JPH05191232A - Delay circuit - Google Patents

Delay circuit

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JPH05191232A
JPH05191232A JP4001695A JP169592A JPH05191232A JP H05191232 A JPH05191232 A JP H05191232A JP 4001695 A JP4001695 A JP 4001695A JP 169592 A JP169592 A JP 169592A JP H05191232 A JPH05191232 A JP H05191232A
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JP
Japan
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output terminal
inverter circuit
input terminal
transfer gate
input
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JP4001695A
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Japanese (ja)
Inventor
Harumi Kono
治美 河野
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Oki Electric Industry Co Ltd
Oki Micro Design Miyazaki Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
Oki Micro Design Miyazaki Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To reduce the entire area by ensuring a required delay with a few number of transistors(TRs) by providing a transfer gate controlled by an output of an inverter circuit to the input side of the inverter circuit. CONSTITUTION:When a high level signal is inputted to an input terminal 101 as the initial state, an output terminal 103 goes to a low level, a PMOS transistor(TR) 109 of a transfer gate is turned on and an NMOS TR 111 is turned off. When a low level signal is inputted to the input terminal 101, an input terminal 113 of an inverter circuit goes to a low level via the transfer gate and the output terminal 103 goes to a high level. In this case, the transfer gate is not completely opened and till the TRs 109 and 111 are completely turned off or on, the low level signal is not completely delivered to the input terminal 113. The delay gives an effect onto the output terminal 103 to delay the output terminal 103 to reach completely a high level.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、所定の遅延時間を確保
するための遅延回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a delay circuit for ensuring a predetermined delay time.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、遅延回路には、図2に示すような
ものがあった。図2は、従来の遅延回路を示す図であ
り、必要とする遅延時間を確保するために、PMOSト
ランジスタ201,203,205とそれに対応するN
MOSトランジスタ207,209,211とからなる
3段のインバータ回路と、負荷容量213,215とか
ら構成されている。本来、PMOSトランジスタ201
とNMOSトランジスタ207とからなるインバータ回
路の出力に負荷容量213を付加し、インバータ回路の
トランジスタサイズを小さくする事により入力波形をな
まらせ、所望の遅延時間を確保していた。しかし、この
方法では、ゲートアレイLSIの様な、トランジスタレ
イアウト及びトランジスタサイズが変更できないLSI
においては対応できない。従って、図2に示すように、
インバータ回路を複数個接続することによって、所望の
遅延時間を確保していた。
2. Description of the Related Art Conventionally, there has been a delay circuit as shown in FIG. FIG. 2 is a diagram showing a conventional delay circuit. In order to secure a required delay time, PMOS transistors 201, 203, 205 and N corresponding thereto are provided.
It is composed of a three-stage inverter circuit composed of MOS transistors 207, 209, 211 and load capacitors 213, 215. Originally, the PMOS transistor 201
The load capacitance 213 is added to the output of the inverter circuit composed of the NMOS transistor 207 and the NMOS transistor 207 to reduce the transistor size of the inverter circuit to smooth the input waveform and secure a desired delay time. However, with this method, an LSI whose transistor layout and transistor size cannot be changed, such as a gate array LSI.
Can't deal with. Therefore, as shown in FIG.
A desired delay time was secured by connecting a plurality of inverter circuits.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法では、所望の遅延時間を確保するために使用するト
ランジスタの数が増加し、その結果遅延回路全体として
の回路面積が大きくなるという問題点があった。
However, the above method has a problem in that the number of transistors used to secure a desired delay time increases, and as a result, the circuit area of the entire delay circuit increases. there were.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、インバータ回路の入力側に、このイン
バータ回路の出力によって制御されるトランスファーゲ
ートを設けたものである。
In order to solve the above problems, the present invention provides a transfer gate, which is controlled by the output of the inverter circuit, on the input side of the inverter circuit.

【0005】[0005]

【作用】本発明によれば、トランスファーゲートを構成
するNMOSトランジスタとPMOSトランジスタの導
通状態を、徐々に変化させることによって、インバータ
回路に入力する信号の波形をなまらせることができる。
According to the present invention, the waveform of the signal input to the inverter circuit can be blunted by gradually changing the conduction states of the NMOS transistor and the PMOS transistor forming the transfer gate.

【0006】[0006]

【実施例】図1は、本発明の回路図であり、以下、図1
を用いて本発明を説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT FIG. 1 is a circuit diagram of the present invention.
The present invention will be described using.

【0007】本発明は、入力端子101,出力端子10
3と、PMOSトランジスタ105とNMOSトランジ
スタ107とからなるインバータ回路と、PMOSトラ
ンジスタ109とNMOSトランジスタ111とからな
るトランスファーゲートとから構成されている。トラン
スファーゲートのPMOSトランジスタ109のソース
(もしくはドレイン)とNMOSトランジスタ111の
ソース(もしくはドレイン)は、共通に入力端子101
に接続されている。
The present invention has an input terminal 101 and an output terminal 10.
3, an inverter circuit including a PMOS transistor 105 and an NMOS transistor 107, and a transfer gate including a PMOS transistor 109 and an NMOS transistor 111. The source (or drain) of the transfer gate PMOS transistor 109 and the source (or drain) of the NMOS transistor 111 are commonly connected to the input terminal 101.
It is connected to the.

【0008】また、PMOSトランジスタ109のドレ
イン(もしくはソース)とNMOSトランジスタ111
のドレイン(もしくはソース)は、共通に、インバータ
回路の入力端子113に接続されている。また、PMO
Sトランジスタ109のゲートとNMOSトランジスタ
111のゲートは、共通に出力端子103およびインバ
ータ回路の出力端子115に接続されている。インバー
タ回路は、一般的なCMOS構成でありPMOSトラン
ジスタ105とNMOSトランジスタ107のゲートが
共通に接続され、インバータ回路の入力端子113を構
成している。また、PMOSトランジスタ105のソー
スは、電源電圧(ハイレベル)に、ドレインは、出力端
子103とNMOSトランジスタ107のドレインに接
続されている。そしてNMOSトランジスタ107のソ
ースは、接地(ローレベル)され、ドレインは、出力端
子103とPMOSトランジスタ105のドレインと接
続されている。またこのPMOSトランジスタ105の
ドレインとNMOSトランジスタ107のドレインでイ
ンバータ回路の出力端子115を構成している。
In addition, the drain (or source) of the PMOS transistor 109 and the NMOS transistor 111
The drains (or sources) of are commonly connected to the input terminal 113 of the inverter circuit. Also, PMO
The gate of the S transistor 109 and the gate of the NMOS transistor 111 are commonly connected to the output terminal 103 and the output terminal 115 of the inverter circuit. The inverter circuit has a general CMOS configuration, and the gates of the PMOS transistor 105 and the NMOS transistor 107 are commonly connected to form an input terminal 113 of the inverter circuit. The source of the PMOS transistor 105 is connected to the power supply voltage (high level), and the drain is connected to the output terminal 103 and the drain of the NMOS transistor 107. The source of the NMOS transistor 107 is grounded (low level), and the drain is connected to the output terminal 103 and the drain of the PMOS transistor 105. The drain of the PMOS transistor 105 and the drain of the NMOS transistor 107 form an output terminal 115 of the inverter circuit.

【0009】次に、本発明の回路の動作を図3の信号波
形図を用いて詳細に説明する。図3の横軸は、時間,縦
軸は、信号のレベルを表わしている。ここで、波形30
1は、入力端子101に入力される信号で、波形303
はインバータ回路の入力端子113に現れる信号で、波
形305は出力端子305に現れる信号である。なお、
理解を容易にするために、横軸は、入力端子に入力され
る信号がハイレベルのt1,ローレベルのt2,再びハ
イレベルになるt3とに分けてある。
Next, the operation of the circuit of the present invention will be described in detail with reference to the signal waveform diagram of FIG. In FIG. 3, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the signal level. Where the waveform 30
Reference numeral 1 denotes a signal input to the input terminal 101, which has a waveform 303
Is the signal appearing at the input terminal 113 of the inverter circuit, and the waveform 305 is the signal appearing at the output terminal 305. In addition,
For easy understanding, the horizontal axis is divided into high level t1, low level t2, and high level t3 when the signal input to the input terminal is high level again.

【0010】まず、初期状態として、入力端子101に
ハイレベルの信号が入力されていて、このハイレベルの
反転信号であるローレベルの信号が出力端子103に現
れているとする。これをt1とする。t1では、出力端
子103がローレベルであるため、PMOSトランジス
タ111はオン,NMOSトランジスタ109はオフし
ている。トランスファーゲート全体として見ると、PM
OSトランジスタ111がオンしているため、入力端子
に入力されたハイレベルの信号は、このPMOSトラン
ジスタ111のソース・ドレイン間を通して、インバー
タ回路の入力端子113に伝達される。次に、この入力
端子101に、ローレベルの信号が入力されると、t2
に示すように、トランスファーゲートを介して、インバ
ータ回路の入力端子113をローレベルに降下させる。
そして、インバータ回路は、このトランスファーゲート
の出力を受けて、出力端子103をハイレベルに上昇さ
せる。この時同時に、トランスファーゲートでは出力端
子103が、ハイレベルに上昇するのにともない今まで
オンしていたPMOSトランジスタ109がオフする方
向に向い、今までオフしていたNMOSトランジスタ1
11がオンする方向に向う。すると、図3のt2の初期
に示すように、ローレベルとハイレベルとのほぼ中間レ
ベルにおいて、波形303が階段状になり、波形303
は、波形301のように、一気にフルスイングせず、時
間軸方向にシフトしてしまうことがわかる。この中間レ
ベルにおいて、波形303が階段状になるのは、NMO
Sトランジスタ111がオフからオンへ変化する点であ
り、PMOSトランジスタ109がオンからオフへ変化
する点であるためである。従って、トランスファーゲー
トは、完全にはオープンにならず、PMOSトランジス
タ109およびNMOSトランジスタ111が各々完全
にオフまたはオンするまでは、入力端子101に入力さ
れたローレベルの信号は、インバータ回路の入力端子1
13に完全には伝達されない。即ち、PMOSトランジ
スタ109およびNMOSトランジスタ111の状態が
確定する時間だけ、遅延が生じるのである。このような
遅延は、当然、出力端子103にも影響し、波形305
に示すように出力端子103が、完全にハイレベルにな
るのを遅延させる。その後、インバータ回路の入力端子
113のレベルおよび出力端子103のレベルが安定す
る。
First, as an initial state, it is assumed that a high level signal is input to the input terminal 101 and a low level signal which is an inverted signal of this high level appears at the output terminal 103. This is designated as t1. At t1, since the output terminal 103 is at the low level, the PMOS transistor 111 is on and the NMOS transistor 109 is off. Looking at the transfer gate as a whole, PM
Since the OS transistor 111 is on, the high level signal input to the input terminal is transmitted to the input terminal 113 of the inverter circuit through the source and drain of the PMOS transistor 111. Next, when a low level signal is input to the input terminal 101, t2
As shown in, the input terminal 113 of the inverter circuit is lowered to the low level via the transfer gate.
Then, the inverter circuit receives the output of the transfer gate and raises the output terminal 103 to a high level. At the same time, as the output terminal 103 of the transfer gate rises to a high level, the PMOS transistor 109, which has been on until now, is turned off, and the NMOS transistor 1 that has been off until now.
Head in the direction of turning on 11. Then, as shown at the beginning of t2 in FIG. 3, the waveform 303 becomes stepwise at the almost intermediate level between the low level and the high level, and the waveform 303
It can be seen that, as shown by the waveform 301, the full swing does not occur at once, but shifts in the time axis direction. At this intermediate level, the waveform 303 becomes stepwise because the NMO
This is because the S transistor 111 changes from off to on and the PMOS transistor 109 changes from on to off. Therefore, the transfer gate is not completely opened, and the low-level signal input to the input terminal 101 is not input to the input terminal of the inverter circuit until the PMOS transistor 109 and the NMOS transistor 111 are completely turned off or on. 1
Not completely transmitted to 13. That is, the delay occurs only for the time when the states of the PMOS transistor 109 and the NMOS transistor 111 are determined. Such a delay naturally affects the output terminal 103, and the waveform 305
As shown in, the output terminal 103 is delayed from becoming a high level completely. After that, the level of the input terminal 113 and the level of the output terminal 103 of the inverter circuit become stable.

【0011】続いて、入力端子101にハイレベルの信
号が入力されるとt3に示すように、トランスファーゲ
ートを介して、インバータ回路の入力端子113をハイ
レベルに上昇させる。そして、インバータ回路は、この
トランスファーゲートの出力を受けて、出力端子103
をローレベルに降下させる。この時同時に、トランスフ
ァーゲートでは、出力端子103がローレベルに降下す
るのにともない、今までオフしていたPMOSトランジ
スタ109がオンする方向に向い、今までオンしていた
NMOSトランジスタ111がオフする方向に向う。す
ると、図3のt3の初期に示すように、ローレベルとハ
イレベルとのほぼ中間レベルにおいて、波形303が階
段状になり、波形303は波形301のように一気にフ
ルスイングせず、時間軸方向にシフトしてしまうことが
わかる。この中間レベルにおいて、波形303が階段状
になるのは、前述したような理由と同様である。従っ
て、トランスファーゲートは、完全にはオープンになら
ず、PMOSトランジスタ109およびNMOSトラン
ジスタ111が完全にオンまたオフするまでは、入力端
子101に入力されたハイレベルの信号は、インバータ
回路の入力端子113に完全には伝達されない。即ち、
PMOSトランジスタ109およびNMOSトランジス
タ111の状態が確定する時間だけ、遅延が生じるので
ある。この遅延は、出力端子103にも影響し、波形3
05に示すように、出力端子103が完全にローレベル
になるのを遅延させる。その後、インバータ回路の入力
端子113のレベルおよび出力端子103のレベルが安
定する。
Then, when a high level signal is input to the input terminal 101, as shown at t3, the input terminal 113 of the inverter circuit is raised to a high level via the transfer gate. Then, the inverter circuit receives the output of the transfer gate and outputs the output terminal 103.
To a low level. At the same time, in the transfer gate, as the output terminal 103 drops to the low level, the PMOS transistor 109 that has been off until now is turned on, and the NMOS transistor 111 that was on until now is turned off. Head to. Then, as shown at the beginning of t3 in FIG. 3, the waveform 303 has a staircase shape at a substantially intermediate level between the low level and the high level, and the waveform 303 does not swing fully at once like the waveform 301, and the time axis direction You can see that it will shift to. At this intermediate level, the waveform 303 has a stepped shape for the same reason as described above. Therefore, the transfer gate is not completely opened, and the high-level signal input to the input terminal 101 is not input to the input terminal 113 of the inverter circuit until the PMOS transistor 109 and the NMOS transistor 111 are completely turned on and off. Not completely transmitted to. That is,
The delay occurs only for the time when the states of the PMOS transistor 109 and the NMOS transistor 111 are fixed. This delay also affects the output terminal 103 and causes the waveform 3
As indicated by 05, the output terminal 103 is delayed from becoming a low level completely. After that, the level of the input terminal 113 and the level of the output terminal 103 of the inverter circuit become stable.

【0012】以上説明したように、入力端子101に入
力される信号を、所望の時間だけ遅延させることができ
る。
As described above, the signal input to the input terminal 101 can be delayed by a desired time.

【0013】次に、図1に示す本発明の回路と、図2に
示す従来の回路の特性の比較結果を図4に示す。図4に
おいて、横軸は、時間,縦軸は、信号のレベルを表わし
ている。ここで、波形401は、入力端子101に入力
される信号(従来回路においては、1段目のインバータ
回路に入力される信号)で、波形403は、本発明の回
路の出力端子103に現れる信号で、波形405は、従
来の回路の出力信号(3段目のインバータ回路から出力
される信号)である。また、前述したように時間軸をt
1,t2,t3に分けることにする。
Next, FIG. 4 shows a comparison result of characteristics of the circuit of the present invention shown in FIG. 1 and the conventional circuit shown in FIG. In FIG. 4, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the signal level. Here, a waveform 401 is a signal input to the input terminal 101 (in the conventional circuit, a signal input to the first-stage inverter circuit), and a waveform 403 is a signal appearing at the output terminal 103 of the circuit of the present invention. Then, the waveform 405 is the output signal of the conventional circuit (the signal output from the third-stage inverter circuit). Further, as described above, the time axis is t
It will be divided into 1, t2 and t3.

【0014】図4のt2およびt3の初期を見れば、本
発明の効果が理解できよう。今、t2の初期のみに着目
すると、従来の回路では、入力信号がローレベルになる
と出力信号は、完全にハイレベルに安定している。それ
に対し、本発明の回路では、入力信号がローレベルにな
っても、出力信号は、しばらくの間、完全にハイレベル
にならず、所定の時間だけ遅延された後、ハイレベルに
安定する。従来の回路が、6つのMOSトランジスタに
よって構成されているのに対し、本発明の回路は4つの
MOSトランジスタで構成されていることを考慮すれ
ば、少ない素子数で、大きな遅延時間を確保できるとい
う本発明の効果が理解できよう。
The effect of the present invention can be understood by looking at the initial stage of t2 and t3 in FIG. Focusing only on the initial stage of t2, in the conventional circuit, when the input signal becomes low level, the output signal is completely stable at high level. On the other hand, in the circuit of the present invention, even if the input signal becomes low level, the output signal does not completely become high level for a while, and is stabilized at high level after being delayed for a predetermined time. Considering that the circuit of the present invention is composed of four MOS transistors, whereas the conventional circuit is composed of six MOS transistors, a large delay time can be secured with a small number of elements. You can understand the effect of the present invention.

【0015】また、さらに大きい遅延時間を得たいなら
ば、図1の回路を複数個接続することもできる。
If a larger delay time is desired, a plurality of circuits shown in FIG. 1 can be connected.

【0016】また、従来の回路を用いて、入力信号に対
して遅延された反転信号を得るためには、初段のインバ
ータ回路には必ず偶数個のインバータ回路を接続するこ
とが必要であり、最少の場合でもMOSトランジスタは
6個必要である。それに対して本発明の回路では、最少
で4個のMOSトランジスタにより構成できる。
In order to obtain an inverted signal delayed from the input signal by using the conventional circuit, it is necessary to connect an even number of inverter circuits to the first stage inverter circuit without fail. In this case, six MOS transistors are required. On the other hand, the circuit of the present invention can be configured with a minimum of four MOS transistors.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば少ないトランジスタ数で必要とする遅延時間を確保
することができる。従って、遅延回路全体の面積を小さ
くすることができる。
As described in detail above, according to the present invention, the required delay time can be secured with a small number of transistors. Therefore, the area of the entire delay circuit can be reduced.

【0018】また、ゲートアレイLSIの様な、トラン
ジスタサイズが規定されているLSIにおいては特に有
効である。
Further, it is particularly effective in an LSI such as a gate array LSI in which the transistor size is defined.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の回路図を示す図FIG. 1 is a diagram showing a circuit diagram of the present invention.

【図2】従来の遅延回路を示す図FIG. 2 is a diagram showing a conventional delay circuit.

【図3】本発明の回路の動作を示す信号波形図FIG. 3 is a signal waveform diagram showing the operation of the circuit of the present invention.

【図4】本発明の回路と従来の回路の特性の比較結果を
示す図
FIG. 4 is a diagram showing a comparison result of characteristics of a circuit of the present invention and a conventional circuit.

【符号の説明】 101 入力端子 103 出力端子 105 PMOSトランジスタ 107 NMOSトランジスタ 109 PMOSトランジスタ 111 NMOSトランジスタ 113 インバータ回路の入力端子 115 インバータ回路の出力端子[Description of Reference Signs] 101 input terminal 103 output terminal 105 PMOS transistor 107 NMOS transistor 109 PMOS transistor 111 NMOS transistor 113 input terminal of inverter circuit 115 output terminal of inverter circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力端子と、 出力端子と、 入力する信号の反転信号を出力するインバータ回路と、 N型MOSトランジスタとP型MOSトランジスタとか
らなるトランスファーゲートであって、前記各々のMO
Sトランジスタの第1電極が共通に接続され、前記各々
のMOSトランジスタの第2電極が共通に接続され、前
記各々のMOSトランジスタのゲート電極が共通に接続
されたトランスファーゲートとから構成され、 共通に接続された前記各々のMOSトランジスタの第1
電極は前記入力端子に接続され、共通に接続された前記
各々のMOSトランジスタのゲート電極は、前記出力端
子に接続され、共通に接続された前記MOSトランジス
タの第2電極と前記出力端子との間に前記インバータ回
路が接続されていることを特徴とする遅延回路。
1. A transfer gate comprising an input terminal, an output terminal, an inverter circuit for outputting an inverted signal of an input signal, and an N-type MOS transistor and a P-type MOS transistor, each of the MO gates.
A first electrode of the S-transistor is commonly connected, a second electrode of each of the MOS transistors is commonly connected, and a gate electrode of each of the MOS transistors is commonly connected to a transfer gate. First of each of the connected MOS transistors
An electrode is connected to the input terminal, a gate electrode of each of the MOS transistors commonly connected is connected to the output terminal, and a second electrode of the MOS transistors commonly connected is connected to the output terminal. A delay circuit, wherein the inverter circuit is connected to.
JP4001695A 1992-01-08 1992-01-08 Delay circuit Pending JPH05191232A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9571076B2 (en) 2014-10-14 2017-02-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Bidirectional delay circuit and integrated circuit including the same
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