JPH05158065A - 表示装置 - Google Patents
表示装置Info
- Publication number
- JPH05158065A JPH05158065A JP32414391A JP32414391A JPH05158065A JP H05158065 A JPH05158065 A JP H05158065A JP 32414391 A JP32414391 A JP 32414391A JP 32414391 A JP32414391 A JP 32414391A JP H05158065 A JPH05158065 A JP H05158065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- optical waveguide
- substrate
- photoelectric conversion
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一で品位の高い画像を表示することのでき
る表示装置を提供する。 【構成】 マトリクス基板は絶縁基板11、光導波路12、
信号配線13、絵素電極14及び光電変換素子15を備えてい
る。マトリクス基板に対向する対向基板は、マトリクス
基板から所定の間隔をおいて配置されている。この対向
基板は絶縁基板、対向電極及び配向膜を備えている。マ
トリクス基板と対向基板との間に液晶が注入されてい
る。光導波路12の各々の一端には、光導波路12内に光を
送出する発光素子が設けられている。光導波路12上に形
成された光電変換素子15は、発光素子から光導波路12を
介して送られた光を受け取るよう構成されている。発光
素子は外部光の波長と異なる波長の信号光を発するよう
にＩｎＧａＡｓ半導体結晶から形成されている。光電変
換素子15は発光素子から放出される外部光の波長と異な
る波長を有する信号光を受け取るようにＧｅ及びＩｎＧ
ａＡｓ半導体結晶から形成されている。
る表示装置を提供する。 【構成】 マトリクス基板は絶縁基板11、光導波路12、
信号配線13、絵素電極14及び光電変換素子15を備えてい
る。マトリクス基板に対向する対向基板は、マトリクス
基板から所定の間隔をおいて配置されている。この対向
基板は絶縁基板、対向電極及び配向膜を備えている。マ
トリクス基板と対向基板との間に液晶が注入されてい
る。光導波路12の各々の一端には、光導波路12内に光を
送出する発光素子が設けられている。光導波路12上に形
成された光電変換素子15は、発光素子から光導波路12を
介して送られた光を受け取るよう構成されている。発光
素子は外部光の波長と異なる波長の信号光を発するよう
にＩｎＧａＡｓ半導体結晶から形成されている。光電変
換素子15は発光素子から放出される外部光の波長と異な
る波長を有する信号光を受け取るようにＧｅ及びＩｎＧ
ａＡｓ半導体結晶から形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マトリクス状に設けら
れた絵素電極にスイッチング素子を介して駆動信号を印
加することにより画像を表示する表示装置に関する。
れた絵素電極にスイッチング素子を介して駆動信号を印
加することにより画像を表示する表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置、ＥＬ（エレクトロ
ルミネセント）表示装置及びプラズマ表示装置等には、
マトリクス状に配設された絵素電極を選択的に駆動する
ことにより、画面上に画像が表示されるように構成され
ているものがある。
ルミネセント）表示装置及びプラズマ表示装置等には、
マトリクス状に配設された絵素電極を選択的に駆動する
ことにより、画面上に画像が表示されるように構成され
ているものがある。
【０００３】このように絵素電極を選択的に駆動する方
式の一つとして、個々に独立した絵素電極の各々にスイ
ッチング素子を接続して絵素電極を選択駆動するアクテ
ィブマトリクス駆動方式が知られている。
式の一つとして、個々に独立した絵素電極の各々にスイ
ッチング素子を接続して絵素電極を選択駆動するアクテ
ィブマトリクス駆動方式が知られている。
【０００４】この絵素電極を選択駆動するためのスイッ
チング素子としては、一般にＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）素子、ＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子、及びＭ
ＯＳ（金属酸化物半導体）トランジスタ素子等が使用さ
れる。
チング素子としては、一般にＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）素子、ＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）素子、及びＭ
ＯＳ（金属酸化物半導体）トランジスタ素子等が使用さ
れる。
【０００５】このスイッチング素子により絵素電極と、
これに対向する対向電極との間に印加される電圧をオン
／オフすることによって、両電極間に介在させた液晶、
ＥＬ発光層又はプラズマ発光体等の表示媒体を光学的に
変調し、この光学的変調により画像が形成される。
これに対向する対向電極との間に印加される電圧をオン
／オフすることによって、両電極間に介在させた液晶、
ＥＬ発光層又はプラズマ発光体等の表示媒体を光学的に
変調し、この光学的変調により画像が形成される。
【０００６】従来のアクティブマトリクス液晶表示装置
の構造を説明する。
の構造を説明する。
【０００７】図８は従来のアクティブマトリクス液晶表
示装置のＴＦＴ基板の構成を示す斜視図である。
示装置のＴＦＴ基板の構成を示す斜視図である。
【０００８】同図に示すように、このＴＦＴ基板はガラ
ス基板51、タンタル（Ｔａ）から成る走査線52、チタン
（Ｔｉ）から成る信号線53、錫をドープした酸化インジ
ウム（ＩＴＯ）の透明導電膜から成る絵素電極54及び非
晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を用いたＴＦＴ55を備えてい
る。
ス基板51、タンタル（Ｔａ）から成る走査線52、チタン
（Ｔｉ）から成る信号線53、錫をドープした酸化インジ
ウム（ＩＴＯ）の透明導電膜から成る絵素電極54及び非
晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を用いたＴＦＴ55を備えてい
る。
【０００９】走査線52、信号線53及び絵素電極54は、ガ
ラス基板51上にマトリクス状に配設されている。絵素電
極54の各々には、スイッチング用素子としてＴＦＴ55が
それぞれ接続されている。
ラス基板51上にマトリクス状に配設されている。絵素電
極54の各々には、スイッチング用素子としてＴＦＴ55が
それぞれ接続されている。
【００１０】信号線53及び絵素電極54等の配線材料とし
ては、Ｔａ及びチタン（Ｔｉ）の他に、クロム（Ｃ
ｒ）、アルミニウム（Ａｌ）及びモリブデン（Ｍｏ）等
の金属を用いてもよい。
ては、Ｔａ及びチタン（Ｔｉ）の他に、クロム（Ｃ
ｒ）、アルミニウム（Ａｌ）及びモリブデン（Ｍｏ）等
の金属を用いてもよい。
【００１１】図９は従来のアクティブマトリクス液晶表
示装置のＴＦＴ基板の電気的構成を示す回路図である。
示装置のＴＦＴ基板の電気的構成を示す回路図である。
【００１２】同図に示すように、この回路はソースライ
ンであるデータ線61、ゲートラインである走査線62、Ｔ
ＦＴ素子63、絵素電極間の容量（ＣLC）64及び補助容量
（Ｃ S ）65から構成されている。
ンであるデータ線61、ゲートラインである走査線62、Ｔ
ＦＴ素子63、絵素電極間の容量（ＣLC）64及び補助容量
（Ｃ S ）65から構成されている。
【００１３】図１０は従来のアクティブマトリクス液晶
表示装置のＴＦＴ基板に含まれている１絵素の等価回路
である。
表示装置のＴＦＴ基板に含まれている１絵素の等価回路
である。
【００１４】同図に示すように、この等価回路はソース
ラインであるデータ線71、ゲートラインである走査線7
2、ＴＦＴ素子73、絵素電極間の容量（ＣLC）74、補助
容量（ＣS ）75、浮遊容量76及び浮遊容量（Ｃgd）77か
ら構成されている。
ラインであるデータ線71、ゲートラインである走査線7
2、ＴＦＴ素子73、絵素電極間の容量（ＣLC）74、補助
容量（ＣS ）75、浮遊容量76及び浮遊容量（Ｃgd）77か
ら構成されている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の液晶
表示装置では、第１に、表示装置の高精細化に伴い、ソ
ース及びゲートの配線数が多くなるため、これらの配線
の交差部における容量成分が大きくなり、装置の駆動が
困難になるという問題点がある。
表示装置では、第１に、表示装置の高精細化に伴い、ソ
ース及びゲートの配線数が多くなるため、これらの配線
の交差部における容量成分が大きくなり、装置の駆動が
困難になるという問題点がある。
【００１６】第２に、ＴＦＴは通常、製作時のプロセス
裕度を確保し、ゲートとドレインとの間のオフセットを
避けるために、ゲート電極とドレイン電極とが絶縁層を
介して一部重なり合うような構成をとっている。そのた
め、図１０に示す浮遊容量（Ｃgd）77が存在することに
なる。
裕度を確保し、ゲートとドレインとの間のオフセットを
避けるために、ゲート電極とドレイン電極とが絶縁層を
介して一部重なり合うような構成をとっている。そのた
め、図１０に示す浮遊容量（Ｃgd）77が存在することに
なる。
【００１７】この浮遊容量Ｃgdは、容量結合により下に
示す式（１）で示される一定の電圧降下を引き起こすた
め、画面のちらつき、即ちフリッカを発生させ、画質が
低下するという実用上大きな問題点がある。
示す式（１）で示される一定の電圧降下を引き起こすた
め、画面のちらつき、即ちフリッカを発生させ、画質が
低下するという実用上大きな問題点がある。
【００１８】 △Ｖ＝｛Ｃgd／（Ｃgd＋ＣLC＋ＣS ）｝×ＶG ……（１） ここで、△Ｖは電圧降下、Ｃgdはゲート−ドレイン間の
浮遊容量、ＣLCは絵素電極間の容量、ＣS は補助容量及
びＶG はゲート信号電圧である。
浮遊容量、ＣLCは絵素電極間の容量、ＣS は補助容量及
びＶG はゲート信号電圧である。
【００１９】第３に、画面の大型化及び表示画像の高精
細化を図る際、ゲート配線やソース配線は配線長が長
く、配線幅が細くなるため、比抵抗の小さいＴａ、Ｃ
ｒ、Ａｌ及びＭｏ等の金属を材料として、ゲート配線を
形成している。しかしながら、基板のサイズが数10イン
チと大きくなってくると線幅が数μｍと細く、又、膜厚
も数1000オングストロームと薄いため、これらの材料を
用いた場合でも配線の抵抗が再び問題となってくる。具
体的には、配線の抵抗と、配線の交差部における容量と
によって入力信号が遅延し、表示画像が不均一になると
いう問題点がある。
細化を図る際、ゲート配線やソース配線は配線長が長
く、配線幅が細くなるため、比抵抗の小さいＴａ、Ｃ
ｒ、Ａｌ及びＭｏ等の金属を材料として、ゲート配線を
形成している。しかしながら、基板のサイズが数10イン
チと大きくなってくると線幅が数μｍと細く、又、膜厚
も数1000オングストロームと薄いため、これらの材料を
用いた場合でも配線の抵抗が再び問題となってくる。具
体的には、配線の抵抗と、配線の交差部における容量と
によって入力信号が遅延し、表示画像が不均一になると
いう問題点がある。
【００２０】従って、本発明は、これらの問題点を解決
すべく、均一で品位の高い画像を表示することのできる
表示装置を提供するものである。
すべく、均一で品位の高い画像を表示することのできる
表示装置を提供するものである。
【００２１】
【課題を解決するための手段】表示媒体と、表示媒体を
駆動するための複数の絵素電極と、行又は列方向に配設
された複数の信号線と、複数の信号線と交差して配設さ
れており複数の絵素電極にそれぞれ設けられている光導
波路と、光導波路に外部光の波長と異なる波長を有する
光を印加する発光素子と、光導波路からの光を受け取っ
たときに複数の絵素電極の各々と絵素電極に対応する信
号配線とを電気的に接続する光電変換素子とを備えてい
る。
駆動するための複数の絵素電極と、行又は列方向に配設
された複数の信号線と、複数の信号線と交差して配設さ
れており複数の絵素電極にそれぞれ設けられている光導
波路と、光導波路に外部光の波長と異なる波長を有する
光を印加する発光素子と、光導波路からの光を受け取っ
たときに複数の絵素電極の各々と絵素電極に対応する信
号配線とを電気的に接続する光電変換素子とを備えてい
る。
【００２２】
【作用】発光素子が外部光の波長と異なる波長を有する
光を発することにより光導波路を通じて送光すると、光
導波路からこの光を受け取った光電変換素子は、絵素電
極と、対応する信号配線とを電気的に接続する。その結
果、絵素電極に電圧が印加され、この絵素電極に対応す
る表示媒体が光学的に変調され、画像が表示される。
光を発することにより光導波路を通じて送光すると、光
導波路からこの光を受け取った光電変換素子は、絵素電
極と、対応する信号配線とを電気的に接続する。その結
果、絵素電極に電圧が印加され、この絵素電極に対応す
る表示媒体が光学的に変調され、画像が表示される。
【００２３】発光素子は外部光、即ち通常の外部光やバ
ックライト光の波長と異なる波長を有する信号光を放出
し、光電変換素子はこの発せられた光を受け取るので、
外部光やバックライト光等の不要な光による誤動作の発
生を防止することができるため、均一で品位の高い画像
を表示することができる。
ックライト光の波長と異なる波長を有する信号光を放出
し、光電変換素子はこの発せられた光を受け取るので、
外部光やバックライト光等の不要な光による誤動作の発
生を防止することができるため、均一で品位の高い画像
を表示することができる。
【００２４】又、従来の走査配線の代わりに光導波路が
用いられているので、配線抵抗がなく、且つ走査配線と
信号配線との交差部における容量の問題もないので、絵
素数を増加しても絵素電極の駆動が困難になることがな
く、表示の高精細化及び画面の大型化が可能となる。
又、上述の交差部における容量の問題がないので、走査
信号の遅延は生ずることなく、むらのない均一な表示が
可能となる。更に、上述の交差部におけるピンホールの
発生の問題も生じないので、歩留りを向上させることが
できる。そして、走査配線と絵素電極との間の短絡の問
題もなくなり、光導波路と絵素電極とを接近させて配置
できるので、開口率を向上させることができる。
用いられているので、配線抵抗がなく、且つ走査配線と
信号配線との交差部における容量の問題もないので、絵
素数を増加しても絵素電極の駆動が困難になることがな
く、表示の高精細化及び画面の大型化が可能となる。
又、上述の交差部における容量の問題がないので、走査
信号の遅延は生ずることなく、むらのない均一な表示が
可能となる。更に、上述の交差部におけるピンホールの
発生の問題も生じないので、歩留りを向上させることが
できる。そして、走査配線と絵素電極との間の短絡の問
題もなくなり、光導波路と絵素電極とを接近させて配置
できるので、開口率を向上させることができる。
【００２５】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。
する。
【００２６】図１は本発明に係る表示装置の一実施例の
マトリクス基板の構成を示す斜視図である。図２は図１
の表示装置の光電変換素子部の横断面を含む部分断面図
である。
マトリクス基板の構成を示す斜視図である。図２は図１
の表示装置の光電変換素子部の横断面を含む部分断面図
である。
【００２７】尚、図１では図２に示す後述する配向膜17
が、図２では図１に示す後述する遮光膜16がそれぞれ省
略されている。
が、図２では図１に示す後述する遮光膜16がそれぞれ省
略されている。
【００２８】これらの図に示すように、このマトリクス
基板は、例えばガラスから成る透明な絶縁基板11、走査
用の光導波路12、金属配線から成る信号配線13、絵素電
極14、光電変換素子15、遮光膜16及び配向膜17を備えて
いる。
基板は、例えばガラスから成る透明な絶縁基板11、走査
用の光導波路12、金属配線から成る信号配線13、絵素電
極14、光電変換素子15、遮光膜16及び配向膜17を備えて
いる。
【００２９】絵素電極14は絶縁基板11上に、マトリクス
状に形成されている。
状に形成されている。
【００３０】絶縁基板11内には、絵素電極14の各行（又
は各列）毎に光導波路12が形成されており、一方、絶縁
基板11上に絵素電極14の各列（又は各行）毎に、金属材
料から成る信号配線13が光導波路12と交差する、例えば
直交するように設けられている。
は各列）毎に光導波路12が形成されており、一方、絶縁
基板11上に絵素電極14の各列（又は各行）毎に、金属材
料から成る信号配線13が光導波路12と交差する、例えば
直交するように設けられている。
【００３１】光導波路12と絶縁基板11との間には、絶縁
基板11の側からの光を遮るための遮光膜16が設けられて
いる。但し、遮光膜16の形成は必ずしも必要ではなく、
遮光膜16を設けない構成としてもよい。
基板11の側からの光を遮るための遮光膜16が設けられて
いる。但し、遮光膜16の形成は必ずしも必要ではなく、
遮光膜16を設けない構成としてもよい。
【００３２】光導波路12は例えば、幅10μｍ、深さ5 μ
ｍのＫ+ イオン交換導波路から成っており、その一端は
図示していない後述する発光素子に接続されている。
ｍのＫ+ イオン交換導波路から成っており、その一端は
図示していない後述する発光素子に接続されている。
【００３３】信号配線13はこの実施例ではアルミニウム
膜から成っており、その膜厚は3000オングストロームで
ある。絵素電極14は膜厚が1000オングストロームの透明
なＩＴＯ膜から成っている。
膜から成っており、その膜厚は3000オングストロームで
ある。絵素電極14は膜厚が1000オングストロームの透明
なＩＴＯ膜から成っている。
【００３４】光導波路12と信号配線13との交差部には、
光導波路12と信号配線13とを電気的に接続し又は遮断す
るスイッチング素子として動作する受光素子、即ち光電
変換素子15が設けられている。
光導波路12と信号配線13とを電気的に接続し又は遮断す
るスイッチング素子として動作する受光素子、即ち光電
変換素子15が設けられている。
【００３５】光電変換素子15の両側は信号配線13と絵素
電極14とに接続されている。
電極14とに接続されている。
【００３６】絶縁基板11上に光導波路12、信号配線13、
絵素電極14、光電変換素子15及び遮光膜16が形成された
マトリクス基板には、図２に示すように配向膜17が形成
されている。
絵素電極14、光電変換素子15及び遮光膜16が形成された
マトリクス基板には、図２に示すように配向膜17が形成
されている。
【００３７】このマトリクス基板に対向する対向基板
は、マトリクス基板に対して所定の間隔をおいて配置さ
れている。
は、マトリクス基板に対して所定の間隔をおいて配置さ
れている。
【００３８】この対向基板の例えばガラスから成る絶縁
基板21上には、透明な対向電極20が形成されており、対
向電極20の上に配向膜19が形成されている。
基板21上には、透明な対向電極20が形成されており、対
向電極20の上に配向膜19が形成されている。
【００３９】このように形成されているマトリクス基板
と対向基板との間に、液晶18が注入されている。
と対向基板との間に、液晶18が注入されている。
【００４０】図３は図１の表示装置のマトリクス基板の
電気的構成を示す回路図である。
電気的構成を示す回路図である。
【００４１】同図に示すように、光導波路12の各々の一
端には、光導波路12内に光（例えば図中ｈνで示すエネ
ルギの光）を送出する発光素子22が設けられている。
端には、光導波路12内に光（例えば図中ｈνで示すエネ
ルギの光）を送出する発光素子22が設けられている。
【００４２】光導波路12上に形成された光電変換素子15
は、発光素子22から発せられ光導波路12を介して送られ
た光（例えば図中ｈνで示すエネルギの光）を受け取る
ことが可能なように構成されている。
は、発光素子22から発せられ光導波路12を介して送られ
た光（例えば図中ｈνで示すエネルギの光）を受け取る
ことが可能なように構成されている。
【００４３】発光素子22は、可視光線である外部光、即
ち通常の外部光やバックライト光の波長λがいずれもλ
＜0.80μｍであれば、この波長λと異なる波長、例えば
長波長帯の波長λ´（λ´＝1.1 μｍ〜1.7μｍ）の信
号光を発するように、ＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウ
ムヒ素）半導体結晶から形成されている。
ち通常の外部光やバックライト光の波長λがいずれもλ
＜0.80μｍであれば、この波長λと異なる波長、例えば
長波長帯の波長λ´（λ´＝1.1 μｍ〜1.7μｍ）の信
号光を発するように、ＩｎＧａＡｓ（インジウムガリウ
ムヒ素）半導体結晶から形成されている。
【００４４】又、光電変換素子15は、発光素子22から放
出される外部光の波長λと異なる波長λ´を有する信号
光を受け取ることができるように、例えばＧｅ（ゲルマ
ニウム）及びＩｎＧａＡｓ半導体結晶から形成されてい
る。
出される外部光の波長λと異なる波長λ´を有する信号
光を受け取ることができるように、例えばＧｅ（ゲルマ
ニウム）及びＩｎＧａＡｓ半導体結晶から形成されてい
る。
【００４５】このような構成において、図１〜図３に示
すように、光導波路12の各々に設けられている発光素子
22を順次発光させることにより、対応する光導波路12に
走査用の光信号を送る。
すように、光導波路12の各々に設けられている発光素子
22を順次発光させることにより、対応する光導波路12に
走査用の光信号を送る。
【００４６】光電変換素子15は、この光信号を受け取っ
て信号配線13からの信号を制御することにより、絵素電
極14を駆動する。即ち、例えば光電変換素子15は、この
光信号を受け取るとオン状態となり、絵素電極14と、こ
れに対応する信号配線13とを電気的に接続する。
て信号配線13からの信号を制御することにより、絵素電
極14を駆動する。即ち、例えば光電変換素子15は、この
光信号を受け取るとオン状態となり、絵素電極14と、こ
れに対応する信号配線13とを電気的に接続する。
【００４７】従って、信号配線13と対向電極20との間に
印加された電圧が絵素電極14と対向電極20との間に印加
され、その部分の液晶18が光学的に変調され、画像が形
成される。
印加された電圧が絵素電極14と対向電極20との間に印加
され、その部分の液晶18が光学的に変調され、画像が形
成される。
【００４８】光導波路12は本発明の光導波路の一実施例
である。信号配線13は本発明の複数の信号線の一実施例
である。絵素電極14は本発明の複数の絵素電極の一実施
例である。光電変換素子15は本発明の光電変換素子の一
実施例である。液晶18は本発明の表示媒体の一実施例で
ある。発光素子22は本発明の発光素子の一実施例であ
る。
である。信号配線13は本発明の複数の信号線の一実施例
である。絵素電極14は本発明の複数の絵素電極の一実施
例である。光電変換素子15は本発明の光電変換素子の一
実施例である。液晶18は本発明の表示媒体の一実施例で
ある。発光素子22は本発明の発光素子の一実施例であ
る。
【００４９】次に、この実施例の表示装置の製造工程を
説明する。
説明する。
【００５０】図４は本発明に係る表示装置の一実施例の
製造工程を示す斜視図である。図５は図４の製造工程に
続く工程を示す斜視図である。図６は図５の製造工程に
続く工程を示す斜視図である。図７は図６の製造工程に
続く工程を示す斜視図である。
製造工程を示す斜視図である。図５は図４の製造工程に
続く工程を示す斜視図である。図６は図５の製造工程に
続く工程を示す斜視図である。図７は図６の製造工程に
続く工程を示す斜視図である。
【００５１】先ず、図４に示すように、例えばガラスか
ら成る絶縁基板11上に、Ｋ+ イオン交換法により光導波
路12を形成する。
ら成る絶縁基板11上に、Ｋ+ イオン交換法により光導波
路12を形成する。
【００５２】次いで、図５に示すように、ＩＴＯ膜から
成る絵素電極14をマトリクス状に形成する。
成る絵素電極14をマトリクス状に形成する。
【００５３】次いで、図６に示すように、光導波路12と
絵素電極14とが重なり合っている部分上に、例えばＧｅ
及びＩｎＧａＡｓ半導体結晶から成る光電変換素子15を
形成する。
絵素電極14とが重なり合っている部分上に、例えばＧｅ
及びＩｎＧａＡｓ半導体結晶から成る光電変換素子15を
形成する。
【００５４】次いで、図７に示すように、アルミニウム
から成る信号配線13を光導波路12と交差する、例えば直
交するように形成する。
から成る信号配線13を光導波路12と交差する、例えば直
交するように形成する。
【００５５】以上の工程でマトリクス基板を製造した
後、図２に示すように、マトリクス基板に配向膜17を、
対向電極20が形成された対向基板に配向膜19をそれぞれ
形成し、その後ラビング処理を行う。
後、図２に示すように、マトリクス基板に配向膜17を、
対向電極20が形成された対向基板に配向膜19をそれぞれ
形成し、その後ラビング処理を行う。
【００５６】次いで、マトリクス基板とカラーフィルタ
基板である対向基板とを図示していないスペーサを介し
て貼り合わせ、両基板間に液晶18を注入することによ
り、表示装置が作製される。
基板である対向基板とを図示していないスペーサを介し
て貼り合わせ、両基板間に液晶18を注入することによ
り、表示装置が作製される。
【００５７】上述の表示装置の実施例によれば、発光素
子を発光させることにより光導波路を通じて送光する
と、光導波路から光を受け取った光電変換素子は、絵素
電極と、対応する信号配線とを電気的に接続する。その
結果、絵素電極に電圧が印加され、この絵素電極に対応
する部分の液晶が光学的に変調され、画像が表示され
る。
子を発光させることにより光導波路を通じて送光する
と、光導波路から光を受け取った光電変換素子は、絵素
電極と、対応する信号配線とを電気的に接続する。その
結果、絵素電極に電圧が印加され、この絵素電極に対応
する部分の液晶が光学的に変調され、画像が表示され
る。
【００５８】発光素子は、外部光、即ち通常の外部光や
バックライト光の波長と異なる波長を有する信号光を放
出することができるように、例えばＩｎＧａＡｓ半導体
結晶等から形成されており、光電変換素子は又、発光素
子から発光された外部光の波長と異なる波長を有する信
号光を受け取ることができるように、例えばＧｅ及びＩ
ｎＧａＡｓ半導体結晶等から形成されているので、外部
光等の不要な光による誤動作の発生を防止することがで
きるため、均一で品位の高い画像を表示することができ
る。
バックライト光の波長と異なる波長を有する信号光を放
出することができるように、例えばＩｎＧａＡｓ半導体
結晶等から形成されており、光電変換素子は又、発光素
子から発光された外部光の波長と異なる波長を有する信
号光を受け取ることができるように、例えばＧｅ及びＩ
ｎＧａＡｓ半導体結晶等から形成されているので、外部
光等の不要な光による誤動作の発生を防止することがで
きるため、均一で品位の高い画像を表示することができ
る。
【００５９】又、上述の実施例の表示装置では、従来の
走査配線の代わりに光導波路が用いられているので、配
線抵抗がなく、且つ走査配線と信号配線との交差部にお
ける容量の問題もないので、絵素数を増加しても絵素電
極の駆動が困難になることがなく、表示の高精細化及び
画面の大型化が可能となる。
走査配線の代わりに光導波路が用いられているので、配
線抵抗がなく、且つ走査配線と信号配線との交差部にお
ける容量の問題もないので、絵素数を増加しても絵素電
極の駆動が困難になることがなく、表示の高精細化及び
画面の大型化が可能となる。
【００６０】上述の交差部における容量の問題がないの
で、走査信号の遅延は生ずることなく、又、光による走
査が行われるため高速なスイッチングが可能となるの
で、むらのない均一な画像表示が可能となる。
で、走査信号の遅延は生ずることなく、又、光による走
査が行われるため高速なスイッチングが可能となるの
で、むらのない均一な画像表示が可能となる。
【００６１】上述の交差部におけるピンホールの発生の
問題も生じないので、歩留りを向上させることができ
る。そして、走査配線と絵素電極との間の短絡の問題も
なくなり、光導波路と絵素電極とを接近させて配置でき
るので、開口率を向上させることができる。
問題も生じないので、歩留りを向上させることができ
る。そして、走査配線と絵素電極との間の短絡の問題も
なくなり、光導波路と絵素電極とを接近させて配置でき
るので、開口率を向上させることができる。
【００６２】更に、上述の実施例によれば、走査線とし
て動作する光導波路は絶縁基板内に形成されているの
で、基板上に凹凸が生じない。このため、平坦な基板上
に信号配線を形成することができ、信号配線の断線の発
生を防止することができる。
て動作する光導波路は絶縁基板内に形成されているの
で、基板上に凹凸が生じない。このため、平坦な基板上
に信号配線を形成することができ、信号配線の断線の発
生を防止することができる。
【００６３】上述の発光素子と光電変換素子との構成に
より、外部光等の不要な光による誤動作の発生を防止で
きるため、光導波路に入射する外部光を遮断するための
遮光層を設ける必要がなく、表示装置の製作の際に遮光
層の形成に関するプロセスが不要となり、遮光層を設け
る場合に比べて更に、低コスト、高歩留り、高信頼性が
可能となると共に、画像表示の高精細化が可能となる。
より、外部光等の不要な光による誤動作の発生を防止で
きるため、光導波路に入射する外部光を遮断するための
遮光層を設ける必要がなく、表示装置の製作の際に遮光
層の形成に関するプロセスが不要となり、遮光層を設け
る場合に比べて更に、低コスト、高歩留り、高信頼性が
可能となると共に、画像表示の高精細化が可能となる。
【００６４】尚、上述の実施例では、表示媒体として液
晶を用いた例を示したが、液晶に限らずＥＬ発光層又は
プラズマ発光体等を表示媒体に用いてもよい。
晶を用いた例を示したが、液晶に限らずＥＬ発光層又は
プラズマ発光体等を表示媒体に用いてもよい。
【００６５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、表示媒
体と、表示媒体を駆動するための複数の絵素電極と、行
又は列方向に配設された複数の信号線と、複数の信号線
と交差して配設されており複数の絵素電極にそれぞれ設
けられている光導波路と、光導波路に外部光の波長と異
なる波長を有する光を印加する発光素子と、光導波路か
らの光を受け取ったときに複数の絵素電極の各々と絵素
電極に対応する信号配線とを電気的に接続する光電変換
素子とを備えている。従って、外部光等の不要な光によ
る誤動作の発生を防止することができるため、均一で品
位の高い画像を表示することができる。
体と、表示媒体を駆動するための複数の絵素電極と、行
又は列方向に配設された複数の信号線と、複数の信号線
と交差して配設されており複数の絵素電極にそれぞれ設
けられている光導波路と、光導波路に外部光の波長と異
なる波長を有する光を印加する発光素子と、光導波路か
らの光を受け取ったときに複数の絵素電極の各々と絵素
電極に対応する信号配線とを電気的に接続する光電変換
素子とを備えている。従って、外部光等の不要な光によ
る誤動作の発生を防止することができるため、均一で品
位の高い画像を表示することができる。
【図１】本発明に係る表示装置の一実施例のマトリクス
基板の構成を示す斜視図である。
基板の構成を示す斜視図である。
【図２】図１の表示装置の光電変換素子部の横断面を含
む部分断面図である。
む部分断面図である。
【図３】図１の表示装置のマトリクス基板の電気的構成
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図４】本発明に係る表示装置の一実施例の製造工程を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図５】図４の製造工程に続く工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】図５の製造工程に続く工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図７】図６の製造工程に続く工程を示す斜視図であ
る。
る。
【図８】従来のアクティブマトリクス液晶表示装置のＴ
ＦＴ基板の構成を示す斜視図である。
ＦＴ基板の構成を示す斜視図である。
【図９】従来のアクティブマトリクス液晶表示装置のＴ
ＦＴ基板の電気的構成を示す回路図である。
ＦＴ基板の電気的構成を示す回路図である。
【図１０】従来のアクティブマトリクス液晶表示装置の
ＴＦＴ基板に含まれている１絵素の等価回路である。
ＴＦＴ基板に含まれている１絵素の等価回路である。
11、21 絶縁基板 12 光導波路 13 信号配線 14 絵素電極 15 光電変換素子 16 遮光膜 17、19 配向膜 18 液晶 20 対向電極 22 発光素子
【手続補正書】
【提出日】平成５年２月１０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】光導波路12と信号配線13との交差部には、
絵素電極14と信号配線13とを電気的に接続し又は遮断す
るスイッチング素子として動作する受光素子、即ち光電
変換素子15が設けられている。
絵素電極14と信号配線13とを電気的に接続し又は遮断す
るスイッチング素子として動作する受光素子、即ち光電
変換素子15が設けられている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 幹雄 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 服部 吉広 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 表示媒体と、該表示媒体を駆動するため
の複数の絵素電極と、行又は列方向に配設された複数の
信号線と、該複数の信号線と交差して配設されており前
記複数の絵素電極にそれぞれ設けられている光導波路
と、該光導波路に外部光の波長と異なる波長を有する光
を印加する発光素子と、前記光導波路からの前記光を受
け取ったときに前記複数の絵素電極の各々と該絵素電極
に対応する前記信号配線とを電気的に接続する光電変換
素子とを備えたことを特徴とする表示装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32414391A JPH05158065A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 表示装置 |
| EP19920310448 EP0542579B1 (en) | 1991-11-15 | 1992-11-16 | Display device provided with light waveguide |
| DE1992629258 DE69229258T2 (de) | 1991-11-15 | 1992-11-16 | Anzeigevorrichtung versehen mit Lichtwellenleiter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32414391A JPH05158065A (ja) | 1991-12-09 | 1991-12-09 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05158065A true JPH05158065A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18162615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32414391A Pending JPH05158065A (ja) | 1991-11-15 | 1991-12-09 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05158065A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5912997A (en) * | 1994-09-09 | 1999-06-15 | Gemfire Corporation | Frequency converter optical source for switched waveguide |
| JP2013503363A (ja) * | 2009-08-28 | 2013-01-31 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 光データ伝送を用いるディスプレイデバイス |
| CN106847853A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-06-13 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
-
1991
- 1991-12-09 JP JP32414391A patent/JPH05158065A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5912997A (en) * | 1994-09-09 | 1999-06-15 | Gemfire Corporation | Frequency converter optical source for switched waveguide |
| US6078704A (en) * | 1994-09-09 | 2000-06-20 | Gemfire Corporation | Method for operating a display panel with electrically-controlled waveguide-routing |
| JP2013503363A (ja) * | 2009-08-28 | 2013-01-31 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 光データ伝送を用いるディスプレイデバイス |
| CN106847853A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-06-13 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
| TWI607263B (zh) * | 2016-12-27 | 2017-12-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| US10269310B2 (en) | 2016-12-27 | 2019-04-23 | Au Optronics Corporation | Display panel |
| CN106847853B (zh) * | 2016-12-27 | 2020-01-10 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2950451B2 (ja) | マルチギャップカラー液晶表示装置 | |
| KR100314694B1 (ko) | 전기광학매체를구비한디스플레이장치 | |
| US7825894B2 (en) | Display device with display panel processing input data | |
| US6859247B2 (en) | Electro-optical apparatus and projection-type display apparatus | |
| US5844641A (en) | Liquid crystal display device having storage capacitors and additional opaque electrodes | |
| JPH1010548A (ja) | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 | |
| KR20050001742A (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그의 제조방법 | |
| KR100731045B1 (ko) | 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JP2019215535A (ja) | 表示パネル及び表示装置 | |
| US6490020B2 (en) | TFTLCD for recycling electrical power | |
| JP3121932B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3145931B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH05158065A (ja) | 表示装置 | |
| JP3300282B2 (ja) | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 | |
| US7042542B2 (en) | In-plane switching mode liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
| JP6903425B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2851310B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR0133276B1 (ko) | 광도파로를 구비한 표시장치 | |
| JPH05119350A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2784027B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| EP0542579B1 (en) | Display device provided with light waveguide | |
| KR100757786B1 (ko) | 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| JPH06235938A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2938521B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR100803168B1 (ko) | 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 |