JPH05179452A - 化学的気相成長装置 - Google Patents
化学的気相成長装置Info
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- JPH05179452A JPH05179452A JP171492A JP171492A JPH05179452A JP H05179452 A JPH05179452 A JP H05179452A JP 171492 A JP171492 A JP 171492A JP 171492 A JP171492 A JP 171492A JP H05179452 A JPH05179452 A JP H05179452A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的低温、かつ、小流量の冷却媒体で固定
具の最高温度を成膜限界以内に抑え、かつ、基板温度分
布を均一にし、良好な成膜膜厚分布を得る。 【構成】 真空チャンバの中に、ガス供給部と、排気部
と、加熱装置で加熱する基板支持台と、内部に冷却媒体
通路を備える固定具とを備える。この固定具の冷却媒体
の供給口と冷却媒体の入口および出口との間に、該冷却
媒体通路に流す冷却媒体の流れの方向を周期的に逆転さ
せる、流方向切り換え部を設ける。この流方向切り換え
部は、複数の切換弁とこれらを制御する切換制御器で構
成する。
具の最高温度を成膜限界以内に抑え、かつ、基板温度分
布を均一にし、良好な成膜膜厚分布を得る。 【構成】 真空チャンバの中に、ガス供給部と、排気部
と、加熱装置で加熱する基板支持台と、内部に冷却媒体
通路を備える固定具とを備える。この固定具の冷却媒体
の供給口と冷却媒体の入口および出口との間に、該冷却
媒体通路に流す冷却媒体の流れの方向を周期的に逆転さ
せる、流方向切り換え部を設ける。この流方向切り換え
部は、複数の切換弁とこれらを制御する切換制御器で構
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体の製造等に使
用される化学的気相成長装置に関するものである。
用される化学的気相成長装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の化学的気相成長装置の断面
図を示す図である。真空チャンバ５０に気密に取り付け
られた石英窓１１を通して、大気中の赤外線ランプ１
２、および、その背後の熱線反射鏡１３から熱線を照射
して、基板支持台１４の背面を加熱している。そして固
定具１６で基板１０を基板支持台１４に圧接し、基板支
持台１４からの伝導加熱で基板１０の温度を上げ、基板
１０に対向設置されたガス供給部１８の上面の全面から
基板１０に向かって反応性ガスを吹き出し、化学的気相
反応により基板１０上（図の下面）に所望の薄膜を形成
せしめている。未反応ガスおよび生成ガスは排気部２０
から排気する構成になっている。
図を示す図である。真空チャンバ５０に気密に取り付け
られた石英窓１１を通して、大気中の赤外線ランプ１
２、および、その背後の熱線反射鏡１３から熱線を照射
して、基板支持台１４の背面を加熱している。そして固
定具１６で基板１０を基板支持台１４に圧接し、基板支
持台１４からの伝導加熱で基板１０の温度を上げ、基板
１０に対向設置されたガス供給部１８の上面の全面から
基板１０に向かって反応性ガスを吹き出し、化学的気相
反応により基板１０上（図の下面）に所望の薄膜を形成
せしめている。未反応ガスおよび生成ガスは排気部２０
から排気する構成になっている。
【０００３】固定具１６の表面で成膜が行なわることが
ないように、固定具１６の内部に冷却媒体通路２１が設
けられ、これに冷却媒体２２を流して常時冷却してい
る。４０はその冷却媒体の入口、４２は出口である。成
膜は通常、基板温度３００℃〜５００℃、ガス圧力０．
０１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒという温度・圧力範囲で
行なわれる。
ないように、固定具１６の内部に冷却媒体通路２１が設
けられ、これに冷却媒体２２を流して常時冷却してい
る。４０はその冷却媒体の入口、４２は出口である。成
膜は通常、基板温度３００℃〜５００℃、ガス圧力０．
０１Ｔｏｒｒ〜１００Ｔｏｒｒという温度・圧力範囲で
行なわれる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の装置では、高真空の真空チャンバ５０内に反応
性ガスを導入し、その圧力が１Ｔｏｒｒ以上に上昇して
ガスの熱伝導度が増してくると、導入ガスを媒体とする
熱伝導によって、基板１０の表面の温度分布が、背後で
接している基板支持台１４の温度分布だけでなく、固定
具１６の温度の影響も受けるようになる。
た従来の装置では、高真空の真空チャンバ５０内に反応
性ガスを導入し、その圧力が１Ｔｏｒｒ以上に上昇して
ガスの熱伝導度が増してくると、導入ガスを媒体とする
熱伝導によって、基板１０の表面の温度分布が、背後で
接している基板支持台１４の温度分布だけでなく、固定
具１６の温度の影響も受けるようになる。
【０００５】従って、基板１０の温度分布を均一にする
ためには、基板支持台１４の温度分布を均一にするだけ
でなく、固定具１６の温度分布もまた均一にする必要が
ある。
ためには、基板支持台１４の温度分布を均一にするだけ
でなく、固定具１６の温度分布もまた均一にする必要が
ある。
【０００６】従来の化学的気相成長装置では、固定具１
６内の冷却媒体通路２１を流れる冷却媒体２２の流れが
一方向だけに固定されていたため、冷却媒体入口４０に
近い部分と、出口４２に近い部分とで冷却媒体２２の温
度に大差を生み、固定具の温度分布に偏りを生じて、そ
れが基板１０の温度分布を悪くし、成膜の膜厚分布を悪
化させる原因になっていた。
６内の冷却媒体通路２１を流れる冷却媒体２２の流れが
一方向だけに固定されていたため、冷却媒体入口４０に
近い部分と、出口４２に近い部分とで冷却媒体２２の温
度に大差を生み、固定具の温度分布に偏りを生じて、そ
れが基板１０の温度分布を悪くし、成膜の膜厚分布を悪
化させる原因になっていた。
【０００７】例えば、Ｈ2 （水素）とＷＦ6 （フッ化タ
ングステン）ガスを用いて１〜１００Ｔｏｒｒのガス圧
力、３５０〜５００℃のＳｉ（シリコン）基板１０の表
面にＷ（タングステン）の薄膜を作成する場合に、固定
具の温度をその表面に膜が付着しない温度に保つには、
２０〜１００℃、流量０．１〜３リットル／分の冷却水
を冷却媒体通路に流す必要があったが、そのときの基板
表面に成膜したＷ膜の膜厚分布は膜厚１．０μｍの場
合、±１５％という劣悪なものになった。
ングステン）ガスを用いて１〜１００Ｔｏｒｒのガス圧
力、３５０〜５００℃のＳｉ（シリコン）基板１０の表
面にＷ（タングステン）の薄膜を作成する場合に、固定
具の温度をその表面に膜が付着しない温度に保つには、
２０〜１００℃、流量０．１〜３リットル／分の冷却水
を冷却媒体通路に流す必要があったが、そのときの基板
表面に成膜したＷ膜の膜厚分布は膜厚１．０μｍの場
合、±１５％という劣悪なものになった。
【０００８】冷却媒体の流量を大きくすれば出入口の温
度差を小さくすることが出来て、固定具１６の温度の上
述の偏りを小さくできる。しかし、このようにすると、
固定具の熱の吸収を大きくしてそれが基板の温度分布を
悪くする。熱の吸収を小さくするには冷却媒体の温度
を、成膜しない限界の最高温度（例えば、上記の場合は
２００℃あたり）にまで高める必要があるが、高温の冷
却媒体を大流量で流すためには気相成長装置のコストを
上昇させるという新たな問題を生じる。
度差を小さくすることが出来て、固定具１６の温度の上
述の偏りを小さくできる。しかし、このようにすると、
固定具の熱の吸収を大きくしてそれが基板の温度分布を
悪くする。熱の吸収を小さくするには冷却媒体の温度
を、成膜しない限界の最高温度（例えば、上記の場合は
２００℃あたり）にまで高める必要があるが、高温の冷
却媒体を大流量で流すためには気相成長装置のコストを
上昇させるという新たな問題を生じる。
【０００９】この発明の目的は、上述の問題を解決し、
比較的低温、かつ、小流量の冷却媒体で基板温度分布を
均一にし、良好な成膜膜厚分布を得ることのできる化学
的気相成長装置を提供することにある。
比較的低温、かつ、小流量の冷却媒体で基板温度分布を
均一にし、良好な成膜膜厚分布を得ることのできる化学
的気相成長装置を提供することにある。
【００１０】
【問題を解決するための手段】この発明の化学的気相成
長装置は、固定具の内部に設けた冷却媒体通路の冷却媒
体の流れの方向を、周期的に逆転させる、流方向切り換
え部を備えることを特徴とする。
長装置は、固定具の内部に設けた冷却媒体通路の冷却媒
体の流れの方向を、周期的に逆転させる、流方向切り換
え部を備えることを特徴とする。
【００１１】
【作用】この構成の化学的気相成長装置によれば、固定
具の内部の冷却媒体を、適宜周期的に反転させることに
より、固定具の熱容量を巧みに利用して、小流量、か
つ、比較的低温の冷却媒体で、固定具の温度分布を実用
上差し支えのないまでに均一にすることができる。すな
わち、固定具の冷却媒体の入口と出口での温度は、周期
的に多少昇降を生じるが、その温度変化サイクルでの最
高温度を、成膜限界以内に抑え、かつ、基板温度分布を
均一にして良好な成膜膜厚分布を得ることができる。
具の内部の冷却媒体を、適宜周期的に反転させることに
より、固定具の熱容量を巧みに利用して、小流量、か
つ、比較的低温の冷却媒体で、固定具の温度分布を実用
上差し支えのないまでに均一にすることができる。すな
わち、固定具の冷却媒体の入口と出口での温度は、周期
的に多少昇降を生じるが、その温度変化サイクルでの最
高温度を、成膜限界以内に抑え、かつ、基板温度分布を
均一にして良好な成膜膜厚分布を得ることができる。
【００１２】
【実施例】以下、図を参照しながらこの発明の実施例を
説明する。尚、図は、この発明が理解できる程度に各構
成の形状、大きさおよび配置関係を概略的に示している
にすぎない。図１はこの発明の実施例の化学的気相成長
装置の構成を示す要部の断面図である。図２は、図１の
装置における冷却媒体の流れだけを模式的に示したもの
である。先述の図３に共通する部材には同じ符号を付し
て示し、特に言及する場合を除き、その詳細な説明を省
略する。
説明する。尚、図は、この発明が理解できる程度に各構
成の形状、大きさおよび配置関係を概略的に示している
にすぎない。図１はこの発明の実施例の化学的気相成長
装置の構成を示す要部の断面図である。図２は、図１の
装置における冷却媒体の流れだけを模式的に示したもの
である。先述の図３に共通する部材には同じ符号を付し
て示し、特に言及する場合を除き、その詳細な説明を省
略する。
【００１３】この実施例の構造では前述した従来例のよ
うに、固定具１６の表面に成膜が行なわれないように、
固定具１６の内部に設けられた冷却媒体通路２１に冷却
媒体２２を流して、固定具１６を、常時冷却している。
しかし、この実施例では、固定具１６の冷却媒体の供給
口５２、５４と、冷却媒体の入口４０、出口４２の間に
流方向切り換え部６０を具えている。この流方向切り換
え部６０は、新しく切換弁２６，２８，３０，３２と、
それらを制御する切換制御器３４とを設けた構造とす
る。そして、これら切換弁２６と３２、切換弁２８と３
０、がそれぞれ対となり、例えば、一方の対（２６と３
２）が開のときは他方の対（２８と３０）が閉になるよ
うな開閉またはその逆の開閉を周期的に繰り返すよう弁
を制御する構成になっている。すなわち、初めは切換弁
２６，３２が開き、切換弁２８，３０が閉じて、冷却媒
体２２の進行方向は矢印Ａの方向であるが、一定時間後
には、開閉が逆転して冷却媒体２２の進行方向は矢印Ｂ
の方向になる。そしてこの反転が一定周期で繰り返され
るようになっている。
うに、固定具１６の表面に成膜が行なわれないように、
固定具１６の内部に設けられた冷却媒体通路２１に冷却
媒体２２を流して、固定具１６を、常時冷却している。
しかし、この実施例では、固定具１６の冷却媒体の供給
口５２、５４と、冷却媒体の入口４０、出口４２の間に
流方向切り換え部６０を具えている。この流方向切り換
え部６０は、新しく切換弁２６，２８，３０，３２と、
それらを制御する切換制御器３４とを設けた構造とす
る。そして、これら切換弁２６と３２、切換弁２８と３
０、がそれぞれ対となり、例えば、一方の対（２６と３
２）が開のときは他方の対（２８と３０）が閉になるよ
うな開閉またはその逆の開閉を周期的に繰り返すよう弁
を制御する構成になっている。すなわち、初めは切換弁
２６，３２が開き、切換弁２８，３０が閉じて、冷却媒
体２２の進行方向は矢印Ａの方向であるが、一定時間後
には、開閉が逆転して冷却媒体２２の進行方向は矢印Ｂ
の方向になる。そしてこの反転が一定周期で繰り返され
るようになっている。
【００１４】こうするときは、切換弁の開閉の繰り返し
毎に、冷却媒体の出入口が交替し流れの方向が逆転す
る。そのため、その繰り返し周期よりも長い熱的慣性
（温度の上昇・下降の時定数）を有する固定具１６の温
度分布は、冷却媒体２２の入口、出口および固定具１６
の内部の全体間でその温度差が極めて小さいものにな
り、その小さい温度範囲で温度の上昇、低下を繰り返す
ことになる。そして温度範囲の最高値が成膜の限界温度
以下になるように流量を調整しておくことで、固定具１
６の表面への成膜を完全に抑えることができる。
毎に、冷却媒体の出入口が交替し流れの方向が逆転す
る。そのため、その繰り返し周期よりも長い熱的慣性
（温度の上昇・下降の時定数）を有する固定具１６の温
度分布は、冷却媒体２２の入口、出口および固定具１６
の内部の全体間でその温度差が極めて小さいものにな
り、その小さい温度範囲で温度の上昇、低下を繰り返す
ことになる。そして温度範囲の最高値が成膜の限界温度
以下になるように流量を調整しておくことで、固定具１
６の表面への成膜を完全に抑えることができる。
【００１５】開閉の繰り返し周期の最適値は、成膜の膜
材料、膜材質、各部材の温度、圧力条件によっても変わ
るが、一般に成膜時間よりもかなり小さく選ばれ、例え
ば、成膜時間が１００秒以上のとき、繰り返し周期は１
０〜２０秒程度のものとなる。
材料、膜材質、各部材の温度、圧力条件によっても変わ
るが、一般に成膜時間よりもかなり小さく選ばれ、例え
ば、成膜時間が１００秒以上のとき、繰り返し周期は１
０〜２０秒程度のものとなる。
【００１６】ガス圧力が１Ｔｏｒｒ以上のとき、一般
に、流量は０．０１リットル／分〜０．１リットル／分
の比較的小さい値が選ばれる。冷却媒体２２の温度は、
一般に冷却媒体２２が水のときは９０℃〜５０℃、油系
統のもののときは１００℃以上に加熱したものを供給す
る。
に、流量は０．０１リットル／分〜０．１リットル／分
の比較的小さい値が選ばれる。冷却媒体２２の温度は、
一般に冷却媒体２２が水のときは９０℃〜５０℃、油系
統のもののときは１００℃以上に加熱したものを供給す
る。
【００１７】一例をあげると、Ｈ2 （水素）とＷＦ
6 （フッ化タングステン）ガスを反応性ガスとしてＳｉ
基板上に１．０μｍのＷ膜を生成する場合に、反応性ガ
スの圧力５０Ｔｏｒｒ、最適基板温度４００℃、に対し
て、基板支持台１４の温度を４００℃に保ち、固定具１
６の中の冷却媒体通路に０．１リットル／分、９０℃の
温水を、開閉の周期１０秒で流した。 このとき、冷却
媒体の入口温度は９０℃、出口温度９１℃、であり、成
膜時間２．０分において、固定具の温度は終始１５０℃
以下であり固定具に付着する膜は皆無であった。基板上
の生成膜の膜厚分布は、膜厚１μｍにおいて、±５％以
下を確保することが出来た。
6 （フッ化タングステン）ガスを反応性ガスとしてＳｉ
基板上に１．０μｍのＷ膜を生成する場合に、反応性ガ
スの圧力５０Ｔｏｒｒ、最適基板温度４００℃、に対し
て、基板支持台１４の温度を４００℃に保ち、固定具１
６の中の冷却媒体通路に０．１リットル／分、９０℃の
温水を、開閉の周期１０秒で流した。 このとき、冷却
媒体の入口温度は９０℃、出口温度９１℃、であり、成
膜時間２．０分において、固定具の温度は終始１５０℃
以下であり固定具に付着する膜は皆無であった。基板上
の生成膜の膜厚分布は、膜厚１μｍにおいて、±５％以
下を確保することが出来た。
【００１８】尚、この発明の基板支持装置の加熱装置と
しては、赤外線ランプのほかに、抵抗線、高周波加熱、
その他さまざまなものを採用することができる。
しては、赤外線ランプのほかに、抵抗線、高周波加熱、
その他さまざまなものを採用することができる。
【００１９】
【発明の効果】この発明の化学的気相成長装置によれ
ば、比較的低温、小流量の冷却媒体で固定具の温度分布
を均一にし、高温、かつ、高圧力の成膜条件において
も、固定具の最高温度を成膜限界以内に抑え、かつ、基
板の温度分布を均一にして良好な成膜膜厚分布を得るこ
とができる。
ば、比較的低温、小流量の冷却媒体で固定具の温度分布
を均一にし、高温、かつ、高圧力の成膜条件において
も、固定具の最高温度を成膜限界以内に抑え、かつ、基
板の温度分布を均一にして良好な成膜膜厚分布を得るこ
とができる。
【図１】この発明の実施例の化学的気相成長装置の概略
の断面図である。
の断面図である。
【図２】図１の冷却媒体の流れだけを取り出して模式的
に示した図である。
に示した図である。
【図３】従来の化学的気相成長装置の概略の断面図であ
る。
る。
１０：基板、 １１：石英窓、 １
２：赤外線ランプ １３：熱線反射鏡、 １４：基板支持台、 １
６：固定具 １８：ガス供給部、 ２０：ガス排気部、 ２
１：冷却媒体通路 ２２：冷却媒体、 ２６，２８，３０，３２：切換
弁 ３４：切換制御器、 ４０：冷却媒体の入口、 ４
２：冷却媒体の出口 ５０：真空チャンバ、 ５２、５４：冷却媒体の供給口 ６０：流方向切り換え部。
２：赤外線ランプ １３：熱線反射鏡、 １４：基板支持台、 １
６：固定具 １８：ガス供給部、 ２０：ガス排気部、 ２
１：冷却媒体通路 ２２：冷却媒体、 ２６，２８，３０，３２：切換
弁 ３４：切換制御器、 ４０：冷却媒体の入口、 ４
２：冷却媒体の出口 ５０：真空チャンバ、 ５２、５４：冷却媒体の供給口 ６０：流方向切り換え部。
Claims (1)
- 【請求項１】 真空チャンバの中に、ガス供給部と、排
気部と、加熱装置で加熱する基板支持台と、内部に冷却
媒体通路を備える固定具とを備え、基板を該基板支持台
に該固定具で圧接し、該ガス供給部から反応性ガスを供
給して、該基板表面に薄膜を形成する化学的気相成長装
置において、 該冷却媒体通路に流す冷却媒体の流れの方向を周期的に
逆転させる流方向切り換え部を備えたことを特徴とする
化学的気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00171492A JP3167390B2 (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 化学的気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00171492A JP3167390B2 (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 化学的気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05179452A true JPH05179452A (ja) | 1993-07-20 |
| JP3167390B2 JP3167390B2 (ja) | 2001-05-21 |
Family
ID=11509231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00171492A Expired - Fee Related JP3167390B2 (ja) | 1992-01-08 | 1992-01-08 | 化学的気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3167390B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163182A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置およびそれに使用可能な膜厚測定装置 |
| WO2008126595A1 (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-23 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2012121088A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Disco Corp | チャックテーブル機構 |
| WO2012141151A1 (ja) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2021034516A (ja) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱媒体巡回システム及び熱媒体巡回システムの制御方法 |
-
1992
- 1992-01-08 JP JP00171492A patent/JP3167390B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163182A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板熱処理装置およびそれに使用可能な膜厚測定装置 |
| WO2008126595A1 (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-23 | Tokyo Electron Limited | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2012121088A (ja) * | 2010-12-07 | 2012-06-28 | Disco Corp | チャックテーブル機構 |
| WO2012141151A1 (ja) * | 2011-04-11 | 2012-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2021034516A (ja) * | 2019-08-22 | 2021-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱媒体巡回システム及び熱媒体巡回システムの制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3167390B2 (ja) | 2001-05-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010227 |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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