JPH05191180A - 高周波送信装置の出力レベル制御回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】送信出力信号の出力電力レベルを広い温度範囲
にわたって安定に維持するとともに入力基準電圧の立ち
上りに遅れることのないように制御する。 【構成】可変増幅部２は送信信号発生回路１からの送信
信号Ｐｉを制御信号Ｃに応答して所定レベルの送信信号
ｐａ（Ｐｏ）までに増幅し、この送信信号Ｐａ対応の信
号Ｐｂは温度補償されたバイアス電圧Ａ０の印加を受け
る検波ダイオード３２によって検出され、この検出出力
とバイアス電圧Ａ０の和が制御ループへの検波出力Ａに
なる。基準電圧制御部７は、送信信号ＰｏのＯＦＦ期間
の検波ダイオード３２のバイアス電圧Ａ０を記憶し、ま
た送信信号ＰｏのＯＮに同期して供給される入力基準電
圧Ｇと記憶バイアス電圧Ａ０とを加算し、この加算出力
を所定の出力電力レベル対応の基準電圧Ｅにする。演算
増幅器６と電源制御部５はこの加算出力Ｅと検波出力Ａ
とに応答して制御信号Ｃを生じる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は高周波送信装置の出力レ
ベル制御回路に関し、特にＴＤＭＡ無線通信方式やデジ
タルセルラーモバイル電話方式などにおける送信装置の
ように間欠的に高周波数信号を送信する高周波送信装置
の出力レベル制御回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】高周波送信装置の送信電力を所定の出力
レベルに維持する出力レベル制御回路は、可変増幅部が
出力する高周波数信号の波高値を検出する高周波数信号
検波回路（以下、検波回路という）と、この検波回路の
出力と上記所定の出力レベルに対応する基準電圧とを比
較する比較部と、この比較部の出力に応答して上記可変
増幅部の出力レベルを制御する制御手段とを備えてい
る。

【０００３】上記検波回路は、出力レベルを広い温度範
囲にわたって一定に維持するため、広い温度範囲に亘っ
て高周波電力レベルを高精度に検出する必要がある。米
国特許第４，５２３，１５５（１９８５年６月１１日発
行）に記載されているこの種の検波回路は、上述の要求
を満たすための回路である。この検波回路は、高周波数
信号の包絡線に応答して検出出力を生じる検波用ダイオ
ードと、この検波用ダイオードとほぼ同一の特性を有す
るとともにこの検波用ダイオードと熱的に結合される温
度補償用ダイオードとを備えている。この検波回路で
は、バイアス電圧供給点からバイアス電圧設定用抵抗器
を介して検波用ダイオードに順方向のバイアス電圧を与
え、検波用ダイオード接続の負荷抵抗器から上記検出出
力とバイアス電圧とを重畳した検波回路出力を得てい
る。バイアス電圧供給点からは上記温度補償用ダイオー
ドにも順方向のバイアス電圧を供給しており、このバイ
アス電圧供給点の電圧は温度補償用ダイオードの順方向
電圧の変動に伴って変動する。検波用ダイオードのバイ
アス電圧は、バイアス電圧供給点電圧から検波用ダイオ
ードの順方向電圧を差引いたものであるから、温度変動
があっても温度補償用ダイオードの順方向電圧の温度変
動によって消去される。従って、この検波回路は、温度
変化に左右されることのないバイアス電圧および検出出
力，即ち検波回路出力を発生することができる。

【０００４】上記比較部は、間欠的な送信信号の所定出
力レベルに対応する基準電圧と上記負荷電圧とを比較
し、この比較出力を上記制御手段に供給する。この制御
手段は、基準電圧に検波回路出力が一致するように、可
変増幅部の利得を制御する。基準電圧が上昇または下降
する時には、検波回路出力（即ち送信信号の出力レベル
に対応する）は、直ちにこの基準電圧に追付かなければ
ならない。例えば、ＥＩＡシステムにおける８００ＭＨ
ｚ ＣＥＬＬＵＬＡＲ ＳＵＢＳＣＲＩＢＥＲＵＮＩＴ
Ｓ（８００ＭＨｚ セルラー・加入者装置）のための推
奨基準（ＥＩＡＩＮＴＥＲＩＭ ＳＴＡＮＤＡＲＤ，Ｉ
Ｓ−１９−Ｂ，３．１．３．３，Ｊａｎ．１９８８，Ｕ
ＳＡ）では、送信信号の立ち上がりおよび立ち下がり時
間を２ミリ秒以下にすることを定めている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の高周波
送信装置の出力レベル制御回路は、送信信号の立ち上り
時においては基準電圧が検波回路出力を上回っていると
きだけ出力レベル制御を行うので、上述のように温度補
償のために検波用ダイオードにバイアス電圧を加えてい
る場合には、基準電圧が検波用ダイオードのバイアス電
圧より高くなるまで出力レベルの制御を行うことができ
ない。従って、送信電力の送信開始時においては、基準
電圧が上記バイアス電圧を越えるまで検波用ダイオード
からの出力電圧が変化せず、その期間だけ送信電力の立
ち上りが遅れ、上記基準立ち上り時間を満足できなくな
るという問題が生じる。

【０００６】この問題を解決するため、上記出力レベル
制御回路の制御ループ利得を極端に大きくして送信電力
の立ち上りを早くする方法があるが、この方法を用いる
と、送信電力のオーバーシュートや制御ループの発振を
生じやすくするだけでなく、上記制御ループに増幅用お
よびフィルタ用部品の追加を必要とする。

【０００７】従って、本発明の第１の目的は、間欠的な
高周波数信号を所定の複数の出力レベルのうちの選ばれ
た１つのレベルで送信する高周波送信装置を上記出力レ
ベルの各々において広い温度範囲にわたって安定に維持
するとともに、上記出力レベルが基準電圧の立ち上りに
遅れることのない高周波送信装置の出力レベル制御回路
を提供することにある。

【０００８】本発明の第２の目的は、制御ループ回路を
構成する部品の数をできるだけを削減したこの種の出力
レベル制御回路を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明の高周波送信装
置の出力レベル制御回路は、従来技術による上述の回路
と同様に、ほぼ同じバイアス電圧の印加を受ける検波用
ダイオードおよび温度補償用ダイオードを含み可変増幅
部からの高周波出力の波高値を検出する検波回路と、こ
の検波回路の検出出力対応の検波回路出力と上記所定の
出力レベルに対応する基準電圧とを比較する比較部と、
この比較部の出力に応答して上記可変増幅部の出力レベ
ルを制御する制御手段とを備えている。この出力レベル
制御回路は、さらに、上記検波ダイオードのバイアス電
圧を検出しこれを記憶するバイアス電圧検出手段と、こ
の記憶バイアス電圧と入力基準電圧とを加算して上記基
準電圧にする基準電圧制御手段とを備えている。

【００１０】上記基準電圧は、入力基準電圧に検波ダイ
オードのバイアス電圧を加えたものであり、入力基準電
圧の立ち上り時には、常に検波ダイオードの出力電圧
（検波回路出力）より高い電圧になる。従って、基準電
圧と検波回路出力の比較結果を受ける電源制御部は、入
力基準電圧の印加初期にも可変増幅部に有効な利得制御
信号を与えることができ、送信出力および上記検波回路
出力の立ち上りが入力基準電圧の変化に遅れることがな
い。なお、入力基準電圧の立ち下り時にも、比較部出力
は立ち上り時と同様に入力基準電圧に追随する。

【００１１】

【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。

【００１２】図１は本発明の実施例すなわちＴＤＭＡ通
信方式やデジタルセルラーモバイル電話方式に適合した
間欠送信用高周波送信機の一例のブロック図である。ま
た、図２は、図１の送信機の各部信号の立ち上り波形図
であり、（ａ）図は送信出力信号Ｐｏ，（ｂ）図は検波
ダイオードの出力電圧Ａ，（ｃ）図は基準電圧Ｅおよび
Ｇの立ち上り波形を示している。

【００１３】図１を参照すると、無線周波数の送信出力
信号Ｐｏを間欠的に出力する高周波送信装置は、送信制
御部９に制御されてバースト状の入力信号Ｐｉを発生す
る送信信号発生部１と、この入力信号Ｐｉを増幅して増
幅信号Ｐａを生じる可変増幅部２と、この増幅信号Ｐａ
の大部分を信号出力端子４に導いて送信出力信号Ｐｏを
生じる検波回路３とを備える。入力信号Ｐｉの供給タイ
ミングは、送信制御部９からの送信制御信号Ｈによって
制御される。検波回路３は、また、増幅信号Ｐａの一部
Ｐｂをカップラ３１を介して検波ダイオード３２に供給
し、この検波ダイオード３２は負荷抵抗器３３にカップ
ラ出力信号Ｐｂの波高値に対応（即ち、送信出力信号Ｐ
ｏの波高値対応）する検波回路出力Ａを生じる。なお、
検波回路３は、この検波ダイオード３２とほぼ同じ温度
特性の補償ダイオード３９をさらに有する。これら検波
ダイオード３２と補償用ダイオード３９とはほぼ同じ値
のバイアス電圧の印加を受け、順方向電圧の温度変動に
伴って生じる検波ダイオード３２のバイアス電圧変動を
補償ダイオード３９のバイアス電圧変動で差引くように
接続される。従って、検波ダイオード３２の負荷抵抗器
３３に現れる検波回路出力Ａには、送信出力信号Ｐｏ対
応の検出出力とともに温度変動が補償された固定のバイ
アス電圧Ａ０も加算されている。検波回路３からの検波
回路出力Ａは、演算増幅器６の−入力端に供給され、こ
の演算増幅器６の＋入力端に供給される基準電圧Ｅと比
較される。演算増幅器６からの比較出力電圧Ｄは電源制
御部５に供給される。電源制御部５は、比較出力電圧Ｄ
に応答して電源入力端子８の電源電圧Ｆから制御信号
Ｃ，即ち電源電圧Ｆを比較出力電圧Ｄの大きさに対応し
て降下した電圧を生じ、この制御信号Ｃを可変増幅器２
の制御信号入力端２３に供給する。可変増幅部２は、こ
の制御信号Ｃに応答して増幅素子の電源電圧，ここでは
電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴ）のドレイン電圧を
制御し、信号出力端子４に基準電圧Ｅに対応する所定の
送信出力信号Ｐｏを生じるように増幅利得を変化させ
る。

【００１４】上述の送信信号発生回路１と可変増幅部２
と検波回路３と演算増幅器６と電源制御部５と送信制御
部９とは、従来技術による高周波送信装置の出力レベル
制御回路と同じ機能を有する。一方、この発明による出
力レベル制御回路は、上述の諸構成要素に加え、入力信
号Ｐｉの非入力時に検波ダイオード３２の負荷抵抗器３
３に生じる温度補償されたバイアス電圧Ａ０を記憶する
バイアス電圧検出部手段とこの記憶バイアス電圧Ａ０と
入力基準電圧Ｇとを重畳する基準電圧加算手段とを有す
る基準電圧制御部７をさらに備える。基準電圧Ｇは、送
信制御部９から送信制御信号Ｈに同期して、従って入力
信号Ｐｉに同期して供給される。

【００１５】図１および図２を併せ参照すると、この高
周波送信装置は、時刻Ｔ０からＴ１までは、送信出力信
号ＰｏのＯＦＦ期間であり、入力信号Ｐｉに同期する基
準電圧Ｇも供給されない。このとき、検波ダイオード３
２は、カップラ出力信号Ｐｂを検出せず、ダイオード３
２の出力電圧Ａは、固定のバイアス電圧Ａ０にほぼ等し
い。この送信出力信号ＰｏのＯＦＦ期間中の固定バイア
ス電圧Ａ０は、基準電圧制御部７のバイアス電圧検出手
段で記憶され、この記憶バイアス電圧Ａ０は、同制御部
７の基準電圧加算手段に供給される。ここで、基準電圧
制御部７は、入力信号ＰｉのＯＮ／ＯＦＦ期間が基準電
圧ＧのＯＮ／ＯＦＦ期間に一致しているので、基準電圧
Ｇを参照して記憶すべきバイアス電圧Ａ０の入力時期を
決定する。時刻Ｔ１になると、入力信号Ｐｉが送信信号
発生回路１から可変増幅部２に、基準電圧Ｇが送信制御
部９から基準電圧制御部７にそれぞれ供給される。送信
出力信号Ｐｏは、２ミリ秒以内に規定電力まで立ち上る
必要があるので、基準電圧Ｇも、時刻Ｔ１から時刻Ｔ３
までの時間を２ミリ秒以内に設定した波形で立ち上る。
基準電圧制御部７は、記憶バイアス電圧Ａ０と基準電圧
Ｇとを加算してこの出力レベル制御回路の基準電圧Ｅと
する。基準電圧Ｅは演算増幅器６の−入力端子に供給さ
れる。この時刻Ｔ１から時刻Ｔ３までにおいては、検波
回路出力電圧Ａは基準電圧Ｅより低く、電源制御部５に
よる可変増幅部２の利得制御が発動する。この結果、送
信出力信号Ｐｏの電力レベルおよび検波ダイオード３２
の検波回路出力Ａは基準電圧Ｅに直ちに追随し、時刻Ｔ
３になると送信出力信号Ｐｏは基準電圧Ｅに対応した所
定の出力に到達する。

【００１６】なお、基準電圧制御部７のバイアス電圧検
出手段および基準電圧加算手段による上述の基準電圧処
理を行う代わりに従来技術と同様に入力基準電圧Ｇを演
算増幅器６に直接供給する（図２（ｃ）参照）と、検波
ダイオード３２の出力電圧Ａ１（図２（ｂ）参照）は基
準電圧Ｇから時間ｔだけ遅れて立ち上り、これに伴って
送信出力信号Ｐｏ１も時間ｔだけ立ち上りが遅れる（図
２（ａ）参照）。従来技術による送信レベル制御回路に
おいては、この時間ｔは１ミリ秒程度もあり、送信出力
信号Ｐｏ１の立ち上り時間を規定の立ち上り時間（２ミ
リ秒）より短くすることは困難であった。しかし、この
実施例においては、立ち上り遅れ時間ｔをほぼ零にする
ことができるので、立ち上り時間（Ｔ３−Ｔ１）を２ミ
リ秒以内にするのは容易である。

【００１７】さらに、図１を参照すると、この高周波送
信装置は、送信出力信号Ｐｏの最大出力電力レベルが
０．６Ｗであり、４ｄＢの等差を持つ複数の出力電力レ
ベルのうちの１つを任意に選んで送信できる。

【００１８】可変増幅部２は、ＦＥＴを増幅素子として
含む増幅器であり、信号入力端子２１からの入力信号Ｐ
ｉをこのＦＥＴで増幅し、信号出力端子２２から増幅信
号Ｐａを出力する。電源制御部５からの制御信号Ｃは、
この可変増幅部２の制御信号入力端子２３に入力され、
上記ＦＥＴのドレイン電圧を制御し、可変増幅部２の利
得をこのドレイン電圧制御によって制御する。

【００１９】さらに図１を参照すると、検波回路３は、
カップラ３１の結合端を検波ダイオード３２のアノード
に接続し、ダイオード３２のカソードを検波電圧出力端
４１に接続し、この検波電圧出力端４１から検波回路出
力Ａを出力している。ダイオード３２のカソードと接地
電位点との間にはダイオード３２の負荷抵抗器３３と高
周波数信号のバイパス回路をなすコンデンサ３４とを並
列に接続している。また、カップラ３１の絶縁端を終端
抵抗器３５および高周波数信号のバイパス用コンデンサ
３６の直列回路に接続し、この直列回路を増幅信号Ｐａ
の終端回路とする。バイアス電圧入力端４０からはバイ
アス電圧Ｖｂｂが供給され、このバイアス電圧Ｖｂｂは
カソードを接地した補償ダイオード３９のアノードに抵
抗器３７と３８の直列回路を介して順方向のバイアス電
圧を与える。抵抗器３７と３８の接続点は、さらに抵抗
器３５とコンデンサ３６の接続点（Ｂ点）に共通接続さ
れ、検波ダイオード３２にも補償ダイオード３９のバイ
アス電圧にほぼ等しいバイアス電圧Ａ０を与える。な
お、バイアス電圧供給点Ｂの電圧は、主として補償ダイ
オード３９と抵抗器３８側の回路によって決定される。

【００２０】増幅信号Ｐａの無入力時において、検波電
圧出力端４１，即ち抵抗器３３に生じる負荷電圧，即ち
ダイオード３２のバイアス電圧Ａ０は、上記共通接続点
Ｂの電圧（電圧Ｖ_B とする）よりもダイオード３２の順
方向電圧Ｖｆだけ低い。温度変動に伴なってダイオード
３２および３９の順方向電圧Ｖｆが変動すると、この順
方向電圧Ｖｆの変動に対応してダイオード３２および３
９へのバイアス電圧供給点Ｂの電圧Ｖ_B も同じ電圧だけ
変動する。従って、ダイオード３２と３９による順方向
電圧Ｖｆの温度変動が相殺され、検波電圧出力端４１に
生じる電圧Ａ０は実質的に変動しない。次に、増幅信号
Ｐａが検波回路３に加わると、検波ダイオード３２は、
このカップラ出力信号Ｐｂを検波し、バイアス電圧Ａ０
に検出出力を加えた検波回路出力Ａを負荷抵抗器３３，
即ち検波電圧出力端４１に生じる。

【００２１】図３は図１の一部の回路図である。

【００２２】図３を参照すると、この電源制御部５は、
電源入力端子８からの電源電圧Ｆをトランジスタ５１の
エミッタに加え、トランジスタ５１はこの電源電圧Ｆを
ベース電流に応じて降下させた制御信号Ｃをコレクタに
生じる。また、演算増幅器６からの比較出力電圧Ｄがト
ランジスタ５３のベースに供給され、このトランジスタ
５３は比較出力電圧Ｄに対応するコレクタ電流を生じ
る。このトランジスタ５３のコレクタ電流が、抵抗器５
２を介してトランジスタ５１のベースに供給され、上記
ベース電流になる。トランジスタ５１のベース電流が増
加すると、このトランジスタ５１による電圧降下が少な
くなるので可変増幅器２内蔵のＦＥＴのドレイン端子に
供給される制御信号Ｃの電圧が上昇し、可変増幅器２の
利得を増加させる。従って、基準電圧Ｅより検波回路出
力Ａが小さいと、演算増幅器６からの比較出力電圧Ｄが
上昇し、この比較出力電圧Ｄの上昇は可変増幅部２の利
得を増加させる。この可変増幅部２の利得増加は、検波
回路出力Ａを基準電圧Ｅに一致するまで上昇させる。

【００２３】図４は図１の他の一部の回路図である。

【００２４】図４を参照すると、この基準電圧制御部７
は、検波回路３からのアナログの検波回路出力Ａと送信
制御部９からのデジタルの基準電圧Ｇとに応答してデジ
タル信号処理を行い、信号処理されたアナログの基準電
圧Ｅを演算増幅器６の＋端子に供給する。検波回路出力
Ａは、アナログ−デジタル（Ａ／Ｄ）変換器７２によっ
てデジタル信号に変換され、このデジタル信号はコント
ローラ（ＣＯＮＴ）７３に入力される。このデジタル信
号は、基準電圧Ｇの入力休止期間ごとに、コントローラ
７３によりサンプルされる。このサンプルされたデジタ
ル信号は、メモリ７５に格納され、更新される。メモリ
７５に格納される上記デジタル信号は、ダイオード３２
のバイアス電圧Ａ０に対応している。一方、基準電圧Ｇ
は、コントローラ７３に直接入力される。基準電圧Ｇが
入力されると、コントローラ７３は、この基準電圧Ｇと
メモリ７５に格納されている上記デジタル信号とを加算
し、この加算出力をデジタル−アナログ（Ｄ／Ａ）変換
器７１に供給する。Ｄ／Ａ７１は、この加算出力をアナ
ログの基準電圧Ｅに変換し、この基準電圧Ｅを演算増幅
器６の＋端子に供給する。

【００２５】なお、バイアス電圧Ａ０を高精度に設定す
る必要のないときには、基準電圧Ｇの入力休止期間ごと
に上記デジタル信号を更新する必要はなく、実験等によ
って求めたバイアス電圧Ａ０を予め読み出し専用のメモ
リ７４に記憶しておいてもよい。

【００２６】また、基準電圧Ｇとバイアス電圧Ａ０とを
予めメモリ７４に格納しておき、送信制御部９からコン
トローラ７３に入力信号Ｐｉに同期した送信タイミング
信号Ｊを入力してもよい。コントローラ７３は、このタ
イミング信号Ｊに同期して上記基準電圧Ｇおよびバイア
ス電圧Ａ０をメモリ７４から読み出して加算し、この加
算信号をＤ／Ａ７１に供給する。

【００２７】

【発明の効果】上述のとおり、この発明の高周波送信装
置の出力レベル制御回路は、検波ダイオードのバイアス
電圧と入力基準電圧とを加算して新たな基準電圧を作る
ことにより、送信出力信号の出力電力レベルを広い温度
範囲にわたって安定に維持するとともに、上記出力電力
レベルを入力基準電圧の立ち上りに遅れることのないよ
うに制御する。また、上述の出力レベル制御回路は、特
別な制御ループを構成する必要がないので、回路部品の
削減を達成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例すなわちＴＤＭＡ通信方式やデ
ジタルセルラーモバイル電話方式に適合した間欠送信用
高周波送信機の一例のブロック図である。

【図２】図１の送信機の各部信号の立ち上り波形図であ
る。（ａ）図は送信出力信号Ｐｏ，（ｂ）図は検波ダイ
オードの出力電圧Ａ，（ｃ）図は基準電圧ＥおよびＧの
立ち上り波形を示している。

【図３】図１の一部の回路図である。

【図４】図１の他の一部のブロック図である。

【符号の説明】

１ 送信信号発生回路 ２ 可変増幅部 ３ 検波回路 ４ 信号出力端子 ５ 電源制御部 ６ 演算増幅器 ７ 基準電圧制御部 ８ 電源入力端子 ９ 送信制御部 ２１ 信号入力端子 ２２ 信号出力端子 ２３ 制御信号入力端子 ３１ カップラ ３２ 検波ダイオード ３３，３５，３７，３８ 抵抗器 ３４，３６ コンデンサ ３９ 補償ダイオード ４０ バイアス電圧入力端 ４１ 検波電圧出力端 ５１，５３ トランジスタ ５２ 抵抗器 ７１ デジタル−アナログ変換器（Ｄ／Ａ） ７２ アナログ−デジタル変換器（Ａ／Ｄ） ７３ コントローラ（ＣＯＮＴ） ７４，７５ メモリ

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 間欠的に供給される無線周波数入力信号
   を制御信号に対応する利得で増幅し増幅信号を生ずる可
   変増幅手段と、バイアス電圧の印加を受けた検波ダイオ
   ードによって前記増幅信号の電力レベルを検出する検波
   手段と、基準電圧と前記検波手段の出力電圧を前記バイ
   アス電圧に加算した検波手段出力電圧とに応答して前記
   基準電圧に対応するレベルの増幅信号を前記可変増幅手
   段に生じさせる前記制御信号を生ずる制御手段とを備え
   る高周波送信装置の出力レベル制御回路において、 前記出力レベル制御回路が、さらに、前記送信信号のＯ
   Ｎに同期して供給される入力基準電圧に前記検波ダイオ
   ードのバイアス電圧を加算して前記基準電圧を生じる基
   準電圧制御手段を備えることを特徴とする高周波装置の
   出力レベル制御回路。
2. 【請求項２】 前記検波手段が、前記増幅信号の一部を
   前記検波ダイオードに供給するカップラと、温度変動に
   拘わらず前記検波ダイオードの前記バイアス電圧をほぼ
   一定に保つバイアス手段とを、さらに、含むことを特徴
   とする請求項１記載の高周波送信装置の出力レベル制御
   回路。
3. 【請求項３】 前記バイアス手段が、アノードを第１の
   抵抗器を介してバイアス電圧供給点に接続しカソードを
   接地した補償ダイオードを含み、 前記検波ダイオードのアノードを第２の抵抗器および前
   記カップラを介して前記バイアス電圧供給点に接続し、
   前記検波ダイオードのカソードを前記バイアス電圧およ
   び前記検波手段出力電圧の出力端を構成する抵抗器に接
   続することを特徴とする請求項２記載の高周波送信装置
   の出力レベル制御回路。
4. 【請求項４】 前記制御手段が、前記基準電圧と前記検
   波手段からの出力電圧とを比較する比較手段と、前記比
   較手段の出力電圧に応答して前記制御信号を生じる電源
   制御手段とを含むことを特徴とする請求項２記載の高周
   波送信装置の出力レベル制御回路。
5. 【請求項５】 前記電源制御手段が、前記比較手段出力
   をベースに受けエミッタを接地した第１のトランジスタ
   と、ベースを抵抗器を介して前記第１のトランジスタの
   コレクタに接続しコレクタを前記制御信号の出力端子と
   しエミッタを電源の入力端子とする第２のトランジスタ
   とを含むことを特徴とする請求項４記載の高周波送信装
   置の出力レベル制御回路。
6. 【請求項６】 前記可変増幅手段が電界効果トランジス
   タを前記送信信号の増幅素子として含み、 前記制御信号が前記電界効果トランジスタのドレイン電
   圧を制御することを特徴とする請求項５記載の高周波送
   信装置の出力レベル制御回路。
7. 【請求項７】 前記基準電圧制御手段が、前記送信信号
   のＯＦＦ期間における前記検波ダイオードのバイアス電
   圧を記憶するバイアス電圧検出手段と、 前記入力基準電圧に前記記憶バイアス電圧を加算して前
   記基準電圧を生じる基準電圧加算手段とを含むことを特
   徴とする請求項１および２記載の高周波送信装置の出力
   レベル制御回路。
8. 【請求項８】 前記基準電圧制御手段が、前記検波手段
   出力電圧をデジタル信号に変換するアナログ−デジタル
   変換手段と、前記デジタル信号のうちの前記検波ダイオ
   ードのバイアス電圧を記憶するメモリ手段と、前記アナ
   ログ−デジタル変換手段および前記メモリ手段を制御す
   るとともにデジタル形式の前記入力基準電圧に前記記憶
   バイアス電圧を加算して加算出力を生ずコントローラ手
   段と、 前記加算出力をアナログ信号に変換するデジタル−アナ
   ログ変換手段とを含むことを特徴とする請求項１および
   ２記載の高周波送信装置の出力レベル制御回路。
9. 【請求項９】 前記基準電圧制御手段が、前記検波ダイ
   オードの予め設定したバイアス電圧を記憶するメモリ手
   段と、デジタル形式の前記入力基準電圧に前記記憶バイ
   アス電圧を加算して加算出力を生ずるコントローラ手段
   と、前記加算出力をアナログ形式の前記基準電圧に変換
   するデジタル−アナログ変換手段とを含むことを特徴と
   する請求項１および２記載の高周波送信装置の出力レベ
   ル制御回路。
10. 【請求項１０】 前記基準電圧制御手段が、前記検波ダ
    イオードの予め設定したバイアス電圧と前記入力基準電
    圧とを記憶するメモリと、前記送信信号のＯＮ状態に同
    期して前記記憶バイアス電圧と前記記憶入力基準電圧と
    を加算して加算出力を生ずるコントローラ手段と、前記
    加算出力をアナログ形式の前記基準電圧に変換するデジ
    タル−アナログ変換手段とを含むことを特徴とする請求
    項１および２記載の高周波送信装置の出力レベル制御回
    路。
11. 【請求項１１】 間欠的に供給される無線周波数の送信
    信号をドレイン電圧の制御を受ける電界効果トランジス
    タによって増幅する可変増幅手段と、前記可変増幅手段
    からの送信信号の一部を分波するカップラと、分波され
    た前記送信信号の電力レベルに対応する検出出力と印加
    されたバイアス電圧との加算出力電圧を負荷抵抗器に出
    力する検波ダイオードと、温度変動に拘わらず前記検波
    ダイオードのバイアス電圧をほぼ一定に保つバイアス手
    段とを含む検波手段と、基準電圧と前記加算出力電圧と
    を比較する比較手段と、前記比較手段の出力に応答して
    前記電界効果トランジスタのドレイン電圧を制御する制
    御信号を生じる電源制御手段と、前記送信信号のＯＮ状
    態に同期して供給される入力基準電圧に前記検波ダイオ
    ードのバイアス電圧を加算して前記基準電圧を生じる基
    準電圧制御手段とを備えることを特徴とする高周波送信
    装置の出力レベル制御回路。
12. 【請求項１２】 前記基準電圧制御手段が、前記送信信
    号のＯＦＦ状態における前記検波手段の検波ダイオード
    のバイアス電圧を記憶するバイアス電圧検出手段と、前
    記入力基準電圧に前記記憶バイアス電圧を加算して前記
    基準電圧を生じる基準電圧加算手段とを含むことを特徴
    とする請求項１１記載の高周波送信装置の出力レベル制
    御回路。
13. 【請求項１３】 前記基準電圧制御手段が、前記加算出
    力電圧を第１のデジタル信号に変換するアナログ−デジ
    タル変換手段と、前記第１のデジタル信号の一部を構成
    する前記検波ダイオードのバイアス電圧対応の第２のデ
    ジタル信号を記憶するメモリ手段と、前記アナログ−デ
    ジタル変換手段および前記メモリ手段を制御するととも
    にデジタル形式の前記入力基準電圧に前記記憶バイアス
    電圧を加算して加算出力を生ずるコントローラ手段と、
    前記加算出力を前記基準電圧に変換するデジタル−アナ
    ログ変換手段とを含むことを特徴とする請求項１１記載
    の高周波送信装置の出力レベル制御回路。