JPH05190462A - Plasma cvd device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は放電チャンバ−内をプ
ラズマ状態にして成膜対象物に成膜を行うプラズマＣＶ
Ｄ装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma CV for forming a film on an object to be film-formed with the discharge chamber being in a plasma state.
D device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、プラズマＣＶＤ装置において、
成膜対象物としてのたとえばガラス基板に成膜を行うた
めには、この基板を数百度に加熱する必要があり、上記
ガラス基板を保持したプレ−ト状のサセプタを赤外線や
近赤外線などのヒ−タを利用して加熱し、その熱を成膜
対象物に伝達するようにしている。2. Description of the Related Art Generally, in a plasma CVD apparatus,
In order to form a film on a glass substrate, which is an object to be film-formed, it is necessary to heat this substrate to several hundred degrees, and the plate-shaped susceptor holding the glass substrate is used for infrared or near-infrared radiation. The heating is performed by using a heater, and the heat is transmitted to the film-forming target.
【０００３】上記ヒ−タによるガラス基板の加熱温度
は、成膜状態の良否を大きく左右することになる。そこ
で、上記サセプタの温度を熱電対によって検出したり、
あるいは上記ヒ−タのパワ−や加熱時間に対するサセプ
タの温度上昇およびガラス基板の温度上昇を測定し、そ
の測定デ−タをもとにしてガラス基板を加熱するなどの
ことが行われていた。The temperature at which the glass substrate is heated by the heater greatly affects the quality of the film formation. Therefore, the temperature of the susceptor is detected by a thermocouple,
Alternatively, the temperature rise of the susceptor and the temperature rise of the glass substrate with respect to the power of the heater and the heating time are measured, and the glass substrate is heated based on the measured data.
【０００４】図３に従来のプラズマＣＶＤ装置を示す。
図中１はチャンバ−である。このチャンバ−１の上面に
は内部に成膜用のガスを供給するための供給口体２が設
けられ、側部には図示しない真空ポンプに接続される吸
引口体３が設けられている。このチャンバ−１内にはサ
セプタ４が配置され、このサセプタ４の上面には成膜対
象物であるガラス基板５が設置される。このガラス基板
５の上方には電極プレ−ト６が対向して配設されてい
る。この電極プレ−ト６は図示しない高周波電源に接続
されている。FIG. 3 shows a conventional plasma CVD apparatus.
In the figure, 1 is a chamber. A supply port 2 for supplying a film-forming gas is provided inside the upper surface of the chamber-1, and a suction port 3 connected to a vacuum pump (not shown) is provided on a side part thereof. A susceptor 4 is arranged in the chamber-1, and a glass substrate 5 as a film formation target is placed on the upper surface of the susceptor 4. Electrode plates 6 are arranged above the glass substrate 5 so as to face each other. The electrode plate 6 is connected to a high frequency power source (not shown).
【０００５】上記チャンバ−１の底部壁には石英窓７が
形成されている。この石英窓７に対向するチャンバ−１
の下部にはヒ−タを形成する加熱用ランプ８が配置され
ている。これら加熱用ランプ８によって上記チャンバ−
１内のサセプタ４が加熱されることで、このサセプタ４
の熱がガラス基板５に伝達され、このガラス基板５も加
熱されることになる。A quartz window 7 is formed on the bottom wall of the chamber-1. Chamber-1 facing the quartz window 7
A heating lamp 8 for forming a heater is arranged in the lower part of the. The chamber 8 is heated by these heating lamps 8.
By heating the susceptor 4 inside 1, the susceptor 4
Is transferred to the glass substrate 5, and the glass substrate 5 is also heated.
【０００６】ガラス基板５を加熱した状態で上記電源を
作動させれば、電極プレ−ト６とガラス基板５との間に
放電が点弧され、チャンバ−１内がプラズマ状態となる
から、そのプラズマのエネルギ−によって上記ガラス基
板５が成膜されることになる。If the power source is operated while the glass substrate 5 is heated, a discharge is ignited between the electrode plate 6 and the glass substrate 5, and the inside of the chamber-1 becomes a plasma state. The glass substrate 5 is formed by the energy of plasma.
【０００７】上記ガラス基板５の加熱温度を制御するた
めに、サセプタ４には熱電対９が設けられている。この
熱電対９の検出信号であるサセプタ４の温度は制御装置
１１に入力される。そして、この制御装置１１からの制
御信号によってたとえば上記加熱用ランプ８への入力パ
ワ−が制御されることで、上記サセプタ４上のガラス基
板５の加熱温度を制御するようになっている。In order to control the heating temperature of the glass substrate 5, the susceptor 4 is provided with a thermocouple 9. The temperature of the susceptor 4, which is the detection signal of the thermocouple 9, is input to the control device 11. Then, the control signal from the control device 11 controls the input power to the heating lamp 8 to control the heating temperature of the glass substrate 5 on the susceptor 4.
【０００８】しかしながら、このような方法によると、
ガラス基板５が加熱されることで反りなどの熱変形が生
じると、このガラス基板５とサセプタ４との密着状態が
損なわれる。すると、サセプタ４からガラス基板５への
熱の伝導状態が変化してくるので、サセプタ４とガラス
基板５との間に温度差が生じるということがあり、さら
には放電によるプラズマの発生でガラス基板５が加熱さ
れるから、このことによってもサセプタ４との間に温度
差が生じることがある。However, according to such a method,
When the glass substrate 5 is heated and thus thermally deformed such as warped, the close contact state between the glass substrate 5 and the susceptor 4 is impaired. Then, the conduction state of heat from the susceptor 4 to the glass substrate 5 changes, which may cause a temperature difference between the susceptor 4 and the glass substrate 5. Further, plasma is generated due to discharge, and thus the glass substrate Since 5 is heated, this may also cause a temperature difference with the susceptor 4.
【０００９】このように、サセプタ４とガラス基板５と
の間に温度差が生じると、ガラス基板５を所望する温度
に正確に制御できなくなるから、このガラス基板５への
成膜も精度よく行うことができなくなるということがあ
った。As described above, if a temperature difference occurs between the susceptor 4 and the glass substrate 5, the glass substrate 5 cannot be accurately controlled to a desired temperature. Therefore, the film formation on the glass substrate 5 is also performed accurately. Sometimes I couldn't.
【００１０】そこで、ガラス基板５の温度測定を正確に
行うため、このガラス基板５に熱電対９を直接、接続す
るということが考えられる。しかしながら、ガラス基板
５は処理が終了するごとにチャンバ−１から取出されて
次の工程へ搬送される。そのため、熱電対９によってガ
ラス基板５の温度を直接、測定すると、その都度、熱伝
対９の取り外しと接続とを行わなければならないから、
実用的でない。Therefore, in order to accurately measure the temperature of the glass substrate 5, it is conceivable to connect the thermocouple 9 directly to the glass substrate 5. However, the glass substrate 5 is taken out of the chamber-1 and carried to the next step each time the processing is completed. Therefore, if the temperature of the glass substrate 5 is directly measured by the thermocouple 9, the thermocouple 9 must be removed and connected each time,
Not practical.
【００１１】このような不都合を解消するため、上記ガ
ラス基板５を、たとえば赤外線放射温度計などによって
間接的の測定するということも考えられる。しかしなが
ら、その場合、ガラス基板５とサセプタ４との両方から
赤外線が発生するから、上記放射温度計によってガラス
基板５から発生する赤外線だけを検出することができな
い。In order to eliminate such inconvenience, it may be considered that the glass substrate 5 is indirectly measured by, for example, an infrared radiation thermometer. However, in that case, since infrared rays are generated from both the glass substrate 5 and the susceptor 4, only the infrared rays generated from the glass substrate 5 cannot be detected by the radiation thermometer.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は成
膜対象物の温度を正確に検出し、その検出信号で成膜対
象物の温度を制御するということができなかったので、
成膜対象物に成膜される膜厚などの成膜状態にばらつき
が生じるということがあった。As described above, it has not been possible in the past to accurately detect the temperature of the film-forming target and control the temperature of the film-forming target by the detection signal.
There have been cases where variations occur in the film formation state such as the film thickness formed on the film formation target.
【００１３】この発明は上記事情にもとづきなされたも
ので、その目的とするところは、成膜対象物の温度制御
を正確に行うことができるようにしたプラズマＣＶＤ装
置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances. An object of the present invention is to provide a plasma CVD apparatus capable of accurately controlling the temperature of a film-forming target.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明は、内部に成膜用のガスが供給される成膜チ
ャンバ−と、この成膜チャンバ−内に設置され上面に成
膜対象物が載置されるとともにこの成膜対象物を加熱す
るヒ−タを有するサセプタと、このサセプタによって加
熱される上記成膜対象物の温度を非接触で検出する非接
触温度検出器と、上記サセプタの温度を直接的に検出す
る接触式温度検出器と、上記チャンバ−内に配設され上
記成膜対象物との間に放電を発生させる電極と、上記非
接触式温度検出器の温度表示に対する上記サセプタの温
度と成膜対象物の温度との相関デ−タが予め設定されこ
の相関デ−タに基づき上記接触式温度検出器が検出する
サセプタの温度に応じて上記非接触式温度検出器が検出
する成膜対象物の温度を補正し、その補正温度によって
上記サセプタの温度を制御する制御手段とを具備したこ
とを特徴とする。In order to solve the above problems, the present invention provides a film forming chamber to which a film forming gas is supplied, and a film forming chamber installed in the film forming chamber to form a film on the upper surface. A susceptor having a heater for heating an object to be deposited and an object to be deposited, and a non-contact temperature detector for detecting the temperature of the object to be deposited heated by the susceptor in a non-contact manner, A contact-type temperature detector that directly detects the temperature of the susceptor, an electrode that is disposed in the chamber and that generates a discharge between the film-forming target, and a temperature of the non-contact-type temperature detector. Correlation data between the temperature of the susceptor and the temperature of the film-forming target with respect to the display is set in advance, and the non-contact temperature is determined according to the temperature of the susceptor detected by the contact temperature detector based on the correlation data. Object of film formation detected by detector Degrees corrected, characterized by comprising a control means for controlling the temperature of the susceptor by the correction temperature.
【００１５】[0015]
【作用】上記構成によれば、制御手段にサセプタの温度
と成膜対象物の温度との相関デ−タが設定されているこ
とにより、非接触式温度検出器が検出する成膜対象物の
温度を、サセプタの温度を検出する接触式温度検出器か
らの検出信号と上記相関デ−タに基づいて補正すれば、
上記成膜対象物の温度を正確に検出することができる。According to the above construction, the correlation data between the temperature of the susceptor and the temperature of the film-forming target is set in the control means, so that the film-forming target detected by the non-contact temperature detector is detected. If the temperature is corrected on the basis of the detection signal from the contact type temperature detector that detects the temperature of the susceptor and the correlation data,
The temperature of the film-forming target can be accurately detected.
【００１６】[0016]
【実施例】以下、この発明の一実施例を図１と図２を参
照して説明する。図１において２１は成膜チャンバ−で
ある。この成膜チャンバ−２１の上部壁の中央部分には
ガス導入口体２２の一端が接続されている。この導入口
体２２の他端は成膜用のガスの供給源２３に連通してい
る。それによって、成膜チャンバ−２１内には上記ガス
が供給されるようになっている。さらに、上部壁の一端
部には開口２４が形成されている。この開口２４はＯリ
ング２５を介してガラス窓部材２６によって閉塞され、
このガラス窓部材２６は押えプレ−ト２７によって保持
されている。この押えプレ−ト２７には検出孔２８が傾
斜して穿設されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In FIG. 1, reference numeral 21 is a film forming chamber. One end of the gas inlet port 22 is connected to the central portion of the upper wall of the film forming chamber-21. The other end of the inlet 22 communicates with a gas supply source 23 for film formation. As a result, the gas is supplied into the film forming chamber -21. Further, an opening 24 is formed at one end of the upper wall. This opening 24 is closed by a glass window member 26 via an O-ring 25,
The glass window member 26 is held by a press plate 27. A detection hole 28 is formed in the press plate 27 so as to be inclined.
【００１７】上記成膜チャンバ−２１の側壁には吸引口
体２９の一端が接続されている。この吸引口体２９の他
端は吸引ポンプ３１に連通している。それによって、上
記成膜チャンバ−２１の内部は減圧されるようになって
いる。One end of a suction port body 29 is connected to the side wall of the film forming chamber-21. The other end of the suction port body 29 communicates with a suction pump 31. Thereby, the inside of the film forming chamber-21 is decompressed.
【００１８】上記成膜チャンバ−２１内にはサセプタ３
２が支持プレ−ト３３によって支持されている。このサ
セプタ３２の下面側には加熱ヒ−タ３４が埋設されてい
る。この加熱ヒ−タ３４によって加熱される上記サセプ
タ３２の温度は、このサセプタ３２に先端部を接触させ
た熱電対３５によって検出される。この熱電対３５によ
って検出されたサセプタ３２の温度は制御装置３６に入
力されるようになっている。A susceptor 3 is provided in the film forming chamber 21.
2 is supported by a support plate 33. A heating heater 34 is embedded on the lower surface side of the susceptor 32. The temperature of the susceptor 32 heated by the heating heater 34 is detected by the thermocouple 35 whose tip portion is in contact with the susceptor 32. The temperature of the susceptor 32 detected by the thermocouple 35 is input to the control device 36.
【００１９】上記サセプタ３２の上面側には成膜対象物
としてのガラス基板３７が載置される。このガラス基板
３７の上方には多数の通孔３８が穿設された電極プレ−
ト３９が保持されている。この電極プレ−ト３９は図示
しない高周波電源に接続され、また上記サセプタ３２は
ア−スされている。したがって、上記高周波電源を作動
させて電極プレ−ト３９に高周波電圧を印加すれば、こ
の電極プレ−ト３９と上記ガラス基板３７との間に放電
が点弧されるから、その放電によって成膜チャンバ−２
１内がプラズマ状態となり、そのプラズマエネルギ−に
よって上記ガラス基板３７に成膜されるようになってい
る。On the upper surface side of the susceptor 32, a glass substrate 37 as a film forming object is placed. An electrode plate having a large number of through holes 38 formed above the glass substrate 37.
39 is held. The electrode plate 39 is connected to a high frequency power source (not shown), and the susceptor 32 is grounded. Therefore, when the high frequency power supply is operated to apply a high frequency voltage to the electrode plate 39, a discharge is ignited between the electrode plate 39 and the glass substrate 37, and the discharge causes film formation. Chamber-2
The inside of 1 is in a plasma state, and a film is formed on the glass substrate 37 by the plasma energy.
【００２０】上記ガラス基板３７の温度は、先端を上記
押えプレ−ト２７の検出孔２８に対向させて成膜チャン
バ−２１の外部に配置された赤外線放射温度計４２によ
って非接触状態で検出される。この赤外線放射温度計４
２によるガラス基板３７の検出温度は上記制御装置３６
に入力される。この制御装置３６は上記熱電対３５が検
出する温度と、上記赤外線放射温度計４２が検出する温
度によって後述するごとく上記加熱ヒ−タ３４によるサ
セプタ３２の加熱温度を制御するようになっている。The temperature of the glass substrate 37 is detected in a non-contact state by an infrared radiation thermometer 42 arranged outside the film formation chamber 21 with its tip facing the detection hole 28 of the holding plate 27. It This infrared radiation thermometer 4
The temperature detected by the glass substrate 37 by the control unit 36 is
Entered in. The control device 36 controls the heating temperature of the susceptor 32 by the heating heater 34, as will be described later, depending on the temperature detected by the thermocouple 35 and the temperature detected by the infrared radiation thermometer 42.
【００２１】上記赤外線放射温度計４２はガラス基板３
７だけでなく、サセプタ３２からの赤外線も検出する。
この赤外線放射温度計４２は２つの物体からの赤外線を
分離して検出することは不可能であり、また被測定物の
材質などによって放射率が異なることで測定精度が変化
するから、これらのファクタ−による補正を行う必要が
ある。その補正は、図２に示すように行う。まず、ガラ
ス基板３７の上面側にも、このガラス基板３７を上記加
熱ヒ−タ３４によらずに加熱できる補正用ヒ−タ５１を
配設し、また上記ガラス基板３７の温度を補正用熱電対
５２によって直接的に検出できるようにセットする。The infrared radiation thermometer 42 is a glass substrate 3
Not only 7 but also infrared rays from the susceptor 32 are detected.
This infrared radiation thermometer 42 cannot separate and detect infrared rays from two objects, and the measurement accuracy changes due to the difference in emissivity depending on the material of the object to be measured. It is necessary to correct by-. The correction is performed as shown in FIG. First, a correction heater 51 that can heat the glass substrate 37 without using the heating heater 34 is also provided on the upper surface side of the glass substrate 37. The pair 52 is set so that it can be directly detected.
【００２２】このような構成において、第１の工程とし
てサセプタ３２の温度とガラス基板３７の温度とをそれ
ぞれ熱電対３５、５２によって検出しながら、これらの
温度を実際に使用される温度（たとえば、使用温度の中
心値）に合せる。そして、サセプタ３２とガラス基板３
７との温度が一致するよう、各ヒ−タ３４、５１への入
力を制御する。このとき、上記赤外線放射温度計４２の
表示がガラス基板３７の温度になるよう、放射率の補正
を行い、その補正値は固定する。In such a configuration, as the first step, the temperatures of the susceptor 32 and the glass substrate 37 are detected by the thermocouples 35 and 52, respectively, while these temperatures are actually used (for example, (Center value of operating temperature). Then, the susceptor 32 and the glass substrate 3
The inputs to the respective heaters 34 and 51 are controlled so that the temperatures of the heaters 7 and 7 coincide with each other. At this time, the emissivity is corrected so that the infrared radiation thermometer 42 displays the temperature of the glass substrate 37, and the correction value is fixed.
【００２３】つぎに、サセプタ３２の温度を一定にして
ガラス基板３７の温度をサセプタ３２の温度よりも数十
度上げ下げし、そのときの赤外線放射温度計４２の表示
温度と、ガラス基板３７の補正用熱電対５２によって直
接的に測定した温度との相関関係を求める。ガラス基板
３７の温度を、たとえば１度の精度で制御したい場合に
は、１度刻みでデ−タをとる。Next, the temperature of the glass substrate 37 is raised and lowered by several tens of degrees below the temperature of the susceptor 32 while keeping the temperature of the susceptor 32 constant, and the display temperature of the infrared radiation thermometer 42 at that time and the correction of the glass substrate 37 are performed. The correlation with the temperature directly measured by the use thermocouple 52 is obtained. When it is desired to control the temperature of the glass substrate 37 with an accuracy of 1 degree, for example, data is taken in steps of 1 degree.
【００２４】このような測定をサセプタ３２の温度を実
使用範囲内でたとえば１℃きざみで変えながら繰り返し
て行う。そして、このようにして求めた赤外線放射温度
計４２の表示温度と、サセプタ３２の温度およびガラス
基板３７の温度の相関デ−タを補正デ−タとして上記制
御装置３６に予め設定しておく。Such a measurement is repeated while changing the temperature of the susceptor 32 in steps of 1 ° C. within an actual use range. Then, the correlation data of the display temperature of the infrared radiation thermometer 42, the temperature of the susceptor 32, and the temperature of the glass substrate 37 thus obtained are set in advance in the control device 36 as correction data.
【００２５】相関デ−タを制御装置３６に設定したの
ち、ガラス基板３７に成膜する場合には、図１に示すよ
うに補正用ヒ−タ５１と補正用熱電対５２とを取り外し
たのち、成膜チャンバ−２１内を所定の圧力まで減圧す
るとともに、成膜用のガスを供給し、さらには加熱ヒ−
タ３４へ通電してサセプタ３２を加熱する。サセプタ３
２が所定温度に加熱されたならば、サセプタ３２と電極
プレ−ト３９との間に高周波電圧を印加し、これらの間
に放電を点弧させる。その放電により、成膜チャンバ−
２１内にはプラズマが生じ、そのプラズマのエネルギに
よってガラス基板３７に成膜が成される。After setting the correlation data in the control device 36, when forming a film on the glass substrate 37, the correction heater 51 and the correction thermocouple 52 are removed as shown in FIG. The film forming chamber 21 is depressurized to a predetermined pressure, the film forming gas is supplied, and the heating heat is further supplied.
The susceptor 32 is heated by energizing the susceptor 32. Susceptor 3
When 2 is heated to a predetermined temperature, a high frequency voltage is applied between the susceptor 32 and the electrode plate 39 to ignite a discharge therebetween. By the discharge, the film forming chamber
Plasma is generated in 21 and the energy of the plasma forms a film on the glass substrate 37.
【００２６】このような成膜過程においては、サセプタ
３２の温度が熱電対３５によって検出され、ガラス基板
３７の温度が赤外線放射温度計４２で検出され、これら
の検出信号は制御装置３６に入力される。この制御装置
３６では、上述した相関デ−タに基づく補正デ−タによ
って赤外線放射温度計４２の測定温度が補正される。つ
まり、上記相関デ−タとしては、熱電対３５が検出する
温度と赤外線放射温度計４２が検出する温度に対し、補
正用熱電対５２によって検出したガラス基板３７の実際
の温度が入力されている。したがって、その相関デ−タ
にもとづき、熱電対３５が検出したサセプタ３２の温度
と、赤外線放射温度計４２が検出した温度とを補正すれ
ば、ガラス基板３７の実際の温度を求めることができ
る。つまり、プラズマ状態にある成膜チャンバ−２１内
のガラス基板３７の温度を、サセプタ３２から放射され
る赤外線の影響を除去し、かつガラス基板３７の放射率
に応じた補正をして非接触で検出することができる。In such a film forming process, the temperature of the susceptor 32 is detected by the thermocouple 35, the temperature of the glass substrate 37 is detected by the infrared radiation thermometer 42, and these detection signals are input to the controller 36. It In the control device 36, the temperature measured by the infrared radiation thermometer 42 is corrected by the correction data based on the above correlation data. That is, as the correlation data, the actual temperature of the glass substrate 37 detected by the correction thermocouple 52 is input with respect to the temperature detected by the thermocouple 35 and the temperature detected by the infrared radiation thermometer 42. .. Therefore, if the temperature of the susceptor 32 detected by the thermocouple 35 and the temperature detected by the infrared radiation thermometer 42 are corrected based on the correlation data, the actual temperature of the glass substrate 37 can be obtained. That is, the temperature of the glass substrate 37 in the film forming chamber 21 in the plasma state is removed in a non-contact manner by removing the influence of infrared rays radiated from the susceptor 32 and correcting the temperature according to the emissivity of the glass substrate 37. Can be detected.
【００２７】このように、ガラス基板３７の温度が測定
されたならば、制御装置３６はその測定値にもとづいて
サセプタ３２を加熱する加熱ヒ−タ３４への入力を制御
し、このサセプタ３２上に載置されたガラス基板３７の
温度を制御する。つまり、ガラス基板３７は予め定めら
れた所定の温度に制御されるから、このガラス基板３７
への成膜を厚さなどが一定となるよう、高精度に行うこ
とができる。When the temperature of the glass substrate 37 is thus measured, the controller 36 controls the input to the heating heater 34 for heating the susceptor 32 based on the measured value, and the control device 36 controls the input on the susceptor 32. The temperature of the glass substrate 37 placed on is controlled. That is, since the glass substrate 37 is controlled to a predetermined temperature, the glass substrate 37 is controlled.
The film can be formed on the substrate with high accuracy so that the thickness is constant.
【００２８】上記ガラス基板３７に同じ条件で成膜する
場合には、制御装置３６に補正デ−タを一度入力すれ
ば、そのデ−タを継続して使用することができ、ガラス
基板３７の表面状態や膜質などが変わるときには赤外線
の放射率も変化するから、その場合は上述した相関デ−
タを入力し直さなければならない。When the film is formed on the glass substrate 37 under the same conditions, once the correction data is input to the control device 36, the data can be continuously used. When the surface condition or film quality changes, the emissivity of infrared rays also changes. In that case, the correlation data
You have to re-enter the data.
【００２９】[0029]
【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、制御手段
に、非接触式温度検出器の温度表示に対するサセプタの
温度と成膜対象物の温度との相関デ−タを設定し、この
相関デ−タに基づき上記接触式温度検出器が検出するサ
セプタの温度に応じて上記非接触式温度検出器が検出す
る成膜対象物の温度を補正し、その補正温度によって上
記サセプタの温度を制御するようにした。As described above, according to the present invention, the correlation data between the temperature of the susceptor and the temperature of the film-forming target with respect to the temperature display of the non-contact type temperature detector is set in the control means, and the correlation data is set. The temperature of the film-forming target detected by the non-contact type temperature detector is corrected according to the temperature of the susceptor detected by the contact type temperature detector based on the data, and the temperature of the susceptor is controlled by the corrected temperature. I decided to do it.
【００３０】そのため、非接触式の温度検出器によって
成膜対象物の温度を、サセプタからの赤外線の影響を除
去して正確に検出することができるから、その検出信号
によって上記サセプタに設けられた加熱ヒ−タを制御す
ることで、上記成膜対象物の温度制御を高精度に行え
る。その結果、成膜対象物への成膜精度を向上させるこ
とができる。Therefore, the temperature of the film-forming target can be accurately detected by removing the influence of the infrared rays from the susceptor by the non-contact type temperature detector. By controlling the heating heater, the temperature of the film-forming target can be controlled with high accuracy. As a result, it is possible to improve the film forming accuracy on the film forming object.
【図１】この発明の一実施例のプラズマＣＶＤ装置の全
体構成を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing the overall configuration of a plasma CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】同じく図１の装置を用いて制御装置に相関デ−
タを設定する場合の説明図。FIG. 2 is a correlation diagram of a control device using the device of FIG.
FIG.
【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図。FIG. 3 is a sectional view of a conventional plasma CVD apparatus.
２１…成膜チャンバ−、３２…サセプタ、３４…加熱ヒ
−タ、３５…熱電対（接触式温度検出器）、３６…制御
装置、３７…ガラス基板（成膜対象物）、３９…電極プ
レ−ト、４２…赤外線放射温度計（非接触式温度検出
器）。21 ... Deposition chamber-, 32 ... Susceptor, 34 ... Heating heater, 35 ... Thermocouple (contact type temperature detector), 36 ... Control device, 37 ... Glass substrate (deposition target), 39 ... Electrode plate -G, 42 ... Infrared radiation thermometer (non-contact temperature detector).
Claims (1)
ャンバ−と、この成膜チャンバ−内に設置され上面に成
膜対象物が載置されるとともにこの成膜対象物を加熱す
るヒ−タを有するサセプタと、このサセプタによって加
熱される上記成膜対象物の温度を非接触で検出する非接
触温度検出器と、上記サセプタの温度を直接的に検出す
る接触式温度検出器と、上記チャンバ−内に配設され上
記成膜対象物との間に放電を発生させる電極と、上記非
接触式温度検出器の温度表示に対する上記サセプタの温
度と成膜対象物の温度との相関デ−タが予め設定されこ
の相関デ−タに基づき上記接触式温度検出器が検出する
サセプタの温度に応じて上記非接触式温度検出器が検出
する成膜対象物の温度を補正し、その補正温度によって
上記サセプタの温度を制御する制御手段とを具備したこ
とを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。1. A film formation chamber to which a gas for film formation is supplied, and a film formation target placed on the film formation chamber and placed on an upper surface thereof, and the film formation target is heated. A susceptor having a heater, a non-contact temperature detector for detecting the temperature of the film-forming target heated by the susceptor in a non-contact manner, and a contact-type temperature detector for directly detecting the temperature of the susceptor. An electrode disposed in the chamber for generating an electric discharge between the film-forming target and the temperature of the susceptor and the temperature of the film-forming target relative to the temperature display of the non-contact temperature detector. Correlation data is preset and the temperature of the film-forming target detected by the non-contact type temperature detector is corrected according to the temperature of the susceptor detected by the contact type temperature detector based on the correlation data. Depending on the corrected temperature, the temperature of the susceptor And a control means for controlling the plasma CVD apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP294092A JPH05190462A (en) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Plasma cvd device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP294092A JPH05190462A (en) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Plasma cvd device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05190462A true JPH05190462A (en) | 1993-07-30 |
Family
ID=11543359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP294092A Pending JPH05190462A (en) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | Plasma cvd device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05190462A (en) |
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