JPH05194523A - Production of new crystal of chlorogallium phthalocyanine and electrophotographic photoreceptor produced by using the crystal - Google Patents

Production of new crystal of chlorogallium phthalocyanine and electrophotographic photoreceptor produced by using the crystal

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JPH05194523A
JPH05194523A JP2168292A JP2168292A JPH05194523A JP H05194523 A JPH05194523 A JP H05194523A JP 2168292 A JP2168292 A JP 2168292A JP 2168292 A JP2168292 A JP 2168292A JP H05194523 A JPH05194523 A JP H05194523A
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chlorogallium phthalocyanine
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Abstract

PURPOSE:To provide a process for the production of a new chlorogallium phthalocyanine crystal having a photo-sensitive wavelength range extended to a long-wavelength region and useful as a photo-conductive material for printer, etc., utilizing a semiconductor laser and to provide an electrophotographic photoreceptor containing the crystal. CONSTITUTION:New crystal of chlorogallium phthalocyanine having strong diffraction peaks at least at 7.4 deg., 16,6 deg., 25.5 deg. and 28.3 deg. (Bragg angle, 2theta+ or -0.2 deg.) in X-ray diffraction spectrum can be produced by mechanically crushing a chlorogallium phthalocyanine crystal and treating with an aromatic alcohol solvent. The electrophotographic photoeceptor is produced by covering an electrically conductive substrate with a photo-sensitive layer containing the chlorogallium phthalocyanine crystal. The electrophotographic photoreceptor containing the crystal in the photo-sensitive layer has high sensitivity, low residual charge, high charge-accumulation property and excellent durability.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、クロロガリウムフタロ
シアニンの新規な結晶の製造方法及びその結晶よりなる
光導電材料を用いた電子写真感光体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a novel crystal of chlorogallium phthalocyanine and an electrophotographic photoreceptor using a photoconductive material comprising the crystal.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、電子写真感光体における感光材料
としては、種々ものもが提案されており、そして、感光
層を電荷発生層と電荷輸送層とに分離した積層型の電子
写真感光体に関しても、電荷発生材料として種々の有機
化合物が提案されている。近年、従来提案された有機光
導電材料の感光波長域を近赤外線の半導体レーザーの波
長(780〜830nm )にまで伸ばし、レーザープリンター等
のデジタル記録用の感光体として使用することの要求が
高まっており、この観点から、スクエアリリウム化合物
(特開昭49−105536号及び同58−21416
号公報)、トリフェニルアミン系トリスアゾ化合物(特
開昭61−151659号公報)、フタロシアニン化合
物(特開昭48−34189号及び同57−14874
5号公報)等が、半導体レーザー用の光導電材料として
提案されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, various materials have been proposed as a photosensitive material for an electrophotographic photosensitive member, and a laminated electrophotographic photosensitive member in which a photosensitive layer is separated into a charge generating layer and a charge transporting layer. Also, various organic compounds have been proposed as charge generation materials. In recent years, there has been an increasing demand for extending the photosensitive wavelength range of conventionally proposed organic photoconductive materials to the wavelength (780 to 830 nm) of semiconductor lasers in the near-infrared region and using it as a photoconductor for digital recording such as laser printers. From this viewpoint, the squarylium compound (JP-A-49-105536 and JP-A-58-21416) is used.
JP-A No. 61-151659), phthalocyanine compounds (JP-A Nos. 48-34189 and 57-14874).
No. 5) has been proposed as a photoconductive material for semiconductor lasers.

【0003】半導体レーザー用感光材料として、有機光
導電材料を使用する場合は、まず、感光波長域が長波長
まで伸びていること、次に、形成される感光体の感度、
耐久性がよいことなどが要求される。前記の有機光導電
材料はこれらの諸条件を十分に満足するものではない。
これらの欠点を克服するために、前記の有機光導電材料
について、結晶型と電子写真特性の関係が検討されてお
り、特にフタロシアニン化合物については多くの報告が
出されている。
When an organic photoconductive material is used as a photosensitive material for a semiconductor laser, first, the photosensitive wavelength range is extended to a long wavelength, then, the sensitivity of the photosensitive member to be formed,
Good durability is required. The above-mentioned organic photoconductive material does not sufficiently satisfy these conditions.
In order to overcome these drawbacks, the relationship between the crystal type and the electrophotographic characteristics of the above-mentioned organic photoconductive material has been studied, and many reports have been made on phthalocyanine compounds.

【0004】一般に、フタロシアニン化合物は製造方法
や処理方法の違いにより幾つかの結晶型を示し、この結
晶型の違いはフタロシアニン化合物の光電変換特性に大
きな影響を及ぼすことが知られている。フタロシアニン
化合物の結晶型については、例えば、銅フタロシアニン
についてみると、安定系のβ型以外に、α、ε、π、
x、ρ、γ、δ等の結晶型が知られており、これらの結
晶型は、機械的歪力、硫酸処理、有機溶剤処理、熱処理
等により、相互に移転が可能であることが知られている
(例えば米国特許第2,770,629号、同第3,1
60,635号、同第3,708,292号及び同3,
357,989号明細書)。また、特開昭50−385
43号公報には、銅フタロシアニンの結晶型の違いと電
子写真特性について、α、β、γ及びε型の比較では、
ε型が最も高い感度を示すことが記載されている。
It is known that phthalocyanine compounds generally show several crystal types depending on the production method and treatment method, and the difference in the crystal types has a great influence on the photoelectric conversion characteristics of the phthalocyanine compound. Regarding the crystal form of the phthalocyanine compound, for example, looking at copper phthalocyanine, in addition to the stable β form, α, ε, π,
Crystal forms such as x, ρ, γ, and δ are known. It is known that these crystal forms can be transferred to each other by mechanical strain, sulfuric acid treatment, organic solvent treatment, heat treatment, or the like. (For example, US Pat. Nos. 2,770,629 and 3,1).
No. 60,635, No. 3,708,292 and No. 3,
357,989). In addition, JP-A-50-385
Japanese Patent Laid-Open No. 43-43, regarding the difference in crystal type of copper phthalocyanine and the electrophotographic characteristics, in comparison of α, β, γ and ε types,
It is described that the ε type exhibits the highest sensitivity.

【0005】また、クロロガリウムフタロシアニンに関
しては、電子写真学会誌,26(3) ,240(1987) に、特定
のブラッグ角度を有するクロロガリウムフタロシアニン
の結晶型について記載されているが、本発明のものとは
結晶型が異なるものであり、電子写真への応用について
の記載もない。一方、特開昭59−44053号公報、
信教技報CPM81−69,39(1981)等には、
電子写真への応用が記載され、また、特開平1−221
459公報には、特定のブラッグ角度を有するクロロガ
リウムフタロシアニン及びそれを用いた電子写真感光体
が記載されている。
Regarding the chlorogallium phthalocyanine, the crystal form of chlorogallium phthalocyanine having a specific Bragg angle is described in Journal of Electrophotography, 26 (3), 240 (1987). Has a different crystal form, and there is no description of application to electrophotography. On the other hand, JP-A-59-44053,
The Shinkyo Giho CPM 81-69, 39 (1981), etc.
Application to electrophotography is described, and JP-A-1-221
459 discloses a chlorogallium phthalocyanine having a specific Bragg angle and an electrophotographic photoreceptor using the same.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たクロロガリウムフタロシアニンに限らず、従来提案さ
れているフタロシアニン化合物は、感光材料として使用
した場合の光感度と耐久性の点が未だ十分満足のいくも
のではなく、また、その製造に際しても、結晶型の変換
操作が複雑であったり、結晶型の制御が難しいなどの問
題があった。
However, not only the above-mentioned chlorogallium phthalocyanines, but also the phthalocyanine compounds proposed hitherto have been sufficiently satisfactory in terms of photosensitivity and durability when used as a photosensitive material. Not only that, but also in the production thereof, there are problems that the crystal type conversion operation is complicated and the crystal type is difficult to control.

【0007】本発明は、従来の技術における上記のよう
な問題点に鑑みてなされたものである。すなわち、本発
明の目的は、クロロガリウムフタロシアニンの新規な結
晶の製造方法を提供することにある。また、本発明の他
の目的は、光導電材料として高い感度と優れた耐久性を
有するクロロガリウムフタロシアニンの新規な結晶を感
光層に含有する電子写真感光体を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above problems in the prior art. That is, an object of the present invention is to provide a method for producing a novel crystal of chlorogallium phthalocyanine. Another object of the present invention is to provide an electrophotographic photoreceptor containing a novel crystal of chlorogallium phthalocyanine as a photoconductive material, which has high sensitivity and excellent durability, in a photosensitive layer.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、フタロシ
アニン系光導電材料について鋭意研究した結果、合成に
よって得られる粗クロロガリウムフタロシアニンを機械
的に粉砕した後、結晶の成長を促す溶剤処理に付すと、
同じ結晶型でありながらも溶剤の種類により光導電材料
としての特性が全く異なってくることを見出したもので
あり、上記粗結晶を機械的に粉砕した後に特定の有機溶
剤で処理することによって得られるクロロガリウムフタ
ロシアニンの新規な結晶が、電子写真感光体用光導電材
料として非常に優れた性能を発現することを確認して、
本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、クロ
ロガリウムフタロシアニンを機械的に粉砕した後、芳香
族アルコール類を用いて処理することにより、X線回折
スペクトルにおけるブラッグ角度(2θ±0.2°)の
少くとも7.4°、16.6°、25.5°及び28.
3°に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシ
アニンの新規な結晶の製造方法にある。本発明は、ま
た、上記クロロガリウムフタロシアニンの新規な結晶を
含有する感光層を導電性支持体上に被覆してなる電子写
真感光体にある。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have earnestly studied phthalocyanine photoconductive materials, and as a result, after mechanically crushing crude chlorogallium phthalocyanine obtained by synthesis, a solvent treatment that promotes crystal growth was performed. When attached,
It was found that the characteristics as a photoconductive material were completely different depending on the type of solvent even though they were the same crystal type, and they were obtained by mechanically crushing the above crude crystals and then treating them with a specific organic solvent. It was confirmed that the novel crystal of chlorogallium phthalocyanine exhibited a very excellent performance as a photoconductive material for an electrophotographic photoreceptor,
The present invention has been completed. That is, according to the present invention, chlorogallium phthalocyanine is mechanically crushed and then treated with an aromatic alcohol so that the Bragg angle (2θ ± 0.2 °) in the X-ray diffraction spectrum is at least 7.4. °, 16.6 °, 25.5 ° and 28.
It is a method for producing a novel crystal of chlorogallium phthalocyanine having a strong diffraction peak at 3 °. The present invention also resides in an electrophotographic photosensitive member obtained by coating a conductive support with a photosensitive layer containing the novel crystal of chlorogallium phthalocyanine.

【0009】以下、本発明について詳述する。本発明で
用いるクロロガリウムフタロシアニンは、例えばフタロ
ニトリルまたはジイミノイソインドリンと三塩化ガリウ
ムとをα−クロロナフタレン、キノリン等の有機溶媒中
で反応させる公知の方法によって合成することができ
る。
The present invention will be described in detail below. The chlorogallium phthalocyanine used in the present invention can be synthesized, for example, by a known method in which phthalonitrile or diiminoisoindoline and gallium trichloride are reacted in an organic solvent such as α-chloronaphthalene or quinoline.

【0010】上記の方法で得られたクロロガリウムフタ
ロシアニンを機械的に粉砕する手段としては、自動乳
鉢、ニーダー、遊星型ボールミル、振動ボールミル、C
Fミル、ローラーミル等の装置を用いることができる
が、これらに限定されるものではない。また必要に応じ
て、食塩、ぼう硝等、磨砕後容易に除去可能な磨砕助剤
を併用することも可能である。
As means for mechanically pulverizing the chlorogallium phthalocyanine obtained by the above method, an automatic mortar, a kneader, a planetary ball mill, a vibrating ball mill, C
Devices such as F mills and roller mills can be used, but are not limited to these. If necessary, it is also possible to use a grinding aid that can be easily removed after grinding, such as sodium chloride and sodium sulfate.

【0011】本発明で用いる芳香族アルコール類として
は、ベンジルアルコール、フェネチルアルコール、α−
フェニルエチルアルコール、m−トリルカルビノール等
があげられる。溶剤処理において、クロロガリウムフタ
ロシアニン結晶と芳香族アルコール類の使用割合には特
に制限はないが、両者の接触効率を考慮すれば1:5〜
100の範囲が好ましい。また、クロロガリウムフタロ
シアニンと芳香族アルコール類との処理温度は、0℃〜
200℃、好ましくは20〜150℃の範囲である。処
理温度が高すぎるとフタロシアニンの一部が分解する恐
れがあり、一方、低すぎると結晶転換の進行に長時間を
要し実用的でない。処理時間は処理温度と芳香族アルコ
ール類の使用量によって決まるが、25℃の場合で12
〜50時間が好ましい。処理方法には特に制限がない
が、ガラスビーズ、スチールビーズ、アルミナビーズ等
の磨砕メディアと共にボールミル、アトライター、サン
ドミル等を用いる公知の方法で湿式ミルするかまたは撹
拌槽内で混合する方法が好ましい。
The aromatic alcohols used in the present invention include benzyl alcohol, phenethyl alcohol and α-
Examples thereof include phenylethyl alcohol and m-tolylcarbinol. In the solvent treatment, the use ratio of the chlorogallium phthalocyanine crystal and the aromatic alcohol is not particularly limited, but if the contact efficiency between the two is 1: 5:
A range of 100 is preferred. The treatment temperature of the chlorogallium phthalocyanine and the aromatic alcohol is 0 ° C to
The temperature is 200 ° C, preferably 20 to 150 ° C. If the treatment temperature is too high, part of the phthalocyanine may be decomposed, while if it is too low, it takes a long time for the crystal conversion to proceed, which is not practical. The treatment time depends on the treatment temperature and the amount of aromatic alcohol used.
~ 50 hours are preferred. The treatment method is not particularly limited, but a method of wet milling or mixing in a stirring tank by a known method using a ball mill, an attritor, a sand mill or the like together with grinding media such as glass beads, steel beads, and alumina beads is used. preferable.

【0012】以上のような処理方法において、前述した
クロロガリウムフタロシアニンが同じ結晶型でありなが
らも、溶剤の種類により光導電材料としての特性が全く
異なってくることについては、溶剤の種類により、不純
物に対する溶解力の差またはクロロガリウムフタロシア
ニン結晶に対する溶解力の差に基づく結晶の成長方向、
成長速度等の相違による結晶表面欠陥が微妙に異るもの
と推測される。そして、特に本発明の芳香族アルコール
類で処理して得られるクロロガリウムフタロシアニン結
晶は、X線回折スペクトルにおけるブラッグ角(2θ±
0.2°)が7.4°、16.6°、25.5°及び2
8.3°に強い回折ピークを有しており、後記の表1か
ら明らかなように、新規な電子写真感光体用光導電材料
として非常に優れた性能を発現する。
In the treatment method as described above, although the above-mentioned chlorogallium phthalocyanine has the same crystal type, the characteristics as a photoconductive material are completely different depending on the type of solvent. Direction of crystal growth based on the difference in the dissolving power to the chlorogallium phthalocyanine crystal,
It is presumed that the crystal surface defects are slightly different due to the difference in growth rate. In particular, the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained by treating with the aromatic alcohol of the present invention has a Bragg angle (2θ ± 2) in the X-ray diffraction spectrum.
0.2 °) is 7.4 °, 16.6 °, 25.5 ° and 2
It has a strong diffraction peak at 8.3 °, and as is clear from Table 1 described later, it exhibits very excellent performance as a novel photoconductive material for electrophotographic photoreceptors.

【0013】次に、上記のクロロガリウムフタロシアニ
ン結晶を感光層における光導電材料として使用した電子
写真感光体について説明する。本発明の電子写真感光体
は、感光層が単層構造のものでもあるいは電荷発生層と
電荷輸送層とに機能分離された積層構造のものでもよ
い。感光層が積層構造を有する場合において、電荷発生
層は上記クロロガリウムフタロシアニン結晶及び結着樹
脂から構成される。
Next, an electrophotographic photosensitive member using the above chlorogallium phthalocyanine crystal as a photoconductive material in the photosensitive layer will be described. The electrophotographic photosensitive member of the present invention may have a single-layered photosensitive layer or a laminated structure in which a charge generation layer and a charge transport layer are functionally separated. When the photosensitive layer has a laminated structure, the charge generation layer is composed of the chlorogallium phthalocyanine crystal and the binder resin.

【0014】結着樹脂は広範な樹脂から選択することが
でき、好ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラー
ル、ポリアリレート(ビスフェノールAとフタル酸の重
縮合体等)、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノ
キシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸
ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポリアミ
ド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン
樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドン等の絶縁性樹脂をあげること
ができる。また、ポリ-N- ビニルカルバゾール、ポリビ
ニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導電性
ポリマーから選択することもできる。
The binder resin can be selected from a wide range of resins. Preferred binder resins are polyvinyl butyral, polyarylate (polycondensate of bisphenol A and phthalic acid, etc.), polycarbonate, polyester, phenoxy resin, chloride. Insulating resins such as vinyl-vinyl acetate copolymer, polyvinyl acetate, acrylic resin, polyacrylamide, polyamide, polyvinyl pyridine, cellulosic resin, urethane resin, epoxy resin, casein, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone can be mentioned. .. It can also be selected from organic photoconductive polymers such as poly-N-vinylcarbazole, polyvinylanthracene and polyvinylpyrene.

【0015】電荷発生層は、上記結着樹脂を有機溶剤に
溶解した溶液にクロロガリウムフタロシアニン結晶を分
散させて塗布液を調製し、それを導電性支持体上に塗布
することによって形成することができる。その場合、使
用するクロロガリウムフタロシアニン結晶と結着樹脂と
の配合比(重量)は、40:1〜1:10、好ましくは
10:1〜1:4である。クロロガリウムフタロシアニ
ン結晶の比率が高すぎる場合には塗布液の安定性が低下
し、一方、低すぎる場合には感度が低下するので、上記
範囲に設定するのが好ましい。
The charge generation layer can be formed by dispersing a chlorogallium phthalocyanine crystal in a solution prepared by dissolving the above-mentioned binder resin in an organic solvent to prepare a coating solution, and coating the solution on a conductive support. it can. In that case, the compounding ratio (weight) of the chlorogallium phthalocyanine crystal used and the binder resin is 40: 1 to 1:10, preferably 10: 1 to 1: 4. If the ratio of the chlorogallium phthalocyanine crystals is too high, the stability of the coating solution will decrease, while if it is too low, the sensitivity will decrease, so it is preferable to set the above range.

【0016】使用する溶剤としては、後記の下引層ある
いは電荷輸送層を溶解しないものから選択するのが好ま
しい。具体的な有機溶剤としては、メタノール、エタノ
ール、イソプロパノール等のアルコール類、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド
等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル等のエーテル類、酢酸メチル、
酢酸エチル等のエステル類、塩化メチレン、クロロホル
ム、四塩化炭素、ジクロロエチレン、トリクロロエチレ
ン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、リグロイン等の鉱
油、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素
類、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族ハロ
ゲン化炭化水素類などを用いることができる。
The solvent used is preferably selected from those which do not dissolve the undercoat layer or charge transport layer described later. Specific organic solvents include alcohols such as methanol, ethanol and isopropanol, acetone,
Ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone,
N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and other amides, dimethyl sulfoxide and other sulfoxides, tetrahydrofuran, dioxane, ethylene glycol monomethyl ether and other ethers, methyl acetate,
Esters such as ethyl acetate, methylene chloride, chloroform, carbon tetrachloride, aliphatic halogenated hydrocarbons such as dichloroethylene and trichlorethylene, mineral oil such as ligroin, aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene, chlorobenzene and dichloroethylene. Aromatic halogenated hydrocarbons such as chlorobenzene can be used.

【0017】塗布液の塗布は、浸漬コーティング法、ス
プレーコーティング法、スピナーコーティング法、ビー
ドコーティング法、マイヤーバーコーティング法、ブレ
ードコーティング法、ローラーコーティング法、カーテ
ンコーティング法等のコーティング法を採用することが
できる。また、乾燥は、室温における指触乾燥後、30
〜200℃の温度で5分〜2時間の範囲で静止または送
風下で加熱乾燥する方法が好ましい。そして、電荷発生
層の膜厚は、通常0.05〜5μm程度になるように塗
布される。
The coating liquid may be applied by a dipping coating method, a spray coating method, a spinner coating method, a bead coating method, a Meyer bar coating method, a blade coating method, a roller coating method, a curtain coating method, or the like. it can. In addition, the drying is performed after touch drying at room temperature,
A method of heating and drying at a temperature of ˜200 ° C. for 5 minutes to 2 hours in a static state or under blowing air is preferable. Then, the charge generation layer is usually applied so as to have a thickness of about 0.05 to 5 μm.

【0018】電荷輸送層は電荷輸送材料及び結着樹脂よ
り構成される。電荷輸送材料としては、例えばアントラ
セン、ピレン、フェナントレン等の多環芳香族化合物、
インドール、カルバゾール、イミダゾール等の含窒素複
素環化合物、ピラゾリン化合物、ヒドラゾン化合物、ト
リフェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、
エナミン化合物、スチルベン化合物等、公知のものなら
ばいかなるものでも使用することができる。さらにま
た、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−
N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポ
リ−9−ビニルフェニルアントラセン、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルアクリジン、ポリビニルアセナフチレ
ン、ポリグリシジルカルバゾール、ピレン−ホルムアル
デヒド樹脂、エチルカルバゾール−ホルムアルデヒド樹
脂等の光導電性ポリマーがあげられ、これらはそれ自体
で層を形成してもよい。また、結着樹脂としては、前記
した電荷発生層に使用されるものと同様の絶縁性樹脂が
使用できる。
The charge transport layer is composed of a charge transport material and a binder resin. Examples of the charge transport material include polycyclic aromatic compounds such as anthracene, pyrene, and phenanthrene,
Nitrogen-containing heterocyclic compounds such as indole, carbazole and imidazole, pyrazoline compounds, hydrazone compounds, triphenylmethane compounds, triphenylamine compounds,
Any known compounds such as enamine compounds and stilbene compounds can be used. Furthermore, poly-N-vinylcarbazole, halogenated poly-
Examples include photoconductive polymers such as N-vinylcarbazole, polyvinylanthracene, poly-9-vinylphenylanthracene, polyvinylpyrene, polyvinylacridine, polyvinylacenaphthylene, polyglycidylcarbazole, pyrene-formaldehyde resin, and ethylcarbazole-formaldehyde resin. , They may form the layer by themselves. Further, as the binder resin, the same insulating resin as that used for the charge generation layer can be used.

【0019】電荷輸送層は、上記電荷輸送材料と結着樹
脂及び前記と同様の有機溶剤を用いて塗布液を調製した
後、前記と同様の方法で塗布して形成することができ
る。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比(重量)は、通
常5:1〜1:5の範囲で設定される。また、電荷輸送
層の膜厚は通常5〜50μm程度に設定される。
The charge transport layer can be formed by preparing a coating solution using the above charge transport material, a binder resin and the same organic solvent as described above, and then coating the same by the same method as described above. The compounding ratio (weight) of the charge transport material and the binder resin is usually set in the range of 5: 1 to 1: 5. The thickness of the charge transport layer is usually set to about 5 to 50 μm.

【0020】電子写真感光体が単層構造を有する場合に
おいては、感光層は前記のクロロガリウムフタロシアニ
ン結晶が電荷輸送材料を含む結着樹脂に分散された光導
電性の層よりなり、電荷輸送材料及び結着樹脂は前記と
同様の材料が使用される。その場合、電荷輸送材料と結
着樹脂との配合比(重量)は1:20〜5:1、クロロ
ガリウムフタロシアニン結晶と電荷輸送材料との配合比
(重量)は1:10〜10:1程度に設定するのが好ま
しく、前記と同様にして感光層が形成される。
In the case where the electrophotographic photoreceptor has a single layer structure, the photosensitive layer comprises a photoconductive layer in which the above-mentioned chlorogallium phthalocyanine crystal is dispersed in a binder resin containing a charge transporting material, and the charge transporting material is used. The same material as described above is used as the binder resin. In that case, the compounding ratio (weight) of the charge transport material and the binder resin is 1:20 to 5: 1, and the compounding ratio (weight) of the chlorogallium phthalocyanine crystal and the charge transport material is about 1:10 to 10: 1. Is preferably set, and the photosensitive layer is formed in the same manner as described above.

【0021】導電性支持体としては、電子写真感光体と
して使用することが公知のものならば、いかなるものも
使用することができる。
As the conductive support, any material can be used as long as it is known to be used as an electrophotographic photoreceptor.

【0022】本発明において、導電性支持体上に下引層
を形成してもよい。下引層は、導電性支持体からの不必
要な電荷の注入を阻止するために有効であり、感光層の
帯電性を高める作用がある。さらに感光層と導電性支持
体との密着性を高める作用もある。下引層を構成する材
料としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリ
ドン、ポリビニルピリジン、セルロースエーテル類、セ
ルロースエステル類、ポリアミド類、ポリウレタン類、
カゼイン、ゼラチン、ポリグルタミン酸、澱粉、スター
チアセテート、アミノ澱粉、ポリアクリル酸、ポリアク
リルアミド、ジルコニウムキレート化合物、ジルコニウ
ムアルコキシド化合物等の有機ジルコニウム化合物、チ
タニルキレート化合物、チタニルアルコキシド化合物等
の有機チタニル化合物、シランカップリング剤等があげ
られる。下引層の膜厚は0.05〜2μm程度に設定す
るのが好ましい。
In the present invention, an undercoat layer may be formed on the conductive support. The undercoat layer is effective for preventing unnecessary injection of electric charges from the conductive support, and has the function of enhancing the chargeability of the photosensitive layer. Further, it also has the function of enhancing the adhesion between the photosensitive layer and the conductive support. As the material constituting the undercoat layer, polyvinyl alcohol, polyvinyl pyrrolidone, polyvinyl pyridine, cellulose ethers, cellulose esters, polyamides, polyurethanes,
Organic zirconium compounds such as casein, gelatin, polyglutamic acid, starch, starch acetate, amino starch, polyacrylic acid, polyacrylamide, zirconium chelate compounds and zirconium alkoxide compounds, organic titanyl compounds such as titanyl chelate compounds and titanyl alkoxide compounds, silane cups Examples include ring agents. The thickness of the undercoat layer is preferably set to about 0.05 to 2 μm.

【0023】[0023]

【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。なお、実施例及び比較例において、「部」は重量
部を意味する。 クロロガリウムフタロシアニンの合成例 1,3−ジイミノイソインドリン30部及び三塩化ガリ
ウム9.1部をキノリン230部中に添加し、200℃
において3時間反応させた後、生成物を濾過し、アセト
ン、メタノールで洗浄し、次いで、湿ケーキを乾燥して
クロロガリウムフタロシアニン結晶28部を得た。得ら
れたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折
図を図1に示す。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples. In addition, in an Example and a comparative example, "part" means a weight part. Example of synthesis of chlorogallium phthalocyanine 30 parts of 1,3-diiminoisoindoline and 9.1 parts of gallium trichloride were added to 230 parts of quinoline and the temperature was adjusted to 200 ° C.
After reacting for 3 hours in, the product was filtered, washed with acetone and methanol, and then the wet cake was dried to obtain 28 parts of chlorogallium phthalocyanine crystals. The powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystal is shown in FIG.

【0024】実施例1 上記合成例で得られたクロロガリウムフタロシアニン3
0部を遊星型ボールミル(フリッシュ社製:P−5型)
で20mmφメノウボール200部、10mmφメノウ
ボール100部と共に20時間磨砕した。この磨砕した
クロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を
図2に示す。次いで、この結晶25部を1mmφガラス
ビーズ300部、ベンジルアルコール400部と共に室
温で12時間ボールミリングした後、濾別し、メタノー
ル500部で洗浄後、得られた湿ケーキを減圧乾燥して
クロロガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結
晶の粒径は約0.05〜0.15μm程度の極めて均一
な形状の整ったものであった。その粉末X線回折図を図
3に示す。
Example 1 Chlorogallium phthalocyanine 3 obtained in the above synthesis example
Part 0 is a planetary ball mill (Flish Co .: P-5 type)
20 mmφ agate balls (200 parts) and 10 mmφ agate balls (100 parts) were ground together for 20 hours. The powder X-ray diffraction pattern of this ground chlorogallium phthalocyanine crystal is shown in FIG. Next, 25 parts of this crystal was ball-milled with 300 parts of 1 mmφ glass beads and 400 parts of benzyl alcohol at room temperature for 12 hours, filtered, washed with 500 parts of methanol, and the obtained wet cake was dried under reduced pressure to obtain chlorogallium. A phthalocyanine crystal was obtained. The crystal size of the obtained crystal was about 0.05 to 0.15 μm, and the crystal had an extremely uniform shape. The powder X-ray diffraction pattern is shown in FIG.

【0025】実施例2 実施例1と同様の方法で磨砕したクロロガリウムフタロ
シアニン1.0部、ベンジルアルコール30部を200
ml反応フラスコ中で60℃、1.5時間撹拌した後、
結晶をメタノール50部で洗浄し、減圧乾燥してクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られた結晶の粒
径は約0.05〜0.15μm程度の極めて均一な形状
の整ったものであった。その粉末X線回折図を図4に示
す。
Example 2 200 parts of 1.0 part of chlorogallium phthalocyanine and 30 parts of benzyl alcohol ground in the same manner as in Example 1 were used.
After stirring in a ml reaction flask at 60 ° C. for 1.5 hours,
The crystal was washed with 50 parts of methanol and dried under reduced pressure to obtain a chlorogallium phthalocyanine crystal. The crystal size of the obtained crystal was about 0.05 to 0.15 μm, and the crystal had an extremely uniform shape. The powder X-ray diffraction pattern is shown in FIG.

【0026】実施例3 実施例1と同様の方法で磨砕したクロロガリウムフタロ
シアニン結晶20部を1mmφガラスビーズ250部、
m−トリルカルビノール350部と共に室温で12時間
ボールミリングした後、濾別し、メタノール500部で
洗浄後、得られた湿ケーキを減圧乾燥してクロロガリウ
ムフタロシアニン結晶を得た。得られたクロロガリウム
フタロシアニン結晶の粉末X線回折図を図5に示す。
Example 3 20 parts of chlorogallium phthalocyanine crystal ground by the same method as in Example 1 was added to 250 parts of 1 mmφ glass beads,
After ball milling at room temperature for 12 hours together with 350 parts of m-tolylcarbinol, it was filtered and washed with 500 parts of methanol, and the obtained wet cake was dried under reduced pressure to obtain chlorogallium phthalocyanine crystals. The powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystal is shown in FIG.

【0027】比較例1 実施例1と同様の方法で磨砕したクロロガリウムフタロ
シアニン結晶0.5部を1mmφガラスビーズ60部、
クロロベンゼン20部と共に室温で24時間ボールミリ
ングした後、濾別し、メタノール500部で洗浄後、得
られた湿ケーキを減圧乾燥してクロロガリウムフタロシ
アニン結晶を得た。得られたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶の粉末X線回折図を図6に示す。
Comparative Example 1 0.5 part of chlorogallium phthalocyanine crystal ground in the same manner as in Example 1 was added to 60 parts of 1 mmφ glass beads,
After ball milling with 20 parts of chlorobenzene at room temperature for 24 hours, the mixture was filtered and washed with 500 parts of methanol, and the obtained wet cake was dried under reduced pressure to obtain chlorogallium phthalocyanine crystals. The powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystal is shown in FIG.

【0028】比較例2 実施例1と同様の方法で磨砕したクロロガリウムフタロ
シアニン結晶25部を1mmφガラスビーズ300部、
ジメチルホルムアミド300部と共に室温で24時間ボ
ールミリングした後、濾別し、メタノール500部で洗
浄後、得られた湿ケーキを減圧乾燥してクロロガリウム
フタロシアニン結晶を得た。得られたクロロガリウムフ
タロシアニン結晶の粉末X線回折図を図7に示す。
Comparative Example 2 25 parts of chlorogallium phthalocyanine crystal ground in the same manner as in Example 1 was added with 300 parts of 1 mmφ glass beads,
After ball-milling with 300 parts of dimethylformamide for 24 hours at room temperature, it was filtered and washed with 500 parts of methanol, and the obtained wet cake was dried under reduced pressure to obtain chlorogallium phthalocyanine crystals. The powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystal is shown in FIG.

【0029】比較例3 実施例1と同様の方法で磨砕したクロロガリウムフタロ
シアニン結晶0.5部を1mmφガラスビーズ60部、
エチレングリコール20部と共に室温で20時間ボール
ミリングした後、濾別し、メタノール500部で洗浄
後、得られた湿ケーキを減圧乾燥してクロロガリウムフ
タロシアニン結晶を得た。得られたクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶の粉末X線回折図を図8に示す。
Comparative Example 3 0.5 part of chlorogallium phthalocyanine crystal ground in the same manner as in Example 1 was added to 60 parts of 1 mmφ glass beads,
After ball milling with 20 parts of ethylene glycol at room temperature for 20 hours, the mixture was filtered, washed with 500 parts of methanol, and the obtained wet cake was dried under reduced pressure to obtain chlorogallium phthalocyanine crystals. The powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystal is shown in FIG.

【0030】実施例4〜6 実施例1〜3でそれぞれ得られたクロロガリウムフタロ
シアニン結晶1部を、ポリビニルブチラール(積水化学
社製:エスレックBM−1)1部及びシクロヘキサノン
100部と混合し、ガラスビーズと共にペイントシェー
カーで1時間処理して分散させた後、得られた塗布液
を、浸漬コーティング法でアルミニウム基板上に塗布
し、100℃において5分間加熱乾燥し、膜厚0.2μ
mの電荷発生層を形成した。
Examples 4 to 6 1 part of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in each of Examples 1 to 3 was mixed with 1 part of polyvinyl butyral (Sekisui Chemical Co., Ltd .: S-REC BM-1) and 100 parts of cyclohexanone to prepare glass. After treatment with beads by a paint shaker for 1 hour to disperse, the obtained coating solution is applied on an aluminum substrate by a dip coating method, and dried by heating at 100 ° C. for 5 minutes to give a film thickness of 0.2 μm.
m charge generating layer was formed.

【0031】次に、下記構造式Next, the following structural formula

【化1】 で示されるN,N′−ジフェニル−N,N′−ビス−
(m−トリル)ベンジジン2部と
[Chemical 1] N, N'-diphenyl-N, N'-bis-
2 parts of (m-tolyl) benzidine

【0032】下記構造式The following structural formula

【化2】 で示されるポリ[1,1−ジ−(p−フェニレン)シク
ロヘキサンカーボネート]3部をクロロベンゼン20部
に溶解し、得られた塗布液を、電荷発生層が形成された
アルミニウム基板上に浸漬コーティング法で塗布し、1
20℃において1時間加熱乾燥し、膜厚20μmの電荷
輸送層を形成した。
[Chemical 2] 3 parts of poly [1,1-di- (p-phenylene) cyclohexanecarbonate] represented by are dissolved in 20 parts of chlorobenzene, and the obtained coating solution is applied onto an aluminum substrate on which a charge generation layer is formed by dip coating Apply with 1
It was heated and dried at 20 ° C. for 1 hour to form a charge transport layer having a film thickness of 20 μm.

【0033】以上のようにして作製された電子写真感光
体の電子写真特性を下記のようにして測定した。静電複
写紙試験装置(川口電機社製:EPA−8100)を用
いて、常温常湿(20℃、50%RH)の環境下に−6
KVのコロナ放電により感光体を帯電させた後、タング
ステンランプの光を、モノクロメーターを用いて800
nmの単色光に分光し、感光体表面上で1μW/cm2
になるように調整し、照射した。そして、その表面電位
が初期V0 (ボルト)の1/2になるまでの露光量E
1/2 (erg/cm2 )を測定し、その後10ルックス
のタングステン光を1秒間感光体表面上に照射し、残留
電位VR を測定した。さらに、上記の帯電、露光を10
00回繰り返した後のVO 、E1/2 、VR を測定した。
その結果を下記の比較例4〜6と併せて後記の表1に示
す。
The electrophotographic characteristics of the electrophotographic photosensitive member produced as described above were measured as follows. Using an electrostatic copying paper tester (Kawaguchi Electric Co., Ltd .: EPA-8100), the environment is kept at room temperature and normal humidity (20 ° C., 50% RH).
After charging the photoreceptor by KV corona discharge, the light from the tungsten lamp is used for 800 with a monochromator.
nm monochromatic light, 1 μW / cm 2 on the surface of the photoconductor
It was adjusted so that Then, the exposure amount E until the surface potential becomes half of the initial V 0 (volt)
The residual potential V R was measured by measuring 1/2 (erg / cm 2 ) and then irradiating the surface of the photoreceptor with 10 lux of tungsten light for 1 second. Furthermore, the above charging and exposure are performed for 10
After repeating 00 times, V O , E 1/2 and V R were measured.
The results are shown in Table 1 below together with Comparative Examples 4 to 6 below.

【0034】比較例4 比較例1で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
を用いた以外は、実施例4と同様の方法で電荷発生層と
電荷輸送層を形成し、作製された電子写真感光体を実施
例4と同様の方法で評価した。
Comparative Example 4 An electrophotographic photosensitive member produced by forming a charge generation layer and a charge transport layer in the same manner as in Example 4 except that the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Comparative Example 1 was used. Evaluation was carried out in the same manner as in Example 4.

【0035】比較例5 比較例2で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
を用いた以外は、実施例4と同様の方法で電荷発生層と
電荷輸送層を形成し、作製された電子写真感光体を実施
例4と同様の方法で評価した。
Comparative Example 5 An electrophotographic photosensitive member produced by forming a charge generation layer and a charge transport layer in the same manner as in Example 4 except that the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Comparative Example 2 was used. Evaluation was carried out in the same manner as in Example 4.

【0036】比較例6 比較例3で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
を用いた以外は、実施例4と同様の方法で電荷発生層と
電荷輸送層を形成し、作製された電子写真感光体を実施
例4と同様の方法で評価した。
Comparative Example 6 An electrophotographic photosensitive member produced by forming a charge generation layer and a charge transport layer in the same manner as in Example 4 except that the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Comparative Example 3 was used. Evaluation was carried out in the same manner as in Example 4.

【0037】[0037]

【表1】 [Table 1]

【0038】[0038]

【発明の効果】本発明は、機械的粉砕後に芳香族アルコ
ール類で処理するという簡便な製造方法でX線回折スペ
クトルにおける特定のブラッグ角に強いピークを有する
クロロガリウムフタロシアニンの新規な結晶を得ること
ができ、かつ、得られた結晶は、感光波長域が長波長ま
で伸びているため、半導体レーザーを利用するプリンタ
ー等の電子写真感光体用光導電材料として非常に有用で
ある。また、上記の結晶型を有するクロロガリウムフタ
ロシアニン結晶を用いて作製される本発明の電子写真感
光体は、前記表1から明らかなように、高感度で、残留
電位が低く、帯電性が高く、しかも、複写を繰り返しも
劣化し難いことから、高耐久性感光体として利用するこ
とができる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, a novel crystal of chlorogallium phthalocyanine having a strong peak at a specific Bragg angle in an X-ray diffraction spectrum can be obtained by a simple production method of treating with an aromatic alcohol after mechanical grinding. Since the obtained crystal has a photosensitive wavelength region extending to a long wavelength, it is very useful as a photoconductive material for an electrophotographic photoreceptor such as a printer using a semiconductor laser. Further, as is clear from Table 1 above, the electrophotographic photoreceptor of the present invention produced by using the chlorogallium phthalocyanine crystal having the above crystal form has high sensitivity, low residual potential, and high chargeability, Moreover, since it is less likely to deteriorate even after repeated copying, it can be used as a highly durable photoconductor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 合成例で得られたクロロガリウムフタロシア
ニンの粉末X線回折図を示す。
FIG. 1 shows a powder X-ray diffraction diagram of chlorogallium phthalocyanine obtained in a synthesis example.

【図2】 実施例1の磨砕されたクロロガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
2 shows a powder X-ray diffraction pattern of the ground chlorogallium phthalocyanine crystals of Example 1. FIG.

【図3】 実施例1で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を示す。
FIG. 3 shows a powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Example 1.

【図4】 実施例2で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を示す。
4 shows a powder X-ray diffraction diagram of the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Example 2. FIG.

【図5】 実施例3で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を示す。
5 shows a powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Example 3. FIG.

【図6】 比較例1で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を示す。
FIG. 6 shows a powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Comparative Example 1.

【図7】 比較例2で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を示す。
FIG. 7 shows a powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Comparative Example 2.

【図8】 比較例3で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を示す。
FIG. 8 shows a powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystal obtained in Comparative Example 3.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今井 彰 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼロ ックス株式会社竹松事業所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Akira Imai 1600 Takematsu, Minamiashigara City, Kanagawa Prefecture Fuji Xerox Co., Ltd. Takematsu Office

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 クロロガリウムフタロシアニンを機械的
に粉砕した後、芳香族アルコール類を用いて処理するこ
とを特徴とするX線回折スペクトルにおけるブラッグ角
度(2θ±0.2°)の少くとも7.4°、16.6
°、25.5°及び28.3°に強い回折ピークを有す
るクロロガリウムフタロシアニン結晶の製造方法。
1. A Bragg angle (2θ ± 0.2 °) in an X-ray diffraction spectrum of at least 7. characterized in that chlorogallium phthalocyanine is mechanically ground and then treated with aromatic alcohols. 4 °, 16.6
A method for producing a chlorogallium phthalocyanine crystal having strong diffraction peaks at °, 25.5 ° and 28.3 °.
【請求項2】 請求項1に記載のクロロガリウムフタロ
シアニン結晶を含有する感光層を導電性支持体上に被覆
してなることを特徴とする電子写真感光体。
2. An electrophotographic photosensitive member comprising a conductive support and a photosensitive layer containing the chlorogallium phthalocyanine crystal according to claim 1 coated on the conductive support.
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