JPH0515302B2 - - Google Patents

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JPH0515302B2
JPH0515302B2 JP61113850A JP11385086A JPH0515302B2 JP H0515302 B2 JPH0515302 B2 JP H0515302B2 JP 61113850 A JP61113850 A JP 61113850A JP 11385086 A JP11385086 A JP 11385086A JP H0515302 B2 JPH0515302 B2 JP H0515302B2
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piperazine
sol
weight
abrasive
silica
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Shii Pein Chaaruzu
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Nalco Chemical Co
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

〔産業上の利用分野〕 本発明は、シリコンウエーハ及び同様の材料を
研磨する方法、及びその方法で使用するのに有用
な組成物に関する。 〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題
点〕 米国特許第3170273号は、コロイドシリカ及び
シリカゲルが、半導体デバイスの製造に最も頻繁
に使用される半導体結晶表面の研磨剤として有用
であることを示す。この特許の開示は、参照によ
りここに組み入れられる。この特許のシリコン系
研磨剤は、シリコン結晶ウエーハの表面を十分研
磨するのに特に適し、それゆえに、これらの表面
をエピタキシヤル成長した結晶層を配置するのに
適したものにする。 その特許権者により使用されたゾルのコロイド
シリカ及びシリカゲルの一次粒子の粒度
(ultimate particle size)は4〜200nmである。
商業的見地からすれば、その特許の方法における
研磨剤として、粒度が4〜100nmの範囲内の水性
コロイドシリカゾルを使用するのが好ましい。 米国特許第4169337号は、研磨効力が米国特許
第3170273号のものを凌ぐ実質的な改良を開示す
る。その開示は、参照によりここに組み入れられ
る。その発明によれば、一次粒子粒度が4〜
200nm、好ましくは4〜100nmの範囲内のコロイ
ド形態のシリカあるいはシリカゲルのいずれかを
水溶性アミンと組合せたものを研磨剤として使用
して、従来からのタイプ、特にシリコンの半導体
表面を効果的に研磨できることが分つた。シリカ
ゾル又はゲル中に存在するシリカに関するアミン
の量は、ゾル又はゲルのSiO2含有量に基づいて
0.5〜5.0%の範囲でよい。アミンの好ましい量は
1.0〜5.0%、最も好ましくは2.0〜4.0%である。 そのアミンは、2〜8個の炭素原子を含有すべ
きであり、好ましくは脂肪族の特性を有する。 米国特許第4462188号には、シリコンウエーハ
を研磨するために更に改良された水性シリカ組成
物が開示されている。この特許は、特に、米国特
許第4169337号を実施するために使用する研磨剤
は、0.1〜5.0重量%、最も好ましくは2.0〜4.0重
量%の水溶性第四アンモニウム塩又は第四アンモ
ニウム塩基をそのような組成物に添加する場合
に、実質的に改良できることを開示した。 好ましい態様では、水溶性第四アンモニウム塩
又は水酸化第四アンモニウムは、7個以上の炭素
原子を含有すべきではない。好ましい態様におい
ては、1個以上のアルキル基を含有するが、その
鎖の長さは炭素原子2個を超えるべきでない。も
ちろんその化合物は、水溶性を維持するだけの長
さの1個以上の芳香族基を含有できる。それら
は、モルホリンその他同種類のものの第四アンモ
ニウム塩のような複素環式の基の一部として窒素
原子を含有できる。 米国特許第4462188号の発明で使用することが
できる典型的水溶性第四アンモニウム塩及び第四
アンモニウム塩基は、塩化テトラメチルアンモニ
ウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、塩化ジ
メチルジエチルアンモニウム、硫酸N,N−ジメ
チルモルホリニウム、及び臭化テトラブチルアン
モニウムである。これらの物質に関しては、塩化
テトラメチルアンモニウムが好ましい。 〔問題点を解決するための手段及び作用効果〕 本発明は、シリコンウエーハ及び同様の材料を
研磨するための改良された方法を含み、その方法
は、水性コロイドシリカゾル又はシリカゲルと、
ピペラジン又は窒素に低級アルキル置換基がつい
たピペラジンとを含むゾルの形をした研磨剤であ
つて、上記ピペラジン又は窒素に低級アルキル置
換基がついたピペラジンを当該ゾルの形をした研
磨剤の重量を基準にして0.1〜5重量%含有する
ものを、研磨剤として使用することを含む。ピペ
ラジンは、6個以下の炭素原子を含有する更に別
の、0.1〜5重量%の水溶性第四アンモニウム塩
又は第四アンモニウム塩素と組合せることができ
る。 出発原料のシリカゾル 本発明を実施するには、ここに示すように広範
囲の水性コロイドシリカゾル又はシリカゲルを使
用できる。コロイドシリカゾルを使用する方が好
ましい。二つのそのような原料が、NALCOAG
1050及びNALCOAG 1060という名称の下に市販
されている。これらのシリカゾル及びそれらの特
性を下記に記載する。 NALCOAG 1050 コロイドシリカ(SiO2として) 50% PH 9.0 平均粒度 16〜25nm 平均表面積 120〜176m2/g 比重(20℃(68〓)) 1.390 粘度 0.07Pa・s(70cP) (最大) Na2O含有量 0.4% NALCOAG 1060 コロイドシリカ(SiO2として) 50% PH 8.5 平均粒度 50〜70nm 平均表面積 40〜60m2/g 比重(20℃(68〓)) 1.390 粘度(25℃(77〓)) 0.015Pa・s(15cP) (最大) 上に記載したそれらのゾルの外に、他のシリカ
ゾルはもちろんそれらの製造方法も米国特許第
3901992号に開示及び記載されており、それは参
照によりここに組み入れられる。最後に、出願人
らは、ピペラジン化合物を含有する水性媒体中に
ヒユームドシリカ(fumed silica)を分散させて
シリカゾルを得るときに、向上した結果を得るこ
とができることを発見した。ヒユームドシリカ
は、揮発性ケイ素化合物の気相での燃焼加水分解
反応により製造される、吸着水分が著しく少ない
乾式法シリカである。 ピペラジン又は窒素に低級アルキル置換基がつい
たピペラジン これらのアミンは、ピペラジンそのものはもち
ろん、ビペラジン分子の窒素部分に低級アルキル
置換基を含有するピペラジンも含む。窒素に低級
アルキル置換基がついたピペラジンは、1〜4個
の炭素原子を含有する低級アルキル基を有するピ
ペラジンとして説明することができる。そのアル
キル基は、水素と炭素とから構成されるとは言う
ものの、それらはOH基、アミノ基、その他同種
のもののような他の置換基を含有できる。 本発明を実施するのに使用することができる、
窒素に低級アルキル置換基がついたピペラジン
は、下記の化合物である。 N−アミノエチルピペラジン 1,4−ビス(3−アミノプロピル)ピペラジ
ン 上記の化合物の関しては、ピペラジンが好まし
い。 使用するピペラジン、又は窒素に低級アルキル
置換基がついたピペラジンの量は、このピペラジ
ン又は置換されたピペラジンと水性シリカとを含
有するゾル組成物の重量に基づいて0.1〜5重量
%の間である。好ましい量は、1.0〜5%、最も
好ましくは2〜4%である。先に引用した米国特
許第4169337号及び第4462188号に示されたよう
に、研磨の操作は、通常10より大きいアルカリ性
PH領域で行なう。従つて、研磨溶液は約11以上の
PHに調整することが必要である。これは、最終の
研磨操作で達成すると考えられる特別の効果に応
じてナトリウム塩基又はカリウム塩基のいずれか
で行なうことができる。 発明の利点 ウエーハの研磨に適用するためにシリカゾルと
組合せたピペラジンは、ヒユームドシリカと組合
せたピペラジンが提供するように、多数の利点を
提供する。それらの利点は、次のように要約でき
る。 1 2%のレベルのピペラジンは、同じ研磨速度
を与えるのにアミノエチルエタノールアミンよ
り少量のコロイドシリカを必要とする。 2 コロイドシリカの存在下におけるピペラジン
は、時間がたつても製品の変色を示さない。 3 コロイドシリカの存在下における2%のレベ
ルのピペラジンは、微生物を殺し、又はその成
長を抑制する別の化学薬品を必要としない。 4 シリコンウエーハの研磨には高いPHが必要で
ある。強塩基性のピペラジンの系統は、PHを調
整するのに必要とする苛性アルカリが少量であ
る。 5 ピペラジンの存在下におけるヒユームドシリ
カの水性分散液は、シリカレベルが同じ(2.4
%)であるピペラジン含有コロイドシリカに関
して、又はシリカレベルがより高い(3.2%)
アミノエチルエタノールアミン含有コロイドシ
リカに対して、+10.6%〜+18.2%の研磨速度
の改良を示す。例えば、0.22%の水酸化カリウ
ムと2.0%のピペラジンのフレークとを含有す
る67.78gの水に、30gのCabosilM−5(商品名)
を分散させた。ヒユームドシリカの分散配合物
は、1部の製品を14部の水を加えて希釈したと
きに、上記の研磨結果を生じた。 〔実施例〕 本発明の利点を説明するため、米国特許第
4169337号に記載及び示されたように研磨試験を
行なつた。これらの試験の結果を下記に示す。 以下に記載する試験においては、本発明の組成
物を米国特許第4169337号に記載されたタイプの、
アミンを含有する市販のシリカゾル製品と対照し
て比較した。この製品は、水性のコロイドシリカ
ゾルである。それは、平均粒度が50〜100nmであ
り、ナトリウム安定化され、50重量%のコロイド
シリカ粒子と2重量%のアミノエチルエタノール
アミンとを含有する。同様の結果が、水酸化ナト
リウム以外の塩基を加えたピペラジンで得られ
る。この市販物質は以下組成物1と呼ぶ。 シリコンウエーハ研磨に使用した製品を下記に
要約して示す。
INDUSTRIAL APPLICATION This invention relates to a method of polishing silicon wafers and similar materials, and compositions useful for use in the method. [Prior Art and Problems to be Solved by the Invention] U.S. Pat. No. 3,170,273 discloses that colloidal silica and silica gel are useful as polishing agents for semiconductor crystal surfaces, which are most frequently used in the manufacture of semiconductor devices. show. The disclosure of this patent is incorporated herein by reference. The silicon-based abrasives of this patent are particularly suitable for sufficiently polishing the surfaces of silicon crystal wafers, thus making these surfaces suitable for placing epitaxially grown crystal layers. The ultimate particle size of the colloidal silica and silica gel primary particles of the sol used by the patentee is 4-200 nm.
From a commercial point of view, it is preferred to use an aqueous colloidal silica sol with a particle size in the range of 4 to 100 nm as abrasive in the method of that patent. US Pat. No. 4,169,337 discloses a substantial improvement in polishing efficacy over that of US Pat. No. 3,170,273. The disclosure of which is incorporated herein by reference. According to the invention, the primary particle size is 4~
200 nm, preferably in the range 4-100 nm, either in colloidal form or silica gel in combination with a water-soluble amine, can be used as an abrasive to effectively polish semiconductor surfaces of conventional types, especially silicon. I found out that it can be polished. The amount of amine on silica present in a silica sol or gel is based on the SiO2 content of the sol or gel.
It may be in the range of 0.5 to 5.0%. The preferred amount of amine is
1.0-5.0%, most preferably 2.0-4.0%. The amine should contain 2 to 8 carbon atoms and preferably has aliphatic character. U.S. Pat. No. 4,462,188 discloses a further improved aqueous silica composition for polishing silicon wafers. This patent specifically states that the abrasive used to practice U.S. Pat. It has been disclosed that substantial improvements can be made when added to such compositions. In preferred embodiments, the water-soluble quaternary ammonium salt or quaternary ammonium hydroxide should contain no more than 7 carbon atoms. In a preferred embodiment, it contains one or more alkyl groups, but the chain length should not exceed 2 carbon atoms. Of course, the compound can contain one or more aromatic groups of sufficient length to maintain water solubility. They can contain a nitrogen atom as part of a heterocyclic group, such as quaternary ammonium salts of morpholine and the like. Typical water-soluble quaternary ammonium salts and quaternary ammonium bases that can be used in the invention of U.S. Pat. morpholinium, and tetrabutylammonium bromide. Regarding these materials, tetramethylammonium chloride is preferred. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention includes an improved method for polishing silicon wafers and similar materials, which method comprises: an aqueous colloidal silica sol or silica gel;
An abrasive in the form of a sol containing piperazine or piperazine with a lower alkyl substituent on nitrogen, the weight of the abrasive in the form of a sol containing piperazine or piperazine with a lower alkyl substituent on nitrogen. This includes using as an abrasive abrasives containing 0.1 to 5% by weight based on . The piperazine can be combined with 0.1 to 5% by weight of further water-soluble quaternary ammonium salts or quaternary ammonium chlorides containing up to 6 carbon atoms. Starting Silica Sol A wide range of aqueous colloidal silica sols or silica gels, as shown herein, can be used in the practice of the present invention. Preference is given to using colloidal silica sols. Two such raw materials are NALCOAG
It is commercially available under the names 1050 and NALCOAG 1060. These silica sols and their properties are described below. NALCOAG 1050 Colloidal Silica (as SiO2 ) 50% PH 9.0 Average particle size 16-25nm Average surface area 120-176m2 / g Specific gravity (20℃ (68〓)) 1.390 Viscosity 0.07Pa・s (70cP) (Max.) Na2O Content 0.4% NALCOAG 1060 colloidal silica (as SiO2 ) 50% PH 8.5 Average particle size 50~70nm Average surface area 40~60m2 / g Specific gravity (20℃ (68〓)) 1.390 Viscosity (25℃ (77〓)) 0.015 Pa・s (15 cP) (maximum) In addition to those sols described above, other silica sols as well as their manufacturing methods are covered by US patents.
No. 3901992, which is incorporated herein by reference. Finally, Applicants have discovered that improved results can be obtained when fumed silica is dispersed in an aqueous medium containing a piperazine compound to obtain a silica sol. Fumed silica is a dry process silica that is produced by combustion hydrolysis reaction of volatile silicon compounds in the gas phase and has extremely low adsorbed water. Piperazine or Piperazine with a Lower Alkyl Substituent on the Nitrogen These amines include piperazine itself as well as piperazine containing a lower alkyl substituent on the nitrogen portion of the biperazine molecule. Piperazine with a lower alkyl substituent on the nitrogen can be described as a piperazine having a lower alkyl group containing 1 to 4 carbon atoms. Although the alkyl groups are composed of hydrogen and carbon, they can contain other substituents such as OH groups, amino groups, and the like. can be used to carry out the invention,
Piperazine with a lower alkyl substituent on the nitrogen is the following compound. N-aminoethylpiperazine 1,4-bis(3-aminopropyl)piperazine Regarding the above compounds, piperazine is preferred. The amount of piperazine, or piperazine with a lower alkyl substituent on the nitrogen, used is between 0.1 and 5% by weight, based on the weight of the sol composition containing the piperazine or substituted piperazine and the aqueous silica. . Preferred amounts are 1.0-5%, most preferably 2-4%. As shown in previously cited U.S. Pat.
This is done in the PH area. Therefore, the polishing solution should be about 11 or more
It is necessary to adjust the pH. This can be done with either sodium or potassium bases depending on the particular effect desired to be achieved in the final polishing operation. Advantages of the Invention Piperazine in combination with silica sol for applications in wafer polishing offers a number of advantages, as do piperazine in combination with fumed silica. Their advantages can be summarized as follows. Piperazine at the 12% level requires less colloidal silica than aminoethylethanolamine to provide the same polishing rate. 2 Piperazine in the presence of colloidal silica shows no discoloration of the product over time. 3 Piperazine at the 2% level in the presence of colloidal silica does not require another chemical to kill or inhibit the growth of microorganisms. 4. High pH is required for polishing silicon wafers. The strongly basic piperazine family requires less caustic to adjust the pH. 5 Aqueous dispersions of fumed silica in the presence of piperazine have the same silica level (2.4
%) for piperazine-containing colloidal silica or the silica level is higher (3.2%)
It shows an improvement in polishing rate of +10.6% to +18.2% over colloidal silica containing aminoethylethanolamine. For example, in 67.78 g of water containing 0.22% potassium hydroxide and 2.0% piperazine flakes, 30 g of Cabosil M-5 (trade name)
was dispersed. A dispersion formulation of fumed silica produced the polishing results described above when 1 part product was diluted with 14 parts water. EXAMPLE To illustrate the advantages of the present invention, U.S. Pat.
Polishing tests were conducted as described and shown in No. 4169337. The results of these tests are shown below. In the tests described below, the compositions of the present invention were tested to
Comparisons were made against commercially available silica sol products containing amines. This product is an aqueous colloidal silica sol. It has an average particle size of 50-100 nm, is sodium stabilized, and contains 50% by weight colloidal silica particles and 2% by weight aminoethylethanolamine. Similar results are obtained with piperazine with added bases other than sodium hydroxide. This commercially available material is hereinafter referred to as Composition 1. The products used for silicon wafer polishing are summarized below.

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】【table】

【表】 上記に一覧した組成物の全てにおいては特に断
らない限り、出発原料のシリカは、組成物1で使
用したコロイドシリカを40重量%に希釈したシリ
カであつた。更に、一覧した試験の全てにおい
て、ピペラジンを使用した。 第7表は、窒素に置換基がついたピペラジンで
研磨することの効果を示す。これらの物質のいく
つかは、ピペラジンよりも効果的でないか、ある
いは既存の研磨パツドの材料ではパツドに損傷を
生ずるかのいずれかである。
Table: In all of the compositions listed above, unless otherwise specified, the starting silica was a 40% by weight dilution of the colloidal silica used in Composition 1. Additionally, piperazine was used in all of the listed tests. Table 7 shows the effect of polishing with nitrogen-substituted piperazine. Some of these materials are either less effective than piperazine or cause damage to existing polishing pad materials.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 水性コロイドシリカゾル又はシリカゲルと、
ピペラジン又は窒素に低級アルキル置換基がつい
たピペラジンとを含むゾルの形をした研磨剤であ
つて、上記ピペラジン又は窒素に低級アルキル置
換基がついたピペラジンを当該ゾルの形をした研
磨剤の重量を基準にして0.1〜5重量%含有して
なるもので研磨することを含む、シリコンウエー
ハ及び同様の材料の研磨方法。 2 前記ゾルの形をした研磨剤が当該研磨剤の重
量を基準にして0.1〜5重量%のピペラジンを含
有してなるものである、特許請求の範囲第1項記
載の方法。 3 前記ゾルの形をした研磨剤が当該研磨剤の重
量を基準にして0.1〜5重量%の、窒素に低級ア
ルキル置換基がついたピペラジンを含有してなる
ものである、特許請求の範囲第1項記載の方法。 4 前記ゾルの形をした研磨剤が、6個以下の炭
素原子を有する水溶性第四アンモニウム塩又は第
四アンモニウム塩基を0.1〜5重量%更に含有し
てなるものである、特許請求の範囲第1項から第
3項までのいずれか一項に記載の方法。 5 シリコンウエーハ及び同様の材料を研磨する
のに有用なゾル組成物であつて、水性コロイドシ
リカゾル又はシリカゲルを含み、且つ当該ゾル組
成物の重量に基づいて0.1〜5重量%のピペラジ
ン又は窒素に低級アルキル置換基がついたピペラ
ジンを含有してなる組成物。 6 前記水性コロイドシリカゾルが一次粒子の粒
度(primary particle size)が5〜200nmの範
囲内のヒユームドシリカ(fumed silica)の水性
コロイド分散液である、特許請求の範囲第5項記
載の組成物。
[Claims] 1. Aqueous colloidal silica sol or silica gel;
An abrasive in the form of a sol containing piperazine or piperazine with a lower alkyl substituent on nitrogen, the weight of the abrasive in the form of a sol containing piperazine or piperazine with a lower alkyl substituent on nitrogen. A method for polishing silicon wafers and similar materials, comprising polishing with a material containing 0.1 to 5% by weight based on 2. The method of claim 1, wherein the abrasive in the form of a sol contains 0.1 to 5% by weight of piperazine, based on the weight of the abrasive. 3. The abrasive in the form of a sol contains 0.1 to 5% by weight, based on the weight of the abrasive, of piperazine in which nitrogen has a lower alkyl substituent. The method described in Section 1. 4. The polishing agent in the form of a sol further contains 0.1 to 5% by weight of a water-soluble quaternary ammonium salt or quaternary ammonium base having up to 6 carbon atoms. The method described in any one of paragraphs 1 to 3. 5. A sol composition useful for polishing silicon wafers and similar materials, comprising an aqueous colloidal silica sol or silica gel and containing from 0.1 to 5% by weight of piperazine or nitrogen, based on the weight of the sol composition. A composition comprising piperazine with an alkyl substituent. 6. The composition of claim 5, wherein the aqueous colloidal silica sol is an aqueous colloidal dispersion of fumed silica having a primary particle size in the range of 5 to 200 nm.
JP61113850A 1985-05-20 1986-05-20 Method and composition for grinding silicon wafer Granted JPS6230333A (en)

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JPS6230333A JPS6230333A (en) 1987-02-09
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