶記録層の厚
さ方向の一部分の配向状態を変化させることにより記録
を行うために、記録時の転送速度を向上させるだけでな
く、記録時の変化部分が消去の際に元の状態に戻りやす
いため消し残りがなくかつ消去速度が高速化され、信頼
性の高い記録、消去を行うことが可能となる。また、本
発明によれば、高分子液晶層の膜厚方向の配向状態変化
あるいは相状態変化の大きさを簡便に多段階に制御する
ことにより、多値記録が可能となり、記録密度を飛躍的
に向上させることができる。さらに、本発明によれば、
高分子液晶層の膜厚方向の配向状態変化あるいは相変化
の範囲を簡便に制御して、単一記録媒体で可逆・非可逆
の2種類の記録を行うことが可能となる。
According to the present invention, since recording is performed by changing the orientation state of a part of the polymer liquid crystal recording layer in the thickness direction, not only the transfer rate at the time of recording is improved but also recording is performed. Since the changed portion of is easy to return to the original state at the time of erasing, there is no unerased portion, the erasing speed is increased, and highly reliable recording and erasing can be performed. Further, according to the present invention, multi-value recording becomes possible by simply controlling the magnitude of the alignment state change or phase state change in the film thickness direction of the polymer liquid crystal layer in multiple steps, and the recording density is dramatically increased. Can be improved. Further according to the invention,
It is possible to easily control the range of the alignment state change or the phase change of the polymer liquid crystal layer in the film thickness direction, and perform two types of recording, reversible and irreversible, with a single recording medium.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明における記録ピットの大きさのコントロ
ールの説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of control of a recording pit size according to the present invention.

【図2】本発明における記録ピットの大きさのコントロ
ールの説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram of control of the size of a recording pit in the present invention.

【図3】本発明に用いる記録媒体の層構成例を示す断面
図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a layer configuration example of a recording medium used in the present invention.

【図4】図3の記録媒体の記録層内に形成されるべき温
度分布を示す断面図である。
4 is a cross-sectional view showing a temperature distribution to be formed in a recording layer of the recording medium of FIG.

【図5】本発明における記録の状態の一例を示す断面図
である。
FIG. 5 is a sectional view showing an example of a recording state in the present invention.

【図6】長時間照射によって記録層全体に渡って形成さ
れる記録の状態の一例を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of a recording state formed over the entire recording layer by long-time irradiation.

【図7】本発明に用いる記録媒体の別の層構成例を示す
断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing another layer configuration example of the recording medium used in the present invention.

【図8】本発明に係る情報記録装置の構成例を示す概略
図である。
FIG. 8 is a schematic diagram showing a configuration example of an information recording apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 記録層 3 配向層 4 光熱変換層 10 情報信号処理装置 11 光源ドライブ
回路 12,20 光源 13,21 整形レ
ンズ 14,15,24 対物レンズ 16 ミラー 22 ビームスプリッター 23 波長板 25 集光レンズ 26 検出器 27 再生信号処理装置 29 制御装置 30 情報記録媒体
1 substrate 2 recording layer 3 alignment layer 4 photothermal conversion layer 10 information signal processing device 11 light source drive circuit 12, 20 light source 13, 21 shaping lens 14, 15, 24 objective lens 16 mirror 22 beam splitter 23 wavelength plate 25 condensing lens 26 Detector 27 Playback signal processing device 29 Control device 30 Information recording medium

フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11B 7/24 521 7215−5D (72)発明者 寺村 薫 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 (72)発明者 太田 正文 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内Continuation of front page (51) Int.Cl. 5 Identification number Office reference number FI Technical indication location G11B 7/24 521 7215-5D (72) Inventor Kaoru Teramura 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stocks Inside Ricoh Company (72) Inventor Masafumi Ota 1-3-6 Nakamagome Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Company Ltd.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも基板上に可逆的な配向状態の
変化または相変化を起こして記録、消去を行う高分子液
晶からなる記録層と該高分子液晶を配向させる配向層を
有し、該記録層は短時間の光照射によりその厚さ方向の
一部分の配向状態または相状態が変化するものであるこ
とを特徴とする記録媒体。
1. A recording layer comprising a polymer liquid crystal for recording and erasing by causing a reversible change of orientation state or phase change on at least a substrate, and an alignment layer for orienting the polymer liquid crystal. The layer is a recording medium characterized in that the orientation state or phase state of a part of the layer in the thickness direction is changed by light irradiation for a short time.
【請求項2】 該記録層は、強度変調された記録光ビー
ムの照射により、少なくとも2多段階以上の大きさの記
録ピットを形成しうるものであることを特徴とする請求
項1に記載の記録媒体。
2. The recording layer is capable of forming recording pits having at least two multi-step sizes by irradiating an intensity-modulated recording light beam. recoding media.
【請求項3】 少なくとも基板上に可逆的な配向状態の
変化または相変化を起こして記録、消去を行う高分子液
晶からなる記録層と該高分子液晶を配向させる配向層を
有し、該記録層は光照射によりその厚さ方向の一部分あ
るいは全部分の配向状態または相状態が変化するもので
あることを特徴とする記録媒体。
3. A recording layer comprising a polymer liquid crystal for recording and erasing by causing a reversible change of orientation state or phase change on at least a substrate, and an alignment layer for orienting the polymer liquid crystal, A layer is a recording medium characterized in that the orientation state or phase state of a part or the whole of the layer in the thickness direction is changed by light irradiation.
【請求項4】 該記録層は、強度変調された記録光ビー
ムの照射により、少なくとも2段階以上の大きさの記録
ピットを形成しうるものであり、かつ該記録層の厚さ方
向に部分的に形成された記録ピットは消去可能な可逆的
な記録ピットであり、該記録層の厚さ方向の全部分に形
成された記録ピットは容易に消去されない非可逆的な記
録ピットであることを特徴とする請求項3に記載の記録
媒体。
4. The recording layer is capable of forming recording pits having a size of at least two steps or more by irradiating an intensity-modulated recording light beam, and is partially formed in the thickness direction of the recording layer. The recording pits formed on the recording layer are erasable reversible recording pits, and the recording pits formed on the entire thickness direction of the recording layer are irreversible recording pits that are not easily erased. The recording medium according to claim 3.
【請求項5】 該記録層を構成する高分子液晶の初期配
向状態の膜厚方向の複屈折率と膜厚の積(リターデーシ
ョン)が25〜750nmの範囲であることを特徴とす
る請求項1〜4のいずれか一項に記載の記録媒体。
5. The product (retardation) of the birefringence in the film thickness direction and the film thickness (retardation) in the initial alignment state of the polymer liquid crystal constituting the recording layer is in the range of 25 to 750 nm. The recording medium according to any one of 1 to 4.
【請求項6】 請求項1、2または5に記載の記録媒体
を用い、短時間の光照射により記録層の厚さ方向の一部
分の配向状態または相状態を変化させて記録することを
特徴とする記録方法。
6. The recording medium according to claim 1, 2 or 5, wherein recording is performed by changing the orientation state or phase state of a part of the recording layer in the thickness direction by light irradiation for a short time. How to record.
【請求項7】 請求項3、4または5に記載の記録媒体
を用い、光照射により記録層の厚さ方向の一部分あるい
は全部分の配向状態または相状態を変化させて記録する
ことを特徴とする記録方法。
7. The recording medium according to claim 3, 4 or 5, wherein recording is performed by changing the orientation state or phase state of a part or all of the recording layer in the thickness direction by light irradiation. How to record.
【請求項8】 消去時に、当該記録媒体に対し、記録時
よりも低パワーにてかつ記録時の光照射時間よりも長時
間露光することにより、記録ピットを液晶相温度域まで
加熱することを特徴とする請求項6または7に記載の記
録方法。
8. When erasing, the recording pits are heated to a liquid crystal phase temperature range by exposing the recording medium with a lower power than that for recording and for a longer time than a light irradiation time for recording. The recording method according to claim 6 or 7, which is characterized in that.
【請求項9】 入力した信号を少なくとも3段階以上の
信号に変換する信号処理手段と、 記録時に光ビームを出力する光ビーム出力手段と、 該光ビーム出力手段から数段階の強度の光ビームを出力
せしめる光ビーム変調手段とを具備し、 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の記録媒体に
多段階の大きさの記録ピットを形成して情報の記録を行
うことを特徴とする記録装置。
9. A signal processing means for converting an input signal into a signal having at least three steps or more, a light beam output means for outputting a light beam at the time of recording, and a light beam having several steps of intensity from the light beam output means. 6. A recording method, comprising: a light beam modulating means for outputting the information; and recording information by forming recording pits of multi-step size on the recording medium according to any one of claims 1 to 5. apparatus.
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