JPH0520642A - Thin-film magnetic head - Google Patents

Thin-film magnetic head

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JPH0520642A
JPH0520642A JP16981291A JP16981291A JPH0520642A JP H0520642 A JPH0520642 A JP H0520642A JP 16981291 A JP16981291 A JP 16981291A JP 16981291 A JP16981291 A JP 16981291A JP H0520642 A JPH0520642 A JP H0520642A
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JP
Japan
Prior art keywords
layer
bonding
insulating layer
winding conductor
magnetic head
Prior art date
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Application number
JP16981291A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoyuki Sagara
智行 相良
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Publication of JPH0520642A publication Critical patent/JPH0520642A/en
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Abstract

PURPOSE:To improve the reliability of bonding without complicating the process for production of the thin-film magnetic head. CONSTITUTION:A 1st insulating layer 2, a 1st tight contact layer 3 consisting of a high melting metallic material, a winding conductor layer 4 consisting of Cu, and a 2nd tight contact layer 5 consisting of the high melting metallic material are successively formed on a substrate 1. After an insulating layer 8 is formed, a contact hole is worked in a part of the insulating layer 8. A diffusion preventive layer 5a which consists of the high melting metallic material and is in common use as the tight contact layer and an Al layer 6 consisting of Al as a bonding pad material are laminated on the exposed winding conductor layer 4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、薄膜磁気ヘッドに関
する。さらに詳しくは、ボンディングパッドの改善に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film magnetic head. More specifically, it relates to improvements in bonding pads.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気テープ装置等の情報記録再生装置の
薄膜磁気ヘッドは、電極パッド部が図3に示すように、
基板1上に第1絶縁層2と、高融点金属材料からなる第
1密着層3と、Cuからなる巻線導体層4と、高融点金
属材料からなる第2密着層5とを順次積層した構成にな
っており、第2密着層5は、一部除去されて、巻線導体
層4が露出しており、これらの周囲には第2絶縁層8が
形成されている。
2. Description of the Related Art In a thin film magnetic head of an information recording / reproducing apparatus such as a magnetic tape apparatus, an electrode pad portion is, as shown in FIG.
A first insulating layer 2, a first adhesion layer 3 made of a refractory metal material, a winding conductor layer 4 made of Cu, and a second adhesion layer 5 made of a refractory metal material were sequentially laminated on a substrate 1. The second adhesive layer 5 is partially removed to expose the winding conductor layer 4, and the second insulating layer 8 is formed around these.

【0003】上記の構成において、コイル(図示されて
いない)とコイル端部の電極パッド10は巻線導体層4
により形成されており、電極パッド10にボンディング
ワイヤー11にてボンディングを行うことにより、コイ
ルは外部と電気的に接続されるようになっている。
In the above structure, the coil (not shown) and the electrode pad 10 at the end of the coil are formed by the winding conductor layer 4
The coil is electrically connected to the outside by bonding the electrode pad 10 with the bonding wire 11.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
構成では、電極パッド10がCuであるため、表面に酸
化膜が形成されるため、ワイヤーボンディングを行いに
くいという問題点を有している。またワイヤーボンディ
ング後も剥がれ易く、信頼性の低下を招来している。
However, in the above-mentioned conventional structure, since the electrode pad 10 is made of Cu, an oxide film is formed on the surface thereof, so that wire bonding is difficult to perform. Further, it is easily peeled off even after wire bonding, resulting in deterioration of reliability.

【0005】このため、電極パッド10上にNiとAu
とを積層メッキして、電極パッド10の酸化を防止する
ことにより、この問題に対応することも行われている
が、上記積層メッキを行うためには、高額な設備投資が
必要であることに加え、製造工程が複雑化するという問
題点を有している。この発明は、上記問題を解決するた
めになされたものであって、簡易な工程で製造すること
ができ、ワイヤーボンディングが行いやすく、ワイヤー
ボンディング後も剥がれ難く信頼性の高いボンディング
パッドを有する薄膜磁気ヘッドを提供しようとするもの
である。
Therefore, Ni and Au are deposited on the electrode pad 10.
It has been attempted to solve this problem by stacking and plating the electrodes with each other to prevent oxidation of the electrode pad 10. However, in order to carry out the above-mentioned stacking plating, a large amount of equipment investment is required. In addition, the manufacturing process is complicated. The present invention has been made to solve the above problems, can be manufactured in a simple process, wire bonding is easy to perform, thin film magnetic having a highly reliable bonding pad that does not easily peel off after wire bonding. It is intended to provide a head.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この発明によれば、第1
絶縁層が形成された基板上に、第1密着層と第2密着層
とによってサンドイッチされた巻線導体層のパターンが
形成され、このパターン形成面に第2絶縁層が被覆さ
れ、第2絶縁層と第2密着層を貫通し少なくとも巻線導
体層に達するコンタクトホールが開孔され、コンタクト
ホール内に拡散防止層を介してボンディングパッド材が
埋設されると共にコンタクトホール上及び第2絶縁層上
に張出してボンディングパッドが形成され、ボンディン
グパッド材の上の所定位置にボンディングワイヤーが接
続されてなる薄膜磁気ヘッドが提供される。
According to the present invention, the first
A pattern of a winding conductor layer sandwiched by a first adhesive layer and a second adhesive layer is formed on a substrate on which an insulating layer is formed, and the pattern forming surface is covered with the second insulating layer to form a second insulating layer. A contact hole penetrating the layer and the second adhesive layer and reaching at least the winding conductor layer, and a bonding pad material is embedded in the contact hole via a diffusion prevention layer and on the contact hole and on the second insulating layer. Provided is a thin film magnetic head in which a bonding pad is formed so as to extend over the bonding pad and a bonding wire is connected to a predetermined position on the bonding pad material.

【0007】この発明においては、第1絶縁層が形成さ
れた基板上に、第1密着層と第2密着層とによってサン
ドイッチされた巻線導体層のパターンが形成され、この
パターン形成面に第2絶縁層が被覆される。上記基板
は、薄膜磁気ヘッドを構成するためのものであって、例
えば、結晶化ガラス、フェライト等によって構成され
る。
In the present invention, the pattern of the winding conductor layer sandwiched by the first adhesive layer and the second adhesive layer is formed on the substrate on which the first insulating layer is formed, and the pattern forming surface is provided with the pattern. Two insulating layers are covered. The substrate is used to form a thin film magnetic head, and is made of, for example, crystallized glass or ferrite.

【0008】上記第1絶縁層は、基板と巻線導体層とを
絶縁するためのものであって、例えば酸化シリコン膜、
窒化シリコン膜等が用いられる。この膜厚は、通常1.
0〜3.0μmである。またこの形成は、例えばCVD
法等によって行うことができる。上記巻線導体層のパタ
ーンは、高周波での記録再生を行うためのものであっ
て、第1絶縁層の上に、第1密着層、巻線導体層及び第
2密着層を順に積層し、これを巻線状にパターン化して
形成することができる。
The first insulating layer serves to insulate the substrate and the winding conductor layer from each other. For example, a silicon oxide film,
A silicon nitride film or the like is used. This film thickness is usually 1.
It is 0 to 3.0 μm. Further, this formation is performed, for example, by CVD.
It can be done by the law. The pattern of the winding conductor layer is for recording / reproducing at high frequency, and a first adhesion layer, a winding conductor layer, and a second adhesion layer are laminated in this order on the first insulating layer, This can be formed by patterning in a winding shape.

【0009】巻線導体層は、記録効率を向上させるため
に抵抗率の小さい金属がよく、例えばCu、Al等によ
って構成することができる。Cuは、Alに比べ抵抗率
が約0.7で低く、膜厚やコイル幅を小さくできるので
好ましい。上記第1密着層は、第1絶縁層と巻線導体層
とを密着させるためのものであって、例えばNb等によ
って構成することができる。この膜厚は、通常0.03
〜0.05μmである。
The winding conductor layer is preferably made of a metal having a low resistivity in order to improve recording efficiency, and can be made of, for example, Cu or Al. Cu is preferable because it has a resistivity lower than that of Al at about 0.7 and can reduce the film thickness and the coil width. The first adhesion layer is for adhering the first insulation layer and the winding conductor layer to each other, and can be made of, for example, Nb. This film thickness is usually 0.03
Is about 0.05 μm.

【0010】上記第2密着層は、第2密着層と巻線導体
層とを密着させるためのものであって、同様に構成する
ことができる。この膜厚は、通常0.1〜0.4μmで
ある。上記第2絶縁層は、第1と第2密着層及びそれら
によってサンドイッチされた巻線導体層のパターンを絶
縁するためのものであって、例えば酸化シリコン、窒化
シリコン等を用いてそれらをカバーするように形成する
ことができる。
The second adhesion layer is for adhering the second adhesion layer and the winding conductor layer to each other, and can be similarly constructed. This film thickness is usually 0.1 to 0.4 μm. The second insulating layer is for insulating the patterns of the first and second adhesion layers and the winding conductor layer sandwiched by them, and covers them by using, for example, silicon oxide, silicon nitride or the like. Can be formed as follows.

【0011】この発明においては、第2絶縁層と第2密
着層を貫通し少なくとも巻線導体層に達するコンタクト
ホールが開孔される。上記コンタクトホールは、巻線導
体層と電気的に接続するボンディングパッドを形成する
ためのものであって、第2絶縁層と第2密着層を貫通し
少なくとも巻線導体層に達するように開孔され、通常直
径10〜100μm、深さ1.0〜3.0μmの寸法を
有する。
In the present invention, the contact hole penetrating the second insulating layer and the second adhesion layer and reaching at least the winding conductor layer is opened. The contact hole is for forming a bonding pad that is electrically connected to the winding conductor layer, and is an opening that penetrates the second insulating layer and the second adhesion layer and reaches at least the winding conductor layer. And has a diameter of 10 to 100 μm and a depth of 1.0 to 3.0 μm.

【0012】この発明においては、コンタクトホール内
に拡散防止層を介してボンディングパッド材が埋設され
ると共にコンタクトホール上及び第2絶縁層上に張出し
てボンディングパッドが形成される。上記拡散防止層
は、巻線導体層とボンディングパッドとの間に電気的接
続を維持しながらそれぞれの構成原子の拡散が起こらな
いようにするためのものであって、コンタクトホール内
の巻線導体層上に、例えば、Nb等の層を積層して形成
される。この厚さは、通常0.2〜0.3μmである。
In the present invention, the bonding pad material is embedded in the contact hole through the diffusion prevention layer, and the bonding pad is formed so as to extend over the contact hole and the second insulating layer. The diffusion prevention layer is for preventing the diffusion of each constituent atom while maintaining the electrical connection between the winding conductor layer and the bonding pad, and the winding conductor in the contact hole. For example, a layer of Nb or the like is laminated on the layer. This thickness is usually 0.2 to 0.3 μm.

【0013】上記ボンディングパッドは、ボンディング
ワイヤーを配設しこれと巻線導体層とを電気的に接続す
るためのものであって、ボンディングパット材をコンタ
クトホール内の拡散防止層上に埋設すると共にコンタク
トホール上及び第2絶縁層上に張出して形成される。ボ
ンディングパット材は、例えばAl等が用いられる。ボ
ンディングパッドの寸法は、通常、縦80〜300μ
m、横80〜120μm、厚さ(第2絶縁層上)0.2
〜0.5μmである。
The bonding pad is for disposing a bonding wire and electrically connecting the bonding wire to the winding conductor layer, and a bonding pad material is embedded in the diffusion preventing layer in the contact hole. It is formed to overhang the contact hole and the second insulating layer. As the bonding pad material, for example, Al or the like is used. The size of the bonding pad is usually 80 to 300μ in length.
m, width 80 to 120 μm, thickness (on the second insulating layer) 0.2
Is 0.5 μm.

【0014】この発明においては、ボンディングパッド
材の上の所定位置にボンディングワイヤーが接続され薄
膜磁気ヘッドが構成される。
In the present invention, a bonding wire is connected to a predetermined position on the bonding pad material to form a thin film magnetic head.

【0015】[0015]

【作用】Nbからなる拡散防止層が、電極パッド部の巻
線導体層を外部環境から遮断して酸化を防止すると共
に、電極パッド部のボンディングパッド材にワイヤーボ
ンディングが行われるので、ボンディングが容易にな
る。しかも、拡散防止層により巻線導体材料を構成する
Cuのボンディングパッド材への拡散が防止される。ま
た、拡散防止層のピンホール等が発性し、拡散が生じて
も、コンタクトホール周辺で拡散がストップし、ボンデ
ィングの劣化は生じないためボンディングの信頼性が向
上する。
The diffusion prevention layer made of Nb shields the winding conductor layer of the electrode pad from the external environment to prevent oxidation, and wire bonding is performed on the bonding pad material of the electrode pad, which facilitates bonding. become. Moreover, the diffusion prevention layer prevents diffusion of Cu constituting the winding conductor material into the bonding pad material. Further, even if a pinhole or the like of the diffusion prevention layer is generated and the diffusion occurs, the diffusion is stopped around the contact hole and the deterioration of the bonding does not occur, so that the reliability of the bonding improves.

【0016】[0016]

【実施例】本発明の一実施例を図1〜図4に基づいて説
明する。本実施例の薄膜磁気ヘッドは、図4に示すよう
にフェライト、結晶化ガラス等からなる基板1と、基板
1を覆うように形成された強磁性体薄膜からなる下部磁
気コア12と下部磁気コア12上に巻線状にパター化し
て形成されたCuよりなる巻線導体層4と巻線導体層4
と同等材料よりなる外部との接続用の電極リード部15
が形成され、巻線導体層4の巻線中心に対応する位置
に、下部コア12に接続して設けられたステップ型の上
部磁気コア14とから主に構成されている。なお、巻線
導体層は、絶縁層である酸化シリコン膜、窒化シリコン
膜等によって短絡しないようになっている。また下部磁
気コア12、上部磁気コアには例えばFe−Al−Si
等のFeを主成分とする強磁性体が使用されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 4, the thin film magnetic head of this embodiment includes a substrate 1 made of ferrite, crystallized glass, etc., a lower magnetic core 12 made of a ferromagnetic thin film formed so as to cover the substrate 1, and a lower magnetic core. Winding conductor layer 4 and winding conductor layer 4 made of Cu formed by patterning in a winding shape on 12
Electrode lead part 15 for connection to the outside made of a material similar to
Is formed, and is mainly composed of a step type upper magnetic core 14 provided in a position corresponding to the winding center of the winding conductor layer 4 and connected to the lower core 12. The winding conductor layer is made of an insulating layer such as a silicon oxide film or a silicon nitride film so as not to be short-circuited. The lower magnetic core 12 and the upper magnetic core are made of, for example, Fe-Al-Si.
Ferromagnetic materials containing Fe as a main component are used.

【0017】図3の(a)および(b)は薄膜磁気ヘッ
ド部と可撓性プリント基板部との接合構造を示す平面図
と側面図である。これらの図を参照して、まず薄膜磁気
ヘッド部は磁性基板1、素子部16、電極パッド部15
a,15bおよび保護板17から構成されている。フェ
ライトなどからなる磁性基板の上の媒体摺動面側には素
子部が形成されている。また磁性基板1の上の接続部側
には素子部16から延びるように外部との接続用の電極
リード部15aが多数個形成されている。この電極リー
ド部15aの先端は、幅の広くなっている電極パッド部
15bとなっている。素子部16の表面上にはフェライ
ト、ガラスなどからなる保護板17が接着されている。
これらの磁性基板1、素子部16及び保護板17から構
成される媒体摺動面を所定の曲率を有する形状に加工す
る。
FIGS. 3A and 3B are a plan view and a side view showing a joint structure between the thin film magnetic head portion and the flexible printed circuit board portion. Referring to these drawings, first, the thin-film magnetic head unit includes a magnetic substrate 1, an element unit 16, and an electrode pad unit 15.
It is composed of a and 15b and a protection plate 17. An element portion is formed on the medium sliding surface side on a magnetic substrate made of ferrite or the like. Further, a large number of electrode lead portions 15a for connection to the outside are formed on the magnetic substrate 1 on the side of the connection portion so as to extend from the element portion 16. The tip of the electrode lead portion 15a is an electrode pad portion 15b having a wide width. A protective plate 17 made of ferrite, glass or the like is adhered to the surface of the element portion 16.
The medium sliding surface composed of the magnetic substrate 1, the element portion 16 and the protective plate 17 is processed into a shape having a predetermined curvature.

【0018】次に、可撓性プリント基板19はリード端
子20、ベースフィルム21およびカバーフィルム22
から構成されている。ポリイミドなどからなるベースフ
ィルム21の表面上には、銅箔上にメッキ法により形成
されたAu層から構成されるリード端子20が多数個配
されている。このリード端子20の表面上にはカバーフ
ィルム22がリード端子20の端部を露出するように接
着されている。
Next, the flexible printed circuit board 19 has a lead terminal 20, a base film 21 and a cover film 22.
It consists of On the surface of a base film 21 made of polyimide or the like, a large number of lead terminals 20 composed of an Au layer formed on a copper foil by a plating method are arranged. A cover film 22 is adhered to the surface of the lead terminal 20 so as to expose the end portion of the lead terminal 20.

【0019】薄膜磁気ヘッド部18と可撓性プリント基
板19はガラス、金属などからなる支持板23にそれぞ
れ高精度に位置決めされた状態で接着される。支持板2
3に接着された薄膜磁気ヘッド部18の電極パッド部1
5bと可撓性プリント基板19の一方端部から露出して
いるリード端子20との間をAuまたはAlなどからな
るワイヤ24で電気に接続する。
The thin film magnetic head portion 18 and the flexible printed board 19 are adhered to the support plate 23 made of glass, metal or the like in a highly accurately positioned state. Support plate 2
Electrode pad portion 1 of thin film magnetic head portion 18 adhered to 3
5b and the lead terminal 20 exposed from one end of the flexible printed board 19 are electrically connected by a wire 24 made of Au or Al.

【0020】巻線胴体層4と同等材料よりなる外部との
接続用の電極リード部15aの先端部の幅の広くなって
いる電極パッド部15bの詳細について図1、及び図2
に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例の薄
膜磁気ヘッドでは、電極パッド部は、図1に示すよう
に、基板1上に第1絶縁層2と、高融点金属材料からな
る第1密着層3と、Cuからなる巻線導体層4と、高融
点金属材料からなる第2密着層5とを順次積層した構成
になっておりさらに絶縁層8を形成した後、該絶縁層8
の一部にコンタクトホール加工を行い露出した巻線導体
層4上に、高融点金属材料からなり密着層も兼ねる拡散
防止層5aと、ボンディングパッド材としてAlからな
るAl層6とをさらに積層した構成になっている。
Details of the electrode pad portion 15b, which is made of the same material as the winding body layer 4 and has a wide tip end portion of the electrode lead portion 15a for external connection, are shown in FIGS.
The explanation is based on the following. In the thin film magnetic head of this embodiment, as shown in FIG. 1, the electrode pad portion has a first insulating layer 2 on a substrate 1, a first adhesion layer 3 made of a refractory metal material, and a winding made of Cu. The conductor layer 4 and the second adhesion layer 5 made of a refractory metal material are sequentially laminated, and after the insulating layer 8 is further formed, the insulating layer 8 is formed.
A diffusion preventing layer 5a made of a refractory metal material and also serving as an adhesion layer, and an Al layer 6 made of Al as a bonding pad material were further laminated on the exposed winding conductor layer 4 by performing contact hole processing on a part of It is configured.

【0021】上記の構成において、コイル(図示されて
いない)とコイル端部の電極パッド部10は巻線導体層
4により形成されており、電極パッド部10の上の一部
にコンタクトホールを有する絶縁層8を介して設けられ
た拡散防止層5a上に積層されたAl層6にワイヤーボ
ンディングを行うことにより、上記コイルは外部と電気
的に接続されるようになっている。
In the above structure, the coil (not shown) and the electrode pad portion 10 at the end of the coil are formed by the winding conductor layer 4, and the electrode pad portion 10 has a contact hole in a part thereof. The coil is electrically connected to the outside by wire-bonding the Al layer 6 laminated on the diffusion prevention layer 5a provided via the insulating layer 8.

【0022】上記の構成によれば、電極パッド部10
は、拡散防止層5aとAl層6とにより外気から絶縁さ
れているので、酸化されない。これにより電極パッド部
10の酸化によるボンディング性の低下が解消される。
しかも拡散防止層5aにより電極パッド10のCuがA
l層6に拡散してボンディング性を低下させることも防
止される。また、仮に拡散防止層5aにピンホール等が
発生し、拡散が生じても、コンタクトホール周辺で拡散
がストップし、ボンディングワイヤー11のボンディン
グ部分のAl層6は侵されないため、ボンディングの劣
化は生じない。以下、上記薄膜磁気ヘッドの電極パッド
部の製造方法を、図1、図2(a)〜(d)とを用いて
説明する。
According to the above configuration, the electrode pad portion 10
Is not oxidized because it is insulated from the outside air by the diffusion prevention layer 5a and the Al layer 6. As a result, the deterioration of the bonding property due to the oxidation of the electrode pad portion 10 is eliminated.
Moreover, the diffusion prevention layer 5a prevents the Cu of the electrode pad 10 from
It is also prevented from diffusing into the I-layer 6 and deteriorating the bonding property. Further, even if a pinhole or the like is generated in the diffusion prevention layer 5a and the diffusion occurs, the diffusion stops around the contact hole and the Al layer 6 at the bonding portion of the bonding wire 11 is not attacked, so that the deterioration of the bonding occurs. Absent. Hereinafter, a method of manufacturing the electrode pad portion of the thin film magnetic head will be described with reference to FIGS. 1 and 2A to 2D.

【0023】図2(a)に示すように、基板1上にSi
2 等の絶縁体からなる第1絶縁層2をP−CVD法に
より約2.5μmの膜厚になる様に形成する。次に、第
1絶縁層2上にTi,Nb等の高融点金属材料からなる
第1密着層3をEB蒸着法により500Åの膜厚になる
ように形成し、続いて、Cuからなる巻線導体層4を
1.5〜2.0μmの膜厚になるように形成し、さら
に、Nb等の高融点金属材料からなる第2密着層を同じ
くEB蒸着法により1000〜1500Åの膜厚になる
ように形成する。それから、第2密着層5上に、ボンデ
ィングパッドの所定パターンからなるフォトレジスト7
を形成する。
As shown in FIG. 2A, Si is formed on the substrate 1.
The first insulating layer 2 made of an insulating material such as O 2 is formed by P-CVD to a thickness of about 2.5 μm. Next, a first adhesion layer 3 made of a refractory metal material such as Ti or Nb is formed on the first insulating layer 2 by an EB vapor deposition method so as to have a film thickness of 500Å, and then a winding made of Cu is formed. The conductor layer 4 is formed to have a film thickness of 1.5 to 2.0 μm, and the second adhesion layer made of a refractory metal material such as Nb is also made to have a film thickness of 1000 to 1500 Å by the same EB vapor deposition method. To form. Then, a photoresist 7 having a predetermined pattern of bonding pads is formed on the second adhesion layer 5.
To form.

【0024】次にArガスを使用したイオンシリングに
より、フォトレジスト7に覆われた部分を残して、第1
絶縁層2が露出するまでエッチングを行い、フォトレジ
ストを除去する(図2(b))。それから、図2(C)
に示すように、第1絶縁層2から第2密着層5までを覆
うように、SiO2 等の絶縁体からなる第2絶縁層8を
P−CVD法により約1.0μmの膜厚になるように形
成し、その後、第2密着層5の端部にコンタクトホール
が位置するように第2絶縁層8上にフォトレジスト9を
形成し、パターニングを行う。
Next, by ion schilling using Ar gas, leaving the portion covered with the photoresist 7 first,
Etching is performed until the insulating layer 2 is exposed, and the photoresist is removed (FIG. 2B). Then, Figure 2 (C)
As shown in FIG. 3, the second insulating layer 8 made of an insulator such as SiO 2 is formed to have a film thickness of about 1.0 μm by the P-CVD method so as to cover the first insulating layer 2 to the second adhesive layer 5. After that, a photoresist 9 is formed on the second insulating layer 8 so that the contact hole is located at the end of the second adhesive layer 5, and patterning is performed.

【0025】次にイオンシリングにより、フォトレジス
ト9に覆われた部分を残して、第2絶縁層8と第2密着
層5のエッチングを行い、巻線導体層4からなる電極パ
ッド部10を露出させる。そして、フォトレジスト9を
除去する(図2(d))。そして、図1に示すように、
Nb等の高融点金属材料からなり密着層を兼ねる拡散防
止層5aを電極パッド部10上のコンタクトホール部に
EB蒸着により約3000Åの膜厚になるように形成
し、さらに、ボンディングパッド材としてAlからなる
Al層6を、上記コンタクトホール部および第2絶縁層
8上に同じくEB蒸着により3000〜5000Åの膜
厚になるように形成する。
Next, the second insulating layer 8 and the second adhesion layer 5 are etched by ion schilling, leaving the portion covered with the photoresist 9, to expose the electrode pad portion 10 composed of the winding conductor layer 4. Let Then, the photoresist 9 is removed (FIG. 2D). Then, as shown in FIG.
A diffusion prevention layer 5a made of a high melting point metal material such as Nb and also serving as an adhesion layer is formed in the contact hole portion on the electrode pad portion 10 by EB vapor deposition so as to have a film thickness of about 3000 Å. Then, an Al layer 6 made of is formed on the contact hole portion and the second insulating layer 8 by EB vapor deposition so as to have a film thickness of 3000 to 5000Å.

【0026】以上のように、本実施例の製造方法によれ
ば、従来からの製造工程を同一工程によりコンタクトホ
ールにより露出した電極パッド部を製造し、それから同
じ製造設備を使ってEB蒸着法により電極パッド部10
上に拡散防止層5aとAl層6とを形成するので、高額
な設備投資をする必要もなく、しかも、従来の製造工程
を変更することなく、2工程追加するだけで、ボンディ
ング性と信頼性に優れた上記薄膜磁気ヘッドの電極パッ
ド部を製造できる。
As described above, according to the manufacturing method of this embodiment, the electrode pad portion exposed by the contact hole is manufactured by the same conventional manufacturing process, and then the same manufacturing equipment is used to perform the EB evaporation method. Electrode pad section 10
Since the diffusion prevention layer 5a and the Al layer 6 are formed on the upper side, there is no need to make an expensive capital investment, and moreover, two steps are added without changing the conventional manufacturing steps, and the bonding property and the reliability are improved. The excellent electrode pad portion of the thin film magnetic head can be manufactured.

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドは、以上のよう
に、巻線導体層上にコンタクトホールを有する絶縁層を
形成した後、拡散防止層とボンディング材とを積層した
電極パッド部を備えたので電極パッド部の巻線導体層は
外部環境から遮断されて酸化が防止されると共に、電極
パッド部のボンディングパッド材にワイヤーボンディン
グが行われるのでボンディングが容易になる。
As described above, the thin film magnetic head of the present invention has the electrode pad portion in which the diffusion preventing layer and the bonding material are laminated after the insulating layer having the contact holes is formed on the winding conductor layer. Therefore, the winding conductor layer of the electrode pad portion is shielded from the external environment to prevent oxidation, and wire bonding is performed on the bonding pad material of the electrode pad portion, which facilitates the bonding.

【0028】しかも、拡散防止層による巻線導体材料で
あるCuのボンディングパッド材への拡散が防止され
る。また、拡散防止層にピンホール等が発生し拡散が生
じても、コンタクトホール周辺で拡散がストップし、ボ
ンディングの劣化は生じないため、ボンディングの信頼
性が大幅に向上するという効果を奏する。また本発明の
薄膜磁気ヘッドは、新たな設備導入を必要とせず、しか
も、工程を複雑化することなく製造されるという効果を
奏する。
Moreover, the diffusion preventing layer prevents Cu, which is the winding conductor material, from diffusing into the bonding pad material. Further, even if a pinhole or the like is generated in the diffusion prevention layer and the diffusion occurs, the diffusion is stopped around the contact hole and the deterioration of the bonding does not occur, so that the reliability of the bonding is significantly improved. Further, the thin film magnetic head of the present invention has an effect that it does not require introduction of new equipment and is manufactured without complicating the process.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の実施例で作製した薄膜磁気ヘッドの
説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a thin film magnetic head manufactured in an example of the present invention.

【図2】同じく薄膜磁気ヘッドの製造工程の説明図であ
る。
FIG. 2 is also an explanatory diagram of a manufacturing process of the thin film magnetic head.

【図3】同じく薄膜磁気ヘッドの製造工程の説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a manufacturing process of the thin film magnetic head, similarly.

【図4】同じく薄膜磁気ヘッドの製造工程の説明図であ
る。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a manufacturing process of the thin film magnetic head, similarly.

【図5】従来の薄膜磁気ヘッドの説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional thin film magnetic head.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 第1絶縁層 3 第1密着層 4 巻線導体層 5 第2密着層 5a 拡散防止層 6 Al層(ボンディングパッド材) 8 第2絶縁層 10 電極パッド 1 Substrate 2 First Insulation Layer 3 First Adhesion Layer 4 Winding Conductor Layer 5 Second Adhesion Layer 5a Diffusion Prevention Layer 6 Al Layer (Bonding Pad Material) 8 Second Insulation Layer 10 Electrode Pad

Claims (1)

【特許請求の範囲】 【請求項1】 第1絶縁層が形成された基板上に、第1
密着層と第2密着層とによってサンドイッチされた巻線
導体層のパターンが形成され、このパターン形成面に第
2絶縁層が被覆され、第2絶縁層と第2密着層を貫通し
少なくとも巻線導体層に達するコンタクトホールが開孔
され、 コンタクトホール内に拡散防止層を介してボンディング
パッド材が埋設されると共にコンタクトホール上及び第
2絶縁層上に張出してボンディングパッドが形成され、
ボンディングパッド材の上の所定位置にボンディングワ
イヤーが接続されてなる薄膜磁気ヘッド。
Claim: What is claimed is: 1. A first insulating layer is formed on a substrate, and the first insulating layer is formed on the substrate.
A pattern of the winding conductor layer sandwiched by the adhesive layer and the second adhesive layer is formed, the pattern forming surface is covered with the second insulating layer, and penetrates the second insulating layer and the second adhesive layer to form at least the winding. A contact hole reaching the conductor layer is opened, a bonding pad material is embedded in the contact hole via a diffusion prevention layer, and a bonding pad is formed so as to extend over the contact hole and the second insulating layer.
A thin film magnetic head having a bonding wire connected to a predetermined position on a bonding pad material.
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