JPH05199016A - Structure of package input output section for ultra high frequency band - Google Patents

Structure of package input output section for ultra high frequency band

Info

Publication number
JPH05199016A
JPH05199016A JP4001199A JP119992A JPH05199016A JP H05199016 A JPH05199016 A JP H05199016A JP 4001199 A JP4001199 A JP 4001199A JP 119992 A JP119992 A JP 119992A JP H05199016 A JPH05199016 A JP H05199016A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dielectric layer
line
dielectric
microstrip line
strip line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP4001199A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoji Ohashi
洋二 大橋
Tamio Saito
民雄 齊藤
Yoshihiro Kawasaki
義博 河崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP4001199A priority Critical patent/JPH05199016A/en
Publication of JPH05199016A publication Critical patent/JPH05199016A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
  • Waveguides (AREA)

Abstract

PURPOSE:To facilitate the manufacture and assembling by making a line width of a strip line section wide with respect to the structure of the package input output section for a such as a microwave band or a millimeter wave band. CONSTITUTION:First and 2nd dielectric layers 4, 5 having a length for the package input output section and a 3rd dielectric layer 6 with a length of a strip line section 3 being a component of a hermetic seal section are laminated. Moreover, lines 7, 8 of microstrip line sections 1, 2 and a line 9 of the strip line section 3 are formed on the 2nd dielectric layer 5. Ground faces 10, 11 of the microstrip line sections 1, 2 are formed between 1st and 2nd dielectric layers 4, 5, and a ground face 12 of the microstrip line section 3 is formed to an outer peripheral face of the 1st, 2nd and 3rd dielectric layers 4, 5, 6. The ground face 12 and the ground faces 10, 11 of the microstrip line sections 1, 2 are connected by a throughhole.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波帯又はミリ
波帯等の極超短波帯用パッケージ入出力部の構造に関す
る。マイクロ波帯又はミリ波帯等の極超短波帯用のパッ
ケージは、挿入損失及び反射損失が小さいことが要求さ
れている。従って、パッケージ入出力部は、ハーメチッ
クシールを行う為にストリップ線路が使用されることが
多い。このストリップ線路は、マイクロストリップ線路
に比較して、同じ誘電体の厚さで同じ特性インピーダン
スの線路とした時に、線路幅を小さくする必要がある。
このように線路幅が小さいと、そこで発生する導体損失
が大きくなる為に、線路の挿入損失が大きくなる。そこ
で、ストリップ線路幅をできるだけ大きくできる構造が
要望されている。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the structure of a package input / output section for the ultra-high frequency band such as the microwave band or the millimeter wave band. It is required that a package for an ultra-high frequency band such as a microwave band or a millimeter wave band has small insertion loss and reflection loss. Therefore, in the package input / output section, a strip line is often used for hermetic sealing. The strip line needs to have a smaller line width than the microstrip line when the lines have the same dielectric thickness and the same characteristic impedance.
When the line width is small in this way, the conductor loss generated there becomes large, and thus the line insertion loss becomes large. Therefore, there is a demand for a structure capable of making the strip line width as large as possible.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来例の極超短波帯用のパッケージ入出
力部は、ハーメチックシールを行う為に下部誘電体基板
と上部誘電体基板との間に線路を形成し、外周面をグラ
ンド面としたストリップ線路を使用し、パッケージの内
部回路との接続部及びパッケージの外部回路との接続部
を、誘電体基板上に線路を形成したマイクロストリップ
線路を使用し、ストリップ線路の両側にマイクロストリ
ップ線路を結合した構成が比較的多く採用されている。
2. Description of the Related Art In the conventional package input / output unit for the ultra-high frequency band, a line is formed between a lower dielectric substrate and an upper dielectric substrate for hermetic sealing, and the outer peripheral surface is used as a ground plane. The strip line is used to connect the internal circuit of the package and the external circuit of the package.The micro strip line is formed on the dielectric substrate, and the micro strip line is installed on both sides of the strip line. A relatively large number of combined configurations are adopted.

【0003】前述のパッケージ入出力部に於ける挿入損
失を低減する目的で、ストリップ線路の線路幅を広くす
るには、 (1)誘電体基板の誘電率を小さくする。 (2)誘電体基板の厚さを厚くする。 という手段が考えられる。 (1)の手段は、通常使用する誘電体基板材料のアルミ
ナセラミックが誘電率9.5〜10程度であるのに対し
て、低誘電率材料でマイクロ波帯又はミリ波帯に於いて
使用できるのは、誘電率が5以上のものである。その場
合、低誘電率材料を用いることによりストリップ線路の
線路幅は約2倍程度になる。しかし、使用できる低誘電
率材料の誘電率には限界があり、誘電率5程度以下の材
料を、マイクロ波帯又はミリ波帯に於いて使用すること
は高周波特性等の問題から困難である。 (2)の手段は、誘電体基板の厚さに比例して使用する
線路の幅が広くなることを利用したものである。しか
し、マイクロストリップ線路の不要高次モードの伝播を
抑える為には、余り厚い基板は使用できない。又回路で
使用する誘電体基板と、パッケージ入出力部のマイクロ
ストリップ線路の基板の厚さが異なると、その厚さが変
化する部分で信号の不要な反射が発生する。
In order to increase the line width of the strip line for the purpose of reducing the insertion loss in the package input / output section, (1) the dielectric constant of the dielectric substrate is reduced. (2) Increase the thickness of the dielectric substrate. Means can be considered. The means (1) can be used in a microwave band or a millimeter wave band with a low dielectric constant material, while alumina ceramic which is a commonly used dielectric substrate material has a dielectric constant of about 9.5 to 10. Has a dielectric constant of 5 or more. In that case, the line width of the strip line is approximately doubled by using the low dielectric constant material. However, there is a limit to the dielectric constant of the low dielectric constant material that can be used, and it is difficult to use a material having a dielectric constant of about 5 or less in the microwave band or millimeter wave band due to problems such as high frequency characteristics. The means (2) utilizes the fact that the width of the line used increases in proportion to the thickness of the dielectric substrate. However, a too thick substrate cannot be used to suppress the propagation of unnecessary higher-order modes in the microstrip line. Further, if the thickness of the dielectric substrate used in the circuit and the thickness of the substrate of the microstrip line of the package input / output unit are different, unnecessary reflection of signals occurs at the portion where the thickness changes.

【0004】又図4に示すように、マイクロストリップ
線路の誘電体基板の厚さよりも、ストリップ線路の誘電
体基板の厚さを厚くすることにより、ストリップ線路の
線路幅を広くすることができる構成を先に提案した。即
ち、誘電体基板31,32上に線路35,36を形成し
てマイクロストリップ線路部とし、これらの誘電体基板
31,32より厚い下部誘電体基板33と、上部誘電体
基板34との間に線路37を形成し、外周面にメタライ
ズ等によるグランド面を形成してストリップ線路部と
し、このストリップ線路部の両端にマイクロストリップ
線路部を一体的に結合して入出力部30を構成したもの
である。
Further, as shown in FIG. 4, the line width of the strip line can be widened by making the dielectric substrate of the strip line thicker than the dielectric substrate of the microstrip line. Was proposed first. That is, the lines 35 and 36 are formed on the dielectric substrates 31 and 32 to form a microstrip line portion, and between the lower dielectric substrate 33 and the upper dielectric substrate 34 which are thicker than these dielectric substrates 31 and 32. A line 37 is formed, a ground surface is formed on the outer peripheral surface by metallization or the like to form a strip line portion, and microstrip line portions are integrally coupled to both ends of the strip line portion to configure the input / output unit 30. is there.

【0005】この入出力部30を、パッケージの金属基
板41の周囲の壁部42の孔に挿入してハーメチックシ
ールを施し、誘電体基板43上の内部回路とマイクロス
トリップ線路部の線路36と接続し、壁部42上に金属
蓋体(図示せず)を載せてパッケージの内部を密封する
ことになる。その場合、金属基板41の溝44に、入出
力部30のストリップ線路部の下部誘電体基板33を挿
入し、マイクロストリップ線路部の誘電体基板32と誘
電体基板43との上面が、同一平面となるように構成す
る。このように、入出力部30のストリップ線路部の誘
電体基板33,34は、マイクロストリップ線路部の誘
電体基板31,32より厚くすることができるから、ス
トリップ線路部の線路37の線路幅を広くすることがで
きる。
The input / output section 30 is inserted into the hole of the wall section 42 around the metal substrate 41 of the package and hermetically sealed to connect the internal circuit on the dielectric substrate 43 and the line 36 of the microstrip line section. Then, a metal lid (not shown) is placed on the wall 42 to seal the inside of the package. In that case, the lower dielectric substrate 33 of the strip line portion of the input / output unit 30 is inserted into the groove 44 of the metal substrate 41, and the upper surfaces of the dielectric substrate 32 and the dielectric substrate 43 of the micro strip line portion are on the same plane. It is configured so that In this way, since the dielectric substrates 33 and 34 of the strip line portion of the input / output unit 30 can be made thicker than the dielectric substrates 31 and 32 of the microstrip line portion, the line width of the line 37 of the strip line portion can be reduced. Can be wide.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする問題点】前述の(1),
(2)の手段によりパッケージ入出力部を構成する場
合、ストリップ線路の線路幅を広くするには、低誘電率
の誘電体基板を使用するか、又は誘電体基板の厚さを厚
くするものであるが、それぞれ限界があるから、マイク
ロストリップ線路の線路幅に近づけることは容易でなか
った。又図4に示す先に提案された構成は、ストリップ
線路部を構成する下部誘電体基板33と上部誘電体基板
34との厚さを、マイクロストリップ線路部の誘電体基
板31,32より厚くすることにより、ストリップ線路
部の線路37の幅を広くするものであるが、突出した下
部誘電体基板33を挿入する為の溝44を金属基板41
に形成する必要があるから、パッケージの金属基板41
の加工が複雑となる欠点があった。又突出している下部
誘電体基板33を溝44に嵌め込んで組立てることにな
るから、パッケージに対する入出力部の組込みが容易で
ない欠点があった。本発明は、ストリップ線路部の線路
幅を広くし、製作及び組立てが容易な入出力部を提供す
ることを目的とする。
Problems to be Solved by the Invention (1),
When the package input / output unit is configured by the means of (2), in order to widen the line width of the strip line, a dielectric substrate having a low dielectric constant is used or the thickness of the dielectric substrate is increased. However, because of their limitations, it was not easy to approach the line width of the microstrip line. In the previously proposed configuration shown in FIG. 4, the thickness of the lower dielectric substrate 33 and the upper dielectric substrate 34 forming the strip line portion is made thicker than the dielectric substrates 31, 32 of the microstrip line portion. By doing so, the width of the line 37 in the strip line portion is widened, but the groove 44 for inserting the protruding lower dielectric substrate 33 is formed in the metal substrate 41.
Must be formed on the metal substrate 41 of the package.
However, there was a drawback that the processing was complicated. Further, since the protruding lower dielectric substrate 33 is fitted into the groove 44 for assembly, there is a drawback that it is not easy to assemble the input / output unit into the package. It is an object of the present invention to provide an input / output unit that widens the strip line width and is easy to manufacture and assemble.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の極超短波帯用パ
ッケージ入出力部は、図1を参照して説明すると、パッ
ケージのハーメチックシール部を構成するストリップ線
路部3と、このストリップ線路部3の両端に接続された
マイクロストリップ線路部1,2とを有する極超短波帯
用パッケージ入出力部に於いて、マイクロストリップ線
路部1,2とストリップ線路部3とに共通の第1の誘電
体層4及び第2の誘電体層5と、ストリップ線路部3の
一部を構成する第3の誘電体層6とを積層し、マイクロ
ストリップ線路部1,2と、ストリップ線路部3の線路
7,8,9を第2の誘電体層5上に連続して形成し、マ
イクロストリップ線路部1,2のグランド面10,11
を第1の誘電体層4と第2の誘電体層5との間に形成
し、ストリップ線路部3のグランド面12を、積層した
第1,第2,第3の誘電体層4,5,6の外周面に形成
したものである。
The ultrahigh frequency band package input / output section of the present invention will be described with reference to FIG. 1. A stripline section 3 constituting a hermetically sealed section of the package and the stripline section 3 are described. A first dielectric layer common to the microstrip line sections 1 and 2 and the stripline section 3 in an ultra-high frequency band package input / output section having microstrip line sections 1 and 2 connected to both ends of 4 and the second dielectric layer 5 and the third dielectric layer 6 forming a part of the strip line section 3 are laminated to form a microstrip line section 1 and a line 7 of the strip line section 3. 8 and 9 are continuously formed on the second dielectric layer 5, and the ground planes 10 and 11 of the microstrip line portions 1 and 2 are formed.
Is formed between the first dielectric layer 4 and the second dielectric layer 5, and the ground surface 12 of the strip line portion 3 is laminated on the first, second and third dielectric layers 4, 5 , 6 are formed on the outer peripheral surface.

【0008】又マイクロストリップ線路部1,2のグラ
ンド面10,11と、マイクロストリップ線路部3のグ
ランド面12とを、第1の誘電体層4に形成したスルー
ホールにより接続したものである。
The ground planes 10 and 11 of the microstrip line sections 1 and 2 and the ground plane 12 of the microstrip line section 3 are connected by a through hole formed in the first dielectric layer 4.

【0009】[0009]

【作用】第2の誘電体層5の下面にグランド面10,1
1が形成され、上面に線路7,8が形成されたマイクロ
ストリップ線路部1,2は、第2の誘電体層5がマイク
ロストリップ線路の誘電体基板を構成してることにな
る。又第1,第2の誘電体層4,5と第3の誘電体層6
との間に線路9が形成され、外周面にグランド面が形成
されたストリップ線路部3は、第1,第2の誘電体層
4,5が下部誘電体基板、第3の誘電体層6が上部誘電
体基板をそれぞれ構成していることになる。従って、ス
トリップ線路部3の上下誘電体基板の厚さを厚くしたこ
とになるから、線路9の幅を広くすることができる。又
ストリップ線路部3の外周面のグランド面12は金属膜
であるから、パッケージの金属部との間のハーメチック
シール部を形成することができる。又第1の誘電体層4
は、マイクロストリップ線路部1,2とストリップ線路
部3との共通の基板となり、下部に突出部がないから、
パッケージへの組み込みが容易となる。
Function: The ground planes 10 and 1 are formed on the lower surface of the second dielectric layer 5.
In the microstrip line portions 1 and 2 on which the line 1 and the lines 7 and 8 are formed, the second dielectric layer 5 constitutes the dielectric substrate of the microstrip line. In addition, the first and second dielectric layers 4 and 5 and the third dielectric layer 6
In the strip line portion 3 in which the line 9 is formed between the first and second dielectric layers 4 and 5, the lower dielectric substrate and the third dielectric layer 6 are formed. Respectively constitute the upper dielectric substrates. Therefore, since the upper and lower dielectric substrates of the strip line portion 3 are made thicker, the width of the line 9 can be widened. Further, since the ground surface 12 on the outer peripheral surface of the strip line portion 3 is a metal film, a hermetic seal portion between the ground surface 12 and the metal portion of the package can be formed. In addition, the first dielectric layer 4
Is a common substrate for the microstrip line units 1 and 2 and the strip line unit 3, and since there is no protrusion at the bottom,
Easy to incorporate into the package.

【0010】又マイクロストリップ線路部1,2のグラ
ンド面10,11と、ストリップ線路部3の第1の誘電
体層4の下面のグランド面12との間に段差があるが、
第1の誘電体層4のスルーホールにより、第1,第2の
誘電体層4,5間のグランド面10,11と、第1の誘
電体層4の下面のグランド面12とを接続することがで
き、又このグランド面12がパッケージの金属部に接続
されるから、マイクロストリップ線路部1,2のグラン
ド面10,11もグランド面12を介して、パッケージ
の金属部と接続することができ、マイクロストリップ線
路部1,2の特性を良好に維持することができる。
Further, there is a step between the ground planes 10 and 11 of the microstrip line portions 1 and 2 and the ground plane 12 of the lower surface of the first dielectric layer 4 of the strip line portion 3,
Through holes in the first dielectric layer 4 connect the ground planes 10 and 11 between the first and second dielectric layers 4 and 5 and the ground plane 12 on the lower surface of the first dielectric layer 4. Since the ground surface 12 is connected to the metal portion of the package, the ground surfaces 10 and 11 of the microstrip line portions 1 and 2 can also be connected to the metal portion of the package via the ground surface 12. Therefore, the characteristics of the microstrip line units 1 and 2 can be maintained well.

【0011】[0011]

【実施例】図1は本発明の実施例の斜視図であり、1,
2はマイクロストリップ線路部、3はストリップ線路
部、4,5,6は第1,第2,第3の誘電体層、7,
8,9は線路、10,11,12はグランド面を示す。
第1の誘電体層4と第2の誘電体層5との間のマイクロ
ストリップ部1,2を構成する部分にグランド面10,
11が形成され、第2の誘電体層5上に、マイクロスト
リップ線路部1,2の線路7,8とストリップ線路部3
の線路9とが形成され、第3の誘電体層6の厚さは、第
1,第2の誘電体層4,5の厚さの和と等しくするもの
である。又第1,第2,第3の誘電体層4,5,6のス
トリップ線路部3を構成する部分の外周面にグランド面
12が形成される。このグランド面12は、第1の誘電
体層4の全下面,全側面にも形成することができる。又
第2の誘電体層5の側面にも形成することができる。そ
して、このグランド面12と、マイクロストリップ線路
部1,2のグランド面10,11とが、第1の誘電体層
4に形成された後述のスルーホールにより接続される。
FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of the present invention.
2 is a microstrip line portion, 3 is a strip line portion, 4, 5, 6 are first, second and third dielectric layers, 7,
Reference numerals 8 and 9 denote lines, and reference numerals 10, 11 and 12 denote ground planes.
The ground plane 10 is formed on the portion forming the microstrip sections 1 and 2 between the first dielectric layer 4 and the second dielectric layer 5.
11 is formed, and the lines 7 and 8 of the microstrip line units 1 and 2 and the strip line unit 3 are formed on the second dielectric layer 5.
Line 9 is formed, and the thickness of the third dielectric layer 6 is made equal to the sum of the thicknesses of the first and second dielectric layers 4 and 5. Further, the ground surface 12 is formed on the outer peripheral surface of the portions of the first, second, third dielectric layers 4, 5, 6 that form the strip line portion 3. The ground plane 12 can be formed on the entire lower surface and the entire side surface of the first dielectric layer 4. It can also be formed on the side surface of the second dielectric layer 5. Then, the ground surface 12 and the ground surfaces 10 and 11 of the microstrip line portions 1 and 2 are connected to each other by a through hole, which will be described later, formed in the first dielectric layer 4.

【0012】従って、第2の誘電体層4がマイクロスト
リップ線路の誘電体基板となり、第1,第2の誘電体層
4,5がストリップ線路の下部誘電体基板、第3の誘電
体層6がストリップ線路の上部誘電体基板となり、スト
リップ線路部3に於いては、誘電体基板の厚さを厚くす
ることができるから、線路9の幅を広くすることができ
る。従って、マイクロストリップ線路部1,2の特性イ
ンピーダンスとストリップ線路部3の特性インピーダン
スを等しくした場合のマイクロストリップ線路部1,2
の線路7,8と、ストリップ線路部3の線路9との線路
幅を近似させることが可能となり、形状変化に伴う伝播
モードの変化を少なくし、反射損失を低減することがで
きる。
Therefore, the second dielectric layer 4 serves as a dielectric substrate for the microstrip line, the first and second dielectric layers 4, 5 serve as the lower dielectric substrate for the strip line, and the third dielectric layer 6 Serves as the upper dielectric substrate of the strip line, and in the strip line portion 3, the thickness of the dielectric substrate can be increased, so that the width of the line 9 can be increased. Therefore, when the characteristic impedances of the microstrip line units 1 and 2 and the characteristic impedance of the strip line unit 3 are made equal,
The line widths of the lines 7 and 8 and the line 9 of the strip line portion 3 can be approximated, the change of the propagation mode due to the change of the shape can be reduced, and the reflection loss can be reduced.

【0013】図2は本発明の実施例の断面図であり、
(A)は縦断面図、(B)はストリップ線路部3の横断
面図、(C)はマイクロストリップ線路部1のスルーホ
ール部分の横断面図を示し、図1と同一符号は同一部分
を示す。又12aは下部グランド面、12bは上部グラ
ンド面、12c,12dは側部グランド面、13,14
はスルーホールである。
FIG. 2 is a sectional view of an embodiment of the present invention.
1A is a vertical cross-sectional view, FIG. 1B is a horizontal cross-sectional view of the strip line portion 3, and FIG. 1C is a horizontal cross-sectional view of the through hole portion of the microstrip line portion 1. The same reference numerals as those in FIG. Show. 12a is a lower ground plane, 12b is an upper ground plane, 12c and 12d are side ground planes, and 13 and 14 are ground planes.
Is a through hole.

【0014】ストリップ線路部3は、(B)に示すよう
に、第1,第2の誘電体層4,5により下部誘電体基板
が構成され、第3の誘電体層6により上部誘電体基板が
構成され、この上部誘電体基板と下部誘電体基板との間
に線路9が形成されている。又下部グランド面12aと
上部グランド面12bと側部グランド面12c,12d
とにより、図1に示すグランド面12が構成されてい
る。
In the strip line portion 3, as shown in (B), the lower dielectric substrate is composed of the first and second dielectric layers 4 and 5, and the upper dielectric substrate is composed of the third dielectric layer 6. And the line 9 is formed between the upper dielectric substrate and the lower dielectric substrate. Also, the lower ground surface 12a, the upper ground surface 12b, and the side ground surfaces 12c and 12d.
By these, the ground surface 12 shown in FIG. 1 is configured.

【0015】又マイクロストリップ線路部1,2は、
(A),(C)に示すように、第2の誘電体層5を誘電
体基板とし、この下部(第1,第2の誘電体層4,5
間)にグランド面10,11を形成し、上部に線路7,
8を形成したもので、第1の誘電体層4は、マイクロス
トリップ線路部1,2に於ける支持基板の役目を果たし
ていることになる。
The microstrip line sections 1 and 2 are
As shown in (A) and (C), the second dielectric layer 5 is used as a dielectric substrate, and the lower part (first and second dielectric layers 4, 5) is formed.
Between the ground planes 10 and 11 and the line 7,
Thus, the first dielectric layer 4 serves as a supporting substrate in the microstrip line portions 1 and 2.

【0016】そして、マイクロストリップ線路部1,2
のグランド面10,11と、ストリップ線路部3の下部
グランド面12aとが、スルーホール13,14により
接続される。このスルーホール13,14はそれぞれ複
数のスルーホールとすることも可能である。又マイクロ
ストリップ線路部1,2のグランド面10,11と、ス
トリップ線路部3のグランド面12とは、第1,第2の
誘電体層4,5の側面のメタライズ層を用いて接続する
ことも可能である。
Then, the microstrip line sections 1 and 2
The ground planes 10 and 11 and the lower ground plane 12a of the strip line portion 3 are connected by through holes 13 and 14. The through holes 13 and 14 may be a plurality of through holes. Also, the ground planes 10 and 11 of the microstrip line sections 1 and 2 and the ground plane 12 of the strip line section 3 should be connected using the metallized layers on the side surfaces of the first and second dielectric layers 4 and 5. Is also possible.

【0017】前述の構成のパッケージ入出力部は、例え
ば、次のようにして製作することができる。即ち、アル
ミナセラミックのグリーンシート状態の第1,第2,第
3の誘電体層4,5,6について、第1の誘電体層4に
スルーホール13,14を形成し、メタライズ等により
グランド面10,11と下部グランド面12aとを形成
すると共に、スルーホール13,14の内面を導体化又
は内部を導体で充填することにより、グランド面10,
11と下部グランド面12aとを接続し、第2の誘電体
層5の上部に、マイクロストリップ線路部1,2の線路
7,8と、ストリップ線路部3の線路9とを形成して、
第1の誘電体層4の上に第2の誘電体層5を重ね、その
上に第3の誘電体層6を重ねて、上部グランド面12b
と側面グランド面12c,12dとをメタライズ等によ
り形成し、相互に一体化するように接着して焼成するも
のである。
The package input / output unit having the above-described structure can be manufactured, for example, as follows. That is, for the first, second, and third dielectric layers 4, 5, and 6 in the green sheet state of alumina ceramic, through holes 13 and 14 are formed in the first dielectric layer 4, and the ground plane is formed by metallization or the like. 10 and 11 and the lower ground surface 12a are formed, and the inner surface of the through holes 13 and 14 is made into a conductor or the inside is filled with a conductor, whereby the ground surface 10,
11 and the lower ground plane 12a are connected to each other, and the lines 7 and 8 of the microstrip line parts 1 and 2 and the line 9 of the strip line part 3 are formed on the upper part of the second dielectric layer 5.
The second dielectric layer 5 is overlaid on the first dielectric layer 4, the third dielectric layer 6 is overlaid thereon, and the upper ground plane 12b is formed.
The side ground planes 12c and 12d are formed by metallization or the like, and are bonded and fired so as to be integrated with each other.

【0018】図3は本発明の実施例のパッケージ組立時
の説明図であり、図1及び図2と同一符号は同一部分を
示し、21はパッケージの金属基板、22は金属基板の
周囲の壁部の一部、23は内部回路を構成する誘電体基
板を示す。又(a)は概略の要部上面図、(b)は概略
の要部断面図を示す。パッケージの金属基板21に、第
1の誘電体層4を挿入し得る溝を形成し、パッケージ入
出力部を挿入する。この場合の溝は、パッケージの外側
からパッケージ入出力部を挿入して位置決めし、且つパ
ッケージの内部回路を構成する誘電体基板23上の線路
と、パッケージ入出力部の第2の誘電体層5上の線路8
とを同一平面として、マイクロストリップ線路部2の線
路8と、内部回路の線路との接続を容易とする為のもの
であり、図4に示す溝44とは異なり、線路7,8の方
向に沿った溝であるから、その溝の形成は容易であり、
且つ金属基板21の外側から入出力部を挿入すれば良い
から、組立ても容易となる。又マイクロストリップ線路
部1の線路7に図示しない外部回路が接続されることに
なる。
FIG. 3 is an explanatory view of the embodiment of the present invention at the time of assembling the package. The same reference numerals as those in FIGS. 1 and 2 indicate the same parts, 21 is a metal substrate of the package, and 22 is a wall around the metal substrate. Part of the part, 23 is a dielectric substrate forming an internal circuit. Further, (a) is a schematic top view of the main part, and (b) is a schematic cross-sectional view of the main part. A groove into which the first dielectric layer 4 can be inserted is formed in the metal substrate 21 of the package, and the package input / output section is inserted. In this case, the groove inserts and positions the package input / output portion from the outside of the package, and the line on the dielectric substrate 23 that constitutes the internal circuit of the package and the second dielectric layer 5 of the package input / output portion. Upper track 8
Are used for facilitating the connection between the line 8 of the microstrip line portion 2 and the line of the internal circuit with the same plane as, and unlike the groove 44 shown in FIG. Since it is a groove along the line, it is easy to form the groove,
Moreover, since the input / output section may be inserted from the outside of the metal substrate 21, the assembly is easy. Further, an external circuit (not shown) is connected to the line 7 of the microstrip line section 1.

【0019】又パッケージ入出力部のストリップ線路部
3を構成する第1、第2,第3の誘電体層4,5,6の
外周面のグランド面12と、パッケージの金属基板21
と壁部22との金属部との間で、ハーメチックシールを
施すものである。それによって、ストリップ線路部3の
グランド面12とパッケージの金属部とが接続され、ス
ルーホール13,14を介してマイクロストリップ線路
部1,2のグランド面10,11もパッケージの金属部
と接続されることになる。
Further, the ground plane 12 on the outer peripheral surfaces of the first, second and third dielectric layers 4, 5 and 6 constituting the strip line section 3 of the package input / output section and the metal substrate 21 of the package.
And a metal portion of the wall portion 22 is hermetically sealed. Thereby, the ground surface 12 of the strip line portion 3 and the metal portion of the package are connected, and the ground surfaces 10 and 11 of the microstrip line portions 1 and 2 are also connected to the metal portion of the package through the through holes 13 and 14. Will be.

【0020】従って、マイクロ波又はミリ波の極超短波
帯用のパッケージ入出力部は、微小構造となるが、パッ
ケージの金属部とハーメチックシールを施す為のストリ
ップ線路部3に於ける上下誘電体基板を厚くして、その
線路9の幅を広くし、マイクロストリップ線路部1,2
の支持基板としての第1の誘電体層4の下面が平坦面で
あるから、パッケージの金属基板21に容易に装着する
ことができる。
Therefore, although the package input / output section for the microwave or millimeter wave ultra-high frequency band has a minute structure, the upper and lower dielectric substrates in the strip line section 3 for hermetically sealing the metal section of the package. Is thickened to widen the width of the line 9, and the microstrip line parts 1 and 2 are
Since the lower surface of the first dielectric layer 4 as the supporting substrate is a flat surface, it can be easily mounted on the metal substrate 21 of the package.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、第1,
第2,第3の誘電体層4,5,6を積層し、第2の誘電
体層5をマイクロストリップ線路部1,2の誘電体基板
とし、第1,第2の誘電体層4,5をストリップ線路部
3の下部誘電体基板とし、第3の誘電体層6をストリッ
プ線路部3の上部誘電体基板としたものであり、このス
トリップ線路部3の上下誘電体基板の厚さを厚くするこ
とができるから、その線路9の幅を広くして、マイクロ
ストリップ線路部1,2の線路7,8との幅の急変を無
くし、パッケージ入出力部としてマイクロ波又はミリ波
に対する特性を向上することができる。
As described above, according to the present invention,
The second and third dielectric layers 4, 5 and 6 are laminated, the second dielectric layer 5 is used as the dielectric substrate of the microstrip line portions 1 and 2, and the first and second dielectric layers 4 and 4 are formed. 5 is used as the lower dielectric substrate of the strip line portion 3, and the third dielectric layer 6 is used as the upper dielectric substrate of the strip line portion 3. Since the thickness can be increased, the width of the line 9 is widened to eliminate the sudden change in the width of the microstrip line portions 1 and 2 from the lines 7 and 8, and the package input / output portion has characteristics for microwaves or millimeter waves. Can be improved.

【0022】又マイクロストリップ線路部1,2の支持
基板としての第1の誘電体層4は、ストリップ線路部3
の下部誘電体基板の一部を構成するもので、パッケージ
入出力部の下面は平坦面となり、例えば、図4に示すよ
うに、ストリップ線路部の下部誘電体基板が突出した構
造ではないから、パッケージの製作も容易となり、且つ
パッケージへの装着も容易となる利点がある。
The first dielectric layer 4 serving as a supporting substrate for the microstrip line portions 1 and 2 has the strip line portion 3
Of the lower dielectric substrate, the lower surface of the package input / output section is a flat surface, and for example, as shown in FIG. 4, the lower dielectric substrate of the strip line section does not have a protruding structure. There is an advantage that the package can be easily manufactured and the package can be easily mounted.

【0023】又マイクロストリップ線路部1,2のグラ
ンド面10,11と、ストリップ線路部3のグランド面
12とを、第1の誘電体層4のスルーホール13,14
により接続することにより、パッケージの金属部と接続
されるストリップ線路部3のグランド面12と、マイク
ロストリップ線路部1,2のグランド面10,11とが
段差があっても、グランド面10,11のグランドを確
実にとることができるから、マイクロストリップ線路部
1,2の特性を維持することができる。従って、マイク
ロ波又はミリ波に於ける挿入損失が少なく、且つ製作が
容易なパッケージ入出力部を提供することができる利点
がある。
The ground planes 10 and 11 of the microstrip line sections 1 and 2 and the ground plane 12 of the strip line section 3 are connected to the through holes 13 and 14 of the first dielectric layer 4.
Even if there is a step between the ground plane 12 of the strip line section 3 connected to the metal section of the package and the ground planes 10 and 11 of the microstrip line sections 1 and 2 by connecting with each other, the ground planes 10 and 11 can be connected. Therefore, the characteristics of the microstrip line parts 1 and 2 can be maintained. Therefore, there is an advantage that it is possible to provide a package input / output unit that has a small insertion loss in the microwave or millimeter wave and is easy to manufacture.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例のパッケージ組立時の説明図で
ある。
FIG. 3 is an explanatory diagram when assembling the package according to the embodiment of this invention.

【図4】従来例の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,2 マイクロストリップ線路部 3 ストリップ線路部 4 第1の誘電体層 5 第2の誘電体層 6 第3の誘電体層 7,8,9 線路 10,11,12 グランド面 13,14 スルーホール 1, 2 Microstrip line section 3 Strip line section 4 First dielectric layer 5 Second dielectric layer 6 Third dielectric layer 7, 8, 9 Line 10, 11, 12 Ground plane 13, 14 Through hole

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パッケージのハーメチックシール部を構
成するストリップ線路部(3)と、該ストリップ線路部
(3)の両端に接続されたマイクロストリップ線路部
(1),(2)とを有する極超短波帯用パッケージ入出
力部に於いて、 前記マイクロストリップ線路部(1),(2)と前記ス
トリップ線路部(3)とに共通の第1の誘電体層(4)
及び第2の誘電体層(5)と、前記ストリップ線路部
(3)の一部を構成する第3の誘電体層(6)とを積層
し、 前記マイクロストリップ線路部(1),(2)と前記ス
トリップ線路部(3)の線路(7),(8),(9)を
前記第2の誘電体層(5)上に連続して形成し、前記マ
イクロストリップ線路部(1),(2)のグランド面
(10),(11)を前記第1の誘電体層(4)と第2
の誘電体層(5)との間に形成し、前記ストリップ線路
部(3)のグランド面(12)を、前記第1,第2,第
3の誘電体層(4),(5),(6)の外周面に形成し
たことを特徴とする極超短波帯用パッケージ入出力部の
構造。
1. An ultra high frequency wave having a strip line portion (3) constituting a hermetically sealed portion of a package and microstrip line portions (1) and (2) connected to both ends of the strip line portion (3). In the band package input / output section, a first dielectric layer (4) common to the microstrip line sections (1) and (2) and the strip line section (3).
And a second dielectric layer (5) and a third dielectric layer (6) forming a part of the strip line portion (3) are laminated, and the microstrip line portions (1), (2 ) And the lines (7), (8), (9) of the strip line part (3) are continuously formed on the second dielectric layer (5), and the microstrip line part (1), The ground planes (10) and (11) of (2) are connected to the first dielectric layer (4) and the second dielectric layer (4).
And the ground plane (12) of the strip line portion (3) is formed between the first dielectric layer (4), the third dielectric layer (5), (6) The structure of the package input / output unit for the ultra-high frequency band, which is formed on the outer peripheral surface.
【請求項2】前記マイクロストリップ線路部(1),
(2)のグランド面(10),(11)と、前記マイク
ロストリップ線路部(3)のグランド面(12)とを、
前記第1の誘電体層(4)に形成したスルーホールによ
り接続したことを特徴とする請求項1記載の極超短波帯
用パッケージ入出力部の構造。
2. The microstrip line section (1),
The ground planes (10) and (11) of (2) and the ground plane (12) of the microstrip line portion (3) are
The structure of the package input / output unit for the ultra-high frequency band according to claim 1, wherein the structures are connected by through holes formed in the first dielectric layer (4).
JP4001199A 1992-01-08 1992-01-08 Structure of package input output section for ultra high frequency band Withdrawn JPH05199016A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4001199A JPH05199016A (en) 1992-01-08 1992-01-08 Structure of package input output section for ultra high frequency band

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4001199A JPH05199016A (en) 1992-01-08 1992-01-08 Structure of package input output section for ultra high frequency band

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05199016A true JPH05199016A (en) 1993-08-06

Family

ID=11494796

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4001199A Withdrawn JPH05199016A (en) 1992-01-08 1992-01-08 Structure of package input output section for ultra high frequency band

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05199016A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6043556A (en) * 1997-02-27 2000-03-28 Kyocera Corporation High-frequency input/output feedthrough and package for housing high-frequency semiconductor element using same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6043556A (en) * 1997-02-27 2000-03-28 Kyocera Corporation High-frequency input/output feedthrough and package for housing high-frequency semiconductor element using same
US6365961B1 (en) 1997-02-27 2002-04-02 Kyocera Corporation High-frequency input/output feedthrough and package for housing high-frequency semiconductor element using same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6674347B1 (en) Multi-layer substrate suppressing an unwanted transmission mode
US7136029B2 (en) Frequency selective high impedance surface
JP2661568B2 (en) Waveguide-to-plane line converter
US4513266A (en) Microwave ground shield structure
US6441697B1 (en) Ultra-low-loss feedthrough for microwave circuit package
JP2003037404A (en) Dielectric apparatus
US6236291B1 (en) Dielectric filter, duplexer, and communication device
JP2005260570A (en) Microstripline waveguide converter
JP2007088642A (en) Dielectric device
JP3232845B2 (en) Dielectric resonator device
US7183874B2 (en) Casing contained filter
JPH05199016A (en) Structure of package input output section for ultra high frequency band
JP6276448B1 (en) Diplexer
JPH05183301A (en) Structure for package input/output section for ultra-high frequency band
JP2001028504A (en) Circulator
JPH0923108A (en) Line converter
JP2537435B2 (en) Resonant frequency adjustment method for dielectric resonator
JP4009217B2 (en) Laminated structure for high-frequency signal transmission and high-frequency semiconductor package using the same
JPH10107514A (en) High frequency circuit board
JP3383203B2 (en) Package for microwave circuit
KR960010010B1 (en) Lange coupler
JP2002359443A (en) Connection structure of high-frequency package and wiring board
JP2003289204A (en) Waveguide filter
JP2001196500A (en) Semiconductor package
JPH06216613A (en) Microwave coupling line

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990408