JPH0514523Y2 - - Google Patents
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- JPH0514523Y2 JPH0514523Y2 JP17632986U JP17632986U JPH0514523Y2 JP H0514523 Y2 JPH0514523 Y2 JP H0514523Y2 JP 17632986 U JP17632986 U JP 17632986U JP 17632986 U JP17632986 U JP 17632986U JP H0514523 Y2 JPH0514523 Y2 JP H0514523Y2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この考案は光起電力装置に関し、特に、電力損
失を低減させるために透光性導電層上に集電極を
形成した光起電力装置に関する。[Detailed Description of the Invention] (Industrial Field of Application) This invention relates to a photovoltaic device, and particularly to a photovoltaic device in which a collector electrode is formed on a transparent conductive layer in order to reduce power loss.
（従来技術）
この種の光起電力装置が、既に、本件出願人の
出願に係る特開昭56−130977号公報や特開昭59−
125668号公報などにおいて提案されている。この
従来の光起電力装置では、透光性導電層上に共通
電極部と複数の枝電極部とによつて形成される集
電極を設けている。この従来技術は、それ以前の
ものに比べて、透光性導電層の抵抗分による電力
損失を低減することができる。(Prior art) This type of photovoltaic device has already been disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 130977/1983 filed by the applicant and
It has been proposed in Publication No. 125668, etc. In this conventional photovoltaic device, a collector electrode formed by a common electrode portion and a plurality of branch electrode portions is provided on a transparent conductive layer. This conventional technology can reduce power loss due to the resistance of the transparent conductive layer compared to the previous technology.
（考案が解決しようとする問題点）
ところが、この提案された従来の光起電力装置
では、透光性導電層を通して入射される光が集電
極によつて部分的に遮られ、この集電極による遮
光作用によつて、光起電力を生じる半導体光活性
層の面積がサブストレートの面積の10％程度減少
する。このため、透光性導電層による電力損失を
低減できても、光起電力を発生する半導体光活性
層の有効面積をそれ自体が減少するので、全体と
して、光起電力装置の出力を向上させることに限
界があつた。(Problem to be solved by the invention) However, in the proposed conventional photovoltaic device, the light incident through the transparent conductive layer is partially blocked by the collector electrode. Due to the light shielding effect, the area of the semiconductor photoactive layer that generates photovoltaic force is reduced by about 10% of the area of the substrate. For this reason, even if the power loss due to the transparent conductive layer can be reduced, the effective area of the semiconductor photoactive layer that generates photovoltaic force is itself reduced, which improves the output of the photovoltaic device as a whole. There was a limit to this.
それゆえに、この考案の主たる目的は、出力を
一層向上させることができる、光起電力装置を提
供することである。 Therefore, the main objective of this invention is to provide a photovoltaic device whose output can be further improved.
（問題点を解決するための手段）
この考案は、絶縁表面を有する透光性のサブス
トレート、前記サブストレートの前記絶縁表面に
形成された透光性導電層、少なくともその一端が
前記透光性導電層上に接触するように配置され、
かつ湾曲した側断面を有し、その湾曲によつて前
記透光性導電層との間で空間を形成する集電極、
前記空間内の前記透光性導電層上に形成された第
１の半導体光活性層、該第１の半導体光活性層上
にあつて上記空間内に形成された第１の電極層、
前記集電極が形成されていない前記透光性導電層
上に形成された第２の半導体光活性層、該第２の
半導体光活性層上に形成された第２の電極層、か
ら成ると共に、上記第１の半導体光活性層と上記
第２の半導体光活性層によつて生じた光起電力
を、各々、上記透光性導電層と上記第１の電極
層、上記透光性導電層と第２の電極層、とから出
力する出力手段を備える、光起電力装置である。(Means for Solving the Problems) This invention includes a transparent substrate having an insulating surface, a transparent conductive layer formed on the insulating surface of the substrate, and at least one end of which has the transparent conductive layer. placed in contact with the conductive layer;
and a collector electrode having a curved side cross section and forming a space between the collector electrode and the transparent conductive layer due to the curvature;
a first semiconductor photoactive layer formed on the light-transmitting conductive layer in the space; a first electrode layer formed on the first semiconductor photoactive layer and in the space;
A second semiconductor photoactive layer formed on the transparent conductive layer on which the collector electrode is not formed, a second electrode layer formed on the second semiconductor photoactive layer, and The photovoltaic force generated by the first semiconductor photoactive layer and the second semiconductor photoactive layer is applied to the transparent conductive layer, the first electrode layer, and the transparent conductive layer, respectively. The photovoltaic device includes an output means for outputting output from a second electrode layer.
（作用）
光が照射されると、照射された光は透光性のサ
ブストレートおよび透光性導電層を通過して、第
１の半導体光活性層および第２の半導体光活性層
に入射する。もし、それぞれの半導体光活性層
が、サブストレート側から順にpin構造であると
すれば、いずれも、透光性導電層側が（＋）極に
なり、第１および第２の電極層側が（−）極にな
る。透光性導電層上には集電極が接続され、第１
の電極層と第２の電極層とは共通接続されている
ので、集電極が光起電力の一方の電極（たとえば
（−）側の電極）として作用し、共通接続された
第１の電極層と第２の電極層とは他方の電極（た
とえば（＋）側の電極）として作用する。このよ
うにして、第１の半導体光活性層と第２の半導体
光活性層の並列回路が構成される。(Function) When light is irradiated, the irradiated light passes through the transparent substrate and the transparent conductive layer and enters the first semiconductor photoactive layer and the second semiconductor photoactive layer. . If each semiconductor photoactive layer has a pin structure in order from the substrate side, the transparent conductive layer side will be the (+) pole, and the first and second electrode layer sides will be the (- ) Become a pole. A collector electrode is connected on the transparent conductive layer, and the first
Since the electrode layer and the second electrode layer are commonly connected, the collector electrode acts as one electrode (for example, the (-) side electrode) of the photovoltaic force, and the commonly connected first electrode layer and the second electrode layer act as the other electrode (for example, the (+) side electrode). In this way, a parallel circuit of the first semiconductor photoactive layer and the second semiconductor photoactive layer is constructed.
（考案の効果）
この考案によれば、集電極を湾曲させて空間を
形成し、その空間に別の半導体光活性層を形成で
き、この別の半導体光活性層は、集電極が形成さ
れていない部分に形成された半導体光活性層と同
様に、光起電力を発生する。したがつて、集電極
が形成されていた部分がデツドスペースないし無
効領域であつた従来の光起電力装置と比較する
と、光起電力の発生に寄与する有効面積が増加
し、光起電力装置全体として出力の向上が期待で
きる。(Effect of the invention) According to this invention, a space is formed by curving the collecting electrode, and another semiconductor photoactive layer can be formed in the space, and this another semiconductor photoactive layer is formed on the collecting electrode. Similarly to the semiconductor photoactive layer formed in the non-containing part, photovoltaic force is generated. Therefore, compared to conventional photovoltaic devices in which the part where the collecting electrode was formed was a dead space or ineffective area, the effective area that contributes to the generation of photovoltaic force increases, and the overall photovoltaic device You can expect an improvement in output.
この考案の上述の目的、その他の目的、特徴お
よび利点は、図面を参照して行う以下の実施例の
詳細な説明から一層明らかとなろう。 The above-mentioned objects, other objects, features and advantages of the present invention will become clearer from the following detailed description of embodiments with reference to the drawings.
（実施例）
第２図はこの考案の一実施例を示す平面図であ
り、第１図が第２図の線Ｉ−Ｉにおける断面図で
ある。光起電力装置１０は、ガラスなどからな
り、その主表面が絶縁性である透光性の絶縁サブ
ストレート１２を含む。この絶縁サブストレート
１２上には、その絶縁性主表面全面にわたつて、
透光性導電層１４が形成される。(Embodiment) FIG. 2 is a plan view showing an embodiment of this invention, and FIG. 1 is a sectional view taken along line II in FIG. 2. The photovoltaic device 10 includes a translucent insulating substrate 12 made of glass or the like and having an insulating main surface. On this insulating substrate 12, over the entire insulating main surface,
A transparent conductive layer 14 is formed.
透光性導電層１４上には、集電極２２が形成さ
れる。この集電極２２は、第２図に示すように、
絶縁サブストレート１２のほぼ全長にわたつて延
びる幹部２２ａと、この幹部２２ａから絶縁サブ
ストレート１２の幅方向両側に延びる複数の枝部
２２ｂとを含む。集電極２２の幹部２２ａは、第
１図に示すように、内部に空間が形成され得るよ
うにその側断面が、たとえばＵ字形に形成され、
その両側絶縁が透光性導電層１４に接触してい
る。 A collector electrode 22 is formed on the transparent conductive layer 14 . This collector electrode 22, as shown in FIG.
It includes a trunk 22a extending over substantially the entire length of the insulating substrate 12, and a plurality of branches 22b extending from the trunk 22a to both sides in the width direction of the insulating substrate 12. As shown in FIG. 1, the main body 22a of the collector electrode 22 has a side cross section formed into a U-shape, for example, so that a space can be formed inside.
The insulation on both sides is in contact with the transparent conductive layer 14 .
集電極２２すなわちその幹部２２ａによつて形
成された空間内であつて、かつ透光性導電層１４
上には、半導体光活性層１６と電極層１８とがこ
の順序で積層的に形成される。この半導体光活性
層１６と電極層１８とを包むように、絶縁膜２０
が形成され、それによつて、半導体光活性層１６
および電極層１８が集電極２２の幹部２２ａと電
気的に絶縁される。 Within the space formed by the collecting electrode 22, that is, the trunk 22a thereof, and the transparent conductive layer 14
A semiconductor photoactive layer 16 and an electrode layer 18 are formed thereon in a laminated manner in this order. An insulating film 20 is formed so as to surround the semiconductor photoactive layer 16 and the electrode layer 18.
is formed, thereby forming a semiconductor photoactive layer 16.
And the electrode layer 18 is electrically insulated from the main body 22a of the collector electrode 22.
集電極２２が形成されていない透光性導電層１
４および集電極２２上には、半導体光活性層２４
が形成され、この半導体光活性層２４上には電極
層２６が形成される。そして、第２図に示すよう
に、絶縁サブストレート１２の長さ方向一端の部
分Ａでは、集電極２２の幹部２２ａ内に形成され
た電極層１８が電極層２６に接続される。絶縁サ
ブストレート１２の長さ方向の他端の部分Ｂでは
半導体光活性層２４および電極層２６が積層して
形成されておらず、したがつて、この部分Ｂで
は、集電極２２の幹部２２ａが露出した状態にあ
る。 Transparent conductive layer 1 on which collector electrode 22 is not formed
4 and the collector electrode 22, there is a semiconductor photoactive layer 24.
is formed, and an electrode layer 26 is formed on this semiconductor photoactive layer 24. As shown in FIG. 2, the electrode layer 18 formed within the trunk 22a of the collector electrode 22 is connected to the electrode layer 26 at a portion A at one end in the length direction of the insulating substrate 12. In a portion B at the other end in the length direction of the insulating substrate 12, the semiconductor photoactive layer 24 and the electrode layer 26 are not laminated, and therefore, in this portion B, the trunk 22a of the collector electrode 22 is in an exposed state.
上述のような構造において、絶縁サブストレー
ト１２の下方から光が照射されると、その光は絶
縁サブストレート１２および透光性導電層１４を
透過して半導体光活性層１６および２４に入る。
そうすると半導体光活性層１６および２４にはキ
ヤリアが発生する。このキヤリアによつて、透光
性導電層１４と電極層１８との間および透光性導
電層１４と電極層２６との間には光起電力が生じ
る。たとえば、それぞれの半導体光活性層１６お
よび２４が、光の入射側すなわち透光性導電層１
４側から順にpin層を含むものとすれば、半導体
光活性層１６の場合にあつては、透光性導電層１
４と電極層１８とから、前者を（＋）、後者を
（−）として出力することとなり、また半導体光
活性層２４の場合では、透光性導電層１４と電極
層２６とから、前者をやはり（＋）とし後者を
（−）として出力することとなる（これを出力手
段と称する）。更に、この透光性導電層１４には
集電極２２が接続されているので、結果的には、
集電極２２と電極層１８および電極層２６との間
に、前者が（＋）で後者が（−）の光起電力が現
れる。すなわち、集電極２２は、半導体光活性層
１６で生じる光起電力と半導体光活性層２４で生
じる光起電力の一方の共通電極として作用する。
そして、部分Ａで２つの電極層１８および２６が
接続されているので、電極層２６と部分Ｂにおい
て露出している集電極２２の幹部２２ａとの間に
は、２つの半導体光活性層１６および２４で生じ
た光起電力が並列的に取り出される（これを並列
出力手段と称する）。 In the structure described above, when light is irradiated from below the insulating substrate 12, the light passes through the insulating substrate 12 and the transparent conductive layer 14 and enters the semiconductor photoactive layers 16 and 24.
Then, carriers are generated in the semiconductor photoactive layers 16 and 24. Due to this carrier, a photovoltaic force is generated between the transparent conductive layer 14 and the electrode layer 18 and between the transparent conductive layer 14 and the electrode layer 26. For example, the respective semiconductor photoactive layers 16 and 24 are arranged on the light incident side, that is, on the light-transmitting conductive layer 1
In the case of the semiconductor photoactive layer 16, the transparent conductive layer 1
4 and the electrode layer 18, the former is output as (+) and the latter as (-), and in the case of the semiconductor photoactive layer 24, the former is output as (-) from the transparent conductive layer 14 and the electrode layer 26. Again, the latter is output as (+) and the latter as (-) (this is referred to as an output means). Furthermore, since the collector electrode 22 is connected to this transparent conductive layer 14, as a result,
A photovoltaic force appears between the collector electrode 22 and the electrode layer 18 and the electrode layer 26, with the former being (+) and the latter being (-). That is, the collector electrode 22 acts as a common electrode for one of the photovoltaic forces generated in the semiconductor photoactive layer 16 and the photovoltaic force generated in the semiconductor photoactive layer 24.
Since the two electrode layers 18 and 26 are connected in the portion A, the two semiconductor photoactive layers 16 and 26 are connected between the electrode layer 26 and the trunk 22a of the collector electrode 22 exposed in the portion B. The photovoltaic force generated at 24 is taken out in parallel (this is referred to as parallel output means).
このように、集電極２２の幹部２２ａの側断面
をＵ字形に湾曲させてそれによつて形成される空
間の中に別の半導体光活性層１６を設けることに
より、従来技術では集電極を形成したために無効
部分となつてしまつた領域においても有効に光起
電力を発生させることができ、したがつて、面積
効率が向上し、より大きな出力が得られるのであ
る。 In this way, in the prior art, the collector electrode was formed by curving the side section of the main body 22a of the collector electrode 22 into a U-shape and providing another semiconductor photoactive layer 16 in the space formed thereby. Photovoltaic force can be effectively generated even in areas that have otherwise become ineffective areas, resulting in improved area efficiency and greater output.
次に、第３Ａ図〜第３Ｄ図を参照して、この実
施例の光起電力装置１０の製造方法の一例につい
て説明する。 Next, an example of a method for manufacturing the photovoltaic device 10 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 3A to 3D.
まず、第３Ａ図に示すように、絶縁サブストレ
ート１２上に透光性導電層１４を形成する。この
透光性導電層１４としては、たとえば酸化錫、酸
化インジウム、酸化インジウム錫および酸化チタ
ン等が用いられ、これらの酸化物を、たとえば真
空蒸着によつて絶縁サブストレート１２の絶縁主
表面全面に形成する。 First, as shown in FIG. 3A, a transparent conductive layer 14 is formed on an insulating substrate 12. This transparent conductive layer 14 is made of, for example, tin oxide, indium oxide, indium tin oxide, titanium oxide, or the like, and these oxides are applied to the entire insulating main surface of the insulating substrate 12 by, for example, vacuum deposition. Form.
その後、透光性導電層１４上に、絶縁サブスト
レート１２の幅方向のほぼ中央部に、第３Ａ図で
は上方に行く程幅が狭くなるように、たとえばア
モルフアスシリコンからなる半導体光活性層１６
を形成する。この半導体光活性層１６は、たとえ
ば、透光性導電層１４側から順にｐ型層、ｉ型層
およびｎ型層が積層された３層構造のものであ
り、よく知られているように、シランなどのシリ
コン化合物ガスにｐ型あるいはｎ型を決定する不
純物ガスを混合し、その雰囲気中でグロー放電を
発生させることにより形成される。したがつて、
半導体光活性層１６は、非晶質の（アモルフア
ス）シリコンカーバイド、シリコンナイトライド
およびシリコンジルコニウムなどからなる。 Thereafter, a semiconductor photoactive layer 16 made of, for example, amorphous silicon is placed on the light-transmitting conductive layer 14, approximately in the center of the width direction of the insulating substrate 12, so that the width becomes narrower toward the top in FIG. 3A.
form. The semiconductor photoactive layer 16 has, for example, a three-layer structure in which a p-type layer, an i-type layer, and an n-type layer are laminated in order from the transparent conductive layer 14 side, and as is well known, It is formed by mixing a silicon compound gas such as silane with an impurity gas that determines p-type or n-type, and generating glow discharge in the atmosphere. Therefore,
The semiconductor photoactive layer 16 is made of amorphous silicon carbide, silicon nitride, silicon zirconium, or the like.
なお、半導体光活性層１６は、pin接合に限ら
ず、pi，in，pnのヘテロ接合または上述のあるい
はこれらの接合形態を２重、３重に重ねたタンデ
ム接合のものであつてもよい。 Note that the semiconductor photoactive layer 16 is not limited to a pin junction, but may be a pi, in, pn heterojunction, or a tandem junction in which the above-mentioned or these junction forms are stacked double or triple.
また、第３Ａ図に示すように、半導体光活性層
１６の上方部の幅が狭くなつているのは、後述す
るように、集電極２２の集電特性上、集電極幹部
２２ａの幅が上方に行く程狭められるためであ
る。 Further, as shown in FIG. 3A, the width of the upper part of the semiconductor photoactive layer 16 is narrow because, as will be described later, the width of the collector electrode trunk 22a is narrower in the upper part due to the current collection characteristics of the collector electrode 22. This is because the further you go, the narrower the area becomes.
半導体光活性層１６が形成された後、この半導
体光活性層１６上には、同じ幅で全長にわたつ
て、たとえばアルミニウムなどからなる電極層１
８が形成される。 After the semiconductor photoactive layer 16 is formed, an electrode layer 1 made of, for example, aluminum is formed on the semiconductor photoactive layer 16 with the same width and over the entire length.
8 is formed.
その後、第３Ｂ図に示すように、部分Ａにおい
て電極層１８が露出するように、かつ電極層１８
および半導体光活性層１６全体を包むように、絶
縁膜２０を形成する。ここで用いられる絶縁膜２
０の材料としては、たとえば、東レ株式会社製の
“フオトニース”UR3100（商品名）のようなポリ
イミド系の樹脂が考えられる。このような樹脂
は、光起電力装置の製造工程におけるたとえば
400℃程度の温度にも十分耐えることができる。 Thereafter, as shown in FIG. 3B, the electrode layer 18 is exposed in the portion A and the electrode layer 18 is
Then, an insulating film 20 is formed to cover the entire semiconductor photoactive layer 16. Insulating film 2 used here
As the material for 0, for example, a polyimide resin such as "Footnis" UR3100 (trade name) manufactured by Toray Industries, Inc. can be considered. Such resins can be used, for example, in the manufacturing process of photovoltaic devices.
It can withstand temperatures of around 400℃.
絶縁膜２０を形成した後、第３Ｃ図に示すよう
に、絶縁膜２０上に、その一部が透光性導電層１
４に接触するように、いわゆる樹枝状の集電極２
２を形成する。すなわち、部分Ａ近傍を除いた絶
縁膜２０上には、集電極２２の幹部２２ａが形成
される。この幹部２２ａの側断面は第１図で示し
たようにＵ字形であるとともに、その幅は第３Ｃ
図に示すように上方に行く程狭くされている。こ
れは、集電特性を考慮したためである。そして、
幹部２２ａの両側には、等間隔に、透光性導電層
１４上に延びる枝部２２ｂが複数形成される。こ
のような集電極２２の幹部２２ａおよび枝部２２
ｂは、勿論、一体的にパターン形成される。そし
て、集電極２２の材料としては、たとえばアルミ
ニウム、銀および金等の良導体金属が用いられ
る。 After forming the insulating film 20, as shown in FIG.
4, a so-called dendritic collector electrode 2
form 2. That is, the main body 22a of the collector electrode 22 is formed on the insulating film 20 except for the vicinity of the portion A. The side cross section of this trunk 22a is U-shaped as shown in FIG.
As shown in the figure, it becomes narrower as it goes upward. This is because current collection characteristics were considered. and,
A plurality of branch portions 22b extending onto the transparent conductive layer 14 are formed at equal intervals on both sides of the trunk 22a. The trunk 22a and branch portions 22 of such a collector electrode 22
Of course, b is integrally patterned. As the material of the collector electrode 22, for example, a metal with good conductivity such as aluminum, silver, or gold is used.
なお、枝部２２ｂそれ自体の断面をＵ字形に湾
曲させて、その内部に半導体光活性層を形成でき
るようにしてもよいことは勿論である。 It goes without saying that the cross section of the branch portion 22b itself may be curved into a U-shape so that the semiconductor photoactive layer can be formed therein.
集電極２２を形成した後、第３Ｄ図に示すよう
に、集電極２２上および集電極２２を形成してい
ない透光性導電層１４上に、半導体光活性層１６
と同じアモルフアスシリコン化合物からなる半導
体光活性層２４を形成する。ただし、このとき部
分Ａおよび部分Ｂには半導体光活性層２４は形成
されない。したがつて、第３Ｃ図の状態では部分
Ａに露出していた電極層１８は、半導体２４が形
成された後も若干面積が狭められるものの、露出
した状態で残される。 After forming the collector electrode 22, as shown in FIG.
A semiconductor photoactive layer 24 made of the same amorphous silicon compound is formed. However, at this time, the semiconductor photoactive layer 24 is not formed in portions A and B. Therefore, the electrode layer 18, which was exposed in the portion A in the state shown in FIG. 3C, remains exposed even after the semiconductor 24 is formed, although the area is slightly reduced.
次の工程では、半導体光活性層２４上および部
分Ａの電極層１８上に、全面にわたつて電極層２
６を形成する。それによつて、電極層１８と電極
層２６とが部分Ａにおいて接続される。 In the next step, an electrode layer 2 is formed over the entire surface of the semiconductor photoactive layer 24 and the electrode layer 18 in portion A.
form 6. Thereby, electrode layer 18 and electrode layer 26 are connected at portion A.
第４図はこの考案の他の実施例を示す平面図で
あり、この実施例では、絶縁サブストレート１２
上には、それぞれの光起電力セルを規定する長方
形状の複数の透光性導電層１４が相互に分離して
形成される。そして、これらの複数個の透光性導
電層１４上には、中央部に集電極２２がそれぞれ
形成される。なお、この集電極２２も、その側断
面は第１図に示したようにＵ字形に湾曲されてい
て、湾曲によつて形成される集電極２２の内部に
は半導体光活性層１６、電極層１８および絶縁膜
２０（第１図）が形成される。 FIG. 4 is a plan view showing another embodiment of this invention, in which the insulating substrate 12
A plurality of rectangular transparent conductive layers 14 defining each photovoltaic cell are formed thereon and separated from each other. A collector electrode 22 is formed at the center of each of the plurality of transparent conductive layers 14 . The side cross section of this collector electrode 22 is also curved in a U-shape as shown in FIG. 18 and an insulating film 20 (FIG. 1) are formed.
そして、透光性導電層１４および集電極２２を
下方から所定の長さだけ残すようにして、残りの
透光性導電層１４および集電極２２の部分の全面
を覆うように、半導体光活性層２４が形成され
る。最後には、その半導体光活性層２４上にそれ
ぞれのセル毎に分割された、長方形状の電極層２
６が形成される。この電極層２６は、先の実施例
と同じように、部分Ａにおいて、集電極２２内部
に形成された電極層１８とそれぞれ接続される。 Then, a semiconductor photoactive layer is formed so as to leave a predetermined length of the transparent conductive layer 14 and the collector electrode 22 from below, and cover the entire surface of the remaining transparent conductive layer 14 and collector electrode 22. 24 is formed. Finally, on the semiconductor photoactive layer 24, a rectangular electrode layer 2 divided into each cell is formed.
6 is formed. This electrode layer 26 is connected to the electrode layer 18 formed inside the collector electrode 22 at the portion A, as in the previous embodiment.
電極層２６の左下の角の部分が長く引き延ばさ
れ、左隣のセルを構成する透光性導電層１４上に
露出している集電極２２と接続される。したがつ
て、第４図において左端のセルの電極層２６と、
図では示されていないが、一番右端のセルの透光
性導電層１４上の集電極２２との間で、各セルの
半導体光活性層１６および２４によつて発生した
光起電力が直列的に相加されて出力される。この
第４図実施例によれば、出力電圧の大きい光起電
力装置を得ることができる。 The lower left corner portion of the electrode layer 26 is elongated and connected to the collector electrode 22 exposed on the transparent conductive layer 14 constituting the adjacent cell on the left. Therefore, in FIG. 4, the electrode layer 26 of the leftmost cell,
Although not shown in the figure, the photovoltaic force generated by the semiconductor photoactive layers 16 and 24 of each cell is connected in series with the collector electrode 22 on the transparent conductive layer 14 of the rightmost cell. are added together and output. According to the embodiment shown in FIG. 4, a photovoltaic device with a large output voltage can be obtained.
なお、第４図実施例においても、集電極２２と
して、第２図に示す幹部２２ａおよび枝部２２ｂ
を含むようなものを用いることも可能である。 In the embodiment shown in FIG. 4 as well, the trunk 22a and branch portions 22b shown in FIG. 2 are used as the collecting electrode 22.
It is also possible to use something that includes.
第５図はこの考案のその他の実施例を示す平面
図であり、この実施例は、出力電圧を大きくする
だけでなく、出力電流も大きくすることができる
光起電力装置である。そのような目的のために、
この第５図実施例では、１つのセルを規定する透
光性導電層１４上に、それぞれ複数個の集電極２
２を形成している。そして、それぞれのセルの集
電極はその右側のＣ部で連結されているととも
に、このＣ部には右隣の半導体２４上に形成され
た電極層２６が接続されている。また、電極層２
６と集電極２２内に形成されている電極層１８と
は、最上部の集電極の左端に設けられた部分Ａで
接続される。 FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of this invention, and this embodiment is a photovoltaic device that can not only increase the output voltage but also increase the output current. For such purposes,
In the embodiment shown in FIG. 5, a plurality of collector electrodes 2 are provided on the transparent conductive layer 14 defining one cell.
2 is formed. The collecting electrodes of the respective cells are connected to each other by a C section on the right side thereof, and an electrode layer 26 formed on the semiconductor 24 on the right side is connected to this C section. In addition, the electrode layer 2
6 and the electrode layer 18 formed in the collector electrode 22 are connected at a portion A provided at the left end of the uppermost collector electrode.
この第５図実施例では、各セル内に複数の集電
極を設けることによつて出力電流を大きくし、か
つ各セルを直列接続することによつて出力電圧を
大きくしている。 In the embodiment shown in FIG. 5, the output current is increased by providing a plurality of collector electrodes in each cell, and the output voltage is increased by connecting each cell in series.
なお、この考案に用いられる半導体材料として
は、上述のアモルフアス材料の他、微結晶材料の
ような、いわゆる非結晶（non−crystaline）材
料が用いられ得る。 Note that as the semiconductor material used in this invention, in addition to the above-mentioned amorphous material, so-called non-crystalline materials such as microcrystalline materials may be used.
第１図はこの考案の一実施例を示す断面図であ
る。第２図は第１図実施例を示す平面図である。
第３Ａ図〜第３Ｄ図はこの実施例の光起電力装置
の製造方法の一例を工程順に示す平面図解図であ
る。第４図はこの考案の他の実施例を示す平面図
解図である。第５図はこの考案のその他の実施例
を示す平面図解図である。
図において、１２は絶縁サブストレート、１４
は透光性導電層、１６，２４は半導体光活性層、
１８，２６は電極層、２０は絶縁膜、２２は集電
極、２２ａは幹部、２２ｂは枝部を示す。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of this invention. FIG. 2 is a plan view showing the embodiment of FIG. 1.
FIGS. 3A to 3D are plan views showing an example of the method for manufacturing the photovoltaic device of this embodiment in the order of steps. FIG. 4 is an illustrative plan view showing another embodiment of this invention. FIG. 5 is an illustrative plan view showing another embodiment of this invention. In the figure, 12 is an insulating substrate, 14
is a transparent conductive layer, 16 and 24 are semiconductor photoactive layers,
18 and 26 are electrode layers, 20 is an insulating film, 22 is a collector electrode, 22a is a trunk, and 22b is a branch.
Claims (1)
れた透光性導電層、 少なくともその一端が前記透光性導電層上に
接触するように配置され、かつ湾曲した側断面
を有し、その湾曲によつて前記透光性導電層と
の間で空間を形成する集電極、 前記空間内の前記透光性導電層上に形成され
た第１の半導体光活性層、 該第１の半導体光活性層上にあつて上記空間
内に形成された第１の電極層、 前記集電極が形成されていない前記透光性導
電層上に形成された第２の半導体光活性層、 該第２の半導体光活性層上に形成された第２
の電極層、から成ると共に、 上記第１の半導体光活性層と上記第２の半導
体光活性層によつて生じた光起電力を、各々、
上記透光性導電層と上記第１の電極層、上記透
光性導電層と第２の電極層、とから出力する出
力手段を備える、光起電力装置。 ２ 前記出力手段は、上記第１の電極層を第２の
電極層と電気接続することで、前記第１および
第２の半導体光活性層に生じた光起電力を、上
記集電極を共通電極として、上記透光性導電層
と、上記第１の電極層または第２の電極層とで
並列的に出力する並列出力手段を含む、実用新
案登録請求の範囲第１項記載の光起電力装置。 ３ 前記並列出力手段は、前記第１の半導体光活
性層上に形成され、この第１の半導体光活性層
に生じた光起電力を前記集電極との協働によつ
て取り出すための第１の電極層、および 前記第２の半導体光活性層上に形成され、前
記第１の電極層と接続され、かつその第２の半
導体光活性層に生じた光起電力を前記集電極と
の協働によつて取り出すための第２の電極層を
含む、実用新案登録請求の範囲第２項記載の光
起電力装置。 ４ 前記第１の電極層と前記集電極とを絶縁する
ために前記第１の電極層と前記集電極との間に
形成された絶縁層を備える、実用新案登録請求
の範囲第３項記載の光起電力装置。 ５ 前記絶縁層は絶縁性樹脂からなる絶縁膜を含
む、実用新案登録請求の範囲第４項記載の光起
電力装置。 ６ 前記絶縁膜は前記第１の半導体光活性層およ
び前記第１の電極層を被うように形成される、
実用新案登録請求の範囲第５項記載の光起電力
装置。 ７ 前記集電極は、前記透光性サブストレートの
長さ方向に延びるかつ比較的幅広の第１部分お
よび前記第１部分の両側から前記透光性サブス
トレートの幅方向に延びるかつ比較的幅狭の第
２部分を含む、実用新案登録請求の範囲第１項
ないし第６項のいずれかに記載に光起電力装
置。 ８ 前記第１部分の側断面が湾曲され、それによ
つて前記空間は前記第１部分によつて形成され
る、実用新案登録請求の範囲第７項記載の光起
電力装置。 ９ 前記透光性導電層は前記透光性のサブストレ
ート上に形成されるべき光起電力セル毎に分離
して形成され、前記集電極は各光起電力セルを
規定する各透光性導電層上に形成される、実用
新案登録請求の範囲第１項ないし第８項のいず
れかに記載の光起電力装置。 10 前記各光起電力セルを、相隣接する一方の光
起電力セルの前記集電極と、他方の光起電力セ
ルの前記透光性導電層とを接続し、上記各光起
電力セルを直列接続した、実用新案登録請求の
範囲第９項記載の光起電力装置。 11 前記第１および第２の半導体光活性層はアモ
ルフアス材料、微結晶材料などの非結晶質材料
からなる、実用新案登録請求の範囲第１項ない
し第10項のいずれかに記載の光起電力装置。 12 前記第２の半導体光活性層は前記集電極上に
も形成される、実用新案登録請求の範囲第11項
記載の光起電力装置。[Claims for Utility Model Registration] 1. A transparent substrate having an insulating surface, a transparent conductive layer formed on the insulating surface of the substrate, at least one end of which is in contact with the transparent conductive layer. a collector electrode, which is arranged so as to have a curved side cross section, and forms a space between the collector electrode and the transparent conductive layer due to the curvature; formed on the transparent conductive layer in the space; a first semiconductor photoactive layer formed on the first semiconductor photoactive layer, a first electrode layer formed in the space above the first semiconductor photoactive layer, and a first electrode layer formed on the transparent conductive layer on which the collector electrode is not formed. a second semiconductor photoactive layer formed on the second semiconductor photoactive layer;
and a photovoltaic force generated by the first semiconductor photoactive layer and the second semiconductor photoactive layer, respectively.
A photovoltaic device comprising an output means for outputting from the light-transmitting conductive layer and the first electrode layer, and the light-transmitting conductive layer and the second electrode layer. 2. The output means electrically connects the first electrode layer with a second electrode layer to transfer the photovoltaic force generated in the first and second semiconductor photoactive layers to the collector electrode and the common electrode. The photovoltaic device according to claim 1, which includes a parallel output means for outputting the light-transmitting conductive layer and the first electrode layer or the second electrode layer in parallel. . 3. The parallel output means is formed on the first semiconductor photoactive layer, and is configured to take out the photovoltaic force generated in the first semiconductor photoactive layer by cooperation with the collector electrode. an electrode layer formed on the second semiconductor photoactive layer, connected to the first electrode layer, and configured to collect the photovoltaic force generated in the second semiconductor photoactive layer in cooperation with the collector electrode. 3. The photovoltaic device according to claim 2, comprising a second electrode layer for removal by activation. 4. The utility model according to claim 3, comprising an insulating layer formed between the first electrode layer and the collector electrode to insulate the first electrode layer and the collector electrode. Photovoltaic device. 5. The photovoltaic device according to claim 4, wherein the insulating layer includes an insulating film made of an insulating resin. 6. The insulating film is formed to cover the first semiconductor photoactive layer and the first electrode layer,
A photovoltaic device according to claim 5 of the utility model registration claim. 7. The collector electrode includes a first portion that extends in the length direction of the transparent substrate and has a relatively wide width, and a relatively narrow first portion that extends in the width direction of the transparent substrate from both sides of the first portion. The photovoltaic device according to any one of claims 1 to 6, comprising a second part of the invention. 8. The photovoltaic device according to claim 7, wherein the first portion has a curved side cross section, so that the space is defined by the first portion. 9. The light-transmitting conductive layer is formed separately for each photovoltaic cell to be formed on the light-transmitting substrate, and the collecting electrode is formed on each light-transmitting conductive layer defining each photovoltaic cell. A photovoltaic device according to any one of claims 1 to 8, which is formed on a layer. 10 The photovoltaic cells are connected in series by connecting the collecting electrode of one adjacent photovoltaic cell and the transparent conductive layer of the other photovoltaic cell. A photovoltaic device according to claim 9 of the utility model registration, which is connected to the photovoltaic device. 11. The photovoltaic device according to any one of claims 1 to 10, wherein the first and second semiconductor photoactive layers are made of a non-crystalline material such as an amorphous material or a microcrystalline material. Device. 12. The photovoltaic device according to claim 11, wherein the second semiconductor photoactive layer is also formed on the collector electrode.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17632986U JPH0514523Y2 (en) | 1986-11-17 | 1986-11-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17632986U JPH0514523Y2 (en) | 1986-11-17 | 1986-11-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380866U JPS6380866U (en) | 1988-05-27 |
| JPH0514523Y2 true JPH0514523Y2 (en) | 1993-04-19 |
Family
ID=31116470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17632986U Expired - Lifetime JPH0514523Y2 (en) | 1986-11-17 | 1986-11-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0514523Y2 (en) |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP17632986U patent/JPH0514523Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6380866U (en) | 1988-05-27 |
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