JPH05142202A - Method and apparatus for analyzing gas - Google Patents

Method and apparatus for analyzing gas

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JPH05142202A
JPH05142202A JP3310411A JP31041191A JPH05142202A JP H05142202 A JPH05142202 A JP H05142202A JP 3310411 A JP3310411 A JP 3310411A JP 31041191 A JP31041191 A JP 31041191A JP H05142202 A JPH05142202 A JP H05142202A
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JP
Japan
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gas
monosilane
moisture
water
phase
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JP3310411A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Irie
隆史 入江
Yasuhiro Mitsui
泰裕 三井
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To obtain a method and an apparatus for analyzing a minute amount of gaseous-phase moisture contained in monosilane gas. CONSTITUTION:A gas pipe for introducing monosilane gas and a pipe for introducing the gas containing the constant concentration of gaseous-phase moisture are connected. The two kinds of the gases are mixed and introduced into an analyzer 15. In the introducing pipe of the monosilane gas 1, the part, wherein a moisture removing means such as adsorbent 6 is provided, and a bypass pipe 7, which does not pass the moisture removing means, are provided. When a calibration curve is measured, the monosilane gas 1 is supplied through the moisture removing means. When an atmospheric-pressure ionization mass spectrometer 15 is used, the cluster ions of monosilane water (the raio between the mass number and the electric charge is 49 and the like) is used for the reference of the calibration curve. Therefore, when the atmospheric-pressure ionization mass spectrometer is used, the concentration of the gaseous phase moisture can be analyzed quickly and highly sensitively.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、シリコン半導体デバイ
ス材料として不可欠なモノシランガスの純度分析に関わ
り、特にモノシランガスに含まれる微量の気相水分の分
析法を提供するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a purity analysis of monosilane gas which is indispensable as a silicon semiconductor device material, and in particular, provides an analysis method of a trace amount of gas phase water contained in monosilane gas.

【0002】[0002]

【従来の技術】窒素、アルゴン等のように製造装置のパ
ージや材料ガス成分のキャリアガスとして使用されてい
るガスについては、大気圧イオン化質量分析計と微量の
水分を制御された濃度で気相中に発生させる水分発生手
段とを組み合わせることによって、1ppbかそれ以下
まで微量の気相水分の定量が可能になっている。この点
に関しては、プロシーディグズ・オブ・マイクロコンタ
ミネーション・コンファレンス・アンド・エクスポジシ
ョン 1991年 168頁から180頁(Proc.of mic
rocontamination Conf. & Expo. 1991, pp.168-180)に
記載されている。
2. Description of the Related Art Gases such as nitrogen and argon that are used as a carrier gas for purging manufacturing equipment or as a material gas component are gas phase ionization mass spectrometers and trace amounts of water at controlled concentrations. By combining with a water generating means to be generated inside, it is possible to quantify a minute amount of gas phase water up to 1 ppb or less. In this regard, the Proceedings of Microcontamination Conference and Exposition, 1991, pp. 168-180 (Proc. Of mic
rocontamination Conf. & Expo. 1991, pp.168-180).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記従来例において
は、モノシランガスについては、質量スペクトルが知ら
れておらず、気相水分濃度の検量線の基準となるイオン
が決定されていなかった。そのため、当然検量線の測定
例もなかった。また、モノシランガスは、大気圧イオン
化質量分析計のイオン源でコロナ放電によってイオン化
される時、同時に固体の反応生成物を発生する。これが
イオン源の内部に堆積することによって、放電の不安定
化を招くため、長時間にわたる連続測定が難しいという
問題があった。また、検量線を測定するときには、濃度
が決定された微量の気相水分を、モノシランガス中に混
合する必要がある。しかし、上記の従来の水分発生技術
では、ガスの気流中に水だめを設置するため、モノシラ
ンが水だめの水と反応を起こしてしまい、危険であるだ
けでなく、正確な水分発生が困難であるという問題があ
った。
In the above-mentioned conventional examples, the mass spectrum of monosilane gas is not known, and the ion serving as the reference of the calibration curve of the vapor phase water concentration has not been determined. Therefore, naturally, there was no measurement example of the calibration curve. Also, the monosilane gas simultaneously generates a solid reaction product when it is ionized by corona discharge in the ion source of the atmospheric pressure ionization mass spectrometer. When this is deposited inside the ion source, the discharge becomes unstable, and there is a problem that continuous measurement for a long time is difficult. Further, when measuring the calibration curve, it is necessary to mix a small amount of vapor-phase water, the concentration of which has been determined, into the monosilane gas. However, in the above conventional moisture generation technology, since the sump is installed in the gas stream, monosilane reacts with the water in the sump, which is not only dangerous but also difficult to generate accurate moisture. There was a problem that there was.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】発明者は、大気圧イオン
化質量分析計を用いた場合、モノシランと水のクラスタ
イオンが検出され、そのイオン強度がモノシランガス中
の水分濃度によって決定されることを見出した。このイ
オンを気相水分濃度の検量線の基準イオンにすることに
より、上記課題は解決される。また、検量線を測定する
時には、水と反応しないガスをキャリアガスとして利用
し、水分発生手段に流すことによって気相水分を含有さ
せ、そのガスをモノシランガスに混合させることにすれ
ば、モノシランガスを直接水だめに接触させなくてす
む。従って、安定にかつ精度よくモノシランガス中に微
量の気相水分を添加できる。また、キャリアガスによっ
てモノシランガスが希釈されるため、イオン源内への反
応生成物の堆積が低減され、安定に測定可能な時間を延
ばすことができる。
The inventor has found that when an atmospheric pressure ionization mass spectrometer is used, cluster ions of monosilane and water are detected and the ionic strength thereof is determined by the water concentration in the monosilane gas. It was The above problem can be solved by using this ion as the reference ion of the calibration curve of the vapor phase water concentration. Further, when measuring a calibration curve, a gas that does not react with water is used as a carrier gas, and gas phase water is contained by flowing it through a water generating means, and the gas is mixed with monosilane gas, so that the monosilane gas is directly supplied. You don't have to touch the sump. Therefore, a small amount of vapor phase water can be added to the monosilane gas stably and accurately. In addition, since the monosilane gas is diluted with the carrier gas, the deposition of reaction products in the ion source is reduced, and the stable measurable time can be extended.

【0005】[0005]

【作用】本発明によって、モノシランガスに含まれる気
相水分は以下のようにして分析される。以下、<A+>
は、Aという原子の正イオンを表わすものと約束する。
モノシランのガスを水分を除去する手段に通過させて、
含まれている気相水分を除去する。ついで、その水分を
除去したモノシランガスに、気相水分を一定濃度含んだ
ガスを混合して、大気圧イオン化質量分析計に導入し、
質量スペクトルを測定する。発明者は、気相水分を含む
ガスとして水素ガスを使用した場合、<SiH32O+
>、<SiH3(H2O)2+>が生成されることを見出
した。これらのイオンは、モノシランと水のクラスタイ
オンである。特に、<SiH32O+>は水1分子を含
む構造であるので、その強度は気相水分濃度に比例して
増加することが理論的に予想されるが、発明者は、図2
に示すように、実験的にその比例関係を確認した。<S
iH32O+>に限らず、モノシランと水のクラスタイ
オンの強度は気相水分濃度に相関して変化するため、検
量線の基準イオンとして利用できる。
According to the present invention, the vapor phase water content contained in monosilane gas is analyzed as follows. Below, <A +>
Promises to represent the positive ion of the atom A.
Pass the monosilane gas through a means to remove water,
Remove contained gas phase water. Then, the monosilane gas from which the water was removed was mixed with a gas containing a certain concentration of water in the gas phase and introduced into the atmospheric pressure ionization mass spectrometer,
Measure the mass spectrum. The inventors have found that when hydrogen gas is used as the gas containing vapor phase water, <SiH 3 H 2 O +
>, <SiH 3 (H 2 O) 2 +> was found. These ions are cluster ions of monosilane and water. In particular, since <SiH 3 H 2 O +> has a structure containing one molecule of water, it is theoretically expected that its strength will increase in proportion to the vapor phase water concentration.
As shown in, the proportional relationship was confirmed experimentally. <S
Not only iH 3 H 2 O +>, but the cluster ion intensities of monosilane and water change in correlation with the gas-phase water concentration, so that they can be used as reference ions for the calibration curve.

【0006】検量線作成時においては、水分発生手段に
は水と反応しないキャリアガスを導入し、微量の気相水
分を混合した後に、モノシランガスと混合する。この方
法によって、水分発生装置で水とモノシランが反応して
二酸化珪素が発生する問題が避けられる。さらに、大気
圧イオン化質量分析計は高感度なので、希釈しても微量
不純物の検出が可能であること、および迅速分析が可能
であることから、モノシランのガスの使用量が少なくて
すみ、経済的である。以下、分析方法を実施例で具体的
に説明する。
At the time of preparing a calibration curve, a carrier gas that does not react with water is introduced into the water generating means, and a small amount of vapor phase water is mixed, and then mixed with monosilane gas. This method avoids the problem of water and monosilane reacting in the water generator to generate silicon dioxide. Furthermore, since the atmospheric pressure ionization mass spectrometer has high sensitivity, trace impurities can be detected even when diluted, and rapid analysis is possible, so the amount of monosilane gas used is small and economical. Is. Hereinafter, the analysis method will be specifically described in Examples.

【0007】[0007]

【実施例】本発明の一実施例を図1によって説明する。
分析対象のモノシランガス1は、ボンベ2から取り出さ
れ、圧力調整器3によって圧力が、流量コントローラ4
で流量が調整されたあと、流路切り換えバルブ5によっ
て、吸着剤6を通過する配管またはバイパス管7のどち
らかに流れる。一方、一定濃度の気相水分を含むガス1
3は、未精製の希釈用ガス8を純化器9で精製して得ら
れるガス11を用い、流量コントローラ10で流量を調
整したあと、水分発生装置12を通過させることによっ
て調製される。ガス1とガス13は混合されて混合ガス
14となり、分析器15に導入される。分析器15を通
ったガスは排気される(排気ガス16)。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The monosilane gas 1 to be analyzed is taken out from the cylinder 2, and the pressure is adjusted by the pressure regulator 3 to the flow controller 4
After the flow rate is adjusted by, the flow path switching valve 5 allows the adsorbent 6 to flow through either the pipe or the bypass pipe 7. On the other hand, gas 1 containing a certain concentration of vapor phase water
3 is prepared by using the gas 11 obtained by purifying the unpurified diluting gas 8 with the purifier 9, adjusting the flow rate with the flow rate controller 10, and then allowing the water to pass through the water generator 12. The gas 1 and the gas 13 are mixed to form a mixed gas 14, which is introduced into the analyzer 15. The gas that has passed through the analyzer 15 is exhausted (exhaust gas 16).

【0008】水分発生装置12としては、例えば従来例
(図4)で示されている装置を用いることができる。水
分発生装置12から分析器15までは、ヒータ等の温度
保持手段17によって、約120℃から150℃に保持
する。これは、気相水分が配管内面に吸着することによ
る、気相水分濃度の精度の低下を防止するためである。
As the moisture generator 12, for example, the device shown in the conventional example (FIG. 4) can be used. The temperature from the moisture generator 12 to the analyzer 15 is maintained at about 120 ° C. to 150 ° C. by the temperature maintaining means 17 such as a heater. This is to prevent the deterioration of the accuracy of the vapor phase moisture concentration due to the vapor phase moisture being adsorbed on the inner surface of the pipe.

【0009】本実施例によって、モノシラン中の気相水
分濃度は以下のようにして分析される。
According to this example, the gas phase water concentration in monosilane is analyzed as follows.

【0010】流路切り換えバルブ5を調整して、モノシ
ランガス1(流量L1)を吸着剤6を通過する配管に流
す。吸着剤6によって、モノシランガスに含まれる気相
水分濃度が低減される。このガスに水分発生装置12で
一定濃度の気相水分を含ませたガス(流量L2)を混合
し、分析器15で測定する。分析器として大気圧イオン
化質量分析計を用い、水分を含むガスとして水素ガスを
用いた場合、水分発生装置12の調整によって水分濃度
を変えて測定を行なうと、水分濃度とm/z(質量数と
電荷の比)49のイオンの強度との間に図2に示すよう
な比例関係が成り立つ。発明者は、このイオンがSiH
32O+の構造をもつ、モノシランと水のクラスタイオ
ンであることを確認した。水1分子を含むイオン構造で
あるために、気相水分濃度の一次関数になることが理論
的に予想される。実験的にも、直線関係が気相水分濃度
に関して約200ppb以下では成り立っていた。従っ
て、この気相水分濃度領域では第2図を気相水分の検量
線として使用することによって分析が可能となる。
The flow path switching valve 5 is adjusted to allow the monosilane gas 1 (flow rate L 1 ) to flow through the pipe passing through the adsorbent 6. The adsorbent 6 reduces the vapor phase water content contained in the monosilane gas. A gas (flow rate L 2 ) containing a constant concentration of vapor-phase water is mixed with this gas in the water generator 12 and measured by the analyzer 15. When an atmospheric pressure ionization mass spectrometer is used as the analyzer and hydrogen gas is used as the gas containing water, the water concentration and m / z (mass number) can be measured by changing the water concentration by adjusting the water generator 12. And the ion intensity of the charge ratio) 49 has a proportional relationship as shown in FIG. The inventor says that this ion is SiH
It was confirmed to be a cluster ion of monosilane and water having a structure of 3 H 2 O +. Since it has an ionic structure containing one water molecule, it is theoretically expected that it will be a linear function of the gas phase water concentration. Experimentally, a linear relationship was established at a gas phase water concentration of about 200 ppb or less. Therefore, in this vapor-phase moisture concentration region, analysis can be performed by using FIG. 2 as a calibration curve of vapor-phase moisture.

【0011】もとのモノシランガス1中に含まれている
気相水分の定量は、次のように行なう。流路切り換えバ
ルブ5を調整して、モノシランガス1がバイパス配管7
を流れるようにする。水分発生装置12では、水分の発
生を停止し、精製されたガス11がそのまま流れだして
ガス13になるように調整する。ガス1とガス13の流
量はL1、L2のままに保つ。この時観測されたm/z4
9のイオン強度が図2で示すIだった場合、検量線から
得られる気相水分濃度はCである。これをもとのモノシ
ランガス1中に含まれる気相水分濃度C0に換算するに
は、C0=C×(L1+L2)/L1とすればよい。
The quantification of the vapor phase water content contained in the original monosilane gas 1 is carried out as follows. Adjust the flow path switching valve 5 so that monosilane gas 1 is bypassed 7
To flow. In the moisture generator 12, the generation of moisture is stopped, and the purified gas 11 is adjusted to flow out as it is to become the gas 13. The flow rates of gas 1 and gas 13 are kept at L 1 and L 2 . M / z4 observed at this time
When the ionic strength of 9 is I shown in FIG. 2, the gas phase water concentration obtained from the calibration curve is C. To convert this to the vapor phase water concentration C 0 contained in the original monosilane gas 1, it is sufficient to set C 0 = C × (L 1 + L 2 ) / L 1 .

【0012】なお、図2の水分濃度0でのイオン強度I
Bは、この実験装置のガス配管内面に吸着した水分や、
ガス11に含まれる気相水分、吸着剤6で除去できず残
った気相水分等に起因したバックグラウンドである。バ
ックグラウンド濃度は、図2の直線が水分濃度軸と交わ
る点が示す水分濃度の絶対値CBで決定される。流量を
一定に保持した場合バックグラウンドはほぼ一定である
ため、このバックグラウンド濃度が、もとのモノシラン
ガス中の水分濃度の検出下限(Climit)を決定す
る。それは、Climit=CB×(L1+L2)/L1
となる。検出下限を下げるためには、バックグラウンド
水分を下げなければならない。このために、配管には内
面電界研磨されたステンレス管等を用い、継手バルブ等
を極力排除した溶接構造が重要である。
The ionic strength I at a water concentration of 0 in FIG.
B is water adsorbed on the inner surface of the gas pipe of this experimental device,
This is the background caused by the vapor-phase moisture contained in the gas 11, the vapor-phase moisture remaining without being removed by the adsorbent 6, and the like. The background concentration is determined by the absolute value CB of the water concentration indicated by the point where the straight line in FIG. 2 intersects the water concentration axis. Since the background is almost constant when the flow rate is kept constant, this background concentration determines the lower limit of detection (Climit) of the water concentration in the original monosilane gas. It is Climit = CB × (L 1 + L 2 ) / L 1
Becomes Background moisture must be lowered to lower the lower limit of detection. For this reason, it is important to use a welded structure in which a stainless steel pipe having an inner surface electropolished is used as the pipe and the joint valve and the like are eliminated as much as possible.

【0013】図3に本発明の別の実施例を示す。FIG. 3 shows another embodiment of the present invention.

【0014】モノシランガス1に含まれる気相水分濃度
が図2で示す直線領域を超えて高い場合には、図3に示
すように、純化器9を通って精製されたガス11を分岐
してガス18とし、流量コントローラ19で流量を制御
した後に、流路切り換えバルブ5の上流側でガス1と混
合してガス1を希釈する方法が有効である。ガス1(流
量L11)とガス18(流量L12)の和を流量L1になる
ように設定し吸着剤6を経由して流す。そして、実施例
1の場合と同様に一定濃度の気相水分を含むガス13
(流量L2)と混合し、検量線を測定する。ついで、ガ
ス1とガス18の混合ガスをバイパス管7を経由して流
し、水分発生装置12では水分発生を停止した状態にし
て、気相水分濃度を測定する。この時測定された、ガス
1とガス18の混合ガス中の気相水分濃度がC2である
とする。このC2には、ガス18に含まれる気相水分濃
度が入っているので、それを補正しなければならない。
そこで、ガス1を停止し、ガス18単独で流量L1とし
て(すなわちL11=0、L12=L1)検量線の測定を行
ない、ついで気相水分濃度を分析する。この場合例えば
ガス18が水素のときは、大気圧イオン化質量分析計で
は、m/z19すなわち<H3O+>が気相水分濃度に
比例して増加するイオンであることが知られているた
め、これを検量線の基準イオンとする。ガス18単独の
場合の気相水分濃度がC3の場合、もとのモノシランガ
ス1中の気相水分濃度Cは、C=(L1×C2−L12×C
3)/L11でもとめられる。
When the gas phase moisture concentration contained in the monosilane gas 1 is high beyond the linear region shown in FIG. 2, the purified gas 11 is branched through the purifier 9 as shown in FIG. A method of diluting the gas 1 by mixing the gas 1 with the gas 1 on the upstream side of the flow path switching valve 5 after controlling the flow rate by the flow rate controller 19 is effective. The sum of the gas 1 (flow rate L 11 ) and the gas 18 (flow rate L 12 ) is set to be the flow rate L 1 , and the gas is passed through the adsorbent 6. Then, as in the case of Example 1, the gas 13 containing a constant concentration of vapor-phase water is used.
Mix with (flow rate L 2 ) and measure the calibration curve. Next, the mixed gas of the gas 1 and the gas 18 is caused to flow through the bypass pipe 7, and the moisture generation device 12 is made to stop the moisture generation, and the vapor phase moisture concentration is measured. It is assumed that the gas phase moisture concentration in the mixed gas of the gas 1 and the gas 18 measured at this time is C 2 . Since this C 2 contains the vapor phase water content contained in the gas 18, it must be corrected.
Therefore, the gas 1 is stopped and the gas 18 alone is used as the flow rate L 1 (that is, L 11 = 0, L 12 = L 1 ) to measure the calibration curve, and then the gas phase water concentration is analyzed. In this case, for example, when the gas 18 is hydrogen, it is known in the atmospheric pressure ionization mass spectrometer that m / z 19 or <H 3 O +> is an ion that increases in proportion to the gas phase water concentration. This is used as the reference ion of the calibration curve. When the gas phase water concentration of the gas 18 alone is C 3 , the gas phase water concentration C of the original monosilane gas 1 is C = (L 1 × C 2 −L 12 × C
3 ) / L 11 can also be stopped.

【0015】[0015]

【発明の効果】本発明によれば、半導体の材料ガスとし
て重要なモノシランガスについて、不純物である微量の
気相水分を計測できるという大きな効果がある。また、
大気圧イオン化質量分析計によって迅速な分析ができる
ため、モノシランガスの使用量が少なくてすみ、経済的
である。
EFFECTS OF THE INVENTION According to the present invention, there is a great effect that a trace amount of gas phase water, which is an impurity, can be measured for monosilane gas, which is important as a material gas for semiconductors. Also,
Since rapid analysis can be performed by the atmospheric pressure ionization mass spectrometer, the amount of monosilane gas used is small, which is economical.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す装置構成図。FIG. 1 is a device configuration diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】モノシランガスを含むガス中の気相水分の検量
線の例を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a calibration curve of vapor phase moisture in a gas containing monosilane gas.

【図3】本発明の別の実施例を示す装置構成図。FIG. 3 is a device configuration diagram showing another embodiment of the present invention.

【図4】従来例を示す装置構成図。FIG. 4 is a device configuration diagram showing a conventional example.

【符号の説明】 1…モノシランガス、2…ボンベ、3…圧力調整器、
4,10,19…流量コントローラ、5…流路切り換え
手段、6…吸着剤、7…バイパス配管、8…未精製の希
釈用ガス、9…純化器、11…精製されたガス、12…
水分発生装置、13…気相水分を一定濃度含むガス、1
4…ガス1とガス13の混合ガス、15…分析器、16
…排気ガス、17…温度保持手段、18…ガス11のか
ら分岐されたガス。
[Explanation of Codes] 1 ... Monosilane gas, 2 ... Cylinder, 3 ... Pressure regulator,
4, 10, 19 ... Flow rate controller, 5 ... Flow path switching means, 6 ... Adsorbent, 7 ... Bypass pipe, 8 ... Unpurified dilution gas, 9 ... Purifier, 11 ... Purified gas, 12 ...
Moisture generator, 13 ... Gas containing a constant concentration of vapor phase moisture, 1
4 ... Mixed gas of gas 1 and gas 13, 15 ... Analyzer, 16
... Exhaust gas, 17 ... Temperature maintaining means, 18 ... Gas branched from gas 11.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】イオンを発生するイオン源と、該イオンを
質量によって分離し、個々に強度を測定する質量分析計
と、モノシランガスと該モノシランガスの供給手段とか
らなる装置において、モノシランガス中に含まれる微量
の気相水分を、質量分析計で観測される水とモノシラン
のクラスタイオンの強度から定量することを特徴とす
る、ガス分析装置。
1. An apparatus comprising an ion source for generating ions, a mass spectrometer for separating the ions by mass and individually measuring the intensities, a monosilane gas and a means for supplying the monosilane gas, which are contained in the monosilane gas. A gas analyzer characterized by quantifying a small amount of gas phase water content from the intensity of water and cluster ions of monosilane observed by a mass spectrometer.
【請求項2】上記ガス分析装置のモノシランガス供給手
段は、流路切り換え手段によって切り換えられる2系統
のガス流路からなり、一方には、気相水分の除去手段を
設置したことを特徴とする請求項1記載のガス分析装
置。
2. The monosilane gas supply means of the gas analyzer comprises two gas flow paths which are switched by a flow path switching means, and one of which is provided with a vapor phase water removing means. Item 1. The gas analyzer according to item 1.
【請求項3】上記ガス分析装置のイオン源の直前に、気
相中に水分を発生させる手段から供給される一定濃度の
気相水分を含有するガスを導入する手段を追加してなる
請求項1記載のガス分析装置。
3. Immediately before the ion source of the gas analyzer, a means for introducing a gas containing a constant concentration of vapor-phase moisture supplied from a means for generating moisture in the vapor phase is added. 1. The gas analyzer according to 1.
【請求項4】請求項2記載の流路切り換え手段の上流側
に、気相水分を除去したガスを導入する手段を追加した
ことを特徴とする請求項1記載のガス分析装置。
4. The gas analyzer according to claim 1, wherein a means for introducing a gas from which vapor-phase water has been removed is added upstream of the flow path switching means according to claim 2.
【請求項5】請求項3記載の気相水分を含むガスおよび
請求項4記載の気相水分を除去したガスとして、特に水
素ガスであることを特徴とする、請求項1記載のガス分
析装置。
5. The gas analyzer according to claim 1, wherein the gas containing vapor-phase moisture according to claim 3 and the gas from which vapor-phase moisture is removed according to claim 4 are particularly hydrogen gas. ..
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1998009162A1 (en) * 1996-08-27 1998-03-05 Nippon Sanso Corporation Method for analyzing impurities in gas and its analyzer
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