JPH05194084A - 分子線結晶成長装置の固体ソース - Google Patents
分子線結晶成長装置の固体ソースInfo
- Publication number
- JPH05194084A JPH05194084A JP596592A JP596592A JPH05194084A JP H05194084 A JPH05194084 A JP H05194084A JP 596592 A JP596592 A JP 596592A JP 596592 A JP596592 A JP 596592A JP H05194084 A JPH05194084 A JP H05194084A
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- JP
- Japan
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- solid
- source
- solid source
- silicon
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体ソースが割れても下部の固体ソースに溶
融物が付着することなく，従って複数の固体ソースが融
着することを防止することができる固体ソースを提供す
る。 【構成】 分子線結晶成長装置で使用される固定ソース
において，固定シリコンソース５の電子線が照射される
面以外の部分がシリコンよりも高融点を有する高融点金
属または高融点セラミックで囲まれている。
融物が付着することなく，従って複数の固体ソースが融
着することを防止することができる固体ソースを提供す
る。 【構成】 分子線結晶成長装置で使用される固定ソース
において，固定シリコンソース５の電子線が照射される
面以外の部分がシリコンよりも高融点を有する高融点金
属または高融点セラミックで囲まれている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，分子線結晶成長装置に
関し，特に分子線結晶成長装置で使用される固体ソース
に関する。
関し，特に分子線結晶成長装置で使用される固体ソース
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年，高速バイポーラ素子，マイクロ波
用素子あるいは超格子構造素子などへの応用を目的とし
て，これまでの薄膜成長技術に比べ，より低温で成長が
行われ，ゆえに不純物分布を乱すことがほとんどないと
いう利点を有する高真空内での分子線成長技術が盛んに
研究開発されている。
用素子あるいは超格子構造素子などへの応用を目的とし
て，これまでの薄膜成長技術に比べ，より低温で成長が
行われ，ゆえに不純物分布を乱すことがほとんどないと
いう利点を有する高真空内での分子線成長技術が盛んに
研究開発されている。
【０００３】従来の分子線結晶成長装置では，銅製ハー
ス内の固体ソースに電子線を照射し溶融させて，ウェハ
表面に結晶成長させるが，固体ソースを交換するたびに
装置内を大気にさらさなければならなかった。そこで装
置内を大気にさらす回数を減らすために，図３に示すよ
うに銅製ハース５１内に設けられた供給穴に円筒状の固
体ソース５２を複数個積み上げ，使用済みの固体ソース
は装置内の回収穴５３にアーム５４で落下させて回収す
るという方法を採用している。尚，図３において，符号
５５は固体ソース供給棒である。
ス内の固体ソースに電子線を照射し溶融させて，ウェハ
表面に結晶成長させるが，固体ソースを交換するたびに
装置内を大気にさらさなければならなかった。そこで装
置内を大気にさらす回数を減らすために，図３に示すよ
うに銅製ハース５１内に設けられた供給穴に円筒状の固
体ソース５２を複数個積み上げ，使用済みの固体ソース
は装置内の回収穴５３にアーム５４で落下させて回収す
るという方法を採用している。尚，図３において，符号
５５は固体ソース供給棒である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし前述した従来の
技術では，電子線照射中に固体ソースが割れてしまい，
溶融したソースが下の固体ソースに流れ込み，冷却され
て溶着し，回収穴に落下することができなくなるという
欠点があった。
技術では，電子線照射中に固体ソースが割れてしまい，
溶融したソースが下の固体ソースに流れ込み，冷却され
て溶着し，回収穴に落下することができなくなるという
欠点があった。
【０００５】そこで，本発明の技術的課題は，分子線結
晶成長装置の固体ソースにおいて，電子線照射時に固体
ソースからの溶融物がこぼれることなく，複数の固体ソ
ースが融着することを防ぐことができる固体ソースを提
供することにある。
晶成長装置の固体ソースにおいて，電子線照射時に固体
ソースからの溶融物がこぼれることなく，複数の固体ソ
ースが融着することを防ぐことができる固体ソースを提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，分子線
結晶成長装置で使用される固体ソースにおいて，固体ソ
ース本体の電子線が照射される面以外の部分が当該固体
ソース本体を構成する物質よりも高融点を有する物質で
囲まれていることを特徴とする固体ソースが得られる。
結晶成長装置で使用される固体ソースにおいて，固体ソ
ース本体の電子線が照射される面以外の部分が当該固体
ソース本体を構成する物質よりも高融点を有する物質で
囲まれていることを特徴とする固体ソースが得られる。
【０００７】また，本発明によれば，前記固体ソースに
おいて，前記高融点を有する物質は高融点金属であるこ
とを特徴とする固体ソースが得られる。ここで，本発明
において，高融点金属として，タングステン，モリブデ
ン，及びこれらの合金が例示できるが，これらに限定さ
れるものではない。
おいて，前記高融点を有する物質は高融点金属であるこ
とを特徴とする固体ソースが得られる。ここで，本発明
において，高融点金属として，タングステン，モリブデ
ン，及びこれらの合金が例示できるが，これらに限定さ
れるものではない。
【０００８】更に，本発明によれば，前記固体ソースに
おいて，前記高融点を有する物質は，高融点セラミック
であることを特徴とする固体ソースが得られる。ここ
で，本発明において，高融点セラミックとして，ジルコ
ニア，アルミナ等の酸化物系セラミック，及び窒化ケイ
素，窒化アルミ等の窒化物系セラミックが例示できる
が，固体ソース本体を構成する物質よりも高融点を有す
るセラミックで，固体ソース本体を構成する物質，例え
ば，シリコン等と反応しない物質であれば良く，これら
の例に限定されるものではない。
おいて，前記高融点を有する物質は，高融点セラミック
であることを特徴とする固体ソースが得られる。ここ
で，本発明において，高融点セラミックとして，ジルコ
ニア，アルミナ等の酸化物系セラミック，及び窒化ケイ
素，窒化アルミ等の窒化物系セラミックが例示できる
が，固体ソース本体を構成する物質よりも高融点を有す
るセラミックで，固体ソース本体を構成する物質，例え
ば，シリコン等と反応しない物質であれば良く，これら
の例に限定されるものではない。
【０００９】
【実施例】以下，本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。 （実施例１）図１は本発明の実施例１に係る固体ソース
を示す断面図で電子線が照射される面以外の面が高融点
金属部６で囲まれている固体ソース本体として固体シリ
コンソース５を示している。図１に示すように高融点金
属部６としてはシリコンより融点の高いタングステンを
使用している。また電子線は通常固体シリコンソース５
のみに照射されるが，場合によっては溶融面積を大きく
するために電子線をスキャニングさせることがある。こ
の時に電子線が高融点金属部６に照射されるとその金属
分子線が発生し，その結果，装置内が金属汚染される恐
れがある。更に，通常の場合でも電子線は多少は高融点
金属部６に照射される恐れがある。これらの問題を解消
するために，電子線照射面の高融点金属部６の端面上に
固体シリコンソースと同じ純度のシリコンカバー７を設
けている。このように構成すれば電子線が直接高融点金
属部６に照射されることがなくなり，金属汚染を防ぐこ
とができる。
て説明する。 （実施例１）図１は本発明の実施例１に係る固体ソース
を示す断面図で電子線が照射される面以外の面が高融点
金属部６で囲まれている固体ソース本体として固体シリ
コンソース５を示している。図１に示すように高融点金
属部６としてはシリコンより融点の高いタングステンを
使用している。また電子線は通常固体シリコンソース５
のみに照射されるが，場合によっては溶融面積を大きく
するために電子線をスキャニングさせることがある。こ
の時に電子線が高融点金属部６に照射されるとその金属
分子線が発生し，その結果，装置内が金属汚染される恐
れがある。更に，通常の場合でも電子線は多少は高融点
金属部６に照射される恐れがある。これらの問題を解消
するために，電子線照射面の高融点金属部６の端面上に
固体シリコンソースと同じ純度のシリコンカバー７を設
けている。このように構成すれば電子線が直接高融点金
属部６に照射されることがなくなり，金属汚染を防ぐこ
とができる。
【００１０】以上のような構造にした実施例１に係る固
体ソースは，例えばシリコンソース５が割れても下部の
シリコンソースに溶融シリコンがこぼれることがなく，
従って複数のソースが融着するのを防ぐことが可能にな
り，かつ，シリコンカバー７をすることにより金属汚染
も防ぐことができる。なお，ここでは固体ソースとして
固体シリコンソースを例にして説明したが，高融点金属
及び電子線照射面のカバーを正しく選択すればシリコン
に限らずどのような固体ソースにも使用することができ
る。 （実施例２）図２は本発明の実施例２に係る固体ソース
を示す断面図で，電子線が照射される面以外の面が高融
点セラミック部８で囲まれている固体ソース本体として
固体シリコンソース５を示している。図２で示すよう
に，使用する高融点セラミック部８はシリコンより融点
が高いジルコニアが用いられている。また，電子線は通
常固体シリコンソース５のみに照射されるが，場合によ
っては溶融面積を大きくするために電子線をスキャニン
グさせることがある。このときに電子線が高融点セラミ
ック部８に照射されるとそのセラミック中の金属分子線
が発生し，その結果，装置内が金属汚染される恐れがあ
る。さらに通常の場合でも電子線は多少は高融点セラミ
ック部８に照射される恐れがある。これらの問題を防止
するために，電子線照射面の高融点セラミック部８の上
に固体シリコンソース５と同じ純度のシリコンカバー７
をする。このように構成すれば，電子線が直接高融点セ
ラミック部８に照射されることがなくなり，金属汚染を
防げる。
体ソースは，例えばシリコンソース５が割れても下部の
シリコンソースに溶融シリコンがこぼれることがなく，
従って複数のソースが融着するのを防ぐことが可能にな
り，かつ，シリコンカバー７をすることにより金属汚染
も防ぐことができる。なお，ここでは固体ソースとして
固体シリコンソースを例にして説明したが，高融点金属
及び電子線照射面のカバーを正しく選択すればシリコン
に限らずどのような固体ソースにも使用することができ
る。 （実施例２）図２は本発明の実施例２に係る固体ソース
を示す断面図で，電子線が照射される面以外の面が高融
点セラミック部８で囲まれている固体ソース本体として
固体シリコンソース５を示している。図２で示すよう
に，使用する高融点セラミック部８はシリコンより融点
が高いジルコニアが用いられている。また，電子線は通
常固体シリコンソース５のみに照射されるが，場合によ
っては溶融面積を大きくするために電子線をスキャニン
グさせることがある。このときに電子線が高融点セラミ
ック部８に照射されるとそのセラミック中の金属分子線
が発生し，その結果，装置内が金属汚染される恐れがあ
る。さらに通常の場合でも電子線は多少は高融点セラミ
ック部８に照射される恐れがある。これらの問題を防止
するために，電子線照射面の高融点セラミック部８の上
に固体シリコンソース５と同じ純度のシリコンカバー７
をする。このように構成すれば，電子線が直接高融点セ
ラミック部８に照射されることがなくなり，金属汚染を
防げる。
【００１１】以上のように本発明の実施例２の構造によ
れば，例えばシリコンソース５が割れても下部のシリコ
ンソースに溶融シリコンがこぼれることがなく，従って
複数のソースが融着するのを防ぐことが可能になり，か
つ，シリコンカバーをすることにより金属汚染も防ぐこ
とができる。なお，ここでは固体シリコンソース５を例
にして説明したが，高融点セラミック部８及び電子線照
射面のカバー７を正しく選択すれば実施例１と同様に，
シリコンに限らずどのような固体ソースにも使用するこ
とができる。
れば，例えばシリコンソース５が割れても下部のシリコ
ンソースに溶融シリコンがこぼれることがなく，従って
複数のソースが融着するのを防ぐことが可能になり，か
つ，シリコンカバーをすることにより金属汚染も防ぐこ
とができる。なお，ここでは固体シリコンソース５を例
にして説明したが，高融点セラミック部８及び電子線照
射面のカバー７を正しく選択すれば実施例１と同様に，
シリコンに限らずどのような固体ソースにも使用するこ
とができる。
【００１２】
【発明の効果】以上，詳しく説明したように，本発明に
よれば，分子線結晶成長装置で使用される固体ソースに
おいて，電子線が照射される面以外の面を有する物質，
例えば，高融点金属又は高融点セラミックで囲むことに
より固体ソースが割れても下部の固体ソースに溶融物が
こぼれることがなく，従って複数のソースが融着するの
を防ぐことが可能になる固体ソースを提供することがで
きる。
よれば，分子線結晶成長装置で使用される固体ソースに
おいて，電子線が照射される面以外の面を有する物質，
例えば，高融点金属又は高融点セラミックで囲むことに
より固体ソースが割れても下部の固体ソースに溶融物が
こぼれることがなく，従って複数のソースが融着するの
を防ぐことが可能になる固体ソースを提供することがで
きる。
【図１】本発明の実施例１に係る固体ソースを示す断面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例２に係る固体ソースを示す断面
図である。
図である。
【図３】従来例に係る分子線結晶成長装置の固体ソース
と銅製ハース及びその周辺との関係を示す斜視図であ
る。
と銅製ハース及びその周辺との関係を示す斜視図であ
る。
５ 固体シリコンソース ６ 高融点金属部 ７ シリコンカバー ８ 高融点セラミック部 ５１ 銅製ハース ５２ 固体ソース ５３ 回収穴 ５４ アーム ５５ 固体ソース供給棒
Claims (3)
- 【請求項１】 分子線結晶成長装置で使用される固体ソ
ースにおいて，固体ソース本体の電子線が照射される面
以外の部分が当該固体ソース本体を構成する物質よりも
高融点を有する物質で囲まれていることを特徴とする固
体ソース。 - 【請求項２】 請求項１記載の固体ソースにおいて，前
記高融点を有する物質は高融点金属であることを特徴と
する固体ソース。 - 【請求項３】 請求項１記載の固体ソースにおいて，前
記高融点を有する物質は，高融点セラミックであること
を特徴とする固体ソース。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP596592A JPH05194084A (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 分子線結晶成長装置の固体ソース |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP596592A JPH05194084A (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 分子線結晶成長装置の固体ソース |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05194084A true JPH05194084A (ja) | 1993-08-03 |
Family
ID=11625594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP596592A Withdrawn JPH05194084A (ja) | 1992-01-16 | 1992-01-16 | 分子線結晶成長装置の固体ソース |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05194084A (ja) |
-
1992
- 1992-01-16 JP JP596592A patent/JPH05194084A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |