JP3047002B2 - Recording method - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高分子液晶からなる記録層を有する記録媒
体を用い、光の照射により情報の記録・消去を可逆的に
行う記録方法に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a recording method for reversibly recording and erasing information by irradiating light using a recording medium having a recording layer composed of a polymer liquid crystal.
近年、情報を熱エネルギーの形で印加し、記録材料の
形状変化や物性変化として記録するいわゆるヒートモー
ド記録システムが実用化されつつある。このようなヒー
トモード記録媒体としては、Te、Bi、Se、Tb、Inなどを
主成分とする金属材料を用いた無機系の記録媒体、ある
いはシアニンなどのポリメチン系色素、フタロシアニ
ン、ナフタロシアニン、ポリフィリンなどの大環状アザ
アヌレン系色素、ナフトキノン、アントラキノン系色素
およびジチオール金属錯体系色素などの有機色素を用い
た記録媒体が知られている。これらの記録媒体は集光し
たレーザー光の照射などにより熱エネルギーが加えられ
ると、照射部分の記録層が溶融あるいは蒸発して孔(ピ
ット)を形成し、情報を記録するものである。しかし、
これらの記録媒体は記録した情報を消去して再び新しい
情報を記録する可能性を有していない。そこで、このよ
うな再生専用、追記型のヒートモード光記録システムの
発達とともに、記録、再生、消去が可能な可逆記録媒体
の必要性が高まっている。In recent years, a so-called heat mode recording system for applying information in the form of thermal energy and recording as a change in shape or a change in physical properties of a recording material has been put into practical use. As such a heat mode recording medium, an inorganic recording medium using a metal material mainly containing Te, Bi, Se, Tb, In, or the like, or a polymethine dye such as cyanine, phthalocyanine, naphthalocyanine, and porphyrin Recording media using organic dyes such as macrocyclic azaannulene dyes, naphthoquinone, anthraquinone dyes and dithiol metal complex dyes are known. When heat energy is applied to these recording media by irradiation of condensed laser light or the like, the recording layer at the irradiated portion is melted or evaporated to form holes (pits) and record information. But,
These recording media have no possibility of erasing the recorded information and recording new information again. Accordingly, with the development of such a read-only, write-once heat mode optical recording system, the need for a reversible recording medium capable of recording, reproducing, and erasing is increasing.
こうした可逆記録媒体として、たとえばGd、Tb、Dyな
どの希土類金属とFe、Ni、Coなどの遷移金属とからなる
合金薄膜を用いた光磁気記録媒体がある。これは、レー
ザー光照射による加熱と外部印加磁界を併用して記録
し、磁化の向きによる光の振動面の回転方向の違いを利
用して再生するものである。また、情報の消去はレーザ
ーによる加熱と記録時とは逆向きの外部磁界を加えるこ
とにより行なわれる。しかし、この光磁気記録媒体は再
生時の感度が十分でなくS/N比が悪い、酸化などの影響
による記録感度の劣化や記録の保存安全性、記録装置内
に設けられる磁場発生装置及び周辺機器等の信頼性に問
題があるなどの欠点を有している。As such a reversible recording medium, for example, there is a magneto-optical recording medium using an alloy thin film composed of a rare earth metal such as Gd, Tb, and Dy and a transition metal such as Fe, Ni, and Co. In this method, recording is performed using both heating by laser light irradiation and an externally applied magnetic field, and reproduction is performed by utilizing the difference in the rotation direction of the light oscillation plane depending on the direction of magnetization. Further, information is erased by applying an external magnetic field in a direction opposite to that of the heating by the laser and the recording. However, this magneto-optical recording medium does not have sufficient sensitivity at the time of reproduction and has a poor S / N ratio, deterioration of recording sensitivity due to the effects of oxidation, storage stability of recording, a magnetic field generator installed in the recording device and its surroundings. It has drawbacks such as a problem in the reliability of equipment and the like.
また、可逆記録媒体として、Ge、Te、Se、Sb、In、Sn
などの元素を主成分とする無機材料薄膜からなる記録層
の結晶−非晶質間の相転移を利用したものは、レーザー
光照射のみで、ヒートモードで記録、消去ができる利点
があるが、記録部と非記録部のコントラストや記録ピッ
トの保存安全性に問題があり、とりわけ記録層の酸化な
ど材料の安定性に関して重大な欠点を有している。As reversible recording media, Ge, Te, Se, Sb, In, Sn
Those utilizing the phase transition between the crystal and the amorphous of the recording layer composed of an inorganic material thin film containing an element as a main component have an advantage that recording and erasing can be performed in a heat mode only by laser beam irradiation. There are problems with the contrast between the recorded and non-recorded portions and the storage stability of the recorded pits, and they have serious drawbacks, especially regarding the stability of the material such as the oxidation of the recording layer.
上記欠点を解決する手段として、特開昭58−125247号
公報には、高分子液晶の透明な配向状態と不透明なラン
ダム状態を、熱又は電界によって可逆的に変化させるこ
とを特徴とする記録材料が開示されている。また高分子
液晶中に光吸収剤を添加せしめて、レーザー光を熱源と
して利用して記録、消去を行う手法も開示されており、
このような例としては特開昭59−10390号、同59−35989
号、同60−114823号公報等に記載のものが挙げられる。As means for solving the above-mentioned disadvantages, JP-A-58-125247 discloses a recording material characterized by reversibly changing the transparent alignment state and opaque random state of a polymer liquid crystal by heat or an electric field. Is disclosed. Also disclosed is a method of recording and erasing by adding a light absorber to a polymer liquid crystal and using a laser beam as a heat source.
Examples of such examples are disclosed in JP-A-59-10390 and JP-A-59-35989.
And No. 60-114823.
しかしながら、上記高分子液晶を記録層として利用し
た記録媒体の場合、記録層材料の低熱伝導性のために記
録時の転送速度が遅い上に、消去は記録時よりもさらに
数桁以上遅くなるために、熱エネルギー以外に電界・磁
界等の第3の力を印加せねばならず、光エネルギーとし
ての利用を検討すると、容易に高S/N比を呈するという
利点がある反面、システム的にあるいは速度的に実用に
は供し得なかった。However, in the case of a recording medium using the above-mentioned polymer liquid crystal as a recording layer, the transfer speed at the time of recording is low due to the low thermal conductivity of the recording layer material, and the erasure is several orders of magnitude slower than at the time of recording. In addition, a third force such as an electric field or a magnetic field must be applied in addition to the heat energy. Considering the use as light energy, there is an advantage that a high S / N ratio is easily exhibited, but the system or It could not be put to practical use in terms of speed.
このように従来の高分子液晶を用いた記録方法は、記
録の感度、消去速度などの種々の問題点を残している。
特に当該記録媒体における記録及び消去速度の高速化
や、消去時に消し残りが無く信頼性が高い記録、消去が
行われることが望まれている。As described above, the conventional recording method using the polymer liquid crystal has various problems such as recording sensitivity and erasing speed.
In particular, it is desired to increase the recording and erasing speeds of the recording medium and to perform highly reliable recording and erasing with no erasure remaining during erasing.
このような観点から、本発明は高分子液晶記録層の配
向状態あるいは相状態の変化による記録、消去が高速か
つ確実に行なわれる記録方法を提供することを目的とす
る。In view of the above, it is an object of the present invention to provide a recording method in which recording and erasing by changing the alignment state or phase state of a polymer liquid crystal recording layer can be performed quickly and reliably.
本発明者らは、上記の目的に対して、光エネルギー照
射に伴う熱により、液晶部位の配向状態が可逆的に変化
する高分子液晶記録層への記録、消去性能を検討した結
果、記録層中の分子配向状態の変化する部分(記録ピッ
ト)の範囲をコントロールすることにり、上記の目的が
達成できることを見出した。The present inventors have studied the recording and erasing performance of the polymer liquid crystal recording layer in which the alignment state of the liquid crystal portion is reversibly changed by the heat accompanying the irradiation of the light energy with respect to the above object. It has been found that the above object can be achieved by controlling the range of the portion (recording pit) where the molecular orientation state changes in the inside.
すなわち、本発明によれば、少なくとも基板上に、可
逆的な配向状態の変化または相変化を起こして記録、及
び記録消去を行う高分子液晶及び光吸収剤を含有せしめ
た記録層からなる記録媒体に、ビーム光が1点を通過す
る際の時間が100μ秒以下で照射し、高分子液晶からな
る記録層の厚さ方向の一部分の配向状態または相状態を
変化させることにより記録形成後、電界・磁界等の外力
を印加することなく、ビーム光を照射して形成された記
録を消去することを特徴とする記録及び記録消去方法が
提供される。That is, according to the present invention, at least on a substrate, a recording medium comprising a polymer liquid crystal and a recording layer containing a light absorbing agent for performing recording and recording / erasing by causing a reversible change in alignment state or phase change. Then, the recording light is irradiated by irradiating the light beam at a time of 100 μsec or less at one point and changing the orientation state or the phase state of a part of the thickness of the recording layer made of the polymer liquid crystal, thereby forming the electric field. A recording and recording erasing method is provided in which a recording formed by irradiating a beam light without applying an external force such as a magnetic field is erased.
また、少なくとも基板上に、可逆的な配向状態の変化
または相変化を起こして記録、及び記録消去を行う高分
子液晶からなる記録層と、該高分子液晶層を配向させる
配向層を設けてなり、さらに場合によっては発生する熱
の利用効率を向上せしめるために断熱層を設けてなり、
かつ該配向層あるいは該断熱層の少なくとも一方に光吸
収剤を含有せしめてなる記録媒体に、ビーム光が1点を
通過する際の時間が100μ秒以下で照射し記録層の厚さ
方向の一部分の配向状態または相状態を変化させること
により記録形成後、電界・磁界等の外力を印加すること
なく、ビーム光を照射して形成された記録を消去するこ
とを特徴とする記録及び記録消去方法が提供される。Further, at least on the substrate, a recording layer made of a polymer liquid crystal for performing recording and recording / erasing by causing a reversible change in alignment state or phase change, and an alignment layer for aligning the polymer liquid crystal layer are provided. , And in some cases, a heat insulating layer is provided in order to improve the use efficiency of generated heat,
A recording medium containing a light absorbing agent in at least one of the alignment layer and the heat insulating layer is irradiated with a light beam having a time of 100 μsec or less when passing through one point, and a portion in the thickness direction of the recording layer is irradiated. A recording and recording erasing method characterized by erasing a recording formed by irradiating a beam light without applying an external force such as an electric field or a magnetic field after forming a recording by changing an orientation state or a phase state of the recording. Is provided.
また、少なくとも基板上に、可逆的な配向状態の変化
または相変化を起こして記録、消去を行う高分子液晶か
らなる記録層、及び、さらに該記録層の中もしくは該記
録層のいずれか一方の面に隣接して照射光を吸収し熱に
変換する光熱変換層からなる記録媒体に、ビーム光が1
点を通過する際の時間が100μ秒以下で照射し記録層の
厚さ方向の一部分の配向状態または相状態を変化させて
記録すること記録形成後、電界・磁界等の外力を印加す
ることなく、ビーム光を照射することにより、形成され
た記録を消去することを特徴とする記録及び記録消去方
法が提供される。Further, at least on the substrate, a recording layer made of a polymer liquid crystal that performs a reversible change in alignment state or phase change to perform recording and erasing, and further, any one of the recording layer or the recording layer A light beam is applied to a recording medium including a photothermal conversion layer that absorbs irradiation light and converts it into heat adjacent to the surface.
Irradiate for less than 100 μs when passing through a point and record by changing the orientation state or phase state in a part of the thickness of the recording layer.After recording, without applying external force such as electric field and magnetic field A recording and recording erasing method is provided in which a formed recording is erased by irradiating a light beam.
本発明に用いる高分子液晶からなる記録層は、熱的に
分子の配向状態または相間の可逆的な変化により記録、
消去を行ない、かつ反復使用に耐えるものである。本方
式において、熱的な分子の配向状態変化とはすなわち高
分子液晶分子の配向状態変化を表わし、たとえばスメク
チック−ネマチック転移のような分子集合状態変化やコ
レステリック高分子液晶のねじれピッチの変化等を表わ
すものである。また相変化とはたとえば液晶相−アイソ
トロピック相転移のような相間の変化などを意味する。
なお本記録媒体において、熱的に変化した領域と未変化
の領域とは光学的あるいは偏光光学的なコントラスト差
の検出を介して情報の再生を行うものである。The recording layer made of the polymer liquid crystal used in the present invention is thermally recorded by the reversible change in the orientation state or phase between the molecules,
It can be erased and withstand repeated use. In this method, the change in the orientation state of a thermal molecule means a change in the orientation state of a polymer liquid crystal molecule.For example, a change in a molecular aggregation state such as a smectic-nematic transition, a change in a twist pitch of a cholesteric polymer liquid crystal, and the like. It represents. The phase change means a change between phases such as a liquid crystal phase-isotropic phase transition.
In the present recording medium, the thermally changed region and the non-changed region reproduce information by optical or polarization optical contrast difference detection.
このような高分子液晶を利用した記録方法は、従来の
文献、公報等(例えばV.P. shibaev et al.著、Polymer
Communications、第24巻、第363〜365頁、1983年)に
より数多くの報告が成されているが、高分子液晶が熱的
に変化し、これを偏光光学的あるいは単に光学的に再生
しうる点から記録媒体への応用可能性を示唆したに過ぎ
ず、消去時には電界、磁界の介助を必要とし、同一記録
媒体において光ビームの照射のみによる可逆・非可逆の
両モード記録の可能性までは検討されておらず、将来的
な実用には提供し難いものであった。Such a recording method using a polymer liquid crystal is described in conventional literatures and publications (for example, VP shibaev et al., Polymer
Communications, Vol. 24, pp. 363-365, 1983), but the point that polymer liquid crystals thermally change and can be reproduced optically or simply optically by polarized light. Only suggests the possibility of application to a recording medium, and requires the assistance of an electric field and a magnetic field during erasing, and considers the possibility of both reversible and irreversible mode recording on the same recording medium only by light beam irradiation. It was not provided for future practical use.
しかるに本発明者らは、従来方式のように記録層の膜
厚方向の全部分あるいは大部分を熱的に変化させて記録
した場合は記録部と未記録部のコントラスト比は大きく
なるが、熱拡散による記録ピットの拡大に起因する記録
密度の低下や記録・消去時の転送速度の遅延、あるいは
消去後のピットに消え残り部分や再記録部分あるいは偏
光光学的な散乱部のような初期配向状態や記録状態とも
異なる第3の状態の出現等種々の問題点を検討し、これ
らに対応すべく前記短時間露光によって記録層の厚さ方
向の一部分を変化させる記録方法を見出し、この方法に
より、上述した問題を克服し、記録、消去時の転送速度
を向上せしめて、更に消え残りのない消去が可能になる
ことを確認した。However, when recording is performed by thermally changing the entire or most of the recording layer in the film thickness direction as in the conventional method, the contrast ratio between the recorded portion and the unrecorded portion increases, Decrease in recording density due to expansion of recording pits due to diffusion, delay in transfer speed during recording / erasing, or initial alignment state such as erasures remaining in pits after erasure, re-recorded areas, or polarized optical scattering parts And various problems such as the appearance of a third state different from the recording state were studied, and in order to cope with these problems, a recording method of changing a part of the recording layer in the thickness direction by the short-time exposure was found. It was confirmed that by overcoming the above-mentioned problems and improving the transfer speed at the time of recording and erasing, it is possible to perform erasure without erasure.
以下に本発明を図面に基いて詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
第1図は本発明に用いる記録媒体の一構成例であり、
基板1上に高分子液晶からなる記録層2、該高分子液晶
を配向させる配向層3を有するものである。この記録媒
体では、記録層2中に、照射光に対して吸収を持つ光吸
収剤が添加してある。なお、必要に応じて配向層3と基
板1との間に断熱層を設けても良い。FIG. 1 shows an example of the configuration of a recording medium used in the present invention.
It has a recording layer 2 made of a polymer liquid crystal on a substrate 1 and an alignment layer 3 for aligning the polymer liquid crystal. In this recording medium, a light absorbing agent that absorbs irradiation light is added to the recording layer 2. Note that a heat insulating layer may be provided between the alignment layer 3 and the substrate 1 as needed.
記録は集光されたビーム光を本記録媒体に照射して行
われ、記録層2中に添加された光吸収剤にて吸収された
光が熱に変換され、その結果、第2図に示したような温
度分布が記録層2中に形成され、その中の一部の温度が
等方性転移温度以上に加熱される。ここで光照射を打ち
切り、記録層2を急冷させることにより、層内で等方相
転移温度以上に加熱された部分が、そのままの状態(等
方相状態)で保持され、その部分のみが選択的に偏光光
学的に異なる状態となり、第3図のような記録が行なわ
れる。ここで第2図及び第3図において、(a)は照射
光の透過率が約50%の場合で、(b)は透過率約20%以
下の高い吸収を持った場合の温度分布及び記録ピットの
状態を表わしている。第2図及び第3図は、ビーム光を
基板1側から照射した場合であるが記録層2側から照射
することも可能である。この場合には特に第2図(b)
及び第3図(b)おいて、熱分布状態及び記録状態が逆
転される。The recording is performed by irradiating the present recording medium with the condensed beam light, and the light absorbed by the light absorbing agent added to the recording layer 2 is converted into heat. As a result, as shown in FIG. Such a temperature distribution is formed in the recording layer 2, and a part of the temperature distribution is heated to an isotropic transition temperature or higher. Here, the light irradiation is stopped, and the recording layer 2 is rapidly cooled, so that the portion of the layer heated above the isotropic phase transition temperature is kept as it is (isotropic phase state), and only that portion is selected. As a result, the optically different states are obtained, and the recording as shown in FIG. 3 is performed. Here, in FIGS. 2 and 3, (a) shows the case where the transmittance of the irradiation light is about 50%, and (b) shows the temperature distribution and recording when the transmittance has a high absorption of about 20% or less. It indicates the state of the pit. FIGS. 2 and 3 show the case where the light beam is irradiated from the substrate 1 side, but the light beam can also be irradiated from the recording layer 2 side. In this case, FIG.
3B, the heat distribution state and the recording state are reversed.
このように記録層2の厚さ方向の一部分を加熱し記録
するためには記録光の照射は短時間である必要があり、
例えば記録層2の厚さが1μm程度の場合にはビーム光
の照射時間は100μsec以下が好ましく、10μsec以下で
あることがより望ましい。これは記録光の照射時間が長
い程、記録層2内で等方性転移温度以上に達する領域が
拡大し、最終的には記録層2の膜厚方向全体が変化して
記録されるためである。Thus, in order to heat and record a part of the recording layer 2 in the thickness direction, the recording light irradiation needs to be performed for a short time,
For example, when the thickness of the recording layer 2 is about 1 μm, the irradiation time of the light beam is preferably 100 μsec or less, and more preferably 10 μsec or less. This is because the longer the irradiation time of the recording light is, the larger the area reaching the isotropic transition temperature or higher in the recording layer 2 is, and finally the entire recording layer 2 is changed in the thickness direction and recorded. is there.
また、上記のようにして形成された記録は、記録時と
は異なる条件で記録部に光を照射することにより、例え
ば記録層を等方相転移温度よりも低い液晶相温度まで加
熱したり、記録時よりも長時間加熱したり、冷却速度が
遅くなるように加熱することにより、記録によって等方
相状態となった部分が元の配向状態に戻り、記録状態の
消去を行なうことができる。Further, the recording formed as described above, by irradiating the recording portion with light under different conditions at the time of recording, for example, heating the recording layer to a liquid crystal phase temperature lower than the isotropic phase transition temperature, By heating for a longer time than at the time of recording, or by heating so that the cooling rate becomes slower, the portion that has been in the isotropic phase state by recording returns to the original orientation state, and the recorded state can be erased.
この時、本発明の記録方法によると、記録された状態
は第3図に示すように記録層2の厚さ方向の一部分が変
化しただけで、その周囲には元の配向状態を維持する未
記録部分に囲まれている。これに対して第4図で示すよ
うに長時間記録により記録層全体に渡って等方性状態に
変化して記録された場合に比べて、消去時には、本発明
の記録状態の方がより高速に元の配向状態に戻り易く、
かつ完全に消え残りの無い消去ができることが判った。
これは記録部の周囲の未記録部分や配向層からの配向規
制力の差によるものと思われる。At this time, according to the recording method of the present invention, the recorded state is such that only a part of the recording layer 2 in the thickness direction changes as shown in FIG. Surrounded by the recording part. On the other hand, as shown in FIG. 4, the recording state of the present invention is faster at the time of erasing than the case where the recording is changed to the isotropic state over the entire recording layer by long-time recording. Easily return to the original orientation state,
In addition, it was found that the data could be completely erased without erasure.
This is considered to be due to the difference in the alignment regulating force from the unrecorded portion around the recording portion and the alignment layer.
本発明において用いられる高分子液晶は公知のものが
利用できるが、メソーゲン部位を主鎖ないし側鎖に有
し、平均分子量が500以上のものが利用できる。As the polymer liquid crystal used in the present invention, known liquid crystals can be used, and those having a mesogen moiety in a main chain or a side chain and having an average molecular weight of 500 or more can be used.
又、当該高分子液晶は架橋されているものであっても
良く、光架橋型であればなお好ましい。Further, the polymer liquid crystal may be crosslinked, and more preferably a photocrosslinkable liquid crystal.
以下に本発明で用いる高分子液晶の具体例を挙げる
が、以下において*は不斉炭素原子であることを示す。Hereinafter, specific examples of the polymer liquid crystal used in the present invention will be described. In the following, * indicates an asymmetric carbon atom.
このような高分子液晶は通常単独ないし混合して使用
され、更に他の低分子液晶を加えて使用することも可能
である。ここで添加される低分子液晶は高分子液晶の粘
度、相転移温度等をコントロールして、記録特性及び消
去特性の改善を目的とするもので、ネマチックやスメク
チックあるいはコレステリック液晶で公知のものが利用
できる。 Such high-molecular liquid crystals are usually used alone or as a mixture, and other low-molecular liquid crystals can also be used. The low-molecular liquid crystal added here is intended to improve the recording and erasing characteristics by controlling the viscosity and phase transition temperature of the high-molecular liquid crystal, and those known as nematic, smectic or cholesteric liquid crystals are used. it can.
このような高分子液晶を使用して、例えばメチルエチ
ルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸メチル、
カルビトールアセテート、ブチカルビトールアセテート
等のエステル系、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、テトラヒドロフラン等のエーテル系、ないしトルエ
ン、キシレン等の芳香族系、ジクロロエタン等のハロゲ
ン化アルキル系、N,N−ジメチルホルムアミド、N−N
−ジメチルアセトアミド、アルコール系等溶液に溶解し
て、例えば、ディップコーティング、スプレーコーティ
ング、スピナーコーティング、ブレードコーティング、
ローラコーティング、カーテンコーティング、ワイアー
コーティング等の溶液塗布法や場合によっては加熱によ
る融液状態から塗布して形成することが可能である。Using such a polymer liquid crystal, for example, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, ketones such as cyclohexanone, butyl acetate, ethyl acetate, methyl acetate,
Carbitol acetate, ester system such as butycarbitol acetate, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, ether system such as tetrahydrofuran; or aromatic system such as toluene and xylene; alkyl halide system such as dichloroethane; N, N-dimethylformamide; N-N
-Dissolved in a solution such as dimethylacetamide, alcohol, etc., for example, dip coating, spray coating, spinner coating, blade coating,
It can be formed by applying a solution coating method such as roller coating, curtain coating, wire coating or the like, or in some cases from a molten state by heating.
本発明で記録層2を形成する高分子液晶層中に添加す
る光吸収剤には以下の特性が要求される。The light absorbing agent added to the polymer liquid crystal layer forming the recording layer 2 in the present invention is required to have the following properties.
1)照射光に対して吸収を持つこと 2)高分子液晶を溶解する溶媒に可能であること 3)熱及び光に対して安定であること 4)高分子液晶と相溶性があること 5)高分子液晶の配向性を妨げないこと 特に上記の中でも1)及び5)の条件を満たすもので
あることが望ましい。そこで、この光吸収剤用材料につ
いて述べる前に、照射光源について述べると、量産性及
び価格的に半導体レーザーが最も適していると考えられ
る。従ってこの半導体レーザー発振波長域に吸収を持
ち、本記録媒体に光吸収剤として利用できるものとして
公知の材料を使用することができるが、具体的には以下
のようなものが例示される。例えば、シアニン類、ピリ
リウム、スクアリリウム類、クロコニウム類、アズレン
類、ペンタメチン類等のメチン・ポリメチン系化合物、
チオインジゴ類等のインダンスレン系化合物、アントラ
キノン類、ナフトキノン類等のキノン系化合物、ジチオ
ール類、ジアミン類、フタロシアニン類、ナフタロシア
ニン類、テトラデヒドロコリン類、インドアニリン類等
の金属錯体系化合物、ジフェニルメタン系化合物、ジオ
キサジン系化合物、ジチアジン系化合物、トリフェニル
アミン系化合物、アゾ染料系化合物、ペリレン系化合
物、キナクリドン系化合物、アミニウム塩系化合物、オ
レフィン系化合物等が挙げられる。1) Absorption for irradiation light 2) Capability of dissolving polymer liquid crystal 3) Heat and light stability 4) Compatibility with polymer liquid crystal 5) Not hindering the orientation of the polymer liquid crystal. In particular, it is preferable that the above-mentioned conditions 1) and 5) are satisfied. Therefore, before describing this material for a light absorber, if an irradiation light source is described, a semiconductor laser is considered to be most suitable in terms of mass productivity and cost. Therefore, known materials having absorption in the semiconductor laser oscillation wavelength region and usable as a light absorber in the present recording medium can be used, and specific examples thereof include the following. For example, methine-polymethine compounds such as cyanines, pyrylium, squarylium, croconium, azulene, pentamethine,
Indanthrene compounds such as thioindigos, quinone compounds such as anthraquinones and naphthoquinones, metal complex compounds such as dithiols, diamines, phthalocyanines, naphthalocyanines, tetradehydrocholines, indoanilines, and diphenylmethane Compounds, dioxazine compounds, dithiazine compounds, triphenylamine compounds, azo dye compounds, perylene compounds, quinacridone compounds, aminium salt compounds, olefin compounds, and the like.
上記光吸収剤は材料本来の吸光係数は高い方が記録層
2へ添加する量が少量で済むために好ましい。しかし多
量に記録層2に添加した場合、例えば記録層2の透過率
が数%以下であるような場合は、光吸収が記録層2の界
面ではほとんど行なわれるために、発生する熱が記録層
2が加熱する前に配向層3を通して基板1あるいは外界
に伝導又は輻射されてしまい、熱の利用効率が極端に悪
くなる。更に本記録媒体の再生時に照射される再生光
は、光源が同じ場合には記録光同様の吸収が起こるため
に、検出される光量が著しく低下する結果となり、従っ
てS/N比あるいはC/N比の低下という現象が起きる。そこ
で光吸収剤を添加した記録層2の透光率は20〜80%程度
であることが望ましく、さらに30〜70%の範囲にあるこ
とが好ましい。It is preferable that the light absorbing agent has a higher intrinsic absorption coefficient of the material because a small amount of the light absorbing agent may be added to the recording layer 2. However, when a large amount is added to the recording layer 2, for example, when the transmittance of the recording layer 2 is several percent or less, since the light absorption is almost performed at the interface of the recording layer 2, the generated heat is Before the substrate 2 is heated, it is conducted or radiated through the alignment layer 3 to the substrate 1 or the outside world, and the heat utilization efficiency becomes extremely poor. Further, when the same light source is used, the reproduction light irradiated at the time of reproduction of the present recording medium absorbs the same as the recording light, resulting in a remarkable decrease in the detected light amount, and therefore the S / N ratio or C / N ratio A phenomenon occurs in which the ratio decreases. Therefore, the light transmittance of the recording layer 2 to which the light absorbing agent is added is preferably about 20 to 80%, and more preferably in the range of 30 to 70%.
本記録媒体を構成する他の構成材料についても説明す
ると、配向層3の材料としては公知の材料が利用できる
が、具体的にはポリイミドあるいはその前駆体であるポ
リイミック酸、あるいはフッ素樹脂、ポリビニルアルコ
ールなどにラビング処理を施したものや、斜方蒸着した
酸化ケイ素等の種々の有機あるいは無機材料が使用でき
る。Explaining other constituent materials constituting the present recording medium, well-known materials can be used as the material of the alignment layer 3, and specifically, polyimide or a precursor thereof such as polyimidic acid, fluororesin, polyvinyl alcohol For example, various organic or inorganic materials such as those subjected to a rubbing treatment and silicon oxide obliquely deposited can be used.
基板1を構成する材料についても種々の公知の材料が
使用できるが、例えばポリエチレン、ポリエチンレンテ
レフタレート、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩
化ビニル、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、
ポリビニルアセテート、ポリアミド、ポリイミド、ポリ
オレフィン、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ
樹脂、フッ素系樹脂、及び上記の誘導体などの各種プラ
スチックやガラス、石英板、セラミックなどを利用する
ことが可能である。Various known materials can also be used for the material constituting the substrate 1. For example, polyethylene, polyethylene terephthalate, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, polycarbonate, polyvinyl alcohol,
Various plastics such as polyvinyl acetate, polyamide, polyimide, polyolefin, acrylic resin, phenolic resin, epoxy resin, fluorine-based resin, and the above-mentioned derivatives, glass, quartz plate, ceramic, and the like can be used.
また、第5図のように断熱層を設ける場合、その構成
材料にも従来報告されている種々の公知材料が利用でき
るが、具体的には、ポリエチンレン、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、ポ
リビニルアセテート、ポリアミド、ポリイミド、ポリオ
レフィン、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹
脂、フッ素系樹脂、及び上記の誘導体等の各種プラスチ
ックやガラス等の材料を用いることができる。In the case where the heat insulating layer is provided as shown in FIG. 5, various known materials which have been reported conventionally can be used as the constituent material. Specifically, polyethylene, polyethylene terephthalate, polypropylene, polystyrene, polyvinyl chloride, etc. Various materials such as polycarbonate, polyvinyl alcohol, polyvinyl acetate, polyamide, polyimide, polyolefin, acrylic resin, phenol resin, epoxy resin, fluororesin, and the above-mentioned derivatives, and materials such as glass can be used.
さらに、第1図の構成では光反射層が無いために、光
吸収剤が充分な反射率を持っていない場合には、再生は
透過光によって行なわれる。しかし、システムの構成上
反射光で再生を行なう方が有利な場合には、光反射層を
記録媒体中に設けることによって行なわれるが、例えば
再生光を記録層側から入射する場合には配向層3と基板
1の間に反射層を設ければ良く、基板側から入射する場
合には記録層2上に反射層を設ければ良い。Further, in the configuration of FIG. 1, since the light reflecting layer is not provided, when the light absorbing agent does not have a sufficient reflectance, the reproduction is performed by the transmitted light. However, in the case where it is advantageous to perform the reproduction with the reflected light due to the configuration of the system, the reproduction is performed by providing the light reflection layer in the recording medium. For example, when the reproduction light is incident from the recording layer side, the alignment layer is used. It is sufficient to provide a reflective layer between the substrate 3 and the substrate 1. When light is incident from the substrate side, a reflective layer may be provided on the recording layer 2.
この反射層を構成する材料も公知のものが利用できる
が、例えば、金、白金、銀、銅、鉛、亜鉛、アルミニウ
ム、ニッケル、タンタル、コバルト、クロム、ニオブ、
パラジウム、スズ、ゲルマニウム等の各種金属の蒸着、
CVD、スパッタリング膜などが挙げられるが本発明は特
にこれらに限定されるものではない。Known materials can be used for the material constituting the reflective layer. For example, gold, platinum, silver, copper, lead, zinc, aluminum, nickel, tantalum, cobalt, chromium, niobium,
Deposition of various metals such as palladium, tin, germanium,
Examples include CVD and sputtering films, but the present invention is not particularly limited to these.
第5図は本発明に用いる記録媒体の別の構成例であ
り、基板1上に高分子液晶からなる記録層2及び該高分
子液晶を配向させる配向層3が設けられており、更に配
向層3と基板1の間に断熱層4が形成されている。断熱
層4の膜厚が充分に厚く、これによって基板を代替しう
る場合には基板1を省略することも可能である。また、
配向層3の熱伝導率が低くかつその膜厚が充分に厚い場
合は配向層3と断熱層4を併用することも可能である。
第1図の記録媒体では、記録層2中に光吸収剤が添加し
てあったが、本構成例の記録媒体では、配向層3及び断
熱層4の少なくとも一層中に光吸収剤が添加してある。FIG. 5 shows another example of the configuration of a recording medium used in the present invention. A recording layer 2 made of a polymer liquid crystal and an alignment layer 3 for aligning the polymer liquid crystal are provided on a substrate 1. A heat insulating layer 4 is formed between 3 and the substrate 1. When the thickness of the heat insulating layer 4 is sufficiently large and the substrate can be replaced by the film, the substrate 1 can be omitted. Also,
When the thermal conductivity of the alignment layer 3 is low and the film thickness is sufficiently large, the alignment layer 3 and the heat insulating layer 4 can be used together.
In the recording medium of FIG. 1, a light absorbing agent was added to the recording layer 2, but in the recording medium of this configuration example, a light absorbing agent was added to at least one of the alignment layer 3 and the heat insulating layer 4. It is.
この場合の記録動作は、配向層3、断熱層4あるいは
その両方の中に添加された光吸収剤にて吸収された光が
熱に変換されることを除いて第1図の場合とほぼ同様で
あり、また消去動作も第1図の場合と同様である。ま
た、本構成例の記録媒体では、光吸収剤を含む層で発生
した熱が断熱層4の存在により基板1側に逃げにくくな
り、記録速度がより一層向上される。The recording operation in this case is almost the same as that in FIG. 1 except that the light absorbed by the light absorbing agent added to the alignment layer 3, the heat insulating layer 4, or both is converted to heat. The erasing operation is the same as in FIG. Further, in the recording medium of this configuration example, the heat generated in the layer containing the light absorbing agent is less likely to escape to the substrate 1 due to the presence of the heat insulating layer 4, and the recording speed is further improved.
第5図の構成例においては、配向層3及び断熱層4の
少なくとも一方の層中に光吸収剤が添加されているが、
熱の利用効率の観点からすると、断熱層4中に光吸収剤
が添加されている場合よりも高分子液晶層に接している
配向層3中に光吸収剤が添加されている場合の方がより
好ましい。また、上記構成において、照射される光は高
分子液晶層側でも基板1側でも構わないが、発する熱分
布を考慮すると高分子液晶側からの入射がより好まし
い。In the configuration example of FIG. 5, a light absorbing agent is added to at least one of the alignment layer 3 and the heat insulating layer 4.
From the viewpoint of heat utilization efficiency, the case where the light absorbing agent is added to the alignment layer 3 in contact with the polymer liquid crystal layer is better than the case where the light absorbing agent is added to the heat insulating layer 4. More preferred. In the above configuration, the light to be irradiated may be on the polymer liquid crystal layer side or on the substrate 1 side. However, in consideration of the generated heat distribution, the light is preferably incident from the polymer liquid crystal side.
第5図の構成例において、基板1、記録層2、配向層
3及び断熱層4の構成材料及び配向層3と断熱層4の少
なくとも一層に添加する光吸収剤材料としては第1図の
構成例と同様のものを用いることができる。なお、配向
層3に光吸収剤を添加する場合には、製法上有機溶媒等
に溶解して溶液塗布法により製膜できるポリイミドある
いはその前駆体であるポリイミック酸等にラビング処理
を施したものが望ましい。In the configuration example of FIG. 5, the constituent materials of the substrate 1, the recording layer 2, the alignment layer 3 and the heat insulating layer 4 and the light absorber material added to at least one of the alignment layer 3 and the heat insulating layer 4 are the same as those of FIG. The same thing as an example can be used. When a light absorber is added to the alignment layer 3, a polyimide or a precursor thereof, which can be formed by dissolving in an organic solvent or the like in a manufacturing method and forming a film by a solution coating method, or a precursor thereof, which is subjected to a rubbing treatment, is used. desirable.
第6図は本発明に用いる記録媒体の更に別の構成例で
あり、基板1上に高分子液晶からなる記録層2a、2b、こ
れらの間に設けられ照射光を吸収し熱に変える光熱変換
層5、及び高分子液晶層を配向させる配向層3を有する
ものである。FIG. 6 shows still another configuration example of the recording medium used in the present invention, in which recording layers 2a and 2b made of a polymer liquid crystal are provided on a substrate 1, and photothermal conversion is provided between these layers to absorb irradiation light and convert it to heat. It has a layer 5 and an alignment layer 3 for aligning the polymer liquid crystal layer.
第1図及び第5図の構成例では、記録層2、配向層
3、あるいは断熱層4に光吸収剤を添加して照射光を吸
収し効率良く熱に変換して可逆的な記録を可能としてい
るが、同様な作用は第6図の構成例において設置した光
熱変換層5によっても行いうる。この場合の記録動作は
光熱変換層5により照射された光が熱に変換されること
を除いて第1図及び第5図の構成例とほぼ同様であり、
また消去動作もこれら構成例と同様である。In the configuration examples shown in FIGS. 1 and 5, a light absorber is added to the recording layer 2, the alignment layer 3, or the heat insulating layer 4 to absorb the irradiation light and efficiently convert the heat to heat to enable reversible recording. However, the same operation can be performed by the light-to-heat conversion layer 5 provided in the configuration example of FIG. The recording operation in this case is substantially the same as the configuration example in FIGS. 1 and 5 except that the light irradiated by the photothermal conversion layer 5 is converted into heat.
The erasing operation is also the same as in these configuration examples.
光熱変換層5を用いる場合の記録媒体の層構成は第6
図のみに限定されず、例えば第7図及び第8図のような
構成でも構わない。これらの場合にはビーム光照射時に
第6図の構成例によるものとは異なる温度分布が記録層
2内で形成され、第7図の場合には配向層3近傍の領域
が最も高温となり、第8図の場合には記録層2最上部が
最も高温となる分布をする。従ってこれらの構成の記録
媒体においては記録部分は各々温度分布に応じた領域で
記録されることになる。しかしながら、上記構成の記録
媒体を用いた場合には不具合点も出現する可能性があ
り、例えば第7図の場合には光熱変換層5で発生した熱
が配向層3を通して基板1側に伝導するために熱の利用
効率が悪くなることが予想され、また第8図の場合には
記録部が配向層3から離れているために、配向層3から
の配向規制力が低下し、消去時の性能が劣化する可能性
もある。しかし上記問題も記憶層膜厚の調整や配向層の
材料、膜厚等の選択により容易に克服し得る。When the light-to-heat conversion layer 5 is used, the layer configuration of the recording medium is the sixth.
The configuration is not limited to the one shown in the figure, and for example, a configuration as shown in FIGS. 7 and 8 may be used. In these cases, a different temperature distribution is formed in the recording layer 2 at the time of beam light irradiation than in the configuration example of FIG. 6, and in FIG. 7, the area near the alignment layer 3 has the highest temperature. In the case of FIG. 8, the distribution is such that the uppermost part of the recording layer 2 has the highest temperature. Therefore, in the recording medium having such a configuration, the recording portion is recorded in an area corresponding to the temperature distribution. However, when the recording medium having the above configuration is used, there is a possibility that a defect may appear. For example, in the case of FIG. 7, heat generated in the light-to-heat conversion layer 5 is transmitted to the substrate 1 through the alignment layer 3. In this case, it is expected that the heat utilization efficiency is deteriorated, and in the case of FIG. 8, since the recording portion is far from the alignment layer 3, the alignment control force from the alignment layer 3 is reduced, and the erasing time is reduced. Performance may be degraded. However, the above problem can be easily overcome by adjusting the thickness of the storage layer and selecting the material and thickness of the alignment layer.
光熱変換層5は前述したような光吸収剤を用いか構成
することができる。この場合、光熱変換層5は光吸収剤
の単層から形成しても良いが、光吸収剤を含む樹脂の層
で形成しても良く、また記録層2と同様に高分子液晶を
媒質としてこれに光吸収剤を添加した層で形成しても良
い。The light-to-heat conversion layer 5 can be formed by using a light absorbing agent as described above. In this case, the light-to-heat conversion layer 5 may be formed from a single layer of the light absorbing agent, or may be formed of a resin layer containing the light absorbing agent. It may be formed of a layer to which a light absorber is added.
なお、第6図及び第7図の構成の記録媒体の場合には
配向層3上に光熱変換層5を介して高分子液晶層を配向
させる必要がある。従って、これらの場合には光熱変換
層5を構成する材料としてはそれよりも上部の高分子液
晶層への配向規制力を伝播するかもしくは阻害し難い材
料又は構成が必要となり、例えば光吸収剤を添加した記
録層と同じ高分子液晶等から形成されていたり、又は光
吸収剤単体から成る0.5μm以下の非常に薄い層によっ
て形成されていることが好ましい。In the case of the recording medium having the structure shown in FIGS. 6 and 7, it is necessary to align the polymer liquid crystal layer on the alignment layer 3 via the photothermal conversion layer 5. Therefore, in these cases, the light-heat conversion layer 5 needs to be made of a material or a structure that hardly disturbs or hinders the alignment regulating force to the polymer liquid crystal layer above it. Is preferably formed from the same polymer liquid crystal as the recording layer to which is added, or a very thin layer of 0.5 μm or less made of a single light absorber.
第6図ないし第8図の構成において、光熱変換層5以
外の各層の構成材料には前述の構成例と同様のものを使
用することができる。In the structure shown in FIGS. 6 to 8, the same materials as those in the above-described configuration example can be used for the constituent materials of the layers other than the light-to-heat conversion layer 5.
以下に実施例により本発明をさらに具体的に説明す
る。Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
(実施例1) 基板1として光学研磨された厚さ1.2mmのガラス基板
を用い、この基板1上にポリイミック酸数wt%を含むN
−メチルピロリドン溶液を用いて、スピンコート法にて
約1000Åの厚さの薄膜を塗布し、乾燥後270℃で1時間
脱水縮合してポリイミド化させた。この膜に100g/m2の
荷重で10回のラビング処理を施こし、配向層3を形成し
た。Example 1 An optically polished glass substrate having a thickness of 1.2 mm was used as a substrate 1, and N containing polyamic acid several wt% was formed on the substrate 1.
Using a methylpyrrolidone solution, a thin film having a thickness of about 1000 ° was applied by spin coating, dried, and dehydrated and condensed at 270 ° C. for 1 hour to form a polyimide. This film was subjected to 10 rubbing treatments under a load of 100 g / m 2 to form an orientation layer 3.
次に、この配向層3の上に、前記のNo.33の液晶10wt
%及び下記構造式(A)で表わされるナフタロシアニン
色素0.1wt%を示しテトラヒドロフラン中に溶解した溶
液を用いてスピンコート法にて厚さ1μmの記録層2を
形成し、第1図の構成の記録媒体を得た。Next, on this alignment layer 3, 10 wt.
% And 0.1 wt% of a naphthalocyanine dye represented by the following structural formula (A), a recording layer 2 having a thickness of 1 μm was formed by spin coating using a solution dissolved in tetrahydrofuran. A recording medium was obtained.
上式中、R1〜R4は同一又は異なり、直鎖又は分岐アル
キル基又はハロゲン、又は水素、nは同一又は異なり、
0〜6の整数、X1及びX2は同一又は異なり、−R、−A
r、−OR、−OAr、−OSi(R)3、−OSi(OR)3、−OS
i(OAr)3よりなる群から選択した基(ただしRはC1〜
C22の直鎖又は分岐アルキル基、Arはフェニル基、置換
フェニル基、ベンジル基又は置換ベンジル基よりなる群
から選択した基である)を示す。 In the above formula, R 1 to R 4 are the same or different, a linear or branched alkyl group or halogen, or hydrogen, n is the same or different,
0-6 integer, X 1 and X 2 are the same or different, -R, -A
r, -OR, -OAr, -OSi (R) 3 , -OSi (OR) 3 , -OS
i (OAr) a group selected from the group consisting of 3 (where R is C 1 to
A C 22 linear or branched alkyl group, Ar is a phenyl group, a substituted phenyl group, a benzyl group or a group selected from the group consisting of a substituted benzyl group).
この記録媒体に対して、オーブン中で165℃、30分間
アニール処理を施こし、記録層2の高分子液晶の分子を
ホモジニアス配向させたところ、偏光顕微鏡観察により
良好な配向をしていることが確認された。なお、本記録
媒体の透過スペクトルを測定した結果、780nmの透過率
は57%であった。The recording medium was annealed in an oven at 165 ° C. for 30 minutes, and the molecules of the polymer liquid crystal in the recording layer 2 were homogeneously aligned. confirmed. As a result of measuring the transmission spectrum of this recording medium, the transmittance at 780 nm was 57%.
また、本記録媒体に対して以下の要領で記録、再生、
消去の実験を行った。In addition, recording, reproduction,
An erasure experiment was performed.
<記録> 上記で作製した記録媒体に対して、発振波長780nm、
ビーム径1μmに集光した半導体レーザー光を用いて、
線速1m/s、光強度12mWにて基板1側から照射を行い、直
線状に5μmピッチで数本のラインを形成し記録を行っ
た。記録後の媒体の記録部分を透過型偏光顕微鏡にて直
交ニコル下、対角位(ステージ角45゜)で観察したとこ
ろ、記録部分が周囲の未記録部と対して選択的に暗状態
を形成しており、この状態はステージ角に依存しない点
から等方相部分が出現していることが判った。<Recording> With respect to the recording medium prepared above, an oscillation wavelength of 780 nm,
Using a semiconductor laser beam focused to a beam diameter of 1 μm,
Irradiation was performed from the substrate 1 side at a linear velocity of 1 m / s and a light intensity of 12 mW, and several lines were formed linearly at a pitch of 5 μm to perform recording. When the recorded part of the medium after recording was observed at a diagonal position (stage angle of 45 °) under crossed Nicols with a transmission polarization microscope, the recorded part selectively formed a dark state with respect to the surrounding unrecorded part. In this state, it was found that the isotropic phase portion appeared because it did not depend on the stage angle.
<再生> 上記のようにして記録が形成された記録媒体に対し
て、先に用いた半導体レーザーを使用し、光強度を4mW
に落として、線速1m/sで記録層側より記録光のスキャン
方向とは垂直にスキャンした。照射光は偏光顕微鏡のよ
うにサンプルに入射する直前で1枚の偏光板を透過し、
媒体を透過した後に受光素子(光電子倍増管)に入射す
る前で再度先に透過した偏光板とは直交する方位に回転
された別の偏光板を透過するようにした。このシステム
にて受光素子から得られる応答を計測したところ、再生
信号は約6kHz、デューティ比15%で再生できることが判
り、そのS/N比は少なくとも24dB以上、C/N比は40dB以上
で検出できた。また、この再生信号は連続100回再生し
ても出力レベルは変わらなかった。<Reproduction> For the recording medium on which the recording was formed as described above, the light intensity was 4 mW using the semiconductor laser previously used.
Then, scanning was performed perpendicularly to the scanning direction of the recording light from the recording layer side at a linear velocity of 1 m / s. The irradiating light passes through one polarizing plate just before entering the sample like a polarizing microscope,
After passing through the medium and before entering the light receiving element (photomultiplier tube), the light was transmitted through another polarizing plate rotated in the direction perpendicular to the polarizing plate that was transmitted first again. When the response obtained from the light-receiving element was measured with this system, it was found that the reproduced signal could be reproduced at approximately 6 kHz and a duty ratio of 15%, and the S / N ratio was detected at least 24 dB and the C / N ratio was detected at 40 dB or more. did it. The output level of this reproduced signal did not change even if it was reproduced 100 times in succession.
<消去> この記録媒体に対して5μmに集光した半導体レーザ
ー光を用いて、強度6mW、線速100mm/sで、再生時と同様
に記録線と垂直方向にスキャンし、消去実験を行った。
この媒体を偏光顕微鏡にて観察したところ、消去光を露
光した部分が選択的に元のホモジニアス配向状態に戻っ
ており、この幅は2.5μmに渡って消去されていること
が確認された。<Erasing> An erasing experiment was performed by using a semiconductor laser beam focused on the recording medium at 5 μm, scanning at a strength of 6 mW and a linear velocity of 100 mm / s in the direction perpendicular to the recording line as in the case of reproduction. .
Observation of this medium with a polarizing microscope confirmed that the portion exposed to the erasing light selectively returned to the original homogeneous alignment state, and that the width was erased over 2.5 μm.
(実施例2) 実施例1と同様の方法で前記No.33の液晶の代わりに
前記No.30の液晶を使用し、光吸収剤には下記の構造式
(B)で表わされるポリメチン系色素を用いて記録媒体
を作製した。なお色素含有率は高分子液晶に対して4wt
%とした。(Example 2) In the same manner as in Example 1, the liquid crystal of No. 30 was used in place of the liquid crystal of No. 33, and a polymethine dye represented by the following structural formula (B) was used as a light absorbing agent. Was used to produce a recording medium. The dye content was 4 wt% based on the polymer liquid crystal.
%.
次に、本記録媒体の性能を下記の条件で実施例1と同
様の手法により評価した。 Next, the performance of this recording medium was evaluated by the same method as in Example 1 under the following conditions.
(i)記録: ビーム径φ1μm,強度12mW、線速3m/s、
5μmピッチで数本の直線を記録した。(I) Recording: beam diameter φ1 μm, intensity 12 mW, linear velocity 3 m / s,
Several straight lines were recorded at a pitch of 5 μm.
(ii)再生: ビーム径φ1μm,強度5mW、線速3mW (iii)消去: ビーム径φ5μm、強度5mW、線速200m
m/s 記録後の媒体は偏光顕微鏡で実施例1と同様の記録線
が出現することで確認された。また、同様に消去後の媒
体についても記録線が幅3μmに渡って消去できたこと
が確認された。なお、再生時のS/Nは約30dB以上であっ
た。(Ii) Reproduction: Beam diameter φ1 μm, intensity 5 mW, linear velocity 3 mW (iii) Erasure: Beam diameter φ5 μm, intensity 5 mW, linear velocity 200 m
The medium after m / s recording was confirmed by the appearance of recording lines similar to those in Example 1 under a polarizing microscope. Similarly, it was confirmed that the recording line could be erased over a width of 3 μm in the medium after erasing. Note that the S / N during reproduction was about 30 dB or more.
(実施例3) 基板1として光学研磨された厚さ1.2mmのガラス板を
用い、この基板1上に、キャスト法にて厚さ10μmのポ
リフッ化ビニリデン膜を形成し、断熱層4とした。次に
断熱層4上に、可溶性ポリイミド10wt%と上記構造式
(A)で表わされるナフタロシアニン系色素0.5wt%を
含むN−メチルピロリドン溶液を用いてスピンコート法
にて厚さ2000Åの膜を形成し、60℃で30分間乾燥した後
に、100g/cm2の荷重で表面を10回ラビング処理し、配向
層3を設けた。Example 3 An optically polished glass plate having a thickness of 1.2 mm was used as a substrate 1, and a 10 μm-thick polyvinylidene fluoride film was formed on the substrate 1 by a casting method to form a heat insulating layer 4. Next, a film having a thickness of 2000 mm was formed on the heat insulating layer 4 by spin coating using an N-methylpyrrolidone solution containing 10 wt% of soluble polyimide and 0.5 wt% of the naphthalocyanine dye represented by the above structural formula (A). After forming and drying at 60 ° C. for 30 minutes, the surface was rubbed 10 times with a load of 100 g / cm 2 to provide an alignment layer 3.
次に、この配向層3上に、前記No.33の液晶をテトラ
ヒドロフラン中に10wt%溶解した溶液により、同じくス
ピンコート法によって厚さ0.5μm記録層を形成して、
第5図に示す構成の記録媒体を作製した。Next, a 0.5 μm thick recording layer was formed on the alignment layer 3 by a spin coating method using a solution in which the liquid crystal of No. 33 was dissolved at 10 wt% in tetrahydrofuran.
A recording medium having the configuration shown in FIG. 5 was produced.
この記録媒体に対して、オーブン中で165℃、30分間
アニール処理を施こし、記録層2の高分子液晶の分子を
ホモジニアス配向させたところ、偏光顕微鏡観察によっ
て良好な配向をしていることが確認された。The recording medium was annealed in an oven at 165 ° C. for 30 minutes, and the molecules of the polymer liquid crystal in the recording layer 2 were homogeneously aligned. confirmed.
本記録媒体に対して以下の要領で記録、再生、消去の
実験を行った。Experiments of recording, reproduction, and erasure were performed on the recording medium in the following manner.
<記録> 上記で作製した記録媒体に対して発振波長780nm、ビ
ーム径1μmの半導体レーザー光を用いて、線速3m/s、
光強度7mWにて基板側から照射を行い直線状に5μmピ
ッチで数本のラインを形成し記録を行った。記録後の媒
体の記録部分を偏光顕微鏡を用いて、直交ニコル下でス
テージ角45゜(対角位)にて観察したところ、記録部分
が周囲の未記録部に対して選択的に暗状態を形成してお
り、この状態はステージ角に依存しない点から等方相部
分が出現していることが判った。<Recording> Using a semiconductor laser beam having an oscillation wavelength of 780 nm and a beam diameter of 1 μm, a linear velocity of 3 m / s,
Irradiation was performed from the substrate side at a light intensity of 7 mW, and several lines were formed linearly at a pitch of 5 μm to perform recording. When the recorded portion of the medium after recording was observed at a stage angle of 45 ° (diagonal position) under crossed Nicols using a polarizing microscope, the recorded portion was selectively darkened with respect to the surrounding unrecorded portion. It was found that an isotropic phase portion appeared because this state did not depend on the stage angle.
<再生> 上記のようにして記録が形成された記録媒体に対し
て、先に用いた半導体レーザーを使用し、光強度を2mW
に落として線速3m/sで記録層2側より、記録光のスキャ
ン方向とは垂直にスキャンした。この時、照射光は偏光
顕微鏡のように、媒体に入射する直前で1枚の偏光板を
透過し、媒体を透過した後に受光素子(光電子倍増管)
に入射する前で再度先に透過した偏光板とは直交する方
位に回転された別の偏光板を透過する構成とした。この
状態で受光素子から得られる応答を計測したところ、再
生信号は約18kHz、デューティ比15%で再生できること
が判り、そのS/N比は少なくとも28dB以上で検出できる
ことが判った。<Reproduction> For the recording medium on which the recording was formed as described above, the light intensity was set to 2 mW using the semiconductor laser used earlier.
Then, scanning was performed from the recording layer 2 side at a linear velocity of 3 m / s perpendicular to the scanning direction of the recording light. At this time, the irradiation light passes through a single polarizing plate immediately before entering the medium as in a polarization microscope, and after passing through the medium, a light receiving element (photomultiplier tube)
The light is transmitted through another polarizing plate that is rotated in the direction perpendicular to the polarizing plate that has been transmitted again before the light is incident on the polarizing plate. When the response obtained from the light receiving element was measured in this state, it was found that the reproduced signal could be reproduced at about 18 kHz and the duty ratio was 15%, and that the S / N ratio could be detected at least at 28 dB or more.
<消去> この記録媒体に対して、5μmに集光した半導体レー
ザー光を用いて、強度6mW、線速100mm/sで、再生時と同
様に記録線と垂直方向にスキャンし、消去実験を行っ
た。この媒体を偏光顕微鏡にて観察したところ、消去光
を露光した部分が選択的に元のホモジニアス配向状態に
戻っており、その幅は2.5μmに渡って消去されている
ことが確認された。<Erasing> An erasing experiment was performed by scanning the recording medium in the direction perpendicular to the recording line in the same manner as during reproduction at an intensity of 6 mW and a linear velocity of 100 mm / s using a semiconductor laser beam focused at 5 μm. Was. When this medium was observed with a polarizing microscope, it was confirmed that the portion exposed to the erasing light selectively returned to the original homogeneous alignment state, and that the width was erased over 2.5 μm.
(実施例4) 基板1として光学研磨された厚さ1.2mmのガラス板を
用い、この基板1上にポリイミック酸数wt%を含むN−
メチルピロリドン溶液を用いて、スピンコート法にて約
1000Åの厚さの薄膜を塗布し、乾燥後270℃で1時間脱
水縮合してポリイミド化させた。この膜に100g/cm2の荷
重で10回のラビング処理を施こし、配向層3を形成し
た。(Example 4) An optically polished glass plate having a thickness of 1.2 mm was used as the substrate 1, and N-containing several wt% of polyimidic acid was formed on the substrate 1.
Using methylpyrrolidone solution, spin coating method
A thin film having a thickness of 1000 ° was applied, dried and then dehydrated and condensed at 270 ° C. for 1 hour to form a polyimide. This film was subjected to 10 rubbing treatments under a load of 100 g / cm 2 to form an alignment layer 3.
次に、この配向層3の上に前記No.33の液晶を5wt%テ
トラヒドロフラン溶液とし、スピンコート法にて5000Å
の記録層2bを形成した。その後、この記録層2b上に、同
じく前記No.33の液晶3wt%と前記構造式(A)で示され
るナフタロシアニン色素0.3wt%を含有するテトラヒド
ロフラン溶液を用いて同じくスピンコート法により厚さ
2000Åの光熱変換層5を形成し、乾燥後、再度前記No.3
3の液晶5wt%のテトラヒドロフラン溶液により、スピン
コート法で5000Åの記録層2aを形成し、第6図の構成の
記録媒体を作製した。本記録媒体の透過スペクトル測定
から780nmにおける透過率は約60%であった。この記録
媒体をオーブン中で168℃、30分間アニール処理し、記
録層の高分子液晶の分子をホモジニアス配向させたとこ
ろ、偏光顕微鏡観察から良好な配向をしていることが確
認された。Next, the liquid crystal of No. 33 was made into a 5 wt% tetrahydrofuran solution on the alignment layer 3 and 5,000 μm thick by spin coating.
The recording layer 2b was formed. Thereafter, a thickness of the liquid crystal of No. 33 and a tetrahydrofuran solution containing 0.3 wt% of a naphthalocyanine dye represented by the structural formula (A) are also formed on the recording layer 2b by a spin coating method.
After forming a light-to-heat conversion layer 5 having a thickness of 2000 mm and drying,
The recording layer 2a of 5000 ° was formed by a spin coating method using a tetrahydrofuran solution containing 5 wt% of the liquid crystal of No. 3 to prepare a recording medium having the structure shown in FIG. From a measurement of a transmission spectrum of the recording medium, the transmittance at 780 nm was about 60%. When this recording medium was annealed in an oven at 168 ° C. for 30 minutes, and the molecules of the polymer liquid crystal in the recording layer were homogeneously aligned. Observation by a polarizing microscope confirmed that the molecules had a good alignment.
次に、本記録媒体に対して以下の要領で記録、再生、
消去の実験を行った。Next, recording, reproduction,
An erasure experiment was performed.
<記録> 上記で作製した記録媒体に対して、発振波長780nm、
ビーム径1μmに集光した半導体レーザー光を用いて、
線速3m/s、光強度12mWで基板1側から照射を行い、直線
状に数本のラインを10μmピッチで形成し記録を行っ
た。記録後の媒体を透過型偏光顕微鏡により、直交ニコ
ル下、対角位(ステージ角度45゜)で観察したところ、
記録部分は周囲の未記録部に対して選択的に暗状態を形
成しており、この部分はステージ角に依存せず常時暗状
態であるために、記録により等方相部分が出現したこと
が確認された。<Recording> With respect to the recording medium prepared above, an oscillation wavelength of 780 nm,
Using a semiconductor laser beam focused to a beam diameter of 1 μm,
Irradiation was performed from the substrate 1 side at a linear velocity of 3 m / s and a light intensity of 12 mW, and several lines were formed linearly at a pitch of 10 μm to perform recording. When the medium after recording was observed with a transmission polarization microscope under crossed Nicols at a diagonal position (stage angle 45 °),
The recorded part selectively forms a dark state with respect to the surrounding unrecorded part, and since this part is always in a dark state without depending on the stage angle, the isotropic phase part appeared by recording confirmed.
<再生> 上記のようにして記録が形成された記録媒体に対し
て、先に用いた波長780nmの半導体レーザーを使用し、
光強度4mW、線速3m/sで記録層側から記録線とは垂直の
方向にスキャンした。照射光はサンプルの前後で直交に
組まれた一対の偏光板を透過した後に受光素子(光電子
倍増管)にて光量を計測できるようにし、その応答から
本記録媒体の再生信号を求めた。その結果、18kHz、デ
ューティ比15%で再生できることが判った。また、この
信号を高速フーリエ変換アナライザーにて波長分析し、
C/N比を求めたところ、少なくとも36dB以上で再生され
ることが判った。<Reproduction> For the recording medium on which the recording was formed as described above, using the semiconductor laser having the wavelength of 780 nm previously used,
Scanning was performed in a direction perpendicular to the recording line from the recording layer side at a light intensity of 4 mW and a linear velocity of 3 m / s. Irradiation light was transmitted through a pair of polarizing plates assembled orthogonally before and after the sample, and then the amount of light was measured by a light receiving element (photomultiplier tube). From the response, a reproduction signal of the recording medium was obtained. As a result, it was found that reproduction was possible at 18 kHz and a duty ratio of 15%. In addition, this signal is subjected to wavelength analysis with a fast Fourier transform analyzer,
When the C / N ratio was determined, it was found that the signal was reproduced at least at 36 dB or more.
<消去> この記録媒体に対して波長780nmの半導体レーザー光
を5μmに集光し、強度4mW、線速100mm/sで基板側から
再生時と同様に記録線と垂直方向にスキャンし、消去を
行った。偏光顕微鏡にて消去光と記録線との交叉部を観
察したところ、消去光を照射した部分の記録線が3μm
幅に渡って消去され、元のホモジニアス配向状態に戻っ
ていることが確認された。<Erasing> A semiconductor laser beam having a wavelength of 780 nm is focused on this recording medium to 5 μm, and the intensity is 4 mW, and the linear velocity is 100 mm / s. went. Observation of the intersection of the erasing light and the recording line with a polarizing microscope revealed that the portion of the recording line irradiated with the erasing light was 3 μm.
It was confirmed that it was erased over the width and returned to the original homogeneous alignment state.
(実施例5) 実施例4と同様の条件でガラス基板1上に配向層3を
形成し、この配向層3の上に、前記No.30の液晶をテト
ラヒドロフラン中に10wt%溶解した溶液を用いて、浸漬
塗布法により7000Åの厚さの記録層2を形成した。そし
て記録層付き基板を168℃で30分アニール処理し、記録
層2の高分子液晶の分子を配向させた。さらに下記構造
式(C)で示されるフタロシアニン系色素を5wt%含有
する低重合ポリエチレンを用いて、記録層2上に溶融塗
布し、第7図に示す構成の記録媒体を得た。(Example 5) An alignment layer 3 was formed on a glass substrate 1 under the same conditions as in Example 4, and a solution obtained by dissolving the liquid crystal of No. 30 in 10% by weight in tetrahydrofuran was used on the alignment layer 3. Thus, a recording layer 2 having a thickness of 7,000 ° was formed by a dip coating method. Then, the substrate with the recording layer was annealed at 168 ° C. for 30 minutes to orient the molecules of the polymer liquid crystal of the recording layer 2. Further, a low-polymer polyethylene containing 5% by weight of a phthalocyanine dye represented by the following structural formula (C) was melt-coated on the recording layer 2 to obtain a recording medium having the structure shown in FIG.
本記録媒体に対して、波長780nmの半導体レーザーを
用いて、下記条件で本記録媒体の性能を評価した。レー
ザー光照射は基板1側からとした。 The performance of the present recording medium was evaluated using a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm under the following conditions. Laser light irradiation was performed from the substrate 1 side.
(i)記録:ビーム径ψ1μm、強度14mW、線速3m/s
5μmピッチで数本の直線を記録した。(I) Recording: beam diameter ψ1 μm, intensity 14 mW, linear velocity 3 m / s
Several straight lines were recorded at a pitch of 5 μm.
(ii)再生:ビーム径ψ1μm、強度3mW、線速3m/s (iii)消去:ビーム径ψ5μm、強度6mW、線速100m/s 記録、消去後の媒体を各々偏光顕微鏡により観察した
ところ、実施例4と同様の変化が現われたことが確認で
きた。なお、再生時のS/N比は22dB以上であった。(Ii) Reproduction: Beam diameter ψ1 μm, intensity 3 mW, linear velocity 3 m / s (iii) Erasure: Beam diameter ψ5 μm, intensity 6 mW, linear velocity 100 m / s The medium after recording and erasing was observed with a polarizing microscope. It was confirmed that the same change as in Example 4 appeared. The S / N ratio during reproduction was 22 dB or more.
(実施例6) 実施例4と同様の手順で、基板1上に配向層3を設け
た後に前記No.34の液晶をスピンコート方で厚さ3000Å
の膜とし、記録層2bを設けた。この記録層2b上に下記構
造式(D)で表わされるポリメチン系色素を0.5wt%メ
チルエチルケト溶液としたものを用いて、厚さ600Åの
膜を作成し、光熱変換層5とし、さらにその上に再度前
記No.34の液晶を塗布して記録層2aを形成し、第6図の
構成の記録媒体を作製した。(Example 6) In the same procedure as in Example 4, after the alignment layer 3 was provided on the substrate 1, the liquid crystal of No. 34 was spin-coated to a thickness of 3000.
And a recording layer 2b was provided. A film having a thickness of 600 mm was formed on the recording layer 2b by using a 0.5% by weight solution of a polymethine dye represented by the following structural formula (D) in methyl ethyl keto to form a light-to-heat conversion layer 5. The liquid crystal of No. 34 was applied again to form the recording layer 2a, thereby producing a recording medium having the structure shown in FIG.
実施例5及び6と同様の手法で、下記条件により本記
録媒体の性能を評価した。 The performance of this recording medium was evaluated in the same manner as in Examples 5 and 6 under the following conditions.
(i)記録:ビーム径φ1μm、強度11mW、線速3m/s (ii)再生:ビーム径φ1μm、強度2mW、線速3m/s (iii)消去:ビーム径φ5μm、強度6mW、線速50m/s 結果は、前記実施例5及び6と同様に記録、消去にお
いて良好な変化が確認され、反射光によるS/N比は21dB
以上であった。(I) Recording: beam diameter φ1 μm, intensity 11 mW, linear velocity 3 m / s (ii) Reproduction: beam diameter φ1 μm, intensity 2 mW, linear velocity 3 m / s (iii) Erasing: beam diameter φ5 μm, intensity 6 mW, linear velocity 50 m / s s As a result, good changes in recording and erasing were confirmed as in Examples 5 and 6, and the S / N ratio due to reflected light was 21 dB.
That was all.
本発明によれば、高分子液晶記録層の厚さ方向の一部
分の配向状態を変化させることにより記録を行うため
に、記録時の転送速度を向上させるだけでなく、記録時
の変化部分が消去の際に元の状態に戻りやすいため消し
残りがなくかつ消去速度が高速化され、信頼性の高い記
録、消去を行うことが可能となる。According to the present invention, in order to perform recording by changing the orientation state of a part in the thickness direction of the polymer liquid crystal recording layer, not only the transfer speed during recording is improved, but also the changed part during recording is erased. In this case, the original state can be easily returned, so that there is no erasure remaining, the erasing speed is increased, and highly reliable recording and erasing can be performed.
第1図は本発明に用いる記録媒体の層構成例を示す断面
図、第2図は第1図の記録媒体の記録層内に形成される
べき温度分布を示す断面図、第3図は本発明における記
録の状態の一例を示す断面図、第4図は長時間照射によ
って記録層全体に渡って形成された記録の状態の一例を
示す断面図、第5図は本発明に用いる記録媒体の別の構
成例を示す断面図、第6図ないし第8図はそれぞれ本発
明に用いる記録媒体の更に別の構成例を示す断面図であ
る。 1……基板、2,2a,2b……記録層 3……配向層、4……断熱層 5……光熱変換層FIG. 1 is a sectional view showing an example of a layer structure of a recording medium used in the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing a temperature distribution to be formed in a recording layer of the recording medium of FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a recording state in the invention, FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a recording state formed over the entire recording layer by long-time irradiation, and FIG. 6 to 8 are cross-sectional views showing still another example of the configuration of the recording medium used in the present invention. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2, 2a, 2b ... Recording layer 3 ... Orientation layer 4 ... Heat insulation layer 5 ... Light-to-heat conversion layer
フロントページの続き (72)発明者 筒井 恭治 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (72)発明者 太田 正文 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株 式会社リコー内 (56)参考文献 特開 平3−137834(JP,A) 特開 平3−119323(JP,A) 特開 平4−29884(JP,A) 特開 平3−138688(JP,A) 特開 平2−139286(JP,A) 特開 平2−139285(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B41M 5/26 Continued on the front page (72) Inventor Kyoji Tsutsui 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Inside Ricoh Company (72) Inventor Masafumi Ota 1-3-6 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo Stock Company Ricoh (56) References JP-A-3-137834 (JP, A) JP-A-3-119323 (JP, A) JP-A-4-29884 (JP, A) JP-A-3-138688 (JP, A) JP-A-2-139286 (JP, A) JP-A-2-139285 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) B41M 5/26
Claims (3)
変化または相変化を起こして記録、及び記録消去を行う
高分子液晶及び光吸収剤を含有せしめた記録層からなる
記録媒体に、ビーム光が1点を通過する際の時間が100
μ秒以下で照射し、高分子液晶からなる記録層の厚さ方
向の一部分の配向状態または相状態を変化させることに
より記録形成後、電界・磁界等の外力を印加することな
く、ビーム光を照射して形成された記録を消去すること
を特徴とする記録及び記録消去方法。A beam is applied to a recording medium comprising a recording layer containing a polymer liquid crystal and a light absorbing agent for recording and recording / erasing by causing a reversible change in orientation state or phase change on at least a substrate. 100 hours for light to pass through one point
Irradiation in microseconds or less and changing the orientation state or phase state in a part of the thickness direction of the recording layer composed of the polymer liquid crystal, and after forming the recording, the beam light is applied without applying external force such as electric field and magnetic field. A recording and a recording / erasing method, wherein a recording formed by irradiating is erased.
変化または相変化を起こして記録、及び記録消去を行う
高分子液晶からなる記録層と、該高分子液晶層を配向さ
せる配向層を設けてなり、さらに場合によっては発生す
る熱の利用効率を向上せしめるために断熱層を設けてな
り、かつ該配向層あるいは該断熱層の少なくとも一方に
光吸収剤を含有せしめてなる記録媒体に、ビーム光が1
点を通過する際の時間が100μ秒以下で照射し記録層の
厚さ方向の一部分の配向状態または相状態を変化させる
ことにより記録形成後、電界・磁界等の外力を印加する
ことなく、ビーム光を照射して形成された記録を消去す
ることを特徴とする記録及び記録消去方法。2. A recording layer comprising a polymer liquid crystal for performing recording and recording / erasing by causing a reversible change in alignment state or phase change on at least a substrate, and an alignment layer for aligning the polymer liquid crystal layer. In addition, in some cases, a heat insulating layer is provided to improve the utilization efficiency of generated heat, and a recording medium containing a light absorbing agent in at least one of the alignment layer and the heat insulating layer, 1 beam light
Irradiate for less than 100 μs when passing through a point and change the orientation state or phase state in a part of the recording layer in the thickness direction.After forming the recording, the beam is applied without applying external force such as electric field and magnetic field. A recording and recording erasing method, wherein a recording formed by irradiating light is erased.
変化または相変化を起こして記録、消去を行う高分子液
晶からなる記録層、及び、さらに該記録層の中もしくは
該記録層のいずれか一方の面に隣接して照射光を吸収し
熱に変換する光熱変換層からなる記録媒体に、ビーム光
が1点を通過する際の時間が100μ秒以下で照射し記録
層の厚さ方向の一部分の配向状態または相状態を変化さ
せて記録すること記録形成後、電界・磁界等の外力を印
加することなく、ビーム光を照射することにより、形成
された記録を消去することを特徴とする記録及び記録消
去方法。3. A recording layer made of a polymer liquid crystal which performs recording and erasure by causing a reversible change in alignment state or phase change on at least a substrate, and further comprising any one of the recording layer and the recording layer. A recording medium consisting of a light-to-heat conversion layer, which absorbs irradiation light and converts it to heat, is radiated to the recording medium adjacent to one of the surfaces in a time of 100 μsec or less when the light beam passes through one point, and the thickness direction of the recording layer The recording is performed by changing the orientation state or phase state of a part of the recording, and after forming the recording, the formed recording is erased by irradiating the light beam without applying an external force such as an electric field or a magnetic field. Recording and record erasing method.
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---|---|---|---|
JP2331164A JP3047002B2 (en) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | Recording method |
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