JPH05196639A - Probe device - Google Patents

Probe device

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JPH05196639A
JPH05196639A JP21027992A JP21027992A JPH05196639A JP H05196639 A JPH05196639 A JP H05196639A JP 21027992 A JP21027992 A JP 21027992A JP 21027992 A JP21027992 A JP 21027992A JP H05196639 A JPH05196639 A JP H05196639A
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JP
Japan
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probe
probe needle
wafer
height
probe card
Prior art date
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Application number
JP21027992A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasushi Nagasawa
靖 長沢
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Tokyo Electron Yamanashi Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Yamanashi Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Electron Yamanashi Ltd filed Critical Tokyo Electron Yamanashi Ltd
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Publication of JPH05196639A publication Critical patent/JPH05196639A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a probe device for surely preventing collision between a sample to be detected and a probe needle. CONSTITUTION:The height of a probe needle is recognized based on the information on the height of a probe needle 47 read from a memory element provided on a probe card holder 22, and a semiconductor wafer is driven in such a way that it first approaches the probe needle 47 at high speed in a first interval and then at low speed in a second interval, and an electrode pad is made into contact with the probe needle 47 at a contact point. The height of the contact point at a first wafer is detected, and a next wafer approaches the probe needle 47 at high speed in the second interval longer than the first one, based on the information on the height of the contact point.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスのよう
な被検査体の電気的特性を測定するプローブ装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a probe device for measuring the electrical characteristics of a device under test such as a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知の如く、半導体デバイスは、半導体
ウエハ上に精密写真転写技術等を用いて多数形成され、
この後、各半導体デバイス毎にウエハは切断される。こ
のような半導体デバイスの製造工程では、従来からプロ
ーブ装置を用いて、半完成品の半導体デバイスの電気的
な特性の試験判定を、半導体ウエハの状態で行い、この
試験測定の結果良品と判定されたもののみをパッケージ
ング等の後工程に送り、生産性の向上を図ることが行わ
れている。
2. Description of the Related Art As is well known, many semiconductor devices are formed on a semiconductor wafer by using a precision photo transfer technique or the like.
After this, the wafer is cut into individual semiconductor devices. In the manufacturing process of such a semiconductor device, conventionally, a probe device is used to perform a test determination of the electrical characteristics of a semi-finished semiconductor device in a semiconductor wafer state, and the result of this test measurement is determined to be a non-defective product. It is being done to improve productivity by sending only waste products to subsequent processes such as packaging.

【0003】上記プローブ装置は、X−Y−Z−θ方向
に移動可能に構成されたウエハ保持台を備えており、こ
のウエハ保持台上には、半導体デバイスの電極バッドに
対応した多数のプローブ針を備えたプローブカードが固
定される。そして、ウエハ保持台上に半導体ウエハを設
置し、ウエハ保持台を駆動して半導体デバイスの電極に
プローブ針を接触させ、このプローブ針を介してテスタ
により試験測定を行うよう構成されている。
The probe apparatus includes a wafer holder that is movable in the XYZ-θ directions, and a large number of probes corresponding to the electrode pads of semiconductor devices are mounted on the wafer holder. A probe card with a needle is fixed. Then, the semiconductor wafer is set on the wafer holder, the wafer holder is driven to bring the probe needle into contact with the electrode of the semiconductor device, and the test measurement is performed by the tester via the probe needle.

【0004】このようなプローブ装置では、プローブカ
ードによってプローブ針先端の高さが異なる。このた
め、測定開始前にウエハ保持台上の半導体ウエハを非常
に低速で上昇させ、プローブ針先端が半導体ウエハに接
触した位置(コンタクトポイント)を検出することによ
って、プローブ針先端の高さを認識することが行われて
いる。しかしながら、このようなプローブ針先端の高さ
認識工程において、ウエハ保持台をホームポジション
(最下位置)から低速で上昇させると、接触位置の検出
に非常に多くの時間を必要とする。このため、通常プロ
ーブ針先端が存在しないある高さまで半導体ウエハを高
速で上昇させ、この後、半導体ウエハを低速で上昇させ
るよう構成されている。
In such a probe device, the height of the probe needle tip differs depending on the probe card. Therefore, the height of the probe needle tip is recognized by raising the semiconductor wafer on the wafer holding table at a very low speed before starting the measurement and detecting the position (contact point) where the probe needle tip contacts the semiconductor wafer. Is being done. However, in such a height recognizing step of the probe needle tip, if the wafer holder is raised at a low speed from the home position (lowermost position), it takes a very long time to detect the contact position. For this reason, the semiconductor wafer is usually raised at a high speed to a height where the probe needle tip does not exist, and then the semiconductor wafer is raised at a low speed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】近年半導体デバイスは
高集積化される傾向にあり、半導体デバイスの電極パッ
ドも狭ピッチ化および多数化される傾向にある。このた
め、図1(a)に示すように、プローブ針1を斜めに配
置したプローブカード2に代って、図1(b)に示すよ
うに、プローブ針1aをほぼ垂直に配置したプローブカ
ード2aの開発が進められており、実用化されつつあ
る。ところが、このようなプローブ針1aをほぼ垂直に
配置したプローブカード2aでは、これをプローブ装置
に固定した場合、従来のプローブカード2に較べてプロ
ーブ針先端の高さが大幅に、例えば数センチ程度低い位
置にある(図中hで示す)。このため、前述したプロー
ブ針先端の高さ認識工程において、半導体ウエハ等を保
持するウエハ保持台3の上昇量を少なく設定する必要が
あるが、この設定を間違えると、プローブ針先端の高さ
を認識する際に、半導体ウエハ等の被検査体とプローブ
針とが衝突を起こし、半導体ウエハもしくはプローブカ
ードを破損する可能性があった。
In recent years, semiconductor devices tend to be highly integrated, and the electrode pads of semiconductor devices also tend to be narrowed in pitch and increased in number. Therefore, instead of the probe card 2 in which the probe needles 1 are arranged obliquely as shown in FIG. 1A, the probe card 1 in which the probe needles 1a are arranged almost vertically as shown in FIG. 1B. 2a is being developed and is being put to practical use. However, in the probe card 2a in which the probe needle 1a is arranged almost vertically, when the probe card 2a is fixed to the probe device, the height of the probe needle tip is significantly larger than that of the conventional probe card 2, for example, about several centimeters. It is in a low position (indicated by h in the figure). Therefore, in the above-described step of recognizing the height of the probe needle tip, it is necessary to set the amount of rise of the wafer holding table 3 for holding a semiconductor wafer or the like to be small, but if this setting is incorrect, the height of the probe needle tip will be decreased. At the time of recognition, there is a possibility that an object to be inspected such as a semiconductor wafer may collide with a probe needle and damage the semiconductor wafer or the probe card.

【0006】本発明の目的は、被検査体とプローブ針と
の衝突を確実に防止することができ、被検査体およびプ
ローブカード等の破損を防止することのできるプローブ
装置を提供しようとするものである。
An object of the present invention is to provide a probe device capable of surely preventing a collision between an object to be inspected and a probe needle and preventing damage to the object to be inspected and a probe card. Is.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の一態様に係わる
プローブ装置は、プローブ針並びにこのプローブ針の高
さ情報を有する記憶素子とを有するプローブカード手段
と、このプローブカード手段の下方に被検査体を支持
し、この被検出体を垂直方向に移動可能な手段と、前記
プローブカード手段の記憶素子から読み取った情報によ
って前記プローブカード手段のプローブ針の高さを認識
し、前記支持手段を被検査体とプローブ針先端の距離を
制御して接近させるように駆動することにより、被検査
体とプローブ針とをコンタクトさせる手段とを具備す
る。
A probe device according to an aspect of the present invention includes a probe card means having a probe needle and a storage element having height information of the probe needle, and a probe card means under the probe card means. The height of the probe needle of the probe card means is recognized by means for supporting the inspection body and vertically moving the detected body and the information read from the storage element of the probe card means, It is provided with a means for bringing the object to be inspected into contact with the probe needle by controlling the distance between the object to be inspected and the tip of the probe needle and driving them so as to approach each other.

【0008】本発明の他の態様に係わるプローブ装置
は、プローブ針並びにこのプローブ針の高さ情報を有す
る記憶手段とを有するプローブカード手段と、このプロ
ーブカード手段の下方に、複数の電極パッドを備えた少
くとも1つの半導体素子を有するウエハを支持し、この
ウエハを垂直方向に移動可能な手段と、前記プローブカ
ード手段の記憶素子から読み取った情報によって前記プ
ローブカード手段のプローブ針の高さを認識し、前記支
持手段をウエハの電極パッドとプローブ針先端の距離を
制御して最初に高速で、次に低速で接近させるように駆
動して電極パッドをプローブ針にコンタクトポイントで
接触させる手段とを具備する。
A probe device according to another aspect of the present invention has a probe card means having a probe needle and a storage means having height information of the probe needle, and a plurality of electrode pads below the probe card means. The height of the probe needle of the probe card means is supported by means for supporting a wafer having at least one semiconductor element, which is capable of moving the wafer in the vertical direction, and information read from the memory element of the probe card means. Recognizing and controlling the distance between the electrode pad of the wafer and the tip of the probe needle to drive the supporting means so that the electrode pad comes into contact with the probe needle at a contact point at a high speed and then at a low speed. It is equipped with.

【0009】本発明のさらに他の態様に係わるプローブ
装置は、プローブ針並びにこのプローブ針の高さ情報を
有する第1の記憶手段とを有するプローブカード手段
と、このプローブカード手段の下方に、位置され初期位
置で複数の電極パッドを備えた少くとも1つの半導体素
子を有するウエハが載置される支持手段と、この支持手
段を初期位置と検査位置との間で垂直方向に移動させる
駆動手段と、前記プローブカード手段の記憶素子から読
み取った情報によって前記プローブカード手段のプロー
ブ針の高さを認識し、前記駆動手段を制御して支持手段
を最初に第1の距離を高速で、次に第2の距離を低速で
検査位置に接近させるように駆動して電極パッドをプロ
ーブ針にコンタクトポイントで接触させる制御手段と、
前記最初のウエハでのコンタクトポイントの高さを検知
し、このコンタクトポイント高さ情報をストアする第2
の記憶手段と、電極パットに接触したプローブ針を介し
て半導体素子を検査する手段と、前記駆動手段により半
導体素子の検査の終わったウエハを支持した支持手段が
初期位置に戻されると支持手段から検査の終わったウエ
ハを取り外すとともに、次に検査するウエハを支持手段
に載置させる手段と、を具備し、前記制御手段は前記ス
トアされたコンタクトポイント高さ情報にもとずいて、
前記制御手段を制御して、前記第1の距離よりも長い第
2の距離で前記支持手段を高速でプローブカード手段に
接近させることを特徴とする。
A probe apparatus according to still another aspect of the present invention is a probe card means having a probe needle and a first storage means having height information of the probe needle, and a position below the probe card means. Supporting means on which a wafer having at least one semiconductor element having a plurality of electrode pads at the initial position is placed, and driving means for vertically moving the supporting means between the initial position and the inspection position. Recognizing the height of the probe needle of the probe card means on the basis of the information read from the storage element of the probe card means, controlling the driving means to move the support means first at the first distance at high speed, Control means for driving the electrode pad to contact the probe needle at a contact point by driving the distance of 2 at a low speed to approach the inspection position;
Second, the height of the contact point on the first wafer is detected, and the height information of the contact point is stored.
Storage means, means for inspecting a semiconductor element via a probe needle that is in contact with the electrode pad, and supporting means for supporting the wafer on which the semiconductor element has been inspected by the driving means are returned to the initial position. And removing the wafer that has been inspected, and mounting the next wafer to be inspected on the supporting means, wherein the control means is based on the stored contact point height information,
The control means is controlled to cause the supporting means to approach the probe card means at a high speed at a second distance longer than the first distance.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明を半導体ウエハ上に形成された
半導体デバイスの試験測定を行うプローブ装置に適用し
た一実施例を図面を参照して説明する。まず、プローブ
装置全体の構成を図2を参照して概略的に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to a probe apparatus for performing test measurement of a semiconductor device formed on a semiconductor wafer will be described below with reference to the drawings. First, the overall configuration of the probe device will be schematically described with reference to FIG.

【0011】図2において、符号10はプローブ装置本
体を示し、ほぼ中央にはメインステージ11が設けられ
ている。このメインステージ11には、半導体ウエハ1
2の、後述する測定用載置台13が取り付けられてい
る。このメインステージ11は水平面内においてX方向
ならびにY方向に載置台13と共に移動可能になってい
る。この載置台13の上方には後述するプローブ機構1
4が設けられている。図示していないが、装置本体10
の中央手前側にはアラインメントユニットが設けられて
いる。このユニットには、アラインメント用の画像認識
装置としてのカメラが設けられている。アラインメント
のために、載置台13はこのカメラの下方にまで移動さ
れる。装置本体10の右側にはオートローダ15が、ま
た左側にはプローブカード交換機16が夫々設けられて
いる。
In FIG. 2, reference numeral 10 indicates a probe apparatus main body, and a main stage 11 is provided at substantially the center. The semiconductor wafer 1 is mounted on the main stage 11.
2, a mounting table 13 for measurement described later is attached. The main stage 11 is movable in the horizontal direction along with the mounting table 13 in the X and Y directions. A probe mechanism 1 to be described later is provided above the mounting table 13.
4 are provided. Although not shown, the device body 10
An alignment unit is provided on the front side of the center of the. This unit is provided with a camera as an image recognition device for alignment. The mounting table 13 is moved below the camera for alignment. An auto loader 15 is provided on the right side of the apparatus main body 10, and a probe card exchange 16 is provided on the left side.

【0012】オートローダ15には多数の半導体ウエハ
12を互いに垂直方向に所定間隔を有して収容したウエ
ハカセット17がカセット載置台18上に交換可能に配
置されている。このウエハカセット17と前記載置台1
3との間には水平面内で移動可能なローダステージ19
と、図示しないY方向駆動機構とZ方向昇降機構とによ
り駆動可能なウエハハンドリングアーム20とが設けら
れている。半導体ウエハ12をプローブ検査するときに
は、ウエハはローダステージ19により載置台13近く
に搬送され、ハンドリングアーム20により載置台13
上に移される。検査後は、ウエハはハンドリングアーム
20によりローダステージ19上に移され、ローダステ
ージ19によりウエハカセット17に搬送される。
In the autoloader 15, a wafer cassette 17 that accommodates a large number of semiconductor wafers 12 at a predetermined interval in the vertical direction is exchangeably arranged on a cassette mounting table 18. The wafer cassette 17 and the mounting table 1 described above.
3 is a loader stage 19 movable in a horizontal plane
And a wafer handling arm 20 that can be driven by a Y-direction drive mechanism and a Z-direction lift mechanism (not shown). When the semiconductor wafer 12 is subjected to the probe inspection, the wafer is transferred to the vicinity of the mounting table 13 by the loader stage 19, and the mounting table 13 is mounted by the handling arm 20.
Moved to the top. After the inspection, the wafer is transferred onto the loader stage 19 by the handling arm 20 and transferred to the wafer cassette 17 by the loader stage 19.

【0013】プローブカード21をカードホルダー22
に装着してなる集合体 or プローブカード手段23
が収納棚24に垂直方向に所定間隔を有して複数個収容
されている。
A probe card 21 is attached to a card holder 22.
Assembly or probe card means 23 mounted on the
Are stored in the storage rack 24 at a predetermined interval in the vertical direction.

【0014】符号25は、プローブカード21並びにカ
ードホルダー22の中央に形成された開口を介して、下
方に位置するウエハ及びプローブカード21のプローブ
針の先端を監視する顕微鏡もしくはテレビカメラを示
す。上記のようなプローブ装置のプローブ自動交換動作
は例えば米国特許No.4,966,520に記載され
ているものと同じである。前記載置台13を、図3を参
照してさらに詳しく説明する。
Reference numeral 25 denotes a microscope or a television camera for monitoring the wafer located below and the tip of the probe needle of the probe card 21 through an opening formed in the center of the probe card 21 and the card holder 22. The automatic probe replacement operation of the probe device as described above is described, for example, in US Pat. 4, 966, 520. The mounting table 13 will be described in more detail with reference to FIG.

【0015】この載置台13は、X方向に延在される2
本のレールに沿ってX方向に移動可能なXステージ31
aと、このXステージ31a上をY方向に延在される2
本のレールに沿ってY方向に移動可能なYステージ31
bとを有する。このX,Yステージ31a,31bは、
パルスモータなどを含む慣用の駆動機構によって水平面
内をX方向とY方向とに駆動される。Yステージ31b
上に搭載されたチャック32は、慣用の昇降機構によっ
て上下方向(Z方向)に駆動されると共に、その中心を
通りZ軸に平行な中心線の周りに慣用の回転機構によっ
て回転される。これら駆動機構、昇降機構並びに回転機
構は、図6で、夫々符号54,55,56で示し、後述
する制御系により、夫々の駆動が制御される。
The mounting table 13 extends in the X direction 2
X stage 31 that can move in the X direction along the rails of the book
a and 2 extended on the X stage 31a in the Y direction
Y stage 31 movable in the Y direction along the rails of the book
b and. The X and Y stages 31a and 31b are
It is driven in a horizontal plane in the X and Y directions by a conventional drive mechanism including a pulse motor and the like. Y stage 31b
The chuck 32 mounted on the top is driven in the vertical direction (Z direction) by a conventional lifting mechanism, and is rotated by a conventional rotating mechanism around a center line passing through the center thereof and parallel to the Z axis. The drive mechanism, the elevating mechanism, and the rotating mechanism are denoted by reference numerals 54, 55, and 56 in FIG. 6, respectively, and their respective drives are controlled by a control system described later.

【0016】Yステージ31bの側面には昇降機構34
が固定されている。この昇降機構34には上下方向に昇
降自在な移動カメラ33が保持されている。この移動カ
メラ33は、高倍率部33aと低倍率部33bとから構
成されている。
A lifting mechanism 34 is provided on the side surface of the Y stage 31b.
Is fixed. The elevating mechanism 34 holds a movable camera 33 that can be vertically moved. The moving camera 33 includes a high magnification section 33a and a low magnification section 33b.

【0017】チャック32の側面には、その径方向に水
平に突出する小片35が固定されている。この小片35
は、導電性薄膜、例えばITO(indium tin oxide)薄
膜あるいはクロムを用いて描かれた十字マークの中心に
よって定義されるターゲット35aが表面に形成された
短冊状の透明板からなる。これはカメラ33により検出
する際の基準点として機能する。また、十字状の薄膜の
周辺には、これを覆うように導電性透明薄膜、例えばI
TOの薄膜が配設される。導電性透明薄膜は、静電容量
センサによるZ方向の位置検出を可能とするために配設
されている。
On the side surface of the chuck 32, a small piece 35 which is horizontally projected in the radial direction is fixed. This small piece 35
Is a strip-shaped transparent plate on the surface of which a target 35a defined by the center of a cross mark drawn using a conductive thin film such as an ITO (indium tin oxide) thin film or chrome is formed. This functions as a reference point for detection by the camera 33. Around the cross-shaped thin film, a conductive transparent thin film such as I
A thin film of TO is provided. The conductive transparent thin film is provided to enable the electrostatic capacitance sensor to detect the position in the Z direction.

【0018】ターゲット35aが形成された小片35
は、チャック32の回転により移動カメラ33の高倍率
部の光軸上に移動しかつここから退避できるようになっ
ている。小片35はまた、チャック32に着脱自在に取
付けるように構成することも可能である。
Small piece 35 on which target 35a is formed
Is movable on the optical axis of the high-magnification portion of the moving camera 33 by the rotation of the chuck 32 and can be retracted from there. The small piece 35 may also be configured to be removably attached to the chuck 32.

【0019】上記構成の載置台13によるウエハの位置
合わせ操作は、特願昭3−216068号並びに3−2
16067号に詳しく記載されているのでここでは省略
する。プローブカードーカードホルダー集合体23を、
図4並びに図5を参照して詳細に説明する。
The alignment operation of the wafer by the mounting table 13 having the above-mentioned structure is performed in Japanese Patent Application Nos. 3-216068 and 3-2.
Since it is described in detail in No. 16067, it is omitted here. The probe card-card holder assembly 23,
This will be described in detail with reference to FIGS. 4 and 5.

【0020】図4中、符号40は装置本体10(図2参
照)の上部に装着されたインサートリングを示し、この
中央開口の周側面の段部にはコンタクトリング41が載
置されている。コンタクトリング41はこれら両者4
0,41に径方向に離間して設けられた2つの位置決め
ピンにより、その装着位置が規定されている。このコン
タクトリング41の上面には、これらの間に配置された
コンタクトにより電気的に接続された状態でテストヘッ
ド42が設けられている。このテストヘッド42は、公
知のテスタ43に、また前記インサートリング40のプ
リント基板40aは、後述する制御系44に、これらに
出力信号を供給するようにそれぞれ電気的に接続されて
いる。装置本体10には、また上下方向に移動可能に支
持リング45が、設けられており、この支持リング45
の上方位置で、カードホルダー22の周辺部がインサー
トリング40との間で挟持され、集合体23はコンタク
トリング41の下側に交換可能に装着される。この集合
体23は、これら3者40,22,45間に配置された
2つの位置決めピンにより所定の位置で装着される。
In FIG. 4, reference numeral 40 denotes an insert ring mounted on the upper part of the apparatus main body 10 (see FIG. 2), and a contact ring 41 is mounted on the step portion on the peripheral side surface of the central opening. The contact ring 41 is both of these 4
The mounting position is defined by two positioning pins provided at positions 0 and 41 in the radial direction. A test head 42 is provided on the upper surface of the contact ring 41 in a state of being electrically connected by a contact arranged between them. The test head 42 is electrically connected to a known tester 43, and the printed circuit board 40a of the insert ring 40 is electrically connected to a control system 44, which will be described later, so as to supply an output signal to them. A support ring 45 is provided on the apparatus main body 10 so as to be movable in the vertical direction.
In the upper position, the peripheral portion of the card holder 22 is sandwiched between the card holder 22 and the insert ring 40, and the assembly 23 is replaceably attached to the lower side of the contact ring 41. The assembly 23 is attached at a predetermined position by two positioning pins arranged between the three members 40, 22, 45.

【0021】前記プローブカード21には、例えばプリ
ント基板等からなる基板46が上面に設けられており、
この基板46の中央部分には、下方に向かってほぼ垂直
に配置されるよう多数のプローブ針47が、半導体ウエ
ハ12上の半導体デバイスの電極パッドに対応して設け
られている。この場合、プローブ針47は、1つの半導
体デバイスの電極パットに対応して配設されていても、
また複数の半導体デバイスの電極パットに対応して配設
されていても良い。前記プローブ針47はカードホルダ
ー22の中央開口を通って垂直に下方に延びており、カ
ードホルダー22の下面より突設された円筒形のブロッ
クの下面より少し先端が突出している。このプローブカ
ード21の上面のプリント基板は、集合体23が装置本
体10に装填されたときにコンタクトリング41の下面
に突設されたコンタクトと電気的に接続され、この結
果、プリント基板、かくしてプローブ針47は前述した
テスタ43にテストヘッド42を介して電気的に接続さ
れる。
On the upper surface of the probe card 21, a substrate 46 made of, for example, a printed substrate is provided.
In the central portion of the substrate 46, a large number of probe needles 47 are provided so as to be arranged substantially vertically downward, corresponding to the electrode pads of the semiconductor device on the semiconductor wafer 12. In this case, even if the probe needle 47 is arranged corresponding to the electrode pad of one semiconductor device,
It may be arranged corresponding to the electrode pads of a plurality of semiconductor devices. The probe needle 47 extends vertically downward through the central opening of the card holder 22, and has a tip slightly protruding from the lower surface of a cylindrical block projecting from the lower surface of the card holder 22. The printed circuit board on the upper surface of the probe card 21 is electrically connected to the contacts provided on the lower surface of the contact ring 41 when the assembly 23 is loaded in the apparatus main body 10, and as a result, the printed circuit board, and thus the probe. The needle 47 is electrically connected to the tester 43 described above via the test head 42.

【0022】前記プローブカードーカードホルダーー集
合体23の上面には、メモリー手段48(第1の記憶手
段)並びに電気的接続手段49が、図5に示すように設
けられている。これらメモリー手段48並びに電気的接
続手段49は、この実施例ではカードホルダー22に設
けられているがプローブカード21の上面に設けられて
いても良い。メモリー手段48は、2つのメモリー素子
48aにより構成されており、好ましくは2つのEEP
ROMが使用される。一方のROM48aには試験の前
に設定したプローブカード21に関する各種情報が、ま
た他方のROM48aには試験によって書替えられるプ
ローブカード21に関する各種上方がそれぞれストアさ
れる。これら情報としては、載置台13のZ方向の移動
を制御するZ方向移動データの他、例えば、コンタクト
回数(トータル及びトリップ)、針の相対位置、プロー
ブカードのシリアルナンバー、プローブカードの種類、
ピン数、マルチ数、マルチロケーション、針研実行タイ
ミング・コンタクト回数、オーバードライブ許容値、コ
ンタクト後のスライド実施、針研実施、プローブカード
不良品の場合のアラーム及びリジェクトの実施等であ
る。Z方向移動データは、半導体ウエハ12を上に装填
したチャック32を上方に高速で移動させる距離or高
さHh並びにチャック32が所定の距離、即ち、高さH
上方に移動したときに駆動を静止させるための高さリミ
ットなどである。ここで、半導体デバイス、即ち素子の
テスト時には、チャック32の上方の移動は、従来技術
で記載したように、プローブカード21近く間で所定の
高さHhまで高速で行われ、その後低速で行われて、プ
ローブ針47と半導体素子の端子とが接触する高さHl
(コンタクトポイント)を検出したときに停止される。
なお、実際には、プローブ針47と半導体素子の電気パ
ッドとの電気的接触をより確実にするために、コンタク
トポイントよりも僅か上方で停止される(オーバドライ
ブ)。前記リミット距離Hは、H=高速距離Hh+低速
距離Hl+許容距離ΔHである。即ち、半導体ウエハが
所定距離H移動されても、コンタクトポイントが検知で
きないということは、半導体ウエハ12か、集合体23
のどちらかに異常が生じたということであり、測定を停
止させる必要があるということである。この高速距離H
hは、集合体23によって異なり、できるだけ半導体ウ
エハ12の上面とプローブ針47の下端との間の距離に
近く設定するのが操作時間の短縮の面で好ましいが、あ
まり近くすると、高速のまま両者が接触して破損する恐
れがあるので、半導体ウエハ12と集合体23の製造誤
差等を考慮して余裕を有して設定されている。この好ま
しい実施例では、Hhは約20mm、Hlは3〜4mm
に設定されている。
On the upper surface of the probe card-card holder assembly 23, memory means 48 (first storage means) and electrical connecting means 49 are provided as shown in FIG. The memory means 48 and the electrical connection means 49 are provided on the card holder 22 in this embodiment, but may be provided on the upper surface of the probe card 21. The memory means 48 is composed of two memory elements 48a, preferably two EEPs.
ROM is used. One ROM 48a stores various information about the probe card 21 set before the test, and the other ROM 48a stores various information about the probe card 21 rewritten by the test. The information includes, in addition to Z-direction movement data that controls movement of the mounting table 13 in the Z-direction, for example, the number of contacts (total and trip), relative position of the needle, probe card serial number, probe card type,
Number of pins, number of multis, multilocation, needlework execution timing and number of contacts, overdrive allowance, execution of slide after contact, execution of needlework, implementation of alarm and rejection in case of defective probe card. The Z-direction movement data includes the distance or height Hh at which the chuck 32 having the semiconductor wafer 12 loaded thereon is moved upward at high speed and the chuck 32 has a predetermined distance, that is, the height H.
For example, the height limit for stopping the drive when moving upward. Here, when testing a semiconductor device, that is, an element, the upward movement of the chuck 32 is performed at high speed up to a predetermined height Hh near the probe card 21 and then at low speed as described in the related art. The height Hl at which the probe needle 47 contacts the terminal of the semiconductor element.
Stopped when (contact point) is detected.
Actually, in order to secure the electrical contact between the probe needle 47 and the electrical pad of the semiconductor element, the probe needle 47 is stopped slightly above the contact point (overdrive). The limit distance H is H = high speed distance Hh + low speed distance Hl + allowable distance ΔH. That is, even if the semiconductor wafer is moved by a predetermined distance H, the contact point cannot be detected.
It means that an abnormality has occurred in either of the above, and it is necessary to stop the measurement. This high-speed distance H
It is preferable that h is set as close as possible to the distance between the upper surface of the semiconductor wafer 12 and the lower end of the probe needle 47 in order to shorten the operation time, but if it is too close, the speed remains high. Are likely to come into contact with each other and be damaged, so that they are set with a margin in consideration of manufacturing errors of the semiconductor wafer 12 and the assembly 23. In this preferred embodiment, Hh is about 20 mm and Hl is 3-4 mm.
Is set to.

【0023】前記電気的接続手段49は、複数のコンタ
クトホールよりなり、メモリー手段48に電気的に接続
していると共に、前記インサートリング40のプリント
基板40aに電気的に接続され、インサートリング40
の下面より突設したコンタクトピンが、集合体23の装
着時に挿入されて、これらと電気的に接触する。この結
果、集合体23が装置本体10に装着されると同時に、
メモリー手段48は、前記制御系44に電気的に接続さ
れる。
The electrical connecting means 49 comprises a plurality of contact holes, is electrically connected to the memory means 48, and is electrically connected to the printed circuit board 40a of the insert ring 40.
The contact pins projecting from the lower surface of are inserted when the assembly 23 is mounted and electrically contact with them. As a result, at the same time when the assembly 23 is attached to the apparatus main body 10,
The memory means 48 is electrically connected to the control system 44.

【0024】前記制御系44は、図6に示すようにメモ
リーを備えたCPU50を有する。このCPUには、Z
方向移動制御回路51と、X−Y方向移動制御回路52
と、θ方向移動制御回路53が、夫々接続されている。
これら制御回路は、図3に示す載置台13の移動を果た
す昇降機構54、駆動機構55並びに回転機構56に夫
々接続されている。この結果、このCPU50により、
前記メモリー手段48と、Z方向移動制御回路51と,
X−Y方向移動制御回路52と,θ方向移動制御回路5
3との間の後述する制御が果たされる。
The control system 44 has a CPU 50 having a memory as shown in FIG. This CPU has Z
Directional movement control circuit 51 and XY direction movement control circuit 52
And the θ direction movement control circuit 53 are connected to each other.
These control circuits are connected to an elevating mechanism 54, a driving mechanism 55, and a rotating mechanism 56, which move the mounting table 13 shown in FIG. 3, respectively. As a result, the CPU 50
The memory means 48, the Z-direction movement control circuit 51,
X-Y direction movement control circuit 52 and θ direction movement control circuit 5
The control described later with respect to 3 is performed.

【0025】次に、図8を参照して前記制御系44にる
載置台13の主の駆動制御を説明する。プローブカード
交換機16から集合体23を図示しない搬送機構により
インサートリング40の下方に搬送され、次に支持リン
グ45が上昇し、集合体23がインサートリング40と
支持リング45との間に挟持される。かくしてプローブ
カード21は.装置本体10に装填される(S1)。こ
のときに、集合体23のメモリー手段48はインサート
リング40のプリント基板40aを介して制御系44
に、また、プローブ針47はコンタクトリング41並び
にテストヘッド42を介してテスタ43に夫々接続され
る。この結果、メモリー手段48にストアされている高
速高さデータ(約20mm)はCPU50に入力される
(S2)。この次に、もしくはこれより前にオートロー
ダ15より最初の半導体ウエハ12がチャック32上に
搬送され、XYθのアラインメントが行われて、コンタ
クトリング41の直下に精度良く最初に検査される1つ
もしくは複数の半導体素子が位置付けられる。前記ステ
ップS2の読取り情報にもとずいて、CPU50からの
指令により、Z方向移動制御回路51を介して昇降機構
54は駆動され、チャック32、即ち半導体ウエハ12
は、高速距離Hh(約20mm)だけ高速で(10mm
/分〜20mm/分)上昇されプローブカード21のプ
ローブ針47の下端に接近される(S3)。続いて、チ
ャック32は低速で(500μm/秒)さらに上昇され
(S4)、約3〜4mm上昇した時点で、正常の時には
コンタクトポイントを検出する(S5)。このコンタク
トポイントの高さ情報はCPU50のメモリ(第2の記
憶手段)にストアされる(S6)。即ち、現在使用して
いるこのプローブカード21の高さ情報が制御系44側
にストアされる。この時のコンタクトポイントの検出
は、従来技術と同様に、半導体素子の電極パッドとプロ
ーブ針47との電気的接触により、これらの間に電流が
流れるのを検出することにより行われ得る。もし、この
チャック32の上昇がメモリー手段48にストアされて
いるリミット距離になると、制御系44は異常信号をZ
方向移動制御回路51に送り、昇降機構54の駆動を停
止させる(S7)。コンタクトポイントを検出すると、
チャック32は、さらに、低速で約50μm上昇され、
電極パッドとプローブ針47との電気的接触がより確実
にされる(S8)。この状態で、電極パットからの電気
的情報がプローブ針47等を介してテスタ43に出力さ
れ、この半導体素子の電気的特性の検査が行われる。検
査が終了すると、チャック32は低速で少し(約500
μm)下降され、プローブ針47はコンタクトポイント
から離される(S9)。そして、メモリー手段48にス
トアされている情報、もしくは予めCPU50にストア
されている情報にもとずき、半導体ウエハ12はX−Y
方向移動制御回路52並びに駆動機構55を介して載置
台13により次に試験される半導体素子がプローブ針4
7の真下にくるようにXY方向に移動される(S1
0)。そして、前記とほぼ同じ低速でチャック32は上
昇され(S11)、コンタクトポイントの検出が行われ
る(S12)。そして、この半導体素子の試験が実施さ
れる。このようなステップ(S8〜S12)が繰り返さ
れ、1枚の半導体ウエハ12に形成された全ての半導体
素子の試験が終了すると(S13)、コンタクト回数等
必要なデータがCPU50を介してメモリー手段48に
ストアされる。この後、この試験された半導体ウエハ1
2はオートローダ15に搬送され、代わりに2枚目の半
導体ウエハ12がチャック32上に搬送され前記ステッ
プと同様にXYθのアラインメントが行われる(S1
5)。前記ステップS6でストアされたコンタクトポイ
ント情報にもとずきCPU50で、高速高さHhの補正
が行われ、コンタクトポイントの少し下(約500μ
m)の位置まで高速高さHhが高く設定される。例え
ば、1枚目の半導体ウエハ12で、高速距離Hhが20
mmで、ここからコンタクトポイントまでの低速距離が
3mmであったとすると高速高さHhは20mm+(3
mm−500μm)に再設定される。この再設定値にも
とずいて、チャック32はコンタクトポイントの500
μm下まで、前記と同じ高速で上昇され(S16)、こ
の後は、コンタクトポイントの検出を行わせるために、
前記と同じ低速上昇される(S17)。この後は、前記
ステップS5〜S14と同様の工程を経て2枚目の半導
体ウエハ12の検査が行われる。この2枚目以後の半導
体ウエハ12の検査の場合には、1枚目の半導体ウエハ
12で得られたコンタクトポイントの高さ情報を使用す
るようにして、この情報の書込みは行わないようにして
も、また順次書き直すようにしても良い。
Next, the main drive control of the mounting table 13 by the control system 44 will be described with reference to FIG. The aggregate 23 is conveyed from the probe card exchanger 16 to a position below the insert ring 40 by a conveying mechanism (not shown), and then the support ring 45 moves up to sandwich the aggregate 23 between the insert ring 40 and the support ring 45. .. Thus, the probe card 21. The device body 10 is loaded (S1). At this time, the memory means 48 of the assembly 23 is controlled by the control system 44 via the printed board 40a of the insert ring 40.
In addition, the probe needle 47 is connected to the tester 43 via the contact ring 41 and the test head 42, respectively. As a result, the high speed height data (about 20 mm) stored in the memory means 48 is input to the CPU 50 (S2). Next or before this, the first semiconductor wafer 12 is transferred from the autoloader 15 onto the chuck 32, XYθ alignment is performed, and one or a plurality of parts are first inspected immediately below the contact ring 41 with high accuracy. The semiconductor element of is positioned. Based on the read information in step S2, the elevating mechanism 54 is driven via the Z-direction movement control circuit 51 by a command from the CPU 50, and the chuck 32, that is, the semiconductor wafer 12 is driven.
Is at high speed (10 mm) for high speed distance Hh (about 20 mm).
/ Minute to 20 mm / minute) to approach the lower end of the probe needle 47 of the probe card 21 (S3). Subsequently, the chuck 32 is further raised at a low speed (500 μm / sec) (S4), and when it is raised about 3 to 4 mm, the contact point is detected when it is normal (S5). The height information of this contact point is stored in the memory (second storage means) of the CPU 50 (S6). That is, the height information of the probe card 21 currently used is stored in the control system 44 side. The detection of the contact point at this time can be performed by detecting a current flowing between the electrode pad of the semiconductor element and the probe needle 47 by electrical contact, as in the conventional technique. If the ascent of the chuck 32 reaches the limit distance stored in the memory means 48, the control system 44 outputs an abnormal signal Z.
The signal is sent to the direction movement control circuit 51, and the driving of the lifting mechanism 54 is stopped (S7). When a contact point is detected,
The chuck 32 is further raised at a low speed by about 50 μm,
The electrical contact between the electrode pad and the probe needle 47 is made more reliable (S8). In this state, electrical information from the electrode pad is output to the tester 43 via the probe needle 47 or the like, and the electrical characteristics of this semiconductor element are inspected. When the inspection is completed, the chuck 32 moves slowly at a low speed (about 500
μm) and the probe needle 47 is separated from the contact point (S9). Then, based on the information stored in the memory means 48 or the information stored in the CPU 50 in advance, the semiconductor wafer 12 is XY.
The semiconductor element to be tested next by the mounting table 13 via the direction movement control circuit 52 and the drive mechanism 55 is the probe needle 4.
It is moved in the XY directions so that it is directly below 7 (S1
0). Then, the chuck 32 is lifted at the same low speed as above (S11), and the contact point is detected (S12). Then, the semiconductor device is tested. When the steps (S8 to S12) are repeated and the test of all the semiconductor elements formed on one semiconductor wafer 12 is completed (S13), necessary data such as the number of contacts is stored in the memory means 48 via the CPU 50. Stored in. After this, this tested semiconductor wafer 1
2 is transferred to the autoloader 15, and instead, the second semiconductor wafer 12 is transferred onto the chuck 32, and XYθ alignment is performed in the same manner as the above step (S1).
5). The high-speed height Hh is corrected by the CPU 50 based on the contact point information stored in step S6, and the high-speed height Hh is corrected slightly below the contact point (about 500 μm).
The high speed height Hh is set high up to the position m). For example, in the first semiconductor wafer 12, the high speed distance Hh is 20
mm, and if the low speed distance from this point to the contact point is 3 mm, the high speed height Hh is 20 mm + (3
mm-500 μm). Based on this reset value, the chuck 32 has a contact point of 500
Ascending at the same high speed as before (S16), and thereafter, in order to detect the contact point,
The speed is increased at the same low speed as above (S17). After this, the second semiconductor wafer 12 is inspected through the same steps as steps S5 to S14. In the case of inspecting the second and subsequent semiconductor wafers 12, the height information of the contact points obtained on the first semiconductor wafer 12 is used, and writing of this information is not performed. Alternatively, it may be sequentially rewritten.

【0026】上記のようなメモリー手段48が付加され
た集合体23と制御系44との組み合わせにより、半導
体ウエハ12とプローブ針47との接触を確実に防止で
きる範囲で最初の半導体ウエハ12のコンタクトポイン
トの測定にもとずいて、2枚目以後の半導体ウエハ12
の高速移動距離を長くすることができる。
The first contact of the semiconductor wafer 12 within the range in which the contact between the semiconductor wafer 12 and the probe needle 47 can be reliably prevented by the combination of the assembly 23 to which the memory means 48 is added as described above and the control system 44. Based on the point measurement, the second and subsequent semiconductor wafers 12
The high-speed moving distance can be increased.

【0027】図8は、他の実施例のプローブ装置の構成
を概略的に示すもので、前述の実施例と同一部分には同
一符号が付してある。この実施例では、集合体23に識
別標識の表示手段として、例えばバーコード60が設け
られている。一方、プローブ装置には、このバーコード
60を読み取って、識別標識を認識する手段としてバー
コードリーダ61が設けられており、さらに、バーコー
ド60から読み取った識別標識のプローブカードに関す
る情報を記憶するための記憶装置50bがCPU50a
とは別に設けられている。この記憶装置50bには、各
識別標識によって特定されるプローブカードに関する情
報として、少なくともプローブ針の高さに関する情報が
収容されている。
FIG. 8 schematically shows the structure of a probe apparatus according to another embodiment. The same parts as those in the above-mentioned embodiment are designated by the same reference numerals. In this embodiment, for example, a bar code 60 is provided on the aggregate 23 as a display means of the identification mark. On the other hand, the probe device is provided with a barcode reader 61 as a means for recognizing the identification mark by reading the barcode 60, and further stores information on the probe card of the identification mark read from the barcode 60. Storage device 50b for the CPU 50a
It is provided separately from. The storage device 50b stores at least information about the height of the probe needle as information about the probe card specified by each identification mark.

【0028】そして、プローブ装置は、集合体23のバ
ーコード60をバーコードリーダ61によって読み取
り、CPU50bがプローブカードを同定し、対応する
プローブ針の高さに関する情報を記憶装置50bから読
み出して、プローブ針先端のおおよその位置を認識し、
前述した実施例と同様にチャック32の上下方向の動作
を制御するように構成されている。このように構成され
た実施例においても、前述した実施例と同様な効果を得
ることができる。なお、識別標識の表示手段としては、
バーコード60と同様にアスキーコード等を、バーコー
ドリーダ31に換えて文字認識機構等を用いることがで
きる。
Then, the probe device reads the bar code 60 of the assembly 23 by the bar code reader 61, the CPU 50b identifies the probe card, reads the information about the height of the corresponding probe needle from the storage device 50b, and the probe device Recognizing the approximate position of the needle tip,
Similar to the above-described embodiment, it is configured to control the vertical movement of the chuck 32. Also in the embodiment configured in this way, it is possible to obtain the same effects as the above-described embodiments. In addition, as a display means of the identification mark,
As with the barcode 60, the ASCII code or the like may be replaced with the barcode reader 31 to use a character recognition mechanism or the like.

【0029】図9は、プローブカードに識別標識の表示
手段として、ジャンパー線70を設けた実施例を示すも
のである。すなわち、集合体23には複数のジャンパー
線70が設けられており、これらのジャンパー線70の
オープン、ショートの組み合わせによって識別標識を表
示するよう構成されている。また、プローブ装置には、
これらのジャンパー線70の状態を検出する検出機構7
1が設けられている。そして、CPU50aは、これら
のジャンパー線70の状態から前述した実施例と同様
に、対応するプローブ針の高さに関する情報を記憶装置
50bから読み出して、プローブ針の先端のおおよその
位置を認識し、前述した実施例と同様にチャック32の
上下方向の動作を制御するように構成されている。この
実施例でも、前述した実施例と同様な効果を得ることが
できる。
FIG. 9 shows an embodiment in which a jumper wire 70 is provided on the probe card as a means for displaying an identification mark. That is, the assembly 23 is provided with a plurality of jumper wires 70, and the identification mark is displayed by a combination of the open and short of the jumper wires 70. In addition, the probe device,
Detection mechanism 7 for detecting the states of these jumper wires 70
1 is provided. Then, the CPU 50a reads the information regarding the height of the corresponding probe needle from the storage device 50b from the state of these jumper wires 70 as in the above-described embodiment, and recognizes the approximate position of the tip of the probe needle, Similar to the above-described embodiment, the vertical movement of the chuck 32 is controlled. Also in this embodiment, the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.

【0030】なお、プローブカード手段23に設ける識
別標識の装置手段としては、上記の他に例えば所定領域
毎の透過光、反射光の組み合わせ、あるいは文字、数
字、記号等の組み合わせ等、固体を識別することができ
るものであればあらゆるものを使用することができる。
また、記憶装置50bには、プローブカードのプローブ
針の高さに関する情報の他に、前述したプローブカード
に関する各種の情報を収納しておき、これに従って各種
制御を行うことができる。
In addition to the above, the identification means provided on the probe card means 23 is, for example, a combination of transmitted light and reflected light for each predetermined area, or a combination of letters, numbers, symbols, etc. for identifying solids. Anything that can be used can be used.
In addition to the information about the height of the probe needle of the probe card, the storage device 50b stores various information about the probe card described above, and various controls can be performed according to the information.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプローブ
装置によれば、被検査体とプローブ針との衝突を確実に
防止することができ、被検査体およびプローブカード等
の破損を防止することができる。
As described above, according to the probe device of the present invention, it is possible to reliably prevent the collision between the object to be inspected and the probe needle, and to prevent the object to be inspected and the probe card from being damaged. be able to.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】従来のプローブ針の配置の相違による針先端の
高さ相違を説明するための図。
FIG. 1 is a view for explaining a difference in height of a needle tip due to a difference in arrangement of conventional probe needles.

【図2】本発明の一実施例のプローブ装置の全体この構
成を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing the overall configuration of a probe device according to an embodiment of the present invention.

【図3】図2に示す測定用載置台の構成を示す斜視図。FIG. 3 is a perspective view showing the configuration of the measurement mounting table shown in FIG.

【図4】図2に示すプローブ機構を示す図。FIG. 4 is a diagram showing the probe mechanism shown in FIG.

【図5】プローブ機構の一部を示す斜視図。FIG. 5 is a perspective view showing a part of a probe mechanism.

【図6】測定用載置台の制御系を示すブロック図。FIG. 6 is a block diagram showing a control system of a mounting table for measurement.

【図7】図6に示す制御系の制御のもとでのウエハの検
査を説明するフローチャート。
FIG. 7 is a flowchart illustrating a wafer inspection under the control of the control system shown in FIG.

【図8】他の実施例に係わるプローブ装置を説明するた
めの概略図。
FIG. 8 is a schematic diagram for explaining a probe device according to another embodiment.

【図9】さらに他の実施例に係わるプローブ装置を説明
するための概略図。
FIG. 9 is a schematic view for explaining a probe device according to still another embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…プローブ装置、12…半導体ウエハ、13…測定
用載置台、14…プローブ機構、21…プローブカー
ド、22…カードホルダー22、23…プローブカード
ーカードホルダー集合体、43…テスタ、44…制御
系、47…プローブ針、48…メモリー手段、50…C
PU
10 ... Probe device, 12 ... Semiconductor wafer, 13 ... Measurement mounting table, 14 ... Probe mechanism, 21 ... Probe card, 22 ... Card holder 22, 23 ... Probe card-card holder assembly, 43 ... Tester, 44 ... Control system , 47 ... Probe needle, 48 ... Memory means, 50 ... C
PU

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 プローブ針と、このプローブ針の高さ情
報を有する記憶素子とを有するプローブカード手段と、 このプローブカード手段の下方に被検査体を支持し、こ
の被検出体を垂直方向に移動可能な手段と、 前記プローブカード手段の記憶素子から読み取った情報
によって前記プローブカード手段のプローブ針の高さを
認識し、前記支持手段を被検査体とプローブ針先端の距
離を制御して接近させるように駆動することにより、被
検査体とプローブ針とをコンタクトさせる手段とを具備
するプローブ装置。
1. A probe card having a probe needle and a storage element having height information of the probe needle, an object to be inspected below the probe card means, and the object to be inspected in a vertical direction. The height of the probe needle of the probe card means is recognized based on the movable means and the information read from the storage element of the probe card means, and the supporting means is approached by controlling the distance between the DUT and the probe needle tip. A probe device comprising means for bringing an object to be inspected and a probe needle into contact with each other by driving so as to drive the probe needle.
【請求項2】 プローブ針と、このプローブ針の高さ情
報を有する記憶手段とを有するプローブカード手段と、 このプローブカード手段の下方に、複数の電極パッドを
備えた少くとも1つの半導体素子を有するウエハを支持
し、このウエハを垂直方向に移動可能な手段と、 前記プローブカード手段の記憶素子から読み取った情報
によって前記プローブカード手段のプローブ針の高さを
認識し、前記支持手段をウエハの電極パッドとプローブ
針先端の距離を制御して最初に高速で、次に低速で接近
させるように駆動して電極パッドをプローブ針にコンタ
クトポイントで接触させる手段とを具備するプローブ装
置。
2. A probe card means having a probe needle and a storage means having height information of the probe needle, and at least one semiconductor element having a plurality of electrode pads below the probe card means. The wafer having the wafer is supported and the height of the probe needle of the probe card means is recognized by means of the means capable of moving the wafer in the vertical direction and the information read from the storage element of the probe card means, and the supporting means A probe apparatus comprising: a means for controlling the distance between the electrode pad and the tip of the probe needle so that the electrode pad is brought into contact with the probe needle at a contact point by driving the electrode pad so that the probe pad approaches first at high speed and then at low speed.
【請求項3】 プローブ針と、このプローブ針の高さ情
報を有する第1の記憶手段とを有するプローブカード手
段と、 このプローブカード手段の下方に、位置され初期位置で
複数の電極パッドを備えた少くとも1つの半導体素子を
有するウエハが載置される支持手段と、 この支持手段を初期位置と検査位置との間で垂直方向に
移動させる駆動手段と、 前記プローブカード手段の記憶素子から読み取った情報
によって前記プローブカード手段のプローブ針の高さを
認識し、前記駆動手段を制御して支持手段を最初に第1
の距離を高速で、次に第2の距離を低速で検査位置に接
近させるように駆動して電極パッドをプローブ針にコン
タクトポイントで接触させる制御手段と、 前記最初のウエハでのコンタクトポイントの高さを検知
し、このコンタクトポイント高さ情報をストアする第2
の記憶手段と、 電極パットに接触したプローブ針を介して半導体素子を
検査する手段と、前記駆動手段により半導体素子の検査
の終わったウエハを支持した支持手段が初期位置に戻さ
れると支持手段から検査の終わったウエハを取り外すと
ともに、次に検査するウエハを支持手段に載置させる手
段と、を具備し、 前記制御手段は前記ストアされたコンタクトポイント高
さ情報にもとずいて、前記制御手段を制御して、前記第
1の距離よりも長い第2の距離で前記支持手段を高速で
プローブカード手段に接近させることを特徴とするプロ
ーブ装置。
3. A probe card means having a probe needle and a first storage means having height information of the probe needle, and a plurality of electrode pads located below the probe card means and in an initial position. A support means on which a wafer having at least one semiconductor element is placed, a drive means for vertically moving the support means between an initial position and an inspection position, and a storage element of the probe card means. The height of the probe needle of the probe card means is recognized by the information obtained, and the driving means is controlled to first set the supporting means first.
At a high speed and then a second distance at a low speed so as to approach the inspection position so as to bring the electrode pad into contact with the probe needle at a contact point, and a height of the contact point on the first wafer. Second, which detects the height and stores the height information of this contact point
Storage means, means for inspecting a semiconductor element via a probe needle that is in contact with the electrode pad, and support means for supporting the wafer on which the semiconductor element has been inspected by the driving means are returned to the initial position, and then the support means And a means for mounting a wafer to be inspected next on a supporting means while removing the inspected wafer, the control means based on the stored contact point height information, and the control means. Is controlled to cause the supporting means to approach the probe card means at a high speed at a second distance that is longer than the first distance.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007095753A (en) * 2005-09-27 2007-04-12 Tokyo Seimitsu Co Ltd Prober, prober contact method, and program therefor
JP2016217919A (en) * 2015-05-21 2016-12-22 株式会社ミウラ probe

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