JPH051973A - 感光体の評価方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】電子写真像形成部材の推定寿命の改良された評
価方法を提供する。 【構成】（ａ）既知数の像形成サイクルのサイクル操作
寿命を有する少なくとも１つの電子写真像形成部材を用
意し、静電気帯電工程と光放電工程を含むサイクルに繰
返しかけてサイクル中の上記光導電性層の暗減衰を暗減
衰量が最高値に達するまで測定し、上記最高値により暗
減衰最高値対像形成サイクルの参照データを確立し、新
鮮な電子写真像形成部材を静電気帯電工程と光放電工程
を含む上記サイクルに、さらにサイクル操作にかけても
実質的に一定のままである最高値に暗減衰量が達するま
で繰返しかけ、上記新鮮な電子写真像形成部材の暗減衰
最高値を上記参照データと比較して上記新鮮な電子写真
像形成部材の推定サイクル寿命を確認する各工程を含む
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は一般に電子写真像形成部
材における暗減衰の測定に関し、さらに詳細には、電子
写真像形成部材の推定寿命の評価のための装置および方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】優れたトナー像を多層型ベルト感光体
（光受容体、Photoreceptor)によって得ることができる
けれども、より進歩した高速電子写真複写機、デュプリ
ケーターおよびプリンターが開発されるにつれて、寿命
低下が長時間のサイクル操作において時折生じている。
驚くべきことに、同じ材料から製造されているがベルト
全体の大きさが異なりまた異なる複写機、デュプリケー
タおよびプリンターで使用されるベルトのサイクル操作
は異なる寿命時間を示し、その不良原因の一つは暗減衰
であった。さらにまた、異なる生産ラインからのベルト
も、任意の与えられた複写機、デュプリケーターおよび
プリンターにおいて暗減衰不良点までサイクル操作した
とき、異なる寿命時間を有していた。感光体特性は１つ
の生産ラインから次の生産ラインにおいてもさらにはサ
イクル操作中においても変化し得るので、多くの装置に
おけるコピー品質は装置の操作パラメーターを一定に調
整して使用感光体すべての暗減衰電気特性の変動を補正
するフィードバックコントロールシステムによって維持
している。即ち、感光体寿命はコントロールシステムの
設計によって一部支配され、このことは、同じ感光体に
おいても、異なる装置においては異なる寿命時間を生
じ、その不良性は許容し得ない暗減衰に基づいている。
しかしながら、いかなる与えられた装置のコントロール
システムでさえもそのコントロールシステムの操作範囲
を越える感光体暗減衰特性の変動を補正することができ
ない。

【０００３】電子写真像形成部材、特に、ウェブ形の部
材の製造においては、製造方法の複雑性がバッチ間およ
び月間のコーテッドウェブの電気特性を予期し得ないも
のにしている。例えば、環境の変化による感光体寿命の
低下は新しいコーティングアプリケーターの取付けまた
は調整に影響を及ぼし、あるいは正孔ブロッキング層、
電荷発生層または電荷輸送層のような感光体の多くの層
の１つの層用のコーティング材料の新しく調製したバッ
チの使用初期は感光体を生産ラインから取出す時点から
の適当な期間内では同一であり難い。

【０００４】多層型ベルト感光体の生産中は、試験操作
を主要な変化が生産ラインでなされる度ごとに製造した
感光体試験サンプルで行う。そのような主要な変化の例
には新しいコーティングアプリケーターの取付けまたは
調整、あるいは正孔ブロッキング層、電荷発生層または
電荷輸送層のような感光体の多くの層の１つの層用のコ
ーティング材料の新しく調製したバッチの使用初期があ
る。

【０００５】特定の製造操作からの感光体が特定のタイ
プの与えられた複写機、デュプリケーターおよびプリン
ターにおいて満足裏にいかに多くサイクル操作できるか
を決定する１つの方法はその感光体をその装置において
感光体の寿命全体に亘って実際にサイクル操作すること
である。一般的には、実際の装置試験は与えられたバッ
チからの感光体がその寿命に亘ってどのように挙動する
かの最も正確な予想を与えることが判っている。

【０００６】しかしながら、感光体寿命の装置試験はシ
ート毎の最終品質の一定のモニタリング（監視）を伴う
試験人員によるシートの手による供給を含む数週間の試
験を要する。感光体ベルトの寿命の装置試験は単一の感
光体ベルトの単一の装置試験において多日数に亘るコピ
ーシートの手による供給を必要とするので、装置試験の
試みは極めて費用高で時間を要し得るものである。さら
にまた、試験結果の正確性はシートを供給し評価する試
験人員の判断および挙動に大きく依存する。さらに、装
置特性は与えられたモデルまたはタイプの装置間で変化
するので、ある与えられた装置モデルにおける最終試験
操作の信頼性は、その特定の装置の他の同じモデルまた
はタイプの装置と対比しての何か固有の理由によらなけ
ればならない。装置間の装置の複雑性および変化性故
に、単一の装置の寿命試験からのデータは感光体材料の
製造バッチ全体の廃棄を判断するには十分に信頼できる
ものではない。即ち、寿命試験は通常３つ以上の装置で
行う。

【０００７】複写機、デュプリケーターまたはプリンタ
ーの寿命試験は極めて時間を要し、労力を要し、極めて
費用高である。１つの感光体は複写機、デュプリケータ
ーまたはプリンターのような異なる種類の装置で著しく
異なる操作条件で使用できるので、代表的な試験感光体
サンプルの装置寿命試験に基づく寿命予想は、試験バッ
チからの感光体を実際に使用する実際の装置に対して特
異的であって、その同じタイプの感光体の寿命が他の異
なるタイプの装置においてどうであるかを必ずしも予想
するものではないであろう。即ち、装置寿命試験におい
ては、試験は各異なるタイプの装置毎に行わなければな
らない。このことは極めて費用高で時間を要することで
ある。

【０００８】さらにまた、装置試験に要する時間故に、
装置寿命試験に基づく承認を待っている備蓄感光体在庫
は許容し得ない高レベルに達し得る。例えば、１つのバ
ッチは多くのロールからなり、各ロールは数千のベルト
を与える。また、満足できる寿命試験後に、さらなる遅
延が、ウェブをその後でベルトにし、梱包し輸送しなけ
ればならないので、生ずる。

【０００９】サイクル操作スキャナーも感光体の寿命試
験に用いられている。これらのスキャナーは複写機、デ
ュプリケーターおよびプリンターでの感光体のサイクル
操作を感光体試験サンプルを時間調整した帯電、露光お
よび放電サイクルに供することによって模倣するように
設計されている。スキャナーは完全操作ゼログラフィー
装置におけるステーションすべてを使用しない。例え
ば、試験用スキャナーは通常帯電工程、像形成的放電工
程および投光消去工程を含み、現像、転写およびクリー
ニングの各工程を省略する。残念ながら、これらのスキ
ャナーは実際の装置での感光体暗減衰寿命の結果に関し
て殆んど価値を有していないことが証明されている。例
えば、伝統的な定電流サイクル操作での現像時の帯電電
位のスキャナー検知変化と実際の装置試験とでは極めて
わずかな相関性しか見い出されていない。また、スキャ
ナーは生産ラインモニタリングにおいて極めて遅いこと
も証明されている。

【００１０】感光体が十分な寿命を有してさらなる製造
を行い得るかどうかを決定するもう１つの方法は、感光
体をベルトに加工しこれらの感光体が消費者の装置で如
何に良好に機能するかを実際に試験することである。消
費者からの報告書の形のフィードバックまたは市場（野
外）の修繕者からの性能評価報告書は、試験がコントロ
ールされた条件下でなされずまた不良の原因が感光体の
暗減衰特性のような電気的要因以外の要因に基づき得る
ので、常に信頼できるものではない。野外試験に頼るこ
とは過度に遅れる結果となり得、性能が不満足である場
合、明らかに消費者を怒らすであろう。さらにまた、修
繕者からの報告書は解明しがたい、何故ならば、ベルト
寿命が使用装置の特有性、本発明方法によって試験する
電気的要因とは無関係なベルト寿命に影響する他の要因
等によって影響を受け得るからである。また、市場の修
繕者からのデータ入力は一定期間に亘って入力を集積し
解釈する必要がある。この長時間の遅れは多数の欠陥感
光体ベルトを市場にもたらす結果となり得る。

【００１１】試験前に感光体材料の全ロールを製造する
のを避けるためには、ロールのほんの一部のみを製造し
得られた感光体を試験し得る。試験サンプルが試験中に
良好に機能するならば、全ロールをその後コーティング
できる。しかしながら、従来技術の方法による試験は、
そのような試験が大量の時間を要するので、依然として
長時間の遅れを生じ得る。スキャナーでの寿命試験は数
日を要し、また装置での寿命試験は２〜３週間を要し
得、消費者の装置での寿命試験においては野外で数カ月
を必要とする。即ち、生産ラインは好ましい試験結果が
得られるまで休止したままであり得る。感光体の予想寿
命は製造速度、在庫量、消費者の満足度およびその他の
理由により極めて重要であるので、可撓性ベルト感光体
の全段階製造操作を開始する前に可撓性ベルト感光体の
使用寿命を迅速に決定するシステムが大いに求められて
いる。

【００１２】特許性調査の結果としては、次の従来技術
または文献が挙げられる：

【００１３】Z. D. Popovic, D. Parco および P. Igle
sias, SPIE Vol. 1253, Hard Copyand Printing Materi
als, Media and Processes, 175 (1990); M. Stolka, J. F. Yanusおよび D.M. Pai, J. Phys. Ch
em., 1984, 88, 4707-4714, Hole Transport in Solid
Solution of Diamino and Polycarbonate; Zoran Popovic, Pablo Igesias, “Characterization o
f Microscopic Electrical Non-Uniformities in Xerog
raphic Photoreceptors ”, Fifth International Cong
ress on Advances and Non-Impact Printing Technolog
ies, 1989年11月12-17 日、カルファルニア州サンディ
エゴ； Zoran Popovic, Dave Parco, Pablo Igesias, “Nature
of Microscopic Electrical Defects in Organic Phot
oreceptors”, Proceedings SPIE-SPSE Electronic Ima
ging Science and Technology Symposium, 1990 年２月
11-16 日、カルファオルニア州サンタクララ; P. Gerhard-Multhauptおよび W. Perry,J. Phys. E.; S
ci. Instrum. 16, 421-422 (1982); E. J. Yarmchuck および G. E. Keefe, J. Appl. Phys.
66 (11), 1988年12月１日号； １９７５年８月５日付で Hardenbrook等に付与された米
国特許第3,８９8,００１号； １９７９年１月９日付で Jacobs 等に付与された米国特
許第4,１３4,１３７号； １９８５年４月２３日付で Buck 等に付与された米国特
許第4,５１2,６５２号； １９８２年３月１６日付で Weberに付与された米国特許
第4,３１9,５４４号。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】即ち、感光体寿命を予
想するシステムが求められている。従って、本発明の目
的は前述の欠点を克服する電子写真像形成部材の推定寿
命の改良された評価方法を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記および他の目的は、
本発明によれば、下記の工程を含むことを特徴とする電
子写真像形成部材の推定像形成サイクル寿命の評価方法
を提供することによって達成される。 ａ）既知数の像形成サイクルのサイクル操作寿命を有す
る少なくとも１つの電子写真像形成部材を用意し、（該
像形成部材は導電性層と少なくとも１つの光導電性層を
含む）、 ｂ）上記電子写真像形成部材を静電気帯電工程と光放電
工程(light discharging) を含むサイクルに繰返し供
し、 ｃ）サイクル操作中の上記光導電性層の暗減衰を暗減衰
量が最高値に達するまで測定し、 ｄ）上記最高値によって暗減衰最高値対像形成サイクル
の参照データを確立し、 ｅ）新鮮な電子写真像形成部材を静電気帯電工程と光放
電工程を含む複数のサイクルに、さらにサイクル操作に
かけても暗減衰量が実質的に一定のままである最高値に
達するまで繰返し供し、 ｆ）上記新鮮な電子写真像形成部材の暗減衰最高値を上
記の参照データと比較して上記新鮮な電子写真像形成部
材の推定サイクル寿命を確認する。

【００１６】本発明は添付図面を参照することによって
より完全に理解できるであろう。これらの図面は本発明
を単に図式的に説明するものであり、本発明の装置また
はそのコンポーネントの相対的大きさおよび寸法を示す
ものではない。図１においては、本発明の方法で用いる
電気回路を含む図面が示され、感光体１０は実質的に透
明な支持部材１２上に存在している。

【００１７】感光体１０の基体層１４の導電性表面を電
気的に接地する。感光体１０はその上部表面上に薄い実
質的に透明な真空蒸着金属電極１６を担持する。電気コ
ネクター１８は、リレー２４のようなコントローラーを
閉じたとき、電極１６を抵抗体２２を経て高電圧電源２
０と接続させる。リレー２４はＦＥＴ２５ｂを通して送
られるコンピューター２５ａからの信号により活性化さ
れる。ＦＥＴ２５ｂのゲートは磁力活性型リードスイッ
チ２５によって閉じる。磁力スイッチは装置のふたを閉
じたとき閉じる。通常の電位計２８（例えば、モデル３
６６６、トレコ社より入手可能）からのプローブ２６
（例えば、モデル１７２１１、トレコ社より入手可能）
は、コネクター１８を介して、感光体の試験中に光導電
活性層２９に発生した電場を感知する。光導電活性層２
９はバインダー中に分散させた光導電性粒子のような単
一層または光導電性電荷発生層と電荷輸送層とのような
複数層を含み得る。電位計２８の出力はチャートレコー
ダーまたはグラフィックプリンター３０（例えば、モデ
ルＴＡ２０００、グールド社より入手できる）、または
適当なコンピュータ（図示せず、例えば、ＩＢＭコンパ
チブルコンピューター）に送られる。露光光（点線矢印
で示す）は実質的に透明な電極１６を通して感光体１０
に周期的に透過させ、同様に、消去光（実線矢印によっ
て示す）は透明支持部材１２を通して感光体１０に周期
的に透過させる。

【００１８】図２においては、円筒状リッドアッセンブ
リ４０を支持する垂直ポスト３８を支持するベースアッ
センブリ３６を含む暗減衰検知装置３２を示す。ベース
アッセンブリ３６は光密封性円筒状ハウジング４２を含
み、このハウジングはその１側面にハウジング４２内に
存在させた消去光源（図示せず）への電力コード導線の
導入を可能にするあるいは適当な外的光源（図示せず）
からの消去光を通す開口４４、およびハウジング４２内
に存在させた光源（図示せず）への電力コード導線の導
入を可能にするあるいは適当な外的光源（図示せず）か
らの露光光を通す他の側面上のもう１つの開口（図示せ
ず）を有する。任意の適当な消去光源を使用できる。典
型的な消去光源はキセノンランプのような広帯域フラッ
シュチューブである。任意ではあるけれども、その光源
は適当なフィルターにより感光体のスペクトル応答に同
調させるのが好ましい。上述したように、消去光源また
は露光光源からの光はベースアッセンブリ３６内の光源
により給送するかあるいは外的光源から任意の適当な手
段によりベースアッセンブリ３６内に給送し得る。典型
的な光給送手段には、例えば、光パイプ等がある。

【００１９】円筒状ハウジング４２の平坦ガラス上部プ
ラテン４６に一対のヒンジポスト４８を取付け、このポ
ストがピボット旋回可能な平坦基プレート５２のヒンジ
ピン５０を受入れている。平坦ガラス上部プラテン４６
は透明であり電気絶縁性である。感光体１０のサンプル
（図１参照）を基プレート５２の下に試験のために取付
けたとき、開口部５４は環状真空蒸着金属電極１６（図
１参照）を取り囲むが接触しない。基プレート５２は電
気的に接地されまた感光体サンプルの上部表面と接触し
てサンプルを平坦にしかつ感光体１０の基体層１４の導
電性表面を電気的に接地している。感光体１０の層１４
の導電性表面の接地は、基プレート５２の下に取付けた
とき、感光体１０の一端に沿った光導電活性層２９のス
トリップがはがされて基体層１４の導電性表面の１部を
露光することによって生ずる。厚い導電性銀コーティン
グ（図示せず）を導電性表面の露出ストリップに塗布す
る。塗布銀コーティングの上部表面は光導電活性層２９
の上部表面を越えて延びているので、基プレート５２は
感光体１０の上部表面上にあるとき銀コーティングと接
触し、それによって基体層１４の導電性表面を接地させ
る。円筒状ハウジング４２の平坦上部表面４６にはヒン
ジポスト５６を取付け、このポストはピボット旋回可能
な電気コネクターアーム５８を支持する。ピボット旋回
可能なコネクター５８は導電性フィンガー６０を有し、
このフィンガーは振動して感光体１０のサンプル（図１
参照）を試験のために基プレート５２の下に取付けたと
き環状真空蒸着金属電極１６（図１参照）と接触したり
はずれたりし得る。基プレート５２はアースに接続す
る。基プレート５２の自由末端を持上げてサンプルを取
付けたとき、ヒンジピン５０と連結させた基プレート５
２は高電圧アーム６２と接触して持上げそれによって該
アームを電気的に接地させる。かくして、他の安全スイ
ッチが故障した場合、電源は短絡し、電源内のリレーは
電源をスイッチオフにする。リッドアッセンブリ４０は
垂直ポスト３８の周りを旋回し垂直ポスト３８上を摺動
してベースアッセンブリ３６上の光密封性のふたとして
適合するようになっている。孔６４を平坦ガラス上部プ
ラテン４６に開口４４から直径上反対のベースアッセン
ブリー３６の側面上の露光光開口（図示せず）に隣接し
て設置する。リッドアッセンブリ４０の中空内部の屋根
上に３つの露光光ミラー６６と６８を取付ける。円筒状
リッドアッセンブリ４０をベースアッセンブリ３６と合
せその上に乗せたとき、露光光ミラー６６は露光光（孔
６４より上方向に投光された）をミラー６８に水平に反
射させ、ミラー６８は露光光を環状真空蒸着金属電極１
６（図１参照）を通して感光体サンプル上に下向きに反
射させる。

【００２０】磁力活性型リードスイッチ２５を平坦ガラ
ス上部プラテン４６の端部に取付け、永久磁石２５′を
リッドアッセンブリ４０の内側表面に取付ける。永久磁
石２５′はリッドアッセンブリ４０を閉じたとき、磁石
２５′がリードスイッチ３０ｂ上に静止しリードスイッ
チ２５を活性化して閉じるように位置させる。リードス
イッチ２５の閉鎖は、図１で示すＶＦetトランジスター
２５ｂのような適当な手段の助けにより、高電圧リレー
２４（図１参照）をコンピュータ２５ａからの開始パル
スを受入んばかりにさせる。リッドアッセンブリ４０を
開いたとき、磁石２５′はリードスイッチ２５から離
れ、それによってリードスイッチ２５を開放しＶＦetト
ランジスター２５ｂおよび高圧リレー２４をターンオフ
し、操作者がサンプルを出入れするときの事故的ショッ
クを防止する。円筒状リッドアッセンブリー４０は垂直
ポスト３８上に軸箱７０により支持されている。ガイド
ピン７２をサイド軸箱７０内の孔に圧合させる。ピンは
軸箱７０の内表面を越えて垂直ポスト３８の周囲中に機
械加工したスロット（図示せず）中に延びている。スロ
ットは逆“Ｌ”に似た形状であり、円筒状リッドアッセ
ンブリー４０をベースアッセンブリ３６上に直接配置し
たとき、ピン７２が逆“Ｌ”型スロットの垂直部分に乗
ってリッドアッセンブリ４０をベースアッセンブリ３６
に向ってまたはベースアッセンブリから離れるように垂
直に移動できるようにする。円筒状リッドアッセンブリ
４０を“閉鎖”即ち“試験”位置からピン７２がスロッ
トの上限にシフトするまで上向きに持上げたとき、リッ
ドアッセンブリー４０は水平に振れて、ピン７２はリッ
ドアッセンブリ４０が図２で示した位置と同様なベース
アッセンブリ３６に対しての“開放”、“負荷”または
“未負荷”位置に達するまで逆“Ｌ”型スロットの水平
位置にあり得る。

【００２１】操作においては、“開放”位置の円筒状リ
ッドアッセンブリ４０により、ピボット旋回可能な電気
コネクターアーム５８の自由端は平坦上部ガラスプラテ
ン４６からプレート５２が持上げられてサンプルを取付
けたときにプレート５２により押し離される。この位置
において、導電性フィンガー６０はプレート５２を通し
て接地される。使用する高電圧故に、導電性フィンガー
６０とピボット旋回可能な平坦基プレート５２は試験装
置内での感光体の挿入および取出し中は電気的に接地さ
れるべきである。即ち、感光体サンプルの平坦化用のピ
ボット旋回性平坦平プレート５２を持上げて感光体サン
プルを挿入または取出すときは、そのような持上げによ
り高電圧プローブ６０を自動的に接地させる。これがア
ーム６０もまたリッド（ふた）が持上ったとき安全スイ
ッチ２５により断続されるのでバックアップ安全性であ
る。可撓性感光体のサンプルは平坦ガラス上部プラテン
４６上に置く。このサンプルは、ピボット旋回性平坦基
プレート５２よりも僅かに小さい。サンプルは試験用に
前以って製造され（前述および後述参照）、基体層１４
の導電性表面との電気接触を確立するために、感光体１
０の一端に沿った厚い導電性銀コーティングの持上りス
トリップ（図示せず）を担持している。この厚い銀コー
ティングの上部表面は、光導電活性層２９の上部表面を
越えて延びているので、基プレート５２の下部表面と接
触してプレート５２を持上げて感光体１０を平坦化した
とき感光体１０の基体層１４の導電性表面を電気的に接
地させる。

【００２２】感光体１０はまたその上部表面（開口部５
４で取囲まれているが物理的接触はない）上に金のよう
な適当な金属の薄い実質的に透明（即ち、半透明）の環
状真空蒸着金属電極１６（図１参照）を担持している。
ピボット旋回可能な電気コネクターのアーム５８の自由
端を向けて下方に旋回させて金属電極１６と接触させ
る。円筒状リッドアッセンブリ４０をピボット旋回させ
低下させてリッドアッセンブリ４０とベースアッセンブ
リ３６間に光密封を形成させる。アッセンブリ４０はス
イッチ２５を閉鎖しＶＦatトランジスタ２５ｂを活性化
する。コンピューターパルスはその後所望の予じめ選定
した時間インターバルでリレー２４を閉じる。電圧パル
スをリレー２４の活性化により予じめ選定した時間イン
ターバル、典型的には１００ミリ秒で送り、感光体１０
の暗減衰を電圧パルスの後であるが光を消去光により発
出する前の暗サイクル中にプローブ２６（図１参照）お
よび電位計２８（図１参照）により測定する。電圧パル
スは典型的には１つのサイクルから次のサイクルで約４
５〜約８０ボルト／μｍの電場を与える値の固定値であ
り得、あるいは次第に増大させて典型的には試験期間中
１０〜８０ボルト／μｍで電場を変化させてもよい。固
定値または次第に増大させる実施態様の両方における満
足できる電圧パルス範囲は約５〜約１００ボルト／μｍ
であるが絶縁破壊以下である。

【００２３】暗減衰測定は電圧パルス終了後の典型的に
は１〜２秒の固定時間で行い、測定値をチャートレコー
ダー３０に記録する。必要ならば、任意の適当なコンピ
ューター（図示せず）をチャートレコーダーの代りに用
いてサイクル操作中の電圧をモニターできる。次いで、
感光体１０を孔６４からミラー６６へ上向きに次いでミ
ラー６８へ、最後に環状真空蒸着金属電極１６（図１参
照）を通して感光体サンプル上へ下向きに投光させた露
光光に露光させる。電極１６を通す露光光を最大にする
には、ピボット旋回可能な電気コネクターアーム５８と
導電性フィンガー６０の大きさを比較的小さくして電極
１６を通す露光光を最大とすべきである。その後、サン
プル全体を、ハウジング４２内に存在させた消去光源
（図示せず）からまたは適当な光源（図示せず）から開
口４４を通して、平坦ガラス上部プラテン４６、透明支
持部材１２および基体１４の導電性表面を通して投光露
光させる。重要なことは、サイクル操作中に、消去光が
十分な強度安定性を有して読取りの変動性および他のエ
ラーを感光体の測定中に１つのバッチからさらなるバッ
チにおいて回避すべきであるということである。消去光
強度は一定に保って予知可能な読取りを得るべきである
ので、フォトダイオードのような適当なセンサー（図示
せず）を用いて光強度の変化を検知し光を取り替えるか
調整して消去サイクルでの一定の光強度を確立するよう
にできる。必要ならば、適当なフィルター（図示せず）
を消去光と感光体の間に介在させて感光体を最終的に使
用する複写機、デュプリケーターまたはプリンターで用
いる光周波数をより正確に想定することもできる。ま
た、通常のコロトロンまたはスコロトロンを上述の電極
型配列の代りに用いる感光体サンプルに電荷を付荷する
こともできる。この方法はドラムまたはフラットプレー
トスキャナー上で有利に行い得る。

【００２４】初期の実験様式の装置においては、種々の
サンプル上で異なる人が試験を行った場合再現性ある結
果が得られなかったことが判っていた。本発明の装置は
感光体が平坦であるようにでき；接触電極を最小の陰影
効果でもって金属電極の中心に位置させることができ；
さらに、消去に用いる光がサンプル間で一定強度である
ことを確実にする。

【００２５】本発明の方法においては、試験する典型的
な感光体は可撓性支持基体層、導電性層、任意成分とし
てのブロッキング層、任意成分としての接着層、電荷輸
送層および電荷発生層を含む。大量の試験材料を必要と
するよりもむしろ、試験サンプルは、例えば、２インチ
×４インチ（5.０８cm×１0.１６cm）のようにサイズ的
に全く小さくてよい。１つの小さいサンプルの試験が同
じコーティングバッチから製造したロールまたはロール
バッチ全体に対して有効な試験であることが見い出され
ている。感光体は一端に沿って溶媒処理し電荷輸送層、
電荷発生層および接着層の一部を溶解除去して導電性層
の一部を露出させる。銀ペイントの導電性層を、上記導
電性露出表面に、導電性層へ電気的バイアスを加えるた
めのターミナル接続点を形成する目的で塗布する。

【００２６】溶媒で処理しなかった感光体の像形成表面
の所定の面積を薄い真空蒸着させた金または他の適当な
金属層で適当な大きさと形状の開口を有するマスクまた
はステンシルを通してコーティングしてもう１つの電極
を形成させ、電気的バイアスを光導電性層を横切って金
電極から導電性層に加え得るようにする。１つの感光体
サンプルからさらなるサンプルでの金属電極の厚さは同
じであるべきで、光透過量も標準を確立するための比較
データを得るのに用いた光透過量と同じであるようにす
る。金属電極は任意の適当な大きさおよび形状を有し得
るが、その大きさおよび形状は１つの感光体サンプルか
ら他のサンプル間で同じあって正確な比較を確立すべき
である。

【００２７】上述したように、本発明の方法は製造ライ
ンのアウトプットからの感光体の新鮮なサンプルを評価
して許容し得ない暗減衰に基づく不良点までの感光体の
予想寿命を決定するのに特に有用である。“暗減衰”な
る表現は帯電パルスをスイッチオフしたのちの一定時間
間隔後に測定した電極上の電位低下として定義される。
その時間間隔は、一般に、帯電後現像ステーションまで
の時間または消去ステーションまでの時間である。静電
潜像の形成はゼログラフィーにおいては現像工程前に起
るので、帯電終了から像露光時までの時間は帯電終了か
ら現像時までまたは帯電終了から消去時までよりも短
い。装置条件をより緊密に模倣しかつ現像時までのＶdd
p および暗減衰を確認するためには、サイクル操作順序
は交互サイクルで露光光をスイッチオンオフする（図３
参照）が、各サイクルで消去をスイッチオンオフするこ
とを含む。しかしながら、露光光の使用は、必要に応じ
て省略し得る。

【００２８】試験中にサンプルに加える帯電パルスは一
定の所定の電位であり得、あるいは電位を所定の小サイ
クル配列で増大させてもよい。サンプルを横切る帯電電
圧を一定に保つ本発明の実施態様においては、暗減衰は
一定電圧でのサイクル操作により一般に増大するが数サ
イクル後の最高値で平準化する。典型的には、安定な暗
減衰が得られるまで、即ち、最高値の獲得までに約１０
〜約２０サイクルを要するが、試験する特定のサンプル
によって幾分変化し得る。暗減衰はレコーダーまたは適
当なコンピューターで連続的にモニターする。

【００２９】この暗減衰は図３で示すようにして測定す
る。図３においては、１６００ボルトへの初期帯電を図
面右手側の垂直線（Ａ）で示している。暗減衰は初期帯
電を終えるとすぐに始まり曲線（Ｂ）で示される。通常
の像形成サイクルの像露光工程中に形成されるであろう
静電潜像の帯電領域の電位は点（Ｃ）の消去露光工程の
開始点に近いがその前である。即ち、静電潜像の帯電領
域の電位は暗減衰曲線（Ｂ）上のおよそ点（Ｄ）にあ
る。点（Ｄ）または帯電終了後のある一定時間で測定し
た任意の他の点までの暗減衰を用いて電子写真像形成部
材の最高値を測定できるけれども、消去工程が始まる点
（Ｃ）までの暗減衰を測定することが通常より有利であ
りより正確である。

【００３０】消去工程の終了時に、感光体上の残留電位
は曲線（Ｅ）で示すようにさらに暗減衰する。垂直線
（Ｆ）は第２サイクルの帯電工程を示す。即ち、第１サ
イクルは（Ｆ）までの（Ａ）〜（Ｅ）の曲線および点で
示される。帯電終了像（バックグラウンド）露光点まで
の暗減衰は曲線（Ｇ）で示される。像（バックグラウン
ド）露光中の放電は曲線（Ｈ）で示される。像（バック
グラウンド）露光工程の終了時に、感光体上の残留電荷
は、曲線（Ｉ）で示されるように、（Ｊ）によって示さ
れる消去露光工程までさらに暗減衰する。消去工程の終
了時に、感光体上の残留電荷は曲線（Ｋ）で示されるよ
うにさらに暗減衰する。即ち、第２サイクルは次の帯電
工程までの曲線および点（Ｆ）〜（Ｋ）で示される。こ
の像（バックグラウンド）露光サイクルは試験サイクル
操作手順から省略できるが、暗減衰の最高値はより高い
であろう。像（バックグラウンド）露光サイクルを上記
では各他のサイクル毎に使用するけれども、露光サイク
ルを各サイクル毎に使用し、像（バックグラウンド）サ
イクルを省略してもよい。

【００３１】帯電終了と像（バックグラウンド）または
消去露光との間の暗減衰量は繰返しのサイクル操作中に
最高値に達する。満足できる像形成寿命の指定は、相応
する各点でのサイクル間〔帯電−消去サイクルから帯電
−消去サイクルまで、または帯電−像（バックグラウン
ド）露光−消去サイクルから帯電−像（バックグラウン
ド）露光−消去サイクルまでのいずれか〕の暗減衰の変
化が約２０ボルト以下である場合に最高値を選定したと
きに得られる。好ましいのは、最高値をサイクル間の暗
減衰の変化が約１０ボルト以下であるとき選定する。最
適の正確性はサイクル間の暗減衰の変化が約５ボルト以
下である場合に最高値を選択したときに得られる。これ
らのサイクル操作読取値は既知の像形成サイクル数の許
容し得るサイクル操作寿命を有する電子写真像形成部材
において得られる。１つが他よりも良好なサイクル操作
寿命を有する少なくとも２つの感光体からの読取値を用
いて未知のサイクル操作寿命を有する感光体との比較目
的の曲線を得ることができる。この方法を用いて既知の
像形成サイクル数を有する感光体が臨界受容基準のサイ
クル操作寿命をもたない場合に寿命を推定する。また、
許容し得る感光体と許容し得ない感光体を臨界サイクル
操作寿命を有する既知の基準と比較することによって同
定し得る。

【００３２】図４においては、２つの感光体ＡおよびＢ
の暗減衰対サイクル数をプロットしている。数サイクル
後の最高値での暗減水の平準化がこれら感光体の各々に
おいて容易にみられる。一般的には、固定した所定帯電
電圧値を用いる場合、満足できる結果は約４５〜８０ボ
ルト／μｍの電場を与える加電圧によって得ることがで
きる。帯電値が高過ぎる場合、望ましくない電気アーク
化が生じ得る。低電圧値、例えば、１０ボルト／μｍの
電場を生ずるのに十分な電圧での帯電は許容し得るサン
プルと許容し得ないサンプル間で小さい暗減衰電圧降下
を生じ、結果として、許容し得ないサンプルを検出する
ことがより難しくなる。この低電圧値で小暗減衰電圧降
下特性は図５に示しており、暗減衰を加電圧に対して２
つの感光体ＣおよびＤにおいてプロットしている。曲線
全体を比較できるが、両曲線は高電圧で扇状に広がって
いるので、許容し得るサンプルと許容し得ないサンプル
との良好な区別は高電圧値において得られる。実際の最
高値以外であるが例えば第４サイクル後毎の最高値に近
い値の使用も同様な情報を与え得る。即ち、第４または
第５パルス毎で十分である。図５に示すデータにおいて
は、４サイクル数を各ステップで用いた。しかしなが
ら、高電圧値が達せられる時間によっては、最高値を得
るための多数回のサイクルを必要としない。これは実施
例１および２で行ったような全くの第１回目のサイクル
から高電圧値を用いる場合ではない。後者の実施態様に
おいては、より多くの、例えば、１０回のサイクル数を
最高値に達するまでに要している。

【００３３】図６においては、異なるが既知サイクル操
作寿命（任意の暗減衰単位で示した）を有する数個の異
なる感光体の最高値を相応する既知寿命（任意の単位、
即ち、ＡＲＢ単位で示された）に対してプロットしてい
る。これらのプロット点は寿命を推定するための検度曲
線として機能する直線を通っている。好ましいのは、異
なるが既知サイクル操作寿命を有する２つ以上の感光体
の各最高値を用いて検度曲線を作り、あらゆる異常から
の“ノイズ”を標準化するようにする。ｙ軸を用い、未
知の寿命を有する感光体の最高値が参照データ検度曲線
に沿って低下するのを単に測定することによって、ｘ軸
上で未知の寿命を有する新しく製造した感光体の予想即
ち推定寿命を容易に同定し得る。これにより、感光体の
寿命を確認するための従来方法が必要としていた時間、
装置、人力および不確実性のすべてを回避する。許容し
得ない感光体においては、暗減衰は、装置のサイクル操
作中に、その装置において電源が現像電圧を１つの像形
成サイクルから次の像形成サイクルで比較的一定に維持
するの十分に高く帯電電圧を生ずることができる程の高
い値に達し得る。現像電圧が１つの像形成サイクルから
次の像形成サイクルで変動した場合、現像した像の品質
は変化し、そのコピーはかすみ得る。

【００３４】本発明のもう１つの実施態様においては、
サンプルの電位を変化させて各電圧セッティングで行っ
た約４〜６サイクルのみの連続サイクル操作順序におい
て低値ないし高値の電場を与える（例えば、約６〜約８
０ボルト／μｍの範囲の電場を与える）。各電圧セッテ
ィングで行った連続サイクル回数は臨界的ではないよう
である。高加電圧での暗減衰の典型的な値は約２００ボ
ルト／秒である。しかしながら、この暗減衰の値はサン
プル依存性である。高電圧は低電圧でのサンプル間の区
別が明瞭ないので用いる。電圧パルスを加える時間は、
例えば、１０ミリ秒〜約１秒であり得る。１００ミリ秒
の典型的な値は複写機、デュプリケーターまたはプリン
ターの帯電用コロトロン下の時間に相当する。標準に対
しての正確な比較のためには、加パルス電圧、パルス時
間および試験配列は標準を測定するのに用いたそれと同
一であるべきである。同様に、感光体は測定中にできる
限り平坦にして標準と有効に比較できる一貫した読取り
を確立すべきである。

【００３５】一定高電気バイアス試験または増大電気バ
イアス試験で使用すべきサイクル数は試験する感光体の
種類および品質による。いずれにせよ、最良の結果のた
めには、サイクル操作数は、およそ、安定な暗減衰、即
ち、最高暗減衰が得られる点であるべきである。一般的
には、サイクル数はしばしば約４〜約４０サイクルの範
囲にある。感光体電位は暗中で十分に低下する。感光体
を露光させることなしに現像ステーションで得た電位を
Ｖddp と称す。典型的なＶddp の値は与えられた装置に
おいて約６００〜約１０００ボルトであり得る。Ｖddp
はサイクル操作により２つのタイプの変化を記録する。
第１の変化においては、初期露光後、暗減衰は数サイク
ルで変化を受け、その後、最高値で安定となる（図３お
よび４参照）。第２は数１０キロサイクルに亘ってＶdd
p の漸次的低下（暗減衰の増大）としてそれ自体で拡大
する長期効果である。不良の原因が貧弱な電荷発生層コ
ーティング組成物、電荷ブロッキング層コーティング組
成物、電荷輸送層コーティング組成物、製造方法等のよ
うな種々の理由のためであるにもかかわらず、適当な電
場において、装置内での感光体の寿命を寿命を予想する
のに重要なのは暗減衰の初期安定値（最高値）である。

【００３６】一般的には、試験データは感光体を実際の
装置使用で連続的に試験した良好なバッチからの１つ以
上の未使用サンプルから得る。この試験データは対照
（コントロール）または標準として使用する。最高電場
での安定暗減衰即ち最高値は種々の装置における感光体
寿命の尺度であることを見い出した。一般に、この試験
データは許容し得る安定暗減衰即ち最高値の特定の装置
タイプおよび特定の感光体のためのカットオフ値標準と
しての同定を含む。あるタイプの電子写真複写機におい
て長寿命の許容し得る感光体と短寿命の許容し得ない感
光体の両方について評価試験を行うことにより、新しく
製造した感光体に対しての比較用の参照データを確立し
新しい感光体が許容し得るまたは許容し得ない装置寿命
を有するかどうかを時間を要するスキャナー、装置また
は野外試験なして迅速に決定できる。図６で示すよう
に、参照データは異なる寿命を有する複数の感光体から
の暗減衰データから確立する。新鮮な（未使用または新
しく製造した）感光体からの暗減衰データは参照データ
と容易に比較して感光体が許容し得るまたは許容し得な
い寿命を有するかどうかを決定できる。幾つかのグラフ
を暗減衰対像形成サイクルの参照データがを用いて新し
く製造したまたは未使用感光体の寿命を予想できるかを
説明するために上記で述べているけれども、ベルトを拒
絶する基準を予じめ記録させたルックアップ表によるオ
ンラインコンピューター化手順を代りに用いてもよい。

【００３７】上述の感光体電極型帯電方法の１つの変形
は加圧接触による。装置の配列図式を図７に示す。電気
接触は電荷輸送層８１ａと電荷発生層８１ｂを含む感光
体サンプル８０の上部で弾力性の金属ふいご８４で支持
された透明ネサ（Nesa）ガラス円錐８２を通して行う。
ネサガラス円錐８２の導電性外表面を感光体サンプル８
０の上部表面に押付けて良好な電気接触を確立させる。
透明ネサガラス円錐８２を電源８６にリレー８８および
ネサガラス円錐８２の導電性外表面にハンダ付した導線
９０を通して電気的に接続する。装置の静止配列は図１
で示した配列と本質的に同じである。

【００３８】感光体サンプルを高電場に帯電させるさら
にもう１つの方法はコロトロンまたはスコロトロンのよ
うな帯電用装置の使用による。暗減衰は時間的に遅い段
階で測定する。これは感光体サンプルを装置の下を１０
ミリ秒代の時間間隔で通す迅速ドラムスキャナーまたは
平坦プレートスキャナーにおいて最良に行い得た。図８
においては、本発明のもう１つの実施態様が示される。
回転可能なドラム１００を矢印の方向に適当な手段（図
示せず）で駆動させる。ドラム１００の外周囲に隣接さ
せかつ間隔を置いてコロトロンまたはスコロトロン１０
２、露光ランプ１０４、消去ランプ１０５、電位計１０
６および電位計１０８を取付ける。

【００３９】操作においては、試験すべき可撓性感光体
サンプル（図示せず）をドラム上に接着テープのような
任意の適当な手段によりドラムによって回転するように
取付ける。ドラムをその後回転させコロトロンまたはス
コロトロン１０２によって帯電させる。電位計１０６お
よび１０８は感光体サンプルの厚さを横切った電圧を異
なる時間で測定する。感光体サンプルを数回（典型的に
は１０回）の帯電、消去および／または露光サイクルに
よりサイクル操作する。サイクル操作中に、暗減衰に安
定化され、暗減衰最高値が得られる。これらのサイクル
操作は２つの方式のいずれかで操作する。第１の方式に
おいては、露光ランプ１０４を全体的に遮断し、暗減衰
を、安定化して暗減衰最高値を得たのちに測定する。第
２の方式においては、感光体を先ず活性化した露光ラン
プ１０４および消去ランプで次いで暗減衰測定サイクル
中は遮断した露光ランプ１０４によるサイクルでサイク
ル操作する。この実施態様で得た暗減衰はプローブ１０
６と１０８により検出した電圧の差である。

【００４０】暗減衰対像形成サイクルの参照データを既
知の像形成サイクル数のサイクル寿命を有する少なくと
も１つの電子写真像形成部材に基づいて確立するとすぐ
に、未知の像形成サイクル数のサイクル寿命を有するサ
ンプルから得た暗減衰最高値を用いて各サンプルのサイ
クル寿命を推定する。ドラム１００の周囲、ドラムの回
転速度、並びにコロトロンまたはスコロトロン１０２、
露光ランプ１０４、消去ランプ１０５、電位計１０６お
よび電位計１０８の相対的回転は、好ましくは、試験し
た製造バッチからの感光体を実際に使用するであろうタ
イプのベルト複写機、プリンターおよびデュプリケータ
ーでの時間配列に緊密に模倣するように調整する。

【００４１】本発明のさらにもう１つの実施態様におい
ては、サンプルを平坦プレートスキャナー内の帯電装置
の下に高速〔典型的には、約１０〜約７５インチ／秒
（約２5.４〜約１９0.５cm／秒）で通し、その後、暗減
衰を時間によって測定する前述および後述するような電
位計の下で静止するようにすることができる。本発明の
さらにもう１つの実施態様においては、コロトロン／ス
コロトロンのよう帯電装置および消去ランプの配列を製
造ラインに設置し得る。上述のような帯電−消去配列を
行ったのち、暗減衰をウェブから下向きに間隔を置いて
設置した２個の電位計で測定できる。得られた高電圧暗
減衰を寿命のオンライン推定に使用できる。

【００４２】即ち、感光体のさらなる不良を、不良が種
々の異なる原因に基づき得るという事実にもかかわら
ず、本発明の方法によって推定できる。例えば、結果と
しての極めてぼやけた像の形成に基づく感光体の不良は
むしろ容易に検知できる。さらに詳細には、電流を装置
内でのコピーサイクル操作に対してプロットした場合、
ぼやけた像を補正するためには、帯電を、増大速度が装
置の電源がＶddp を固定即ち一定値で維持するための十
分な電流を与えることができず装置を休止しなければな
らない程に速くなる点に達するまで次第に増大させなけ
ればならないことが見い出されている。本発明の方法に
よれば、感光体の許容し得る寿命のためのカットオフ値
を確立でき、その結果、サンプルを試験したとき、早期
の感光体不良が生ずるかどうかを迅速に決定でき、か
つ、大量の不満足な感光体材料の製造を回避できる。帯
電電流速度条件の早期の急速な変化は多くの要因によっ
て生じ得る。

【００４３】標準に対しての正確な比較のためには、露
光光強度と消去光強度は一定に保たなければならない。
これは試験装置ハウジング内に取付けたフォトダイオー
ドにより光強度でモニターすることによって行い得る。
露光および消去パルス中のサンプルからの漂遊（stray
）光を、幾何的配列をサイクル操作中に変えない限
り、光強度について測定できる。これはフォトダイオー
ドをリッドに適当な位置で（図面には示していない）固
定することによって達成できる。光源、例えば、ストロ
ボタック（strobotac 、米国マサチューセッツ州のゲン
ラド社より入手できる）の光強度が変化することが判っ
た場合、その光強度を元の強度に適当な中和濃度のフィ
ルターを光源と感光体サンプルの間に挿入することによ
って戻すことができる。用いる化学光露光強度は透明金
属電極の厚さによる。従って、透明金属電極の厚さを金
属、例えば、金を感光体表面に蒸着させて接触電極を形
成させる間モニターする。

【００４４】さらに、光強度は前以って試験し記録保管
しておいた２個以上の対照サンプルのバックグラウンド
電位のような感光体サンプルの電気特性により間接的に
モニターし得る。露光および消去の両方で使用する光強
度は試験する感光体サンプルの速度および周波数感応性
による。典型的な光強度は露光工程において約３〜約２
０エルグ／cm² であり、消去工程において約１００〜約
１５００エルグ／cm² である。典型的な光周波数範囲は
試験すべき感光体のスペクトル感度範囲において約４０
０〜１００００nmである。製造中の種々の条件を故意に
変化させた場合に感光体が如何に挙動するかを予想する
試験装置も使用できる。例えば、この装置を用いて感光
体層のいずれかの配合を変化させるかまたはいずれかの
層の厚さを変化させた場合あるいは湿度、コーティング
方法等の製造条件の幾つかを故意に変えた場合に感光体
が与えるであろう性能の種類を予想できる。一般に、試
験したサンプルが不満足な感光体性能を示す事実を知
り、その後、製造記録を検討して感光体の最終性能に影
響を与えるいかなる異常な出来事が起ったかどうかを決
定できる。例えば、光導電体層コーティング組成物の１
つを調製し塗布する方法における違いは不満足な感光体
性能の原因であり、この問題は直ちに修正できる。

【００４５】静電写真可撓性ベルト像形成部材（感光
体）は当該技術において公知である。静電写真可撓性ベ
ルト像形成部材は種々の適当な方法により製造し得る。
典型的には、薄い透明な導電性表面を有する透明可撓性
基体を用いる。次いで、少なくとも１つの光導電性層を
この光導電性表面上に塗布する。光導電性層を塗布する
前に、任意成分としての薄い電荷ブロッキング層を導電
性層に塗布し得る。必要に応じて、任意成分としての接
着層も電荷ブロッキング層と光導電性層の間に使用でき
る。多層型感光体においては、電荷発生層を通常ブロッ
キング層上に塗布し、電荷輸送層を電荷発生層上に形成
させる。

【００４６】基体は実質的に透明であり、所定の機械的
性質を有する多くの適当な材料を含み得る。従って、基
体は無機または有機化合物のような非導電性または導電
性の材料を含み得る。非導電性材料としては、ポリエス
テル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリウレタン等
のような薄いウェブとしては可撓性である本目的におい
て公知の種々の樹脂を使用できる。電気絶縁性または導
電性基体は可撓性でかつ可撓性ウェブの形であるべきで
ある。好ましくは、可撓性ウェブは、Ｅ．Ｉ．デュポン
社から入手できるマイラー(Mylar) またはＩＣＩ社から
入手できるメリネックス(Melinex) として公知の市販の
二軸配向型ポリエステルを含む。

【００４７】基体層の厚さはビーム強度および経済性の
ような多くの要因に依存し、従って、可撓性ベルトとし
てのこの層は、例えば、約１２５μm の実質的厚さ、あ
るいは最終の静電写真装置に悪影響を与えぬ限りの５０
μm 以下の最小厚さを有し得る。１つの可撓性ベルトの
実施態様においては、この層の厚さは、最適の可撓性お
よび最小のストレッチのためには、約６５〜約１５０μ
m 好ましくは約７５〜約１００μm の範囲にある。基体
層の表面は好ましくは付着コーティングのより大きい接
着を促進するためにコーティング前に清浄化する。清浄
化は、例えば、基体層表面をプラズマ放電、イオンボン
バード等に暴露することによって行い得る。

【００４８】導電性層は静電写真部材において所望され
る光透過性および可撓性度によって実質的な広さ範囲に
亘って厚さにおいて変化し得る。従って、導電性層の厚
さは、導電性、可撓性および光透過性の最適の組合せの
ために、約２０〜約７５０オングストローム好ましくは
約１００〜約２００オングストローム単位であり得る。
可撓性の導電性層は、例えば、基体上に真空蒸着法のよ
うな任意の適当なコーティング方法によって形成させた
導電性金属層であり得る。典型的な金属にはアルミニウ
ム、ジルコニウム、ニオブ、タンタル、バナジウムおよ
びハフニウム、チタン、ニッケル、ステンレススチー
ル、クロム、タングステン、モリブテン等がある。典型
的な真空蒸着法にはスパッタリング、マグネトロンスパ
ッタリング、ＲＦスパッタリング等がある。

【００４９】必要に応じて、適当な金属の合金も付着さ
せ得る。典型的な金属合金にはジルコニウム、ニオブ、
タンタル、バナジウムおよびハフニウム、チタン、ニッ
ケル、ステンレススチール、クロム、タングステン、モ
リブテンおよびこれらの混合物等のような金属の２種以
上を含有し得る。金属層を形成させるのに用いる方法の
如何にかかわらず、金属酸化物の薄層が空気への暴露時
に殆んどの金属の外表面上に生成する。かくして、金属
層を覆う他の層が“連続層”として特徴付けられるとき
は、これらの上層連続層は、実際には、酸化性金属層の
外表面上に形成された金属酸化物薄層と接触し得るもの
とする。一般的には、後面からの消去露光においては、
少なくとも約１５％の導電性層光透過性が望ましい。導
電性層は金属に限定されない。導電性層の他の例は酸化
インジウム錫含有または約4,０００〜約7,０００オング
ストロームの波長を有する光に対しての透明層としての
低カーボンブラック濃度のカーボンブラック含有ポリマ
ーのような材料の組合せであり得る。低速複写機の電子
写真像形成部材用の導電性層の典型的な導電度は約１０
² 〜１０³ オーム／sq. であり得る。

【００５０】導電性表面の形成後、正孔ブロッキング層
を該表面上に塗布できる。一般に、正帯電型感光体用の
電子ブロッキング層は感光体の像形成表面からの正孔を
導電性層に移動させる。隣接の光導電性層と下地の導電
性層間に正孔に対する電子バリヤーを形成し得る任意の
適当なブロッキング層を使用し得る。ブロッキング層
は、米国特許第4,291,110 号、第4,338,387 号、第4,28
6,033 号および第4,291,110 号に開示されているよう
な、トリメトキシシリルプロピレンジアミン、加水分解
トリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン、Ｎ−ベ
ータ−（アミノエチル）ガンマーアミノ−プロピルトリ
メトキシシラン、イソプロピル４−アミノゼンゼンスル
フォニル、ジ（ドデシルベンゼンスルホニル）チタネー
ト、イソプロピルジ（４−アミノベンゾイル）イソステ
アロイルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−エチルア
ミノ−エチルアミノ）チタネート、イソプロピルトリア
ンスラニルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ，Ｎ−ジ
メチル−エチルアミノ）チタネート、チタニウム−４−
アミノベンゼンスルホネートオキシアセテート、チタニ
ウム４−アミノベンゾエートイソステアレートオキシア
セテート、[H₂N(CH₂)₄CH ₃Si(OCH₃)₂、（ガンマーアミノ
ブチル）メチルジエトキシシラン、および[H₂N-(CH₂)₃]
CH₃Si(OCH₃)₂（ガンマ−アミノプロピル）メチルジエト
キシシランのような窒素含有シロキサンまたは窒素含有
チタニウム化合物であり得る。米国特許第4,338,387
号、第4,286,033 号および第4,291,110 号の記載はすべ
て本明細書に引用する。好ましいブロッキング層は加水
分解シランと金属基平面層の酸化表面との反応生成物を
含む。酸化表面は付着させた後に空気にさらしたときに
殆んどの金属基平面層の外表面上に固有的に生成する。
ブロッキング層はスプレー、ディップコーティング、延
伸棒コーティング、グラビアコーティング、シルクスク
リーニング、エアナイフコーティング、リバースロール
コーティング、真空蒸発、化学処理等のような通常の方
法により塗布し得る。薄層を得るのに有利なのは、ブロ
ッキング層を好ましくは希溶液の形で塗布し、溶媒をコ
ーティングの塗布後、真空、加熱等によるような通常の
方法により除去する。ブロッキング層は連続でかつ約0.
２μm より薄い厚さを有すべきである、何故ならば、そ
れより厚い厚さは望ましくない高残留電圧をもたらし得
るからである。

【００５１】任意成分としての接着層を正孔ブロッキン
グ層に塗布し得る。当該技術において周知の任意の適当
な接着層を使用し得る。典型的な接着層材料には、例え
ば、ポリエステル、デュポン４9,０００（Ｅ．Ｉ．デュ
ポン社より入手できる）、バイテル(Vitel) ＰＥ−１０
０（グッドイヤータイヤ＆ラバー社より入手できる）、
ポリウレタン等がある。満足できる結果は約0.０５μm
（５００オングストローム）〜約0.３μm （3,０００オ
ングストローム）の接着層厚によって得ることができ
る。接着層コーティング混合物を電荷ブロッキング層に
塗布するための通常の方法にはスプレー、ディップコー
ティング、ロールコーティング、ワイヤー巻き棒コーテ
ィング、グラビアコーティング、バードアリケーターコ
ーティング等がある。塗布コーティングの乾燥はオーブ
ン乾燥、赤外線乾燥、風乾等の任意の適当な通常の方法
によって行い得る。

【００５２】任意の適当な光生成層を上記接着ブロッキ
ング層に塗布でき、次いで、後述するような連続正孔輸
送層でオーバーコーティングし得る。典型的な光生成層
の例には、フィルム形成性高分子バインダー中に分散さ
せた非晶質セレン、三方晶セレン、およびセレン−テル
ル、セレン−テルル−ひ素、ひ素化セレンおよびこれら
の混合物からなる群より選ばれたセレン合金のような無
機光導電性粒子、並びに米国特許第3,357,989 号に記載
されているようなＸ形の無金属フタロシアニン、バナジ
ルフタロシアニンおよび銅フタロシアニンのような金属
フタロシアニンのようなフタロシアニン顔料；ジブロモ
アンサンスロン、スクアリリウム；デュポン社より商品
名モナストラル(Monastral) レッド、モナストラルバイ
オレットおよびモナストラルレッドＹとして入手できる
キナクリドン類；ジブロモアンサンスレン顔料の商品名
であるバッド(Vat) オレンジ１およびバットオレンジ
３；ベンズイミダゾールペリレン、米国特許第3,442,78
1 号に開示されている置換２，４−ジアミノ−トリアジ
ン類；アライドケミカル社より商品名インドファースト
(Indofast)ダブルスカーレッド、インドファーストバイ
オレットレーキＢ、インドファーストブリリアントスカ
ーレットおよびインドファーストオレンジ等のような有
機光導電性粒子がある。

【００５３】光導電性層が光生成層の性質を向上または
低下させるような多光生成層組成物も使用できる。この
タイプの形状の例は米国特許第4,415,639 号に記載され
ており、該米国特許の記載はすべて参考として本明細書
に引用する。当該技術において公知の他の適当な光生成
性材料も必要に応じて使用し得る。バナジルフタロシア
ニン、無金属フタロシアニン、ベンズイミダゾールペリ
レン、非晶質セレン、三方晶セレン、セレン−テルル、
セレン−テルル−ひ素、ひ素化セレンのようなセレン合
金およびこれらの混合物のような光導電性材料の粒子ま
たは層を含む電荷発生バインダー層は、その白色光に対
する感光性故に特に好ましい。バナジルフタロシアニ
ン、無金属フタロシアニンおよびテルル合金はこれら材
料が赤外光に対して感応性であるさらなる利点を与える
ことからもまた好ましい。

【００５４】任意の適当な高分子フィルム形成性バイン
ダー材料を光生成性バインダー層中のマトリックスとし
て使用できる。典型的な高分子フィルム形成性材料に
は、例えば、米国特許第3,121,006 号に記載されている
材料があり、該米国特許の記載はすべて参考として本明
細書に引用する。即ち、典型的な有機高分子フィルム形
成性バインダーには、ポリカーボネート、ポリエステ
ル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリア
リールエーテル、ポリアリールスルホン、ポリブタジエ
ン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリメチルペンテ
ン、ポリフェニレンスルフィド、ポリ酢酸ビニル、ポリ
シロキサン、ポリアクリレート、ポリビニルアセター
ル、ポリアミド、ポリイミド、アミノ樹脂、フェニレン
オキサイド樹脂、テレフタル酸樹脂、フェノキシ樹脂、
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリスチレン−アクリ
ロニトリルコポリマー、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−
酢酸ビニルコポリマー、アクリレートコポリマー、アル
キッド樹脂、セルロース系フィルム形成体、ポリ（アミ
ドイミド）、スチレン−ブタジエンコポリマー、塩化ビ
ニリデン−塩化ビニルコポリマー、酢酸ビニル−塩化ビ
ニリデンコポリマー、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ
ビニルカルバゾール等の熱可塑性および熱硬化性樹脂が
ある。これらのポリマーはブロック、ランダムまたは交
互コポリマーであり得る。

【００５５】光生成性化合物または顔料は樹脂バインダ
ー組成物中に種々の量で存在し得るが、一般的には、約
５〜約９０容量％の光生成性顔料を約１０〜約９５容量
％の樹脂バインダー中に分散させ、好ましくは、約２０
〜約３０容量％の光生成性顔料を約７０〜約８０容量％
の樹脂バインダー組成物中に分散させる。１つの実施態
様においては、約８容量％の光生成性顔料を約９２容量
％の樹脂バインダー組成物中に分散させる。

【００５６】光導電性化合物および／または顔料と樹脂
バインダー材料を含有する光生成層は一般に約0.１〜約
5.０μm の厚さ範囲にあり、好ましくは約0.３〜約３μ
m の厚さを有する。光生成層厚はバインダー含有量に相
関する。高バインダー含有量組成物は一般に光生成に厚
目の層を必要とする。上記以外の厚さも本発明の目的が
達成される限り使用できる。

【００５７】任意の適当な通常の方法を用いて光生成層
コーティング混合物を混合しその後塗布することができ
る。典型的な塗布方法にはスプレー、ディップコーティ
ング、ロールコーティング、ワイヤー巻き棒コーティン
グ等がある。塗布コーティングの乾燥はオーブン乾燥、
赤外線乾燥、風乾等の任意の適当な通常の方法によって
行い得る。

【００５８】活性電荷輸送層は電気的に不活性な高分子
材料中に分散させこれら高分子材料を電気的に活性にす
る添加剤として有用な活性化用化合物を含み得る。これ
らの化合物は電荷発生材料からの光生成正孔の注入を支
持し得ずかつこれら正孔を輸送し得ない高分子材料に添
加し得る。これによって、電気的に不活性な高分子材料
を電荷発生材料からの光生成正孔の注入を支持し得かつ
これら正孔を活性層を通して輸送し活性層上の表面電荷
を放電し得る材料に転化する。多層型光導電体の２つの
電気作動層の１つにおいて用いる典型的な輸送層は約２
５〜約７５重量％の少なくとも１種の電荷輸送芳香族ア
ミン化合物と約７５〜約２５重量％の該芳香族アミンが
可溶性である高分子フィルム形成性樹脂とを含む。電荷
輸送層形成用混合物は、例えば、下記の一般式：

【００５９】

【化１】

【００６０】（式中、Ｒ₁ およびＲ₂ は置換または非置
換のフェニル基、ナフチル基およびポリフェニル基から
なる群から選ばれた芳香族基であり、Ｒ₃ は置換または
非置換のアリール基、１〜１８個の炭素原子を有するア
ルキル基および３〜１８個の炭素原子を有する脂環式基
からなる群から選ばれる）

【００６１】を有する１種以上の芳香族アミン化合物を
含み得る。上記の置換基はＮＯ₂ 基、ＣＮ基等の電子吸
引基を含むべきでない。電荷発生層からの光生成正孔の
注入を支持しかつこれら正孔を電荷輸送層を通して輸送
し得る電荷輸送層用の上記構造式で示される電荷輸送芳
香族アミンの例には不活性樹脂バインダー中に分散させ
たトリフェニルメタン、ビス（４−ジエチルアミン−２
−メチルフェニル）フェニルメタン、４′，４″−ビス
（ジエチルアミノ）−２′，２″−ジメチルトリフェニ
ルメタン、Ｎ，Ｎ′−ビス（アルキルフェニル）−
〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（式
中、アルキルは、例えば、メチル、エチル、プロピル、
ｎ−ブチル等である）、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，
Ｎ′−ビス（クロロフェニル）−〔１，１′−ビフェニ
ル〕−４，４′−ジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ′−ビス（３″−メチルフェニル）−（１，１′
−ビフェニル）−４，４′−ジアミン等である。

【００６２】塩化メチレンまたは他の適当な溶媒に可溶
性の任意の適当な不活性樹脂バインダーを感光体におい
て使用し得る。塩化メチレンに可溶性の典型的な不活性
樹脂バインダーにはポリカーボネート樹脂、ポリビニル
カルバゾール、ポリエステル、ポリアリレート、ポリア
クリレート、ポリエーテル、ポリスルホン等がある。分
子量は、例えば、約２0,０００〜約１５0,０００で変化
し得る。

【００６３】任意の適当な通常の方法を用いて電荷輸送
層コーティング混合物を混合しその後電荷発生層に塗布
できる。典型的な塗布方法にはスプレー、ディップコー
ティング、ロールコーティング、ワイヤー巻き棒コーテ
ィング、押出ダイコーティング等がある。塗布コーティ
ングの乾燥はオーブン乾燥、赤外線乾燥、風乾等の任意
の適当な通常の方法によって行い得る。

【００６４】一般に、正孔輸送層の厚さは約１０〜約５
０μm であるが、この範囲外の厚さも使用できる。正孔
輸送層は正孔輸送層上に存在させた静電荷が照射の不存
在下では層上の静電潜像の形成と保持を妨げるのに十分
な速度で導電しない程度に絶縁体であるべきである。一
般に、正孔輸送層対電荷発生層の厚さの比は好ましくは
約２：１〜２００：１にある場合には４００：１程大き
く維持する。

【００６５】少なくとも２つの電気作動層を有する感光
性部材の例には、米国特許第4,265,990 号、第4,233,38
4 号、第4,306,008 号、第4,299,897 号および第4,439,
507号に開示された電荷発生体層−ジアミン含有輸送層
部材がある。これら米国特許の記載はすべて本明細書に
引用する。これらの感光体は、例えば、導電性表面と上
述の電荷輸送層間に挟まれた電荷発生体層あるいは導電
性表面と電荷発生体層間に挟まれた電荷輸送層を含み得
る。

【００６６】必要に応じ、オーバーコート層を用いて耐
磨耗性を改善できる。ある場合には、抗カール裏打層を
感光体の裏面に塗布して平坦性および／または耐磨耗性
を付与できる。これらのオーバーコート層および抗カー
ル裏打層は当該技術において周知であり、電気絶縁性ま
たは僅かに半導電性の熱可塑性有機または無機ポリマー
を含み得る。オーバーコーティングは連続性であり一般
に約１０μm 以下の厚さを有する。抗カール裏打層の厚
さは支持基体層の反対面上の各層の全体的な力を実質的
に平衡させるのに十分であるべきである。全体的な力は
ベルトがすべての層を乾燥させた後に著しくカールする
傾向を示さないときに実質的に平衡化される。抗ロカー
ル裏打層の例は米国特許第4,654,284 号に記載されてお
り、該米国特許の記載はすべて参考として本明細書に引
用する。約７０〜約１６０μm の厚さが可撓性感光体に
おいて満足できる範囲である。

【００６７】本発明の評価方法は費用高の装置試験も、
費用高のスキャナー試験も、市場からの修善者からの数
多くの報告書も必要としない迅速試験である。本発明の
簡単な迅速試験は、例えば、簡単な１０サイクルの試験
で行い得る。さらに詳細には、本発明の試験方法は極め
て迅速であり、スキャナーによる数日、装置試験による
２〜３週間および市場での装置による数ケ月に比し、約
５〜１０分間程の短時間で評価を完了することができ
る。さらにまた、本発明の方法で行った評価はより正確
であり、装置試験で生ずる装置作用に基づく無関係な効
果による希釈がない。

【００６８】光導電性層のうちのある層用のコーティン
グ組成物は最終の電気的性質および感光体寿命に有意に
影響し得るので、コーティング材料の１つのバッチで製
造したベルトから１本のベルトのみを試験することは普
通に実施することである。コーティング材料の１つのバ
ッチは数千のベルトを生産し得る。即ち、１本のベルト
の試験は数千のベルトの試験を代表する。本発明の方法
によれば、１つのバッチから製造したサンプルを迅速か
つ安価に試験して、多過ぎる在庫量の許容し得ないベル
トを生産する前に多大な品質コントロールを確立するこ
とができる。このことはまた廃棄しなければならない感
光体材料の量を著しく低減させる。

【００６９】

【実施例】以下、幾つかの実施例を提示し、本発明を実
施するのに使用できる種々の組成物および条件を例示す
る。すべての割合は他に断わらない限り重量による。し
かしながら、本発明は多くのタイプの組成物によって実
施でき、上記の記載に従ったまた後述するような多くの
異なる用途を有することは明らかであろう。

【００７０】

【実施例１】ロールから供給したポリエステルフィルム
を厚さ約２００オングストロームを有する導電性チタン
層でコーティングした。チタン層の露出表面を周囲雰囲
気中の酸素にさらして酸化させた。シロキサン正孔ブロ
ッキング層を、３−アミノプロピルトリエトキシシラン
の0.２２％（0.００１モル）溶液を上記チタン層の酸化
表面上にグラビアアプリケーターで塗布することによっ
て製造した。付着コーティングを強制送風炉で１３５℃
で乾燥させて厚さ４５０オングストロームの層を得た。
ポリエステル（４９０００、Ｅ．Ｉ．デュポン社より入
手できる）のコーティングをグラビアアプリケーターに
より上記のシロキサンコーティング基体に塗布した。こ
のポリエステル樹脂コーティングを乾燥させて厚さ約0.
０５μmを有するフィルムを形成させた。

【００７１】容量で１：１比のテトラヒドロフランとト
ルエンの混合物中の３重量％の粒度約0.０５〜0.２μm
を有するナトリウムドーピング三方晶セレン、約6.８重
量％のポリビニルカルバゾールおよび2.３重量％のＮ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニ
ル）−〔１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン
のスラリーコーティング溶液を上記ポリエステルコーテ
ィング上に押出コーティングして２６μm の湿潤厚さを
有する層を形成させた。このコーティングした部材を強
制送風炉で１３５℃で乾燥させて厚さ2.５μm を有する
層を得た。電荷輸送層を、６つの異なるロットからの各
上記電荷発生体層上に、塩化メチレン中に溶解させたマ
クロロン(Makrolon)、即ち、分子量約５0,０００〜約１
０0,０００を有するポリカーボネート樹脂（ファルベン
ファブリケンバイエル社より入手できる）とＮ，Ｎ′−
ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−
〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミンの溶液
を塗布することによって形成させて、各々、６ロットの
乾燥輸送層中に４０重量％含有量のＮ，Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，
１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミンを付加させ。
各輸送層は発生体上にコーティングし、約１３５℃の温
度で乾燥させて正孔輸送材料の２４μm 厚の乾燥層を得
た。抗カール裏打コーティングも塗布した。この感光体
は、切断しベルトとして溶接させた後、約４１cmの幅と
約１２３cmの外周を有していた。

【００７２】この対照感光体を各々約２５cmの直径を有
する１対の感光体ベルトロールを有する電子写真デュプ
リケーター中で装置試験した。感光体ベルトの周囲に、
帯電ステーション、像露光ステーション、現像ステーシ
ョン、トナー像転写ステーションおよび消去ステーショ
ンのような通常の加工ステーションを配列させた。この
デュプリケーターを操作して１分当り９０枚のコピーを
製造した。この感光体は良好に機能して数百ない数千の
コピーにおいて許容し得る高品質コピーを製造すること
が判った。

【００７３】矩形の２インチ×４インチ（5.０８cm×１
0.１６cm）の対照試験サンプルを、上記の感光体ベルト
を調製したのと同じロールの未使用部分から製造した。
このサンプルを一端に沿って塩化メチレン溶媒で処理し
て電荷輸送層、電荷発生層および接着層の一部を溶解除
去して導電性層の一部を露出させた。導電性銀ペイント
の厚いストリップを、上記の導電性層露出表面に、導電
性層への電気バイアスを付加するためのターミナル接触
点を形成する目的で塗布した。溶媒で処理しなかった感
光体の像形成表面上の直径約１cmの円形領域を、円形開
口を有するマスクまたはステンシルを通して薄い透明真
空蒸着金層でコーティングしてもう１つの電極を形成さ
せ、電気バイアスを感光体の光導電性層を横切って金電
極から導電性層に付加し得るようにした。

【００７４】この矩形試験サンプルを図１と２で示した
装置と同じ装置で試験した。開放および負荷位置の円筒
状リッドアッセンブリにより、導電性フィンガーを備え
たピボット旋回可能な電気コネクターアームの自由末端
を上方にピボット旋回させてベースアッセンブリの上部
表面上の下地平坦ガラスから離れさせた。次に、中心か
ら直径４cmの円形開口を有するピボット旋回可能な平坦
基プレートを上方にピボット旋回させて平坦ガラス上部
表面から離れさせた。ピボット旋回可能な平坦基プレー
トを電源から自動的に断続させ、持上げて感光体サンプ
ルを出入れするときはいつでもアースに接続したままに
した。可撓性感光体の矩形サンプルを平坦ガラス上部表
面上に置き、ピボット旋回可能な平坦基プレートを下げ
て感光体サンプルを平坦化した。サンプルの一端に沿っ
た厚い導電性銀コーティングの持上ったストリップによ
り、サンプルの導電性層とピボット旋回可能な平坦基プ
レートとの間に電気的接触を確立した。金の円形真空蒸
着金属電極をピボット旋回可能な平坦基プレートの円形
開口の縁部で取囲んだが該縁部との物理的接触はなかっ
た。ピボツト旋回可能な平坦基プレートを下げることに
よって安全スイッチを閉じ、導電性フィンガーと電磁リ
レー（モデルＨ−１５２、キロバック社より入手でき
る）との間に２メグオーム抵抗体を介して電気的接続を
確立した。円筒状リゾットアッセンブリをピボッド旋回
させて下げてリッドアッセンブリとベースアッセンブリ
３６間の光密封性装着を行った。

【００７５】次に、トレコモデル６０９６−Ｃ電源から
の電圧パルスを上記のリレーの活性化により１００ミリ
秒間送り、感光体サンプルの暗減衰を、無接触電圧プロ
ーブ（モデル１７２１１、トレコ社より入手できる）お
よび電位計（モデル３６６、トレコ社より入手できる）
により、電圧パルス後で光を消去光および露光光より発
出する前の暗サイクル中に測定した。電圧パルスは試験
時間中１つのサイクルから次のサイクルで６５ボルト／
μm の電場を与える一定値であった。暗減衰測定は電圧
パルス終了後1.８秒の一定時間で行い、測定値をチャー
トレコーダー（モデルＴＡ２０００、グルード社より入
手できる）に記録した。

【００７６】次いで、感光体サンプルを円形真空蒸着金
電極を通して下向きに感光体サンプル上に投射させた約
５エルグ／cm² の露光光に露光させた。その後、サンプ
ル全体を、ベースアッセンブリーの上部表面上の平坦ガ
ラスおよび金電極を担持する感光体裏面を透過させた約
１０００エルグ／cm² のストロボタック消去光源（モデ
ルＧＲ１５３８−Ａ、ゲンラッド社より入手できる）に
より投光露光させた。この帯電、露光および消去のサイ
クルを交互のサイクルでは露光なしで１６サイクル繰返
して暗減衰を記録し、暗減衰をサイクル数に対してプロ
ットした。これは図４に曲線Ａとして示され、新しく製
造した規格外の感光体を迅速に同定する目的のための参
照データ即ち対照を示す。

【００７７】

【実施例２】実施例１で述べたような感光体の製造手順
を繰返してもう１つの試験サンプルを製造したが、電荷
発生層を、同じ配合によるが原材料の異なるバッチから
調製した異なるコーティングバッチから製造した。この
新しく製造したサンプルを実施例１で述べた方法と同じ
方法で試験した。この感光体サンプルは実施例１で述べ
た装置試験と同じ装置試験において貧弱に性能した。実
施例１で述べた試験中に約１／３以下の試験コピーを連
続的に製造した後、装置は望ましくない帯電電流値を示
し始め、コピーはぼやけを現わし始めた。この装置試験
は本発明の迅速評価方法が有効な評価方法であることを
単に証明するために行ったものである。この感光体材料
の同じバッチから製造したサンプルを、実施例１で述べ
たようにして、本発明の方法で試験したとき、サイクル
数に対してプロットした暗減衰は図４に曲線Ｂとして示
す曲線を形成した。曲線ＡとＢの比較は貧弱に性能する
感光体を本発明の方法により装置試験なしで迅速に同定
できることを示している。

【００７８】

【実施例３】実施例１で述べたような感光体の製造手順
を繰返して実施例１で述べたバッチからもう１つの試験
サンプルを製造した。電源からの電圧パルスを一定値で
送って試験期間中に１つのサイクルから次のサイクルで
６５ボルト／μm の電場を得た実施例１で用いた試験手
順と異なり、電源からの電圧パルスを試験期間中１０ボ
ルト／μm の電場を与える値から６５ボルト／μmの電
場を与える値に次第に増大させ、各値でパルス順序を実
施例１および２で行ったようにして記録した。

【００７９】電源トレコモデル６０９６−Ｃからの各電
圧パルスをリレー（キロバック社から入手できるモデル
Ｈ−１５２）の活性化により１００ミリ秒間送り、感光
体サンプルの暗減衰を、無接触電圧プローブ（モデル１
７２１１、トレコ社より入手できる）および電位計（モ
デル３６６６、トレコ社より入手できる）により、電圧
パルス後で光を消去光および露光光より発出する前の暗
サイクル中に測定した。 暗減衰測定は電圧パルス終了
後1.８秒の一定時間で行い、測定値をチャートレコーダ
ー（モデルＴＡ２０００、グールド社より入手できる）
に記録した。

【００８０】次いで、感光体サンプルを円形真空蒸着金
電極を通して下向きに感光体サンプル上に投射させた約
５エルグ／cm² の露光光に露光させた。その後、サンプ
ル全体を、ベースアッセンブリーの上部表面上の平坦ガ
ラスおよび金電極を担持する感光体部分を透過させた約
１０００エルグ／cm² のストロボタック消去光源（モデ
ルＧＲ１５３８−Ａ、ゲンラッド社より入手できる）に
より投光露光させた。この帯電、露光および消去のサイ
クルを各電圧セッティングで４〜６サイクル繰返し、暗
減衰を種々の電圧セッティングでプロットした。これは
図５で曲線Ｃとして示されており、規格外の新しく製造
した感光体を迅速に同定する目的のための標準を示す。

【００８１】曲線全体を比較できるが２つの曲線は高電
圧で扇状に広がっており、許容し得るサンプルと許容し
得ないサンプルとの良好な区別は高電圧値において得ら
れる。実際の最高値以外であるが例えば第４サイクル後
毎の最高値に近い値の使用も同様な情報を与え得る。即
ち、第４または第５パルス毎で十分である。図５に示す
データにおいては、４サイクル数を各ステップで用い
た。しかしながら、高電圧値が達せられる時間によって
は、最高値を得るための多数回のサイクルを必要としな
い。これは実施例１および２で行ったような全くの第１
回目のサイクルから高電圧値を用いる場合ではない。後
者の実施態様においては、より多くの例えば、１０回の
サイクル数を最高値に達するまでに要している。

【００８２】

【実施例４】実施例１で述べたような感光体の製造手順
を繰返してもう１つの試験サンプルを製造したが、電荷
発生層を、同じ配合を用いて原材料の異なるバッチから
の材料によって調製した。この新しく製造したサンプル
を実施例３で述べた方法と同じ方法で試験した。この感
光体サンプルは実施例３で述べた装置試験と同じ装置試
験において貧弱に性能した。実施例３で述べた試験中に
約１／３以下の試験コピーを連続的に製造した後、装置
は望ましくない帯電電流値を示し始め、コピーはぼやけ
を現わし始めた。この装置試験は本発明の迅速評価方法
が有効な評価方法であることを単に証明するために行っ
たものである。この感光体材料の同じバッチから製造し
たサンプルを、実施例３で述べたようにして、本発明の
方法で試験したとき、電圧セッティングに対してプロッ
トした暗減衰は図５に曲線Ｄとして示す曲線を形成し
た。曲線ＣとＤの比較は貧弱に性能する感光体を本発明
の方法により装置試験なしで迅速に同定できることを示
している。

【００８３】

【実施例５】感光体の幾つかのバッチを実施例１および
２で述べたような本発明の方法を用いてある時間に亘っ
て分析した。数千のコピーにおける各コーティングバッ
チから製造したベルトの寿命に対してプロットした安定
暗減衰、即ち、最高値は図６に示すような優れた相関を
与えた。本実施例での加電圧は６５ボルト／μm の電場
を与えるのに十分な値であった。

【００８４】

【実施例６】感光体の幾つかのバッチを実施例１および
２で述べたような本発明の方法によって分析したが、本
実施例の加電圧は６５ボルト／μm の代りに５０ボルト
／μm の電場を与えるのに十分な値であった。数千のコ
ピーにおける各コーティングバッチから製造したベルト
の寿命に対してプロットした安定暗減衰、即ち、最高値
は図９で示すような優れた相関を与えた。

【００８５】本発明を特定の好ましい実施態様について
説明して来たけれども、本発明をこれらの実施態様に限
定する積りはなく、むしろ、当業者であれば、本発明の
精神および特許請求する範囲において多くの変形および
修正をなし得ることは理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法で用いる電気回路を示す。

【図２】本発明の方法で用いる装置の等角投影図であ
る。

【図３】帯電、暗減衰および放電の効果を示すグラフで
ある。

【図４】暗減衰とサイクル間の関係を示すグラフであ
る。

【図５】最高暗減衰と加電圧間の関係を示すグラフであ
る。

【図６】最高暗減衰とサイクル操作寿命間の関係を示す
グラフである。

【図７】本発明の方法で用いる電気回路のもう１つの実
施態様を示す。

【図８】本発明の方法で用いる装置のもう１つの実施態
様を示す。

【図９】最高暗減衰とサイクル間の関係を示すもう１つ
のグラフである。

【符号の説明】

１０ 感光体、 １２ 透明支持体、 １４ 基体層、 １６ 透明な真空蒸着金属電極、 １８ 電気コネクター、 ２０ 高電圧電源、 ２２ 抵抗体、 ２４ リレー、 ２５ リードスイッチ、 ２５ａ コンピュータ、 ２５ｂ ＦＥＴ、 ２６ プローブ、 ２８ 電位計、 ３０ グラフィックプリンター、 ３６ ベースアッセンブリ、 ３８ 垂直ポスト、 ４０ 円筒状リッドアッセンブリ、 ４２ ハウジング、 ４４ 開口、 ４６ 平坦ガラス上部プラテン、 ４８ ピンジポスト、 ５０ ヒンジピン、 ５２ 平坦基プレート、 ５４ 開口、 ５６ ヒンジポスト、 ５８ 電気コネクターアーム、 ６０ 導電性フィンガー、 ６２ 高電圧アーム、 ６４ 孔、 ６６，６８ ミラー、 ７０ 軸箱、 ８０ 感光体サンプル、 ８１ａ 電荷輸送層、 ８１ｂ 電荷発生層、 ８２ 透明ガラス円錐、 ８４ 弾力性金属ふいご、 ８６ 電源、 ８８ リレー、 ９０ 導線、 １００ ドラム、 １０２ コロトロンまたはスコロトロン、 １０４ 露光ランプ、 １０５ 消去ランプ、 １０６，１０８ 電位計。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 （ａ）既知数の像形成サイクルのサイク
   ル寿命を有する少なくとも１つの電子写真像形成部材を
   用意し（該像形成部材は導電性層と少なくとも１つの光
   導電性層を含む）； （ｂ）上記電子写真像形成部材を静電気帯電工程と光放
   電工程を含むサイクルに繰返しかけてサイクル中の上記
   光導電性層の暗減衰を暗減衰量が最高値に達するまで測
   定し； （ｃ）上記最高値により暗減衰最高値対像形成サイクル
   の参照データを確立し； （ｄ）新鮮な電子写真像形成部材を静電気帯電工程と光
   放電工程を含む上記サイクルに、さらにサイクルにかけ
   ても実質的に一定のままである最高値に暗減衰量が達す
   るまで繰返しかけ； （ｅ）上記新鮮な電子写真像形成部材の暗減衰最高値を
   上記参照データと比較して上記新鮮な電子写真像形成部
   材の推定サイクル寿命を確認する、各工程を含むことを
   特徴とする電子写真像形成部材の推定像形成サイクル寿
   命の確認方法。