JPH0513554B2 - - Google Patents
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- JPH0513554B2 JPH0513554B2 JP17023486A JP17023486A JPH0513554B2 JP H0513554 B2 JPH0513554 B2 JP H0513554B2 JP 17023486 A JP17023486 A JP 17023486A JP 17023486 A JP17023486 A JP 17023486A JP H0513554 B2 JPH0513554 B2 JP H0513554B2
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- laser output
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザ出力制御装置に関し、特
にレーザ出力のレベルを検出し、このレベルと基
準電圧との差信号により半導体レーザを駆動制御
してレーザ出力のレベルを一定値に制御する半導
体レーザ出力制御装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor laser output control device, and in particular detects a laser output level and controls the drive of a semiconductor laser using a difference signal between this level and a reference voltage. The present invention relates to a semiconductor laser output control device that controls the level of laser output to a constant value.
従来、この種の半導体レーザ出力制御装置は、
第2図に示すように、半導体レーザ7のレーザ出
力を検出するホトダイオードなどのレーザ出力検
出部4と、このレーザ出力検出部4の出力信号の
レベルを検出するレベル検出部5と、このレベル
検出部5の出力信号とレーザ出力のレベルを所定
の値に設定するための設定電圧Vsとを比較し、
差信号を出力する比較部2と、この差信号により
半導体レーザ7を駆動制御するレーザ駆動部3と
を備え、その差信号が零になるように追値制御す
る構成となつており、レベル検出部5は、通常、
コンデンサと抵抗とを含む回路で構成され、この
コンデンサの充電電圧により尖頭値を検出するよ
うになつている。
Conventionally, this type of semiconductor laser output control device is
As shown in FIG. 2, a laser output detection section 4 such as a photodiode that detects the laser output of the semiconductor laser 7, a level detection section 5 that detects the level of the output signal of the laser output detection section 4, and a level detection section 5 that detects the level of the output signal of the laser output detection section 4; Compare the output signal of section 5 with a set voltage Vs for setting the laser output level to a predetermined value,
It is equipped with a comparison section 2 that outputs a difference signal, and a laser drive section 3 that drives and controls the semiconductor laser 7 using this difference signal, and is configured to perform additional value control so that the difference signal becomes zero, and is capable of level detection. Part 5 is usually
It consists of a circuit including a capacitor and a resistor, and the peak value is detected by the charging voltage of this capacitor.
上述した従来の半導体レーザ出力制御装置は、
レーザ出力のレベルを検出するレベル検出部5が
コンデンサの充電電圧を検出する構成となつてい
るので、レーザ出力が連続波の場合には正常に制
御されるが、パルス変調されたレーザ出力のよう
に間欠的な出力である場合には、レベル検出部5
の出力レベルがパルス幅により変化し、真値を検
出できないため、パルス幅によりレーザ出力が変
化し、また、レーザ出力を目的のレベルに設定す
ることが困難であるという欠点がある。
The conventional semiconductor laser output control device described above is
Since the level detection unit 5 that detects the level of the laser output is configured to detect the charging voltage of the capacitor, it is normally controlled when the laser output is a continuous wave, but when the laser output is pulse modulated, etc. If the output is intermittent, the level detection unit 5
Since the output level changes depending on the pulse width and the true value cannot be detected, the laser output changes depending on the pulse width, and it is difficult to set the laser output to the desired level.
本発明の目的は、レーザ出力がパルス幅により
変化することを防止し、レーザ出力のレベル設定
が容易にできる半導体レーザ出力制御装置を提供
することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor laser output control device that prevents the laser output from changing depending on the pulse width and allows easy setting of the laser output level.
本発明の半導体レーザ出力制御装置は、半導体
レーザのレーザ出力を検出するレーザ出力検出部
と、このレーザ出力検出部の出力信号のレベルを
検出するレベル検出部と、前記レーザ出力検出部
の出力信号から前記レーザ出力のパルス幅を検出
するパルス幅検出部と、このパルス幅検出部の出
力電圧と前記レーザ出力のレベルを設定するため
の設定電圧とを合成し基準電圧を発生する基準電
圧発生部と、前記基準電圧と前記レベル検出部の
出力信号とを比較し差信号を出力する比較部と、
前記差信号により前記半導体レーザを駆動し前記
レーザ出力を所定のレベルに制御するレーザ駆動
部とを有している。
The semiconductor laser output control device of the present invention includes a laser output detection section that detects the laser output of the semiconductor laser, a level detection section that detects the level of the output signal of the laser output detection section, and an output signal of the laser output detection section. a pulse width detection unit that detects the pulse width of the laser output from the pulse width detection unit; and a reference voltage generation unit that generates a reference voltage by synthesizing the output voltage of the pulse width detection unit and a set voltage for setting the level of the laser output. and a comparison section that compares the reference voltage and the output signal of the level detection section and outputs a difference signal;
and a laser driving section that drives the semiconductor laser using the difference signal and controls the laser output to a predetermined level.
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例のブロツク図であ
る。 FIG. 1 is a block diagram of one embodiment of the present invention.
半導体レーザ7から発したレーザ出力の一部は
ホトダイオードなどのレーザ出力検出部4で検出
され、レベル検出部5に入る。このレベル検出部
5は、コンデンサと抵抗とを含む回路で構成され
た一種の積分回路であり、このコンデンサの充電
電圧から尖頭値を検出して比較部2へ出力する。 A portion of the laser output emitted from the semiconductor laser 7 is detected by a laser output detection section 4 such as a photodiode, and enters a level detection section 5. The level detecting section 5 is a type of integrating circuit composed of a circuit including a capacitor and a resistor, and detects a peak value from the charging voltage of this capacitor and outputs it to the comparing section 2.
一方、レーザ出力検出部4の出力信号はパルス
幅検出部6にも伝達され、同様に一種の積分回路
によりパルス幅に対応した電圧を出力する。パル
ス幅検出部6の出力電圧は、基準電圧発生部1に
より、レーザ出力のレベルを設定するための設定
電圧Vsと合成されて基準電圧として出力される。 On the other hand, the output signal of the laser output detection section 4 is also transmitted to the pulse width detection section 6, which similarly outputs a voltage corresponding to the pulse width using a kind of integration circuit. The output voltage of the pulse width detection section 6 is synthesized by the reference voltage generation section 1 with a setting voltage Vs for setting the level of the laser output, and outputted as a reference voltage.
比較部2は、この基準電圧とレベル検出部5の
出力信号とを比較し、これらの信号の差信号をレ
ーザ駆動部3へ出力する。レーザ駆動部3は、こ
の差信号により半導体レーザ7を駆動し、レーザ
出力が所定のレベルになるように制御する。 The comparator 2 compares this reference voltage with the output signal of the level detector 5 and outputs a difference signal between these signals to the laser driver 3. The laser driving section 3 drives the semiconductor laser 7 using this difference signal and controls the laser output to a predetermined level.
従つて、パルス幅が短かくなるとレベル検出部
5の出力電圧はパルス幅に応じて低下するが、同
時にパルス幅検出部6の出力電圧もパルス幅に応
じて低下し、この出力電圧と設定電圧Vsとの合
成電圧である基準電圧もパルス幅に応じて低下す
るので、比較部2においては、パルス幅で変動す
るレベル検出部5を出力電圧を、補正した形で比
較することになり、半導体レーザ7からのレーザ
出力のレベルがパルス幅で変化することを防止す
ることができる。 Therefore, when the pulse width becomes shorter, the output voltage of the level detection section 5 decreases according to the pulse width, but at the same time, the output voltage of the pulse width detection section 6 also decreases according to the pulse width, and this output voltage and the set voltage Since the reference voltage, which is a composite voltage with Vs, also decreases according to the pulse width, the comparator 2 compares the output voltage of the level detector 5, which fluctuates with the pulse width, in a corrected form. It is possible to prevent the level of the laser output from the laser 7 from changing with the pulse width.
以上説明したように本発明は、設定電圧とパル
ス幅検出部からのパルス幅に対応した出力電圧と
を合成して基準電圧を作り、この基準電圧とレベ
ル検出部の出力信号とを比較し、これら信号の差
信号により半導体レーザを駆動制御する構成にす
ることにより、レーザ出力のレベルがパルス幅に
より変化することを防止し、レーザ出力のレベル
設定を容易にすることができる効果がある。
As explained above, the present invention synthesizes the set voltage and the output voltage corresponding to the pulse width from the pulse width detection section to create a reference voltage, compares this reference voltage with the output signal of the level detection section, By configuring the semiconductor laser to be driven and controlled using the difference signal between these signals, it is possible to prevent the level of the laser output from changing depending on the pulse width and to facilitate the level setting of the laser output.
第1図は本発明の一実施例を示すブロツク図、
第2図は従来の半導体レーザ出力制御装置の一例
を示すブロツク図である。
1……基準電圧発生部、2……比較部、3……
レーザ駆動部、4……レーザ出力検出部、5……
レベル検出部、6……パルス幅検出部、7……半
導体レーザ。
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a block diagram showing an example of a conventional semiconductor laser output control device. 1... Reference voltage generation section, 2... Comparison section, 3...
Laser drive unit, 4... Laser output detection unit, 5...
Level detection section, 6... Pulse width detection section, 7... Semiconductor laser.
Claims (1)
出力検出部と、このレーザ出力検出部の出力信号
のレベルを検出するレベル検出部と、前記レーザ
出力検出部の出力信号から前記レーザ出力のパル
ス幅を検出するパルス幅検出部と、このパルス幅
検出部の出力電圧と前記レーザ出力のレベルを設
定するための設定電圧とを合成し基準電圧を発生
する基準電圧発生部と、前記基準電圧と前記レベ
ル検出部の出力信号とを比較し差信号を出力する
比較部と、前記差信号により前記半導体レーザを
駆動し前記レーザ出力を所定のレベルに制御する
レーザ駆動部とを有することを特徴とする半導体
レーザ出力制御装置。1. A laser output detection section that detects the laser output of a semiconductor laser, a level detection section that detects the level of the output signal of the laser output detection section, and a pulse width of the laser output that is detected from the output signal of the laser output detection section. a reference voltage generating section that generates a reference voltage by synthesizing the output voltage of the pulse width detecting section and a setting voltage for setting the level of the laser output; A semiconductor laser comprising: a comparison section that compares the output signal of the section and outputs a difference signal; and a laser drive section that drives the semiconductor laser using the difference signal and controls the laser output to a predetermined level. Output control device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17023486A JPS6327086A (en) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Output controller for semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17023486A JPS6327086A (en) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Output controller for semiconductor laser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6327086A JPS6327086A (en) | 1988-02-04 |
JPH0513554B2 true JPH0513554B2 (en) | 1993-02-22 |
Family
ID=15901151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17023486A Granted JPS6327086A (en) | 1986-07-18 | 1986-07-18 | Output controller for semiconductor laser |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6327086A (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0392515U (en) * | 1989-12-29 | 1991-09-20 | ||
US5448629A (en) * | 1993-10-14 | 1995-09-05 | At&T Corp. | Amplitude detection scheme for optical transmitter control |
-
1986
- 1986-07-18 JP JP17023486A patent/JPS6327086A/en active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6327086A (en) | 1988-02-04 |
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