JPH05191158A - Amplifier - Google Patents

Amplifier

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JPH05191158A
JPH05191158A JP323692A JP323692A JPH05191158A JP H05191158 A JPH05191158 A JP H05191158A JP 323692 A JP323692 A JP 323692A JP 323692 A JP323692 A JP 323692A JP H05191158 A JPH05191158 A JP H05191158A
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JP
Japan
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amplifier
load
voltage
current
feedback
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP323692A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Norio Ueno
典夫 上野
Satoru Matsuyama
哲 松山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPH05191158A publication Critical patent/JPH05191158A/en
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Abstract

PURPOSE:To perform amplification in a wide band by using a feedback resistance as the load in the output stage of an amplifier to form a feedback amplifier circuit. CONSTITUTION:An FET Q13 is an n-channel CMOS field effect transistor and has the gate connected to an input terminal TIN and has the source connected to a line of an earth potential VSS. The drain is connected to an output terminal through an amplifier 1 including a load R2. At this time, the feedback amplifier circuit is formed with the load R2 in the output stage of the amplifier 1 as the feedback resistance to reduce the impedance of the load by the gain of the feedback amplifier circuit. Since the cut-off frequency of the amplifier is inversely proportional to the impedance of the load, the impedance of the load is reduced to extend the cut-off frequency, and consequently, the band of the amplifier is extended.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は増幅器に係り、特に、C
MOSプロセスを用いて形成される増幅器に関する。
FIELD OF THE INVENTION This invention relates to amplifiers, and more particularly to C
The present invention relates to an amplifier formed by using a MOS process.

【0002】高速データ伝送の信号再生に用いるメイン
増幅器としてはビットレート程度の帯域が要求されてい
る。
As a main amplifier used for signal reproduction of high speed data transmission, a band of about a bit rate is required.

【0003】一方、CMOSプロセスは安価に回路を形
成できるため、増幅器等にも用いられるが、CMOSプ
ロセスにより形成された増幅器は寄生容量等のによりそ
のカットオフ周波数が決まってしまったため、広帯域増
幅器として用いることが困難である。
On the other hand, the CMOS process can be used for an amplifier or the like because a circuit can be formed at a low cost, but the amplifier formed by the CMOS process has a cutoff frequency determined by parasitic capacitance or the like, and thus is used as a wide band amplifier. It is difficult to use.

【0004】このため、高速データ伝送の信号再生に用
いるメイン増幅器を安価に構成するにはCMOSプロセ
スを用いた増幅器の広帯域化が要求されている。
Therefore, in order to inexpensively construct a main amplifier used for signal reproduction of high speed data transmission, it is required to widen the band of the amplifier using the CMOS process.

【0005】[0005]

【従来の技術】図6は従来の一例の増幅器の回路構成図
を示す。
2. Description of the Related Art FIG. 6 shows a circuit configuration of an example of a conventional amplifier.

【0006】同図中、Q1 はCMOS型電界効果トラン
ジスタ(FET)で、ゲートに入力された入力信号電圧
に応じた信号電流をドレインに流す。ドレインは負荷抵
抗R1を介して電源電圧VDDと接続されている。
In the figure, Q 1 is a CMOS type field effect transistor (FET), which causes a signal current corresponding to the input signal voltage input to the gate to flow to the drain. The drain is connected to the power supply voltage V DD via the load resistor R1.

【0007】負荷抵抗R1はドレインに流れる電流を電
圧に変換して、出力端子TOUT より出力する。
The load resistor R1 converts the current flowing in the drain into a voltage and outputs it from the output terminal T OUT .

【0008】このような、増幅器のカットオフ周波数f
cは負荷抵抗Rと寄生容量によってfc=(1/(2π
CsR1))で決まっていた。
Such a cutoff frequency f of the amplifier
c is fc = (1 / (2π
It was decided by CsR1)).

【0009】図7は従来のCMOSプロセスを用いた広
帯域差動増幅回路の一例の回路図を示す。
FIG. 7 shows a circuit diagram of an example of a wide band differential amplifier circuit using a conventional CMOS process.

【0010】CMOS型FETQ2 ,Q3 は入力FET
でゲートに入力信号電圧が入力される。
CMOS type FETs Q 2 and Q 3 are input FETs
The input signal voltage is input to the gate at.

【0011】FETQ2 ,Q3 のソースは定電流供給用
FETQ4 を介して、定電圧源VDDと接続される。
The sources of the FETs Q 2 and Q 3 are connected to the constant voltage source V DD via the constant current supply FET Q 4 .

【0012】入力FETQ2 のドレインは定電流用FE
TQ5 とQ6 との接続点、入力FETQ3 のドレインは
定電流用FETQ7 とQ8 との接続点に接続される。
The drain of the input FET Q 2 is a constant current FE
The connection point between TQ 5 and Q 6 and the drain of the input FET Q 3 are connected to the connection point between the constant current FETs Q 7 and Q 8 .

【0013】FETQ9 ,Q10及びFETQ11,Q12
夫々カレントミラー回路を構成していて、入力信号に応
じた電流を流そうとする。
The FETs Q 9 and Q 10 and the FETs Q 11 and Q 12 each constitute a current mirror circuit and try to flow a current according to an input signal.

【0014】FETQ12のドレインとFETQ7 のドレ
インとの接続点が出力となる。
The connection point between the drain of the FET Q 12 and the drain of the FET Q 7 serves as the output.

【0015】以上のような構成の増幅器はフォルデッド
・カスコード型演算増幅器と呼ばれ、CMOSプロセス
を用いた広帯域増幅器として用いられる。
The amplifier having the above structure is called a folded cascode type operational amplifier, and is used as a wide band amplifier using a CMOS process.

【0016】図8はフォルデッド・カスコード型演算増
幅器の周波数特性図を示す。
FIG. 8 is a frequency characteristic diagram of the folded cascode type operational amplifier.

【0017】この増幅器は帰還をかけて使用するのが目
的であるため、フラットゲインが落ち始める1次のポー
ルから2次のポールまでは6dB/octで減衰し、2
次のポールはOdB以下に抑え込むように設計されてい
る。
Since this amplifier is intended to be used with feedback, it is attenuated at 6 dB / oct from the primary pole where the flat gain begins to fall to the secondary pole, and 2
The next pole is designed to stay below OdB.

【0018】[0018]

【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のCM
OSプロセスを用いた広帯域増幅器では2次のポールが
FETQ5 〜Q8 により決定し、これは現在のCMOS
プロセスでは200MHz以上に上げるのはむずかし
く、また、ゲインを低下させ、40dB程度としても、
1次のポールは出力段のロードのインピーダンスRL
負荷容量CL によりfc=(1/(2πRL L ))で
決まってしまうため、数MHz程度にしか増やせない等
の問題点があった。
However, the conventional CM
In the wide band amplifier using the OS process, the secondary pole is determined by the FETs Q 5 to Q 8 , which is the current CMOS.
In the process, it is difficult to raise the frequency above 200 MHz, and even if the gain is reduced to about 40 dB,
The primary pole is determined by fc = (1 / (2πR L C L )) depending on the load impedance R L of the output stage and the load capacitance C L, so there is a problem that it can be increased to only a few MHz. It was

【0019】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、広帯域での増幅が行なえる増幅器を提供することを
目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an amplifier capable of amplifying in a wide band.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】本発明は入力信号電圧を
電流信号に変換する電圧−電流変換素子と、該電圧−電
流変換相により変換された電流信号を信号電圧に変換す
る負荷よりなる増幅回路において、前記負荷に相当する
帰還抵抗を持ち、前記入力信号に応じた出力信号を出力
する帰還増幅回路を有してなる。
According to the present invention, there is provided an amplifier including a voltage-current conversion element for converting an input signal voltage into a current signal and a load for converting a current signal converted by the voltage-current conversion phase into a signal voltage. The circuit includes a feedback amplifier circuit having a feedback resistance corresponding to the load and outputting an output signal according to the input signal.

【0021】[0021]

【作用】増幅器出力段の負荷を帰還抵抗として帰還増幅
回路を形成するとにより、負荷のインピーダンスを帰還
増幅回路の利得分だけ低下させることができる。
By forming the feedback amplifier circuit using the load of the amplifier output stage as the feedback resistor, the impedance of the load can be reduced by the gain of the feedback amplifier circuit.

【0022】増幅器のカットオフ周波数は負荷のインピ
ーダンスに反比例するための、負荷のインピーダンスを
低下させることによりカットオフ周波数を拡張すること
ができ、したがって、増幅器の帯域を増大させることが
できる。
Since the cutoff frequency of the amplifier is inversely proportional to the impedance of the load, it is possible to extend the cutoff frequency by lowering the impedance of the load, thus increasing the bandwidth of the amplifier.

【0023】[0023]

【実施例】図1は本発明の一実施例の回路図を示す。同
図中、Q13は電圧−電流変換素子であるnチャネルCM
OS型電界効果トランジスタ(FET)を示す。FET
13のゲートは入力端子TINと接続され、ソースは接地
電位VSSのラインに接続される。
1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention. same
Q in the figure13Is an n-channel CM which is a voltage-current conversion element
1 shows an OS type field effect transistor (FET). FET
Q 13Is the input terminal TINConnected to, source is grounded
Potential VSSConnected to the line.

【0024】また、ドレインはアンプ部1を介して出力
端子TOUT に接続される。
The drain is connected to the output terminal T OUT via the amplifier section 1.

【0025】図2は、アンプ部の回路構成図を示す。ア
ンプ部1はnチャネルCMOS型電界効果トランジスタ
(FET)Q14,Q15、PチャネルCMOS型電界効果
トランジスタ(FET)Q16及び負荷である帰還抵抗R
2 よりなる。
FIG. 2 shows a circuit configuration diagram of the amplifier section. The amplifier unit 1 includes n-channel CMOS type field effect transistors (FET) Q 14 and Q 15 , P-channel CMOS type field effect transistor (FET) Q 16 and a feedback resistor R as a load.
Consists of 2 .

【0026】FETQ14のゲートが入力端子となり、F
ETQ13のドレインと接続される。FETQ14のソース
は接地電位VSSに接続され、ドレインは定電流源を構成
するPチャネルCMOS型FETQ16のドレインに接続
される。また、FETQ16のソースは電源電圧VDDに接
続され、ゲートには一定電圧VB3が印加される。
The gate of FET Q 14 serves as an input terminal, and F
Connected to the drain of ETQ 13 . The source of the FET Q 14 is connected to the ground potential V SS , and the drain is connected to the drain of the P-channel CMOS type FET Q 16 which constitutes a constant current source. Further, the source of the FET Q 16 is connected to the power supply voltage V DD , and a constant voltage V B3 is applied to the gate.

【0027】また、FETQ14のドレインとFETQ16
のドレインとの接続点が出力端子T OUT となる。
Further, FETQ14Drain and FETQ16
The connection point with the drain of the output terminal T OUTBecomes

【0028】また、FETQ15は出力端子TOUT と接地
電位VSS間に接続され、出力保護を行なう。さらに、出
力端子TOUT とFETQ14のゲートとは帰還抵抗R2
より負帰還がかけられている。
The FET Q 15 is connected between the output terminal T OUT and the ground potential V SS to protect the output. Further, the output terminal T OUT and the gate of the FET Q 14 are negatively fed back by the feedback resistor R 2 .

【0029】なお、このときのアンプ部1の利得は例え
ば(−A)となる。
The gain of the amplifier section 1 at this time is (-A), for example.

【0030】入力端子TINに流れ込んだ入力信号はFE
TQ13により入力信号に応じた信号電流に変換される。
FETQ13により変換された信号電流はロードのインピ
ーダンス(負荷)である抵抗R2 によって電圧に変換さ
れ出力端子TOUT より出力信号として出力される。
The input signal flowing into the input terminal T IN is FE
The signal is converted into a signal current according to the input signal by TQ 13 .
The signal current converted by the FET Q 13 is converted into a voltage by the resistor R 2 which is the impedance (load) of the load and is output as an output signal from the output terminal T OUT .

【0031】このとき、アンプにより利得を−A倍にし
ているため、ロードのインピーダンスは(R2 /A)と
なるため、ロードのインピーダンスと寄生量によって決
まる帯域のカットオフ周波数fcは fc=A/(2πR2 Cs) となりカットオフ周波数fcをA倍に拡張することがで
きる。
At this time, since the gain is set to −A times by the amplifier, the load impedance becomes (R 2 / A), so that the cutoff frequency fc of the band determined by the load impedance and the parasitic amount is fc = A / (2πR 2 Cs), and the cutoff frequency fc can be expanded A times.

【0032】図3は本発明の第2実施例の回路構成図を
示す。同図中、Q17,Q18は差動入力用FETで、ゲー
トは入力端子TIN1 ,TIN2 と接続され、入力信号電圧
が印加される。
FIG. 3 shows a circuit configuration diagram of a second embodiment of the present invention. In the figure, Q 17 and Q 18 are differential input FETs, the gates of which are connected to the input terminals T IN1 and T IN2, and input signal voltages are applied.

【0033】差動入力用FETQ17,Q18のソースは定
電流源2と接続される。また、差動入力用FETQ17
18のドレインはアンプ3,4を介して出力端子
OUT1,T OUT2と接続される。
FET Q for differential input17, Q18The source of
It is connected to the current source 2. In addition, differential input FETQ17
Q18Drain is output terminal via amplifiers 3 and 4
TOUT1, T OUT2Connected with.

【0034】アンプ部3,4は図2と同一構成で、利得
−Aのアンプ3a,4aに抵抗R3 ,R4 により帰還を
かけた構成とされている。
The amplifier sections 3 and 4 have the same structure as that of FIG. 2, and are configured such that the amplifiers 3a and 4a having a gain of −A are fed back by resistors R 3 and R 4 .

【0035】これにより、負荷抵抗となる抵抗R3 ,R
4 のインピーダンスはR3 /A,R 4 /Aとなる。
As a result, the resistance R serving as a load resistance3, R
FourImpedance is R3/ A, R Four/ A.

【0036】したがって、その周波数特性はカットオフ
周波数がA倍となり、帯域を図4に示すように数10M
Hzのフラット帯域に拡張することができる。
Therefore, as for the frequency characteristic, the cutoff frequency becomes A times, and the band is several 10M as shown in FIG.
It can be extended to the flat band of Hz.

【0037】図5は本発明の第3実施例の回路構成図を
示す。同図中、Q19,Q20は差動入力用FETを示す。
FIG. 5 shows a circuit configuration diagram of the third embodiment of the present invention. In the figure, Q 19 and Q 20 indicate FETs for differential input.

【0038】FETQ19,Q20のソースは定電流源5に
接続され、ゲートは入力端子TIN1 ,TIN2 に接続さ
れ、入力端子TIN1 ,TIN2 からの入力信号電圧に応じ
た信号電流がドレインに供給される。
The sources of FETs Q 19, Q 20 is connected to the constant current source 5, a gate connected to the input terminal T IN1, T IN2, the signal current corresponding to the input signal voltage from the input terminal T IN1, T IN2 Supplied to the drain.

【0039】FETQ19,Q20のドレインはカスコード
接続されたFETQ21〜Q24に接続されており、FET
19のドレイン電流に応じた電流がFETQ21,Q22
流れ、アンプ部6に供給される。
The drains of the FETs Q 19 and Q 20 are connected to the cascode-connected FETs Q 21 to Q 24.
A current corresponding to the drain current of Q 19 flows through the FETs Q 21 and Q 22 and is supplied to the amplifier section 6.

【0040】またFETQ20のドレイン電流に応じた電
流がFETQ23、Q24に流れアンプ部7に供給される。
Further current corresponding to the drain current of FETs Q 20 is supplied to the flow amplifier unit 7 to FETQ 23, Q 24.

【0041】アンプ部6,7は利得Aのアンプ6a,7
aと負荷抵抗となる帰還抵抗R5 ,R6 とよりなる。
The amplifier sections 6 and 7 are amplifiers 6a and 7 having a gain A.
It is composed of a and feedback resistors R 5 and R 6 which are load resistors.

【0042】本実施例はカスコード接続されたQ21〜Q
24により入力信号電圧に応じた電流をアンプ部6,7に
流し込む構成としている。
In this embodiment, Q 21 to Q cascode-connected are used.
The current is supplied to the amplifiers 6 and 7 according to the input signal voltage by 24 .

【0043】したがって、アンプ6a,7aの利得をA
とすることにより出力インピーダンスをR5 /A,R6
/Aとすることができる。
Therefore, the gains of the amplifiers 6a and 7a are set to A
By setting the output impedance to R 5 / A, R 6
It can be / A.

【0044】これにより、カットオフ周波数をA倍にで
き、したがって、増幅器の帯域を拡張することができ
る。
As a result, the cutoff frequency can be increased by A times, and the band of the amplifier can be expanded.

【0045】[0045]

【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、出力段の
ロード帰還を増幅回路の帰還部とすることにより出力段
のロードのインピーダンスを帰還増幅回路の利得分だけ
低下させることができるため、ロードのインピーダンス
に反比例するカットオフ周波数を増大させることがで
き、したがって、帯域を拡張することができる等の特長
を有する。
As described above, according to the present invention, since the load feedback of the output stage is used as the feedback section of the amplifier circuit, the impedance of the load of the output stage can be reduced by the gain of the feedback amplifier circuit. , The cutoff frequency inversely proportional to the impedance of the load can be increased, and therefore the band can be extended.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例の回路構成図である。FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施例の要部の回路構成図であ
る。
FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a main part of the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2実施例の回路構成図である。FIG. 3 is a circuit configuration diagram of a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2実施例の周波数特性図である。FIG. 4 is a frequency characteristic diagram of the second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第3実施例の回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram of a third embodiment of the present invention.

【図6】従来の簡易増幅器の一例の回路構成図である。FIG. 6 is a circuit configuration diagram of an example of a conventional simple amplifier.

【図7】従来の差動増幅器の一例の回路構成図である。FIG. 7 is a circuit configuration diagram of an example of a conventional differential amplifier.

【図8】従来の差動増幅器の一例の周波数特性図であ
る。
FIG. 8 is a frequency characteristic diagram of an example of a conventional differential amplifier.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

13 CMOS型FET R2 負荷抵抗 1 アンプ部 TIN 入力端子 TOUT 出力端子Q 13 CMOS type FET R 2 Load resistance 1 Amplifier section T IN input terminal T OUT output terminal

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力信号電圧を電流信号に変換する電圧
−電流変換素子(Q 13)と、該電圧−電流変換素子(Q
13)により変換された該電流信号を信号電圧に変換する
負荷(R2 )よりなる増幅器において、 前記負荷(R2 )に相当する帰還抵抗を持ち、前記入力
信号に応じた出力信号を出力する帰還増幅器回路(1)
を有したことを特徴とする増幅器。
1. A voltage for converting an input signal voltage into a current signal
-Current conversion element (Q 13) And the voltage-current conversion element (Q
13) Convert the current signal converted by
Load (R2), The load (R2) Has a feedback resistance equivalent to
Feedback amplifier circuit that outputs an output signal according to the signal (1)
An amplifier characterized by having.
【請求項2】 入力信号電圧を電流信号に変換する2つ
の電圧−電流変換素子(Q17, Q18;Q19,Q20)に一
つの定電流源(2,5)を接続し、該定電流源(2,
5)の一定電流を該入力信号電圧に応じて該2つの電圧
−電流変換素子(Q17, Q18;Q19,Q20)により分配
し、分配された2系統の信号電流を該2つの電圧−電流
変換素子(Q17, Q18;Q19,Q20)夫々に設けられた
負荷(R 3 ,R4 ;R5 ,R6 )により電圧に変換し、
該入力信号電圧に応じた差出力信号を出力とする増幅器
において、 前記負荷(R3 ,R4 ;R5 ,R6 )に相当する帰還抵
抗を持ち、前記入力信号に応じた出力信号を出力する帰
還増幅器回路(3,4;6,7)を前記2つの電圧−電
流変換素子(Q17, Q18;Q19,Q20)の出力に夫々設
けたことを特徴とする増幅器。
2. Two for converting an input signal voltage into a current signal
Voltage-current conversion element (Q17, Q18; Q19, Q20) One
Two constant current sources (2, 5) are connected, and the constant current sources (2, 5) are connected.
5) The constant current is applied to the two voltages depending on the input signal voltage.
-Current conversion element (Q17, Q18; Q19, Q20) Distributed by
The distributed signal currents of the two systems to the two voltage-currents.
Conversion element (Q17, Q18; Q19, Q20) Provided for each
Load (R 3, RFour; RFive, R6) To a voltage,
Amplifier that outputs a differential output signal according to the input signal voltage
Where the load (R3, RFour; RFive, R6) Equivalent to
To output an output signal according to the input signal.
The return amplifier circuit (3, 4; 6, 7) is connected to the two voltage-electric circuits.
Flow conversion element (Q17, Q18; Q19, Q20) Output respectively
An amplifier characterized by the fact that it has been removed.
JP323692A 1992-01-10 1992-01-10 Amplifier Withdrawn JPH05191158A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003504884A (en) * 1999-07-13 2003-02-04 アイクストロン、アーゲー Sealing means in welding reactor and its application

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