JPH05154760A - Polishing composition and polishing method for silicon wafer - Google Patents
Polishing composition and polishing method for silicon waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体のシリコン等の
ウエ−ハ−の研磨用組成物及び研磨方法の改良に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a polishing composition for a wafer such as semiconductor silicon and a polishing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩ分野におけるシリコンウエ−ハ加
工技術の課題としては、 反りや表面平坦度等のウエ−ハ寸法精度の向上、 ウエ−ハ表面清浄度の向上、 大口径ウエ−ハ加工 等が重要な課題である。2. Description of the Related Art Problems in silicon wafer processing technology in the LSI field include improvement of wafer dimensional accuracy such as warpage and surface flatness, improvement of wafer surface cleanliness, and large-diameter wafer processing. Is an important issue.
【０００３】一般に、育成した単結晶インゴットを切断
し、研磨して鏡面ウエ−ハに仕上げるまでの加工工程
は、次のような工程からなる。 (1)育成した単結晶を幾つかのブロックに分けて、外径
を研削して所定の直径に整える。 (2)決められた面にオリエンテ−ションフラットをカッ
プ形砥石を使って入れる。 (3)単結晶ブロックを台に固定し、ダイヤモンド内周刃
で切断してウエ−ハを作る。 (4)ＬＳＩ製造工程中にウエ−ハの縁が欠けるのを防ぐ
ために、ウエ−ハ外周部を研削する。砥石の形状によ
り、ウエ−ハの縁の形状が決まる。 (5)砥粒によりウエ−ハの両面をラップして切断による
加工歪みを除去し、厚さを一定にする。 (6)ラップ等の加工歪みを完全に除去するために、数十
μｍエッチングする。 (7)コロイダルシリカ又はシリカゲル等の研磨用組成物
を使い、セラミックブロックに固定されたウエ−ハと研
磨パッドを回転させて、ウエ−ハの表面を化学的及び機
械的に鏡面研磨する工程を数回繰り返す。 (8)ウエ−ハの表面を清浄化する最終洗浄工程。 (9)出荷検査：抵抗率等の電気特性、厚さや表面平坦度
等の寸法精度の他に、斜光検査による表面清浄度検査。 (10)ウエ−ハを箱に入れて包装する。Generally, the processing steps from cutting the grown single crystal ingot to polishing and finishing to a mirror-finished wafer are as follows. (1) The grown single crystal is divided into several blocks, and the outer diameter is ground so as to have a predetermined diameter. (2) Put the orientation flat on the designated surface using a cup-shaped grindstone. (3) A single crystal block is fixed to a table and cut with a diamond inner peripheral blade to make a wafer. (4) The outer peripheral portion of the wafer is ground to prevent the edge of the wafer from being chipped during the LSI manufacturing process. The shape of the whetstone determines the shape of the edge of the wafer. (5) Lapping the both sides of the wafer with abrasive grains to remove the processing strain caused by cutting and make the thickness constant. (6) In order to completely remove processing strain such as lap, etching is performed by several tens of μm. (7) Using a polishing composition such as colloidal silica or silica gel, rotating the wafer fixed to the ceramic block and the polishing pad, the step of chemically and mechanically mirror polishing the surface of the wafer. Repeat several times. (8) Final cleaning step for cleaning the surface of the wafer. (9) Shipment inspection: In addition to electrical characteristics such as resistivity, dimensional accuracy such as thickness and surface flatness, surface cleanliness inspection by oblique light inspection. (10) Pack the wafer in a box.
【０００４】前述のウエ−ハの反りは、切断技術に依存
し、ウエ−ハ表面平坦度は、エッチング工程と研磨工程
によって決まる。ラッピングによりウエ−ハ面内の厚さ
は均一になり、この均一性を後工程で崩さないようにす
ることが重要となる。ウエ−ハ表面清浄度は最終洗浄工
程によることは言うまでもない。The above-mentioned wafer warp depends on the cutting technique, and the wafer surface flatness is determined by the etching process and the polishing process. By lapping, the thickness within the wafer surface becomes uniform, and it is important to prevent this uniformity from being destroyed in the subsequent process. Needless to say, the wafer surface cleanliness depends on the final cleaning step.
【０００５】特に、ウエ−ハ表面平坦度を確保するため
には、鏡面研磨工程が重要になる。鏡面研磨は、普通、
図４に示す如く、ウエ−ハ１をワックス２でセラミック
ブロック３に貼りつけて、強アルカリ液中にコロイダル
シリカ又はシリカゲルを分散させた研磨用組成物４を使
い、適切な研磨布５を使って、初め、表面を平坦に研磨
し、次に、仕上げの研磨を行い、アルカリによる化学研
磨とシリカによる機械研磨を組合わせた研磨を行うもの
である。Particularly, in order to secure the flatness of the wafer surface, the mirror polishing step is important. Mirror polishing is usually
As shown in FIG. 4, a wafer 1 is attached to a ceramic block 3 with a wax 2, a polishing composition 4 in which colloidal silica or silica gel is dispersed in a strong alkaline solution is used, and an appropriate polishing cloth 5 is used. First, the surface is polished flat, then the final polishing is performed, and the combined chemical polishing with alkali and mechanical polishing with silica are performed.
【０００６】ウエ−ハの鏡面研磨方法及び研磨剤につい
ては、特公昭４９−１３６６５号公報には、高度の半導
体の表面完全性を与えるために、約２〜１００ｍμの最
終の粒子寸法を有する約２〜５０％固形分を含有するシ
リカゾルで研磨する方法が開示され、米国特許第４１６
９３３７号公報には０．１〜５重量％（ゾルのＳｉＯ2
基準にて）の水溶性アミンを添加した水溶性コロイダル
シリカまたはゲルでシリコンウエ−ハまたは類似の材料
の研磨方法が開示されている。Regarding the method of mirror polishing a wafer and the polishing agent, Japanese Patent Publication No. Sho 49-13665 has a final particle size of about 2 to 100 mμ in order to provide a high degree of semiconductor surface integrity. A method of polishing with a silica sol containing 2-50% solids is disclosed and is disclosed in US Pat. No. 416.
9337 discloses 0.1 to 5% by weight (sol SiO2
A method of polishing a silicon wafer or similar material with a water soluble colloidal silica or gel with a water soluble amine (by reference) is disclosed.
【０００７】また、特公昭５７−５８７７５号公報に
は、ｐＨが約１１〜１２．５で且つそのシリカ粒子（比
表面積：約２５〜６００ｍ2 ／ｇ）を化学的に結合した
アルミニゥム原子で未被覆粒子表面上の珪素原子１００
個当たりアルミニゥム原子約１〜約５０個の表面被覆と
なるように被覆せしめてあり、しかも約２〜約５０重量
％のシリカ濃度を有するように変性処理されたコロイド
状シリカゲルを研磨剤として使用することを特徴としす
る、シリコンまたはゲルマニゥム半導体材料を高度の表
面仕上がり状態に研磨する方法が開示されている。Further, Japanese Patent Publication No. 57-58775 discloses that an aluminum atom having a pH of about 11 to 12.5 and chemically bonded silica particles (specific surface area: about 25 to 600 m 2 / g) is not used. 100 silicon atoms on the surface of coated particles
Colloidal silica gel coated as a surface coating of about 1 to about 50 aluminum atoms and modified to have a silica concentration of about 2 to about 50% by weight is used as an abrasive. Disclosed is a method for polishing a silicon or germanium semiconductor material to a highly surface-finished state.
【０００８】さらに、特公昭６１−３８９５４号公報に
は、ゾル又はゲルのシリカ含量に基づき、それぞれ炭素
原子２〜８個を含む、水溶性アルキルアミンまたは水溶
性アミノアルキルエタノ−ルアミン０．１〜５重量％
と、炭素原子６個以下を含む水溶性第４級アルキルアン
モニウムの塩または塩基０．１〜５重量％とを含む、水
溶性コロイド状シリカのゾルまたはゲルからなる研磨剤
で、硅素ウエ−ハを研磨する方法が、特開昭６２−３０
３３３号公報には、ゾルののＳｉＯ2 含有量に基づいて
０．１〜５重量％のピペラジン、又は窒素に低級アルキ
ル置換基がついたピペラジンと組合わされた、水性コロ
イドシリカゾル又はゲルを含んでなる研磨剤で研磨する
ことを含む、シリコンウェ−ハ及び同様の材料の研磨方
法が開示されている。Further, JP-B-61-38954 discloses a water-soluble alkylamine or a water-soluble aminoalkylethanolamine 0.1-0.1 containing 2 to 8 carbon atoms, respectively, based on the silica content of the sol or gel. 5% by weight
And a water-soluble quaternary alkylammonium salt containing 6 or less carbon atoms or 0.1 to 5% by weight of a base, a polishing agent comprising a sol or gel of water-soluble colloidal silica. The method of polishing a slag is disclosed in JP-A-62-30.
No. 333 publication contains an aqueous colloidal silica sol or gel in combination with 0.1 to 5% by weight of piperazine, based on the SiO 2 content of the sol, or piperazine with a lower alkyl substituent on the nitrogen. A method of polishing silicon wafers and similar materials is disclosed including polishing with an abrasive.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】以上の如く、ウエ−ハ
表面平坦度を確保するための鏡面研磨工程においては、
従来の技術は著しく進歩して来たものの、ＬＳＩ分野に
おける技術の進歩は目覚ましく、シリコンウエ−ハ表面
の高度な清浄度と平坦度について更に一段の技術的向上
を望む声は大である。As described above, in the mirror polishing step for ensuring the wafer surface flatness,
Although the conventional technology has advanced remarkably, the technology in the LSI field has been remarkably improved, and there is a great demand for further technical improvement in the high cleanliness and flatness of the silicon wafer surface.
【００１０】本発明は、以上のシリコンウエ−ハ加工に
おける鏡面研磨における技術的改良を図るためになされ
たものであり、ウエ−ハ表面平坦度を確保するためのシ
リコンウエ−ハの研磨用組成物及び研磨方法を提供する
ことを目的とする。The present invention has been made in order to achieve the technical improvement in the mirror polishing in the above silicon wafer processing, and a polishing composition for a silicon wafer for ensuring the wafer surface flatness. An object of the present invention is to provide an object and a polishing method.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の第１は、シリコ
ンウエ−ハ加工における鏡面研磨の研磨用組成物におい
て、コロイダルシリカゾル又はシリカゲルとピペラジン
を、前記シリカゾル又はシリカゲルのＳｉＯ2 含有量基
準にて１０〜８０重量％を含んでなることを特徴とする
シリコンウエ−ハの研磨用組成物であり、The first aspect of the present invention is to provide a polishing composition for mirror polishing in silicon wafer processing, wherein colloidal silica sol or silica gel and piperazine are used based on the SiO 2 content of the silica sol or silica gel. A silicon wafer polishing composition comprising 10 to 80% by weight,
【００１２】本発明の第２は、シリコンウエ−ハ加工に
おける鏡面研磨方法において、コロイダルシリカゾル又
はシリカゲルとピペラジンを前記シリカゾル又はシリカ
ゲルのＳｉＯ2 基準にて１０〜８０重量％を含んでなる
研磨用組成物を使い、セラミックブロックに固定された
ウエ−ハと研磨パッドを回転させて、ウエ−ハの表面を
化学的及び機械的に鏡面研磨することを特徴とするシリ
コンウエ−ハの研磨方法である。A second aspect of the present invention is a mirror polishing method for processing silicon wafers, wherein the polishing composition comprises colloidal silica sol or silica gel and piperazine in an amount of 10 to 80% by weight based on the SiO 2 of the silica sol or silica gel. A method for polishing a silicon wafer, characterized in that a wafer fixed to a ceramic block and a polishing pad are rotated using an object to chemically and mechanically polish the surface of the wafer. ..
【００１３】[0013]
【作用】前述の如く、特公昭６１−３８９５４号公報及
び特開昭６２−３０３３３号公報におけるシリコンウエ
−ハの研磨に用いる研磨用組成物は、０．１〜５重量％
のピペラジン又は水溶性アルキルアミンまたは水溶性ア
ミノアルキルエタノ−ルアミンとを含む、水溶性コロイ
ド状シリカのゾルまたはゲルからなるものであった。し
かしながら、本発明者らは、種々検討試験の結果、次の
ようなことを見知した。 (1)後述する実施例における表１並びに図１に示す如
く、本発明の研磨用組成物は、従来のピペラジンの添加
量５重量％以下に比べて、大巾な研磨能率の向上が認め
られる。 (2)研磨用組成物をリサイクル方式で使用する場合、フ
イルタ−の目詰まりが少なく、スラリ−のライフが向上
し、作業性及びコストの改善ができる。 (3)ｐＨの調整するのに必要とする苛性アルカリを添加
する必要もなく、優れた研磨面が得られる。As described above, the polishing composition used for polishing a silicon wafer in JP-B-61-38954 and JP-A-62-30333 contains 0.1 to 5% by weight.
Of water-soluble colloidal silica sol or gel containing water-soluble alkylamine or water-soluble aminoalkylethanolamine. However, the present inventors have found the following as a result of various examinations. (1) As shown in Table 1 and FIG. 1 in Examples described later, the polishing composition of the present invention shows a significant improvement in polishing efficiency as compared with the conventional piperazine addition amount of 5% by weight or less. .. (2) When the polishing composition is used in a recycling method, the filter is less likely to be clogged, the life of the slurry is improved, and workability and cost can be improved. (3) An excellent polished surface can be obtained without adding a caustic alkali required for adjusting the pH.
【００１４】本発明の研磨用組成物においては、コロイ
ダルシリカゾル又はシリカゲルへのピペラジン（無水換
算基準）の添加量を、コロイダルシリカゾル又はシリカ
ゲルのＳｉＯ2 含有量に対して、１０重量％以上とする
ものであるが、これは上述する如く、従来のピペラジン
の添加量５重量％以下に比べて、大巾な研磨能率の向上
が認められたことによるもので、８０重量％を越えると
ピペラジンの溶解度が低下し、研磨面が荒れるので１０
〜８０重量％を使用範囲とした。In the polishing composition of the present invention, the amount of piperazine (anhydrous basis) added to the colloidal silica sol or silica gel is 10% by weight or more based on the SiO 2 content of the colloidal silica sol or silica gel. This is because, as described above, a significant improvement in polishing efficiency was recognized as compared with the conventional addition amount of piperazine of 5% by weight or less. When it exceeds 80% by weight, the solubility of piperazine is increased. 10 because it lowers and the polished surface becomes rough
The range of use was -80% by weight.
【００１５】[0015]
【実施例】先ず、研磨用組成物の調製について述べる。
研磨剤のコロイダルシリカゾルは、粒子径が３５ｎｍ
（平均粒子径）で、ＳｉＯ2 濃度が２０％のコロイダル
シリカ（比重１．１２）１■（ＳｉＯ2 分が２２４ｇに
相当）に、市販のピペラジンの６水和物又は無水物（試
薬）を用いてピペラジン無水物として、ＳｉＯ2 含量に
対して、夫々２〜１６０重量％に変えて添加し、研磨用
組成物とした。これに純水を加えて、全量で２０■に調
製した研磨用スラリ−を作り、これを研磨試験に用い
る。EXAMPLES First, preparation of the polishing composition will be described.
The colloidal silica sol as an abrasive has a particle size of 35 nm.
In terms of (average particle size), a colloidal silica having a SiO 2 concentration of 20% (specific gravity 1.12) 1 ■ (corresponding to a SiO 2 content of 224 g) is commercially available as a hexahydrate of piperazine or an anhydride (reagent). The used piperazine anhydride was added in an amount of 2 to 160% by weight based on the SiO 2 content, to obtain a polishing composition. Pure water is added to this to prepare a polishing slurry having a total amount of 20 (3), which is used in a polishing test.
【００１６】次に、研磨機（SPEED FAM SPAW32）を用い
て、調整した研磨剤のシリコンウエ−ハ（５インチφ；
結晶：Ｐ＜１００＞型，Ｐ＜１１１＞型）の鏡面加工を
行った。鏡面加工に当たっては、図４に示す如く、シリ
コンウエ−ハ１を研磨機のバックアップホイ−ル６上に
位置させ、ワックス２でセラミックブロック３に貼りつ
けて、不織布タイプ又はスウェ−ドタイプの研磨パッド
等の適切な研磨布５をシリコンウエ−ハ１上に置き、研
磨機のプレッシヤ−プレ−ト（図示なし）を下降させ、
研磨機のバックアップホイ−ル６を回転させる。そして
前記の調製された研磨用スラリ−４をバックアップホイ
−ル６上に供給し、圧力を与えながらこの研磨用スラリ
−４の研磨剤をシリコンウエ−ハ１とバックアップホイ
−ル６との間に回転させ、その回転を通して研磨剤でシ
リコンウエ−ハ１表面を平坦に研磨する。Next, using a polishing machine (SPEED FAM SPAW32), a silicon wafer (5 inch φ;
Crystal: P <100> type, P <111> type) was mirror-finished. In mirror finishing, as shown in FIG. 4, the silicon wafer 1 is positioned on the backup wheel 6 of the polishing machine, and the wax 2 is attached to the ceramic block 3 to form a non-woven type or suede type polishing pad. A suitable polishing cloth 5 such as the above is placed on the silicon wafer 1, and the pressure plate (not shown) of the polishing machine is lowered,
The backup wheel 6 of the polishing machine is rotated. Then, the prepared polishing slurry-4 is supplied onto the backup wheel 6 and the polishing slurry-4 is supplied with an abrasive between the silicon wafer 1 and the backup wheel 6 while applying pressure. The surface of the silicon wafer 1 is ground flat with an abrasive through the rotation.
【００１７】この様な研磨に用いる研磨用スラリ−は、
リサイクル用フイルタ−を通してリサイクルしながら研
磨を行い、アルカリによる化学研磨とシリカによる機械
研磨を組合わせた研磨を行う。その際の研磨条件を次に
示す。 研磨条件， 研磨布 ：ＳＵＲＦＩＮ II−Ｘ（不織布タイプ） 圧力 ：３５０ｇ／ｃｍ2 ； 回転数 ：８７ｒｐｍ； テスト回数：３回 研磨時間 ：２０ｍｉｎ； 研磨用組成物のＳｉＯ2 濃度：１．１％ スラリ−ｐＨ：９．９〜１１．３ スラリ−量：２０■； スラリ−流量：５■／ｍｉｎ（リサイクル） リサイクル用フイルタ−：２０μ ピペラジンの添加量を重量基準にて、２，５，１０，２
０，４０，８０，１６０％に変えて、研磨を行った。研
磨結果を表１に示す。またピペラジンの添加量と研磨能
率（μ／ｍｉｎ）との関係を示すグラフを図１に示す。The polishing slurry used for such polishing is
Polishing is carried out while recycling through a recycling filter, and chemical polishing with alkali and mechanical polishing with silica are combined. The polishing conditions in that case are shown below. Polishing conditions, polishing cloth: SURFIN II-X (nonwoven fabric type) pressure: 350 g / cm 2 ; rotation speed: 87 rpm; number of tests: 3 times polishing time: 20 min; SiO 2 concentration of polishing composition: 1.1% slurry -PH: 9.9 to 11.3 Slurry amount: 20 ■; Slurry flow rate: 5 ■ / min (recycling) Recycling filter: 20μ Piperazine added on a weight basis of 2, 5, 10, Two
Polishing was carried out by changing to 0, 40, 80, 160%. The polishing results are shown in Table 1. A graph showing the relationship between the amount of piperazine added and the polishing efficiency (μ / min) is shown in FIG.
【００１８】[0018]
【表１】 [Table 1]
【００１９】表１並びに図１に示すように、ピペラジン
の添加量５％以下（比較例）に比べて、結晶型Ｐ＜１０
０＞型，Ｐ＜１１１＞型、共に添加量１０〜８０％にお
いては、比較例との相違％が１００を超えていることが
明らかであり、特にＰ＜１００＞型のウエ−ハの場合
は、添加量が１６０％でも更に研磨能率が向上している
ことは驚きである。As shown in Table 1 and FIG. 1, compared with the addition amount of piperazine of 5% or less (Comparative Example), the crystalline form P <10
It is clear that the difference% from the comparative example exceeds 100 when the addition amount of both 0> type and P <111> type is 10 to 80%, especially in the case of P <100> type wafer. It is surprising that the polishing efficiency is further improved even when the addition amount is 160%.
【００２０】次に、研磨用スラリ−のリサイクル特性を
調べた。この場合、本発明のピペラジンの添加量を３
５．０％に特定し、比較例については上と同様に５％と
した。この場合の研磨能率の結果を表２並びに図２に示
す。Next, the recycling characteristics of the polishing slurry were examined. In this case, the addition amount of the piperazine of the present invention is 3
It was specified to be 5.0%, and the comparative example was set to 5% as above. The results of the polishing efficiency in this case are shown in Table 2 and FIG.
【００２１】[0021]
【表２】 [Table 2]
【００２２】表２並びに図２に示すように、ピペラジン
の添加量５％以下（比較例）に比べて、本発明例の場
合、リサイクルはRUN No. ２０の場合で研磨能率は０．
７９，比較例の場合０．３８と優に２倍の能率で、且つ
スラリ流量は、本発明の場合５．８０で、比較例は２．
０でこれ以上のリサイクルは不能であり、流量は２．９
倍で、RUN No. ３０においても本発明の場合未だ３．３
■／ｍｉｎを示し、且つ研磨能率も０．４６とμ／ｍｉ
ｎを示している。図３にリサイクル中に調べたときの流
量（■／ｍｉｎ）と測定したRUN No. を示した。As shown in Table 2 and FIG. 2, in comparison with the piperazine addition amount of 5% or less (comparative example), in the case of the present invention, recycling was RUN No. 20 and the polishing efficiency was 0.
79, 0.38 in the case of the comparative example, which is double the efficiency, and the slurry flow rate is 5.80 in the case of the present invention, and 2.
At 0, no further recycling is possible and the flow rate is 2.9.
In the case of the present invention, even at RUN No. 30, it is still 3.3.
■ / min and polishing efficiency is 0.46 μ / mi
n is shown. Figure 3 shows the measured flow rate (■ / min) and measured RUN No. during recycling.
【００２３】本発明は、本実施例において用いられた研
磨機並びに研磨条件に限定されず、その他の研磨機又は
研磨条件を用いても良いことは勿論である。更に、本実
施例においては、コロイダルシリカを使用したが、シリ
カゲルを用いても同様な成績を示すことは勿論である。The present invention is not limited to the polishing machine and polishing conditions used in this embodiment, and it goes without saying that other polishing machines or polishing conditions may be used. Further, although colloidal silica was used in this example, it is needless to say that similar results are obtained even if silica gel is used.
【００２４】[0024]
【発明の効果】本発明の研磨用組成物及び研磨方法によ
れば、従来のピペラジンの５重量％以下を添加した研磨
用組成物に比べて、大巾な研磨能率の向上が認められ、
且つ研磨剤をリサイクル方式で使用する場合、フイルタ
−の目詰まりが少なく、スラリ−のライフが向上し、作
業性及びコストの改善ができ、さらにｐＨの調整に必要
とする苛性アルカリを添加する必要もなく、優れた研磨
面が得られる等の効果を奏するものである。EFFECTS OF THE INVENTION According to the polishing composition and the polishing method of the present invention, a significant improvement in polishing efficiency is recognized as compared with the conventional polishing composition containing 5% by weight or less of piperazine.
Moreover, when the abrasive is used in a recycling system, the filter is less likely to be clogged, the life of the slurry is improved, workability and cost can be improved, and it is necessary to add caustic alkali necessary for pH adjustment. Nonetheless, it has the effect of obtaining an excellent polished surface.
【図１】ピペラジン添加量と研磨能率との関係を示した
グラフ、FIG. 1 is a graph showing the relationship between the amount of piperazine added and the polishing efficiency,
【図２】本発明と従来例の研磨用組成物のリサイクルと
研磨能率との関係を示したグラフ、FIG. 2 is a graph showing the relationship between recycling and polishing efficiency of the polishing composition of the present invention and a conventional example.
【図３】本発明と従来例の研磨用スラリ−の流量と研磨
能率との関係を示したグラフ、FIG. 3 is a graph showing the relationship between the polishing slurry flow rate and polishing efficiency of the present invention and a conventional example;
【図４】ウエ−ハ表面の鏡面研磨工程の説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram of a mirror-polishing step of the wafer surface.
１ ウエ−ハ ２ ワックス ３ セラミックブロック ４ 研磨用スラリ− ５ 研磨布 ６ バックアップホイ−ル。 1 Wafer 2 Wax 3 Ceramic block 4 Slurry for polishing 5 Polishing cloth 6 Backup wheel.
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成３年１２月２５日[Submission date] December 25, 1991
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Name of item to be corrected] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【書類名】 明細書[Document name] Statement
【発明の名称】 シリコンウエーハの研磨用組成物及び
研磨方法Title: Silicon wafer polishing composition and polishing method
【特許請求の範囲】[Claims]
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体のシリコン等の
ウエーハの研磨用組成物及び研磨方法の改良に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improved composition for polishing a wafer such as semiconductor silicon and a polishing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩ分野におけるシリコンウエーハ加
工技術の課題としては、 反りや表面平坦度等のウエーハ寸法精度の向上、 ウエーハ表面清浄度の向上、 大口径ウエーハ加工 等が重要な課題である。2. Description of the Related Art As the problems of silicon wafer processing technology in the field of LSI, improvement of wafer dimensional accuracy such as warpage and surface flatness, improvement of wafer surface cleanliness, and large diameter wafer processing are important problems.
【０００３】一般に、育成した単結晶インゴットを切断
し、研磨して鏡面ウエーハに仕上げるまでの加工工程
は、次のような工程からなる。 (1)育成した単結晶を幾つかのブロックに分けて、外径
を研削して所定の直径に整える。 (2)決められた面にオリエンテーションフラットをカッ
プ形砥石を使って入れる。 (3)単結晶ブロックを台に固定し、ダイヤモンド内周刃
で切断してウエーハを作る。 (4)ＬＳＩ製造工程中にウエーハの縁が欠けるのを防ぐ
ために、ウエーハ外周部を研削する。砥石の形状によ
り、ウエーハの縁の形状が決まる。 (5)砥粒によりウエーハの両面をラップして切断による
加工歪みを除去し、厚さを一定にする。 (6)ラップ等の加工歪みを完全に除去するために、数十
μｍエッチングする。 (7)コロイダルシリカ又はシリカゲル等の研磨用組成物
を使い、セラミックブロックに固定されたウエーハと研
磨パッドを回転させて、ウエーハの表面を化学的及び機
械的に鏡面研磨する工程を数回繰り返す。 (8)ウエーハの表面を清浄化する最終洗浄工程。 (9)出荷検査：抵抗率等の電気特性、厚さや表面平坦度
等の寸法精度の他に、斜光検査による表面清浄度検査。 (10)ウエーハを箱に入れて包装する。Generally, the processing steps from cutting the grown single crystal ingot to polishing and finishing it into a mirror-finished wafer are as follows. (1) The grown single crystal is divided into several blocks, and the outer diameter is ground so as to have a predetermined diameter. (2) Put the orientation flat on the designated surface using a cup-shaped grindstone. (3) A single crystal block is fixed on a table and cut with a diamond inner peripheral blade to make a wafer. (4) The outer peripheral portion of the wafer is ground in order to prevent the edge of the wafer from being chipped during the LSI manufacturing process. The shape of the whetstone determines the shape of the edge of the wafer. (5) Wrap both sides of the wafer with abrasive grains to remove processing strain caused by cutting and make the thickness constant. (6) In order to completely remove processing strain such as lap, etching is performed by several tens of μm. (7) Using a polishing composition such as colloidal silica or silica gel, the wafer fixed to the ceramic block and the polishing pad are rotated, and the step of chemically and mechanically mirror polishing the surface of the wafer is repeated several times. (8) Final cleaning step for cleaning the surface of the wafer. (9) Shipment inspection: In addition to electrical characteristics such as resistivity, dimensional accuracy such as thickness and surface flatness, surface cleanliness inspection by oblique light inspection. (10) Pack the wafer in a box.
【０００４】前述のウエーハの反りは、切断技術に依存
し、ウエーハ表面平坦度は、エッチング工程と研磨工程
によって決まる。ラッピングによりウエーハ面内の厚さ
は均一になり、この均一性を後工程で崩さないようにす
ることが重要となる。ウエーハ表面清浄度は最終洗浄工
程によることは言うまでもない。The above-mentioned warpage of the wafer depends on the cutting technique, and the surface flatness of the wafer is determined by the etching process and the polishing process. By lapping, the thickness in the plane of the wafer becomes uniform, and it is important to prevent this uniformity from being destroyed in the subsequent process. It goes without saying that the wafer surface cleanliness depends on the final cleaning step.
【０００５】特に、ウエーハ表面平坦度を確保するため
には、鏡面研磨工程が重要になる。鏡面研磨は、普通、
図４に示す如く、ウエーハ１をワックス２でセラミック
ブロック３に貼りつけて、強アルカリ液中にコロイダル
シリカ又はシリカゲルを分散させた研磨用組成物４を使
い、適切な研磨布５を使って、初め、表面を平坦に研磨
し、次に、仕上げの研磨を行い、アルカリによる化学研
磨とシリカによる機械研磨を組合わせた研磨を行うもの
である。Particularly, in order to secure the flatness of the wafer surface, the mirror polishing step is important. Mirror polishing is usually
As shown in FIG. 4, a wafer 1 is attached to a ceramic block 3 with a wax 2, a polishing composition 4 in which colloidal silica or silica gel is dispersed in a strong alkaline liquid is used, and an appropriate polishing cloth 5 is used. First, the surface is polished to be flat, then the final polishing is performed, and the chemical polishing using alkali and the mechanical polishing using silica are combined.
【０００６】ウエーハの鏡面研磨方法及び研磨剤につい
ては、特公昭４９−１３６６５号公報には、高度の半導
体の表面完全性を与えるために、約２〜１００ｍμの最
終の粒子寸法を有する約２〜５０％固形分を含有するシ
リカゾルで研磨する方法が開示され、米国特許第４１６
９３３７号公報には０．１〜５重量％（ゾルのＳｉＯ2
基準にて）の水溶性アミンを添加した水溶性コロイダル
シリカまたはゲルでシリコンウエーハまたは類似の材料
の研磨方法が開示されている。Regarding the mirror polishing method and the polishing agent for a wafer, Japanese Patent Publication No. Sho 49-13665 discloses a method of polishing a wafer having a final particle size of about 2 to 100 mμ in order to provide a high degree of semiconductor surface perfection. A method of polishing with a silica sol containing 50% solids is disclosed, US Pat. No. 416.
9337 discloses 0.1 to 5% by weight (sol SiO 2
A method of polishing a silicon wafer or similar material with a water soluble colloidal silica or gel with a water soluble amine (by reference) is disclosed.
【０００７】また、特公昭５７−５８７７５号公報に
は、ｐＨが約１１〜１２．５で且つそのシリカ粒子（比
表面積：約２５〜６００ｍ2 ／ｇ）を化学的に結合した
アルミニゥム原子で未被覆粒子表面上の珪素原子１００
個当たりアルミニゥム原子約１〜約５０個の表面被覆と
なるように被覆せしめてあり、しかも約２〜約５０重量
％のシリカ濃度を有するように変性処理されたコロイド
状シリカゲルを研磨剤として使用することを特徴としす
る、シリコンまたはゲルマニゥム半導体材料を高度の表
面仕上がり状態に研磨する方法が開示されている。Further, Japanese Patent Publication No. 57-58775 discloses that an aluminum atom having a pH of about 11 to 12.5 and chemically bonded silica particles (specific surface area: about 25 to 600 m 2 / g) is not used. 100 silicon atoms on the surface of coated particles
Colloidal silica gel coated as a surface coating of about 1 to about 50 aluminum atoms and modified to have a silica concentration of about 2 to about 50% by weight is used as an abrasive. Disclosed is a method for polishing a silicon or germanium semiconductor material to a highly surface-finished state.
【０００８】さらに、特公昭６１−３８９５４号公報に
は、ゾル又はゲルのシリカ含量に基づき、それぞれ炭素
原子２〜８個を含む、水溶性アルキルアミンまたは水溶
性アミノアルキルエタノールアミン０．１〜５重量％
と、炭素原子６個以下を含む水溶性第４級アルキルアン
モニウムの塩または塩基０．１〜５重量％とを含む、水
溶性コロイド状シリカのゾルまたはゲルからなる研磨剤
で、硅素ウエーハを研磨する方法が、特開昭６２−３０
３３３号公報には、ゾルののＳｉＯ2 含有量に基づいて
０．１〜５重量％のピペラジン、又は窒素に低級アルキ
ル置換基がついたピペラジンと組合わされた、水性コロ
イドシリカゾル又はゲルを含んでなる研磨剤で研磨する
ことを含む、シリコンウエーハ及び同様の材料の研磨方
法が開示されている。Further, JP-B-61-38954 discloses a water-soluble alkylamine or water-soluble aminoalkylethanolamine 0.1-5 containing 2 to 8 carbon atoms, respectively, based on the silica content of the sol or gel. weight%
And a water-soluble quaternary alkylammonium salt containing 6 or less carbon atoms or 0.1 to 5% by weight of a base, and a polishing agent composed of a sol or gel of water-soluble colloidal silica to polish a silicon wafer. The method is disclosed in JP-A-62-30.
No. 333 publication contains an aqueous colloidal silica sol or gel in combination with 0.1 to 5% by weight of piperazine, based on the SiO 2 content of the sol, or piperazine with a lower alkyl substituent on the nitrogen. A method of polishing silicon wafers and similar materials, including polishing with an abrasive.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】以上の如く、ウエーハ
表面平坦度を確保するための鏡面研磨工程においては、
従来の技術は著しく進歩して来たものの、ＬＳＩ分野に
おける技術の進歩は目覚ましく、シリコンウエーハ表面
の高度な清浄度と平坦度について更に一段の技術的向上
を望む声は大である。As described above, in the mirror polishing step for ensuring the wafer surface flatness,
Although the conventional technology has made remarkable progress, the technology in the LSI field has been remarkably advanced, and there is a great demand for further technical improvement in the high cleanliness and flatness of the silicon wafer surface.
【００１０】本発明は、以上のシリコンウエーハ加工に
おける鏡面研磨における技術的改良を図るためになされ
たものであり、ウエーハ表面平坦度を確保するためのシ
リコンウエーハの研磨用組成物及び研磨方法を提供する
ことを目的とする。The present invention has been made in order to achieve the technical improvement in the mirror polishing in the above silicon wafer processing, and provides a polishing composition and a polishing method for a silicon wafer for ensuring the surface flatness of the wafer. The purpose is to do.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の第１は、シリコ
ンウエーハ加工における鏡面研磨の研磨用組成物におい
て、コロイダルシリカゾル又はシリカゲルとピペラジン
を、前記シリカゾル又はシリカゲルのＳｉＯ2 含有量基
準にて１０〜８０重量％を含んでなることを特徴とする
シリコンウエーハの研磨用組成物であり、The first aspect of the present invention is to provide a polishing composition for mirror polishing in the processing of silicon wafers, wherein colloidal silica sol or silica gel and piperazine are used in an amount of 10 based on the SiO 2 content of the silica sol or silica gel. A polishing composition for a silicon wafer, characterized in that
【００１２】本発明の第２は、シリコンウエーハ加工に
おける鏡面研磨方法において、コロイダルシリカゾル又
はシリカゲルとピペラジンを前記シリカゾル又はシリカ
ゲルのＳｉＯ2 基準にて１０〜８０重量％を含んでなる
研磨用組成物を使い、セラミックはりつけ板に固定され
たウエーハと研磨パッドを回転させて、ウエーハの表面
を化学的及び機械的に鏡面研磨することを特徴とするシ
リコンウエーハの研磨方法である。A second aspect of the present invention is a mirror polishing method for processing silicon wafers, which comprises a polishing composition containing colloidal silica sol or silica gel and piperazine in an amount of 10 to 80% by weight based on the SiO 2 of the silica sol or silica gel. It is a method for polishing a silicon wafer, characterized in that a wafer fixed to a ceramic gluing plate and a polishing pad are rotated and the surface of the wafer is mirror-polished chemically and mechanically.
【００１３】[0013]
【作用】前述の如く、特公昭６１−３８９５４号公報及
び特開昭６２−３０３３３号公報におけるシリコンウエ
ーハの研磨に用いる研磨用組成物は、０．１〜５重量％
のピペラジン又は水溶性アルキルアミンまたは水溶性ア
ミノアルキルエタノ−ルアミンとを含む、水溶性コロイ
ド状シリカのゾルまたはゲルからなるものであった。し
かしながら、本発明者らは、種々検討試験の結果、次の
ようなことを見知した。 (1)後述する実施例における表１並びに図１に示す如
く、本発明の研磨用組成物は、従来のピペラジンの添加
量５重量％以下に比べて、大巾な研磨能率の向上が認め
られる。 (2)研磨用組成物をリサイクル方式で使用する場合、フ
イルターの目詰まりが少なく、スラリーのライフが向上
し、作業性及びコストの改善ができる。 (3)ｐＨの調整するのに必要とする苛性アルカリを添加
する必要もなく、優れた研磨面が得られる。As described above, the polishing composition used for polishing a silicon wafer in JP-B-61-38954 and JP-A-62-30333 contains 0.1 to 5% by weight.
Of water-soluble colloidal silica sol or gel containing water-soluble alkylamine or water-soluble aminoalkylethanolamine. However, the present inventors have found the following as a result of various examinations. (1) As shown in Table 1 and FIG. 1 in Examples described later, the polishing composition of the present invention shows a significant improvement in polishing efficiency as compared with the conventional piperazine addition amount of 5% by weight or less. .. (2) When the polishing composition is used in a recycling method, clogging of the filter is reduced, the life of the slurry is improved, and workability and cost can be improved. (3) An excellent polished surface can be obtained without adding a caustic alkali required for adjusting the pH.
【００１４】本発明の研磨用組成物においては、コロイ
ダルシリカゾル又はシリカゲルへのピペラジン（無水換
算基準）の添加量を、コロイダルシリカゾル又はシリカ
ゲルのＳｉＯ2 含有量に対して、１０重量％以上とする
ものであるが、これは上述する如く、従来のピペラジン
の添加量５重量％以下に比べて、大巾な研磨能率の向上
が認められたことによるもので、８０重量％を越えると
ピペラジンの溶解度が低下し、研磨面が荒れるので１０
〜８０重量％を使用範囲とした。In the polishing composition of the present invention, the amount of piperazine (anhydrous basis) added to the colloidal silica sol or silica gel is 10% by weight or more based on the SiO 2 content of the colloidal silica sol or silica gel. This is because, as described above, a significant improvement in polishing efficiency was recognized as compared with the conventional addition amount of piperazine of 5% by weight or less. When it exceeds 80% by weight, the solubility of piperazine is increased. 10 because it lowers and the polished surface becomes rough
The range of use was -80% by weight.
【００１５】[0015]
【実施例】先ず、研磨用組成物の調製について述べる。
研磨剤のコロイダルシリカゾルは、粒子径が３５ｎｍ
（平均粒子径）で、ＳｉＯ2 濃度が２０％のコロイダル
シリカ（比重１．１２）１リットル（ＳｉＯ2 分が２２
４ｇに相当）に、市販のピペラジンの６水和物又は無水
物（試薬）を用いてピペラジン無水物として、ＳｉＯ2
含量に対して、夫々２〜１６０重量％に変えて添加し、
研磨用組成物とした。これに純水を加えて、全量で２０
リットルに調製した研磨用スラリーを作り、これを研磨
試験に用いる。EXAMPLES First, preparation of the polishing composition will be described.
The colloidal silica sol as an abrasive has a particle size of 35 nm.
In terms of (average particle size), 1 liter of colloidal silica having a SiO 2 concentration of 20% (specific gravity 1.12) (SiO 2 content is 22
(Corresponding to 4 g), commercially available piperazine hexahydrate or anhydride (reagent) was used as a piperazine anhydride, SiO 2
Add to each content, changing to 2-160% by weight,
This was a polishing composition. Add pure water to this and add 20
The polishing slurry prepared to 1 liter is prepared and used for the polishing test.
【００１６】次に、研磨機（SPEED FAM SPAW32）を用い
て、調整した研磨剤のシリコンウエーハ（５インチφ；
結晶：Ｐ＜１００＞型，Ｐ＜１１１＞型）の鏡面加工を
行った。鏡面加工に当たっては、図４に示す如く、シリ
コンウエーハ１を研磨機のバックアップホイール６上に
位置させ、ワックス２でセラミックはりつけ板３に貼り
つけて、不織布タイプ又はスウェードタイプの研磨パッ
ド等の適切な研磨布５をシリコンウエーハ１上に置き、
研磨機のプレッシヤープレート（図示なし）を下降さ
せ、研磨機のバックアップホイ−ル６を回転させる。そ
して前記の調製された研磨用スラリー４をバックアップ
ホイール６上に供給し、圧力を与えながらこの研磨用ス
ラリー４の研磨剤をシリコンウエーハ１とバックアップ
ホイール６との間に回転させ、その回転を通して研磨剤
でシリコンウエーハ１表面を平坦に研磨する。Next, using a polishing machine (SPEED FAM SPAW32), a silicon wafer (5 inch φ;
Crystal: P <100> type, P <111> type) was mirror-finished. In mirror finishing, as shown in FIG. 4, the silicon wafer 1 is positioned on the backup wheel 6 of the polishing machine, and the wax 2 is attached to the ceramic gluing plate 3 to make a suitable non-woven type or suede type polishing pad. Place the polishing cloth 5 on the silicon wafer 1,
The pressure plate (not shown) of the polishing machine is lowered, and the backup wheel 6 of the polishing machine is rotated. Then, the prepared polishing slurry 4 is supplied onto the backup wheel 6, and the abrasive of the polishing slurry 4 is rotated between the silicon wafer 1 and the backup wheel 6 while applying pressure, and polishing is performed through the rotation. The surface of the silicon wafer 1 is polished flat with an agent.
【００１７】この様な研磨に用いる研磨用スラリーは、
リサイクル用フイルタ−を通してリサイクルしながら研
磨を行い、アルカリによる化学研磨とシリカによる機械
研磨を組合わせた研磨を行う。その際の研磨条件を次に
示す。 研磨条件， 研磨布 ：ＳＵＲＦＩＮ II−Ｘ（不織布タイプ） 圧力 ：３５０ｇ／ｃｍ2 ； 回転数 ：８７ｒｐｍ； テスト回数：３回 研磨時間 ：２０ｍｉｎ； 研磨用組成物のＳｉＯ2 濃度：１．１％ スラリ−ｐＨ：９．９〜１１．３ スラリ−量：２０リットル； スラリ−流量：５リットル／ｍｉｎ（リサイクル） リサイクル用フイルター：２０μ ピペラジンの添加量を重量基準にて、２，５，１０，２
０，４０，８０，１６０％に変えて、研磨を行った。研
磨結果を表１に示す。またピペラジンの添加量と研磨能
率（μ／ｍｉｎ）との関係を示すグラフを図１に示す。The polishing slurry used for such polishing is
Polishing is carried out while recycling through a recycling filter, and chemical polishing with alkali and mechanical polishing with silica are combined. The polishing conditions in that case are shown below. Polishing conditions, polishing cloth: SURFIN II-X (nonwoven fabric type) pressure: 350 g / cm 2 ; rotation speed: 87 rpm; number of tests: 3 times polishing time: 20 min; SiO 2 concentration of polishing composition: 1.1% slurry -PH: 9.9 to 11.3 Slurry amount: 20 liters; Slurry flow rate: 5 liters / min (recycling) Recycling filter: 20μ 2,5,10,2 based on the weight of piperazine added
Polishing was carried out by changing to 0, 40, 80, 160%. The polishing results are shown in Table 1. A graph showing the relationship between the amount of piperazine added and the polishing efficiency (μ / min) is shown in FIG.
【００１８】[0018]
【表１】 [Table 1]
【００１９】表１並びに図１に示すように、ピペラジン
の添加量５％以下（比較例）に比べて、結晶型Ｐ＜１０
０＞型，Ｐ＜１１１＞型、共に添加量１０〜８０％にお
いては、比較例との相違％が１００を超えていることが
明らかであり、特にＰ＜１００＞型のウエーハの場合
は、添加量が１６０％でも更に研磨能率が向上している
ことは驚きである。As shown in Table 1 and FIG. 1, compared with the addition amount of piperazine of 5% or less (Comparative Example), the crystalline form P <10
It is clear that the difference% from the comparative example exceeds 100 when both the 0> type and the P <111> type are added in an amount of 10 to 80%. Particularly, in the case of the P <100> type wafer, It is surprising that the polishing efficiency is further improved even when the addition amount is 160%.
【００２０】次に、研磨用スラリーのリサイクル特性を
調べた。この場合、本発明のピペラジンの添加量を３
５．０％に特定し、比較例については上と同様に５％と
した。この場合の研磨能率の結果を表２並びに図２に示
す。Next, the recycling characteristics of the polishing slurry were examined. In this case, the addition amount of the piperazine of the present invention is 3
It was specified to be 5.0%, and the comparative example was set to 5% as above. The results of the polishing efficiency in this case are shown in Table 2 and FIG.
【００２１】[0021]
【表２】 [Table 2]
【００２２】表２並びに図２に示すように、ピペラジン
の添加量５％以下（比較例）に比べて、本発明例の場
合、リサイクルはRUN No. ２０の場合で研磨能率は０．
７９μｍ／ｍｉｎ、比較例の場合０．３８μｍ／ｍｉｎ
と優に２倍の能率で、且つスラリ流量は、本発明の場合
５．８０リットル／ｍｉｎで、比較例は２．０リットル
／ｍｉｎでこれ以上のリサイクルは不能であり、流量は
２．９倍で、RUN No. ３０においても本発明の場合未だ
３．３リットル／ｍｉｎを示し、且つ研磨能率も０．４
６μ／ｍｉｎを示している。図３にリサイクル中に調べ
たときの流量（リットル／ｍｉｎ）と測定したRUNNo.
を示した。As shown in Table 2 and FIG. 2, in comparison with the piperazine addition amount of 5% or less (comparative example), in the case of the present invention, recycling was RUN No. 20 and the polishing efficiency was 0.
79 μm / min, in the case of the comparative example 0.38 μm / min
The slurry flow rate was 5.80 liters / min in the present invention and 2.0 liters / min in the comparative example, and the recycling rate was 2.9 and the flow rate was 2.9. In the case of the present invention, even in RUN No. 30, it still shows 3.3 liters / min, and the polishing efficiency is 0.4.
6 μ / min is shown. Figure 3 shows the measured flow rate (liter / min) and the RUN No. measured during recycling.
showed that.
【００２３】本発明は、本実施例において用いられた研
磨機並びに研磨条件に限定されず、その他の研磨機又は
研磨条件を用いても良いことは勿論である。更に、本実
施例においては、コロイダルシリカを使用したが、シリ
カゲルを用いても同様な成績を示すことは勿論である。The present invention is not limited to the polishing machine and polishing conditions used in this embodiment, and it goes without saying that other polishing machines or polishing conditions may be used. Further, although colloidal silica was used in this example, it is needless to say that similar results are obtained even if silica gel is used.
【００２４】[0024]
【発明の効果】本発明の研磨用組成物及び研磨方法によ
れば、従来のピペラジンの５重量％以下を添加した研磨
用組成物に比べて、大巾な研磨能率の向上が認められ、
且つ研磨剤をリサイクル方式で使用する場合、フイルタ
−の目詰まりが少なく、スラリ−のライフが向上し、作
業性及びコストの改善ができ、さらにｐＨの調整に必要
とする苛性アルカリを添加する必要もなく、優れた研磨
面が得られる等の効果を奏するものである。EFFECTS OF THE INVENTION According to the polishing composition and the polishing method of the present invention, a significant improvement in polishing efficiency is recognized as compared with the conventional polishing composition containing 5% by weight or less of piperazine.
Moreover, when the abrasive is used in a recycling system, the filter is less likely to be clogged, the life of the slurry is improved, workability and cost can be improved, and it is necessary to add caustic alkali necessary for pH adjustment. Nonetheless, it has the effect of obtaining an excellent polished surface.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】ピペラジン添加量と研磨能率との関係を示した
グラフ、FIG. 1 is a graph showing the relationship between the amount of piperazine added and the polishing efficiency,
【図２】本発明と従来例の研磨用組成物のリサイクルと
研磨能率との関係を示したグラフ、FIG. 2 is a graph showing the relationship between recycling and polishing efficiency of the polishing composition of the present invention and a conventional example.
【図３】本発明と従来例の研磨用スラリーの流量と研磨
能率との関係を示したグラフ、FIG. 3 is a graph showing the relationship between the polishing slurry flow rate and the polishing efficiency of the present invention and a conventional example;
【図４】ウエーハ表面の鏡面研磨工程の説明図。FIG. 4 is an explanatory diagram of a mirror-polishing process of the wafer surface.
【符号の説明】 １ ウエーハ ２ ワックス ３ セラミックはりつけ板 ４ 研磨用スラリー ５ 研磨布 ６ バックアップホイール。[Explanation of symbols] 1 Wafer 2 Wax 3 Ceramic gluing plate 4 Polishing slurry 5 Polishing cloth 6 Backup wheel.
Claims (2)
の組成物において、コロイダルシリカゾル又はシリカゲ
ルとピペラジンを前記シリカゾル又はシリカゲルのＳｉ
Ｏ2 基準にて１０〜８０重量％を含んでなることを特徴
とするシリコンウエーハの研磨用組成物。1. A mirror polishing composition for silicon wafer processing, wherein colloidal silica sol or silica gel and piperazine are added to the silica sol or silica Si.
A polishing composition for a silicon wafer, which comprises 10 to 80% by weight based on O 2 .
方法において、コロイダルシリカゾル又はシリカゲルと
ピペラジンを前記シリカゾル又はシリカゲルのＳｉＯ2
基準にて１０〜８０重量％を含んでなる研磨用組成物を
使い、セラミックブロックに固定されたウエ−ハと研磨
パッドを回転させて、ウエ−ハの表面を化学的及び機械
的に鏡面研磨することを特徴とするシリコンウエーハの
研磨方法。2. A mirror polishing method for silicon wafer processing, wherein colloidal silica sol or silica gel and piperazine are added to the silica sol or silica gel SiO 2
Using a polishing composition containing 10 to 80% by weight based on the standard, a wafer fixed to a ceramic block and a polishing pad are rotated to chemically and mechanically polish the surface of the wafer. A method for polishing a silicon wafer, comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318185A JPH05154760A (en) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | Polishing composition and polishing method for silicon wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318185A JPH05154760A (en) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | Polishing composition and polishing method for silicon wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05154760A true JPH05154760A (en) | 1993-06-22 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3318185A Pending JPH05154760A (en) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | Polishing composition and polishing method for silicon wafer |
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