JPH05145387A - Base drive circuit - Google Patents
Base drive circuitInfo
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- JPH05145387A JPH05145387A JP30772991A JP30772991A JPH05145387A JP H05145387 A JPH05145387 A JP H05145387A JP 30772991 A JP30772991 A JP 30772991A JP 30772991 A JP30772991 A JP 30772991A JP H05145387 A JPH05145387 A JP H05145387A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、高hFEパワートランジ
スタの駆動に適用されるベースドライブ回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a base drive circuit applied to drive a high hFE power transistor.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、この種のベースドライブ回路は図
2に示すように構成されていた。図2において、21は
一対のトランジスタ31,32を内蔵するベースドライ
ブIC、22はベースドライブIC21によって駆動さ
れる高hFEパワートランジスタである。トランジスタ3
1のエミッタ(E)とトランジスタ32のコレクタ
(C)とは共通に接続されている。2. Description of the Related Art Conventionally, this type of base drive circuit has been constructed as shown in FIG. In FIG. 2, reference numeral 21 is a base drive IC incorporating a pair of transistors 31 and 32, and 22 is a high hFE power transistor driven by the base drive IC 21. Transistor 3
The emitter (E) of 1 and the collector (C) of the transistor 32 are commonly connected.
【0003】ベースドライブIC21は、同IC21の
動作状態を決定するための入力信号41が入力される入
力端子1,2と、トランジスタ31のコレクタ(C)と
接続される端子3と、トランジスタ31のエミッタ
(E)及びトランジスタ32のコレクタ(C)の共通接
続点と接続される端子4と、トランジスタ32のエミッ
タ(E)と接続される端子5と、電源の正極8と接続さ
れる端子6と、電源の負極9と接続される端子7とを有
する。The base drive IC 21 has input terminals 1 and 2 to which an input signal 41 for determining the operating state of the IC 21 is input, a terminal 3 connected to the collector (C) of the transistor 31, and a transistor 31. A terminal 4 connected to the common connection point of the emitter (E) and the collector (C) of the transistor 32, a terminal 5 connected to the emitter (E) of the transistor 32, and a terminal 6 connected to the positive electrode 8 of the power supply. , And a terminal 7 connected to the negative electrode 9 of the power supply.
【0004】ベースドライブIC21の端子3と電源正
極8との間には順方向のベース電流を制限するためのベ
ース電流制限抵抗23が接続され、同IC21の端子4
と高hFEパワートランジスタ22のベース(B)10と
の間にはベース電流制限抵抗24が接続されている。ま
たベースドライブIC21の端子5及び電源負極9には
逆バイアス用電源25の負極13が接続され、同逆バイ
アス用電源25の正極14は高hFEパワートランジスタ
22のエミッタ(E)11に接続されている。A base current limiting resistor 23 for limiting the forward base current is connected between the terminal 3 of the base drive IC 21 and the power supply positive electrode 8, and the terminal 4 of the IC 21 is connected.
A base current limiting resistor 24 is connected between the base and the base (B) 10 of the high hFE power transistor 22. The negative electrode 13 of the reverse bias power supply 25 is connected to the terminal 5 and the power supply negative electrode 9 of the base drive IC 21, and the positive electrode 14 of the reverse bias power supply 25 is connected to the emitter (E) 11 of the high hFE power transistor 22. There is.
【0005】さて、図2に示す従来のベースドライブ回
路では、ベースドライブIC21の入力端子1,2に入
力される入力信号41がオン(ON)状態となると、ベ
ースドライブIC21内の1対のトランジスタ31,3
2のうちのトランジスタ31がオンし、電源正極8から
順方向のベース電流制限抵抗23、ベースドライブIC
21の端子3、トランジスタ31のコレクタ(C)から
エミッタ(E)、ベースドライブIC21の端子4、ベ
ース電流制限抵抗24、高hFEパワートランジスタ22
のベース(B)10からエミッタ(E)11、そして逆
バイアス用電源25を順に通って、電源負極9に順方向
ベース電流42が流れる。Now, in the conventional base drive circuit shown in FIG. 2, when the input signal 41 input to the input terminals 1 and 2 of the base drive IC 21 is turned on, the pair of transistors in the base drive IC 21 are turned on. 31, 3
The transistor 31 of 2 turns on, and the base current limiting resistor 23 in the forward direction from the power supply positive electrode 8 and the base drive IC
21 terminal 3, collector (C) to emitter (E) of transistor 31, terminal 4 of base drive IC 21, base current limiting resistor 24, high hFE power transistor 22.
A forward base current 42 flows in the power supply negative electrode 9 through the base (B) 10 through the emitter (E) 11 and the reverse bias power supply 25 in order.
【0006】また、逆に、ベースドライブIC21の入
力端子1,2に入力される入力信号41がオフ(OF
F)状態となると、今度はトランジスタ32がオンし、
逆バイアス用電源25の正極14から高hFEパワートラ
ンジスタ22のエミッタ(E)11、同トランジスタ2
2のベース(B)10、ベース電流制限抵抗24、ベー
スドライブIC21の端子4、トランジスタ32のコレ
クタ(C)からエミッタ(E)、そしてベースドライブ
IC21の端子5を順に通って、逆バイアス用電源25
の負極13に逆方向ベース電流43が流れる。On the contrary, the input signal 41 input to the input terminals 1 and 2 of the base drive IC 21 is turned off (OF
In the F) state, the transistor 32 is turned on,
From the positive electrode 14 of the reverse bias power supply 25 to the emitter (E) 11 of the high hFE power transistor 22 and the same transistor 2
2 through the base (B) 10, the base current limiting resistor 24, the terminal 4 of the base drive IC 21, the collector (C) to the emitter (E) of the transistor 32, and the terminal 5 of the base drive IC 21 in this order, and the reverse bias power supply. 25
The reverse base current 43 flows through the negative electrode 13 of the.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記した図2に示す従
来のベースドライブ回路において、順方向ベース電流4
2及び逆方向ベース電流43の最大値は、ベースドライ
ブIC21の最大出力電流で決まる。しかし、現在入手
可能なベースドライブIC21の最大出力電流では、同
ベースドライブIC21で50A〜150Aクラスの高
hFEパワートランジスタを駆動しようとした場合には、
順方向ベース電流42については十分電流値に余裕があ
り問題はないものの、逆方向ベース電流43については
電流値が不足し、適用できないという問題があった。In the conventional base drive circuit shown in FIG. 2 described above, the forward base current 4
2 and the maximum value of the reverse direction base current 43 are determined by the maximum output current of the base drive IC 21. However, with the maximum output current of the base drive IC 21 currently available, if an attempt is made to drive a high hFE power transistor of 50 A to 150 A class with the base drive IC 21,
The forward base current 42 has a sufficient current value and there is no problem, but the reverse base current 43 has a problem that the current value is insufficient and cannot be applied.
【0008】この発明は上記事情に鑑みてなされたもの
でその目的は、ベースドライブICの最大出力電流が十
分でなくても、極めて高出力の高hFEパワートランジス
タが駆動できるベースドライブ回路を提供することにあ
る。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a base drive circuit capable of driving an extremely high output high hFE power transistor even if the maximum output current of the base drive IC is not sufficient. Especially.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、図1に示すよ
うに、入力信号41のオン/オフに応じて高hFEパワー
トランジスタ22を駆動するためのベースドライブIC
21と、一端がパワートランジスタ22のベース10に
接続されたベース電流制限抵抗24と、パワートランジ
スタ22のベース10,エミッタ11間を逆バイアスす
るための逆バイアス用電源25とを備えたベースドライ
ブ回路に、ベース電流制限抵抗24を流れる逆方向ベー
ス電流43の一部をバイパスするためのバイパストラン
ジスタ26と、このバイパストランジスタ26のエミッ
タ,ベース間に接続されたバイアス用の抵抗27とを新
たに設け、上記バイパストランジスタ26のエミッタを
ベース電流制限抵抗24の他端と、ベースをベースドラ
イブIC21と、コレクタを逆バイアス用電源25と、
それぞれ接続するようにしたことを特徴とする。The present invention, as shown in FIG. 1, is a base drive IC for driving a high hFE power transistor 22 according to ON / OFF of an input signal 41.
21, a base current limiting resistor 24 having one end connected to the base 10 of the power transistor 22, and a reverse bias power supply 25 for reverse biasing between the base 10 and the emitter 11 of the power transistor 22. In addition, a bypass transistor 26 for bypassing a part of the reverse direction base current 43 flowing through the base current limiting resistor 24, and a bias resistor 27 connected between the emitter and the base of the bypass transistor 26 are newly provided. , The other end of the base current limiting resistor 24 is the emitter of the bypass transistor 26, the base drive IC 21 is the base, and the reverse bias power supply 25 is the collector.
The feature is that they are connected to each other.
【0010】[0010]
【作用】上記の構成において、入力信号41の状態によ
り高hFEパワートランジスタ22のベース10からベー
ス電流制限抵抗24に逆方向ベース電流43が取出され
るモードでは、ベースドライブIC21の出力電流44
によりバイアス用抵抗27の両端に電位差を生じ、バイ
パストランジスタ26のエミッタ,ベース間がバイアス
される。これにより、ベースドライブIC21の出力電
流の一部がバイパストランジスタ26のベース電流45
として、そのエミッタからベースに流れる。このベース
電流45は、トランジスタ26により増幅される。この
結果、トランジスタ26のエミッタからコレクタに、増
幅された電流46が流れ、この電流46とベースドライ
ブIC21の出力電流44とが重畳された電流が逆方向
ベース電流43としてベース電流制限抵抗を流れる。In the above configuration, in the mode in which the reverse direction base current 43 is taken out from the base 10 of the high hFE power transistor 22 to the base current limiting resistor 24 according to the state of the input signal 41, the output current 44 of the base drive IC 21
As a result, a potential difference is generated across the bias resistor 27, and the emitter and base of the bypass transistor 26 are biased. As a result, a part of the output current of the base drive IC 21 becomes part of the base current 45 of the bypass transistor 26.
As it flows from its emitter to its base. The base current 45 is amplified by the transistor 26. As a result, an amplified current 46 flows from the emitter of the transistor 26 to the collector, and a current obtained by superposing the current 46 and the output current 44 of the base drive IC 21 flows as a reverse base current 43 through the base current limiting resistor.
【0011】[0011]
【実施例】図1は本発明の一実施例に係る高hFEパワー
トランジスタのベースドライブ回路の構成を示す図であ
る。なお、図2と同一部分には同一符号を付して詳細な
説明を省略する。1 is a diagram showing the configuration of a base drive circuit for a high hFE power transistor according to an embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.
【0012】図1において、26は逆方向ベース電流4
3の一部をバイパスするバイパストランジスタである。
このトランジスタ26は、ベースドライブIC21のト
ランジスタ32を流れる電流44の一部をなすベース電
流45を増幅することで、十分大きい逆方向ベース電流
43を生成するために設けられたものである。In FIG. 1, 26 is the reverse base current 4
3 is a bypass transistor that bypasses a part of 3.
The transistor 26 is provided in order to generate a sufficiently large reverse base current 43 by amplifying the base current 45 which is a part of the current 44 flowing through the transistor 32 of the base drive IC 21.
【0013】バイパストランジスタ26のベース(B)
はベースドライブIC21の端子4と接続され、コレク
タ(C)はベースドライブIC21の端子5、電源負極
9及び逆バイアス用電源25の負極13と共通接続され
ている。また、トランジスタ26のエミッタ(E)は、
一端が高hFEパワートランジスタ22のベース(B)1
0と接続されているベース電流制限抵抗24の他端と接
続されている。更に、トランジスタ26のベース(B)
とエミッタ(E)の間には、バイアス用の抵抗(バイア
ス抵抗)27が接続されている。Base (B) of bypass transistor 26
Is connected to the terminal 4 of the base drive IC 21, and the collector (C) is commonly connected to the terminal 5 of the base drive IC 21, the power supply negative electrode 9 and the negative electrode 13 of the reverse bias power supply 25. The emitter (E) of the transistor 26 is
One end is the base (B) 1 of the high hFE power transistor 22.
It is connected to the other end of the base current limiting resistor 24 connected to 0. Furthermore, the base (B) of the transistor 26
A bias resistor (bias resistor) 27 is connected between the emitter and the emitter (E).
【0014】44は入力信号41がオンの場合にベース
ドライブIC21のトランジスタ32を(コレクタから
エミッタに)流れる電流(ベースドライブIC21の出
力電流)、45はバイパストランジスタ26のベース電
流である。また、46は入力信号41がオンの場合にバ
イパストランジスタ26を(エミッタからコレクタに)
流れる電流(逆方向ベース電流43のパイパス電流)で
ある。Reference numeral 44 is a current (output current of the base drive IC 21) flowing through the transistor 32 (from the collector to the emitter) of the base drive IC 21 when the input signal 41 is on, and 45 is a base current of the bypass transistor 26. Reference numeral 46 indicates the bypass transistor 26 (from the emitter to the collector) when the input signal 41 is on.
It is a flowing current (a bypass current of the reverse direction base current 43).
【0015】次に、図1の構成における動作を説明す
る。まず、ベースドライブIC21の入力端子1,2に
入力される入力信号41がオン(ON)状態となると、
ベースドライブIC21内の1対のトランジスタ31,
32のうちのトランジスタ31がオンし、電源正極8か
ら順方向のベース電流制限抵抗23、ベースドライブI
C21の端子3、トランジスタ31のコレクタ(C)か
らエミッタ(E)、ベースドライブIC21の端子4、
バイアス抵抗27及びベース電流制限抵抗24、高hFE
パワートランジスタ22のベース(B)10からエミッ
タ(E)11、そして逆バイアス用電源25を順に通っ
て、電源負極9に順方向ベース電流42が流れる。この
入力信号41がオンの場合の動作は、図2の従来例と同
様である。Next, the operation of the configuration shown in FIG. 1 will be described. First, when the input signal 41 input to the input terminals 1 and 2 of the base drive IC 21 is turned on (ON),
A pair of transistors 31 in the base drive IC 21,
The transistor 31 out of 32 is turned on, and the base current limiting resistor 23 in the forward direction from the power supply positive electrode 8 and the base drive I
Terminal 3 of C21, collector (C) to emitter (E) of transistor 31, terminal 4 of base drive IC21,
Bias resistor 27 and base current limiting resistor 24, high hFE
A forward base current 42 flows in the power supply negative electrode 9 through the base (B) 10 of the power transistor 22, the emitter (E) 11, and the reverse bias power supply 25 in order. The operation when the input signal 41 is on is the same as in the conventional example of FIG.
【0016】次に、ベースドライブIC21の入力端子
1,2に入力される入力信号41がオフ(OFF)状態
となった場合の動作を説明する。入力信号41がオフの
場合、ベースドライブIC21内の一対のトランジスタ
31,32のうちのトランジスタ32がオンする。する
と、逆バイアス用電源25の正極14から高hFEパワー
トランジスタ22のエミッタ(E)11を経て、更に同
トランジスタ22のベース(B)10、ベース電流制限
抵抗24、バイアス抵抗27、ベースドライブIC21
の端子4、トランジスタ32のコレクタ(C)からエミ
ッタ(E)、そしてベースドライブIC21の端子5を
通って、逆バイアス用電源25の負極13に電流(ベー
スドライブIC21の出力電流)44が流れる。Next, the operation when the input signal 41 input to the input terminals 1 and 2 of the base drive IC 21 is turned off will be described. When the input signal 41 is off, the transistor 32 of the pair of transistors 31 and 32 in the base drive IC 21 is turned on. Then, from the positive electrode 14 of the reverse bias power supply 25, through the emitter (E) 11 of the high hFE power transistor 22, to the base (B) 10 of the transistor 22, the base current limiting resistor 24, the bias resistor 27, the base drive IC 21.
A current (output current of the base drive IC 21) 44 flows to the negative electrode 13 of the reverse bias power supply 25 through the terminal 4, the collector (C) of the transistor 32, the emitter (E), and the terminal 5 of the base drive IC 21.
【0017】さて、上記のように入力信号41がオフと
なってベースドライブIC21の出力電流44が流れる
と、抵抗27の両端に(トランジスタ26のエミッタと
の接続点を正電位とする)電位差を生じる。これにより
バイパストランジスタ26のエミッタ(E),ベース
(B)間がバイアスされ、トランジスタ26のエミッタ
(E)からベース(B)にベース電流45が流れる。こ
のベース電流45はトランジスタ26によって増幅さ
れ、その増幅電流46がトランジスタ26のエミッタ
(E)からコレクタ(C)を通って、逆バイアス用電源
25の負極13に流れる。When the input signal 41 is turned off and the output current 44 of the base drive IC 21 flows as described above, a potential difference (having a positive potential at the connection point with the emitter of the transistor 26) is applied across the resistor 27. Occurs. As a result, the emitter (E) and the base (B) of the bypass transistor 26 are biased, and the base current 45 flows from the emitter (E) of the transistor 26 to the base (B). The base current 45 is amplified by the transistor 26, and the amplified current 46 flows from the emitter (E) of the transistor 26 through the collector (C) to the negative electrode 13 of the reverse bias power supply 25.
【0018】この結果、ベース電流制限抵抗24には、
ベースドライブIC21の出力電流(トランジスタ32
を流れる電流)44にトランジスタ26を流れる電流4
6が重畳された逆方向ベース電流43が流れる。As a result, the base current limiting resistor 24 has
Output current of the base drive IC 21 (transistor 32
Current flowing through the transistor 26) 4
The reverse base current 43 with 6 superposed flows.
【0019】このように本実施例によれば、入力信号4
1がオフの場合には、ベースドライブIC21の出力電
流44に、同電流44の一部をなすベース電流45をト
ランジスタ26で増幅することによって得られる電流4
6が加えられた十分大きい逆方向ベース電流43が、逆
バイアス用電源25の正極14から高hFEパワートラン
ジスタ22のエミッタ(E)11を経て、更に同トラン
ジスタ22のベース(B)10、ベース電流制限抵抗2
4を通って逆バイアス用電源25の負極13に流れる。As described above, according to this embodiment, the input signal 4
When 1 is off, the output current 44 of the base drive IC 21 is a current 4 obtained by amplifying the base current 45 forming a part of the current 44 by the transistor 26.
A sufficiently large reverse base current 43 to which 6 is added passes from the positive electrode 14 of the reverse bias power supply 25 through the emitter (E) 11 of the high hFE power transistor 22 and further to the base (B) 10 and base current of the transistor 22. Limiting resistor 2
4 to the negative electrode 13 of the reverse bias power supply 25.
【0020】[0020]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ベ
ースドライブICによって駆動される高hFEパワートラ
ンジスタの逆方向ベース電流の一部をバイパスするため
のバイパストランジスタを設け、上記ベースドライブI
Cの出力電流の一部をこのバイパストランジスタのベー
ス電流として増幅するようにしたので、その増幅電流を
ベースドライブICの出力電流に加えた電流を高hFEパ
ワートランジスタの逆方向ベース電流とすることができ
る。As described in detail above, according to the present invention, a bypass transistor for bypassing a part of the reverse base current of the high hFE power transistor driven by the base drive IC is provided, and the base drive I
Since a part of the output current of C is amplified as the base current of the bypass transistor, the current obtained by adding the amplified current to the output current of the base drive IC can be used as the reverse base current of the high hFE power transistor. it can.
【0021】このため、ベースドライブICの最大出力
電流が十分でなくても、従来適用することが困難であっ
た50A〜150Aクラスの極めて高出力の高hFEパワ
ートランジスタをも駆動することができる。Therefore, even if the maximum output current of the base drive IC is not sufficient, it is possible to drive an extremely high output high hFE power transistor of 50 A to 150 A class, which has been difficult to apply conventionally.
【図1】本発明の一実施例に係る高hFEパワートランジ
スタのベースドライブ回路の構成を示す図。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a base drive circuit of a high hFE power transistor according to an embodiment of the present invention.
【図2】従来のベースドライブ回路の構成を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a conventional base drive circuit.
21…ベースドライブIC、22…高hFEパワートラン
ジスタ、23…順方向のベース電流制限抵抗、24…ベ
ース電流制限抵抗、25…逆バイアス用電源、26…バ
イパストランジスタ、27…バイアス用抵抗、42…順
方向ベース電流、43…逆方向ベース電流、44…電流
(ベースドライブIC21の出力電流)、45…ベース
電流、46…電流(トランジスタ26を流れる電流、逆
方向ベース電流43のパイパス電流)。21 ... Base drive IC, 22 ... High hFE power transistor, 23 ... Forward base current limiting resistor, 24 ... Base current limiting resistor, 25 ... Reverse bias power supply, 26 ... Bypass transistor, 27 ... Bias resistor, 42 ... Forward base current, 43 ... Reverse base current, 44 ... Current (output current of base drive IC 21), 45 ... Base current, 46 ... Current (current flowing through transistor 26, bypass base current 43 bypass current).
Claims (1)
ワートランジスタを駆動するためのベースドライブIC
と、一端が前記パワートランジスタのベースに接続され
たベース電流制限抵抗と、前記パワートランジスタのベ
ース,エミッタ間を逆バイアスするための逆バイアス用
電源とを備え、前記入力信号のオン/オフに応じて前記
パワートランジスタのベースに順方向ベース電流を供給
する、または同パワートランジスタのベースから逆方向
ベース電流を取出すベースドライブ回路において、 前記ベース電流制限抵抗の他端と接続されるエミッタ、
前記ベースドライブICと接続されるベース及び前記逆
バイアス用電源と接続されるコレクタを有し、前記ベー
ス電流制限抵抗を流れる逆方向ベース電流の一部をバイ
パスするためのバイパストランジスタと、 このバイパストランジスタのエミッタ,ベース間に接続
されたバイアス用の抵抗と、 を具備し、前記ベースドライブICの出力電流の一部を
前記バイパストランジスタのベース電流として増幅し、
その増幅電流を前記逆方向ベース電流の一部とするよう
にしたことを特徴とするベースドライブ回路。1. A base drive IC for driving a high hFE power transistor according to on / off of an input signal.
A base current limiting resistor whose one end is connected to the base of the power transistor, and a reverse bias power supply for reverse biasing between the base and emitter of the power transistor, depending on whether the input signal is turned on or off. A base drive circuit for supplying a forward base current to the base of the power transistor or for extracting a reverse base current from the base of the power transistor, an emitter connected to the other end of the base current limiting resistor,
A bypass transistor having a base connected to the base drive IC and a collector connected to the reverse bias power supply, for bypassing a part of a reverse direction base current flowing through the base current limiting resistor; And a bias resistor connected between the emitter and the base of, and amplifying a part of the output current of the base drive IC as the base current of the bypass transistor,
A base drive circuit, wherein the amplified current is made a part of the reverse base current.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30772991A JPH05145387A (en) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | Base drive circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30772991A JPH05145387A (en) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | Base drive circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05145387A true JPH05145387A (en) | 1993-06-11 |
Family
ID=17972558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30772991A Withdrawn JPH05145387A (en) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | Base drive circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05145387A (en) |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP30772991A patent/JPH05145387A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |