JPH0514615Y2 - - Google Patents

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JPH0514615Y2
JPH0514615Y2 JP1986110335U JP11033586U JPH0514615Y2 JP H0514615 Y2 JPH0514615 Y2 JP H0514615Y2 JP 1986110335 U JP1986110335 U JP 1986110335U JP 11033586 U JP11033586 U JP 11033586U JP H0514615 Y2 JPH0514615 Y2 JP H0514615Y2
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variable resistor
modulator
switch
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Description

【考案の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本考案は、被変調波出力がPAL方式(負変調
方式)とSECAM方式(正変調方式)に任意に選
択できるRFモジユレータに関するものである。
[Detailed Description of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to an RF modulator in which the modulated wave output can be arbitrarily selected between the PAL method (negative modulation method) and the SECAM method (positive modulation method).

(従来の技術) テレビジヨン受像機にあつては、PAL方式と
SECAM方式のものがある。このため、RFモジ
ユレータは被変調波出力がPAL方式とSECAM方
式に任意に選択できることが望ましい。
(Prior art) For television receivers, PAL and PAL systems are used.
There is a SECAM method. For this reason, it is desirable that the modulated wave output of the RF modulator can be arbitrarily selected between the PAL system and the SECAM system.

このように、PAL方式とSECAM方式を選択で
きるRFモジユレータの第1従来例の要部回路図
を第3図に示す。
FIG. 3 shows a circuit diagram of a main part of a first conventional example of an RF modulator that can select between the PAL system and the SECAM system.

第3図において、1回路2接点のスイツチ1の
共通接点cは電源2に接続され、接点a,bは可
変抵抗器3,4をそれぞれに介して接地されてい
る。これらの可変抵抗器3,4の摺動端子3a,
4aはダイオード5,6を順方向にそれぞれ介し
て、映像変調器7のバイアス電圧入力端子7aに
接続されている。
In FIG. 3, a common contact c of a switch 1 having two contacts per circuit is connected to a power source 2, and contacts a and b are grounded through variable resistors 3 and 4, respectively. The sliding terminals 3a of these variable resistors 3, 4,
4a is connected to a bias voltage input terminal 7a of the video modulator 7 via diodes 5 and 6 in the forward direction, respectively.

ここで、映像変調器7は、搬送波入力が映像信
号で振幅変調を受けた被変調波出力が得られるも
のである。そして、その変調度は、第4図のごと
く、あるバイアス電圧Eで100%であり、これよ
り高いバイアス電圧で負変調となり、これより低
いバイアス電圧で正変調となる。
Here, the video modulator 7 can obtain a modulated wave output in which a carrier wave input is subjected to amplitude modulation with a video signal. As shown in FIG. 4, the degree of modulation is 100% at a certain bias voltage E, a higher bias voltage results in negative modulation, and a lower bias voltage results in positive modulation.

そこで、スイツチ1の接点aをPAL方式に設
定するならば、可変抵抗器3の摺動端子3aを変
調度100%のバイアス電圧Eより高いバイアス電
圧EPに設定する。また、スイツチ1の接点bを
SECAM方式に設定するならば、可変抵抗器4の
摺動端子4aを変調度100%のバイアス電圧Eよ
り低いバイアス電圧ESに設定する。
Therefore, if the contact a of the switch 1 is set to the PAL system, the sliding terminal 3a of the variable resistor 3 is set to a bias voltage EP higher than the bias voltage E at a modulation degree of 100%. Also, connect contact b of switch 1.
When setting to the SECAM method, the sliding terminal 4a of the variable resistor 4 is set to a bias voltage ES lower than the bias voltage E at a modulation degree of 100%.

この結果、スイツチ1を適宜に切り換えること
で、映像変調器7からPAL方式またはSECAM方
式の任意に選択された被変調波出力が得られる。
As a result, by appropriately switching the switch 1, an arbitrarily selected modulated wave output of the PAL system or the SECAM system can be obtained from the video modulator 7.

第5図は、PAL方式とSECAM方式を選択でき
るRFモジユレータの第2従来例の要部回路図で
ある。第5図において、第3図と同一回路素子等
には同一符号を付して重複する説明を省略する。
FIG. 5 is a circuit diagram of a main part of a second conventional example of an RF modulator that can select between the PAL system and the SECAM system. In FIG. 5, the same circuit elements as those in FIG. 3 are given the same reference numerals and redundant explanations will be omitted.

第5図において、第3図と相違するところは、
可変抵抗器3,4の両端にそれぞれ抵抗器8,
9,10,11を設けたことにあり、可変抵抗器
3,4の摺動端子3a,4aで設定できるバイア
ス電圧の範囲を両端の抵抗器8,9,10,11
で適宜に制限するように構成されている。
In Fig. 5, the differences from Fig. 3 are as follows.
Resistors 8 and 8 are connected to both ends of variable resistors 3 and 4, respectively.
9, 10, and 11 are provided, the bias voltage range that can be set by the sliding terminals 3a, 4a of the variable resistors 3, 4 is set by the resistors 8, 9, 10, 11 at both ends.
It is configured to restrict as appropriate.

(考案が解決しようとする問題点) 上記第3図に示す第1従来例にあつては、スイ
ツチ1のポジシヨンが接点a,bのいずれにあつ
ても、PAL方式およびSECAM方式のバイアス電
圧EP,ESを設定できる。このため、バイアス電
圧EP,ESの設定作業の際に、機器の表示でスイ
ツチ1をPAL方式のポジシヨンとしてSECAM方
式のバイアス電圧ESを設定し、また逆に
SACAM方式のポジシヨンでPAL方式のバイア
ス電圧EPを設定するという誤りを生じさせ易い
という問題点があつた。
(Problems to be Solved by the Invention) In the first conventional example shown in FIG. 3 above, the bias voltage EP of the PAL method and SECAM method is , ES can be set. Therefore, when setting the bias voltages EP and ES, set switch 1 to the PAL position on the device display to set the SECAM system bias voltage ES, and vice versa.
There was a problem in that it was easy to make an error in setting the bias voltage EP of the PAL system at the position of the SACAM system.

そこで、第5図に示す第2従来例にあつては、
抵抗8,9,10,11により、スイツチ1の
PAL方式のポジシヨンでは、可変抵抗器3の摺
動端子3aで変調度100%のバイアス電圧Eより
高い電圧範囲でバイアス電圧EPが設定できるよ
うに制限され、またSECAM方式のポジシヨンで
は、可変抵抗器4の摺動端子4aでバイアス電圧
Eより低い電圧範囲でバイアス電圧ESが設定で
きるように制限されて、調整作業の際に設定の誤
りを生じることがないよう改善されている。しか
し、抵抗器8,9,10,11が付加された回路
構成であり、それだけ部品点数が増加し、価格の
上昇を生じるとともに小型化が阻害されるという
別の問題点が生じる。
Therefore, in the second conventional example shown in FIG.
By resistors 8, 9, 10, 11, switch 1
In the PAL system position, the bias voltage EP is limited to a voltage range higher than the bias voltage E at 100% modulation using the sliding terminal 3a of the variable resistor 3, and in the SECAM system position, the variable resistor 3 The bias voltage ES is limited so that it can be set within a voltage range lower than the bias voltage E at the sliding terminal 4a of No. 4, which is improved so that setting errors will not occur during adjustment work. However, since the circuit configuration includes resistors 8, 9, 10, and 11, the number of components increases accordingly, resulting in an increase in price and another problem in that miniaturization is hindered.

本考案の目的は、上記した事情に鑑みてなされ
たもので、部品点数が増加することなく、バイア
ス電圧が誤つて設定されることがないようにした
RFモジユレータを提供せんとすることにある。
The purpose of this invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and was designed to prevent the bias voltage from being set incorrectly without increasing the number of parts.
Our goal is to provide an RF modulator.

(考案が解決しようとする手段) かかる目的を達成するために、本考案のRFモ
ジユレータは、バイアス電圧の調整によつて、被
変調波出力の変調度が正変調および負変調の範囲
で調整できる映像変調器を備えたRFモジユレー
タにおいて、電源と接地間に2個の可変抵抗器を
直列に介装し、一方の可変抵抗器に並列にスイツ
チを接続し、この一方の可変抵抗器の一端と摺動
端子を接続し、他方の可変抵抗器の摺動端子を前
記映像変調器のバイアス電圧入力端子に接続して
構成されている。
(Means to be Solved by the Invention) In order to achieve this object, the RF modulator of the present invention is capable of adjusting the degree of modulation of the modulated wave output within the range of positive modulation and negative modulation by adjusting the bias voltage. In an RF modulator equipped with a video modulator, two variable resistors are connected in series between the power supply and ground, a switch is connected in parallel to one of the variable resistors, and one end of the variable resistor is connected to the switch. The sliding terminal of the other variable resistor is connected to the bias voltage input terminal of the video modulator.

(作用) 電源と接地間に2個の可変抵抗器を直列に介装
し、一方の可変抵抗器に並列にスイツチを接続
し、この一方の可変抵抗器の一端と摺動端子を接
続し、他方の可変抵抗器の摺動端子を映像変調器
のバイアス電圧入力端子に接続したので、スイツ
チを閉成または閉成することにより、一方の可変
抵抗器で設定される抵抗値が介装または短絡さ
れ、他方の可変抵抗器の摺動端子に生じるバイア
ス電圧の高低が切り換えられる。そして、スイツ
チの閉成または開成で設定されるバイアス電圧の
高低は、2個の可変抵抗器の調整によつて逆転す
ることがないので、スイツチが正しいポジシヨン
に設定された状態でのみPAL方式およびSECAM
方式の双方の適正なバイアス電圧を設定できる。
(Function) Two variable resistors are interposed in series between the power supply and ground, a switch is connected in parallel to one of the variable resistors, and one end of this variable resistor is connected to a sliding terminal. Since the sliding terminal of the other variable resistor is connected to the bias voltage input terminal of the video modulator, closing or closing the switch will change the resistance value set by one variable resistor to an interposed or short circuit. The bias voltage generated at the sliding terminal of the other variable resistor is switched between high and low. The bias voltage level set when the switch is closed or opened cannot be reversed by adjusting the two variable resistors. SECAM
Appropriate bias voltages can be set for both methods.

(実施例の説明) 以下、本考案の実施例を第1図を参照して説明
する。第1図は、本考案のRFモジユレータの一
実施例の要部回路図である。第1図において、第
3図および第5図と同一回路素子には同一符号を
付して重複する説明を省略する。
(Description of Embodiments) Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a circuit diagram of a main part of an embodiment of the RF modulator of the present invention. In FIG. 1, circuit elements that are the same as those in FIGS. 3 and 5 are given the same reference numerals, and redundant explanations will be omitted.

第1図において、電源2が2個の可変抵抗器1
3,14を直列に順次介して接地されている。そ
して、一端が接地された一方の可変抵抗器14に
並列にスイツチ11を接続し、またこの可変抵抗
器14の一端と摺動端子14aが接続されてい
る。さらに、一端が電源2に接続された他方の可
変抵抗器13の摺動端子13aが映像変調器7の
バイアス電圧入力端子7aに接続されている。
In FIG. 1, a power supply 2 connects two variable resistors 1
3 and 14 are connected in series to ground. A switch 11 is connected in parallel to one variable resistor 14 whose one end is grounded, and one end of this variable resistor 14 is connected to a sliding terminal 14a. Furthermore, the sliding terminal 13a of the other variable resistor 13, whose one end is connected to the power supply 2, is connected to the bias voltage input terminal 7a of the video modulator 7.

かかる構成において、まずスイツチ11を閉成
して一方の可変抵抗器14を短絡し、他方の可変
抵抗器13の摺動端子13aを調整してSECAM
方式のバイアス電圧Esを設定する。次に、スイ
ツチ11を開成すると一方の可変抵抗器14が介
装され、その抵抗値により他方の可変抵抗器13
の摺動端子13aに生じる電圧は、SECAM方式
のバイアス電圧として設定したバイアス電圧Es
より高くなる。そこで、一方の可変抵抗器14の
摺動端子14aを調整して他方の可変抵抗器13
の摺動端子13aに生じる電圧をPAL方式のバ
イアス電圧EPに設定する。ここで、スイツチ1
1の閉成で設定できるバイアス電圧Esと開成で
設定できるバイアス電圧EPはES≦EPであり、
スイツチ11の正しいポジシヨンでのみSECAM
方式とPAL方式の双方のバイアス電圧ES,EPを
適正に設定でき、第3図に示す従来回路のごとく
設定の誤りを生じることがない。
In this configuration, the switch 11 is first closed to short-circuit one variable resistor 14, and the sliding terminal 13a of the other variable resistor 13 is adjusted so that the SECAM
Set the bias voltage Es of the method. Next, when the switch 11 is opened, one variable resistor 14 is inserted, and depending on the resistance value, the other variable resistor 13 is connected.
The voltage generated at the sliding terminal 13a is equal to the bias voltage Es set as the bias voltage of the SECAM method.
Becomes higher. Therefore, the sliding terminal 14a of one variable resistor 14 is adjusted and the other variable resistor 13
The voltage generated at the sliding terminal 13a is set as the bias voltage EP of the PAL system. Here, switch 1
The bias voltage Es that can be set when 1 is closed and the bias voltage EP that can be set when 1 is open is ES≦EP,
SECAM only when the switch 11 is in the correct position.
The bias voltages ES and EP for both the PAL method and the PAL method can be appropriately set, and setting errors will not occur as in the conventional circuit shown in FIG.

第2図は、本考案のRFモジユレータの他の実
施例の要部回路図である。第2図において、第1
図と同一回路素子等には同一符号を付して重複す
る説明を省略する。
FIG. 2 is a circuit diagram of a main part of another embodiment of the RF modulator of the present invention. In Figure 2, the first
Circuit elements and the like that are the same as those in the figures are given the same reference numerals and redundant explanations will be omitted.

第2図において、電源2が2個の可変抵抗器2
3,24を直列に順次介装して接地されている。
そして、一端が電源2に接続された一方の可変抵
抗器23に並列にスイツチ21を接続し、またこ
の可変抵抗器23の一端と摺動端子23aが接続
されている。さらに、一端が接地された他方の可
変抵抗器24の摺動端子24aが映像変調器7の
バイアス電圧入力端子7aに接続されている。
In FIG. 2, the power supply 2 is connected to two variable resistors 2.
3 and 24 are successively interposed in series and grounded.
A switch 21 is connected in parallel to one variable resistor 23 whose one end is connected to the power source 2, and one end of this variable resistor 23 is connected to a sliding terminal 23a. Furthermore, the sliding terminal 24a of the other variable resistor 24, one end of which is grounded, is connected to the bias voltage input terminal 7a of the video modulator 7.

かかる構成において、まずスイツチ21を閉成
して一方の可変抵抗器23を短絡し、他方の可変
抵抗器24の摺動端子24aを調整してPAL方
式のバイアス電圧EPを設定する。次に、スイツ
チ21を開成すると一方の可変抵抗器23が介装
され、その抵抗値により他方の可変抵抗器24の
摺動端子24aに生じる電圧は、PAL方式のバ
イアス電圧として設定したバイアス電圧EPより
低くなる。そこで、一方の可変抵抗器23の摺動
端子23aを調整して他方の可変抵抗器24の摺
動端子24aに生じる電圧をSECAM方式のバイ
アス電圧ESに設定する。ここで、第1図に示す
実施例と同様に、スイツチ21の正しいポジシヨ
ンでのみSECAM方式とPAL方式の双方のバイア
ス電圧ES,EPを適正に設定できる。
In this configuration, first, the switch 21 is closed to short-circuit one variable resistor 23, and the sliding terminal 24a of the other variable resistor 24 is adjusted to set the bias voltage EP for the PAL system. Next, when the switch 21 is opened, one variable resistor 23 is inserted, and the voltage generated at the sliding terminal 24a of the other variable resistor 24 due to its resistance value is the bias voltage EP set as the bias voltage of the PAL system. becomes lower. Therefore, the sliding terminal 23a of one variable resistor 23 is adjusted to set the voltage generated at the sliding terminal 24a of the other variable resistor 24 to the bias voltage ES of the SECAM system. Here, as in the embodiment shown in FIG. 1, the bias voltages ES and EP for both the SECAM system and the PAL system can be appropriately set only by setting the switch 21 in the correct position.

(考案の効果) 以上説明したように、本考案のRFモジユレー
タによれば、スイツチの正しいポジシヨンでのみ
SECAM方式とPAL方式の双方のバイアス電圧を
適正に設定でき、調整作業において設定の誤りを
生じることがなく、しかも部品点数が増加するこ
とがないという優れた効果を奏する。
(Effect of the invention) As explained above, according to the RF modulator of the invention, only when the switch is in the correct position
The bias voltages for both the SECAM method and the PAL method can be set appropriately, and there are no setting errors during adjustment work, and the number of parts does not increase, which is an excellent effect.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本考案のRFモジユレータの一実施
例の要部回路図であり、第2図は、本考案のRF
モジユレータの他の実施例の要部回路図であり、
第3図は、PAL方式とSECAM方式を選択できる
RFモジユレータの第1の従来例の要部回路図で
あり、第4図は、RFモジユレータの映像変調器
のバイアス電圧対変調度特性を示す図であり、第
5図は、PAL方式とSECAM方式を選択できる
RFモジユレータの第2従来例の要部回路図であ
る。 1,11,21……スイツチ、2……電源、
3,4,13,14,23,24……可変抵抗
器、3a,4a,13a,14a,23a,24
a……摺動端子、7……映像変調器、7a……バ
イアス電圧入力端子。
FIG. 1 is a circuit diagram of a main part of an embodiment of the RF modulator of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram of an RF modulator of the present invention.
It is a principal part circuit diagram of another example of a modulator,
Figure 3 shows that you can choose between PAL and SECAM methods.
FIG. 4 is a diagram showing the bias voltage versus modulation degree characteristics of the video modulator of the RF modulator, and FIG. 5 is a diagram showing the characteristics of the PAL system and the SECAM system. can choose
FIG. 2 is a circuit diagram of a main part of a second conventional example of an RF modulator. 1, 11, 21...Switch, 2...Power supply,
3, 4, 13, 14, 23, 24...variable resistor, 3a, 4a, 13a, 14a, 23a, 24
a...Sliding terminal, 7...Video modulator, 7a...Bias voltage input terminal.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] バイアス電圧の調整によつて、被変調波出力の
変調度が正変調および負変調の範囲で調整できる
映像変調器を備えたRFモジユレータにおいて、
電源と接地間に2個の可変抵抗器を直列に介装
し、一方の可変抵抗器に並列にスイツチを接続
し、この一方の可変抵抗器の一端と摺動端子を接
続し、他方の可変抵抗器の摺動端子を前記映像変
調器のバイアス電圧入力端子に接続したことを特
徴とするRFモジユレータ。
In an RF modulator equipped with a video modulator, the degree of modulation of the modulated wave output can be adjusted within the range of positive modulation and negative modulation by adjusting the bias voltage.
Connect two variable resistors in series between the power supply and ground, connect a switch in parallel to one variable resistor, connect one end of one variable resistor to the sliding terminal, and connect the other variable resistor to the sliding terminal. An RF modulator, characterized in that a sliding terminal of a resistor is connected to a bias voltage input terminal of the video modulator.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5588475A (en) * 1978-12-26 1980-07-04 Hitachi Ltd Rf modulator
JPS5588474A (en) * 1978-12-26 1980-07-04 Hitachi Ltd Rf modulator for both pal and secam
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