JPH05164908A - Production of prototype of diffusion plate - Google Patents

Production of prototype of diffusion plate

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JPH05164908A
JPH05164908A JP35105191A JP35105191A JPH05164908A JP H05164908 A JPH05164908 A JP H05164908A JP 35105191 A JP35105191 A JP 35105191A JP 35105191 A JP35105191 A JP 35105191A JP H05164908 A JPH05164908 A JP H05164908A
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JP
Japan
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metal film
prototype
photoresist
diffusion plate
etching
Prior art date
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Application number
JP35105191A
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Japanese (ja)
Inventor
Shoichi Yamazaki
章市 山崎
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Publication of JPH05164908A publication Critical patent/JPH05164908A/en
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Abstract

PURPOSE:To obtain a process for production of the prototype of a diffusion plate which can rapidly produce the prototype of the diffusion plate with high accuracy by simple production process. CONSTITUTION:A metallic film pattern 26 is obtd. by utilizing a 1st stage for depositing a metallic film 22 by evaporation on the surface of a metallic substrate 1, a 2nd stage for forming the metallic film pattern 24 having two levels of varying heights by spin coating the surface of the metallic film 22 with a photoresist 23, then subjecting the photoresist to exposing and developing via a mask then to an etching treatment and a 3rd stage for forming the metallic film pattern 26 having three levels of varying heights by spin coating the surface of the metallic film pattern 24 with a photoresist 25, then subjecting the photoresist to the exposing and developing via the mask then to the etching treatment. The diffusion plate is produced by using the above-mentioned metallic film pattern as the prototype.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は位相型の拡散板の原型製
造方法に関し、例えば写真用カメラ等においてファイン
ダー像を形成する焦点板として用いた場合、所定の拡散
特性を有し、良好なるファインダー像の観察が可能な位
相型の拡散板の原型製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a prototype of a phase type diffuser plate, and when used as a focusing plate for forming a finder image in a photographic camera or the like, it has a predetermined diffuser characteristic and a good finder The present invention relates to a method for manufacturing a prototype of a phase type diffusion plate that allows image observation.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より光学的に透明な基板面上に一定
の高さの所定形状の微細パターンを複数個形成し、該微
細パターンを通過する光束に他の光束に対して位相差を
付与して所定の拡散特性を持たせた位相型の拡散板が種
々と提案されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a plurality of fine patterns of a predetermined shape having a constant height are formed on an optically transparent substrate surface, and a light beam passing through the fine patterns is given a phase difference with respect to other light beams. Then, various phase type diffusion plates having a predetermined diffusion characteristic have been proposed.

【0003】このうち入射光束に対して位相差0と所定
の位相差θの全体として複数の位相差より成る位相型の
拡散板が、例えば特開昭55−70827号公報や特開
平1−302331号公報等で提案されている。
Among them, a phase type diffusion plate having a plurality of phase differences as a whole with a phase difference of 0 and a predetermined phase difference θ with respect to an incident light beam is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-70827 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-302331. It is proposed in Japanese Patent Publication.

【0004】これらの拡散板を製造する際の原型の製造
方法としては、例えば特開昭57−13403号公報で
はレーザ光を利用し、露光し、現像漂白等を行い、滑ら
かなサインカーブ状の凹凸又はスペックルパターン状の
凹凸を形成し、それを電鋳工程のメッキ処理により転写
して原型を製造している。
As a method of manufacturing a prototype for manufacturing these diffuser plates, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 57-13403, laser light is used to perform exposure, development bleaching and the like to obtain a smooth sine curve. Roughness or speckle pattern-shaped irregularities are formed and transferred by plating in an electroforming process to manufacture a prototype.

【0005】又、特開昭61−120128号公報では
機械的な切削により角錐状のパターンを作り、メッキ処
理により転写して原型を製造している。
In Japanese Patent Laid-Open No. 61-120128, a pyramidal pattern is formed by mechanical cutting and transferred by plating to manufacture a prototype.

【0006】又、特開平1−277222号公報ではフ
ォトレジストに滑らかなパターンを形成し、それをメッ
キ処理により転写して原型を製造している。
Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 1-277222, a prototype is manufactured by forming a smooth pattern on a photoresist and transferring it by plating.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】従来の原型製造方法で
は滑らかな凹凸を作る為に元原盤に銀塩感光材料を使用
していた。この為、元原盤を直接原型とすると銀塩感光
材料が脆く、原型として耐久性が十分でなかった。
In the conventional master mold manufacturing method, a silver halide photosensitive material was used for the original master in order to form smooth irregularities. Therefore, if the original master is directly used as a master, the silver salt photosensitive material is fragile, and the durability as a master is not sufficient.

【0008】又、角錐状のパターンを切削により元原盤
を作るには切削可能な軟らかい材料を使用しなければな
らなく、この為元原盤を直接原型とするには、やはり耐
久性が十分でなかった。
Further, in order to make the original master by cutting the pyramidal pattern, a soft material that can be cut must be used. Therefore, the durability is not sufficient to directly make the original master. It was

【0009】この為、従来の拡散板を製造する際の原型
は1度何んらかの方法で元原盤を製造し、それを電鋳工
程等のメッキ処理により転写して原型を製造していた。
For this reason, the conventional master for manufacturing the diffuser plate is manufactured by once manufacturing the original master by some method and transferring it by a plating process such as an electroforming process. It was

【0010】このように従来は元原盤から原型を所定の
工程をへて製造しており、又多くの時間がかかるメキ処
理工程を経ていた為に拡散板の原型の製造には多くの時
間がかかるという問題点があった。
As described above, conventionally, a master is manufactured from a master using a predetermined process, and a lot of time is required to manufacture the master of the diffuser plate because a lot of time is required for the finishing process. There was a problem of this.

【0011】本発明は拡散板を製造する際の原型を適切
に設定した工程と適切なる材料の金属膜を用いることに
より簡易な製造工程により、迅速にかつ高精度に製造す
ることができる拡散板の原型製造方法の提供を目的とす
る。
The present invention is a diffuser plate that can be manufactured quickly and highly accurately by a simple manufacturing process by using a process of appropriately setting a prototype for manufacturing a diffuser plate and using a metal film of a suitable material. The purpose of the present invention is to provide a method for producing a prototype.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明の拡散板の原型製
造方法は、金属基板面上に金属膜を蒸着する第1工程
と、該金属膜面上にフォトレジストをスピンコートした
後、露光現像し、所定のレジストパターンを形成し、該
金属膜をエッチング処理した後、該フォトレジストを除
去し2つの異なる高さのレベルを有した金属膜パターン
を形成する第2工程と、次いで金属膜パターン面上にフ
ォトレジストをスピンコートした後、露光現像し、所定
のレジストパターンを形成し、該金属膜をエッチング処
理した後、該フォトレジストを除去して全体として3つ
の異なる高さのレベルを有した金属膜パターンを形成す
る第3工程とを利用して得られた金属膜パターンを原型
として拡散板を製造するようにしたことを特徴としてい
る。
The method for producing a prototype of a diffusion plate of the present invention comprises a first step of depositing a metal film on the surface of a metal substrate, spin coating of a photoresist on the surface of the metal film, and then exposure. A second step of developing, forming a predetermined resist pattern, etching the metal film, and then removing the photoresist to form a metal film pattern having two different height levels, and then the metal film After spin-coating a photoresist on the pattern surface, exposure and development are performed to form a predetermined resist pattern, the metal film is etched, and then the photoresist is removed to obtain three different height levels as a whole. It is characterized in that the diffusion plate is manufactured by using the metal film pattern obtained by utilizing the third step of forming the metal film pattern which is provided as a prototype.

【0013】特に本発明では前記金属膜は窒化チタン
(TIN)より成り、前記エッチング処理はC26
スを用いたリアクティブイオンビームエッチング法であ
ることや、前記金属基板は6mmから15mmの厚さを
有し、前記金属膜は1μmから3μmの厚さを有し、該
金属膜の硬度HDは650以下であり、前記フォトレジ
ストの膜厚は0.8μmから5μmの厚さを有し、前記
第2工程のエッチングは0.3μmから0.8μmの厚
さであること等を特徴としている。
Particularly in the present invention, the metal film is made of titanium nitride (TIN), the etching process is a reactive ion beam etching method using C 2 F 6 gas, and the metal substrate is 6 mm to 15 mm. The metal film has a thickness of 1 μm to 3 μm, the hardness HD of the metal film is 650 or less, and the thickness of the photoresist is 0.8 μm to 5 μm. The etching in the second step is characterized by a thickness of 0.3 μm to 0.8 μm.

【0014】[0014]

【実施例】図1は本発明の拡散板の原型製造方法の各工
程を示す要部概略図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a schematic view of a main part showing each step of a method for manufacturing a prototype of a diffusion plate of the present invention.

【0015】図1(A)において21は金属基板であ
る。金属基板21は比較的材料欠陥が少なく、良好な面
精度が確保しやすく、かつ加工しやすいHPM38SS
を用いており、厚さは6mmから15mm程度である。
そして片面の面精度がニュートン5本〜15本程度の範
囲で仕上げている。
In FIG. 1A, reference numeral 21 is a metal substrate. The metal substrate 21 has relatively few material defects, is easy to secure good surface accuracy, and is easy to process HPM38SS
Is used, and the thickness is about 6 mm to 15 mm.
The surface precision of one side is finished within the range of 5 to 15 Newtons.

【0016】この面精度はその面上に金属(窒化チタ
ン、TIN)を成膜し、レジストコート後、クロムマス
クとレジストをハードコンタクト方法で露光する際に必
要となる面精度である。一般的にはクロムマスクは面精
度がマイナス(凹)傾向となっている。
This surface accuracy is the surface accuracy required when a metal (titanium nitride, TIN) is formed on the surface, and after resist coating, the chromium mask and the resist are exposed by the hard contact method. Generally, chrome masks tend to have a negative (concave) surface accuracy.

【0017】基板がガラスや酸化シリコンとシリコンの
合成物(SiO2 +Si)等で厚さが薄いとハードコン
タクトさせても基板がクロムマスクに対応してある程度
しなって解像力の良い密着度が得られる。
If the substrate is made of glass or a compound of silicon oxide and silicon (SiO 2 + Si), etc., and has a small thickness, the substrate is made to some extent in correspondence with the chrome mask even if a hard contact is made, and an adhesion with good resolution is obtained. Be done.

【0018】しかしながら、本発明では元原盤を直接原
型として用いる為、基板が金属で厚さが6mm〜15m
mである。この為、成形する際に原型をしっかり固定す
ることができない。このような厚い金属基板はクロムマ
スクに対応してしなってくれない。
However, in the present invention, since the original master is directly used as a prototype, the substrate is metal and the thickness is 6 mm to 15 m.
m. For this reason, the master cannot be firmly fixed during molding. Such a thick metal substrate does not correspond to a chrome mask.

【0019】この為、本実施例では金属基板21が平坦
でなく面精度でニュートン5本〜15本程度で、かつ凸
状となるようにし、これによりクロムマスクとの密着性
を良くし、解像度の良い密着力を得ている。
Therefore, in this embodiment, the metal substrate 21 is not flat but has a surface accuracy of about 5 to 15 Newtons and a convex shape, thereby improving the adhesion to the chrome mask and the resolution. Has good adhesion.

【0020】図1(B)では金属基板21を洗浄し、そ
の面上に金属膜(TIN)22をイオンプレーティング
法により成膜している(第1工程)。
In FIG. 1B, the metal substrate 21 is washed and a metal film (TIN) 22 is formed on the surface thereof by the ion plating method (first step).

【0021】このときTIN膜22の膜厚が1μm〜3
μmとなるようにしている。これは拡散板を焦点板とし
て用いるとき、必要な原型の深さが0.6μm〜1.6
μmとなる。そこで金属膜(TIN膜)22がこのとき
の深さの約2倍となるようにして成形する際の原型の耐
久性を十分確保し、TIN膜22がはがれないようにし
ている。
At this time, the thickness of the TIN film 22 is 1 μm to 3 μm.
It is set to be μm. This is because when the diffusion plate is used as the focusing screen, the required depth of the prototype is 0.6 μm to 1.6 μm.
μm. Therefore, the metal film (TIN film) 22 is made to have a depth approximately twice the depth at this time to ensure sufficient durability of the master when molding, so that the TIN film 22 does not come off.

【0022】尚、TIN膜を3μm以上の厚さにすると
TINの欠陥が生じやすくなるので良くない。
A TIN film having a thickness of 3 μm or more is not preferable because TIN defects are likely to occur.

【0023】この他、カメラの焦点板として用いるとき
はオートフォーカス用のマークや測光用のマークを焦点
板の型に形成しなければならない。この為、TIN膜が
あまり硬すぎるとこれらのマークの加工が難しくなって
くる。
In addition to this, when it is used as a focusing screen of a camera, it is necessary to form marks for autofocus and marks for photometry in the mold of the focusing screen. Therefore, if the TIN film is too hard, it becomes difficult to process these marks.

【0024】そこで本実施例では金属膜22の硬度がH
Dで650以下となるようなものを用いている。
Therefore, in this embodiment, the hardness of the metal film 22 is H.
A value of 650 or less is used.

【0025】図1(C)ではTIN成膜後、洗浄し、フ
ォトレジスト23をスピンコートする。この時、もっと
も一般的なレジストを滴下し、その後1ステップで低速
回転、2ステップで高速回転させる方法ではストレーシ
ョンフリー(SF)をほどこしてないレジストはストレ
ーション(放射状の縞模様)がレジスト表面に生じ、エ
ッチングした際、この縞模様が残り好しくない。
In FIG. 1C, after the TIN film is formed, it is washed and the photoresist 23 is spin-coated. At this time, the most common resist is dropped and then rotated in one step at low speed and in two steps at high speed. If the resist is not installation-free (SF), the installation (radial stripe pattern) is the resist surface. This stripe pattern remains undesirably when etched.

【0026】そこで本実施例ではストレーションフリー
(SF)レジストを使用せずスピンコートの際、一定の
速度で回転させながらフォトレジストを滴下し、その後
も一定の速度で回転させつづけ、スピンコートすること
によりストレーションを取り除いている。
Therefore, in this embodiment, when spin coating is performed without using a installation-free (SF) resist, the photoresist is dropped while being rotated at a constant speed, and thereafter, the photoresist is continuously rotated at a constant speed to perform spin coating. This removes the installation.

【0027】具体的にはOFPR2(25cp)(東京
応化)レジストを使用し、2秒間1000rpmで回転
し、回転している際中にレジストを1秒間滴下する。そ
して後も1000rpmで回転し続け、トータルで30
秒回転する。これにより放射状の縞のないレジスト膜を
膜厚2.0〜3.0μmで得ている。
Specifically, an OFPR2 (25 cp) (Tokyo Ohka) resist is used, the resist is rotated at 1000 rpm for 2 seconds, and the resist is dropped for 1 second while rotating. And after that, it continued to rotate at 1000 rpm for a total of 30
Rotate for seconds. As a result, a resist film without radial stripes having a film thickness of 2.0 to 3.0 μm is obtained.

【0028】その後、図1(D)ではUV光(紫外光)
でクロムマスクとレジスト基板とを密着し、露光し現
像、ポストベークする。
Then, in FIG. 1D, UV light (ultraviolet light)
Then, the chrome mask and the resist substrate are brought into close contact with each other, exposed, developed and post-baked.

【0029】図1(E)では安全性が高く、レジストが
エッチングされにくいC26 ガスを使用し、リアクテ
ィブイオンビームエッチング法(RIBE法)で0.3
μm〜0.8μmエッチングする。エッチング終了後、
不必要なレジスト23を取り除く。これにより2つの高
さの異なるレベルを有した金属膜パターン24を形成し
ている(第2工程)。
In FIG. 1 (E), C 2 F 6 gas, which has high safety and resists etching of the resist, is used, and the reactive ion beam etching method (RIBE method) is used to obtain 0.3.
Etching is performed in the range of μm to 0.8 μm. After etching,
The unnecessary resist 23 is removed. Thus, the metal film pattern 24 having two different height levels is formed (second step).

【0030】図1(F)では基板の洗浄を行っている。
図1(G)〜図1(I)では図1(C)〜図1(E)と
略同様の繰り返し処理を行っている。
In FIG. 1F, the substrate is washed.
1 (G) to 1 (I), substantially the same repetitive processing as in FIGS. 1 (C) to 1 (E) is performed.

【0031】即ち、図1(G)では金属膜パターン24
面上にレジスト25をスピンコートしている。図1
(H)ではクロムパターンとレジスト基板とを密着露光
し、現像、ポストベークしている。図1(I)ではRI
BE法で0.3μm〜0.8μmのエッチングを行って
いる。
That is, in FIG. 1G, the metal film pattern 24 is formed.
A resist 25 is spin-coated on the surface. Figure 1
In (H), the chrome pattern and the resist substrate are exposed to each other by contact, and then developed and post-baked. In FIG. 1 (I), RI
Etching of 0.3 μm to 0.8 μm is performed by the BE method.

【0032】エッチング終了後、不必要なレジスト25
を除去し、これにより図2に示すように高さの異なる3
つのレベルA、B、Cを有した金属膜パターン26を形
成している(第3工程)。
After etching is completed, unnecessary resist 25
, Which results in three different heights as shown in FIG.
A metal film pattern 26 having two levels A, B and C is formed (third step).

【0033】本実施例では前述した各工程を用いて耐久
性の良いTIN膜に高さの異なる3つのレベルを有した
凹凸や角錐、そして円錐等の金属膜パターンを形成して
拡散板製造用の原型を製造している。
In the present embodiment, a metal film pattern such as unevenness, pyramids, and cones having three levels of different heights is formed on a TIN film having good durability by using the above-mentioned steps to manufacture a diffusion plate. We are manufacturing the prototype.

【0034】尚、本実施例においてレジストコート後、
RIBE法でエッチングする際、レジストとTIN膜の
エッチング量の比は選択比で1:2〜1:6である。
In this embodiment, after resist coating,
When etching by the RIBE method, the etching ratio between the resist and the TIN film is 1: 2 to 1: 6 in terms of selectivity.

【0035】ここで図2に示すように拡散板を高さの異
なる3つのレベルA、B、Cを有するように構成すると
き、AレベルからBレベルの深さ、又はBレベルからC
レベルの深さは0.3μm〜0.8μmの範囲の範囲で
ないとカメラの焦点板として用いるとき良好なる光学性
能を得るのが難しくなる。
Here, as shown in FIG. 2, when the diffuser plate is configured to have three levels A, B, and C having different heights, the depth from A level to B level or the level from B level to C is obtained.
Unless the level depth is in the range of 0.3 μm to 0.8 μm, it becomes difficult to obtain good optical performance when used as a focusing screen of a camera.

【0036】そこで本実施例では1回及び2回のRIE
B法によるエッチング量も0.3μm〜0.8μmとし
ている。
Therefore, in this embodiment, RIE is performed once and twice.
The etching amount by the B method is also set to 0.3 μm to 0.8 μm.

【0037】即ち、TIN膜が0.3μm〜0.8μm
の時、レジストとの選択比が1:2〜1:6であるか
ら、レジスト膜は0.6μm〜4.8μm必要である。
しかしこの範囲の値ではレジストが全くなくなってしま
う場合がある。
That is, the TIN film has a thickness of 0.3 μm to 0.8 μm.
At this time, since the selection ratio with the resist is 1: 2 to 1: 6, the resist film needs to be 0.6 μm to 4.8 μm.
However, if the value is in this range, the resist may be completely lost.

【0038】そこで最低でも0.2μm程度のレジスト
を残す為に、本実施例ではレジスト膜厚を0.8μm〜
5μmとなるようにしている。
Therefore, in order to leave at least 0.2 μm of resist, in this embodiment, the resist film thickness is 0.8 μm
It is set to 5 μm.

【0039】尚、以上の実施例では本発明を拡散板の原
型製造方法に適用した場合について説明したが、本発明
はローパスフィルター、ハイパスフィルター、バンドパ
スフィルター、ソフトフォーカスフィルター等を製造す
る際にも同様に適用することができる。
In the above embodiments, the case where the present invention is applied to the method for producing a prototype of a diffusion plate has been described. However, the present invention is applicable to the production of low pass filters, high pass filters, band pass filters, soft focus filters, etc. Can be similarly applied.

【0040】[0040]

【発明の効果】本発明によれば前述の如く拡散板を製造
する際の原型を適切に設定した工程と適切なる材料の金
属膜を用いることにより簡易な製造工程により、迅速に
かつ高精度に製造することができる拡散板の原型製造方
法を達成することができる。
According to the present invention, as described above, a process for appropriately setting a prototype for manufacturing a diffuser plate and a metal film made of an appropriate material can be used for a quick and highly accurate process by a simple manufacturing process. It is possible to achieve a method for manufacturing a prototype of a diffuser plate that can be manufactured.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例1の要部概略図FIG. 1 is a schematic view of a main part of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の原型により製造した拡散板の要部断面
FIG. 2 is a sectional view of a main part of a diffusion plate manufactured by the prototype of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 金属基板 22 金属膜(TIN膜) 23,25 レジスト 24,26 金属パターン 1 Metal Substrate 22 Metal Film (TIN Film) 23,25 Resist 24,26 Metal Pattern

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 金属基板面上に金属膜を蒸着する第1工
程と、該金属膜面上にフォトレジストをスピンコートし
た後、露光現像し、所定のレジストパターンを形成し、
該金属膜をエッチング処理した後、該フォトレジストを
除去し2つの異なる高さのレベルを有した金属膜パター
ンを形成する第2工程と、次いで金属膜パターン面上に
フォトレジストをスピンコートした後、露光現像し、所
定のレジストパターンを形成し、該金属膜をエッチング
処理した後、該フォトレジストを除去して全体として3
つの異なる高さのレベルを有した金属膜パターンを形成
する第3工程とを利用して得られた金属膜パターンを原
型として拡散板を製造するようにしたことを特徴とする
拡散板の原型製造方法。
1. A first step of depositing a metal film on a surface of a metal substrate, and a spin coating of a photoresist on the surface of the metal film, followed by exposure and development to form a predetermined resist pattern,
After etching the metal film, removing the photoresist to form a metal film pattern having two different height levels, and then spin-coating the photoresist on the metal film pattern surface. After exposing and developing to form a predetermined resist pattern and etching the metal film, the photoresist is removed to form a total of 3
And a third step of forming a metal film pattern having three different height levels, and a diffuser plate is manufactured using the metal film pattern obtained as a prototype. Method.
【請求項2】 前記金属膜は窒化チタン(TIN)より
成り、前記エッチング処理はC26 ガスを用いたリア
クティブイオンビームエッチング法であることを特徴と
する請求項1の拡散板の原型製造方法。
2. The prototype of the diffusion plate according to claim 1, wherein the metal film is made of titanium nitride (TIN), and the etching process is a reactive ion beam etching method using C 2 F 6 gas. Production method.
【請求項3】 前記金属基板は6mmから15mmの厚
さを有し、前記金属膜は1μmから3μmの厚さを有
し、該金属膜の硬度HDは650以下であり、前記フォ
トレジストの膜厚は0.8μmから5μmの厚さを有
し、前記第2工程のエッチングは0.3μmから0.8
μmの厚さであることを特徴とする請求項1の拡散板の
原型製造方法。
3. The metal substrate has a thickness of 6 mm to 15 mm, the metal film has a thickness of 1 μm to 3 μm, and the hardness HD of the metal film is 650 or less. The thickness is 0.8 μm to 5 μm, and the etching in the second step is 0.3 μm to 0.8 μm.
The method of manufacturing a prototype of a diffusion plate according to claim 1, wherein the prototype has a thickness of μm.
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JP (1) JPH05164908A (en)

Cited By (1)

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