JPH051374A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
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- JPH051374A JPH051374A JP1451091A JP1451091A JPH051374A JP H051374 A JPH051374 A JP H051374A JP 1451091 A JP1451091 A JP 1451091A JP 1451091 A JP1451091 A JP 1451091A JP H051374 A JPH051374 A JP H051374A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は均一で膜質の良好な薄膜形成を行うこ
とのできるスパッタリング装置を提供することを目的と
する。 【構成】本発明では、ターゲットに対して、被処理基板
が対向して配置されているマグネトロンスパッタリング
装置において、ターゲット表面に平行となる磁界を形成
すると共にターゲットの側壁周辺を完全反磁性体材料で
被覆するようにしている。
とのできるスパッタリング装置を提供することを目的と
する。 【構成】本発明では、ターゲットに対して、被処理基板
が対向して配置されているマグネトロンスパッタリング
装置において、ターゲット表面に平行となる磁界を形成
すると共にターゲットの側壁周辺を完全反磁性体材料で
被覆するようにしている。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング装置に
係り、特に、マグネトロンスパッタリング装置に置ける
ターゲットのエロージョン領域の均一化に関する。
係り、特に、マグネトロンスパッタリング装置に置ける
ターゲットのエロージョン領域の均一化に関する。
【０００３】
【従来の技術】通常、アルミニウム等の金属膜、チタン
ナイトライド、モリブデンシリサイド等の合金膜、酸化
シリコン、アルミナ等の絶縁膜を形成する手段として
は、スパッタ法に代表される物理的蒸着法と、ＣＶＤ法
に代表される化学的蒸着法とがある。
ナイトライド、モリブデンシリサイド等の合金膜、酸化
シリコン、アルミナ等の絶縁膜を形成する手段として
は、スパッタ法に代表される物理的蒸着法と、ＣＶＤ法
に代表される化学的蒸着法とがある。
【０００４】ＬＳＩの微細化に伴いコンタクトホールの
微細化は進む一方であり、ステップカバレッジの良好な
ＣＶＤ法の開発が盛んに行われている。
微細化は進む一方であり、ステップカバレッジの良好な
ＣＶＤ法の開発が盛んに行われている。
【０００５】しかしながら、ＣＶＤ法を用いる場合には
それぞれの膜に対して非常に長期にわたる開発が必要で
あり、これが量産化を阻む問題となっている。
それぞれの膜に対して非常に長期にわたる開発が必要で
あり、これが量産化を阻む問題となっている。
【０００６】一方スパッタリング法は、ターゲットを交
換することにより多種の膜の形成が可能であり、古い技
術ではあるが、その利用が見直されてきている。
換することにより多種の膜の形成が可能であり、古い技
術ではあるが、その利用が見直されてきている。
【０００７】現在用いられているスパッタリング法のう
ちではマグネトロンスパッタリング法が一般的である。
ちではマグネトロンスパッタリング法が一般的である。
【０００８】このマグネトロンスパッタリング装置は、
図４(a) に示すように真空容器２１内に、第１の電極を
兼ねたバッキングプレート２１とこれに取り付けられた
ターゲット板２２と、該ターゲット板２２に対向配置さ
れ被処理基板２３を支持するための基板支持台を兼ねる
第２の電極２４とを配設し、高周波電源２５の発生する
電力をマッチング回路２６を介してバッキングプレート
２１と第２の電極２４との間に印加するようになってお
り、さらに、ターゲット板２２の裏には磁石２５が配設
され、磁界φによる、Ｅ×Ｂの作用によりプラズマ中の
電子がサイクロイド運動しイオン化効率を高め、比較的
低圧力の条件下においても高密度のプラズマを発生させ
ることができるように構成されている。
図４(a) に示すように真空容器２１内に、第１の電極を
兼ねたバッキングプレート２１とこれに取り付けられた
ターゲット板２２と、該ターゲット板２２に対向配置さ
れ被処理基板２３を支持するための基板支持台を兼ねる
第２の電極２４とを配設し、高周波電源２５の発生する
電力をマッチング回路２６を介してバッキングプレート
２１と第２の電極２４との間に印加するようになってお
り、さらに、ターゲット板２２の裏には磁石２５が配設
され、磁界φによる、Ｅ×Ｂの作用によりプラズマ中の
電子がサイクロイド運動しイオン化効率を高め、比較的
低圧力の条件下においても高密度のプラズマを発生させ
ることができるように構成されている。
【０００９】このようなマグネトロンスパッタリング装
置では、プラズマが発生すると、電子が電界と磁界との
相互作用によってサイクロイド運動をするため、ターゲ
ット表面でのプラズマ密度が高くなり、スパッタリング
速度が速くなる。
置では、プラズマが発生すると、電子が電界と磁界との
相互作用によってサイクロイド運動をするため、ターゲ
ット表面でのプラズマ密度が高くなり、スパッタリング
速度が速くなる。
【００１０】そして電子のサイクロイド運動は、磁界と
電界が直交しているところで密に生じる。
電界が直交しているところで密に生じる。
【００１１】従って図４(a) に示すように磁力線がター
ゲットに平行になったところでプラズマが最も密にな
り、その部分のターゲットの減りが大きくなる。図４
(b) にこの様子を模式的に示す。この図からもあきらか
なように、円盤状のターゲットを用いてもエロージョン
領域はリング状となることがわかる。
ゲットに平行になったところでプラズマが最も密にな
り、その部分のターゲットの減りが大きくなる。図４
(b) にこの様子を模式的に示す。この図からもあきらか
なように、円盤状のターゲットを用いてもエロージョン
領域はリング状となることがわかる。
【００１２】このようにターゲット表面全体が均一に使
用できないという不経済性のみならず、均一な薄膜形成
を阻むことになり、特に微細なコンタクトホールの埋め
込みなどにおいては不良の原因となっていた。
用できないという不経済性のみならず、均一な薄膜形成
を阻むことになり、特に微細なコンタクトホールの埋め
込みなどにおいては不良の原因となっていた。
【００１３】そこで、ターゲットの表面に平行に磁界を
かけることが考えられるが、平行な磁界をかけると、プ
ラズマが全体に広がることによって、ターゲット周辺を
とめているねじ等をスパッタするなど、不純物混入の原
因となることがあった。
かけることが考えられるが、平行な磁界をかけると、プ
ラズマが全体に広がることによって、ターゲット周辺を
とめているねじ等をスパッタするなど、不純物混入の原
因となることがあった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のス
パッタリング装置では、ターゲット表面全体が均一に使
用できず、不経済であるうえ、均一な薄膜形成を行うこ
とができないという問題があった。
パッタリング装置では、ターゲット表面全体が均一に使
用できず、不経済であるうえ、均一な薄膜形成を行うこ
とができないという問題があった。
【００１５】また、この問題を解決するため、ターゲッ
トの表面に平行に磁界をかけることが考えられている
が、平行な磁界をかけると、プラズマが全体に広がるこ
とによって、ターゲット周辺をとめているねじ等をスパ
ッタするなど、不純物混入が生じ、膜質が低下するとい
う問題があった。
トの表面に平行に磁界をかけることが考えられている
が、平行な磁界をかけると、プラズマが全体に広がるこ
とによって、ターゲット周辺をとめているねじ等をスパ
ッタするなど、不純物混入が生じ、膜質が低下するとい
う問題があった。
【００１６】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、均一で膜質の良好な薄膜形成を行うことのできるス
パッタリング装置を提供することを目的とする。
で、均一で膜質の良好な薄膜形成を行うことのできるス
パッタリング装置を提供することを目的とする。
【００１７】［発明の構成］
【００１８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、ター
ゲットに対して、被処理基板が対向して配置されている
マグネトロンスパッタリング装置において、ターゲット
表面に平行となる磁界を形成すると共にターゲットの側
壁周辺を完全反磁性体材料で被覆するようにしている。
ゲットに対して、被処理基板が対向して配置されている
マグネトロンスパッタリング装置において、ターゲット
表面に平行となる磁界を形成すると共にターゲットの側
壁周辺を完全反磁性体材料で被覆するようにしている。
【００１９】
【作用】本発明によれば、ターゲット表面に平行な磁界
を形成しているため、ターゲット表面全体に均一にプラ
ズマを形成することができ、また、ターゲットの周辺を
完全反磁性体材料で被覆しているため、ターゲット周辺
部材のスパッタリングを防止し、不純物の混入を防止す
ることができ、均一で膜質の良好な薄膜形成を行うこと
が可能となる。
を形成しているため、ターゲット表面全体に均一にプラ
ズマを形成することができ、また、ターゲットの周辺を
完全反磁性体材料で被覆しているため、ターゲット周辺
部材のスパッタリングを防止し、不純物の混入を防止す
ることができ、均一で膜質の良好な薄膜形成を行うこと
が可能となる。
【００２０】また、ターゲット表面のエロージョン領域
も均一になるため、ターゲット材料の節減効果もある。
も均一になるため、ターゲット材料の節減効果もある。
【００２１】ここで完全反磁性とは、「磁場中におかれ
た超伝導体をその転移温度Ｔc 以下に冷却すると、磁場
がある臨界値を越えない限り、超伝導体中に磁束は存在
できない（培風館：物理学辞典）」性質をいう。しかし
ここでは、ある状態のときわずかに磁束が中に入るよう
な物質も有効である。
た超伝導体をその転移温度Ｔc 以下に冷却すると、磁場
がある臨界値を越えない限り、超伝導体中に磁束は存在
できない（培風館：物理学辞典）」性質をいう。しかし
ここでは、ある状態のときわずかに磁束が中に入るよう
な物質も有効である。
【００２２】完全反磁性体としては、例えば高臨界温度
の酸化物超伝導体である、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ（δ
＝0 〜1 ，Ｌｎ：Ｙｂ，Ｅｒ，Ｙ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｅｕ，
Ｄｙ）、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物薄膜、
Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物薄膜などを用い
ることができる。
の酸化物超伝導体である、ＬｎＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ（δ
＝0 〜1 ，Ｌｎ：Ｙｂ，Ｅｒ，Ｙ，Ｈｏ，Ｇｄ，Ｅｕ，
Ｄｙ）、Ｂｉ−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物薄膜、
Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系の酸化物薄膜などを用い
ることができる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しつつ詳細に説明する。
しつつ詳細に説明する。
【００２４】第１図は、本発明実施例のスパッタリング
装置を示す図である。
装置を示す図である。
【００２５】このマグネトロンスパッタリング装置は、
ターゲット板１２の表面に平行に磁界１９を形成するソ
レノイド１７を配設するとともにターゲット板１２の側
壁を、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ（δ＝0〜1 ）超伝導体か
らなる完全反磁性体材料１８で被覆したことを特徴とす
るものである。
ターゲット板１２の表面に平行に磁界１９を形成するソ
レノイド１７を配設するとともにターゲット板１２の側
壁を、ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-δ（δ＝0〜1 ）超伝導体か
らなる完全反磁性体材料１８で被覆したことを特徴とす
るものである。
【００２６】他の部分については従来例の装置と同様に
形成されており、真空容器１０内に、第１の電極を兼ね
たバッキングプレート１１とこれに取り付けられたター
ゲット板１２と、該ターゲット板１２に対向配置され被
処理基板１３を支持するための基板支持台を兼ねる第２
の電極１４とを配設し、高周波電源１５の発生する電力
をマッチング回路１６を介してバッキングプレート１１
と第２の電極１４との間に印加するようになっている。
１９は冷却槽であり配管を介して冷却水が通されターゲ
ットを冷却するように構成されている。
形成されており、真空容器１０内に、第１の電極を兼ね
たバッキングプレート１１とこれに取り付けられたター
ゲット板１２と、該ターゲット板１２に対向配置され被
処理基板１３を支持するための基板支持台を兼ねる第２
の電極１４とを配設し、高周波電源１５の発生する電力
をマッチング回路１６を介してバッキングプレート１１
と第２の電極１４との間に印加するようになっている。
１９は冷却槽であり配管を介して冷却水が通されターゲ
ットを冷却するように構成されている。
【００２７】そして、ターゲット板１２の表面ではソレ
ノイド１７により表面に平行な磁界φが形成されてお
り、この磁界による、Ｅ×Ｂの作用によりプラズマ中の
電子がサイクロイド運動しイオン化効率を高め、比較的
低圧力の条件下においても高密度のプラズマを発生させ
ることができるように構成されている。そしてターゲッ
ト材料とバッキングプレートの接続部等はこの完全反磁
性体材料１８で被覆されているため、磁力線はここで反
発され、電子のサイクロイド運動はなくイオン化はな
く、ターゲット材料を不当にスパッタすることはない。
ノイド１７により表面に平行な磁界φが形成されてお
り、この磁界による、Ｅ×Ｂの作用によりプラズマ中の
電子がサイクロイド運動しイオン化効率を高め、比較的
低圧力の条件下においても高密度のプラズマを発生させ
ることができるように構成されている。そしてターゲッ
ト材料とバッキングプレートの接続部等はこの完全反磁
性体材料１８で被覆されているため、磁力線はここで反
発され、電子のサイクロイド運動はなくイオン化はな
く、ターゲット材料を不当にスパッタすることはない。
【００２８】また、真空容器内への被処理基板の出し入
れはロードロック機構（図示せず）および搬送機構（図
示せず）によってなされる。
れはロードロック機構（図示せず）および搬送機構（図
示せず）によってなされる。
【００２９】次に、この装置を使用し、実際に堆積膜を
形成する方法について説明する。
形成する方法について説明する。
【００３０】まず、第２図(a) に示すように、表面に形
成されたパターン４０によって表面が凹凸をなすシリコ
ン基板３９を被処理基板とし、これををロードロック機
構および搬送機構を用いて真空容器１０の第２の電極１
４上に搬送し、静電チャック（図示せず）によって固定
する。
成されたパターン４０によって表面が凹凸をなすシリコ
ン基板３９を被処理基板とし、これををロードロック機
構および搬送機構を用いて真空容器１０の第２の電極１
４上に搬送し、静電チャック（図示せず）によって固定
する。
【００３１】そして、排気系（図示せず）により真空容
器１０内を真空排気したのち、基板を所望の温度となる
ように制御し、供給系（図示せず）からアルゴンガスを
供給し、ターゲット板１２（第１の電極１１）と第２の
電極１４との間に電力を印加する。後で述べるように金
属をスパッタリングする場合直流を用いる子ともある
が、絶縁物のスパッタリングあるいはステップカバレッ
ジを重視する場合は高周波を用いる。これにより、アル
ゴンのプラズマが形成され、ターゲット板１２の表面に
は陰極降下電圧Ｖdcが発生し、アルゴンイオンがターゲ
ット板１３表面に照射されスパッタリング作用によりタ
ーゲット板材料がプラズマ中に放出される。このとき、
ソレノイド１７によって形成される磁界φによる、Ｅ×
Ｂの作用によりプラズマ中の電子がサイクロイド運動し
イオン化効率が高められる。これにより、０．１mTorr
程度の比較的低い圧力条件下においても高密度のプラズ
マを発生させることができる。このため、堆積速度を高
めることができ、均一で膜質の良好な薄膜形成を行うこ
とができる。
器１０内を真空排気したのち、基板を所望の温度となる
ように制御し、供給系（図示せず）からアルゴンガスを
供給し、ターゲット板１２（第１の電極１１）と第２の
電極１４との間に電力を印加する。後で述べるように金
属をスパッタリングする場合直流を用いる子ともある
が、絶縁物のスパッタリングあるいはステップカバレッ
ジを重視する場合は高周波を用いる。これにより、アル
ゴンのプラズマが形成され、ターゲット板１２の表面に
は陰極降下電圧Ｖdcが発生し、アルゴンイオンがターゲ
ット板１３表面に照射されスパッタリング作用によりタ
ーゲット板材料がプラズマ中に放出される。このとき、
ソレノイド１７によって形成される磁界φによる、Ｅ×
Ｂの作用によりプラズマ中の電子がサイクロイド運動し
イオン化効率が高められる。これにより、０．１mTorr
程度の比較的低い圧力条件下においても高密度のプラズ
マを発生させることができる。このため、堆積速度を高
めることができ、均一で膜質の良好な薄膜形成を行うこ
とができる。
【００３２】このようにして、プラズマ中に堆積種が放
出されるとまず、プラズマで帯電し、荷電粒子となる。
この荷電粒子は拡散し、プラズマ中の電位勾配に従って
移動していくが、ソレノイドコイル１７によって形成さ
れた平行磁場により、第２の電極１４上の被処理基板１
３上に垂直に進むようになり、さらに被処理基板に印加
された高周波電力により発生するバイアス電圧によって
加速され、一段と方向性が増すことになる。このように
して荷電粒子として被処理基板上に垂直方向から導かれ
た堆積種は、第２図(b) に示すように被処理基板３９表
面の溝の底部にも効率よく導かれ、表面の凹凸を良好に
反映した膜４１の堆積がなされていく。
出されるとまず、プラズマで帯電し、荷電粒子となる。
この荷電粒子は拡散し、プラズマ中の電位勾配に従って
移動していくが、ソレノイドコイル１７によって形成さ
れた平行磁場により、第２の電極１４上の被処理基板１
３上に垂直に進むようになり、さらに被処理基板に印加
された高周波電力により発生するバイアス電圧によって
加速され、一段と方向性が増すことになる。このように
して荷電粒子として被処理基板上に垂直方向から導かれ
た堆積種は、第２図(b) に示すように被処理基板３９表
面の溝の底部にも効率よく導かれ、表面の凹凸を良好に
反映した膜４１の堆積がなされていく。
【００３３】このようにして溝を埋め込んだ後、第２図
(c) に示すように、基板表面全体にレジストを塗布し、
表面の平坦化をおこなう。
(c) に示すように、基板表面全体にレジストを塗布し、
表面の平坦化をおこなう。
【００３４】この後、第２図(d) に示すように、反応性
イオンエッチングによりエッチバックし溝を完全に埋め
込むことができる。
イオンエッチングによりエッチバックし溝を完全に埋め
込むことができる。
【００３５】このようにして微細な溝内にも膜質の良好
な埋め込み層を形成することが可能となる。
な埋め込み層を形成することが可能となる。
【００３６】また、ターゲットのエロージョン領域も均
一となり、材料の節減をはかることができる。
一となり、材料の節減をはかることができる。
【００３７】しかしながらこの装置では、サイクロイド
運動は直線的に起こりターゲットの外側に抜けてしまう
ためイオン化効率としては、電子がサイクロイド運動を
しながら円を描きガスと衝突してイオン化するまで回り
続ける従来のスパッタリング装置よりわずかに劣る。こ
れはガス圧を従来型に対してわずかに上げることによっ
て補うことができる。
運動は直線的に起こりターゲットの外側に抜けてしまう
ためイオン化効率としては、電子がサイクロイド運動を
しながら円を描きガスと衝突してイオン化するまで回り
続ける従来のスパッタリング装置よりわずかに劣る。こ
れはガス圧を従来型に対してわずかに上げることによっ
て補うことができる。
【００３８】なお、前記実施例では被処理基板１３とタ
ーゲット１２との間に高周波電圧を印加するようにした
が、この場合ターゲットが絶縁体である場合にもターゲ
ットのチャージアップを防止することができるという効
果がある。またターゲットがメタルである場合には基板
電位をアース、ターゲットを負にバイアスするようにす
ればよい。
ーゲット１２との間に高周波電圧を印加するようにした
が、この場合ターゲットが絶縁体である場合にもターゲ
ットのチャージアップを防止することができるという効
果がある。またターゲットがメタルである場合には基板
電位をアース、ターゲットを負にバイアスするようにす
ればよい。
【００３９】さらにまた、完全反磁性体の電位を、他の
部分と電気的に絶縁しておくようにすることにより、初
期に到来したイオンによりチャージアップして正電位に
なり、次のイオンの到来を防ぐようにすることができ、
これによりこの完全反磁性体自身がスパッタリングされ
るのを防止することができる。従って薄膜形成系内にお
ける堆積物質以外のガスや不純物の混入を大幅に低減す
ることができ、高純度の薄膜形成が可能となる。
部分と電気的に絶縁しておくようにすることにより、初
期に到来したイオンによりチャージアップして正電位に
なり、次のイオンの到来を防ぐようにすることができ、
これによりこの完全反磁性体自身がスパッタリングされ
るのを防止することができる。従って薄膜形成系内にお
ける堆積物質以外のガスや不純物の混入を大幅に低減す
ることができ、高純度の薄膜形成が可能となる。
【００４０】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。
する。
【００４１】この装置は、第３図に示すように、２組の
ソレノイド２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂを互いに直
交するように設置し、各組のソレノイド２７，２８への
給電端子Ａ，Ｂに９０度位相の異なる電流を流すことに
よりターゲット表面に平行な回転磁界を形成するように
したものである。
ソレノイド２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂを互いに直
交するように設置し、各組のソレノイド２７，２８への
給電端子Ａ，Ｂに９０度位相の異なる電流を流すことに
よりターゲット表面に平行な回転磁界を形成するように
したものである。
【００４２】他の部分については実施例１とまったく同
様に形成されている。
様に形成されている。
【００４３】これにより、より均一な薄膜形成を行うこ
とができる。
とができる。
【００４４】なお、前記実施例では、アルミニウム薄膜
の形成について説明したが、アルミニウム薄膜のみなら
ず、タングステン、モリブデンなどの高融点薄膜、酸化
シリコン膜等の絶縁膜など種々の薄膜形成に適用可能で
ある。
の形成について説明したが、アルミニウム薄膜のみなら
ず、タングステン、モリブデンなどの高融点薄膜、酸化
シリコン膜等の絶縁膜など種々の薄膜形成に適用可能で
ある。
【００４５】また、本発明は、薄膜形成の例について説
明したが、スパッタエッチングの場合にも適用可能であ
り、この場合は完全半磁性体材料はエッチング基板の周
囲に設けるようにする。
明したが、スパッタエッチングの場合にも適用可能であ
り、この場合は完全半磁性体材料はエッチング基板の周
囲に設けるようにする。
【００４６】加えて、スパッタリング装置の構造および
材質は、実施例に何ら限定されるものではなく、本発明
の要旨を逸脱しない範囲内で、適宜変形可能である。
材質は、実施例に何ら限定されるものではなく、本発明
の要旨を逸脱しない範囲内で、適宜変形可能である。
【００４７】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、ターゲット表面に平行な磁界を形成するとともに
に、また、ターゲットの側壁周辺を完全反磁性体材料で
被覆しているため、ターゲットのスパッタリングを均一
にすることができる上、ターゲット周辺部材のスパッタ
リングを防止し、不純物の混入を防止することができ、
均一で膜質の良好な薄膜形成を行うことが可能となる。
ば、ターゲット表面に平行な磁界を形成するとともに
に、また、ターゲットの側壁周辺を完全反磁性体材料で
被覆しているため、ターゲットのスパッタリングを均一
にすることができる上、ターゲット周辺部材のスパッタ
リングを防止し、不純物の混入を防止することができ、
均一で膜質の良好な薄膜形成を行うことが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例のスパッタリング装置を
示す図。
示す図。
【図２】同装置を用いたスパッタリング工程を示す図。
【図３】本発明の第２の実施例のスパッタリング装置を
示す図。
示す図。
【図４】従来令のスパッタリング装置を示す図。
１０ 真空容器 １１ バッキングプレート １２ ターゲット板 １３ 被処理基板 １４ 第２の電極 １５ 高周波電源 １６ マッチング回路 １７ ソレノイド １８ 完全反磁性体 １９ 冷却装置 φ 磁界 ２０ 真空容器 ２１ バッキングプレート ２２ ターゲット板 ２３ 被処理基板 ２４ 第２の電極 ２５ 高周波電源 ２６ マッチング回路 ２７ ソレノイド ２８ ソレノイド
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 真空容器と前記真空容器内に設置された
陰極ターゲットと、前記陰極ターゲットに対向して被処
理基板を設置する被処理基板支持手段と前記ターゲット
表面と平行となるように磁界を印加するための磁界供給
手段と前記ターゲット側面を被覆する完全反磁性体とを
具備したことを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1451091A JPH051374A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1451091A JPH051374A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH051374A true JPH051374A (ja) | 1993-01-08 |
Family
ID=11863075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1451091A Pending JPH051374A (ja) | 1991-02-05 | 1991-02-05 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH051374A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012255218A (ja) * | 2004-02-03 | 2012-12-27 | Honeywell Internatl Inc | 物理蒸着用ターゲット構造物 |
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1991
- 1991-02-05 JP JP1451091A patent/JPH051374A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012255218A (ja) * | 2004-02-03 | 2012-12-27 | Honeywell Internatl Inc | 物理蒸着用ターゲット構造物 |
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