JPH05151094A - Backup control system of file high-speed writing mechanism - Google Patents

Backup control system of file high-speed writing mechanism

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JPH05151094A
JPH05151094A JP3316217A JP31621791A JPH05151094A JP H05151094 A JPH05151094 A JP H05151094A JP 3316217 A JP3316217 A JP 3316217A JP 31621791 A JP31621791 A JP 31621791A JP H05151094 A JPH05151094 A JP H05151094A
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JP
Japan
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cache memory
data
memory
volatile
dasd
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Withdrawn
Application number
JP3316217A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiromi Sugawara
広美 菅原
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH05151094A publication Critical patent/JPH05151094A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To minimize the loss of data by holding data before process interruption even if a process is interrupted owing to a power failure, etc., during a writing process by the DASD high-speed writing mechanism. CONSTITUTION:A DASD controller 2 is provided with a cache memory 4, a nonvolatile cache memory 5, a memory controller 6, and a nonvolatile memory 7 and when data are written, the write data are inputted to the nonvolatile memory 7 temporarily and written back to the cache memory 4 and nonvolatile cache memory 5. In this case, an address plus the number of transfer bytes are written in a control part C, and the write data are stored in a data area D; and the transfer completion flag of a flag part F is set and the data are written back to the cache memories 4 and 5 successively. Then a transfer completion flag is reset.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスクサブシス
テム等のDASD(Direct Access StorageDevice:直
接アクセス記憶装置)に利用されるファイル高速書き込
み機構におけるバックアップ制御方式に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a backup control system in a file high-speed writing mechanism used for DASD (Direct Access Storage Device) such as a magnetic disk subsystem.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は従来のDASD制御装置の構成
図、図6は従来のデータライト時の処理説明図である。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a block diagram of a conventional DASD control device, and FIG. 6 is an explanatory view of a conventional data write process.

【0003】図中、1はチャネル、2はDASD制御装
置、3はDASD(例えば磁気ディスク装置)、4はキ
ャッシュメモリ、5は不揮発性キャッシュメモリ、6は
メモリ・コントローラを示す。
In the figure, 1 is a channel, 2 is a DASD control device, 3 is a DASD (for example, a magnetic disk device), 4 is a cache memory, 5 is a non-volatile cache memory, and 6 is a memory controller.

【0004】また、CAはチャネルコントロール部、D
Aはデバイスコントロール部、SSPはメモリポート、
CILはチャネルインターフェイス部、BILはバスイ
ンターフェイス部、CSは制御メモリ、AILはアダプ
タインターフェイス部、MACIはメモリコントローラ
インターフェイス部を示す。
CA is a channel control unit, D
A is a device control unit, SSP is a memory port,
CIL is a channel interface unit, BIL is a bus interface unit, CS is a control memory, AIL is an adapter interface unit, and MACI is a memory controller interface unit.

【0005】従来、ホストに接続されたDASD(例え
ば磁気ディスク装置)に対し、ホストから高速でデータ
を書き込むDASD高速書き込み機構が知られていた。
以下その1例を図5、図6に基づいて説明する。
Conventionally, a DASD high-speed writing mechanism has been known which writes data from a host at high speed to a DASD (for example, a magnetic disk device) connected to the host.
One example thereof will be described below with reference to FIGS.

【0006】図5に示したように、ホスト側のチャネル
1にはDASD制御装置2が接続され、かつDASD制
御装置2にはDASD3が接続されている。この場合、
例えばDASD制御装置2が磁気ディスク制御装置で、
DASD3が磁気ディスク装置である。
As shown in FIG. 5, a DASD controller 2 is connected to the channel 1 on the host side, and a DASD 3 is connected to the DASD controller 2. in this case,
For example, the DASD controller 2 is a magnetic disk controller,
DASD 3 is a magnetic disk device.

【0007】前記DASD制御装置2には、チャネルコ
ントロール部CA、デバイスコントロール部DA、キャ
ッシュメモリ4、不揮発性キャッシュメモリ5、メモリ
・コントローラ6、メモリポートSSPを設ける。
The DASD control device 2 is provided with a channel control unit CA, a device control unit DA, a cache memory 4, a non-volatile cache memory 5, a memory controller 6, and a memory port SSP.

【0008】また、チャネルコントロール部CAには、
マイクロプロセッサMPU、制御メモリCS、チャネル
インターフェイス部CIL、バスインターフェイス部B
ILを設け、デバイスコントロール部DAには、マイク
ロプロセッサMPU、制御メモリCS、バスインターフ
ェイス部BIL、アダプタインターフェイス部AILを
設ける。
Further, the channel control unit CA includes
Microprocessor MPU, control memory CS, channel interface unit CIL, bus interface unit B
IL is provided, and the device control unit DA is provided with a microprocessor MPU, a control memory CS, a bus interface unit BIL, and an adapter interface unit AIL.

【0009】更に、メモリポートSSPには、バスイン
ターフェイス部BILと、メモリコントローラインター
フェイス部MACIとを設ける。前記の構成による高速
書き込み機能では、ホスト側のチャネル1からのデータ
は、キャッシュメモリ4と不揮発性キャッシュメモリ5
に同時に書き込み、書き込み終了時点で、ホストとの連
結を終了させる。
Further, the memory port SSP is provided with a bus interface unit BIL and a memory controller interface unit MACI. With the high-speed write function having the above-mentioned configuration, the data from the channel 1 on the host side is stored in the cache memory 4 and the non-volatile cache memory 5.
To the host, and at the end of writing, the connection with the host is terminated.

【0010】このような処理を行うことにより、ライト
処理におけるI/O応答時間の短縮が図れるものであ
る。また、DASD3に対するライト処理は、DASD
制御装置2の内部で、自動的に書き戻し(ライトバッ
ク)処理をするため、ホストの介在を必要としない。
By performing such processing, the I / O response time in the write processing can be shortened. Also, the write processing for DASD3 is performed by DASD.
Since write-back processing is automatically performed inside the control device 2, no host intervention is required.

【0011】具体的には次のとおりである。キャッシュ
メモリ4と、揮発性キャッシュメモリ5にデータを書き
込むのは、対象とするレコードが前記キャッシュメモリ
に存在する場合(すでにDASDからデータをリードし
た場合)であり、この場合がライトヒット動作となる。
Specifically, it is as follows. Data is written to the cache memory 4 and the volatile cache memory 5 when the target record exists in the cache memory (when the data is already read from DASD), and this case is the write hit operation. ..

【0012】また、キャッシュメモリにデータが存在し
ない場合には、前記のライトヒット動作は行わず、直接
DASDにデータを書き込む(この場合は、高速書き込
みとはならない)。
If there is no data in the cache memory, the write hit operation is not performed and the data is directly written to DASD (in this case, high speed writing is not performed).

【0013】前記のライトヒット動作時には、ホスト側
のチャネル1から送出したライトデータは、DASD制
御装置2内のチャネルコントロール部CAで受け取り、
受け取ったライトデータを、メモリポートSSPを介し
てメモリ・コントローラ6へ転送する。
At the time of the write hit operation, the write data sent from the channel 1 on the host side is received by the channel control unit CA in the DASD control device 2,
The received write data is transferred to the memory controller 6 via the memory port SSP.

【0014】その後、メモリ・コントローラ6では、受
け取ったデータをキャッシュメモリ4と不揮発性キャッ
シュメモリ5に、同時に書き込む。このキャッシュメモ
リ4、5へのデータの書き込みを正常に終了すると、ホ
ストとの連結を終了させる。
Thereafter, the memory controller 6 simultaneously writes the received data in the cache memory 4 and the non-volatile cache memory 5. When the writing of the data to the cache memories 4 and 5 ends normally, the connection with the host ends.

【0015】すなわち、キャッシュメモリ4と不揮発性
メモリ5へデータを書き込むことにより、DASD3に
データを書き込んだのと等価に扱い、ホスト側における
データライト処理を高速化する。
That is, by writing the data in the cache memory 4 and the non-volatile memory 5, it is treated as if the data were written in the DASD 3, and the data write processing on the host side is speeded up.

【0016】この場合、キャッシュメモリへのデータラ
イト終了後、停電が発生しても、ホストからのライトデ
ータは、不揮発性キャッシュメモリ5に格納されていて
消失しない。従って、ライトデータは、DASD3に書
き込んだ場合と同様に保証されている。
In this case, even if a power failure occurs after the data write to the cache memory is completed, the write data from the host is stored in the non-volatile cache memory 5 and is not lost. Therefore, the write data is guaranteed as in the case of writing to DASD3.

【0017】前記のキャッシュメモリに書き込んだデー
タは、その後、DASD制御装置2内でライトバック処
理を行い、DASD3に書き戻しされる。また、前記の
ライトヒット動作は、通常の場合、同一レコードに対
し、繰り返し行われ、その都度同一メモリにデータが上
書きされる。その様子を図6に示す。
The data written in the cache memory is then written back in the DASD controller 2 and written back to the DASD 3. The write hit operation is usually repeated for the same record, and the data is overwritten in the same memory each time. This is shown in FIG.

【0018】例えば、1回目のライトヒット動作終了時
には、図6の(A)に示したように、キャッシュメモリ
4と不揮発性キャッシュメモリ5の所定のアドレス(斜
線で示した同一アドレスの領域)にデータが書き込まれ
る。
For example, at the end of the first write hit operation, as shown in (A) of FIG. 6, the cache memory 4 and the non-volatile cache memory 5 have predetermined addresses (areas of the same address shown by hatching). Data is written.

【0019】次に、1回目のライトヒット動作時と同じ
アドレスに対し、2回目のライトヒット動作が終了する
と、図5の(B)に示したように、1回目のライトヒッ
ト動作時に書き込んだデータに上書きされ、データが書
き換えられる。
Next, when the second write hit operation is completed with respect to the same address as the first write hit operation, as shown in FIG. 5B, data is written in the first write hit operation. The data is overwritten and the data is rewritten.

【0020】次に、前記と同じアドレスに対し、3回目
のライトヒット動作が行われると、2回目のライトヒッ
ト動作時に書き込んだデータの上に新たなデータが上書
きされる。このような3回目のライトヒット動作の途中
で停電が発生したとすると、図6の(C)の状態とな
る。
Next, when the third write hit operation is performed on the same address as above, new data is overwritten on the data written in the second write hit operation. If a power failure occurs during the third write hit operation, the state of FIG. 6C is obtained.

【0021】すなわち、ライトヒット動作の途中で停電
が発生したとすると、ライトデータが途中までしか送れ
ない。このため、2回目と3回目のライトデータが混在
してしまい、2回目に書かれたデータが失われてしま
う。なお、この場合、キャッシュメモリ4の内容は全て
消失する。
That is, if a power failure occurs during the write hit operation, the write data can be sent only halfway. Therefore, the write data of the second time and the write data of the third time are mixed, and the data written in the second time is lost. In this case, the contents of the cache memory 4 are all lost.

【0022】[0022]

【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のも
のにおいては、次のような課題があった。 (1) DASD高速書き込み機構により、ライト処理を行
っている途中で、停電等により処理が中断した場合に
は、処理中断以前のデータが保持できなくなる。従っ
て、データの損失が生じる。
SUMMARY OF THE INVENTION The above-mentioned conventional device has the following problems. (1) Due to the DASD high-speed writing mechanism, if the process is interrupted due to a power failure or the like while the write process is being performed, the data before the process is interrupted cannot be retained. Therefore, data loss occurs.

【0023】(2) 停電等によりデータの損失が生じるた
め、DASD高速書き込み機構の信頼性が低下する。 本発明は、このような従来の課題を解決し、DASD高
速書き込み機構によるライト処理中に、停電等による処
理の中断が発生しても、処理中断前のデータを保持でき
るようにして、データの損失を最小限にすることを目的
とする。
(2) Since data is lost due to a power failure or the like, the reliability of the DASD high-speed writing mechanism deteriorates. The present invention solves such a conventional problem, and makes it possible to retain the data before the processing interruption even if the processing is interrupted due to a power failure or the like during the write processing by the DASD high-speed writing mechanism. The goal is to minimize losses.

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理図で
あり、図中、図4と同符号は同一のものを示す。また、
7は不揮発性トラックバッファ、Fはフラグ、Cはコン
トロールデータ、Dはデータを示す。
FIG. 1 is a principle view of the present invention, in which the same reference numerals as those in FIG. 4 indicate the same elements. Also,
7 is a nonvolatile track buffer, F is a flag, C is control data, and D is data.

【0025】本発明は上記の課題を解決するため、次の
ように構成した。 (1) DASD(ファイル)3に対し、各種制御を行うD
ASD制御装置2に、キャッシュメモリ4と不揮発性キ
ャッシュメモリ5と、これらのメモリを制御するメモリ
・コントローラ6とを設け、ホストからの書き込みデー
タを、前記キャッシュメモリ4と不揮発性キャッシュメ
モリ5とに同時に書き込み、書き込み終了時点で、ホス
トとの連結を終了させるようにしたファイル高速書き込
み機構におけるバックアップ制御方式において、前記D
ASD制御装置2に、不揮発性メモリ7を設け、ホスト
からの書き込みデータを、キャッシュメモリ4と不揮発
性キャッシュメモリ5に書き込む際、メモリ・コントロ
ーラ6の制御により、書き込みデータを、一旦不揮発性
メモリ7に取り込み、書き込みデータの取り込みが正常
に終了した後、不揮発性メモリ7のデータを、キャッシ
ュメモリ4と不揮発性キャッシュメモリ5に書き戻すよ
うにした。
In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration. (1) D that performs various controls for DASD (file) 3
The ASD control device 2 is provided with a cache memory 4, a non-volatile cache memory 5, and a memory controller 6 for controlling these memories, and write data from a host is stored in the cache memory 4 and the non-volatile cache memory 5. In the backup control method in the file high-speed writing mechanism, in which writing is performed at the same time and connection with the host is terminated at the end of writing,
The ASD control device 2 is provided with a non-volatile memory 7, and when writing the write data from the host to the cache memory 4 and the non-volatile cache memory 5, the write data is temporarily controlled by the non-volatile memory 7 under the control of the memory controller 6. The data in the nonvolatile memory 7 is written back to the cache memory 4 and the nonvolatile cache memory 5 after the writing data is normally captured.

【0026】(2) 構成(1) において、不揮発性メモリ7
に、転送完了フラグをセット/リセットするフラグ部F
を設け、書き込みデータを不揮発性メモリ7に取り込ん
だ後、前記転送完了フラグをセットしておき、不揮発性
メモリ7のデータを、キャッシュメモリ4と不揮発性キ
ャッシュメモリ5に書き戻した後、前記転送フラグをリ
セットするようにした。
(2) In the configuration (1), the nonvolatile memory 7
And a flag portion F for setting / resetting the transfer completion flag.
After the write data is fetched into the non-volatile memory 7, the transfer completion flag is set, the data in the non-volatile memory 7 is written back to the cache memory 4 and the non-volatile cache memory 5, and then the transfer is performed. Changed to reset the flag.

【0027】(3) 構成(2) において、停電等による処理
中断後の装置立ち上げの際、前記転送フラグをチェック
し、該転送完了フラグがセットされていた場合、不揮発
性メモリ7のデータを、キャッシュメモリ4と不揮発性
キャッシュメモリ5に書き戻すようにした。
(3) In the configuration (2), when the apparatus is started up after the processing is interrupted due to a power failure or the like, the transfer flag is checked, and if the transfer completion flag is set, the data in the non-volatile memory 7 is saved. The data is written back to the cache memory 4 and the non-volatile cache memory 5.

【0028】[0028]

【作用】上記構成に基づく本発明の作用を、図1を参照
しながら説明するDASD制御装置2のチャネルコント
ロール部CAでは、チャネル1(ホスト側)より、ライ
トコマンドを受け取り、DASD高速書き込み機構によ
り、キャッシュメモリへのデータの書き込みを行う際、
先ず、メモリ・コントローラ6へアドレス(キャッシュ
メモリの書き込みアドレス)と転送バイト数を転送し
、次に書き込みデータを転送する。
The operation of the present invention based on the above configuration will be described with reference to FIG. 1. In the channel control unit CA of the DASD control device 2, the write command is received from the channel 1 (host side) and the DASD high speed write mechanism is used. When writing data to the cache memory,
First, the address (write address of the cache memory) and the number of transfer bytes are transferred to the memory controller 6, and then the write data is transferred.

【0029】メモリ・コントローラ6では、のアドレ
スと転送バイト数を不揮発性メモリ7のコントロール部
Cに格納し、次にの書き込みデータをデータ領域Dに
格納し、この処理が終了すると、フラグ部Fの転送完了
フラグをセットする。
In the memory controller 6, the address and the number of transfer bytes are stored in the control section C of the non-volatile memory 7, the next write data is stored in the data area D, and when this processing is completed, the flag section F Set the transfer completion flag of.

【0030】その後、メモリ・コントローラ6では、デ
ータ領域Dのデータをキャッシュメモリ4と不揮発性キ
ャッシュメモリ5へ転送して書き戻しを行う。停電が
発生して処理が中断したような場合には、停電等の回復
後に行う装置立ち上げ処理時に、メモリ・コントローラ
6がフラグ部Fをチェックする。その結果、転送完了フ
ラグがセットされていれば、コントロール部Cのアドレ
ス及び転送バイト数を読み込み、データ部Dのデータを
キャッシュメモリ4と不揮発性キャッシュメモリ5に書
き戻す。
Thereafter, the memory controller 6 transfers the data in the data area D to the cache memory 4 and the non-volatile cache memory 5 and writes back the data. When a power failure occurs and the processing is interrupted, the memory controller 6 checks the flag portion F at the time of device startup processing performed after recovery from a power failure or the like. As a result, if the transfer completion flag is set, the address of the control section C and the number of transfer bytes are read, and the data of the data section D is written back to the cache memory 4 and the nonvolatile cache memory 5.

【0031】このようにすれば、DASD高速書き込み
においても、ライト処理中断時に、中断する前のデータ
が保証できる。なお、不揮発性キャッシュメモリ5のデ
ータは、ホストとは無関係に、DASD制御装置2によ
りDASD3へライトバックされる。
By doing so, even in the DASD high-speed writing, the data before the interruption can be guaranteed when the write processing is interrupted. The data in the nonvolatile cache memory 5 is written back to the DASD 3 by the DASD control device 2 regardless of the host.

【0032】[0032]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図2〜図4は、本発明の実施例を示した図であ
り、図2はDASD制御装置の構成図、図3は図2の一
部詳細図、図4はメモリ・コントローラの処理フローチ
ャートである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 2 to 4 are views showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a configuration diagram of a DASD control device, FIG. 3 is a partial detailed view of FIG. 2, and FIG. 4 is a processing flowchart of a memory controller. is there.

【0033】図中、図1、図5と同符号は同一のものを
示す。また、7Aは不揮発性トラックバッファ、SSI
はキャッシュメモリ制御部、TKBIはトラックバッフ
ァ制御部、NVSIは不揮発性キャッシュメモリ制御部
を示す。
In the figure, the same symbols as those in FIGS. 1 and 5 indicate the same components. 7A is a non-volatile track buffer, SSI
Indicates a cache memory control unit, TKBI indicates a track buffer control unit, and NVSI indicates a non-volatile cache memory control unit.

【0034】実施例におけるDASD制御装置の構成を
図2、図3に示す。この実施例では、図5に示した従来
のDASD制御装置に、不揮発性トラックバッファ7A
を追加し、更に、この不揮発性トラックバッファ7Aを
制御するため、メモリ・コントローラ6の構成を図3の
ようにしたものである。具体的には次のとおりである。
図示のように、ホスト側のチャネル1にDASD制御装
置2が接続され、かつDASD制御装置2にはDASD
3が接続されている。
The structure of the DASD control device in the embodiment is shown in FIGS. In this embodiment, a nonvolatile track buffer 7A is added to the conventional DASD control device shown in FIG.
In addition, in order to control the nonvolatile track buffer 7A, the structure of the memory controller 6 is as shown in FIG. Specifically, it is as follows.
As shown, the DASD controller 2 is connected to the channel 1 on the host side, and the DASD controller 2 is connected to the DASD controller 2.
3 is connected.

【0035】そして、DASD制御装置2には、チャネ
ルコントロール部CA、デバイスコントロール部DA、
キャッシュメモリ4、不揮発性キャッシュメモリ5、メ
モリ・コントローラ6、メモリポートSSPを設ける。
The DASD controller 2 includes a channel controller CA, a device controller DA,
A cache memory 4, a non-volatile cache memory 5, a memory controller 6, and a memory port SSP are provided.

【0036】また前記チャネルコントロール部CAに
は、チャネルインターフェイス部CIL、マイクロプロ
セッサMPU、制御メモリCS、バスインターフェイス
部BILを設け、デバイスコントロール部DAには、バ
スインターフェイス部BIL、マイクロプロセッサMP
U、アダプタインターフェイスAIL、制御メモリCS
を設ける。
The channel control unit CA is provided with a channel interface unit CIL, a microprocessor MPU, a control memory CS and a bus interface unit BIL, and the device control unit DA is provided with a bus interface unit BIL and a microprocessor MP.
U, adapter interface AIL, control memory CS
To provide.

【0037】更に、メモリポートSSPには、バスイン
ターフェイス部BILとメモリコントローラインターフ
ェイスMACIを設け、メモリ・コントローラ6には、
キャッシュメモリ制御部SSI、トラックバッファ制御
部TKBI、不揮発性キャッシュメモリ制御部NVSI
を設ける。
Further, the memory port SSP is provided with a bus interface unit BIL and a memory controller interface MACI, and the memory controller 6 is provided with
Cache memory control unit SSI, track buffer control unit TKBI, non-volatile cache memory control unit NVSI
To provide.

【0038】前記不揮発性トラックバッファ7Aは、図
3のBに示したように、フラグ部F、コントロール部
C、及びデータ領域Dとで構成されていて、メモリ・コ
ントローラ6内のトラックバッファ制御部TKBIによ
って制御される。
As shown in FIG. 3B, the non-volatile track buffer 7A comprises a flag section F, a control section C, and a data area D, and the track buffer control section in the memory controller 6 is provided. Controlled by TKBI.

【0039】この場合、不揮発性トラックバッファ7A
は、DASD3の1トラック分のデータが書き込める程
度の容量を有する不揮発性のバッファを用いる。キャッ
シュメモリ4は、メモリコントローラ6内のキャッシュ
メモリ制御部SSIによって制御され、不揮発性キャッ
シュメモリ5は、不揮発性キャッシュメモリ制御部NV
SIによって制御される。
In this case, the nonvolatile track buffer 7A
Is a non-volatile buffer having a capacity enough to write data for one track of DASD3. The cache memory 4 is controlled by the cache memory control unit SSI in the memory controller 6, and the nonvolatile cache memory 5 is controlled by the nonvolatile cache memory control unit NV.
Controlled by SI.

【0040】以下、実施例のDASD高速書き込み機構
におけるバックアップ制御について説明する。DASD
高速書き込み機構によるライトヒット動作は、チャネル
1から受け取ったデータをチャネルコントロール部CA
がメモリポートSSP、メモリ・コントローラ6を介し
て,キャッシュメモリ4と不揮発性キャッシュメモリ5
へ同時転送することにより行う。
Backup control in the DASD high-speed writing mechanism of the embodiment will be described below. DASD
In the write hit operation by the high-speed writing mechanism, the data received from the channel 1 is transferred to the channel control unit CA.
Via the memory port SSP and the memory controller 6 through the cache memory 4 and the non-volatile cache memory 5
It is performed by simultaneously transferring to.

【0041】この場合、キャッシュメモリ4と不揮発性
キャッシュメモリ5へのデータライト(データの書き込
み)を行う時、予め、チャネルコントロール部CAが、
メモリポートSSPを通してメモリ・コントローラ6内
のトラックバッファ制御部TKBIに、「データ格納ア
ドレス(キャッシュメモリ4、不揮発性キャッシュメモ
リ5のアドレス)及び転送バイト数」を知らせてからデ
ータ転送を行う。 前記トラックバッファ制御部TKB
Iは、「データ格納アドレス及び転送バイト数」を受け
取ると、不揮発性トラックバッファ7A内のコントロー
ル部Cに格納する(コントロール部の作成)。
In this case, when data writing (writing of data) to the cache memory 4 and the non-volatile cache memory 5 is performed, the channel control unit CA beforehand
Data transfer is performed after notifying the "data storage address (address of the cache memory 4 and the nonvolatile cache memory 5) and the number of transfer bytes" to the track buffer control unit TKBI in the memory controller 6 through the memory port SSP. The track buffer control unit TKB
When I receives the "data storage address and the number of transfer bytes", I stores it in the control unit C in the nonvolatile track buffer 7A (creating the control unit).

【0042】その後、トラックバッファ制御部TKBI
では、ライトするデータを受け取ると、そのデータを不
揮発性トラックバッファ7Aのデータ領域Dに格納す
る。また、トラックバッファ制御部TKBIは、前記の
「転送バイト数」分のデータを受け取った時点で、不揮
発性トラックバッファ7A内のフラグ部Fに、転送完了
フラグをセットする。
After that, the track buffer control unit TKBI
Then, when the data to be written is received, the data is stored in the data area D of the nonvolatile track buffer 7A. Further, the track buffer control unit TKBI sets the transfer completion flag in the flag unit F in the nonvolatile track buffer 7A at the time when the data for the above “transfer byte number” is received.

【0043】続いて、メモリ・コントローラ6では、不
揮発性トラックバッファ7Aのデータ領域Dに格納され
ているデータを読み出し、キャッシュメモリ制御部SS
Iを介してキャッシュメモリ4に転送すると共に、不揮
発性キャッシュメモリ制御部NVSIを介して不揮発性
キャッシュメモリ5に転送する。
Subsequently, the memory controller 6 reads the data stored in the data area D of the nonvolatile track buffer 7A, and the cache memory controller SS
It is transferred to the cache memory 4 via I and to the nonvolatile cache memory 5 via the nonvolatile cache memory control unit NVSI.

【0044】このデータ転送が終了し、チャネルからの
ライトデータがキャッシュメモリ4と不揮発性キャッシ
ュメモリ5に書き込まれた状態になると、トラックバッ
ファ制御部TKBIは、前記フラグ部Fの転送完了フラ
グをセットする。
When this data transfer is completed and the write data from the channel is written in the cache memory 4 and the non-volatile cache memory 5, the track buffer control unit TKBI sets the transfer completion flag of the flag unit F. To do.

【0045】このような動作を繰り返しながら、順次ラ
イトヒット動作を行うが、停電等により処理が中断した
場合は次のようにして処理を行う。例えば、停電時は、
回復後の装置立ち上げの際、トラックバッファ制御部T
KBIは、不揮発性トラックバッファ7Aのフラグ部F
をチェックし、転送完了フラグがセットされていれば、
コントロール部Cに格納されている「データ格納アドレ
ス及び転送バイト数」を読み出す。
While repeating such operations, the write hit operations are sequentially performed, but when the processing is interrupted due to a power failure or the like, the processing is performed as follows. For example, during a power outage,
When the device is started up after recovery, the track buffer control unit T
KBI is the flag part F of the nonvolatile track buffer 7A.
Check, and if the transfer completion flag is set,
The "data storage address and number of transfer bytes" stored in the control unit C is read.

【0046】そして、データ領域Dに格納されているデ
ータを読み出して、キャッシュメモリ制御部SSIを介
して、キャッシュメモリ4に転送すると同時に、不揮発
性キャッシュメモリ制御部NVSIを介して不揮発性キ
ャッシュメモリ5に転送して格納する。
Then, the data stored in the data area D is read out and transferred to the cache memory 4 via the cache memory control unit SSI, and at the same time, the nonvolatile cache memory 5 is transferred via the nonvolatile cache memory control unit NVSI. Transfer to and store.

【0047】前記のデータ転送完了後、トラックバッフ
ァ制御部TKBIは、フラグ部Fにセットされている転
送完了フラグをリセットする。また、前記装置立ち上げ
の際、転送完了フラグがセットされていなければ前記の
データ転送は行わない。
After the data transfer is completed, the track buffer control section TKBI resets the transfer completion flag set in the flag section F. Further, when the device is started up, the data transfer is not performed unless the transfer completion flag is set.

【0048】なお、不揮発性キャッシュメモリ5のデー
タは、ホスト側とは関係なく、DASD制御装置2によ
ってDASD3へライトバック(書き戻し処理)され
る。このライトバックが終了すると、不揮発性キャッシ
ュメモリ5のデータ領域は開放される(ライトバック処
理は従来例と同じ処理のため、詳細な説明を省略す
る)。
The data in the nonvolatile cache memory 5 is written back (written back) to the DASD 3 by the DASD control device 2 regardless of the host side. When this write-back is completed, the data area of the non-volatile cache memory 5 is released (the write-back process is the same as that of the conventional example, so detailed description is omitted).

【0049】以下、メモリ・コントローラの処理を、図
4の処理フローチャートに基づいて説明する。なお、図
4の各処理番号はカッコ内に示す。先ず、トラックバッ
ファ制御部TKBIでは、不揮発性トラックバッファ7
A内のフラグ部Fをチェック(S1)し、転送完了フラ
グがセットされていれば、コントロール部C内に格納さ
れている「データ格納アドレス及び転送バイト数」を読
み出す(S2)。
The processing of the memory controller will be described below with reference to the processing flowchart of FIG. The process numbers in FIG. 4 are shown in parentheses. First, in the track buffer control unit TKBI, the nonvolatile track buffer 7
The flag portion F in A is checked (S1), and if the transfer completion flag is set, the "data storage address and number of transfer bytes" stored in the control portion C is read (S2).

【0050】次に、データ部Dに格納されているデータ
をキャッシュメモリ4と不揮発性キャッシュメモリ5に
転送し(S3)、フラグ部Fの転送完了フラグをリセッ
トする(S4)。また、転送完了フラグがセットされて
いなければ(S1)何もしない。
Next, the data stored in the data section D is transferred to the cache memory 4 and the non-volatile cache memory 5 (S3), and the transfer completion flag of the flag section F is reset (S4). If the transfer completion flag is not set (S1), nothing is done.

【0051】その後、次のコマンド待ちを行う(S
5)。そして、チャネル1からライトコマンドが発行さ
れ、次のライトヒット動作時には、チャネルコントロー
ル部CAから送られてきた「データ格納アドレス及び転
送バイト数」をトラックバッファ制御部TKBIが受け
取ると、不揮発性トラックバッファ7A内のコントロー
ル部Cに格納する(S7)。
After that, the next command is awaited (S
5). When the write command is issued from the channel 1 and the "data storage address and the number of transfer bytes" sent from the channel control unit CA is received by the track buffer control unit TKBI in the next write hit operation, the nonvolatile track buffer It is stored in the control section C in 7A (S7).

【0052】次に,トラックバッファ制御部TKBIで
は、チャネルコントロール部CAからのライトデータを
受け取ると、不揮発性トラックバッファ7A内のデータ
部Dに格納する(S8)。
Next, when the track buffer control unit TKBI receives the write data from the channel control unit CA, it stores it in the data unit D in the nonvolatile track buffer 7A (S8).

【0053】その後、フラグ部Fの転送完了フラグをセ
ットする(S9)。また、チャネル1で発行したコマン
ドがリードコマンドであれば、リード処理(S10)を
行う。
After that, the transfer completion flag of the flag portion F is set (S9). If the command issued on channel 1 is a read command, read processing (S10) is performed.

【0054】前記のようなライトヒット動作を行ってい
る時、例えば停電により、キャッシュメモリへの書き込
み処理が中断しても、処理中断前のデータが保証され
る。
During the write hit operation as described above, even if the writing process to the cache memory is interrupted due to a power failure, for example, the data before the process is interrupted is guaranteed.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば次
のような効果がある。 (1) DASD高速書き込み機構により,キャッシュメモ
リへのデータの書き込み処理をしている途中で、停電等
が発生し、処理が中断したような場合でも、エラーを起
こすことなく、処理中断前のデータを保持できる。
As described above, the present invention has the following effects. (1) With the DASD high-speed write mechanism, even if a power failure occurs during the process of writing data to the cache memory and the process is interrupted, no error occurs and the data before the process is interrupted Can hold.

【0056】(2) 停電等によるデータの損失を最小限に
することができるから、DASD高速書き込み機構の信
頼性を向上することができる。
(2) Since the loss of data due to a power failure or the like can be minimized, the reliability of the DASD high speed writing mechanism can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の原理図である。FIG. 1 is a principle diagram of the present invention.

【図2】本発明の実施例におけるDASD制御装置の構
成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a DASD control device according to an embodiment of the present invention.

【図3】図2の一部詳細図であり、A図はメモリコント
ローラの構成図、B図は不揮発性トラックバッファの構
成図である。
3 is a partial detailed view of FIG. 2, in which FIG. A is a block diagram of a memory controller, and FIG. B is a block diagram of a nonvolatile track buffer.

【図4】メモリ・コントローラの処理フローチャートで
ある。
FIG. 4 is a processing flowchart of a memory controller.

【図5】従来のDASD制御装置の構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a conventional DASD control device.

【図6】従来のデータライト時の処理説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a conventional data write process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 チャネル 2 DASD制御装置 3 DASD 4 キャッシュメモリ 5 不揮発性キャッシュメモリ 6 メモリ・コントローラ 7 不揮発性メモリ CA チャネルコントロール部 DA デバイスコントロール部 F フラグ部 C コントロール部 D データ領域 1 channel 2 DASD control device 3 DASD 4 cache memory 5 non-volatile cache memory 6 memory controller 7 non-volatile memory CA channel control unit DA device control unit F flag unit C control unit D data area

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ファイル(3)に対し、各種制御を行う
ファイル制御装置(2)に、 キャッシュメモリ(4)と、不揮発性キャッシュメモリ
(5)と、これらのメモリを制御するメモリ・コントロ
ーラ(6)とを設け、 ホストからの書き込みデータを、前記キャッシュメモリ
(4)と不揮発性キャッシュメモリ(5)に同時に書き
込み、 書き込み終了時点で、ホストとの連結を終了させるよう
にしたファイル高速書き込み機構におけるバックアップ
制御方式において、 前記ファイル制御装置(2)に、不揮発性メモリ(7)
を設け、 ホストからの書き込みデータを、キャッシュメモリ
(4)と不揮発性キャッシュメモリ(5)に書き込む
際、 メモリ・コントローラ(6)の制御により、ホストから
の書き込みデータを、一旦不揮発性メモリ(7)に取り
込み、 書き込みデータの取り込みが正常に終了した後、不揮発
性メモリ(7)のデータを、キャッシュメモリ(4)と
不揮発性キャッシュメモリ(5)に書き戻すことを特徴
としたファイル高速書き込み機構におけるバックアップ
制御方式。
1. A file controller (2) for performing various controls on a file (3), a cache memory (4), a non-volatile cache memory (5), and a memory controller () for controlling these memories. 6) is provided, and write data from the host is simultaneously written to the cache memory (4) and the non-volatile cache memory (5), and at the end of writing, the connection with the host is terminated at high speed. In the backup control method in, the file control device (2) includes a nonvolatile memory (7).
When the write data from the host is written in the cache memory (4) and the non-volatile cache memory (5), the write data from the host is temporarily stored in the non-volatile memory (7) under the control of the memory controller (6). ), And after the write data is normally captured, the data in the non-volatile memory (7) is written back to the cache memory (4) and the non-volatile cache memory (5). Backup control method in.
【請求項2】 前記不揮発性メモリ(7)に、転送完了
フラグをセット/リセットするフラグ部(F)を設け、 書き込みデータを不揮発性メモリ(7)に取り込んだ
後、前記転送完了フラグをセットしておき、 不揮発性メモリ(7)のデータを、キャッシュメモリ
(4)と不揮発性キャッシュメモリ(5)とに書き戻し
た後、転送完了フラグをリセットすることを特徴とした
請求項1記載のファイル高速書き込み機構におけるバッ
クアップ制御方式。
2. The non-volatile memory (7) is provided with a flag section (F) for setting / resetting a transfer completion flag, and after the write data is taken into the non-volatile memory (7), the transfer completion flag is set. The transfer completion flag is reset after the data in the non-volatile memory (7) is written back to the cache memory (4) and the non-volatile cache memory (5). Backup control method for high-speed file writing mechanism.
【請求項3】 停電等による処理中断後の装置立ち上げ
の際、 前記転送完了フラグをチェックし、該転送完了フラグが
セットされていた場合、不揮発性メモリ(7)のデータ
を、キャッシュメモリ(4)と不揮発性キャッシュメモ
リ(5)に書き戻すことを特徴とした請求項2記載のフ
ァイル高速書き込み機構におけるバックアップ制御方
式。
3. When the device is started up after interruption of processing due to a power failure or the like, the transfer completion flag is checked, and if the transfer completion flag is set, the data in the non-volatile memory (7) is transferred to the cache memory ( 4. The backup control method in the high speed file writing mechanism according to claim 2, wherein the data is written back to the non-volatile cache memory (4) and the non-volatile cache memory (5).
JP3316217A 1991-11-29 1991-11-29 Backup control system of file high-speed writing mechanism Withdrawn JPH05151094A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06309234A (en) * 1993-02-15 1994-11-04 Toshiba Corp Disk controller
WO2003056434A1 (en) * 2002-01-04 2003-07-10 Ncerti Co. Ltd System and method for highspeed and bulk backup
US7739443B2 (en) 2004-09-22 2010-06-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory controller, memory device and control method for the memory controller

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