JPH05193263A - 光学記録媒体 - Google Patents
光学記録媒体Info
- Publication number
- JPH05193263A JPH05193263A JP4027508A JP2750892A JPH05193263A JP H05193263 A JPH05193263 A JP H05193263A JP 4027508 A JP4027508 A JP 4027508A JP 2750892 A JP2750892 A JP 2750892A JP H05193263 A JPH05193263 A JP H05193263A
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- JP
- Japan
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- substituted
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- halogen atom
- vinyl
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザー光による書き込み感度が高く、保存
安定性の良好な有機物の光学記録媒体を提供すること。 【構成】 基板と、下記一般式（１）で示される光吸収
物質を含有する記録層とからなることを特徴とする光学
記録媒体。 【化１】
安定性の良好な有機物の光学記録媒体を提供すること。 【構成】 基板と、下記一般式（１）で示される光吸収
物質を含有する記録層とからなることを特徴とする光学
記録媒体。 【化１】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザー光、特に５２０
ｎｍ前後のレーザー波長によって情報を記録及び再生す
ることが出来る高密度光学記録媒体に関する。更に詳し
くは、特定の光吸収物質を含有する記録層を有する高密
度光学記録体に関する。
ｎｍ前後のレーザー波長によって情報を記録及び再生す
ることが出来る高密度光学記録媒体に関する。更に詳し
くは、特定の光吸収物質を含有する記録層を有する高密
度光学記録体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学記録媒体には、レーザー光の
エネルギーを効率良く吸収する必要がある為、記録に使
用する特定波長のレーザー光に対する吸収が大きいこ
と、情報の再生を正確に行なう為、再生に使用する特定
波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要であ
る。特に、光学非線形材料を使用し、第２高周波の発生
（ＳＨＧ）を利用して半導体レーザーの短波長化を行な
った場合、波長が１／２になり、情報量は４倍になる
が、変換効率が数パーセントの為、記録媒体に非常に感
度の良いものが求められる。
エネルギーを効率良く吸収する必要がある為、記録に使
用する特定波長のレーザー光に対する吸収が大きいこ
と、情報の再生を正確に行なう為、再生に使用する特定
波長のレーザー光に対する反射率が高いことが必要であ
る。特に、光学非線形材料を使用し、第２高周波の発生
（ＳＨＧ）を利用して半導体レーザーの短波長化を行な
った場合、波長が１／２になり、情報量は４倍になる
が、変換効率が数パーセントの為、記録媒体に非常に感
度の良いものが求められる。
【０００３】
【発明が解決しようとしているする課題】又、今までに
検討されてきた光学記録媒体（記録材料）としては、金
属、金属間化合物やカルコゲナイド等の無機化合物が提
案されているが、これらの薄膜は空気酸化を受けやす
く、長期間の保存が困難であったり、紫外線や可視部の
光に対し感応性であり、日光、その他の光に弱い等の欠
点があった。有機化合物を用いた記録媒体としては、シ
アニン系色素、スクワリリウム系色素、フタロシアニン
系色素等が提案されている。一般にシアニン系色素の一
部は安定性が悪く、長期間にわたる保存が難しく、そし
て反射率が低い為、情報が読み出しにくい等の欠点があ
る。従って本発明の目的は、レーザー光による書き込み
感度が高く、保存安定性の良好な有機物を記録層とする
光学記録媒体を提供することである。
検討されてきた光学記録媒体（記録材料）としては、金
属、金属間化合物やカルコゲナイド等の無機化合物が提
案されているが、これらの薄膜は空気酸化を受けやす
く、長期間の保存が困難であったり、紫外線や可視部の
光に対し感応性であり、日光、その他の光に弱い等の欠
点があった。有機化合物を用いた記録媒体としては、シ
アニン系色素、スクワリリウム系色素、フタロシアニン
系色素等が提案されている。一般にシアニン系色素の一
部は安定性が悪く、長期間にわたる保存が難しく、そし
て反射率が低い為、情報が読み出しにくい等の欠点があ
る。従って本発明の目的は、レーザー光による書き込み
感度が高く、保存安定性の良好な有機物を記録層とする
光学記録媒体を提供することである。
【０００４】
【課題を解決する為の手段】上記目的は以下の本発明に
よって達成される。即ち、本発明は、基板と、下記一般
式（１）で示される光吸収物質を含有する記録層とから
なることを特徴とする光学記録媒体である。
よって達成される。即ち、本発明は、基板と、下記一般
式（１）で示される光吸収物質を含有する記録層とから
なることを特徴とする光学記録媒体である。
【化２】 （式中、Ｒ１及びＲ２は各々水素原子、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、水酸基、置換又は非置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基、ビニ
ル基、アラルキル基、複素環基、アルコキシ基、フェノ
キシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシ
アルキル基、アラルキルアルコキシアルキル基、カルバ
モイル基、スルファモイル基、オキシカルボニルアルキ
ル基、オキシカルボニル基、カルボキシアルキル基、カ
ルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、アミノ基、カ
ルボキシル基又はウレイド基を表わし、Ｒ３及びＲ４は
各々水素原子、ハロゲン原子、置換又は非置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基、ビニ
ル基、アラルキル基、複素環基、アルコキシアルキル
基、アラルキルアルコキシアルキル基、オキシカルボニ
ルアルキル基、カルボキシアルキル基又はヒドロキシア
ルキル基を表し、Ｒ３は、Ｒ４又はＲ２との間で結合し
て環を形成してもよい。ｎ及びｍは１〜５の整数を表
す。）
ニトロ基、シアノ基、水酸基、置換又は非置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基、ビニ
ル基、アラルキル基、複素環基、アルコキシ基、フェノ
キシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシ
アルキル基、アラルキルアルコキシアルキル基、カルバ
モイル基、スルファモイル基、オキシカルボニルアルキ
ル基、オキシカルボニル基、カルボキシアルキル基、カ
ルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、アミノ基、カ
ルボキシル基又はウレイド基を表わし、Ｒ３及びＲ４は
各々水素原子、ハロゲン原子、置換又は非置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基、ビニ
ル基、アラルキル基、複素環基、アルコキシアルキル
基、アラルキルアルコキシアルキル基、オキシカルボニ
ルアルキル基、カルボキシアルキル基又はヒドロキシア
ルキル基を表し、Ｒ３は、Ｒ４又はＲ２との間で結合し
て環を形成してもよい。ｎ及びｍは１〜５の整数を表
す。）
【０００５】
【作用】一般式（１）で示される光吸収物質を含有する
記録層を有する本発明の光学記録媒体は、レーザー光に
よる書き込み感度が高く、又、保存安定性にも優れる。
記録層を有する本発明の光学記録媒体は、レーザー光に
よる書き込み感度が高く、又、保存安定性にも優れる。
【０００６】
【好ましい実施態様】次に好ましい実施態様を挙げて本
発明を更に詳しく説明する。本発明の光学記録媒体にお
ける上記一般式（１）で示される光吸収物質において、
アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オク
チル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル
基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル
基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、
エイコシル基等の直鎖状ないし分枝状のアルキル基また
は置換基を有する上記のアルキル基を例示することが出
来る。
発明を更に詳しく説明する。本発明の光学記録媒体にお
ける上記一般式（１）で示される光吸収物質において、
アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、
ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オク
チル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル
基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル
基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、
エイコシル基等の直鎖状ないし分枝状のアルキル基また
は置換基を有する上記のアルキル基を例示することが出
来る。
【０００７】置換アルキル基の置換基としては塩素原
子、臭素原子等のハロゲン等を例示することが出来る。
シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘプチル基等を例示することが出来
る。アリール基としてはフェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ビフェニル基、ナフチル基等を例示することが出
来る。アラルキル基としてはベンジル基、ジフェニルメ
チル基等を例示することが出来る。アルコキシ基、アル
コキシアルキル基又はアラルキルアルコキシアルキル基
を構成するアルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等を例示することが出
来、アルキルチオ基、アルコキシアルキル基、アラルキ
ルアルコキシアルキル基、ハロアルキル基又はカルボキ
シアルキル基のアルキル基としては、先に例示したアル
キル基を例示することが出来る。アラルキルアルコキシ
アルキル基のアラルキル基としては、先に例示したもの
を例示することが出来る。
子、臭素原子等のハロゲン等を例示することが出来る。
シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロ
ヘキシル基、シクロヘプチル基等を例示することが出来
る。アリール基としてはフェニル基、トリル基、キシリ
ル基、ビフェニル基、ナフチル基等を例示することが出
来る。アラルキル基としてはベンジル基、ジフェニルメ
チル基等を例示することが出来る。アルコキシ基、アル
コキシアルキル基又はアラルキルアルコキシアルキル基
を構成するアルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等を例示することが出
来、アルキルチオ基、アルコキシアルキル基、アラルキ
ルアルコキシアルキル基、ハロアルキル基又はカルボキ
シアルキル基のアルキル基としては、先に例示したアル
キル基を例示することが出来る。アラルキルアルコキシ
アルキル基のアラルキル基としては、先に例示したもの
を例示することが出来る。
【０００８】本発明で用いられる上記一般式（１）で示
される光吸収物質のうち、特に好ましいものとしては、
Ｒ１又はＲ２が水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、ニ
トロ基、カルボキシル基、アセチル基、アセチルアミノ
基、Ｃ１〜Ｃ４の低級アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４の低級ア
ルコキシ基が挙げられ、Ｒ３及びＲ４の特に好ましい基
としてはメチル基、エチル基等の低級アルキル基が挙げ
られる。本発明の基板材料としては、ガラス、プラスチ
ックス、アルミニウム等が挙げられる。プラスチックス
は、安全性、軽量性の点で好適である。プラスチックス
としては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、
ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エボキシ樹脂、ポ
リサルホン樹脂等が挙げられる。基板形状は円板形状、
テープ形状、シート形状が適用出来る。基板には、トラ
ッキング用の溝が形成されていることが望ましく、溝形
状は通常深さが約０．０８μｍ、幅が約０．８μｍであ
る。
される光吸収物質のうち、特に好ましいものとしては、
Ｒ１又はＲ２が水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、ニ
トロ基、カルボキシル基、アセチル基、アセチルアミノ
基、Ｃ１〜Ｃ４の低級アルキル基、Ｃ１〜Ｃ４の低級ア
ルコキシ基が挙げられ、Ｒ３及びＲ４の特に好ましい基
としてはメチル基、エチル基等の低級アルキル基が挙げ
られる。本発明の基板材料としては、ガラス、プラスチ
ックス、アルミニウム等が挙げられる。プラスチックス
は、安全性、軽量性の点で好適である。プラスチックス
としては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリエ
ステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、
ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、エボキシ樹脂、ポ
リサルホン樹脂等が挙げられる。基板形状は円板形状、
テープ形状、シート形状が適用出来る。基板には、トラ
ッキング用の溝が形成されていることが望ましく、溝形
状は通常深さが約０．０８μｍ、幅が約０．８μｍであ
る。
【０００９】記録層の成膜方法としては、一般式（１）
の化合物を基板上に真空蒸着する方法、溶媒に溶解させ
て塗布又は浸漬する方法、樹脂液と混合して塗布する方
法等の公知の方法が挙げられる。真空蒸着法としては、
１×１０−４Ｔｏｒｒ以上、好ましくは、２×１０−５
Ｔｏｒｒ以上の高真空で、抵抗加熱等により前記一般式
（１）に示す化合物を加熱し、基板上に真空蒸着膜を得
る方法を挙げることが出来る。膜厚は、２００〜４，０
００オングストローム、特に５００〜２，０００オング
ストロームが好ましい。塗布による製膜は、上記一般式
（１）に示す化合物を、溶媒中に溶解又は分散させたも
のを、スピンコートすることにより得られる。
の化合物を基板上に真空蒸着する方法、溶媒に溶解させ
て塗布又は浸漬する方法、樹脂液と混合して塗布する方
法等の公知の方法が挙げられる。真空蒸着法としては、
１×１０−４Ｔｏｒｒ以上、好ましくは、２×１０−５
Ｔｏｒｒ以上の高真空で、抵抗加熱等により前記一般式
（１）に示す化合物を加熱し、基板上に真空蒸着膜を得
る方法を挙げることが出来る。膜厚は、２００〜４，０
００オングストローム、特に５００〜２，０００オング
ストロームが好ましい。塗布による製膜は、上記一般式
（１）に示す化合物を、溶媒中に溶解又は分散させたも
のを、スピンコートすることにより得られる。
【００１０】溶媒としては、水、メタノール、エタノー
ル、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔーブ
チルアルコール等のアルコール類、エチレングリコール
のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノイソ
プロピルエーテル、モノイソブチルエーテル、モノイソ
アミルエーテル等のセロソルブ類、アセトン、ジエチル
ケトン、ＭＩＢＫ、メチルエチルケトン等のケトン類、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ジ
メチルホルムアミド、テトラヒドロフラン等を例示する
ことが出来る。又、一般式（１）の化合物を上記溶媒に
可溶なバインダーと共に溶解したものを、同様にスピン
コートしてもよい。バインダーとしては、ニトロセルロ
ース等のセルロース樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリカーボネート樹脂等を挙げることが出来る。
本発明の光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けても
よいし、片面だけに設けてもよい。
ル、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコー
ル、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔーブ
チルアルコール等のアルコール類、エチレングリコール
のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノイソ
プロピルエーテル、モノイソブチルエーテル、モノイソ
アミルエーテル等のセロソルブ類、アセトン、ジエチル
ケトン、ＭＩＢＫ、メチルエチルケトン等のケトン類、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、ジ
メチルホルムアミド、テトラヒドロフラン等を例示する
ことが出来る。又、一般式（１）の化合物を上記溶媒に
可溶なバインダーと共に溶解したものを、同様にスピン
コートしてもよい。バインダーとしては、ニトロセルロ
ース等のセルロース樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリカーボネート樹脂等を挙げることが出来る。
本発明の光学記録媒体の記録層は基板の両面に設けても
よいし、片面だけに設けてもよい。
【００１１】上記の様にして得られた本発明の記録媒体
への記録は、基板の両面又は片面に設けた記録層に１μ
ｍ程度に集束したレーザー光、好ましくは、半導体レー
ザーの光を当てることにより行なう。レーザー光の照射
された部分には、レーザーエネルギーの吸収による分
解、蒸発、溶融等の記録層の熱的変形が起こる。記録さ
れた情報の再生は、レーザー光により熱的変形が起きて
いる部分と起きていない部分の反射率の差を読み取るこ
とにより行なう。光源としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、
Ａｒレーザー、半導体レーザー等の各種のレーザーを用
いることが出来るが、価格、大きさの点で半導体レーザ
ーが特に好ましい。半導体レーザーとしては、中心波長
５２０ｎｍ前後のレーザーを使用することが出来る。
への記録は、基板の両面又は片面に設けた記録層に１μ
ｍ程度に集束したレーザー光、好ましくは、半導体レー
ザーの光を当てることにより行なう。レーザー光の照射
された部分には、レーザーエネルギーの吸収による分
解、蒸発、溶融等の記録層の熱的変形が起こる。記録さ
れた情報の再生は、レーザー光により熱的変形が起きて
いる部分と起きていない部分の反射率の差を読み取るこ
とにより行なう。光源としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、
Ａｒレーザー、半導体レーザー等の各種のレーザーを用
いることが出来るが、価格、大きさの点で半導体レーザ
ーが特に好ましい。半導体レーザーとしては、中心波長
５２０ｎｍ前後のレーザーを使用することが出来る。
【００１２】
【実施例】次に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に
具体的に説明する。 実施例１ 前記一般式（１）の光吸収物質のメタノール液（１重量
％）を調製し、厚さ４００μｍのポリカーボネート基板
上に８００回転／ｍｉｎ．で３分間の条件でスピンコー
トした。この薄膜に、非線形光学材料を通過した中心波
長５１０ｎｍのレーザー光を、ビーム径約０．５μｍに
絞って照射し、記録の有無、ビット形状を光学顕微鏡で
観察した。その結果、明確なビットを確認することが出
来た。 実施例２〜２８及び比較例１〜２ 実施例１に準じた条件で、表１及び表２に記載の他の一
般式（１）の化合物及び比較例の化合物を用いてポリカ
ーボネート基板に成膜後同様に評価を行なった。結果を
まとめて表１及び表２に示す。
具体的に説明する。 実施例１ 前記一般式（１）の光吸収物質のメタノール液（１重量
％）を調製し、厚さ４００μｍのポリカーボネート基板
上に８００回転／ｍｉｎ．で３分間の条件でスピンコー
トした。この薄膜に、非線形光学材料を通過した中心波
長５１０ｎｍのレーザー光を、ビーム径約０．５μｍに
絞って照射し、記録の有無、ビット形状を光学顕微鏡で
観察した。その結果、明確なビットを確認することが出
来た。 実施例２〜２８及び比較例１〜２ 実施例１に準じた条件で、表１及び表２に記載の他の一
般式（１）の化合物及び比較例の化合物を用いてポリカ
ーボネート基板に成膜後同様に評価を行なった。結果を
まとめて表１及び表２に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】
【発明の効果】以上詳細に述べた様に、一般式（１）で
示される光吸収物質を含有する記録層を有する本発明の
光学記録媒体は、レーザー光による書き込み感度が高
く、又、保存安定性にも優れる。
示される光吸収物質を含有する記録層を有する本発明の
光学記録媒体は、レーザー光による書き込み感度が高
く、又、保存安定性にも優れる。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板と、下記一般式（１）で示される光
吸収物質を含有する記録層とからなることを特徴とする
光学記録媒体。 【化１】 （式中、Ｒ１及びＲ２は各々水素原子、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、水酸基、置換又は非置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基、ビニ
ル基、アラルキル基、複素環基、アルコキシ基、フェノ
キシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシ
アルキル基、アラルキルアルコキシアルキル基、カルバ
モイル基、スルファモイル基、オキシカルボニルアルキ
ル基、オキシカルボニル基、カルボキシアルキル基、カ
ルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、アミノ基、カ
ルボキシル基又はウレイド基を表わし、Ｒ３及びＲ４は
各々水素原子、ハロゲン原子、置換又は非置換のアルキ
ル基、シクロアルキル基、アリル基、アリール基、ビニ
ル基、アラルキル基、複素環基、アルコキシアルキル
基、アラルキルアルコキシアルキル基、オキシカルボニ
ルアルキル基、カルボキシアルキル基又はヒドロキシア
ルキル基を表し、Ｒ３は、Ｒ４又はＲ２との間で結合し
て環を形成してもよい。ｎ及びｍは１〜５の整数を表
す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4027508A JPH05193263A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4027508A JPH05193263A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05193263A true JPH05193263A (ja) | 1993-08-03 |
Family
ID=12223079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4027508A Pending JPH05193263A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05193263A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009190973A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | アゾ化合物 |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP4027508A patent/JPH05193263A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009190973A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | アゾ化合物 |
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