JPH0519197A - Optical device using semiconductor laser array - Google Patents

Optical device using semiconductor laser array

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Publication number
JPH0519197A
JPH0519197A JP3169975A JP16997591A JPH0519197A JP H0519197 A JPH0519197 A JP H0519197A JP 3169975 A JP3169975 A JP 3169975A JP 16997591 A JP16997591 A JP 16997591A JP H0519197 A JPH0519197 A JP H0519197A
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JP
Japan
Prior art keywords
light
optical system
semiconductor laser
light emitting
laser array
Prior art date
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Pending
Application number
JP3169975A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Takanashi
健一 高梨
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
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Publication of JPH0519197A publication Critical patent/JPH0519197A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide an optical device by which the light intensity of each light emitting point of a semiconductor laser array is independently monitored without making the device larger. CONSTITUTION:This device is provided with a light source part using the semiconductor laser array 1 where plural light emitting sources capable of optical modulation independently are arrayed in a direction parallel with a bonding surface, a collimating optical system 2 for collimating plural luminous fluxes from the light source part, a deflector which deflects the luminous flux from the optical system 2 in a specified direction, and an optical system by which the deflected luminous flux from the deflector is formed into the image on a specified photosensitive medium simultaneously with scanning. Then, a semi- transparent mirror 11 which divides the luminous flux from the light emitting source in a different direction from the optical axis of the optical system 2, an image-formation optical system 12 by which the divided luminous flux from the mirror 11 is formed into the image at specified intervals, and a detector 14 which detects the light intensity of each image-forming light from the optical system 12 are provided between the light emitting source of the array 1 and the optical system 2.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、レーザプリンタ、デジ
タル複写機、レーザファクシミリ等の高速書込用光走査
装置に適用しうる半導体レーザアレーを用いた光学装置
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical device using a semiconductor laser array applicable to a high speed writing optical scanning device such as a laser printer, a digital copying machine and a laser facsimile.

【0002】[0002]

【従来の技術】接合面に平行な方向に光変調が独立に可
能な複数個の発光源が配列された半導体レーザアレーを
用いた光源部と、この光源部からの複数光束をコリメー
トするコリメート光学系と、このコリメート光学系から
の光束を所定の方向に偏向する偏向器と、この偏向器か
らの偏向光束を所定の感光媒体上に同時に結像走査する
光学系を有する光学装置がある。
2. Description of the Related Art A light source section using a semiconductor laser array in which a plurality of light emitting sources capable of independently modulating light in a direction parallel to a bonding surface are used, and a collimating optical system for collimating a plurality of light beams from the light source section. There is an optical device having a deflector for deflecting the light beam from the collimating optical system in a predetermined direction and an optical system for simultaneously imaging and scanning the deflected light beam from the deflector on a predetermined photosensitive medium.

【0003】その一実施例を示した図9、図10で、例
えば半導体レーザ1からの出射、発散ビームをコリメー
タレンズ2によりコリメートし、偏向器としての回転多
面鏡3の一面へ入射させる。回転多面鏡3からの反射、
偏光光は例えば、fθレンズ等のような光学系4により
被走査面5上に結像され走査される。この走査に際し、
半導体レーザアレー1に変調を与えることにより、被走
査面5上に所望の画像を得ることができる。
In FIGS. 9 and 10 showing one embodiment thereof, for example, the emitted and diverged beams from the semiconductor laser 1 are collimated by a collimator lens 2 and made incident on one surface of a rotary polygon mirror 3 as a deflector. Reflection from the rotating polygon mirror 3,
The polarized light is imaged and scanned on the surface 5 to be scanned by the optical system 4 such as an fθ lens. During this scan,
By applying modulation to the semiconductor laser array 1, a desired image can be obtained on the surface 5 to be scanned.

【0004】かかる装置にアレー状の光源を用いること
により、高速処理をはじめとして、種々のメリットが生
ずる。ここでアレー状の光源とは、例えば図11に示さ
れるように独立に駆動、変調しうる半導体レーザ1a,
1b,1cが一列に並んだような構造をさすものとす
る。
By using an array-shaped light source for such an apparatus, various advantages such as high-speed processing are brought about. Here, the array-shaped light source means, for example, as shown in FIG. 11, a semiconductor laser 1a, which can be independently driven and modulated.
The structure is such that 1b and 1c are arranged in a line.

【0005】図12に示すように、半導体レーザアレー
1が3つの半導体レーザ1a,1b,,1cからの出射
ビームは、その端面に垂直な法線方向に最大強度分布を
なす如く発振する。コリメータレンズ2でコリメートし
た場合、光軸上にある半導体レーザ1bのビームのみ光
軸に平行に走り、光軸外にある半導体レーザ1a,1
b,1cに対しては光軸と有限の角度θでコリメートさ
れる。
As shown in FIG. 12, the semiconductor laser array 1 oscillates the beams emitted from the three semiconductor lasers 1a, 1b, and 1c so as to have the maximum intensity distribution in the normal direction perpendicular to the end faces thereof. When collimated by the collimator lens 2, only the beam of the semiconductor laser 1b located on the optical axis runs parallel to the optical axis, and the semiconductor lasers 1a, 1a located outside the optical axis.
For b and 1c, they are collimated at a finite angle θ with the optical axis.

【0006】かかるアレー状光源を用いた場合は、1個
のみの光源を用いた場合と比較して次の利点がある。 一.複数の走査線を同時に記録、表示できる為、高速で
ある。 二.その為、回転多面鏡やガルバノミラー等の速度は遅
くてもよい。 三.又、半導体レーザパワーは低くてよく、劣化に対し
て有利である。 以上の理由から、アレー状光源を用いることは非常に有
効である。
The use of such an array of light sources has the following advantages over the case of using only one light source. one. It is fast because it can record and display multiple scan lines simultaneously. two. Therefore, the speed of the rotary polygon mirror or galvano mirror may be slow. three. Further, the semiconductor laser power may be low, which is advantageous for deterioration. For the above reasons, it is very effective to use the array light source.

【0007】半導体レーザアレーの出力制御の為に、
光検出器が用いられる。従来の半導体レーザアレーは、
各発光点の光強度をモニターする為の光検出器ではな
く、半導体レーザアレーひとつに対し一つの光検出器
(以下、PDと呼ぶ)を有する構造になっている。
In order to control the output of the semiconductor laser array,
A photo detector is used. The conventional semiconductor laser array is
Instead of a photodetector for monitoring the light intensity of each light emitting point, one semiconductor laser array has one photodetector (hereinafter referred to as PD).

【0008】一般的に半導体レーザの発光点の光強度
は、発光方向と反対方向に出る光を受光することにより
モニターしているので、発光点が一つの場合はそこから
の光であることは間違いなくわかる。
Generally, the light intensity of the light emitting point of the semiconductor laser is monitored by receiving the light emitted in the direction opposite to the light emitting direction. Therefore, when there is one light emitting point, the light is not emitted from that. I definitely understand.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】前記で述べた点に関
しては、半導体レーザアレーの各発光点の光強度を独立
にモニターできない為、中間調再現性を左右する1ドッ
ト多値制御のうちパワー制御(以下、PMと呼ぶ)がで
きない。但し、パルス幅変調(以下、PWMと呼ぶ)は
可能であり、1ドットに対し8値までが可能であるとさ
れている。
With respect to the above-mentioned points, since the light intensity of each light emitting point of the semiconductor laser array cannot be monitored independently, power control (of the 1-dot multi-value control which influences the halftone reproducibility) Hereinafter, it cannot be called PM). However, pulse width modulation (hereinafter referred to as PWM) is possible, and it is said that up to 8 values can be made for one dot.

【0010】前記で述べた点に関しては、市販の半導
体アレーは発光点が複数個なのに対し、一つのPDしか
有していないので、どの発光点からの光なのか分離でき
ず、各発光点の光強度制御ができなかった。なお、各発
光点より導波路でPDに導くものは考えられているが、
PDの大きさは半導体レーザに比べて大きい為、小型化
が困難である。
Regarding the above-mentioned points, the commercially available semiconductor array has a plurality of light emitting points, but since it has only one PD, it is not possible to separate from which light emitting point the light comes from, and each light emitting point cannot be separated. The light intensity could not be controlled. In addition, although it is considered that the light is guided from each light emitting point to the PD by a waveguide,
Since the size of the PD is larger than that of the semiconductor laser, downsizing is difficult.

【0011】従って、本発明は、装置を大型化すること
なく半導体レーザアレーの各発光点の光強度を独立にモ
ニターできる光学装置を提供することを目的とする。
It is therefore an object of the present invention to provide an optical device capable of independently monitoring the light intensity of each light emitting point of a semiconductor laser array without increasing the size of the device.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明においては、(1).半導体レーザアレーの
発光源とコリメート光学系の間に、前記発光源からの光
束を前記コリメート光学系の光軸と異なる方向へ分ける
半透鏡と、この半透鏡から分けられた光束を所定の間隔
に結像する結像光学系と、この結像光学系からの各結像
光の光強度を検出する検出器を設けた。
In order to achieve the above object, in the present invention, (1). Between the light emitting source of the semiconductor laser array and the collimating optical system, a semi-transparent mirror that splits the light flux from the light emitting source into a direction different from the optical axis of the collimating optical system, and the light flux split from this semi-transparent mirror is connected at a predetermined interval. An image forming optical system for forming an image and a detector for detecting the light intensity of each image forming light from the image forming optical system are provided.

【0013】(2).(1)において、半透鏡を半導体
レーザアレーのケースと一体化し、このケースに前記半
透鏡から分けられた光束を導く開口を設けることができ
る。
(2). In (1), the semi-transparent mirror may be integrated with the case of the semiconductor laser array, and the case may be provided with an opening for guiding the light flux separated from the semi-transparent mirror.

【0014】(3).又、半導体レーザアレーの発光源
の発光部の反対側に所定の間隔に結像する結像光学系
と、この結像光学系からの各結像光の光強度を検出する
検出器を設けることもできる。
(3). It is also possible to provide an image forming optical system for forming an image at a predetermined interval on the side opposite to the light emitting portion of the light emitting source of the semiconductor laser array, and a detector for detecting the light intensity of each image forming light from this image forming optical system. it can.

【0015】(4).半導体レーザアレーの発光源の発
光方向と略直交する方向に駆動端子を設けるとともに、
発光部側には透明カバーガラス、前記発光部と反対側に
は光透過が可能な部材及び出射光の光強度を検出する検
出器をそれぞれ設けこともできる。
(4). A drive terminal is provided in a direction substantially orthogonal to the light emitting direction of the light emitting source of the semiconductor laser array,
A transparent cover glass may be provided on the light emitting portion side, a member capable of transmitting light and a detector for detecting the light intensity of the emitted light may be provided on the side opposite to the light emitting portion.

【0016】(5).(4)において、光透過が可能な
部材及び出射光の光強度を検出する検出器をそれぞれ半
導体レーザアレーのケースに着脱自在とすることもでき
る。
(5). In (4), the member capable of transmitting light and the detector for detecting the light intensity of the emitted light may be detachably attached to the case of the semiconductor laser array.

【0017】[0017]

【作用】半導体レーザアレーからの出力の一部は、結像
レンズにより半導体レーザアレーの各発光点に対応した
光束ごとに強度が検知される。
The intensity of a part of the output from the semiconductor laser array is detected by the imaging lens for each luminous flux corresponding to each light emitting point of the semiconductor laser array.

【0018】[0018]

【実施例】【Example】

1.請求項1に対応する例(図1参照) 図2に示すように通常、半導体レーザアレー1は符号1
Aで示すケースに収納されており、このケースの半導体
レーザ発光部側にカバーガラス10が設けられている。
カバーガラス10とコリメータレンズ2との間には半透
鏡11を設け、この半透鏡により半導体レーザアレーか
ら光束をコリメートレンズ2の光軸と異なる方向へ分離
する。
1. Example Corresponding to Claim 1 (See FIG. 1) As shown in FIG.
It is housed in a case indicated by A, and a cover glass 10 is provided on the semiconductor laser emitting portion side of this case.
A semitransparent mirror 11 is provided between the cover glass 10 and the collimator lens 2, and the semitransparent mirror separates the light flux from the semiconductor laser array in a direction different from the optical axis of the collimator lens 2.

【0019】その分離した光束は結像レンズ12を経て
3つの光束13a,13b,13cに分けられ、それぞ
れが検出器14を構成する光検知用素子(フォトディテ
クタ(PD))14a,14b,14cに各光束ごとに
結像される。各光束ごとに独立に検知を行う為、各光検
知用素子は所定の間隔に並んでいる。この検知による検
知信号をコントローラ15に導き、半導体レーザアレー
1を構成する半導体レーザの各発光点の光強度を独立に
制御する。
The separated luminous flux is divided into three luminous fluxes 13a, 13b, 13c through the imaging lens 12, and the luminous fluxes are divided into photodetecting elements (photodetectors (PD)) 14a, 14b, 14c constituting a detector 14, respectively. An image is formed for each light flux. Since the light beams are detected independently, the light detection elements are arranged at predetermined intervals. A detection signal obtained by this detection is guided to the controller 15 to independently control the light intensity of each light emitting point of the semiconductor laser that constitutes the semiconductor laser array 1.

【0020】ここで、半導体レーザアレー1の各発光点
の間隔をLHとし、光検知用素子の所定の間隔をLPと
すると、結像レンズ12による結像倍率βは、 β=LP/LH が成り立つ。又、結像レンズ12の焦点距離をfとし、
半導体レーザアレー1から検出器14までの距離をLL
とすれば、 LL=f×(β+1)2/β が成り立つ。その為、結像レンズ12の焦点距離fが小
さい程、光学系のコンパクト化が図れる。本例により、
半導体レーザアレーの各発光点の光強度は独立にモニタ
ーされる。さらに、独立にモニターできる為、1ドット
多値制御であるPMができ、多階調再現ができ、画質を
向上させることができる。
Here, assuming that the distance between the light emitting points of the semiconductor laser array 1 is LH and the predetermined distance between the light detecting elements is LP, the imaging magnification β by the imaging lens 12 is β = LP / LH. . Also, the focal length of the imaging lens 12 is f,
The distance from the semiconductor laser array 1 to the detector 14 is LL
Then, LL = f × (β + 1) 2 / β holds. Therefore, the smaller the focal length f of the imaging lens 12, the more compact the optical system. By this example,
The light intensity of each light emitting point of the semiconductor laser array is independently monitored. Further, since it can be monitored independently, PM that is one-dot multi-value control can be performed, multi-tone reproduction can be performed, and image quality can be improved.

【0021】2.請求項2に対応する例(図2参照) 図2に示すように、前記図1の例におけるカバーガラス
10とコリメータレンズ2間にある半透鏡11にカバー
ガラスを兼用させた。又、この半透鏡11により分離さ
れた光束を結像レンズ012に導くと同時に結像レンズ
12をケース1Bに組み込んだものである。結像レンズ
12以降の構成、作用は前記例1で述べた内容に準ず
る。本例では、半透鏡11と半導体レーザアレーのケー
ス1Bを一体化したことで、部品点数を減らしつつ、半
導体レーザアレーの各発光点の光強度を独立にモニター
することができる。
2. Example Corresponding to Claim 2 (See FIG. 2) As shown in FIG. 2, the cover glass is used also as the semi-transparent mirror 11 between the cover glass 10 and the collimator lens 2 in the example of FIG. Further, the light flux separated by the semi-transparent mirror 11 is guided to the imaging lens 012 and, at the same time, the imaging lens 12 is incorporated in the case 1B. The configuration and operation after the imaging lens 12 are in accordance with the contents described in the first example. In this example, by integrating the semi-transparent mirror 11 and the case 1B of the semiconductor laser array, it is possible to independently monitor the light intensity of each light emitting point of the semiconductor laser array while reducing the number of parts.

【0022】3.請求項3に対応する例(図3参照) 通常、半導体レーザは、図11に示すような形状をして
いるとき、発光方向と反対側にも光が出ており、通常こ
の光を用いて発光点の光強度を検出して、半導体レーザ
のレーザ出力を制御している。そこで、本例では、半導
体レーザアレー1の後方から出射する光束を用いて結像
レンズ12により、光束13a,13b,13cとして
検出器14に導くようにしている。本例では、前記例の
ごとく半透鏡を用いることなく半導体レーザアレーの各
発光点の光強度を独立にモニターすることができる。ま
た、受光部を発光部の反対側に配置する為、光源の光量
に損失がなく光源出力を小さくできる。
3. Example corresponding to claim 3 (see FIG. 3) Normally, when the semiconductor laser has a shape as shown in FIG. 11, light is emitted also on the side opposite to the light emitting direction, and normally this light is used. The laser output of the semiconductor laser is controlled by detecting the light intensity at the light emitting point. Therefore, in this example, the light flux emitted from the rear of the semiconductor laser array 1 is used to guide the light flux 13a, 13b, 13c to the detector 14 by the imaging lens 12. In this example, the light intensity of each light emitting point of the semiconductor laser array can be independently monitored without using a semi-transparent mirror as in the above example. Further, since the light receiving portion is arranged on the opposite side of the light emitting portion, there is no loss in the light amount of the light source and the light source output can be reduced.

【0023】4.請求項4に対応する例(図4) 通常、半導体レーザの駆動端子20は、発光方向と反対
側に光検知用素子が配置されているのに対し、本例では
駆動端子20を発光方向と略直交方向に配置することに
より、発光方向と反対側で半導体レーザアレー1の後方
から出射する光束を用いて結像レンズ12により光束1
3a,13b,13cとして検出器14に導けるように
発光方向と反対側に透明部材によるカバーガラス10を
設けている。なお、発光方向には、通常どおりカバーガ
ラス10を設けている。結像レンズ12以降の構成、作
用は前記例1で述べた内容と同様である。
4. Example corresponding to claim 4 (Fig. 4) Normally, in the drive terminal 20 of the semiconductor laser, the light detection element is arranged on the side opposite to the light emitting direction, whereas in the present example, the drive terminal 20 is set in the light emitting direction. By arranging in the substantially orthogonal direction, the light flux emitted from the rear of the semiconductor laser array 1 on the side opposite to the light emitting direction is used by the imaging lens 12 to emit the light flux 1.
A cover glass 10 made of a transparent member is provided on the side opposite to the light emitting direction so as to be guided to the detector 14 as 3a, 13b and 13c. The cover glass 10 is provided in the light emitting direction as usual. The configuration and operation after the imaging lens 12 are the same as those described in the first example.

【0024】本例により、半導体レーザアレーの各発光
点の光強度を独立にモニターしたり、又、従来のように
一つのPDで受光しモニターすることもできる。また、
光検知用光学系を用いないときに半導体レーザアレー1
の後方から出射する光束を用いて半導体レーザアレー1
自体の偏心調整(光軸出し)が容易となる。なお、発光
部の反対側に検出部を設けると、光路中の駆動端子等で
光が遮られたりレイアウトの負担がかかるが、発光方向
と略直交方向に駆動端子を設けることでレイアウトの自
由度を増すことができる。
According to this example, the light intensity of each light emitting point of the semiconductor laser array can be independently monitored, or one PD can receive and monitor the light intensity as in the conventional case. Also,
Semiconductor laser array 1 when the optical system for light detection is not used
Laser array 1 using the light flux emitted from the rear of the laser
The eccentricity adjustment (optical axis alignment) of itself becomes easy. If the detection unit is provided on the opposite side of the light emitting unit, light may be blocked by the drive terminals in the optical path or the layout may be burdened.However, by providing the drive terminals in a direction substantially orthogonal to the light emitting direction, the flexibility of layout is improved. Can be increased.

【0025】5.請求項5に対応する例(図5乃至8参
照) 半導体レーザアレーの各発光点の光強度を独立に制御し
たい場合と、各発光点より光出力の有無のみをモニター
したい場合がある。本例はこれらの場合に対応できるも
のである。前者の独立に制御したい場合は、図5に示す
ように透明部材によるカバーガラス10を取付けた部材
1Gを発光方向と反対側で半導体レーザアレー1の後方
(図において左側)のケース1Eに設ける。後者の各発
光点より光出力の有無のみをモニターしたい場合は、図
6に示すように、受光部が一つの検出器14を取付けた
部材1Fをケース1Eに接着するようにした。
5. Example Corresponding to Claim 5 (See FIGS. 5 to 8) There are cases where it is desired to independently control the light intensity of each light emitting point of the semiconductor laser array, and where there is a case where only the presence or absence of light output from each light emitting point is monitored. This example can cope with these cases. For the former independent control, as shown in FIG. 5, a member 1G to which a cover glass 10 made of a transparent member is attached is provided in a case 1E behind the semiconductor laser array 1 (on the left side in the figure) on the side opposite to the light emitting direction. When it is desired to monitor only the presence or absence of light output from each of the latter light emitting points, as shown in FIG. 6, the member 1F to which the detector 14 having one light receiving portion is attached is adhered to the case 1E.

【0026】本例の変形例として図7、図8に示す例が
ある。これは、発光方向と反対側で半導体レーザアレー
1の後方(図において左側)のケース1Eに開口を形成
しておき、外部より検出器14(図7参照)あるいは、
カバーガラス10(図8参照)を接着固定できるように
したものである。符号18は接着部を示す。本例では、
前記例4の構造を有する半導体レーザアレーに対し、半
導体レーザアレーの偏心調整後に発光部の反対側にある
部材と光強度の検出を行う検出器とを置き換え可能とな
るので、組付け調整が容易になる。
As a modified example of this example, there are examples shown in FIGS. This is because an opening is formed in the case 1E behind the semiconductor laser array 1 (on the left side in the figure) on the side opposite to the light emitting direction, and the detector 14 (see FIG. 7) or the outside is provided.
The cover glass 10 (see FIG. 8) can be adhered and fixed. Reference numeral 18 indicates an adhesive portion. In this example,
With respect to the semiconductor laser array having the structure of Example 4, the member on the opposite side of the light emitting portion and the detector for detecting the light intensity can be replaced after the eccentricity of the semiconductor laser array is adjusted, so that the assembly and adjustment can be facilitated. .

【0027】[0027]

【発明の効果】本発明によれば、装置を大型化すること
なく半導体レーザアレーの各発光点の光強度を独立にモ
ニターできる。
According to the present invention, the light intensity of each light emitting point of the semiconductor laser array can be independently monitored without increasing the size of the device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を説明した光学装置の構成図
である。
FIG. 1 is a configuration diagram of an optical device for explaining an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例を説明した光学装置の構成図
である。
FIG. 2 is a configuration diagram of an optical device for explaining an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例を説明した光学装置の構成図
である。
FIG. 3 is a configuration diagram of an optical device for explaining an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例を説明した光学装置の構成図
である。
FIG. 4 is a configuration diagram of an optical device for explaining an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例を説明した光学装置の構成図
である。
FIG. 5 is a configuration diagram of an optical device for explaining an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例を説明した光学装置の構成図
である。
FIG. 6 is a configuration diagram of an optical device for explaining an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施例を説明した光学装置の構成図
である。
FIG. 7 is a configuration diagram of an optical device illustrating an embodiment of the present invention.

【図8】本発明の一実施例を説明した光学装置の構成図
である。
FIG. 8 is a configuration diagram of an optical device for explaining an embodiment of the present invention.

【図9】従来技術の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a conventional technique.

【図10】従来技術の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a conventional technique.

【図11】半導体レーザアレーの説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of a semiconductor laser array.

【図12】半導体レーザアレーからの出射光束の説明図
である。
FIG. 12 is an explanatory diagram of a luminous flux emitted from a semiconductor laser array.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザアレー 2 (コリメート光学系としての)コリメータレンズ 12 (結像光学系としての)結像レンズ 14 検出器 1 Semiconductor laser array 2 Collimator lens (as collimating optical system) 12 Imaging lens (as imaging optical system) 14 detector

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】接合面に平行な方向に光変調が独立に可能
な複数個の発光源が配列された半導体レーザアレーを用
いた光源部と、この光源部からの複数光束をコリメート
するコリメート光学系と、このコリメート光学系からの
光束を所定の方向に偏向する偏向器と、この偏向器から
の偏向光束を所定の感光媒体上に同時に結像走査する光
学系を有する光学装置において、 半導体レーザアレーの発光源とコリメート光学系の間
に、前記発光源からの光束を前記コリメート光学系の光
軸と異なる方向へ分ける半透鏡と、この半透鏡から分け
られた光束を所定の間隔に結像する結像光学系と、この
結像光学系からの各結像光の光強度を検出する検出器を
有することを特徴とする半導体レーザアレーを用いた光
学装置。
1. A light source section using a semiconductor laser array in which a plurality of light emitting sources capable of independently modulating light in a direction parallel to a bonding surface are used, and a collimating optical system for collimating a plurality of light beams from the light source section. And an optical device having a deflector for deflecting the light beam from the collimating optical system in a predetermined direction and an optical system for simultaneously imaging and scanning the deflected light beam from the deflector onto a predetermined photosensitive medium. Between the light emitting source and the collimating optical system, a semi-transparent mirror that splits the light beam from the light emitting source into a direction different from the optical axis of the collimating optical system, and a light beam that is split from the semi-transparent mirror to form an image at a predetermined interval. An optical device using a semiconductor laser array, comprising an image optical system and a detector for detecting the light intensity of each image-forming light from the image-forming optical system.
【請求項2】請求項1において、半透鏡を半導体レーザ
アレーのケースと一体化し、このケースに前記半透鏡か
ら分けられた光束を導く開口を設けたことを特徴とする
半導体レーザアレーを用いた光学装置。
2. An optical device using a semiconductor laser array according to claim 1, wherein a semi-transparent mirror is integrated with a case of the semiconductor laser array, and an opening for guiding a light beam separated from the semi-transparent mirror is provided in the case. .
【請求項3】接合面に平行な方向に光変調が独立に可能
な複数個の発光源が配列された半導体レーザアレーを用
いた光源部と、この光源部からの複数光束をコリメート
するコリメート光学系と、このコリメート光学系からの
光束を所定の方向に偏向する偏向器と、この偏向器から
の偏向光束を所定の感光媒体上に同時に結像走査する光
学系を有する光学装置において、 半導体レーザアレーの発光源の発光部の反対側に所定の
間隔に結像する結像光学系と、この結像光学系からの各
結像光の光強度を検出する検出器を有することを特徴と
する半導体レーザアレーを用いた光学装置。
3. A light source section using a semiconductor laser array in which a plurality of light emitting sources capable of independent light modulation are arranged in a direction parallel to the joint surface, and a collimating optical system for collimating a plurality of light beams from the light source section. And an optical device having a deflector for deflecting the light beam from the collimating optical system in a predetermined direction and an optical system for simultaneously imaging and scanning the deflected light beam from the deflector onto a predetermined photosensitive medium. A semiconductor laser array comprising an image forming optical system for forming an image at a predetermined interval on the side opposite to the light emitting portion of the light emitting source, and a detector for detecting the light intensity of each image forming light from the image forming optical system. Optical device using.
【請求項4】接合面に平行な方向に光変調が独立に可能
な複数個の発光源が配列された半導体レーザアレーを用
いた光源部と、この光源部からの複数光束をコリメート
するコリメート光学系と、このコリメート光学系からの
光束を所定の方向に偏向する偏向器と、この偏向器から
の偏向光束を所定の感光媒体上に同時に結像走査する光
学系を有する光学装置において、 半導体レーザアレーの発光源の発光方向と略直交する方
向に駆動端子を設けるとともに、発光部側には透明カバ
ーガラス、前記発光部と反対側には光透過が可能な部材
及び出射光の光強度を検出する検出器をそれぞれ設けた
ことを特徴とする半導体レーザアレーを用いた光学装
置。
4. A light source section using a semiconductor laser array in which a plurality of light emitting sources capable of independent light modulation are arranged in a direction parallel to a joint surface, and a collimating optical system for collimating a plurality of light beams from the light source section. And an optical device having a deflector for deflecting the light beam from the collimating optical system in a predetermined direction and an optical system for simultaneously imaging and scanning the deflected light beam from the deflector onto a predetermined photosensitive medium. A drive terminal is provided in a direction substantially orthogonal to the light emitting direction of the light emitting source, a transparent cover glass is provided on the light emitting portion side, a member capable of transmitting light on the side opposite to the light emitting portion, and detection for detecting the light intensity of emitted light. An optical device using a semiconductor laser array, each of which is provided with a container.
【請求項5】請求項4において、光透過が可能な部材及
び出射光の光強度を検出する検出器をそれぞれ半導体レ
ーザアレーのケースに着脱自在としたことを特徴とする
半導体レーザアレーを用いた光学装置。
5. An optical device using a semiconductor laser array according to claim 4, wherein a member capable of transmitting light and a detector for detecting the intensity of emitted light are detachably attached to the case of the semiconductor laser array. .
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