JPH05152743A - Forming method for through hole - Google Patents
Forming method for through holeInfo
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- JPH05152743A JPH05152743A JP33800991A JP33800991A JPH05152743A JP H05152743 A JPH05152743 A JP H05152743A JP 33800991 A JP33800991 A JP 33800991A JP 33800991 A JP33800991 A JP 33800991A JP H05152743 A JPH05152743 A JP H05152743A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、多層印刷配線板あるい
は混成集積回路装置等を構成する基板に必要なスルーホ
ールの形成方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming through holes required for a substrate which constitutes a multilayer printed wiring board or a hybrid integrated circuit device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】多層印刷配線板あるいは混成集積回路装
置等を構成する基板は、その表裏面上に形成された回路
を互いに連結するためにスルーホールが形成される。ス
ルーホールの製造方法は、先ず、基板上に貫通孔を穿設
し、その後、貫通孔付近および貫通孔の内壁に連続的な
導体膜を形成する。スルーホール形成方法には、導体膜
の形成方法によって、厚膜法とメッキ法とがある。しか
し、基板がセラミック基板である場合のスルーホール形
成方法は、スルーホールを形成する際に、低コストな厚
膜法が多く用いられる。2. Description of the Related Art A substrate constituting a multilayer printed wiring board or a hybrid integrated circuit device has through holes for connecting circuits formed on the front and back surfaces thereof. In the method of manufacturing a through hole, first, a through hole is formed on a substrate, and then a continuous conductor film is formed near the through hole and on the inner wall of the through hole. The through hole forming method includes a thick film method and a plating method depending on the method of forming the conductor film. However, as a through-hole forming method when the substrate is a ceramic substrate, a low-cost thick film method is often used when forming the through-hole.
【０００３】以下、厚膜法による代表的なスルーホール
形成方法を説明する。図３（イ）は従来例におけるセラ
ミック基板に貫通孔を形成する方法の説明図である。
（ロ）は（イ）に示す方法によって貫通孔を穿設する以
前のセラミック基板の表面を説明するための図である。
（ハ）は（イ）に示す方法によって貫通孔を穿設した後
のセラミック基板の表面を説明するための図である。図
４は貫通孔内に導電膜を形成する方法の説明図である。
図５は厚膜ペーストを貫通孔内に塗布する方法の説明図
である。図３（イ）において、セラミック基板３１は、
たとえばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）からなる。また、レー
ザ発振装置３２は、レーザ３３を発生し、このレーザ３
３を貫通孔４３の穿設位置に向かって照射する。レーザ
発振装置３２から照射するレーザ３３には、イットリウ
ム─アルミニウム─ガーネットレーザ、あるいは炭酸ガ
スレーザ等の高出力のものがある。セラミック基板３１
は、このレーザ３３によって貫通孔４３が穿設される。A typical through-hole forming method using the thick film method will be described below. FIG. 3A is an explanatory view of a method of forming a through hole in a ceramic substrate in a conventional example.
(B) is a diagram for explaining the surface of the ceramic substrate before the through holes are formed by the method shown in (A).
(C) is a figure for demonstrating the surface of the ceramic substrate after forming a through-hole by the method shown in (A). FIG. 4 is an explanatory diagram of a method of forming a conductive film in a through hole.
FIG. 5 is an explanatory diagram of a method of applying the thick film paste into the through holes. In FIG. 3A, the ceramic substrate 31 is
For example, it is made of alumina (Al 2 O 3 ). Further, the laser oscillator 32 generates a laser 33, and the laser 3
3 is irradiated toward the position where the through hole 43 is formed. The laser 33 emitted from the laser oscillator 32 may be a high power laser such as an yttrium-aluminum-garnet laser or a carbon dioxide laser. Ceramic substrate 31
A through hole 43 is formed by this laser 33.
【０００４】しかる後、図４に示すように、貫通孔４３
が穿設されているセラミック基板４１は、その裏面に真
空ポンプ４２が取り付けられる。すなわち、貫通孔４３
が形成されているセラミック基板４１は、当該貫通孔４
３と対応する位置に開口４４が形成されているプレート
基板４５上に載置される。そして、上記セラミック基板
４１に形成されている貫通孔４３とプレート基板４５に
形成されている開口４４とが一致するように合わされ
る。その後、前記開口４４を有するプレート基板４５
は、チャンバー４６に接続され、真空ポンプ４２によっ
て空気が吸引される。一方、厚膜ペースト４７は、セラ
ミック基板４１上のスクリーン４８を通して前記真空ポ
ンプ４２から空気と共に吸引されるのと同時に、スキー
ジ４９の移動によって、貫通孔４３内に塗布される。そ
して、塗布された厚膜ペースト４７は、乾燥させた後、
焼成されてスルーホールが完成する。Thereafter, as shown in FIG. 4, the through hole 43
The vacuum pump 42 is attached to the back surface of the ceramic substrate 41 having the holes. That is, the through hole 43
The ceramic substrate 41 on which the
3 is placed on a plate substrate 45 having an opening 44 formed at a position corresponding to 3. Then, the through hole 43 formed in the ceramic substrate 41 and the opening 44 formed in the plate substrate 45 are aligned with each other. Then, the plate substrate 45 having the opening 44 is formed.
Is connected to the chamber 46, and the air is sucked by the vacuum pump 42. On the other hand, the thick film paste 47 is sucked together with air from the vacuum pump 42 through the screen 48 on the ceramic substrate 41 and, at the same time, is applied to the inside of the through hole 43 by the movement of the squeegee 49. Then, the applied thick film paste 47 is dried and then
It is fired to complete the through hole.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
レーザ３３によってセラミック基板３１に貫通孔４３を
穿設する方法は、貫通孔４３の穿設に際し、レーザ３３
の２０００ないし３０００度Ｃという高熱でセラミック
基板３１が瞬時に昇華し、レーザ加工前のセラミック基
板３１の表面が図３（ロ）に示すように微細な凹凸面３
１１から図３（ハ）に示すように平滑な表面３１２に変
わる。このように表面が平滑なセラミック基板３１上に
導体ペーストを形成した後に乾燥・焼成を行うと、セラ
ミック基板３１と導体膜との密着性が弱く、信頼性に問
題を有した。また、上記のようにセラミック基板３１と
導体膜との密着性が悪い場合に、スルーホールにはんだ
付けが行なわれると、はんだは導電膜内に浸透し導電膜
とセラミック基板との接着性を悪くする。したがって、
この部分の導電膜は、はんだ付けの際にたとえば、剥離
等が生じ易く信頼性に問題を有した。However, in the method of forming the through hole 43 in the ceramic substrate 31 by the laser 33 as described above, when the through hole 43 is formed, the laser 33 is formed.
The ceramic substrate 31 instantly sublimes due to the high heat of 2000 to 3000 ° C., and the surface of the ceramic substrate 31 before laser processing has a fine uneven surface 3 as shown in FIG.
11 changes to a smooth surface 312 as shown in FIG. When the conductor paste is formed on the ceramic substrate 31 having a smooth surface and then dried and fired, the adhesion between the ceramic substrate 31 and the conductor film is weak and there is a problem in reliability. Further, when the ceramic substrate 31 and the conductive film have poor adhesion as described above, when soldering is performed in the through holes, the solder penetrates into the conductive film and the adhesiveness between the conductive film and the ceramic substrate deteriorates. To do. Therefore,
The conductive film in this portion is liable to cause peeling or the like during soldering, which has a problem in reliability.
【０００６】以上のような問題を解決するために、本発
明は、貫通孔に形成する導電膜をセラミック基板に高い
信頼性をもって接着させるスルーホール形成方法を提供
することを目的とする。In order to solve the above problems, it is an object of the present invention to provide a through hole forming method for bonding a conductive film formed in a through hole to a ceramic substrate with high reliability.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】（第１発明）前記目的を
達成するために、本発明のスルーホール形成方法は、貫
通孔（図２の４）を介してセラミック基板（図２の１）
の表面と裏面とを電気的に接続するものであって、セラ
ミック基板（１）の成分と当該成分と共にフリット層
（図２の５）を形成する無機成分とが混在する厚膜ペー
スト（図２の２）を塗布・乾燥する第１工程と、前記厚
膜ペースト（２）が塗布されている領域内をレーザ照射
手段（図１の３）によって貫通孔（４）を穿設する第２
工程と、前記厚膜ペースト（２）に用いた成分と同じ無
機成分と導体粉末とを含有する導体ペースト（図２の
６）を貫通孔（４）の近傍および内壁に塗布する第３工
程と、前記導体ペースト（６）をセラミック基板（１）
に焼き付ける第４工程とから構成される。(First Invention) In order to achieve the above object, a through hole forming method according to the present invention uses a ceramic substrate (1 in FIG. 2) through a through hole (4 in FIG. 2).
Of the ceramic substrate (1) and an inorganic component forming the frit layer (5 in FIG. 2) are mixed together with the thick film paste (see FIG. 2). No. 2), and a second step of forming a through hole (4) by laser irradiation means (3 in FIG. 1) in the region where the thick film paste (2) is applied.
And a third step of applying a conductor paste (6 in FIG. 2) containing the same inorganic component and conductor powder as the component used in the thick film paste (2) to the vicinity of the through hole (4) and the inner wall. , The conductive paste (6) on the ceramic substrate (1)
And a fourth step of baking.
【０００８】（第２発明）本発明のスルーホール形成方
法は、貫通孔（図２の４）を介してセラミック基板（図
２の１）の表面と裏面とを電気的に接続するものであっ
て、セラミック基板（１）と共にフリット層（図２の
５）を形成する導電性厚膜ペースト（図２の２）を塗布
・乾燥する第１工程と、前記導電性厚膜ペースト（２）
が塗布されている領域内をレーザ照射手段（図１の３）
によって貫通孔（４）を穿設する第２工程と、前記導電
性厚膜ペースト（２）と同じ導電性厚膜ペースト（図２
の６）を貫通孔（４）の近傍および内壁に塗布する第３
工程と、前記導電性厚膜ペースト（６）をセラミック基
板（１）に焼き付ける第４工程とから構成される。(Second Invention) The through hole forming method of the present invention electrically connects the front surface and the back surface of the ceramic substrate (1 in FIG. 2) through the through hole (4 in FIG. 2). The first step of applying and drying a conductive thick film paste (2 in FIG. 2) forming a frit layer (5 in FIG. 2) together with the ceramic substrate (1), and the conductive thick film paste (2).
Laser irradiation means in the area coated with (3 in FIG. 1)
A second step of forming a through hole (4) by means of a conductive thick film paste (FIG. 2) which is the same as the conductive thick film paste (2).
No. 6) is applied to the vicinity of the through hole (4) and the inner wall.
And a fourth step of baking the conductive thick film paste (6) on the ceramic substrate (1).
【０００９】[0009]
【作 用】（第１発明）第１工程では、セラミック基
板の成分と当該成分と共にフリット層を形成する無機成
分とが混在する厚膜ペーストを塗布した後に、この厚膜
ペースト層を乾燥する。本明細書において、「フリット
層」とは、セラミック基板を構成する成分の粉末とガラ
ス等からなる結合材とを共に溶融して作られた層をい
う。第２工程では、前記厚膜ペーストが塗布されている
領域内にレーザ照射手段によってレーザを照射する。そ
して、前記セラミック基板は、前記レーザの高熱によっ
て、貫通孔が穿設される。第３工程では、前記厚膜ペー
ストに用いた成分と同じ無機成分と導体粉末とを含有す
る導体ペーストが貫通孔の近傍および内壁に塗布され
る。第４工程では、前記貫通孔の近傍および内壁に塗布
された導体ペーストがセラミック基板に焼き付けられ
る。このように、貫通孔を穿設する際に、レーザの高温
によって、セラミック基板の成分と厚膜ペースト中の無
機成分が互いに溶け合って凹凸のある表面を形成する。
また、上記凹凸が形成された表面上に上記厚膜ペースト
と同じ無機成分を含む導体粉末からなる導体ペーストを
塗布するため、導電膜は、セラミック基板との馴染みが
良く、剥離しない。[Operation] (First Invention) In the first step, a thick film paste in which the components of the ceramic substrate and the inorganic components forming the frit layer are mixed together is applied, and then the thick film paste layer is dried. In the present specification, the “frit layer” refers to a layer formed by melting powder of the components forming the ceramic substrate and a binder made of glass or the like together. In the second step, laser is irradiated by laser irradiation means into the area where the thick film paste is applied. Then, the ceramic substrate is provided with a through hole due to the high heat of the laser. In the third step, a conductor paste containing the same inorganic component as that used for the thick film paste and conductor powder is applied to the vicinity of the through hole and the inner wall. In the fourth step, the conductor paste applied to the vicinity of the through hole and the inner wall is baked on the ceramic substrate. In this way, when the through hole is formed, the high temperature of the laser causes the components of the ceramic substrate and the inorganic components in the thick film paste to melt with each other to form an uneven surface.
Further, since the conductor paste made of conductor powder containing the same inorganic component as that of the thick film paste is applied on the surface having the irregularities, the conductive film is well compatible with the ceramic substrate and does not peel off.
【００１０】（第２発明）第１工程では、セラミック基
板と共にフリット層を形成する導電性厚膜ペーストを塗
布した後、この導電性厚膜ペーストを乾燥する。第２工
程では、前記厚膜ペーストが塗布されている領域内をレ
ーザ照射手段によって、レーザを照射する。そして、前
記セラミック基板は、前記レーザの高熱によって、貫通
孔が穿設される。第３工程では、前記厚膜ペーストと同
じ導電性厚膜ペーストが貫通孔の近傍および内壁に塗布
される。第４工程では、前記貫通孔の近傍および内壁に
塗布された導電性厚膜ペーストがセラミック基板に焼き
付けられる。このように、貫通孔を穿設する際に、レー
ザの高温によって、セラミック基板の成分と導電性厚膜
ペーストが互いに溶け合って凹凸のある表面を形成す
る。また、上記凹凸が形成された表面上に上記と同じ導
電性厚膜ペーストを塗布するため、導電膜は、セラミッ
ク基板との馴染みが良く、剥離しない。(Second Invention) In the first step, the conductive thick film paste for forming the frit layer is applied together with the ceramic substrate, and then the conductive thick film paste is dried. In the second step, the laser irradiation means irradiates the inside of the region coated with the thick film paste with the laser. Then, the ceramic substrate is provided with a through hole due to the high heat of the laser. In the third step, the same conductive thick film paste as the thick film paste is applied to the vicinity of the through hole and the inner wall. In the fourth step, the conductive thick film paste applied to the vicinity of the through hole and the inner wall is baked on the ceramic substrate. As described above, when the through hole is formed, the high temperature of the laser causes the components of the ceramic substrate and the conductive thick film paste to melt with each other to form an uneven surface. Further, since the same conductive thick film paste as described above is applied on the surface having the irregularities, the conductive film is well compatible with the ceramic substrate and does not peel off.
【００１１】[0011]
【実 施 例】図１および図２を参照しつつ本発明の一
実施例を説明する。図１はレーザによってアルミナ基板
に貫通孔を穿設する場合の説明図である。図２（イ）な
いし（ハ）はスルーホールを形成する際の工程順の説明
図である。第１工程では、図１および図２（イ）に示す
ように、たとえばアルミナ（Ａｌ 2 Ｏ3 ）からなるセラ
ミック基板１上にアルミナ成分と当該成分と共にフリッ
ト層を形成する無機成分とが混在する厚膜ペースト（た
とえば、ガラスペースト）、あるいは上記無機成分を含
むＡｇＰｄ系導体ペースト２を貫通孔の穿設する位置に
塗布する。その後、上記厚膜ペーストあるいは導体ペー
スト２は乾燥される。また、上記厚膜ペーストあるいは
導体ペースト２は、図２（イ）に示すように、セラミッ
ク基板１の両面に形成される。[Examples] One embodiment of the present invention with reference to FIG. 1 and FIG.
An example will be described. Figure 1 shows an alumina substrate by laser
It is explanatory drawing at the time of piercing a through-hole. Figure 2 (a)
The explanation of the process order when forming a through hole
It is a figure. In the first step, as shown in FIG. 1 and FIG.
Like alumina (Al 2O3) Consisting of
The alumina component and the component are flicked together on the Mick substrate 1.
Thick film paste containing inorganic components that form the coating layer
Glass paste), or containing the above-mentioned inorganic components.
Place the AgPd-based conductor paste 2 at the position where the through hole is to be bored.
Apply. After that, the thick film paste or conductor page
The strike 2 is dried. In addition, the thick film paste or
The conductor paste 2 is a ceramic paste as shown in FIG.
It is formed on both sides of the substrate 1.
【００１２】第２工程では、前記厚膜ペーストあるいは
ＡｇＰｄ系導体ペースト２が塗布されているスルーホー
ルを形成する領域内にレーザ照射手段によってレーザ３
を照射する。そして、前記セラミック基板１は、前記レ
ーザ３の高熱によって、貫通孔４が穿設される。上記の
レーザ３による貫通孔４の加工時に、厚膜ペースト中に
含まれる無機成分（たとえば、ガラス）あるいは導体ペ
ースト中に含まれるガラス成分がレーザ３による高温で
アルミナと共に昇華し、アルミナとガラス成分、あるい
はアルミナ、ＡｇＰｄ系導体、およびガラス成分との溶
融状態の部分、すなわち、図２（ロ）に示すようなフリ
ット層５が形成される。In the second step, the laser 3 is irradiated by the laser irradiation means into the region where the thick film paste or the AgPd-based conductor paste 2 is applied to form the through hole.
Irradiate. The ceramic substrate 1 is provided with through holes 4 due to the high heat of the laser 3. At the time of processing the through hole 4 by the laser 3, the inorganic component (for example, glass) contained in the thick film paste or the glass component contained in the conductor paste is sublimated together with the alumina at a high temperature by the laser 3, and the alumina and the glass component. , Or a portion in a molten state with alumina, AgPd-based conductor, and glass component, that is, the frit layer 5 as shown in FIG. 2B.
【００１３】第３工程では、図２（ハ）に示すように、
前記厚膜ペースト２に用いた成分と同じ無機成分と導体
粉末とを含有する導体ペースト、あるいはＡｇＰｄ系で
前記と同じく無機成分を含む導体ペースト６が貫通孔４
の近傍および内壁に塗布される。In the third step, as shown in FIG.
The conductor paste containing the same inorganic component and conductor powder as the component used in the thick film paste 2 or the conductor paste 6 containing AgPd and the same inorganic component as described above is the through hole 4
Is applied to the vicinity of and inside walls.
【００１４】第４工程では、前記貫通孔４の近傍および
内壁に塗布された導体ペースト６がセラミック基板１に
焼き付けられる。貫通孔４を穿設する際に形成されたフ
リット層５の無機成分と焼成前に塗布された導体ペース
ト６中の無機成分とが焼成中に化合し、貫通孔４内のア
ルミナと導体との密着性を良好にする。In the fourth step, the conductor paste 6 applied to the vicinity of the through hole 4 and the inner wall is baked on the ceramic substrate 1. The inorganic components of the frit layer 5 formed when the through holes 4 are formed and the inorganic components of the conductor paste 6 applied before firing are combined during firing, and the alumina in the through holes 4 and the conductor are combined. Improves adhesion.
【００１５】以上説明したような工程により、セラミッ
ク基板１にスルーホールが形成される。このようにして
スルーホールが形成されたセラミック基板１の耐はんだ
性を試験した。その試験方法は、スルーホールを介した
基板表裏の導通をはんだディップを繰り返した後に、抵
抗値を測定するというものである。そして、この時の抵
抗値がはんだディップ前（試験前）の１０倍以上になっ
た際のはんだディップ回数を不良発生回数として、２０
個のサンプルを測定した。この結果、本実施例のもの
は、２０個の不良発生回数が平均８回であった。これに
対して、従来例における方法によるものは、同様な測定
を２０個について測定した結果、２０個の不良発生回数
が平均５回であった。Through-holes are formed in the ceramic substrate 1 by the steps described above. The solder resistance of the ceramic substrate 1 having the through holes thus formed was tested. The test method is to measure the resistance value after repeating solder dip for continuity between the front and back of the substrate through the through hole. The number of solder dips when the resistance value at this time is 10 times or more that before solder dipping (before the test) is defined as the number of defective occurrences, and is 20.
Individual samples were measured. As a result, in the case of this example, the number of occurrences of 20 defects was 8 on average. On the other hand, in the case of the method in the conventional example, as a result of measuring 20 similar measurements, the number of occurrences of 20 defects was 5 on average.
【００１６】以上、本発明の実施例を詳述したが、本発
明は、前記実施例に限定されるものではない。そして、
特許請求の範囲に記載された本発明を逸脱することがな
ければ、種々の設計変更を行うことが可能である。たと
えば、セラミック基板は、アルミナに限定されるもので
はなく、多層印刷配線板あるいは混成集積回路装置等に
使用されている基板であればいかなるものにも適用でき
る。また、セラミック基板の材質が変われば、貫通孔に
形成される厚膜等の無機成分もセラミック基板と馴染む
ものに変わることはいうまでもない。さらに、スルーホ
ールの内壁に形成される導電ペーストに含まれる無機成
分においても同様である。Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to the above embodiments. And
Various design changes can be made without departing from the invention as set forth in the claims. For example, the ceramic substrate is not limited to alumina and can be applied to any substrate used in a multilayer printed wiring board or a hybrid integrated circuit device. Needless to say, if the material of the ceramic substrate changes, the inorganic components such as the thick film formed in the through holes will also change to be compatible with the ceramic substrate. The same applies to the inorganic component contained in the conductive paste formed on the inner wall of the through hole.
【００１７】[0017]
【発明の効果】本発明によれば、貫通孔を穿設する領域
に、セラミック基板の成分と一緒になってフリット層を
形成する無機成分を含む厚膜ペーストを塗布し、この部
分をレーザの高温によって貫通孔を穿設したので、セラ
ミック基板と厚膜ペースト中の無機成分とが互いに溶け
合って凹凸のある表面を形成する。したがって、この凹
凸のある表面は、導電ペーストを塗布する際に馴染みが
良くなる。また、貫通孔の内壁に導体膜を形成する導電
ペーストにも前記と同様な無機成分が含まれているた
め、導電ペーストを焼成した際に、前記厚膜ペーストと
導電ペーストとに含まれている無機成分が溶融して導電
膜の剥離を防止する。According to the present invention, a thick film paste containing an inorganic component that forms a frit layer together with the components of the ceramic substrate is applied to the region where the through hole is formed, and this portion is exposed to the laser beam. Since the through holes are formed at a high temperature, the ceramic substrate and the inorganic components in the thick film paste are melted with each other to form an uneven surface. Therefore, this uneven surface becomes familiar when applying the conductive paste. Further, since the conductive paste forming the conductive film on the inner wall of the through hole also contains the same inorganic component as described above, it is contained in the thick film paste and the conductive paste when the conductive paste is fired. The inorganic component is melted to prevent peeling of the conductive film.
【図１】 レーザによってアルミナ基板に貫通孔を穿設
する場合の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a case where a through hole is formed in an alumina substrate by a laser.
【図２】 （イ）ないし（ハ）はスルーホールを形成す
る際の工程順の説明図である。FIG. 2A to FIG. 2C are explanatory diagrams of a process sequence when forming a through hole.
【図３】 （イ）は従来例におけるセラミック基板に貫
通孔を形成する方法の説明図である。（ロ）は（イ）に
示す方法によって貫通孔を穿設する以前のセラミック基
板の表面を説明するための図である。（ハ）は（イ）に
示す方法によって貫通孔を穿設した後のセラミック基板
の表面を説明するための図である。FIG. 3A is an explanatory view of a method of forming a through hole in a ceramic substrate in a conventional example. (B) is a diagram for explaining the surface of the ceramic substrate before the through holes are formed by the method shown in (A). (C) is a figure for demonstrating the surface of the ceramic substrate after forming a through-hole by the method shown in (A).
【図４】 貫通孔内に導電膜を形成する方法の説明図で
ある。FIG. 4 is an explanatory diagram of a method of forming a conductive film in a through hole.
【図５】 厚膜ペーストを貫通孔内に塗布する方法の説
明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a method of applying a thick film paste into a through hole.
１・・・セラミック基板 ２・・・厚膜ペースト ３・・・レーザ ４・・・貫通孔 ５・・・フリット層 ６・・・導体ペースト 1 ... Ceramic substrate 2 ... Thick film paste 3 ... Laser 4 ... Through hole 5 ... Frit layer 6 ... Conductor paste
Claims (2)
裏面とを電気的に接続するスルーホール形成方法におい
て、 セラミック基板の成分と当該成分と共にフリット層を形
成する無機成分とが混在する厚膜ペーストを塗布・乾燥
する第１工程と、 前記厚膜ペーストが塗布されている領域内をレーザ照射
手段によって貫通孔を穿設する第２工程と、 前記厚膜ペーストに用いた成分と同じ無機成分と導体粉
末とを含有する導体ペーストを貫通孔の近傍および内壁
に塗布する第３工程と、 前記導体ペーストをセラミック基板に焼き付ける第４工
程と、 からなることを特徴とするスルーホール形成方法。1. A through-hole forming method for electrically connecting a front surface and a back surface of a ceramic substrate through a through hole, wherein a thick film in which a component of the ceramic substrate and an inorganic component forming a frit layer are mixed with the component. The first step of applying and drying the paste, the second step of forming a through hole in the region where the thick film paste is applied by laser irradiation means, and the same inorganic component as the component used for the thick film paste A through hole forming method comprising: a third step of applying a conductor paste containing a conductor powder and a conductor powder to the vicinity of the through hole and the inner wall; and a fourth step of baking the conductor paste on a ceramic substrate.
裏面とを電気的に接続するスルーホール形成方法におい
て、 セラミック基板と共にフリット層を形成する導電性厚膜
ペーストを塗布・乾燥する第１工程と、 前記導電性厚膜ペーストが塗布されている領域内をレー
ザ照射手段によって貫通孔を穿設する第２工程と、 前記導電性厚膜ペーストと同じ導電性厚膜ペーストを貫
通孔の近傍および内壁に塗布する第３工程と、 前記導電性厚膜ペーストをセラミック基板に焼き付ける
第４工程と、 からなることを特徴とするスルーホール形成方法。2. A through-hole forming method for electrically connecting a front surface and a back surface of a ceramic substrate through a through hole, the first step of applying and drying a conductive thick film paste that forms a frit layer together with the ceramic substrate. And a second step of forming a through hole by laser irradiation means in a region where the conductive thick film paste is applied, and the same conductive thick film paste as the conductive thick film paste is provided near the through hole and A through hole forming method comprising: a third step of applying the inner wall; and a fourth step of baking the conductive thick film paste on a ceramic substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33800991A JPH05152743A (en) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Forming method for through hole |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33800991A JPH05152743A (en) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Forming method for through hole |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152743A true JPH05152743A (en) | 1993-06-18 |
Family
ID=18314094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33800991A Withdrawn JPH05152743A (en) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | Forming method for through hole |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152743A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206234A (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Kyocera Corp | Ceramic substrate and method of manufacturing the same |
| JP2010522641A (en) * | 2006-11-30 | 2010-07-08 | コーニング インコーポレイテッド | Microfluidic device fabrication method and resulting device |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP33800991A patent/JPH05152743A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010522641A (en) * | 2006-11-30 | 2010-07-08 | コーニング インコーポレイテッド | Microfluidic device fabrication method and resulting device |
| JP2009206234A (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Kyocera Corp | Ceramic substrate and method of manufacturing the same |
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