DE4245029B4 - Electrophotographic photoreceptor - Google Patents

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Katsumi Minami-ashigara Nukada
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Abstract

Elektrophotographischer Photorezeptor, der einen elektroleitenden Träger mit einer darauf aufgebrachten lichtempfindlichen Schicht mit einem Gehalt an Chlorgalliumphthalocyaninkristallen mit ausgeprägten Beugungspeaks bei 7,4, 16,6°, 25,5° und 28,3° oder bei 6,8°, 17,3°, 23,6° und 26,9° oder bei 8,7° bis 9,2°, 17,6°, 24,0°, 27,4° und 28,8° des Bragg-Winkels (2 Theta ± 0,2) zu einer für CuKα charakteristischen Röntgenstrahlung umfaßt.Electrophotographic A photoreceptor comprising an electroconductive support having thereon Photosensitive layer containing Chlorgalliumphthalocyaninkristallen with pronounced Diffraction peaks at 7.4, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3 ° or at 6.8 °, 17.3 °, 23.6 ° and 26.9 ° or at 8,7 ° to 9.2 °, 17.6 °, 24.0 °, 27.4 ° and 28.8 ° of the Bragg angle (2 theta ± 0.2) to one for CuKα characteristic X-rays includes.

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft einen elektrophotographischen Photorezeptor unter Verwendung eines photoleitenden (photoconductive) Materials mit neuen Chlorgalliumphthalocyaninkristallen.The The present invention relates to an electrophotographic photoreceptor using a photoconductive material with new chlorogallium phthalocyanine crystals.

Bislang wurden verschiedene lichtempfindliche Materialien für elektrophotographische Photorezeptoren vorgeschlagen und für laminatartige elektrophotographische Photorezeptoren, bei denen die lichtempfindliche Schicht aus einer separaten Ladungserzeugungschicht und einer Ladungstransportschicht besteht, wurden verschiedene organische Verbindungen als ladungserzeugende Materialien vorgeschlagen.So far were various photosensitive materials for electrophotographic Photoreceptors proposed and for laminate electrophotographic Photoreceptors in which the photosensitive layer consists of a separate charge generation layer and a charge transport layer There were various organic compounds as charge-generating Materials proposed.

Seit kurzem besteht der Bedarf nach Ausdehnung der lichtempfindlichen Wellenlängenbereiche organischer photoleitender Materialien, die bis jetzt bis zu dem nahen infraroten Wellenlängenbereich von Halbleiterlasern (780 bis 830 nm) vorgeschlagen wurden sowie für den Gebrauch der Verbindungen als Photorezeptoren für digitale Aufzeichnungssysteme, wie z. B. Laserdrucker. Von diesem Standpunkt wurden Squaliliumverbindungen (wie z. B. in JP-A-49-105536 offenbart), Triphenyltriazoverbindungen (wie z. B. in JP-A-61-151659 offenbart) und Phthalocyaninverbindungen (wie z. B. in JP-A-57-148745 offenbart) als photoleitende Materialien für Halbleiterlaser vorgeschlagen. (Der Ausdruck JP-A, der hier verwendet wird, bedeutet ungeprüfte veröffentlichte japanische Patentanmeldung.)Recently, there has been a demand for extending the photosensitive wavelength ranges of organic photoconductive materials proposed heretofore to the near infrared wavelength range of semiconductor lasers (780 to 830 nm) and the use of the compounds as photoreceptors for digital recording systems, such as e.g. B. laser printer. From this point of view, squalilium compounds (such as in JP-A-49-105536 disclosed), triphenyl triazo compounds (such as in JP-A-61-151659 disclosed) and phthalocyanine compounds (such as in JP-A-57-148745 disclosed) as photoconductive materials for semiconductor lasers proposed. (The term JP-A used herein means unexamined published Japanese patent application.)

Wo organische photoleitende Materialien als lichtempfindliche Materialien für Halbleiterlaser verwendet werden, werden sie dazu gebraucht, die Bedingungen, daß der lichtempfindliche Wellenlängenbereich auf einen großen Wellenlängenbereich ausgedehnt ist, und daß die Empfindlichkeit und Haltbarkeit der daraus gebildeten Photorezeptoren gut ist, zu erfüllen. Die oben genannten organischen photoleitenden Materialien erfüllen nicht ausreichend diese Bedingungen. Um die verschiedenen Nachteile der bekannten photoleitenden Materialen zu überwinden, wurden verschiedene Materialien im Hinblick auf den Zusammenhang zwischen der Kristallstruktur und den elekrophotographischen Eigenschaften untersucht. Insbesondere betreffen viele Veröffentlichungen Phthalocyaninverbindungen, die bis jetzt offenbart wurden.Where organic photoconductive materials as photosensitive materials for semiconductor lasers used, they are used to the conditions that the photosensitive Wavelength range on a big one Wavelength range is extended, and that the Sensitivity and durability of the photoreceptors formed therefrom good to meet. The above-mentioned organic photoconductive materials do not satisfy sufficient these conditions. To the various disadvantages of To overcome known photoconductive materials have been various Materials with regard to the relationship between the crystal structure and the electrophotographic properties. Especially affect many publications Phthalocyanine compounds disclosed so far.

Es ist allgemein bekannt, daß Phthalocyaninverbindungen verschiedene Kristallstrukturen bilden, die von den unterschiedlichen Herstellungsverfahren und Behandlungsverfahren abhängen, und daß der Unterschied in der Kristallstruktur einen großen Einfluß auf die photoelektrischen Umwandlungseigenschaften der Phthalocyaninverbindungen hat. Hinsichtlich der Kristallstrukturen der Phthalocyaninverbindungen, z. B. im Hinblick auf Kupferphthalocyanin, sind verschiedene alpha-, pi-, chi-, rho-, gamma- und delta- Kristallstrukturen zusätzlich zu der stabilen beta-Kristallstruktur bekannt. Es ist ebenfalls bekannt, daß diese Kristallstrukturen wechselseitig ineinander durch mechanische Spannungskraft, durch Schwefelsäurebehandlung, durch Behandlung mit organischen Lösungsmitteln oder durch Hitzebehandlung über führbar sind (vergl. z. B. die US-PSen 3 160 635 A , 3 708 292 A und 3 357 989 A ). In der JP-A-50-38543 wird der Unterschied zwischen der Kristallstruktur eines Kupferphthalocyanins und dessen elektrophotographischen Eigenschaften beschrieben. Hier wird erwähnt, daß die epsilon-Kristallstrukur des Kupferphthalocyanins die höchste Empfindlichkeit im Vergleich zu dessen anderen Kristallen mit alpha-, beta- und gamma- Strukturen hat.It is well known that phthalocyanine compounds form various crystal structures depending on the various production methods and processing methods, and that the difference in crystal structure has a great influence on the photoelectric conversion properties of the phthalocyanine compounds. With regard to the crystal structures of the phthalocyanine compounds, e.g. With respect to copper phthalocyanine, various alpha, pi, chi, rho, gamma and delta crystal structures are known in addition to the stable beta crystal structure. It is also known that these crystal structures are mutually interchangeable by mechanical stress force, by sulfuric acid treatment, by treatment with organic solvents or by heat treatment (see, for example, US Pat U.S. Patents 3,160,635A . 3 708 292 A and 3 357 989 A ). In the JP-A-50-38543 the difference between the crystal structure of a copper phthalocyanine and its electrophotographic properties will be described. Here it is mentioned that the epsilon crystal structure of copper phthalocyanine has the highest sensitivity compared to its other crystals having alpha, beta and gamma structures.

Hinsichtlich des Chlorgalliumphthalocyanins werden in Denshishashin Gakkaishi (Journal of Elektrophotographic Society) Vol. 26(3), 240 (1987) Kristallstrukturen des Chlorgalliumphthalocyanins mit besonderen Bragg-Winkeln beschrieben. Jedoch weichen die offenbarten Kristalle von den neuen Kristallstrukturen der vorliegenden Anmeldung im Hin blick auf deren Kristallstrukturen ab und des weiteren gibt die Veröffentlichung keinen Hinweis auf die Verwendung der offenbarten Kristalle in der Elektrophotographie. In JP-A-59-44053 und einem Bulletin in Shinkyo Gihoh CPM81-69, 39 (1981) wird die Verwendung von Chlorgalliumphthalocyaninkristallen in der Elektrophotographie beschrieben und in der JP-A-1-221459 werden Chlorgalliumphthalocyaninkristalle mit besonderen Bragg-Winkeln und ein elektrophotographischer Photorezeptor unter deren Verwendung beschrieben.With regard to chlorogallium phthalocyanine, in Denshishashin Gakkaishi (Journal of Electrophotographic Society) Vol. 26 (3), 240 (1987) Crystal structures of Chlorgalliumphthalocyanins described with special Bragg angles. However, the disclosed crystals deviate from the novel crystal structures of the present application in view of their crystal structures, and further, the publication gives no indication of the use of the disclosed crystals in electrophotography. In JP-A-59-44053 and a bulletin in Shinkyo Gihoh CPM81-69, 39 (1981) For example, the use of chlorogallium phthalocyanine crystals is described in electrophotography, and in U.S. Pat JP-A-1-221459 For example, chlorogallium phthalocyanine crystals having particular Bragg angles and an electrophotographic photoreceptor using the same are described.

Des weiteren sind nicht nur die oben genannten Chlorgalliumphthalocyanine, sondern auch die Phthalocyaninverbindungen, die bisher vorgeschlagen wurden, nicht ausreichend im Hinblick auf die Lichtempfindlichkeit und Haltbarkeit, wenn sie als lichtempfindliche Materialien verwendet werden. Zusätzlich in Bezug auf deren Herstellung, gibt es weitere Probleme, derart, daß der Vorgang der Umwandlung ihrer Kristallstrukturen kompliziert und beschwerlich und die Kontrolle ihrer Kristallstrukturen schwierig ist.Of others are not only the chlorogallium phthalocyanines mentioned above, but also the phthalocyanine compounds previously proposed were not sufficient in terms of photosensitivity and durability when used as photosensitive materials become. additionally in terms of their manufacture, there are other problems, such that the Process of transforming their crystal structures complicated and arduous and the control of their crystal structures difficult is.

Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf die oben erwähnten Probleme des bekannten Standes der Technik gemacht.The The present invention has been made in view of the above-mentioned problems made of the known prior art.

Es ist Aufgabe des vorliegenden Erfindung einen elektrophotographischen Photorezeptor unter Verwendung eines photoleitenden Materials bereitzustellen, das neue Chlorgalliumphthalocyaninkristalle mit hoher Empfindlichkeit und exzellenter Haltbarkeit umfaßt.It Object of the present invention is an electrophotographic To provide a photoreceptor using a photoconductive material, the new chlorogallium phthalocyanine crystals with high sensitivity and excellent durability.

Als ein Ergebnis der Untersuchungen wurde gefunden, daß neue Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die eine hohe Empfindlichkeit und Haltbarkeit als photoleitendes Material haben, erhalten werden können, durch Anwendung einer einfachen Behandlung der durch Synthese erhaltenen Chlorgalliumphthalocyanine. Auf der Grundlage dieser Erkenntnis wurde die vorliegende Erfindung vervollständigt.When As a result of the investigations, it was found that new chlorogallium phthalocyanine crystals, a high sensitivity and durability as a photoconductive material have, can be obtained by Application of a simple treatment of the obtained by synthesis Chlorgalliumphthalocyanine. On the basis of this knowledge the present invention has been completed.

Die vorliegende Erfindung betrifft Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die unterschiedliche Beugungsspecks bei besonderen Winkeln des Bragg-Winkels (2 Theta ± 0.2) zu einer CuKα charakteristischen Röntgenstrahlung besitzen.The The present invention relates to chlorogallium phthalocyanine crystals, the different diffraction specks at particular angles of the Bragg angle (2 theta ± 0.2) characteristic of a CuKα X-rays have.

Die besonderen Winkel wurden ausgewählt aus den folgenden Gruppen (i), (ii) und (iii):

  • (i) 7,4°, 16,6°, 25,5° und 28,3°;
  • (ii) 6,8°, 17,3°, 23,6° und 26,9°; und
  • (iii) 8,7–9,2°, 17,6°, 24,0°, 27,4° und 28,8°.
The particular angles were selected from the following groups (i), (ii) and (iii):
  • (i) 7.4 °, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3 °;
  • (ii) 6.8 °, 17.3 °, 23.6 ° and 26.9 °; and
  • (iii) 8.7-9.2 °, 17.6 °, 24.0 °, 27.4 ° and 28.8 °.

Die Erfinder haben Verfahren zur Herstellung photoleitender Phthalocyaninverbindungen untersucht und gefunden, daß, wenn unreines Chlorgalliumphthalocyanin, wie es bei der Synthese erhalten wird, mechanisch zerrieben wird und dann mit einem Lösungsmittel behandelt wird, welches das Wachstum der Kristalle beschleunigt, die resultierenden Kristalle, obwohl sie die gleiche Kristallstruktur haben, als photoleitende Verbindung völlig unterschiedliche Eigenschaften gemäß der Art des verwendeten Lösungsmittel haben. Es wurde des weiteren bestätigt, daß die neuen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die durch mechanisches Zerreiben der rohen Kristalle, gefolgt von ihrer Behandlung mit einem besonderen organischen Lösungsmittel, erhalten wurden, eine außergewöhnlich exzellente Kapazität als photoleitende Materialien und als elektrophotographische Photorezeptoren offenbaren. Dies wird in der vorliegenden Erfindung vervollständigt.The Inventors have developed methods for producing photoconductive phthalocyanine compounds examined and found that if impure chlorogallium phthalocyanine, as in the synthesis is obtained, mechanically rubbed and then with a solvent is treated, which accelerates the growth of the crystals, the resulting crystals, although they have the same crystal structure have, as a photoconductive compound completely different properties according to the Art the solvent used to have. It was further confirmed that the new chlorogallium phthalocyanine crystals, by mechanical grinding of the raw crystals, followed by their treatment with a special organic solvent, were received, an exceptionally excellent capacity as photoconductive materials and as electrophotographic photoreceptors reveal. This is completed in the present invention.

Die vorliegende Erfindung betrifft einen elektrophotographischen Photorezeptor, der einen elektroleitenden Träger mit einer darauf aufgebrachten lichtempfindlichen Schicht umfaßt, in der die oben genannten Chlorgalliumphthalocyaninkristalle enthalten sind.The The present invention relates to an electrophotographic photoreceptor. an electroconductive support with a photosensitive layer applied thereon, in which contain the above-mentioned chlorogallium phthalocyanine crystals are.

1 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in dem Synthesebeispiel erhalten wurden. 1 Fig. 12 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in the Synthesis Example.

2 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in Beispiel 1 erhalten wurden. 2 Fig. 12 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 1.

3 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in Beispiel 2 erhalten wurden. 3 Fig. 11 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 2.

4 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Chlorgaliumphthalocyaninkristalle, die in Beispiel 3 erhalten wurden. 4 Fig. 12 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogalium phthalocyanine crystals obtained in Example 3.

5 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in Beispiel 4 erhalten wurden. 5 Fig. 11 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 4.

6 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in Beispiel 5 erhalten wurden. 6 Fig. 12 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 5.

7 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Chlorgalliumphthalocyaninkristallle, die in Beispiel 11 erhalten wurden. 7 Fig. 12 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 11.

8 und 9 zeigen jeweils das Infrarotabsorptionsspektrum und das im sichtbaren und nahen Infrarotbereich liegende Ab sorptionsspektrum der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in Beispiel 3 erhalten wurden. 8th and 9 show in each case the infrared absorption spectrum and lying in the visible and near infrared range absorption spectrum of Chlorgalliumphthalocyaninkristalle obtained in Example 3.

10 und 11 zeigen jeweils das Infrarotabsorptionsspektrum und das im sichtbaren und nahen Infrarotbereich liegende Absorptionsspektrum der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in Beispiel 5 erhalten wurden. 10 and 11 show, respectively, the infrared absorption spectrum and the visible and near infrared absorption spectrum of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 5.

12 und 13 zeigen das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in Beispiel 12 erhalten wurden. 12 and 13 show the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 12.

14 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in Beispiel 13 erhalten wurden. 14 Fig. 12 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 13.

15 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in Beispiel 14 erhalten wurden. 15 Fig. 12 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 14.

16 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in Vergleichsbeispiel 2 erhalten wurden. 16 Fig. 11 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Comparative Example 2.

17 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in Vergleichsbeispiel 3 erhalten wurden. 17 Fig. 11 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Comparative Example 3.

18 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in Vergleichsbeispiel 4 erhalten wurden. 18 Fig. 11 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Comparative Example 4.

19 und 20 zeigen jeweils das Infrarotabsorptionsspektrum und das im sichtbaren und nahen Infrarotbereich liegende Absorptionsspektrum der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in Beispiel 12 erhalten wurden. 19 and 20 show respectively the infrared absorption spectrum and the visible and near infrared absorption spectrum of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 12.

Das in der vorliegenden Erfindung verwendete Chlorgalliumphthalocyanin wird durch die Formel (I) dargestellt:

Figure 00060001
The chlorogallium phthalocyanine used in the present invention is represented by the formula (I):
Figure 00060001

Verfahren zur Herstellung der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle der vorliegenden Erfindung sind im einzelnen nicht definiert und die Kristalle können z. B. hergestellt werden durch bekannte Verfahren zur Herstellung von Phthalocyanin, die weiter unten erwähnt werden.method for the preparation of the chlorogallium phthalocyanine crystals of the present invention Invention are not defined in detail and the crystals may, for. Example, be prepared by known methods for the preparation of Phthalocyanine, which are mentioned below.

Beispiele von bekannten Verfahren zur Herstellung von Phthalocyanin schließen ein Phthalodinitrilverfahren unter Erhitzen und Schmelzen eines Phthalodinitrils und eines Metallchlorids oder deren Erhitzen in der Anwesenheit eines organischen Lösungsmittels; ein Weiller-Verfahren unter Erhitzen und Schmelzen eines Phthalsäureanhydrids zusammen mit einem Harnstoff und einem Metallchlorid oder deren Erhitzen in einem organischem Lösungsmittel; ein Verfahren durch Reaktion von Cyanobenzamid und einem Metallsalz bei hoher Temperatur; ein Verfahren durch Reaktion eines Dilithiumphthalocyanins und eines Metallsalzes und ähnliche Verfahren, ein.Examples known processes for the production of phthalocyanine include Phthalodinitrile method with heating and melting of a phthalodinitrile and a metal chloride or its heating in the presence an organic solvent; a Weiller method with heating and melting a phthalic anhydride together with a urea and a metal chloride or their Heating in an organic solvent; a method by reaction of cyanobenzamide and a metal salt at high temperature; a method by reaction of a dilithium phthalocyanine and a metal salt and the like Procedure, a.

Organische Lösungsmittel, die bei diesen Verfahren verwendet werden, sind vorzugsweise inerte Lösungsmittel mit einem hohen Siedepunkt wie α-Chlornaphthalin, β-Chlornaphthalin, α-Methylnaphthalin, Methoxynaphthalin, Diphenylethan, Ethylenglykol, Dialkylester, Quinolin, Sulfuran, Dichlorbenzol oder Dichiortoluol. Chlorgalliumcyanin der vorliegenden Erfindung kann synthetisiert werden z. B. durch Erhitzen von Phthalodinitril und Galliumchlorid in einem der oben genannten organischen Lösungsmittel bei 150 bis 300°C unter Rühren. Anstatt des Phtalodinitrils können Indolinverbindungen wie Diiminoisoindolin oder Indoleninverbindungen wie 1-Amino-3-iminoisoindolenin verwendet werden.organic Solvent, used in these processes are preferably inert solvent with a high boiling point such as α-chloronaphthalene, β-chloronaphthalene, α-methylnaphthalene, Methoxynaphthalene, diphenylethane, ethylene glycol, dialkyl ester, quinoline, Sulfurane, dichlorobenzene or dichlorotoluene. Chlorogallium cyanine present invention can be synthesized, for. B. by heating of phthalonitrile and gallium chloride in any of the above organic solvents at 150 to 300 ° C with stirring. Instead of the phthalodinitrile can Indoline compounds such as diiminoisoindoline or indolenine compounds such as 1-amino-3-iminoisoindolenine be used.

Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die mit den oben erwähnten Verfahren hergestellt werden, haben oft eine beträchtliche Korngröße und müssen deshalb zerkleinert werden. Die Herstellung von feinen Kristallen kann durch eine mechanische Behandlung wie Zerreiben oder durch eine chemische Behandlung wie Säure-Leim oder Säure-Schlamm Verfahren erreicht werden. Zwei oder mehrere der Verfahren können kombiniert werden. Um Chlorgalliumphthalocyaninkristalle mit den oben erwähnten Röntgenstrahlbeugungspeaks der vorliegenden Erfindung zu erhalten, werden die erhaltenen Kristalle in einer automatischen Mörtelmühle, einer Planetrührmühle, einer Schüttelschwingmühle, einer CF-Mühle oder einer Mahlmühle im trockenen Zustand gemahlen, und danach gegebenenfalls in einem Lösungsmittel zusammen mit den Zerreibemedien im nassen Zustand zerrieben.chlorogallium phthalocyanine crystals, those with the ones mentioned above Processes often have a considerable amount Grain size and must therefore be crushed. The production of fine crystals can by a mechanical treatment such as grinding or by a chemical Treatment like acid glue or acid mud Procedure can be achieved. Two or more of the methods can be combined. To chlorogallium phthalocyanine crystals having the above-mentioned X-ray diffraction peaks to obtain the present invention, the obtained crystals in an automatic mortar mill, a Planetrührmühle, a Shaking vibrating mill, one CF mill or a grinding mill ground in the dry state, and then optionally in one solvent grated when wet together with the frying media.

Die Chlorogalliumphthalocyaninkristalle der vorliegenden Erfindung haben vorzugsweise eine primäre Korngröße von 0,3 μm oder weiniger. Falls gewünscht, kann eine Reibehilfe wie Natriumchlorid oder Glaubersalz benutzt werden.The Chlorogallium phthalocyanine crystals of the present invention preferably a primary grain size of 0.3 microns or weiniger. If desired, can use a rehab aid such as sodium chloride or Glauber's salt become.

Es können beim Zerreibeverfahren im nassen Zustand Reibemedien benutzt werden, wie Glas-, Stahl- oder Tonerdekügelchen, die im allgemeinen für diesen Zweck verwendet werden.It can when rubbing in the wet state friction media are used, like glass, steel or alumina beads, which in general for be used for this purpose.

Beispiele für Lösungsmittel, die beim Zerreibevorgang im nassen Zustand verwendet werden, beinhalten aromatische Lösungsmittel wie Toluol oder Chlorbenzol, Amide wie DMF der N-Methylpyrrolidon, alkoholische Lösungsmittel wie Methanol, Ethanol und n-Butanol, mehrwertige Alkohole wie Ethylenglykol, Glyzerin oder Polyethylenglykol, Ketone wie Cyclohexanon oder Methylethylketon, halogenierte Lösungsmittel wie Methylenchiorid, sowie wässrige und etherische Lösungsmittel. Ein einzelnes dieser oder ein Gemisch von zwei oder mehreren dieser Lösungsmittel kann für die vorliegende Erfindung verwendet werden. Beispiele für die Zerreibungs- und Mahlvorrichtungen schließen eine Schüttelmühle, eine Reibe, eine Mahlmühle, eine Sandmühle und einen Homomixer ein, jedoch ist diese Aufzählung nicht beschränkend. Die Menge an Lösungsmittel, die verwendet wird, reicht von 1 bis 200 Tei len, vorzugsweise von 10 bis 100 Teilen auf 1 Teil Chlorgalliumphthalocyanin.Examples for solvents, used in the wet grinding process aromatic solvents such as toluene or chlorobenzene, amides such as DMF, the N-methylpyrrolidone, alcoholic solvents such as methanol, ethanol and n-butanol, polyhydric alcohols such as ethylene glycol, Glycerol or polyethylene glycol, ketones such as cyclohexanone or methyl ethyl ketone, halogenated solvents like Methylenchiorid, as well as aqueous and ethereal solvents. A single one or a mixture of two or more of these solvent can for the present invention can be used. Examples of the trituration and close grinders a shaking mill, one Grater, a grinding mill, a sand mill and a homomixer, but this list is not limiting. The Amount of solvent, used, ranges from 1 to 200 Tei len, preferably from 10 to 100 parts per 1 part chlorogallium phthalocyanine.

Die Behandlungszeit für das Zerreiben im nassen Zustand beträgt vorzugsweise 4 Stunden oder mehr und die dafür nötige Behandlungstemperatur reicht im allgemeinen von 0°C bis zum Siedepunkt des verwendeten Lösungsmittels, vorzugsweise von 10 bis 60°C.The Treatment time for the grinding in the wet state is preferably 4 hours or more and for that necessary Treatment temperature generally ranges from 0 ° C to Boiling point of the solvent used, preferably from 10 to 60 ° C.

Unter den Chlorgalliumphthalocyaninkristallen der vorliegenden Erfindung können solche mit unterschiedlichen Beugungspeaks bei (i) 7,4°, 16,6°, 25,5° und 28,3° des Bragg-Winkels (2 Theta ± 0,2) zu einer CuKa charakteristischen Röntgenstrahlung vorzugsweise durch ein Verfahren der vorliegenden Erfindung hergestellt werden.Under the chlorogallium phthalocyanine crystals of the present invention can those with different diffraction peaks at (i) 7.4 °, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3 ° of the Bragg angle (2 theta ± 0.2) to a CuKa characteristic X-radiation preferably be prepared by a method of the present invention.

Insbesondere können Chlorgalliumphthalocyaninkristalle der vorliegenden Erfindung erhalten werden durch mechanisches Zerreiben von Chlorgalliumphthalocyanin, das durch irgendeine der oben erwähnten bekannten Methoden erhalten wurde, gefolgt von der Behandlung mit einem aromatischen Lösungsmittel.Especially can Chlorogallium phthalocyanine crystals of the present invention are obtained by mechanical trituration of chlorogallium phthalocyanine, obtained by any of the above-mentioned known methods followed by treatment with an aromatic solvent.

Beispiele von Vorrichtungen zum mechanischen Zerreiben von Chlorgalliumphthalocyanin, die bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendet werden, schließen Vorrichtungen wie einen automatischen Mörtelzerreiber, eine Knetmaschine, eine Planetschwingmühle, eine Schüttelschwingmühle, eine CF-Mühle und eine Mahlmühle ein, die jedoch nicht einschränkend aufgezählt sind. Wenn gewünscht, kann eine Zerreibehilfe, die nach dem Zerreiben leicht entfernt werden kann wie Natriumchlorid oder Glaubersalz, beim Zerreiben verwendet werden.Examples of devices for the mechanical trituration of chlorogallium phthalocyanine, used in the method of the present invention shut down Devices such as an automatic mortar remover, a kneading machine, a planetary vibratory mill, a vibrating mill, a CF mill and a grinding mill, but not restrictive enumerated are. If desired, can be a rubbing aid that easily removes after grinding can be like sodium chloride or Glauber's salt, while grating be used.

Beispiele von aromatischen Alkoholen, die bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung verwendet werden können, schließen Benzylalkohol, Phenethylalkolhol, α-Phenylethylalkohol und m-Tolylcarbinol ein. Benzylalkohol wird bevorzugt verwendet.Examples of aromatic alcohols used in the process of the present invention Invention can be used shut down Benzyl alcohol, phenethyl alcohol, α-phenylethyl alcohol and m-tolyl carbinol one. Benzyl alcohol is preferably used.

Bei der Lösungsmittelbehandlung ist der Anteil der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle zu dem aromatischen Alkohol nicht besonders beschränkt. Unter Berücksichtigung der Kontaktwirksamkeit der zwei Komponenten, liegt er im allgemeinen im Bereich von 1/0.1 bis 1/100, vorzugsweise von 1/0.5 bis 1/10 und insbesondere von 1/1.5 bis 1/7. Die Behandlungstemperatur bei der Behandlung des Chlorgalliumphthalocyanins mit dem aromatischen Alkohol reicht im allgemeinen von 0 bis 200°C, vorzugsweise von 20 bis 150°C und insbesondere von 20 bis 70°C. Wenn die Behandlungstemperatur zu hoch ist, neigen Teile des Chlorgalliumphthalocyanins dazu, sich zu zersetzen. Wenn sie zu niedrig ist, benötigt die Kristallumwandlung eine unpraktizierbar lange Zeit. Die Behandlungszeit ist definiert auf der Grundlage der Behandlungstemperatur und der Menge an verwendetem aromatischen Alkohol. Wenn beispielsweise die Behandlungstemperatur 25°C beträgt, ist die Behandlungszeit vorzugsweise von 12 bis 50 Stunden.In the solvent treatment, the content of the chlorogallium phthalocyanine crystals to the aromatic alcohol is not particularly limited. Taking into account the contact effectiveness of the two components, it is generally in the range of 1 / 0.1 to 1/100, preferably from 1 / 0.5 to 1/10 and especially from 1 / 1.5 to 1/7. The treatment temperature in the treatment of the chlorogallium phthalocyanine with the aromatic alcohol ranges generally from 0 to 200 ° C, preferably from 20 to 150 ° C and especially from 20 to 70 ° C. If the treatment temperature is too high, portions of the chlorogallium phthalocyanine tend to decompose. If it is too low, the crystal transformation takes an impractically long time. The treatment time is defined based on the treatment temperature and the amount on used aromatic alcohol. For example, when the treatment temperature is 25 ° C, the treatment time is preferably from 12 to 50 hours.

Die Behandlungsmethode ist nicht im einzelnen eingeschränkt. Vorzugsweise werden Chlorgalliumphthalocyanin und ein aromatischer Alkohol im nassen Zustand zusammen mit einem Zereibemedium wie Glaskügelchen, Stahlkügelchen oder Aluminiumkügelchen durch bekannte Verfahren unter Verwendung einer Schwingmühle, einer Reibe oder einer Sandmühle gemahlen oder sie können in einem Rührbehälter vermischt werden.The Treatment method is not limited in detail. Preferably are chlorogallium phthalocyanine and an aromatic alcohol in the wet condition together with a cerebral medium such as glass beads, steel balls or aluminum beads by known methods using a vibrating mill, a Grater or a sand mill ground or you can be mixed in a stirred tank.

Es wird angenommen, daß der Grund, weshalb die Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, wenn sie mit den oben erwähnten Behandlungsverfahren behandelt wurden, obwohl sie die gleiche Kristallstruktur besitzen, völlig unterschiedliche Eigenschaften als photoleitendes Material gemäß der Art des verwendeten Lösungsmittels haben, auf den Unterschied in feinen Kristalloberflächenfehlern, die durch die Unterschiede in der Wachstumsrichtung und der Wachstumsgeschwindigkeit der behandelten Chlorgalliumphthalocyaninkristalle verursacht werden, zurückzuführen ist. Es wird weiter angenommen, daß solche Unterschiede auf dem Unterschied in der Löslichkeit von gelösten Verunreinigungen zwischen den Lösungsmitteln als auch in der Löslichkeit der gelösten Chlorgalliumphthalocyaninkristalle zwischen den Lösungsmitteln beruhen.It it is assumed that the Reason why the Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, if they with the above mentioned Treatment procedures were treated, although they have the same crystal structure own, completely different properties as a photoconductive material according to the type of the solvent used have, on the difference in fine crystal surface defects, due to differences in growth direction and growth rate caused the treated Chlorgalliumphthalocyaninkristalle is due. It is further assumed that such Differences on the difference in the solubility of dissolved impurities between the solvents as well as in solubility the solved one Chlorogallium phthalocyanine crystals between the solvents based.

Die Chlorgalliumphthalocyaninkristalle der vorliegenden Erfindung, die durch Behandlung mit einem aromatischen Alkohol erhalten werden, haben unterschiedliche Beugungspeaks bei einzelnen Winkeln des Bragg-Winkels (2 Theta ± 0,2) in dem CuKα charakteristischen Röntgenstrahlbeugungsspektrum und offenbaren eine außerordentlich exzellente Kapazität als ein neues photoleitendes Material für elektrophotographische Photorezeptoren.The Chlorogallium phthalocyanine crystals of the present invention which obtained by treatment with an aromatic alcohol, have different diffraction peaks at individual angles of the Bragg angle (2 theta ± 0.2) characteristic in the CuKα X-ray diffraction spectrum and reveal an extraordinary excellent capacity as a new photoconductive material for electrophotographic photoreceptors.

Die Chlorgalliumphthalocyaninkristalle gemäß der Erfindung, die ausgeprägte Beugungspeaks bei (ii) 6,8°, 17,3°, 23,6° und 26,9° des Bragg-Winkels (2 Theta ± 0,2) zu einer CuKα charakteristischen Röntgenstrahlung besitzen, kann man dadurch herstellen, daß man mechanisch Chlorgalliumphthalocyanin zerkleinert und danach mit Methylenchlorid behandelt. Als andere Bedingungen für die Herstellung kann man jene für Chlorgalliumphthalocyaninkristalle mit ausgeprägten Beugungspeaks bei (i) 7,4°, 16,6°, 25,5° und 28,3° anwenden.The Chlorogallium phthalocyanine crystals according to the invention, the pronounced diffraction peaks at (ii) 6.8 °, 17.3 °, 23.6 ° and 26.9 ° of the Bragg angle (2 theta ± 0.2) characteristic of a CuKα X-rays can be prepared by mechanically chlorogallium phthalocyanine crushed and then treated with methylene chloride. Than others Conditions for You can make those for Chlorogallium phthalocyanine crystals with pronounced diffraction peaks at (i) Apply 7.4 °, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3 °.

Die Chlorgalliumphthalocyaninkristalle gemäß der Erfindung, die ausgeprägte Beugungspeaks bei (iii) 8,7 bis 9,2°, 17,6°, 24,0°, 27,4° und 28,8° des Bragg-Winkels (2 Theta ± 0,2) zu einer Cukα charakteristischen Röntgenstrahlung besitzen, kann man dadurch herstellen, daß man Chlorgalliumphthalocyanin mechanisch zerkleinert und danach mit niederen Alkoholen als Lösungsmittel behandelt. Als andere Bedingungen für die Herstellung kann man jene für Chlorgalliumphthalocyaninkristalle mit ausgeprägten Beugungspeaks bei (i) 7,4°, 16,6°, 25,5° und 28,3° anwenden.The Chlorogallium phthalocyanine crystals according to the invention, the pronounced diffraction peaks at (iii) 8.7 to 9.2 °, 17.6 °, 24.0 °, 27.4 ° and 28.8 ° of the Bragg angle (2 theta ± 0.2) to a Cukα characteristic X-ray can be prepared by chlorogallium phthalocyanine mechanically comminuted and then with lower alcohols as solvent treated. As other conditions for the production one can those for Use chlorogallium phthalocyanine crystals with pronounced diffraction peaks at (i) 7.4 °, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3 °.

Die vorliegende Erfindung liefert auch einen elektrophotographischen Photorezeptor, der die oben genannten Chlorgalliumphthalocyaninkristalle als das photoleitende Material in einer lichtempfindlichen Schicht umfaßt. Der photographische Photorezeptor wird im weiteren genau erklärt.The present invention also provides an electrophotographic photoreceptor comprising the chlorogallium phthalocyanine crystals as mentioned above, the p hotoleitende material in a photosensitive layer. The photographic photoreceptor will be explained in detail later.

Bei dem photographischen Photorezeptor der vorliegenden Erfindung kann die lichtempfindliche Schicht eine einzelne Schicht sein oder sie kann auch eine Laminarstruktur besitzen, die eine Ladungserzeugungsschicht und eine Ladungstransportschicht umfaßt, die jede eine unterschiedliche Funktion besitzen.at the photographic photoreceptor of the present invention the photosensitive layer is a single layer or she may also have a laminar structure comprising a charge generation layer and a charge transport layer, each one different Own function.

Im letzteren Fall besteht die Ladungserzeugungsschicht aus dem oben genannten Chlorgalliumphthalocyaninkristall und einem Bindeharz.in the the latter case, the charge generation layer consists of the above said chlorogallium phthalocyanine crystal and a binder resin.

Das Bindeharz, das in der Schicht ist, kann ausgewählt werden aus einem großen Bereich von Isolationsharzen oder kann aus der Gruppe der organischen photoleitenden Polymere wie Poly-N-vinylcarbazol, Polyvinylanthrazen und Polyvinylpyren ausgewählt werden. Bevorzugte Beispiele des Bindeharzes schließen Isolationsharze wie Polyvinylbutyral, Polyacrylate (z. B. ein Polykondensat von Eisphenol A und Phthalsäure) Polycarbonate, Polyester, Phenoxyharze, Vinylchloridvinylacetatcopolymere, Polyvinylacetat, Acrylharze, Polyacrylamide, Polyamide, Polyvinylpyridin, Celluloseharze, Harnstoffharze, Epoxidharze, Kasein, Polyvinylalkohol und Polyvinylpyrrolidon ein.The Binder resin that is in the layer can be selected from a wide range of insulating resins or may be from the group of organic photoconductive Polymers such as poly-N-vinylcarbazole, polyvinylanthracene and polyvinylpyrene selected become. Preferred examples of the binder resin include insulating resins such as polyvinyl butyral, polyacrylates (e.g., a polycondensate of Bisphenol A and phthalic acid) polycarbonates, Polyesters, phenoxy resins, vinyl chloride-vinyl acetate copolymers, polyvinyl acetate, Acrylic resins, polyacrylamides, polyamides, polyvinylpyridine, cellulose resins, Urea resins, epoxy resins, casein, polyvinyl alcohol and polyvinylpyrrolidone one.

Die Ladungserzeugungsschicht kann gebildet werden durch dispergieren der oben genannten Chlorgalliumphthalocyaninkristalle in einer Lösung, die das oben erwähnte Bindeharz, das in einem organischen Lösungsmittel gelöst ist, enthält, um eine Beschichtungszusammensetzung herzustellen, mit anschließendem Auftragen der Zusammensetzung auf einem elektroleitenden Träger. Das Verhältnis des Chlorgalliumphthalocyaninkristalls gegenüber dem Bindeharz ist im allgemeinen von 40/1 (w/w) bis 1/10 (w/w), vorzugsweise von 10/1 (w/w) bis 1/4 (w/w). Wenn der Anteil des Chlorgalliumphthalocyaninkristalls zu hoch ist, wird die Stabilität der Beschich tungsflüssigkeit geringer. Wenn sie zu gering ist, wird die Empfindlichkeit geringer. Deshalb ist der obige Verhältnisbereich bevorzugt.The charge generation layer may be formed by dispersing the above-mentioned chlorogallium phthalocyanine crystals in a solution containing the above-mentioned binder resin dissolved in an organic solvent to prepare a coating composition, followed by coating the composition on an electroconductive support. The ratio of chlorogallium phthalo cyanine crystal to the binder resin is generally from 40/1 (w / w) to 1/10 (w / w), preferably from 10/1 (w / w) to 1/4 (w / w). If the proportion of the chlorogallium phthalocyanine crystal is too high, the stability of the coating liquid becomes lower. If it is too low, the sensitivity will be lower. Therefore, the above ratio range is preferable.

Das verwendete Lösungsmittel wird vorzugsweise ausgewählt aus denen, die die angrenzende Grundierungsschicht, die weiter unten beschrieben wird, nicht löst, ebenso wie die angrenzende Ladungsübertragungsschicht. Spezifische Beispiele von organischen Lösungsmitteln schließen Alkohole wie Methanol, Ethanol und Isopropanol, Ketone wie Aceton, Methylethylketon und Cyclohexanon, Amide wie N,N-Dimethylformamid und N,N-Dimethylacetamid, Dimethylsulfoxide, Ether wie Tetrahydrofuran, Dioxan und Ethylenglykolmonoethylether, Ester wie Methylacetat und Ethylacetat, halogenierte aliphatische Kohlenwasserstoffe wie Chloroform, Methylenchlorid, Dichlorethylen, Tetrachlorkohlenstoff und Trichlorethylen und aromatische Kohlenwasserstoffe wie Benzol, Toluol und Dichlorbenzol ein.The used solvents is preferably selected out of those who have the adjacent primer layer down below is described, does not solve, as well as the adjacent charge transfer layer. specific Examples of organic solvents shut down Alcohols such as methanol, ethanol and isopropanol, ketones such as acetone, Methyl ethyl ketone and cyclohexanone, amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxides, ethers, such as tetrahydrofuran, Dioxane and ethylene glycol monoethyl ether, esters such as methyl acetate and Ethyl acetate, halogenated aliphatic hydrocarbons such as chloroform, Methylene chloride, dichloroethylene, carbon tetrachloride and trichlorethylene and aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and dichlorobenzene one.

Das Auftragen der Beschichtungsflüssigkeit kann mit jedem gebräuchlichen Auftragsverfahren wie dem Auftrag durch Tauchen, dem Sprühauftrag, dem Wirbelschichtauftrag (spinner coating method), der Perlbeschichtung (Bead coating method), dem Drahtumspulungsauftrag (wire bare coating method), dem Aufstreichen mit dem Messer, dem Aufwalzen oder dem Lackgießverfahren (curtain coating method) durchgeführt werden. Das Trocknen der Auftragsschicht wird vorzugsweise durch Trocknen nach Gefühl durchgeführt, mit anschließendem Heißtrocknen unter Hitzeeinwirkung. Das Heißtrocknen kann durchgeführt werden bei einer Temperatur von 30 bis 200°C für eine Zeit von 5 Minuten bis 2 Stunden unter stationären Bedingungen oder mit einem Gebläse. Die Dicke der Ladungserzeugungsschicht kann im allgemeinen ungefähr 0,05 bis 5 μm betragen.The Applying the coating liquid can be used with everyone Application method such as the order by dipping, the spray application, the fluidized bed application (spinner coating method), the bead coating (Bead coating method), the Drahtumspulungsauftrag (wire bare coating method), the painting with the knife, the rolling or the curtain coating (curtain coating method). Drying the Application layer is preferably carried out by drying by feel, followed by hot-drying under heat. The hot-drying can be done are at a temperature of 30 to 200 ° C for a time of 5 minutes to 2 hours under stationary Conditions or with a blower. The thickness of the charge generation layer may generally be about 0.05 to 5 microns.

Die Ladungstransportschicht setzt sich zusammen aus einem Ladungstransportmaterial und einem Bindeharz.The Charge transport layer is composed of a charge transport material and a binding resin.

Als Ladungstransportmaterial kann jede übliche Zusammensetzung verwendet werden. Beispiele hierzu schließen polycyclische aromatische Verbindungen wie Anthrazen-, Pyren- und Phenanthren-Verbindungen, stickstoffhaltige heterocyclische Verbindungen wie Indol-, Carbazol- und Imidazol-Verbindungen, ebenso wie Pyrazolinverbindungen, Hydrazonverbindungen, Triphenylmethanverbindungen, Triphenylaminverbindungen, Enaminverbindungen und Stilbenverbindungen ein.When Charge transport material may use any conventional composition become. Examples include this polycyclic aromatic compounds such as anthracene, pyrene and Phenanthrene compounds, nitrogen-containing heterocyclic compounds such as indole, carbazole and imidazole compounds, as well as pyrazoline compounds, Hydrazone compounds, triphenylmethane compounds, triphenylamine compounds, Enamine compounds and stilbene compounds.

Zusätzlich können photoleitende Polymere auch als Ladungstransportmaterial verwendet werden. Beispiele hierzu schließen Poly-N-vinylcarbazole, halogenierte Poly-N-vinylcarbazole, Polyvinylanthrazen, Poly-N-vinylphenylanthracen, Polyvinylpyren, Polyvinylacridin, Polyvinylacenaphthylen, Polyglycidyldicarbazol, Pyrenformaldehydharze und Ethylcarbazolformaldehydharze ein. Diese photoleitenden Polymere bilden die Schicht durch sich selbst.In addition, photoconductive Polymers can also be used as charge transport material. Examples close to this Poly-N-vinylcarbazoles, halogenated poly-N-vinylcarbazoles, polyvinylanthracene, Poly-N-vinylphenylanthracene, polyvinylpyrene, polyvinylacridine, polyvinylacenaphthylene, Polyglycidyldicarbazole, pyrene-formaldehyde resins and ethylcarbazole-formaldehyde resins one. These photoconductive polymers form the layer by themselves even.

Als Bindeharze für die Ladungstransportschichten können die selben Isolationsharze, wie die oben für die Ladungserzeugungsschicht erwähnten, verwendet werden.When Binder resins for the charge transport layers can the same insulating resins as those for the charge generation layer above mentioned, be used.

Die Ladungstransportschicht kann durch Herstellung einer Beschichtungszusammensetzung aus dem oben erwähnten Ladungstransportmaterial, dem Bindeharz und einem organischen Lösungsmittel wie den oben erwähnten gebildet werden, mit anschließendem Auftragen der Zusammensetzung in der gleichen Art und Weise wie bei der oben erwähnten Ladungserzeugungsschicht. Das Verhältnis von Ladungstransportmaterial zu dem Bindeharz ist im allgemeinen in den Bereich von 5/1 (w/w) bis 1/5 (w/w). Die Dicke der Ladungstransportschicht ist im allgemeinen in einem Bereich von ungefähr 5 bis 50 μm.The Charge transport layer may be prepared by preparing a coating composition from the above Charge transport material, binder resin and an organic solvent like the one mentioned above be formed, followed by Apply the composition in the same way as at the above mentioned Charge generating layer. The ratio of charge transport material to the binder resin is generally in the range of 5/1 (w / w) to 1/5 (w / w). The thickness of the charge transport layer is generally in a range of about 5 to 50 μm.

Wo der elektrophotographische Photorezeptor der vorliegenden Erfindung eine Einzelschichtanordnung besitzt, umfaßt die lichtempfindliche Schicht eine photoleitenden Schicht, mit einen solchen Anordnung, daß die oben erwähnten Chlorgalliumphthalocyaninkristalle in einer Schicht dispergiert sind, die ein Ladungstransportmaterial und ein Bindeharz umfaßt. Das Verhältnis des Ladungstransportmaterials zu dem Bindeharz ist vorzugsweise in einem Bereich von ungefähr 1/20 (w/w) bis 5/1 (w/w), und daß von dem Chlorgalliumphthalocyaninkristalls zu dem Ladungstransportmaterials ist vorzugsweise in einem Bereich von ungefähr 1/10 (w/w) bis 10/1 (w/w). Als Ladungstransportmaterial und Bindeharz können die oben erwähnten verwendet werden und die photoleitende Schicht kann in der gleichen Art und Weise wie oben erwähnt gebildet werden.Where the electrophotographic photoreceptor of the present invention has a single layer arrangement comprises the photosensitive layer a photoconductive layer having such an arrangement that the above mentioned Chlorgalliumphthalocyaninkristalle are dispersed in a layer, which comprises a charge transport material and a binder resin. The relationship the charge transport material to the binder resin is preferable in a range of about 1/20 (w / w) to 5/1 (w / w) and that of the chlorogallium phthalocyanine crystal to the charge transport material is preferably in a range of about 1/10 (w / w) to 10/1 (w / w). As charge transport material and binder resin can the ones mentioned above can be used and the photoconductive layer can be in the same Way as mentioned above be formed.

Als elektroleitender Träger kann jedes übliche Material, das bei herkömmlichen elektrophotographischen Photorezeptoren verwendet wird, gebraucht werden.When electroconductive support can be any usual one Material that is conventional used electrophotographic photoreceptor become.

In der vorliegenden Erfindung kann der elektroleitende Träger mit einer Grundierungsschicht überzogen sein. Solch eine Grundierungsschicht verhindert wirksam die Einführung von unnötigen Ladungen aus dem elektroleitenden Träger und hat eine Aktivität zur Erhöhung der Ladungseigenschaften der lichtempfindlichen Schicht. Zusätzlich hat sie auch die weitere Funktion der Verbesserung des Haftungsvermögens zwischen der lichtempfindlichen Schicht und dem elektroleitenden Träger.In According to the present invention, the electroconductive support with coated with a primer layer be. Such a primer layer effectively prevents the introduction of unnecessary Charges from the electroconductive carrier and has an activity to increase the Charging properties of the photosensitive layer. Additionally has They also have the further function of improving the adhesion between the photosensitive layer and the electroconductive support.

Beispiele von Materialien zur Bildung der Grundierschicht schließen Polyvinylalkohol, Polyvinylpyrrolidon, Polyvinylpyridin, Celluloseester, Polyamide, Polyharnstoffe, Kasein, Gelatine, Polyglutaminsäure, Stärke, Stärkeacetate, Aminostärken, Polyacrylsäuren, Polyacrylamide, Zirkoniumchelatverbindungen, Zirkoniumalkoxidverbindungen, organische Zirkoniumverbindugen, Titanchelatverbindungen, Titanalkoxidverbindungen, organische Titanverbindungen und Silankupplungsagentien ein. Die Dicke der Grundierschicht fällt vorzugsweise in den Bereich von ungefähr 0,05 bis 2 μm.Examples of materials for forming the primer layer include polyvinyl alcohol, Polyvinylpyrrolidone, polyvinylpyridine, cellulose esters, polyamides, Polyureas, casein, gelatin, polyglutamic acid, starch, starch acetates, amino starches, polyacrylic acids, polyacrylamides, Zirconium chelate compounds, zirconium alkoxide compounds, organic Zirconium compounds, titanium chelate compounds, titanium alkoxide compounds, organic Titanium compounds and silane coupling agents. The thickness of the Primer coat falls preferably in the range of about 0.05 to 2 μm.

Die vorliegende Erfindung wird durch die folgenden Beispiele ausführlich erklärt, durch die jedoch nicht beabsichtigt ist, den Umfang der vorliegenden Erfindung einzuschränken. Falls nicht anders definiert, beziehen sich die in den Beispielen genannten Teile auf Gewichtsanteile.The The present invention will be explained in detail by the following examples which is not intended, however, the scope of the present invention limit. Unless otherwise defined, those in the examples refer to Parts mentioned by weight.

Synthesebeispielsynthesis example

Synthese des Chlorgalliumphthalocyaninkristalls:Synthesis of chlorogallium phthalocyanine crystal:

30 Teile 1,3-Diimidoisoindolin und 9,1 Teile Galliumtrichlorid werden zu 230 Teilen Quinolin gegeben und die Reaktion für 3 Stunden bei 200°C durchgeführt. Das gebildete Produkt wird durch Filtration abgetrennt, mit Aceton und Methanol gewaschen und getrocknet, um so 28 Teile Chlorgalliumphthaolcyaninkristalle zu erhalten. 1 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsspektrum der erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle.30 parts of 1,3-diimidoisoindoline and 9.1 parts of gallium trichloride are added to 230 parts of quinoline and the reaction is carried out at 200 ° C for 3 hours. The product formed is separated by filtration, washed with acetone and methanol and dried to obtain 28 parts of chlorogallium phthalocyanine crystals. 1 shows the powder X-ray diffraction spectrum of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystals.

Beispiel 1example 1

3,0 Teile des in dem vorhergehenden Herstellungsbeispiel erhaltenen Chlorgalliumphthalocyanin wurde in einem automatischen Mörtelzerreiber (LAb-Mühle UT-20 Modell, hergestellt von Yamato Kagaku Co.) trocken zerrieben. Es wurde ein Pulver geringer Kristallinität erhalten. 2 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Probe.3.0 parts of the chlorogallium phthalocyanine obtained in the preceding production example was dry-ground in an automatic mortar cutter (LAb Mill UT-20 Model, manufactured by Yamato Kagaku Co.). A powder of low crystallinity was obtained. 2 shows the powder X-ray diffraction pattern of the sample.

Beispiel 2Example 2

0,5 Teile der in Beispiel 1 erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle wurden in einer Schwingmühle zusammen mit 60 Teilen Glaskügelchen (Durchmesser: 1 mm) in 20 Teilen von einem 1:10 gemischten Lösungsmittel von Wasser : Monochlorbenzol für 24 Stunden bei Raumtemperatur gemahlen. Nach dem Filtrieren und Waschen mit 10 Teilen Methanol wurden Chlorgalliumphthalocyaninkristalle erhalten. 3 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle.0.5 parts of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 1 were ground in a vibration mill together with 60 parts of glass beads (diameter: 1 mm) in 20 parts of a 1:10 mixed solvent of water: monochlorobenzene for 24 hours at room temperature. After filtration and washing with 10 parts of methanol, chlorogallium phthalocyanine crystals were obtained. 3 shows the powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystals.

Beispiel 3Example 3

0,5 Teile der in Beispiel 1 erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle wurden in einer Schwingmühle zusammen mit 60 Teilen Glaskügelchen (Durchmesser: 1 mm) in 20 Teilen Methylenchlorid für 24 Stunden bei Raumtemperatur gemahlen. Nach dem Filtrieren und Waschen mit 10 Teilen Methylenchlorid wurden Chlorgalliumphthalocyaninkristalle erhalten. 4 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle. 8 zeigt das Infrarotabsorptionsspektrum des Kristalls. 9 zeigt das im sichtbaren und nahen Infrarotbereich liegende Absorptionsspektrum der Kristalle.0.5 parts of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 1 were ground in a vibration mill together with 60 parts of glass beads (diameter: 1 mm) in 20 parts of methylene chloride for 24 hours at room temperature. After filtration and washing with 10 parts of methylene chloride, chlorogallium phthalocyanine crystals were obtained. 4 shows the powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystals. 8th shows the infrared absorption spectrum of the crystal. 9 shows the visible and near infrared absorption spectrum of the crystals.

Beispiel 4Example 4

0,5 Teile der in Beispiel 1 erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle wurden in einer Schwingmühle zusammen mit 60 Teilen Glaskügelchen (Durchmesser: 1 mm) in 20 Teilen Monochlorbenzol für 24 Stunden bei Raumtemperatur gemahlen. Nach dem Filtrieren und Waschen mit 10 Teilen Methanol wurden Chlorgalliumphthalocyaninkristalle erhalten. 5 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle.0.5 parts of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 1 were ground in a vibration mill together with 60 parts of glass beads (diameter: 1 mm) in 20 parts of monochlorobenzene for 24 hours at room temperature. After filtration and washing with 10 parts of methanol, chlorogallium phthalocyanine crystals were obtained. 5 shows the powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystals.

Beispiel 5Example 5

0,5 Teile der in Beispiel 1 erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle wurden in einer Schwingmühle zusammen mit 60 Teilen Glaskügelchen (Durchmesser: 1 mm) in 20 Teilen Methanol für 24 Stunden bei Raumtemperatur gemahlen. Nach dem Filtrieren und Waschen mit 10 Teilen Methanol wurden Chlorgalliumphthalocyaninkristalle erhalten. 6 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle. 6 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle. 10 zeigt das Infrarotabsorptionsspektrum des Kristalls. 11 zeigt das im sichtbaren und nahen Infrarotbereich liegende Absorptionsspektrum der Kristalle.0.5 parts of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 1 were ground in a vibration mill together with 60 parts of glass beads (diameter: 1 mm) in 20 parts of methanol for 24 hours at room temperature. After filtration and washing with 10 parts of methanol, chlorogallium phthalocyanine crystals were obtained. 6 shows the powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystals. 6 shows the powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystals. 10 shows the infrared absorption spectrum of the crystal. 11 shows the visible and near infrared absorption spectrum of the crystals.

Beispiele 6 bis 10Examples 6 to 10

1 Teil von irgendeinem der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle die durch die Beispiele 1, 2, 3, 4, und 5 erhalten wurden, wurden mit 1 Teil Polyvinylbutyral (S-Lec BM-1, Handelsname von Sekisui Chemical Co.) und 100 Teilen Cyclohexanon vermischt und die Mischung wurde durch Behandlung in einem Farbenschüttler zusammen mit Glaskügelchen für 1 Stunde dispergiert. Die so erhaltenen Beschichtungszusammensetzung wurde durch ein Tauchbeschichtungsverfahren auf ein Aluminiumsubstrat aufgetragen und unter Hitze bei 100°C für 5 Minuten getrocknet, um eine Ladungserzeugungsschicht mit einer Dicke von 0,2 μm zu bilden.1 Part of any of the chlorogallium phthalocyanine crystals were obtained by the examples 1, 2, 3, 4, and 5, were with 1 part polyvinyl butyral (S-Lec BM-1, trade name of Sekisui Chemical Co.) and 100 parts of cyclohexanone and the mixture became by treatment in a paint shaker together with glass beads for 1 hour dispersed. The coating composition thus obtained was by a dip coating method on an aluminum substrate applied and dried under heat at 100 ° C for 5 minutes to to form a charge generation layer having a thickness of 0.2 μm.

Als nächstes wurden 2 Teile einer Verbindung mit der folgenden Strukturformel:

Figure 00180001
und 3 Teile Poly(4,4-cyclohexylidendiphenylencarbonat) mit der folgenden Strukturformel:
Figure 00180002
in 20 Teilen Monochlorbenzol gelöst. Die resultierende Beschichtungszusammensetzung wurde auf die Ladungserzeugungsschicht, die auf dem Aliminiumsubstrat gebildet wurde durch ein Tauchbeschichtungsverfahren aufgetragen und bei 120°C für eine Stunde getrocknet, um so eine Ladungsübertragungsschicht mit einer Dicke von 20 μm zu bilden.Next, 2 parts of a compound having the following structural formula:
Figure 00180001
and 3 parts of poly (4,4-cyclohexylidenediphenylene carbonate) having the following structural formula:
Figure 00180002
dissolved in 20 parts monochlorobenzene. The resulting coating composition was applied to the charge generation layer formed on the aluminum substrate by a dip coating method and dried at 120 ° C for one hour, to thereby form a charge transfer layer having a thickness of 20 μm.

Der so hergestellte elektrophotographische Photorezeptor wurde einer Sprühentladung von –6 KV ausgesetzt, um so unter normalen Temperatur- und normalen Feuchtigkeitsbedingungen (20°C, 50% relative Luftfeuchtigkeit) geladen zu werden, unter Verwendung einer elektrostatischen Verdopplungspapiertestvorrichtung (EPA-8100 Modell, hergestellt von Kawaguchi Denki Co.). Dann wurde der Photorezeptor mit monochromatischen Licht von 800 nm, das von einer Wolframlampe mit einem Monochromator erhalten wurde, bestrahlt, die Bestrahlungsintensität wurde auf 1 μW/cm2 eingestellt.The electrophotographic photoreceptor thus prepared was subjected to a spray discharge of -6 KV so as to be charged under normal temperature and normal humidity conditions (20 ° C, 50% relative humidity) using an electrostatic double-paper tester (EPA-8100 model, manufactured by Kawaguchi Denki Co.). Then, the photoreceptor was irradiated with monochromatic light of 800 nm obtained from a tungsten lamp with a monochromator, and the irradiation intensity was set to 1 μW / cm 2 .

Die Bestrahlungsmenge E½ (erg/cm2) wurde gemessen bis das Oberflächenpotential die Hälfte (½) des Anfangspotentials V0 (Volt) erreicht hatte. Es wurde der Dämpfungsgrad DDR (%) vom Ausgangspotential V0 gemessen, wenn man den beaufschlagten Photorezeptor im Dunkeln 1 Sekunde stehenließ. Als nächstes wurde die Oberfläche des Photorezeptors für 1 Sekunde mit Wolframlicht mit 10 Lux bestrahlt und das Restpotential VR wurde gemessen. Des weiteren wurde der obige Ladungs- und Bestrahlungszyklus 1000 Mal wiederholt, wobei V0, E½ und VR gemessen wurden. Die erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle 1 weiter unten gezeigt.The irradiation amount E ½ (erg / cm 2 ) was measured until the surface potential reached half (½) of the initial potential V 0 (volts). The degree of attenuation DDR (%) was measured from the output potential V 0 , if one left the applied photoreceptor in the dark for 1 second. Next, the surface of the photoreceptor was irradiated with 10 lux tungsten light for 1 second, and the residual potential V R was measured. Further, the above charging and irradiation cycle was repeated 1000 times, measuring V 0 , E ½ and V R. The results obtained are shown in Table 1 below.

Vergleichsbeispiel 1Comparative Example 1

Eine vergleichende elektrophotographische Photorezeptorprobe wurde in gleicher Weise wie in Beispiel 6, außer daß die Chlorgalliumoxyphthalocyaninkristalle, die das in 1 gezeigte Röntgenstrahlbeugungsbild besitzen, zur Herstellung verwendet wurden, hergestellt. Diese wurden in gleicher Weise wie in Beispiel 6 behandelt und die erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle 1 dargestellt.A comparative electrophotographic photoreceptor sample was prepared in the same manner as in Example 6 except that the chlorogallium oxyphthalocyanine crystals corresponding to those described in U.S. Pat 1 have been shown X-ray diffraction pattern, were used for the preparation produced. These were treated in the same manner as in Example 6, and the results obtained are shown in Table 1.

Beispiel 11Example 11

0,5 Teile der in Beispiel 1 erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle wurden in einer Schwingmühle zusammen mit 60 Teilen Glaskügelchen (Durchmesser: 1 mm) in 20 Teilen Ethylenglykol für 20 Stunden bei Raumtemperatur gemahlen. Nach dem Filtrieren und Waschen mit 10 Teilen Methanol wurden Chlorgalliumphthalocyaninkristalle erhalten. 7 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle. Die erhaltenen Kristalle können als gemischte Kristallzusammensetzungen der Kristalle der 3 und der Kristalle der 6 betrachtet werden.0.5 parts of the chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Example 1 were ground in a vibration mill together with 60 parts of glass beads (diameter: 1 mm) in 20 parts of ethylene glycol for 20 hours at room temperature. After filtration and washing with 10 parts of methanol, chlorogallium phthalocyanine crystals were obtained. 7 shows the powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystals. The obtained crystals may be used as mixed crystal compositions of the crystals of 3 and the crystals of 6 to be viewed as.

Als nächstes wurden unter Verwendung der so gebildeten Kristalle eine Ladungserzeugungsschicht und eine Ladungstransportschicht auf einem Aluminiumsubstrat in der gleichen Weise wie in Beispiel 6 gebildet, um so einen elektrophotographischen Photorezeptor herzustellen. Diese wurden in gleicher Weise wie in Beispiel 6 behandelt. Die erhaltenen Ergebnisse sind in Tabelle 1 dargestellt.When next Using the thus formed crystals, a charge generation layer and a charge transport layer on an aluminum substrate in the the same manner as in Example 6, so as to electrophotographic Produce photoreceptor. These were the same as in Example 6 treated. The results obtained are shown in Table 1.

Figure 00210001
Figure 00210001

Beispiel 12Example 12

30 Teile aus dem Synthesebeispiel erhaltenen Chlorgalliumphthalocyanin wurden in einer Planetschwingmühle (P-5 Modell, hergestellt von Frish Co.) zusammen mit 200 Teilen Achatkügelchen (Durchmesser: 20 mm) und 100 Teilen Achatkügelchen (Durchmesser: 10 mm) 20 Stunden zerrieben. 12 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle.Chlorogallium phthalocyanine obtained from Synthesis example was ground in a planetary vibratory mill (P-5 model, manufactured by Frish Co.) together with 200 parts of agate beads (diameter: 20 mm) and 100 parts of agate beads (diameter: 10 mm) for 20 hours. 12 shows the powder X-ray diffraction pattern of the obtained chlorogallium phthalocyanine crystals.

Als nächstes wurden 25 Teile der Kristalle in einer Schwingmühle zusammen mit 300 Teilen Glaskügelchen (Durchmesser: 1 mm) und 400 Teilen Benzylalkohol für 12 Stunden bei Raumtemperatur gemahlen. Nach dem Filtrieren und Waschen mit 500 Teilen Methanol wurde der erhaltenen nasse Kuchen unter reduziertem Druck getrocknet, um Chlorgalliumphthalocyaninkristalle zu erhalten. Die so erhaltenen Kristalle hatten eine außergewöhnlich einheitliche Kristallstruktur mit einer Korngröße von ungefähr 0,05 bis 0.15 m. 13 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Kristalle. 19 zeigt das Infrarotabsorptionsspektrum der Kristalle. 20 zeigt das im sichtbaren und nahen Infrarotbereich liegende Absorptionsspektrum der Kristalle.Next, 25 parts of the crystals were ground in a vibration mill together with 300 parts of glass beads (diameter: 1 mm) and 400 parts of benzyl alcohol for 12 hours at room temperature. After filtering and washing with 500 parts of methanol, the obtained wet cake was dried under reduced pressure to obtain chlorogallium phthalocyanine crystals. The crystals thus obtained had an exceptionally uniform crystal structure with a grain size of about 0.05 to 0.15 m. 13 shows the powder X-ray diffraction pattern of the crystals. 19 shows the infrared absorption spectrum of the crystals. 20 shows the visible and near infrared absorption spectrum of the crystals.

Beispiel 13Example 13

1,0 Teile Chlorgalliumphthalocyanin wurden in gleicher Weise wie in Beispiel 12 zerrieben und 30 Teile Benzylalkohol wurden bei 60°C für 1,5 Stunden in einem 200 ml Kolben gerührt. Die Kristalle wurden mit 50 Teilen Methanol gewaschen und unter reduziertem Druck getrocknet, um so Chlorgalliumphthalocyaninkristalle zu erhalten. Die so erhaltenen Kristalle hatten eine außergewöhnlich einheitliche Kristallstruktur mit einer Körnchengröße von ungefähr 0,05 bis 0,15 m. 14 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der Kristalle.1.0 part of chlorogallium phthalocyanine was triturated in the same manner as in Example 12, and 30 parts of benzyl alcohol was stirred at 60 ° C for 1.5 hours in a 200 ml flask. The crystals were washed with 50 parts of methanol and dried under reduced pressure to obtain chlorogallium phthalocyanine crystals. The crystals thus obtained had an exceptionally uniform crystal structure with a grain size of about 0.05 to 0.15 m. 14 shows the powder X-ray diffraction pattern of the crystals.

Beispiel 14Example 14

20 Teile Chlorgalliumphthalocyaninkristalle wurden in gleicher Weise wie in Beispiel 12 in einer Schwingmühle zusammen mit 250 Teilen Glaskügelchen (Durchmesser: 1 mm) und 350 Teilen m-Tolylcarbinol für 12 Stunden bei Raumtemperatur gemahlen. Nach dem Filtrieren und Waschen mit 500 Teilen Methanol wurde der erhaltene nasse Kuchen unter reduziertem Druck getrocknet, um so Chlorgalliumphthalocyaninkristalle zu erhalten. 15 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der so erhaltenen Chlorgalliumphtalocyaninkristalle.20 parts of chlorogallium phthalocyanine crystals were milled in a vibration mill in the same manner as in Example 12 together with 250 parts of glass beads (diameter: 1 mm) and 350 parts of m-tolylcarbinol for 12 hours at room temperature. After filtering and washing with 500 parts of methanol, the obtained wet cake was dried under reduced pressure to obtain chlorogallium phthalocyanine crystals. 15 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals thus obtained.

Vergleichsbeispiel 2Comparative Example 2

0,5 Teile Chlorgalliumphthalocyaninkristalle wurden in gleicher Weise wie in Beispiel 12 in einer Schwingmühle zusammen mit 60 Teilen Glaskügelchen (Durchmesser: 1 mm) und 20 Teilen Chlorbenzol für 24 Stunden bei Raumtemperatur gemahlen. Nach dem Filtrieren und Waschen mit 500 Teilen Methanol wurde der erhaltene nasse Kuchen unter reduziertem Druck getrocknet, um so Chlorgalliumphthalocyaninkristalle zu erhalten. 16 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der so erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle.0.5 parts of chlorogallium phthalocyanine crystals were ground in the same manner as in Example 12 in a vibration mill together with 60 parts of glass beads (diameter: 1 mm) and 20 parts of chlorobenzene for 24 hours at room temperature. After filtering and washing with 500 parts of methanol, the obtained wet cake was dried under reduced pressure to obtain chlorogallium phthalocyanine crystals. 16 Fig. 12 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals thus obtained.

Vergleichsbeispiel 3Comparative Example 3

25 Teile Chlorgalliumphthalocyaninkristalle wurden in gleicher Weise wie in Beispiel 12 in einer Schwingmühle zusammen mit 300 Teilen Glaskügelchen (Durchmesser: 1 mm) und 300 Teilen Dimethylformamid für 24 Stunden bei Raumtemperatur gemahlen. Nach dem Filtrieren und Waschen mit 500 Teilen Methanol wurde der erhaltene nasse Kuchen unter reduziertem Druck getrocknet, um so Chlorgalliumphthalocyaninkristalle zu erhalten. 17 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der so erhaltenen Chlorgalliumphtalocyaninkristalle.25 parts of chlorogallium phthalocyanine crystals were ground in the same manner as in Example 12 in a vibration mill together with 300 parts of glass beads (diameter: 1 mm) and 300 parts of dimethylformamide for 24 hours at room temperature. After filtering and washing with 500 parts of methanol, the obtained wet cake was dried under reduced pressure to obtain chlorogallium phthalocyanine crystals. 17 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals thus obtained.

Vergleichsbeispiel 4Comparative Example 4

0,5 Teile Chlorgalliumphthalocyaninkristalle wurden in gleicher Weise wie in Beispiel 12 in einer Schwingmühle zusammen mit 60 Teilen Glaskügelchen (Durchmesser: 1 mm) und 20 Teilen Ethylenglykol für 20 Stunden bei Raumtemperatur gemahlen. Nach dem Filtrieren und Waschen mit 500 Teilen Methanol wurde der erhaltene nasse Kuchen unter reduziertem Druck getrocknet, um so Chlorgalliumphthalocyaninkristalle zu erhalten. 18 zeigt das Pulverröntgenstrahlbeugungsbild der so erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle.0.5 parts of chlorogallium phthalocyanine crystals were ground in the same manner as in Example 12 in a vibration mill together with 60 parts of glass beads (diameter: 1 mm) and 20 parts of ethylene glycol for 20 hours at room temperature. After filtering and washing with 500 parts of methanol, the obtained wet cake was dried under reduced pressure to obtain chlorogallium phthalocyanine crystals. 18 Fig. 12 shows the powder X-ray diffraction pattern of the chlorogallium phthalocyanine crystals thus obtained.

Beispiele 15 bis 17Examples 15 to 17

Unter Verwendung der Chlorgalliumphthalocyaninkristalle, die in den Beispielen 12 bis 14 erhalten wurden, wurde ein elektrophotographischer Photorezeptor in der gleichen Weise wie in Beispiel 6 hergestellt. Die Photorezeptoren wurden in der gleichen Weise wie in Beispiel 6 behandelt. Die erhaltenen Ergebnisse sind weiter unten in Tabelle 2 gezeigt.Under Use of the chlorogallium phthalocyanine crystals described in the examples 12 to 14, became an electrophotographic photoreceptor in the same manner as prepared in Example 6. The photoreceptors were treated in the same manner as in Example 6. The obtained Results are shown below in Table 2.

Vergleichsbeispiel 5Comparative Example 5

Ein vergleichbarer elektrophotographischer Photorezeptor bestehend aus einer Ladungserzeugungschicht und einer Ladungstransportschicht wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 6 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die in dem Vergleichsbeispiel 2 erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle verwendet wurden. Der so erhaltene Photorezeptor wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 6 behandelt.One comparable electrophotographic photoreceptor consisting of a charge generation layer and a charge transport layer was prepared in the same manner as in Example 6, except that that the Chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Comparative Example 2 were used. The photoreceptor thus obtained was in the same Manner as in Example 6.

Vergleichsbeispiel 6Comparative Example 6

Ein vergleichbarer elektrophotographischer Photorezeptor bestehend aus einer Ladungserzeugungschicht und einer Ladungstransportschicht wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 6 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die in dem Ver gleichsbeispiel 3 erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle verwendet wurden. Der so erhaltene Photorezeptor wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 6 behandelt.One comparable electrophotographic photoreceptor consisting of a charge generation layer and a charge transport layer was prepared in the same manner as in Example 6, except that that the Chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Comparative Example 3 were used. The photoreceptor thus obtained was in the same Manner as in Example 6.

Vergleichsbeispiel 7Comparative Example 7

Ein vergleichbarer elektrophotographischer Photorezeptor bestehend aus einer Ladungserzeugungschicht und einer Ladungstransportschicht wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 6 hergestellt, mit der Ausnahme, daß die in dem Vergleichsbeispiel 4 erhaltenen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle verwendet wurden. Der so erhaltene Photorezeptor wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 6 behandelt. Die erhaltenen Ergebnisse der Vergleichsbeispiele 5 bis 7 sind in Tabelle 2 gezeigt.One comparable electrophotographic photoreceptor consisting of a charge generation layer and a charge transport layer was prepared in the same manner as in Example 6, except that that the Chlorogallium phthalocyanine crystals obtained in Comparative Example 4 were used. The photoreceptor thus obtained was in the same Manner as in Example 6. The results obtained Comparative Examples 5 to 7 are shown in Table 2.

Figure 00260001
Figure 00260001

Wie oben detailliert erklärt wurde, haben die Chlorgalliumphthalocyaninkristalle der vorliegenden Erfindung eine neue Kristallstruktur und die Wellenlängenbereiche des Lichts gegenüber denen sie empfindlich sind, ist ausgedehnt auf einen großen Wellenlängenbereich. Deshalb sind sie außergewöhnlich brauchbar als photoleitende Materialien für elektrophotographische Photorezeptoren wie als Drucker von gebräuchlichen Halbleiterlasern. Die elektrophotographischen Photorezeptoren der vorliegenden Erfindung bestehen aus den oben genannten Chlorgalliumphthalocyaninkristallen mit einer neuen Kristallstruktur, die eine hohe Empfindlichkeit besitzen und als Photorezeptoren mit einer hohen Beständigkeit brauchbar sind, da ihre Restladung gering ist, die Ladungseigenschaften hoch und Schwankungen in den Eigenschaften infolge wiederholten Gebrauchs gering sind.As explained in detail above have the Chlorgalliumphthalocyaninkristalle the present Invention a new crystal structure and the wavelength ranges of the light opposite which they are sensitive to is extended to a large wavelength range. That's why they are exceptionally useful as photoconductive materials for electrophotographic photoreceptors as printers of conventional semiconductor lasers. The electrophotographic photoreceptors of the present invention consist of the above-mentioned chlorogallium phthalocyanine crystals with a new crystal structure, which has a high sensitivity possess and as photoreceptors with a high resistance are useful, since their residual charge is low, the charge characteristics high and fluctuations in properties as a result of repeated Use are low.

Gemäß der vorliegenden Erfindung können die neuen Chlorgalliumphthalocyaninkristalle mit unterschiedlichen Beugungsbildern bei besonderen Bragg-Winkeln in einem Röntgenstrahlbeugungsspektrum durch ein einfaches Verfahren unter mechanischem Zerreiben von gewöhnlichem Chlorgalliumphthalocyanin gefolgt von ihrer anschließenden Behandlung mit einem aromatischen Alkohol erhalten werden.According to the present Invention can the new chlorogallium phthalocyanine crystals with different Diffraction patterns at particular Bragg angles in an X-ray diffraction spectrum a simple process with mechanical grinding of ordinary Chlorogallium phthalocyanine followed by its subsequent treatment be obtained with an aromatic alcohol.

Claims (1)

Elektrophotographischer Photorezeptor, der einen elektroleitenden Träger mit einer darauf aufgebrachten lichtempfindlichen Schicht mit einem Gehalt an Chlorgalliumphthalocyaninkristallen mit ausgeprägten Beugungspeaks bei 7,4, 16,6°, 25,5° und 28,3° oder bei 6,8°, 17,3°, 23,6° und 26,9° oder bei 8,7° bis 9,2°, 17,6°, 24,0°, 27,4° und 28,8° des Bragg-Winkels (2 Theta ± 0,2) zu einer für CuKα charakteristischen Röntgenstrahlung umfaßt.Electrophotographic photoreceptor containing a electroconductive support with a photosensitive layer coated thereon Content of chlorogallium phthalocyanine crystals with pronounced diffraction peaks at 7.4, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3 ° or at 6.8 °, 17.3 °, 23.6 ° and 26.9 ° or at 8,7 ° to 9.2 °, 17.6 °, 24.0 °, 27.4 ° and 28.8 ° of the Bragg angle (2 theta ± 0.2) to one for CuKα characteristic X-rays includes.
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