JPH05144063A - Optical information recording and reproducing device - Google Patents

Optical information recording and reproducing device

Info

Publication number
JPH05144063A
JPH05144063A JP3306017A JP30601791A JPH05144063A JP H05144063 A JPH05144063 A JP H05144063A JP 3306017 A JP3306017 A JP 3306017A JP 30601791 A JP30601791 A JP 30601791A JP H05144063 A JPH05144063 A JP H05144063A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
circuit
monitor
information recording
drive circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3306017A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mamoru Ebina
守 蝦名
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP3306017A priority Critical patent/JPH05144063A/en
Publication of JPH05144063A publication Critical patent/JPH05144063A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To provide an optical memory device which has the circuit simplified and has a high reliability by resolving the problem that a semiconductor laser monitor circuit of the optical memory device is complicated because of a need of two monitor circuits for monitor of the current flowing to a semiconductor laser itself and for monitor of reflected light of light emitted from the semiconductor laser and the problem that the reliability of the monitor circuit is reduced because of an occasional failure of proportion between the light emission level of the semiconductor laser and the operation current. CONSTITUTION:The optical memory device uses a voltage drop detecting circuit 102 and detects the voltage drop of a semiconductor laser drive circuit 101 to detect the operation current flowing to the semiconductor laser and compares this detection output with a reference signal 115 to monitor the operation state of the semiconductor laser.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光学式情報記録再生装
置に関する。更に詳しくは、半導体レーザーの動作保護
回路の改良構成に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording / reproducing apparatus. More specifically, it relates to an improved configuration of a semiconductor laser operation protection circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】光学式情報記録再生装置において、情報
を記録再生するために、半導体レーザーを用いる。この
半導体レーザーは、ノイズや静電気等の外乱に弱く破壊
しやすい。しかも、光ディスクへの情報の記録時には、
動作電流の最大値近くで使用するので、半導体レーザー
に流れる動作電流の異常を監視するための回路が必要に
なる。
2. Description of the Related Art In an optical information recording / reproducing apparatus, a semiconductor laser is used for recording / reproducing information. This semiconductor laser is vulnerable to disturbances such as noise and static electricity and is easily destroyed. Moreover, when recording information on the optical disc,
Since the device is used near the maximum value of the operating current, a circuit for monitoring the abnormality of the operating current flowing through the semiconductor laser is required.

【0003】従来の異常動作監視回路では、半導体レー
ザー自身に流れる電流と半導体レーザー光の照射パワー
(光ディスクからの反射光)の二つの検出手段によっ
て、半導体レーザーを監視していた。
In the conventional abnormal operation monitoring circuit, the semiconductor laser is monitored by two detecting means, that is, the current flowing through the semiconductor laser itself and the irradiation power of the semiconductor laser light (reflected light from the optical disk).

【0004】図3に、従来の光学式情報記録再生装置に
おける半導体レーザーの異常動作の監視回路を示す。光
センサー120は、半導体レーザーの光ディスクからの
反射光を検出するための手段である。半導体レーザー1
05からレーザー光を照射し、光ディスクによって反射
された光130を、光センサー120が検出する。検出
した信号131は、第1の電流−電圧検出回路121に
よって電圧に変換される。変換された検出信号132
は、第1の比較器123で、第1の基準信号133と比
較され、半導体レーザーの異常状態(異常発光)を検出
する。一方、半導体レーザー105に供給される電流1
35は、第2の電流ー電圧検出回路122によって、電
圧に変換される。変換された検出信号135は、第2の
比較器124で、第2の基準信号137と比較され、半
導体レーザーに流れる異常電流を検出する。第1の比較
器123の出力134と第2の比較器124の出力13
8は、共に、半導体レーザー制御回路104に供給され
る。半導体レーザー制御回路104は、どちらかの比較
器の出力が基準信号のレベルを越えた場合、半導体レー
ザーが異常状態であると認識し、リセット信号114を
出力し、半導体レーザー駆動回路101を遮断する。こ
の二つの検出手段によって、半導体レーザーの異常状態
を監視し保護している。
FIG. 3 shows a monitoring circuit for abnormal operation of a semiconductor laser in a conventional optical information recording / reproducing apparatus. The optical sensor 120 is means for detecting the reflected light from the optical disk of the semiconductor laser. Semiconductor laser 1
The optical sensor 120 detects the light 130 reflected from the optical disk by irradiating the laser light from 05. The detected signal 131 is converted into a voltage by the first current-voltage detection circuit 121. Converted detection signal 132
Is compared with the first reference signal 133 by the first comparator 123 to detect an abnormal state (abnormal light emission) of the semiconductor laser. On the other hand, the current 1 supplied to the semiconductor laser 105
35 is converted into a voltage by the second current-voltage detection circuit 122. The converted detection signal 135 is compared with the second reference signal 137 by the second comparator 124 to detect an abnormal current flowing through the semiconductor laser. The output 134 of the first comparator 123 and the output 13 of the second comparator 124
Both are supplied to the semiconductor laser control circuit 104. When the output of either comparator exceeds the level of the reference signal, the semiconductor laser control circuit 104 recognizes that the semiconductor laser is in an abnormal state, outputs the reset signal 114, and shuts off the semiconductor laser drive circuit 101. .. These two detecting means monitor and protect the abnormal state of the semiconductor laser.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この方法は、半導体レーザーの異常発光と、半導体レー
ザーに供給される異常電流と、2種類の異常時について
検出しなければならないため、監視回路が煩雑になる。
しかも、半導体レーザーの発光レベルと動作電流が、必
ずしも比例しないために、半導体レーザーの異常状態を
確実に検出できず、時には、半導体レーザーを破壊する
恐れがある。
However, in this conventional method, it is necessary to detect abnormal light emission of the semiconductor laser, an abnormal current supplied to the semiconductor laser, and two types of abnormal times. It becomes complicated.
Moreover, since the emission level of the semiconductor laser and the operating current are not necessarily proportional to each other, an abnormal state of the semiconductor laser cannot be reliably detected, and the semiconductor laser may sometimes be destroyed.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の光学式情報記録
再生装置は、半導体レーザーを用いて、情報の記録・再
生、及び、消去を行う光学式情報記録再生装置におい
て、 a)半導体レーザーを電源のON/OFFによるノイズ
から保護するために、半導体レーザー駆動回路の電源
は、他の電源系から分離され、コントロール回路によっ
て、ON/OFFされており、しかも、半導体レーザー
駆動回路の消費電流は、そのほとんどを半導体レーザー
自身が消費している事に着目し、半導体レーザー駆動回
路の電圧降下を利用して、半導体レーザーに流れる異常
電流を検出する電流検出手段と、 b)前記電流検出手段の出力を基準レベルと比較する比
較器と、 c)比較器のレベルによって、半導体レーザー駆動回路
を遮断する遮断回路とからなる事を特徴とする。
The optical information recording / reproducing apparatus of the present invention is an optical information recording / reproducing apparatus for recording / reproducing and erasing information by using a semiconductor laser. The power supply of the semiconductor laser drive circuit is separated from other power supply systems and turned on / off by the control circuit in order to protect it from noise caused by turning the power supply on / off, and the current consumption of the semiconductor laser drive circuit is low. Paying attention to the fact that most of them are consumed by the semiconductor laser itself, current detecting means for detecting an abnormal current flowing through the semiconductor laser by utilizing the voltage drop of the semiconductor laser drive circuit, and b) the current detecting means. It consists of a comparator that compares the output with a reference level, and c) a cutoff circuit that cuts off the semiconductor laser drive circuit depending on the level of the comparator. Things and said.

【0007】[0007]

【実施例】以下図面に基づいて、本発明の実施例につい
て説明する。図中従来例と同じものについては同一番号
で示してある。図1は、本発明の光学式情報記録再生装
置の構成を示すブロック図である。半導体レーザー駆動
回路101は、端子106から供給された電圧110を
ブーストし、半導体レーザーの駆動電源として安定した
電源を得るための電源ブースト回路と、半導体レーザー
の駆動電源のON/OFFを他の電源のON/OFF動
作から分離させるための半導体レーザーリセット回路か
ら構成されている。半導体レーザー駆動回路101は、
半導体レーザー制御回路104からのリセット信号11
4を受けて、半導体レーザー105に駆動電源116を
供給する。電圧降下検出回路102は、半導体レーザー
駆動電源の電圧降下111を検出し、その電圧降下前の
駆動電源電圧(基準電圧)との間で差動増幅する。差動
増幅された信号112は、比較器103によって、端子
107から供給された基準信号115と比較される。差
動増幅信号112が、基準信号115より大きな値を示
した場合、半導体レーザーの動作異常として、比較器1
03は異常検出信号113を出力する。異常検出信号1
13を受け取った半導体レーザー制御回路104は、半
導体レーザーリセット信号114を出力し、半導体レー
ザー駆動回路101を遮断し、半導体レーザーを保護す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the figure, the same parts as those in the conventional example are indicated by the same reference numerals. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the optical information recording / reproducing apparatus of the present invention. The semiconductor laser driving circuit 101 boosts the voltage 110 supplied from the terminal 106 to obtain a stable power source as a semiconductor laser driving power source, and a semiconductor laser driving power source for turning ON / OFF the other power source. It is composed of a semiconductor laser reset circuit for separating from the ON / OFF operation of. The semiconductor laser drive circuit 101 is
Reset signal 11 from the semiconductor laser control circuit 104
Upon receipt of 4, the driving power supply 116 is supplied to the semiconductor laser 105. The voltage drop detection circuit 102 detects the voltage drop 111 of the semiconductor laser drive power supply and differentially amplifies it with the drive power supply voltage (reference voltage) before the voltage drop. The differentially amplified signal 112 is compared with the reference signal 115 supplied from the terminal 107 by the comparator 103. When the differentially amplified signal 112 shows a value larger than the reference signal 115, it is determined that the semiconductor laser is operating abnormally, and the comparator 1
03 outputs the abnormality detection signal 113. Abnormality detection signal 1
The semiconductor laser control circuit 104 that has received 13 outputs the semiconductor laser reset signal 114, shuts off the semiconductor laser drive circuit 101, and protects the semiconductor laser.

【0008】図2は、本発明の光学式情報記録再生装置
の実施例の回路図である。図中点線で囲った部分101
が、半導体レーザー駆動回路、102が電圧降下検出回
路である。半導体レーザー駆動回路101について説明
する。この回路は電源ブースト回路と半導体レーザーリ
セット回路から構成されている。電源ブースト回路は、
オペアンプ150、トランジスタ151、抵抗152と
コンデンサ153によって構成され、端子106に入力
された電源電圧110をオペアンプ150とトランジス
タ151によってブーストし安定化される。半導体レー
ザーリセット回路は、トランジスタ156、157、ダ
イオード154、抵抗155によって構成されている。
半導体レーザー制御回路104より出力されたリセット
信号114によって、トランジスタ156、157を切
り換え、半導体レーザーの駆動電源電圧をON/OFF
する。ダイオード154は、半導体レーザーの駆動電源
がOFFした時に回路内に残っている余分な電圧を放出
する。
FIG. 2 is a circuit diagram of an embodiment of the optical information recording / reproducing apparatus of the present invention. Part 101 surrounded by a dotted line in the figure
Is a semiconductor laser drive circuit, and 102 is a voltage drop detection circuit. The semiconductor laser drive circuit 101 will be described. This circuit is composed of a power boost circuit and a semiconductor laser reset circuit. The power boost circuit
It is composed of an operational amplifier 150, a transistor 151, a resistor 152, and a capacitor 153, and the power supply voltage 110 input to the terminal 106 is boosted and stabilized by the operational amplifier 150 and the transistor 151. The semiconductor laser reset circuit is composed of transistors 156, 157, a diode 154, and a resistor 155.
A reset signal 114 output from the semiconductor laser control circuit 104 switches the transistors 156 and 157 to turn on / off the driving power supply voltage of the semiconductor laser.
To do. The diode 154 emits an extra voltage remaining in the circuit when the semiconductor laser drive power is turned off.

【0009】次に、電圧降下検出回路102について説
明する。半導体レーザー105に電流が流れた場合、微
小抵抗(数Ω程度)158の両端166、167に現れ
る電圧に差が生ずる。その電圧差を知ることによって、
半導体レーザーに流れている電流値を知ることができ
る。その電流値は以下のように表すことができる。
Next, the voltage drop detection circuit 102 will be described. When a current flows through the semiconductor laser 105, the voltages appearing at both ends 166 and 167 of the minute resistor (about several Ω) 158 differ from each other. By knowing the voltage difference,
It is possible to know the current value flowing in the semiconductor laser. The current value can be expressed as follows.

【0010】(V0 − VL)・RD = IL ただし、V0:基準電源電圧(端子166に現れる電
圧) VL:電圧降下後の電圧(端子167に現れる電圧) RD:抵抗158の抵抗値 IL:半導体レーザーに流れている電流値 とする。
(V 0 −V L ) · R D = I L where V 0 : reference power supply voltage (voltage appearing at terminal 166) VL : voltage after voltage drop (voltage appearing at terminal 167) RD : resistance The resistance value I L of 158 is the current value flowing in the semiconductor laser.

【0011】ここでは、この抵抗158の両端166、
167に現れる電圧差をオペアンプ165によって差動
増幅し、より顕著に検出する。ここで、オペアンプ16
5、抵抗159、160、162,164とコンデンサ
161,163は、差動増幅器を構成している。抵抗1
59,162(抵抗160,164)の比によって差動
増幅器の増幅度を決定する。
Here, both ends 166 of the resistor 158 are
The voltage difference appearing at 167 is differentially amplified by the operational amplifier 165 to detect it more significantly. Here, the operational amplifier 16
5, the resistors 159, 160, 162 and 164 and the capacitors 161 and 163 form a differential amplifier. Resistance 1
The amplification factor of the differential amplifier is determined by the ratio of 59, 162 (resistors 160, 164).

【0012】オペアンプ165より出力された信号11
2は、比較器103に入力され、端子107から供給さ
れる基準信号115と比較される。差動出力信号112
が基準信号115より大きな値を示した場合、比較器1
03は半導体レーザーに異常電流が流れたとして、異常
検出信号113を出力する。この異常検出信号を受け取
った半導体レーザー制御回路104は半導体レーザーリ
セット信号114を出力(実際は、リセット信号をOF
Fする。)することによって、トランジスタ156,1
57を切り換え、半導体レーザー駆動回路101を遮断
し、半導体レーザー105の動作を止め保護する。
The signal 11 output from the operational amplifier 165
2 is input to the comparator 103 and compared with the reference signal 115 supplied from the terminal 107. Differential output signal 112
Is larger than the reference signal 115, the comparator 1
Reference numeral 03 outputs an abnormality detection signal 113, assuming that an abnormal current has flown into the semiconductor laser. The semiconductor laser control circuit 104 receiving this abnormality detection signal outputs the semiconductor laser reset signal 114 (actually, the reset signal is OF
F ) Is performed by the transistors 156, 1
57 is switched, the semiconductor laser drive circuit 101 is cut off, and the operation of the semiconductor laser 105 is stopped and protected.

【0013】[0013]

【発明の効果】以上で述べたように、本発明によれば半
導体レーザー駆動回路の電圧降下を監視することによっ
て、半導体レーザーに流れる異常電流を監視することが
できる。その結果、従来の半導体レーザー自身に流れる
電流の監視と半導体レーザーから出射された光の反射光
の監視の2つの監視回路を要していた回路とは異なり、
半導体レーザーの監視回路を簡素化する事ができる。し
かも、半導体レーザーに流れる動作電流を総合的にとら
えることが可能となるため、監視誤差がほとんどなく、
より確実に監視することが可能となる。よって、監視回
路が大幅に削減でき、信頼性が向上する。
As described above, according to the present invention, the abnormal current flowing through the semiconductor laser can be monitored by monitoring the voltage drop of the semiconductor laser drive circuit. As a result, unlike the conventional circuit that requires two monitoring circuits for monitoring the current flowing through the semiconductor laser itself and for monitoring the reflected light of the light emitted from the semiconductor laser,
It is possible to simplify the semiconductor laser monitoring circuit. Moreover, since it is possible to comprehensively capture the operating current flowing through the semiconductor laser, there is almost no monitoring error,
It becomes possible to monitor more reliably. Therefore, the number of monitoring circuits can be significantly reduced, and the reliability is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の光メモリ装置の構成を示すブロック
図。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an optical memory device of the present invention.

【図2】 本発明の実施例である光メモリ装置の回路
図。
FIG. 2 is a circuit diagram of an optical memory device that is an embodiment of the present invention.

【図3】 従来の光メモリ装置の構成を示すブロック
図。
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a conventional optical memory device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 半導体レーザー駆動回路 102 電圧降下検出回路 103 比較器 104 半導体レーザー制御回路 105 半導体レーザー 115 基準比較信号 156 高速トランジスタ 157 高速トランジスタ 165 高速オペアンプ 101 semiconductor laser drive circuit 102 voltage drop detection circuit 103 comparator 104 semiconductor laser control circuit 105 semiconductor laser 115 reference comparison signal 156 high speed transistor 157 high speed transistor 165 high speed operational amplifier

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザーを用いて、情報の記録、
再生及び、消去を行う光学式情報記録再生装置におい
て、 a)半導体レーザーを電源のON/OFFによるノイズ
から保護するために、半導体レーザー駆動回路の電源
は、他の電源系から分離され、コントロール回路によっ
てON/OFFされており、しかも、半導体レーザー駆
動回路の消費電流は、そのほとんどを半導体レーザー自
身が消費している事に着目し、半導体レーザー駆動回路
の電圧降下を利用して、半導体レーザーに流れる異常電
流を検出する電流検出手段と、 b)前記電流検出手段の出力を基準レベルと比較する比
較器と、 c)比較器のレベルによって、半導体レーザー駆動回路
を遮断する遮断回路を有することを特徴とする光学式情
報記録再生装置。
1. Recording of information using a semiconductor laser,
In an optical information recording / reproducing apparatus for reproducing and erasing, a) In order to protect a semiconductor laser from noise caused by turning on / off a power source, a power source of a semiconductor laser driving circuit is separated from other power source system and a control circuit is provided. It is turned on and off by the semiconductor laser drive circuit, and the current consumption of the semiconductor laser drive circuit is mostly consumed by the semiconductor laser itself. A current detection means for detecting an abnormal current flowing, b) a comparator for comparing the output of the current detection means with a reference level, and c) a cutoff circuit for cutting off the semiconductor laser drive circuit according to the level of the comparator. A characteristic optical information recording / reproducing device.
JP3306017A 1991-11-21 1991-11-21 Optical information recording and reproducing device Pending JPH05144063A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3306017A JPH05144063A (en) 1991-11-21 1991-11-21 Optical information recording and reproducing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3306017A JPH05144063A (en) 1991-11-21 1991-11-21 Optical information recording and reproducing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05144063A true JPH05144063A (en) 1993-06-11

Family

ID=17952082

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3306017A Pending JPH05144063A (en) 1991-11-21 1991-11-21 Optical information recording and reproducing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05144063A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002056433A1 (en) * 2000-12-27 2002-07-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solid-state laser

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002056433A1 (en) * 2000-12-27 2002-07-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Solid-state laser

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4713819A (en) Semiconductor laser driver
US7701158B2 (en) Fan system and speed detecting device thereof
JPS61265883A (en) Semiconductor laser driving device
JPH0330130A (en) Semiconductor laser drive circuit
US4203137A (en) Dual mode read preamplifier with electrical short detector
JPH05144063A (en) Optical information recording and reproducing device
JPS58161156A (en) Optical disck device
US7599412B2 (en) Method and electronic circuit for controlling of a supply voltage of a laser diode
JP2724522B2 (en) Laser diode protection circuit
JPH088478A (en) Ld driving current limiting circuit
JP3097424U (en) Optical disk drive
JPH0544627B2 (en)
JP2003289172A (en) Light output control circuit for semiconductor laser
JPH0727657B2 (en) Optical disk drive light source drive
EP1450455B1 (en) Method and electronic circuit for controlling of a supply voltage of a laser diode
JP2500714B2 (en) Solenoid abnormality detection circuit
JPH0452634B2 (en)
JP2672951B2 (en) Switching drive circuit
JPH05110175A (en) Semiconductor laser control device
JPH0314925Y2 (en)
JPH05146048A (en) Load drive circuit
JPS62129941A (en) Optical disk device
JPS60156217A (en) Leakage detector circuit
JPS62298939A (en) Optical disk device
JPS6238505A (en) Recording abnormality detecting circuit for magnetic recording medium