JPH05125359A - Organic electroluminescent element - Google Patents

Organic electroluminescent element

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JPH05125359A
JPH05125359A JP3288485A JP28848591A JPH05125359A JP H05125359 A JPH05125359 A JP H05125359A JP 3288485 A JP3288485 A JP 3288485A JP 28848591 A JP28848591 A JP 28848591A JP H05125359 A JPH05125359 A JP H05125359A
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benzene
tetrakis
light emitting
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Toshihiro Onishi
敏博 大西
Masanobu Noguchi
公信 野口
Hideji Doi
秀二 土居
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Abstract

PURPOSE:To obtain the subject element suitable as display devices such as a planar light source as a back light or a flat panel display due to its excellent uniformity, stability, etc., of light emission by forming a luminous layer containing an aromatic compound having a specific structure. CONSTITUTION:An organic electroluminescent element having a luminous layer containing an aromatic compound expressed by formula I [A1 to A4 are formula II or III (R<1> to R<6> are H, 1-12C alkyl, etc.), etc.] between a pair of electrodes in which at least either is (semi)transparent. 1,2,4,5-Tetrakis(phenylethyl)benzene, etc., are preferred as the compound expressed by formula I, which is obtained by reacting, e.g. 1,2,4,5-tetrakis(bromomethyl)benzene with triphenylphosphine, providing a phosphonium salt and then reacting the resultant phosphonium salt with an aldehyde. The luminous layer is preferably formed by a vacuum vapor deposition method.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は有機エレクトロルミネッ
センス素子(以下有機EL素子)に関する。詳しくは、
4つのビニレン基を持つベンゼン誘導体を発光材料に用
いた有機EL素子に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to an organic electroluminescence device (hereinafter referred to as an organic EL device). For more information,
The present invention relates to an organic EL device using a benzene derivative having four vinylene groups as a light emitting material.

【0002】[0002]

【従来の技術】無機蛍光体を発光材料として用いた無機
エレクトロルミネッセンス素子(以下無機EL素子)
は、例えばバックライトとしての面状光源やフラットパ
ネルディスプレイ等の表示装置に用いられているが発光
させるのに高電圧の交流が必要であった。
2. Description of the Related Art Inorganic electroluminescence device (hereinafter, inorganic EL device) using an inorganic phosphor as a light emitting material
Is used for a surface light source as a backlight or a display device such as a flat panel display, for example, but a high-voltage alternating current was required to emit light.

【0003】最近、Tangらは有機蛍光色素を発光層
とし、これと電子写真の感光体等に用いられている有機
正孔輸送化合物とを積層した二層構造を有する有機EL
素子を作製し、低電圧駆動,高効率,高輝度の有機EL
素子を実現させた(特開昭59−194393号公
報)。有機EL素子は、無機EL素子に比べ、低電圧駆
動、高輝度に加えて多数の色の発光が容易に得られると
いう特長があることから素子構造や有機蛍光色素、有機
電荷輸送化合物について多くの試みが報告されている
〔ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィ
ジックス(Jpn.J.Appl.Phys.) 第27巻、L269頁 (1988
年) 〕、〔ジャーナル・オブ・アプライド・フィジック
ス(J.Appl.Phys.)第65巻、3610頁 (1989年) 〕。
Recently, Tang et al. Have an organic EL having a two-layer structure in which an organic fluorescent dye is used as a light emitting layer and an organic hole transporting compound used in a photoconductor for electrophotography is laminated.
Fabricate the element, low voltage drive, high efficiency, high brightness organic EL
A device was realized (Japanese Patent Laid-Open No. 59-194393). Compared with inorganic EL elements, organic EL elements are characterized by low voltage driving, high brightness, and the ability to easily obtain light emission of many colors. Therefore, many organic EL elements have a large number of elements, organic fluorescent dyes, and organic charge transport compounds. Attempts have been reported [Japanese Journal of Applied Physics (Jpn.J.Appl.Phys.) Vol. 27, L269 (1988).
)], [Journal of Applied Physics (J. Appl. Phys.) Vol. 65, page 3610 (1989)].

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】これまで報告されてき
た有機EL素子は高輝度ではあるが、発光素子の寿命が
短いという問題がある。素子の発熱により発光層に構造
変化が生じ、劣化することが原因であると言われてい
る。そのため熱的に安定な発光層を構成する発光材料が
求められていた。
The organic EL devices reported so far have high brightness, but have the problem that the life of the light emitting device is short. It is said that the cause is that the structure of the light emitting layer is changed due to heat generation of the element and deteriorates. Therefore, a light emitting material that constitutes a thermally stable light emitting layer has been demanded.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、有機EL
素子の発光材料ついて鋭意検討した結果、発光性化合物
として、ベンゼン環を骨格にもつ芳香族ビニレン化合物
のなかで、4つのビニレン基を含有する化合物を用いる
ことにより、均一な発光層を形成し、均一に発光する有
機EL素子が得られることを見い出し本発明に至った。
すなわち本発明は、少なくとも一方が透明または半透明
である一対の電極間に少なくとも発光層を有する有機エ
レクトロルミネッセンス素子において、該発光層が、下
記化4
Means for Solving the Problems The present inventors
As a result of diligent study on the light emitting material of the device, as a light emitting compound, among the aromatic vinylene compounds having a benzene ring as a skeleton, a compound containing four vinylene groups is used to form a uniform light emitting layer, The inventors have found that an organic EL device that emits light uniformly can be obtained, and completed the present invention.
That is, the present invention provides an organic electroluminescence device having at least a light emitting layer between a pair of electrodes, at least one of which is transparent or semitransparent, wherein the light emitting layer is

【0006】[0006]

【化4】 〔式中A1 、A2 、A3 、A4 はそれぞれ独立に下記化
5および化6から選ばれる基を表わす。
[Chemical 4] [In the formula, A 1 , A 2 , A 3 and A 4 each independently represent a group selected from the following formulas 5 and 6.

【0007】[0007]

【化5】 及び[Chemical 5] as well as

【0008】[0008]

【化6】 (R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 、R8
9 、R10、R11、R12、R13、R14はそれぞれ独立に
水素、炭素数1〜12のアルキル基またはアルコキシ
基、炭素数6〜14のアリール基またはアリールオキシ
基、ニトロ基、複素環化合物基で示される基を意味す
る。)〕で表される化合物から選ばれた少なくとも一種
の芳香族化合物を含有することを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス素子を提供することにある。以下、
本発明の有機EL素子について詳細に説明する。
[Chemical 6] (R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 ,
R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , and R 14 are each independently hydrogen, an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group or an aryloxy group having 6 to 14 carbon atoms, or a nitro group. , Means a group represented by a heterocyclic compound group. )]] The organic electroluminescent element characterized by containing at least 1 sort (s) of aromatic compound selected from the compound represented by these. Less than,
The organic EL element of the present invention will be described in detail.

【0009】本発明に用いられる発光材料は前記化4で
表される芳香族化合物であり、ここでA1 、A2
3 、A4 は上記したようにフェニル基、ナフチル基、
アントリル基、ピリジル基、チエニル基、あるいはそれ
らに炭素数1〜12のアルキルまたはアルコキシ基、炭
素数6〜14のアリールまたはアリールオキシ基、ニト
ロ基または複素環化合物基が核置換された誘導体であ
る。これらのなかで成膜性が良好なフェニル基、ピリジ
ル基およびそれらの誘導体が好ましい。ここで、炭素数
1〜12のアルキル基としては、例えば、メチル、エチ
ル、ブチル、オクチルなどであり、メチル、エチルが好
ましい。または炭素数1〜12のアルコキシ基としては
メトキシ、エトキシ、ブトキシ、ヘプチルオキシなどで
あり、メトキシ、エトキシが好ましい。アリール基とし
てはフェニル基、4−メチルフェニル基、4−エチルフ
ェニル基、4−プロピルフェニル基、4−ブチルフェニ
ル基、4−ペンチルフェニル基、4−ヘキシルフェニル
基、1−ナフタレン基、2−ナフタレン基、アリールオ
キシ基としては4−メトキシフェニル基、4−エトキシ
フェニル基、4−プロポキシフェニル基、4−ブトキシ
フェニル基、4−ペンチルオキシフェニル基、4−ヘキ
シルオキシフェニル基、フェノキシ基が例示される。複
素環化合物基としてはチエニル基、ピリジン−2−イル
基、ピリジン−3−イル基、ピリジン−4−イル基が例
示される。
The light emitting material used in the present invention is the aromatic compound represented by the above chemical formula 4, wherein A 1 , A 2 ,
As described above, A 3 and A 4 are a phenyl group, a naphthyl group,
Anthryl group, pyridyl group, thienyl group, or a derivative in which an alkyl or alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl or aryloxy group having 6 to 14 carbon atoms, a nitro group or a heterocyclic compound group is nuclear-substituted. .. Among these, a phenyl group, a pyridyl group and their derivatives, which have good film-forming properties, are preferable. Here, as the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, for example, methyl, ethyl, butyl, octyl and the like are preferable, and methyl and ethyl are preferable. Alternatively, the alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms includes methoxy, ethoxy, butoxy, heptyloxy and the like, and methoxy and ethoxy are preferable. The aryl group is a phenyl group, 4-methylphenyl group, 4-ethylphenyl group, 4-propylphenyl group, 4-butylphenyl group, 4-pentylphenyl group, 4-hexylphenyl group, 1-naphthalene group, 2- Examples of the naphthalene group and the aryloxy group include 4-methoxyphenyl group, 4-ethoxyphenyl group, 4-propoxyphenyl group, 4-butoxyphenyl group, 4-pentyloxyphenyl group, 4-hexyloxyphenyl group, and phenoxy group. To be done. Examples of the heterocyclic compound group include a thienyl group, a pyridin-2-yl group, a pyridin-3-yl group and a pyridin-4-yl group.

【0010】具体的な化合物として1,2,4,5−テ
トラキス(フェニルエチニル)ベンゼン、1,2,4,
5−テトラキス(2’−ピリジルエチニル)ベンゼン、
1,2,4,5−テトラキス(p−メトキシフェニルエ
チニル)ベンゼン、1,2,4,5−テトラキス(2,
5−ジメトキシフェニルエチニル)ベンゼン、1,2,
4,5−テトラキス(ナフチルエチニル)ベンゼン、
1,2,4,5−テトラキス(アントラニルエチニル)
ベンゼン、1,2,4,5−テトラキス(チエニルエチ
ニル)ベンゼンなどが挙げられるが、1,2,4,5−
テトラキス(フェニルエチニル)ベンゼン、1,2,
4,5−テトラキス(p−メトキシフェニルエチニル)
ベンゼン、1,2,4,5−テトラキス(2,5−ジメ
トキシフェニルエチニル)ベンゼンが蛍光強度、成膜性
の点から好ましい。
Specific compounds include 1,2,4,5-tetrakis (phenylethynyl) benzene, 1,2,4, and
5-tetrakis (2'-pyridylethynyl) benzene,
1,2,4,5-tetrakis (p-methoxyphenylethynyl) benzene, 1,2,4,5-tetrakis (2,2
5-dimethoxyphenylethynyl) benzene, 1,2,
4,5-tetrakis (naphthylethynyl) benzene,
1,2,4,5-tetrakis (anthranylethynyl)
Examples thereof include benzene, 1,2,4,5-tetrakis (thienylethynyl) benzene, and 1,2,4,5-
Tetrakis (phenylethynyl) benzene, 1,2,
4,5-Tetrakis (p-methoxyphenylethynyl)
Benzene and 1,2,4,5-tetrakis (2,5-dimethoxyphenylethynyl) benzene are preferable from the viewpoint of fluorescence intensity and film forming property.

【0011】前記化4で示される芳香族化合物はベンゼ
ン誘導体であり、合成法については特に限定されない
が、炭素−炭素二重結合を形成する反応を利用するのが
一般的であり、Wittig反応、スルホニウム塩分解
法、脱ハロゲン化水素法などが例示される。具体的に
は、例えば、1,2,4,5−テトラキス(ブロムメチ
ル)ベンゼンにトリフェニルホスフィンを反応させ、ホ
スホニウム塩とした後、これに相当するアルデヒドを反
応(Wittig反応)させて合成する。また、これら
の化合物を有機EL素子の発光層として用いる場合、そ
の純度が発光特性に影響を与えるため合成後、再沈精
製、昇華精製等の純化をすることが望ましい。
The aromatic compound represented by the above chemical formula 4 is a benzene derivative, and the synthesis method is not particularly limited, but it is common to use a reaction for forming a carbon-carbon double bond, and the Wittig reaction, Examples thereof include a sulfonium salt decomposition method and a dehydrohalogenation method. Specifically, for example, 1,2,4,5-tetrakis (bromomethyl) benzene is reacted with triphenylphosphine to form a phosphonium salt, and then aldehyde corresponding thereto is reacted (Wittig reaction) to synthesize. Further, when these compounds are used as a light emitting layer of an organic EL device, it is desirable to carry out purification such as reprecipitation purification, sublimation purification and the like after the synthesis because the purity affects the light emitting characteristics.

【0012】上記化4で示される芳香族化合物を含む発
光層は真空蒸着法あるいは該芳香族化合物の溶液をスピ
ンコーテイング法、キャスティング法、ディッピング
法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法等、公知
の方法で形成することができる。なお、塗布法により薄
膜化した場合には、溶媒を除去するため、減圧下あるい
は不活性雰囲気下、30〜200℃、好ましくは60〜
100℃の温度で熱処理することが望ましい。膜厚の微
妙な制御を行うという点では真空蒸着法を用いることが
好ましい。
The light emitting layer containing the aromatic compound represented by the above chemical formula 4 is applied by a vacuum deposition method or a solution of the aromatic compound by a spin coating method, a casting method, a dipping method, a bar coating method, a roll coating method or the like. It can be formed by a known method. In addition, when a thin film is formed by a coating method, in order to remove the solvent, under reduced pressure or in an inert atmosphere, 30 to 200 ° C., preferably 60 to
Heat treatment at a temperature of 100 ° C. is desirable. The vacuum vapor deposition method is preferably used from the viewpoint of finely controlling the film thickness.

【0013】また、本発明においては、発光層として上
記の芳香族化合物と既知の高分子化合物を混合した層を
用いることも含まれる。この場合、使用する高分子化合
物は特に限定されないが、電荷輸送性、発光性を極度に
阻害しないものが好ましく、例えば、ポリ(N−ビニル
カルバゾール)、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチ
オフェン及びその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレ
ン)及びその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレ
ン)及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリシロキサ
ン、ならびにポリメチルアクリレート、ポリメチルメタ
クリレート、ポリスチレン及びポリ塩化ビニル等のビニ
ル系重合体などが例示される。なお、ここでポリ(N−
ビニルカルバゾール)、ポリアニリン及びその誘導体、
ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ(p−フェニレン
ビニレン)及びその誘導体、ポリ(2,5−チエニレン
ビニレン)及びその誘導体は下記に言及する電荷輸送性
化合物としての作用も有する。
The present invention also includes the use of a layer obtained by mixing the above aromatic compound and a known polymer compound as the light emitting layer. In this case, the polymer compound to be used is not particularly limited, but those which do not extremely disturb the charge transport property and the light emitting property are preferable, and examples thereof include poly (N-vinylcarbazole), polyaniline and its derivatives, polythiophene and its derivatives, and polythiophene. (P-phenylene vinylene) and its derivatives, poly (2,5-thienylene vinylene) and its derivatives, polycarbonate, polysiloxane, and vinyl polymers such as polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene and polyvinyl chloride. Is exemplified. In addition, here, poly (N-
Vinylcarbazole), polyaniline and its derivatives,
Polythiophene and its derivative, poly (p-phenylene vinylene) and its derivative, poly (2,5-thienylene vinylene) and its derivative also have the action as a charge transporting compound mentioned below.

【0014】上記芳香族化合物と高分子化合物との混合
層の形成は該高分子化合物及び該芳香族化合物を溶液状
態または溶融状態で混合し、該芳香族化合物を分散させ
た後、上記の塗布法を使うことができる。この場合、高
分子に分散させる芳香族化合物の量に特に制限はない
が、高分子化合物100重量部に対して通常1〜100
重量部、好ましくは20〜70重量部である。
The formation of the mixed layer of the aromatic compound and the polymer compound is carried out by mixing the polymer compound and the aromatic compound in a solution state or a molten state, dispersing the aromatic compound, and then applying the above-mentioned coating. You can use the law. In this case, the amount of the aromatic compound dispersed in the polymer is not particularly limited, but is usually 1 to 100 relative to 100 parts by weight of the polymer compound.
Parts by weight, preferably 20 to 70 parts by weight.

【0015】ポリ(p−フェニレンビニレン)及びその
誘導体ならびにポリ(2,5−チエニレンビニレン)及
びその誘導体等の前駆体高分子を使用した場合は溶液状
態で該芳香族アミン化合物と混合後、不活性雰囲気下,
30〜200℃、好ましくは60〜100℃の温度で熱
処理を行い、目的とする高分子に変換させる。
When a precursor polymer such as poly (p-phenylene vinylene) and its derivative and poly (2,5-thienylene vinylene) and its derivative is used, after mixing with the aromatic amine compound in a solution state, Under active atmosphere,
Heat treatment is performed at a temperature of 30 to 200 ° C., preferably 60 to 100 ° C. to convert the polymer into a target polymer.

【0016】本発明においては発光層といずれかの電極
の間に電荷輸送層(なお、本発明において電荷輸送層は
特に断らない限り正孔輸送層および電子輸送層の総称を
意味する。)を設けてもよい。その際使用される電荷輸
送材料(正孔輸送材料と電子輸送材料を総称)としては
特に限定されず、例えば、トリフェニルジアミン誘導
体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、アリ
ールアミン誘導体、スチルベン誘導体、アントラキノジ
メタン誘導体などを用いることができる。具体的には、
例えば特開平2−209988号公報、同3−3799
2号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可
能である。これらのうち、電子輸送性の化合物と正孔輸
送性の化合物のいずれか一方、または両方を同時に使用
すればよい。電荷輸送層の厚みは使用する化合物の種類
等によっても異なるので、十分な成膜性と発光特性を阻
害しない量範囲でそれらを考慮して適宜決めればよい。
In the present invention, a charge transport layer is provided between the light emitting layer and any of the electrodes (the charge transport layer in the present invention is a generic term for a hole transport layer and an electron transport layer unless otherwise specified). It may be provided. There is no particular limitation on the charge transport material (general term for hole transport material and electron transport material) used at that time, and examples thereof include triphenyldiamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, and anthracenes. A quinodimethane derivative or the like can be used. In particular,
For example, JP-A-2-209988 and 3-3799.
Known materials such as those described in Japanese Patent Publication No. 2 can be used. Of these, either the electron-transporting compound or the hole-transporting compound, or both, may be used at the same time. The thickness of the charge transport layer varies depending on the type of compound used and the like, and therefore may be appropriately determined in consideration of those in a range that does not impair sufficient film formability and light emission characteristics.

【0017】これら電荷輸送材料は公知の方法、例えば
真空蒸着法、あるいは該電荷輸送材料の溶液のスピンコ
ーテイング法、キャスティング法、ディッピング法、バ
ーコート法、ロールコート法等の塗布法等、化合物に応
じて適宜採用するにより電荷輸送層を形成することがで
きる。電荷輸送材料が高分子化合物でない場合、膜厚の
微妙な制御を行うという点では、真空蒸着法を用いるこ
とが好ましい。
These charge-transporting materials can be compounded by known methods such as vacuum deposition, or coating methods such as spin-coating, casting, dipping, bar-coating and roll-coating methods of the solution of the charge-transporting material. The charge transport layer can be formed by appropriately adopting it. When the charge transport material is not a polymer compound, it is preferable to use the vacuum vapor deposition method from the viewpoint of finely controlling the film thickness.

【0018】本発明においては、さらに発光層として、
前記発光材料である芳香族化合物と前記電荷輸送材料と
の混合物を使用することもできるし、またこれらの混合
物を既知の高分子化合物を媒体とし、これに分散した層
として用いることも可能である。発光材料と電荷輸送材
料の混合比は特に限定されないが、好ましくは0.1:
100〜1:1(重量)の範囲であり、また高分子化合
物とこれら材料の和の比も特に限定されないが、好まし
くは100:0.01〜1:3(重量)の範囲である。
この場合、使用する高分子化合物は前述のもので可視光
に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。具体
的にはポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリチオフェ
ン及びその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)及
びその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)及
びその誘導体、ポリカーボネート、ポリメチルアクリレ
ート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ
塩化ビニル、ポリシロキサンなどが例示される。混合層
の形成は上記と同様な手法が採用できる。また、これら
の層を一層のみで使用することができるが、必要に応じ
て別の電荷輸送材料の層等を設けてもよい。
In the present invention, further as a light emitting layer,
A mixture of the aromatic compound as the light emitting material and the charge transport material may be used, or a mixture of these may be used as a layer in which a known polymer compound is used as a medium and dispersed therein. .. The mixing ratio of the light emitting material and the charge transport material is not particularly limited, but is preferably 0.1:
It is in the range of 100 to 1: 1 (weight), and the ratio of the sum of the polymer compound and these materials is not particularly limited, but is preferably in the range of 100: 0.01 to 1: 3 (weight).
In this case, the polymer compound used is preferably the above-mentioned polymer compound which does not strongly absorb visible light. Specifically, poly (N-vinylcarbazole), polythiophene and its derivatives, poly (p-phenylene vinylene) and its derivatives, poly (2,5-thienylene vinylene) and its derivatives, polycarbonate, polymethyl acrylate, polymethyl Examples thereof include methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane and the like. The same method as described above can be used to form the mixed layer. Further, although these layers can be used in only one layer, another layer of a charge transport material or the like may be provided if necessary.

【0019】本発明の有機EL素子の構造について以下
に述べる。素子の構造自体は公知の構造をとることがで
きる。例えば、これまで述べた陽極/電荷(正孔)輸送
層/発光層/陰極(/は層を積層したことを示す)、あ
るいは陽極/電荷(正孔または電子)輸送・発光(電荷
輸送材料と発光材料と混合物)層/陰極の構造以外に、
陽極と電荷(正孔)輸送層との間に導電性高分子層を有
する組み合わせの構造をとることもできるし、発光層と
陰極との間に電荷(電子)輸送層を有する組み合わせの
構造をとることもできる。更に、陽極/導電性高分子/
電荷(正孔)輸送層/発光層/電荷(電子)輸送層/陰
極の構造をとることもできる。
The structure of the organic EL device of the present invention will be described below. The structure itself of the element can be a known structure. For example, the above-mentioned anode / charge (hole) transport layer / light-emitting layer / cathode (/ indicates that the layers are stacked), or anode / charge (hole or electron) transport / light-emission (charge transport material and Other than the structure of the luminescent material and the mixture) layer / cathode,
It is possible to have a combination structure having a conductive polymer layer between the anode and the charge (hole) transport layer, or a combination structure having a charge (electron) transport layer between the light emitting layer and the cathode. It can also be taken. Furthermore, anode / conductive polymer /
A structure of charge (hole) transporting layer / light emitting layer / charge (electron) transporting layer / cathode can also be adopted.

【0020】以下、有機EL素子の作製について陽極/
電荷(正孔)輸送層/発光層/陰極の構造のものを例に
とって作製法を以下に述べる。一対の電極のうち透明、
または半透明な電極としてはガラス、透明プラスチック
等の透明基板の上に透明または半透明電極を形成する。
これを陽極とする。電極の材料としては導電性の金属酸
化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には
インジウム・スズ・オキサイド (ITO) 、酸化スズ
(NESA)、Au、Pt、Ag、Cu等が用いられ
る。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング
法、メッキ法などが用いられる。
Hereinafter, regarding the production of the organic EL device, the anode /
The production method will be described below by taking an example of a structure of charge (hole) transport layer / light emitting layer / cathode. Transparent of a pair of electrodes,
Alternatively, as the semitransparent electrode, a transparent or semitransparent electrode is formed on a transparent substrate such as glass or transparent plastic.
This is the anode. A conductive metal oxide film, a semitransparent metal thin film, or the like is used as the material of the electrode. Specifically, indium tin oxide (ITO), tin oxide (NESA), Au, Pt, Ag, Cu or the like is used. As a manufacturing method, a vacuum deposition method, a sputtering method, a plating method, or the like is used.

【0021】次いで前記の電荷輸送層を設けるが、膜厚
としては5Å〜10μm 、好ましくは10Å〜1μm で
ある。電流密度を上げて発光輝度を上げるためには20
〜5000Åの範囲が好ましい。
Next, the charge transport layer is provided, and the film thickness is 5Å to 10 μm, preferably 10Å to 1 μm. 20 to increase the current density and the emission brightness
The range of up to 5000 Å is preferred.

【0022】次に電荷輸送層の上に発光層を設けるが、
発光層の膜厚は、少なくともピンホールが発生しないよ
うな厚みが必要であるが、あまり厚いと素子の抵抗が増
加し、高い駆動電圧が必要となり好ましくない。したが
って、発光層の膜厚は5Å〜10μm、好ましくは10
Å〜1μm、さらに好ましくは50〜2000Åであ
る。なお、電荷輸送材料と発光材料との混合層の場合も
この範囲が好ましい。
Next, a light emitting layer is provided on the charge transport layer.
The film thickness of the light emitting layer needs to be at least such that pinholes are not generated, but if it is too thick, the resistance of the device increases and a high driving voltage is required, which is not preferable. Therefore, the thickness of the light emitting layer is 5Å to 10 μm, preferably 10
Å-1 μm, more preferably 50-2000 Å. Note that this range is also preferable in the case of a mixed layer of a charge transport material and a light emitting material.

【0023】次いで、発光層の上に電極を設ける。この
電極は電子注入陰極となる。その材料としては、特に限
定されないが、イオン化エネルギーの小さい材料が好ま
しい。例えば、Al、In、Mg、Mg−Ag合金、M
g−In合金、グラファイト薄膜等が用いられる。該陰
極の作製方法としては公知の真空蒸着法,スパッタリン
グ法等が用いられる。
Next, an electrode is provided on the light emitting layer. This electrode becomes the electron injection cathode. The material is not particularly limited, but a material having low ionization energy is preferable. For example, Al, In, Mg, Mg-Ag alloy, M
A g-In alloy, a graphite thin film, etc. are used. As a method for producing the cathode, a known vacuum deposition method, sputtering method or the like is used.

【0024】上記のようにして本発明の有機EL素子を
作製することができるが、別の構造のものについても同
様な方法で作製が可能である。
Although the organic EL device of the present invention can be manufactured as described above, it is possible to manufacture the organic EL device having another structure by the same method.

【0025】[0025]

【作用】本発明において発光材料として使用の4つのビ
ニレン基をもつベンゼン誘導体は、4つのビニレン基に
π共役系が拡がっており、そのうち1つまたは2つの置
換基が何らかの原因で変性しても分子としては発光材料
としての能力を有する点と、融点や分解温度が比較的高
いので熱的に安定であると考えられる。
The benzene derivative having four vinylene groups used as a light emitting material in the present invention has a π-conjugated system extending to four vinylene groups, and even if one or two of them are modified by some cause. It is considered that the molecule is thermally stable because it has the ability as a light emitting material and has a relatively high melting point and decomposition temperature.

【0026】[0026]

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

【0027】参考例1 (1,2,4,5−テトラキス(p−メトキシフェニル
エチニル)ベンゼンの合成)1,2,4,5−テトラキ
ス(ブロムメチル)ベンゼンとトリフェニルホスフィン
をN,N−ジメチルホルムアミド(DMF)中、150
℃で3時間反応させた。この反応液を室温まで冷却し、
生成した沈殿物を濾過してDMFで洗浄した後、減圧乾
燥してホスホニウム塩を得た。このホスホニウム塩とp
−メトキシベンズアルデヒドとをエタノールに溶解さ
せ、リチウムエトキシドのエタノール溶液を室温で滴下
した。滴下後さらに1時間攪拌し反応(Wittig)
させた。生成した沈殿物を濾過して、順次エタノール、
エタノール/水、、エタノールで洗浄した後、減圧乾燥
して1,2,4,5−テトラキス(p−メトキシフェニ
ルエチニル)ベンゼンを得た。
Reference Example 1 (Synthesis of 1,2,4,5-tetrakis (p-methoxyphenylethynyl) benzene) 1,2,4,5-tetrakis (bromomethyl) benzene and triphenylphosphine were added to N, N-dimethyl. 150 in formamide (DMF)
The reaction was carried out at ℃ for 3 hours. Cool the reaction to room temperature,
The formed precipitate was filtered, washed with DMF, and dried under reduced pressure to obtain a phosphonium salt. This phosphonium salt and p
-Methoxybenzaldehyde and ethanol were dissolved, and an ethanol solution of lithium ethoxide was added dropwise at room temperature. After dropping, stir for an additional 1 hour to react (Wittig)
Let The precipitate formed is filtered, ethanol,
It was washed with ethanol / water and ethanol and then dried under reduced pressure to obtain 1,2,4,5-tetrakis (p-methoxyphenylethynyl) benzene.

【0028】参考例2 (1,2,4,5−テトラキス(フェニルエチニル)ベ
ンゼンの合成)p−メトキシベンズアルデヒドの代わり
にベンズアルデヒドを用いて反応を行なった以外は参考
例1と同一の方法で1,2,4,5−テトラキス(フェ
ニルエチニル)ベンゼンを合成した。
Reference Example 2 (Synthesis of 1,2,4,5-tetrakis (phenylethynyl) benzene) 1 was prepared in the same manner as in Reference Example 1 except that benzaldehyde was used instead of p-methoxybenzaldehyde. , 2,4,5-Tetrakis (phenylethynyl) benzene was synthesized.

【0029】参考例3 (1,2,4,5−テトラキス(2,5−ジメトキシフ
ェニルエチニル)ベンゼンの合成)p−メトキシベンズ
アルデヒドの代わりに2,5−ジメトキシベンズアルデ
ヒドを用いて反応を行なった以外は参考例1と同一の方
法で1,2,4,5−テトラキス(2,5−ジメトキシ
フェニルエチニル)ベンゼンを合成した。
Reference Example 3 (Synthesis of 1,2,4,5-tetrakis (2,5-dimethoxyphenylethynyl) benzene) Other than carrying out the reaction using 2,5-dimethoxybenzaldehyde instead of p-methoxybenzaldehyde. Produced 1,2,4,5-tetrakis (2,5-dimethoxyphenylethynyl) benzene in the same manner as in Reference Example 1.

【0030】実施例1 スパッタリングにより200Åの厚みでITO膜を付け
たガラス基板に電荷(正孔)輸送層として4,4’−ビ
ス(3−メチル−ジフェニルアミノ)ビフェニル(以下
TPD)を3×10-6Torrの真空下で蒸着により1
000Åの厚みで成膜した。次いで、その上に発光層と
して参考例1で合成した1,2,4,5−テトラキス
(p−メトキシフェニルエチニル)ベンゼンを600
Å、更にその上に陰極としてインジウムを6000Å蒸
着して有機EL素子を作製した。蒸着のときの真空度は
すべて3×10-6Torr以下であった。この素子に電
圧20Vを印加したところ、電流密度16.8mA/c
2 の電流が流れ、輝度0.011cd/m2 の青白色
の均一なEL発光が観察された。輝度は電流密度に比例
していた。
Example 1 4,4'-bis (3-methyl-diphenylamino) biphenyl (hereinafter TPD) was used as a charge (hole) transport layer on a glass substrate having an ITO film with a thickness of 200Å formed by sputtering 3 ×. 1 by vapor deposition under vacuum of 10 -6 Torr
A film was formed with a thickness of 000Å. Then, 1,2,4,5-tetrakis (p-methoxyphenylethynyl) benzene synthesized in Reference Example 1 was used as a light emitting layer thereon to form 600
Å, and indium was further deposited thereon as a cathode by 6000Å to prepare an organic EL device. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 3 × 10 −6 Torr or less. When a voltage of 20 V was applied to this element, the current density was 16.8 mA / c
A current of m 2 was flowed, and bluish white uniform EL light emission with a brightness of 0.011 cd / m 2 was observed. The brightness was proportional to the current density.

【0031】実施例2 スパッタリングにより200Åの厚みでITO膜を付け
たガラス基板に電荷(正孔)輸送層として4,4’−ビ
ス(3−メチル−ジフェニルアミノ)ビフェニル(以下
TPD)を3×10-6Torrの真空下で蒸着により1
000Åの厚みで成膜した。次いで、その上に発光層と
して参考例2で合成した1,2,4,5−テトラキス
(フェニルエチニル)ベンゼンを1000Å、更にその
上に陰極としてインジウムを6000Å蒸着して有機E
L素子を作製した。蒸着のときの真空度はすべて3×1
-6Torr以下であった。この素子に電圧18Vを印
加したところ、電流密度156mA/cm2 の電流が流
れ、輝度0.692cd/m 2 の青白色の均一なEL発
光が観察された。輝度は電流密度に比例していた。
Example 2 An ITO film was attached to a thickness of 200 Å by sputtering.
4,4'-bilayer as a charge (hole) transport layer on a glass substrate.
Sus (3-methyl-diphenylamino) biphenyl (hereinafter
TPD) 3 x 10-61 by vapor deposition under a vacuum of Torr
A film was formed with a thickness of 000Å. Then a light emitting layer on top of it
1,2,4,5-tetrakis synthesized in Reference Example 2
(Phenylethynyl) benzene 1000Å,
6000Å vapor deposition of indium as cathode on top of organic E
An L element was produced. The degree of vacuum during vapor deposition is 3 x 1
0-6It was below Torr. Apply a voltage of 18V to this device.
When added, the current density is 156 mA / cm2Current flows
Brightness 0.692 cd / m 2Blue-white uniform EL emission
Light was observed. The brightness was proportional to the current density.

【0032】実施例3 スパッタリングにより200Åの厚みでITO膜を付け
たガラス基板上に、0.1%のポリアニリンのN−メチ
ルピロリドン溶液をスピンコート後乾燥することによ
り、200Åの電荷(正孔)輸送層を作製した。次い
で、その上に発光層として参考例3で合成した1,2,
4,5−テトラキス(2,5−ジメトキシフェニルエチ
ニル)ベンゼンを1000Å、更にその上に陰極として
インジウムを6000Å蒸着して有機EL素子を作製し
た。蒸着のときの真空度はすべて3×10-6Torr以
下であった。この素子に電圧16Vを印加したところ、
電流密度119mA/cm2 の電流が流れ、輝度3cd
/m2 の青白色の均一なEL発光が観察された。輝度は
電流密度に比例していた。
Example 3 A glass substrate having an ITO film with a thickness of 200 Å formed by sputtering was spin-coated with 0.1% N-methylpyrrolidone solution of polyaniline to give 200 Å charges (holes). A transport layer was prepared. Then, 1, 2,
An organic EL device was produced by depositing 4,5-tetrakis (2,5-dimethoxyphenylethynyl) benzene at 1000 Å and further depositing indium as a cathode at 6000 Å thereon. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 3 × 10 −6 Torr or less. When a voltage of 16 V was applied to this element,
A current with a current density of 119 mA / cm 2 flows and the brightness is 3 cd
A uniform bluish white EL emission of / m 2 was observed. The brightness was proportional to the current density.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明の発光材料を用いた有機EL素子
は、発光の均一性、安定性等優れた発光特性を示し、バ
ックライトとしての面状光源、フラットパネルディスプ
レイ等の表示装置に好適に用いることができる。
The organic EL element using the light emitting material of the present invention exhibits excellent light emitting characteristics such as uniformity of light emission and stability, and is suitable for a planar light source as a backlight and a display device such as a flat panel display. Can be used for.

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成3年12月20日[Submission date] December 20, 1991

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0010[Correction target item name] 0010

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0010】具体的な化合物として1,2,4,5−テ
トラキス(フェニルエニル)ベンゼン、1,2,4,
5−テトラキス(2’−ピリジルエニル)ベンゼン、
1,2,4,5−テトラキス(p−メトキシフェニルエ
ニル)ベンゼン、1,2,4,5−テトラキス(2,
5−ジメトキシフェニルエニル)ベンゼン、1,2,
4,5−テトラキス(ナフチルエニル)ベンゼン、
1,2,4,5−テトラキス(アントラニルエニル)
ベンゼン、1,2,4,5−テトラキス(チエニルエ
ニル)ベンゼンなどが挙げられるが、1,2,4,5−
テトラキス(フェニルエニル)ベンゼン、1,2,
4,5−テトラキス(p−メトキシフェニルエニル)
ベンゼン、1,2,4,5−テトラキス(2,5−ジメ
トキシフェニルエニル)ベンゼンが蛍光強度、成膜性
の点から好ましい。
[0010] Specific compounds 1,2,4,5-tetrakis (Fenirue Te) benzene, 1,2,4,
5- tetrakis (2'Pirijirue Te) benzene,
1,2,4,5-tetrakis (p-methoxyphenylene
Te) benzene, 1,2,4,5-tetrakis (2,
5-dimethoxyphenyl d Te) benzene, 1,2,
4,5-tetrakis (Nafuchirue Te) benzene,
1,2,4,5-tetrakis (Antoranirue Te nil)
Benzene, 1,2,4,5-tetrakis (Chienirue Te <br/> sulfonyl) the like benzene, 1,2,4,5
Tetrakis (Fenirue Te) benzene, 1,2,
4,5-tetrakis (p- methoxyphenyl d Te sulfonyl)
Benzene, 1,2,4,5-tetrakis (2,5-dimethoxyphenyl d Te) benzene fluorescence intensity, from the viewpoint of film forming property.

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0027[Name of item to be corrected] 0027

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0027】参考例1 (1,2,4,5−テトラキス(p−メトキシフェニル
ニル)ベンゼンの合成)1,2,4,5−テトラキ
ス(ブロムメチル)ベンゼンとトリフェニルホスフィン
をN,N−ジメチルホルムアミド(DMF)中、150
℃で3時間反応させた。この反応液を室温まで冷却し、
生成した沈殿物を濾過してDMFで洗浄した後、減圧乾
燥してホスホニウム塩を得た。このホスホニウム塩とp
−メトキシベンズアルデヒドとをエタノールに溶解さ
せ、リチウムエトキシドのエタノール溶液を室温で滴下
した。滴下後さらに1時間攪拌し反応(Wittig
)させた。生成した沈殿物を濾過して、順次エタノー
ル、エタノール/水、、エタノールで洗浄した後、減圧
乾燥して1,2,4,5−テトラキス(p−メトキシフ
ェニルエニル)ベンゼンを得た。
[0027] Reference Example 1 (1,2,4,5-tetrakis (p- Synthesis methoxyphenyl d Te) benzene) 1,2,4,5 tetrakis (bromomethyl) benzene and triphenylphosphine N, N 150 in dimethylformamide (DMF)
The reaction was carried out at ℃ for 3 hours. Cool the reaction to room temperature,
The formed precipitate was filtered, washed with DMF, and dried under reduced pressure to obtain a phosphonium salt. This phosphonium salt and p
-Methoxybenzaldehyde and ethanol were dissolved, and an ethanol solution of lithium ethoxide was added dropwise at room temperature. After dropping, stir for an additional 1 hour to react (Wittig reaction
I did it. The resulting precipitate was filtered, successively ethanol, washed with ethanol / water ,, ethanol, dried under reduced pressure to 1,2,4,5-tetrakis (p- methoxyphenyl d Te sulfonyl) give benzene.

【手続補正3】[Procedure 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0028[Correction target item name] 0028

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0028】参考例2 (1,2,4,5−テトラキス(フェニルエニル)ベ
ンゼンの合成)p−メトキシベンズアルデヒドの代わり
にベンズアルデヒドを用いて反応を行なった以外は参考
例1と同一の方法で1,2,4,5−テトラキス(フェ
ニルエニル)ベンゼンを合成した。
[0028] In Reference Example 2 (1,2,4,5-tetrakis (Fenirue Te yl) Synthesis of benzene) p-methoxybenzaldehyde, except that the reaction was carried out using benzaldehyde in place of Reference Example 1 and the same methods 1,2,4,5-tetrakis (Fenirue Te nil) was synthesized benzene.

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0029[Name of item to be corrected] 0029

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0029】参考例3 (1,2,4,5−テトラキス(2,5−ジメトキシフ
ェニルエニル)ベンゼンの合成)p−メトキシベンズ
アルデヒドの代わりに2,5−ジメトキシベンズアルデ
ヒドを用いて反応を行なった以外は参考例1と同一の方
法で1,2,4,5−テトラキス(2,5−ジメトキシ
フェニルエニル)ベンゼンを合成した。
[0029] A reaction is conducted by using Reference Example 3 (1,2,4,5-tetrakis (2,5-dimethoxyphenyl d Te yl) Synthesis of benzene) p-2,5-dimethoxybenzaldehyde instead of methoxybenzaldehyde other than the was synthesized 1,2,4,5-tetrakis (2,5-dimethoxyphenyl d Te) benzene in the same manner as in reference example 1.

【手続補正5】[Procedure Amendment 5]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0030[Name of item to be corrected] 0030

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0030】実施例1 スパッタリングにより200Åの厚みでITO膜を付け
たガラス基板に電荷(正孔)輸送層として4,4’−ビ
ス(3−メチル−ジフェニルアミノ)ビフェニル(以下
TPD)を3×10-6Torrの真空下で蒸着により1
000Åの厚みで成膜した。次いで、その上に発光層と
して参考例1で合成した1,2,4,5−テトラキス
(p−メトキシフェニルエニル)ベンゼンを600
Å、更にその上に陰極としてインジウムを6000Å蒸
着して有機EL素子を作製した。蒸着のときの真空度は
すべて3×10-6Torr以下であった。この素子に電
圧20Vを印加したところ、電流密度16.8mA/c
2 の電流が流れ、輝度0.011cd/m2 の青白色
の均一なEL発光が観察された。輝度は電流密度に比例
していた。
Example 1 4,4'-bis (3-methyl-diphenylamino) biphenyl (hereinafter TPD) was used as a charge (hole) transport layer on a glass substrate having an ITO film with a thickness of 200Å formed by sputtering 3 ×. 1 by vapor deposition under vacuum of 10 -6 Torr
A film was formed with a thickness of 000Å. Then the upper synthesized in Reference Example 1 as a light-emitting layer 1,2,4,5-tetrakis (p- methoxyphenyl d Te) benzene 600
Å, and indium was further deposited thereon as a cathode by 6000Å to prepare an organic EL device. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 3 × 10 −6 Torr or less. When a voltage of 20 V was applied to this element, the current density was 16.8 mA / c
A current of m 2 was flowed, and bluish white uniform EL light emission with a brightness of 0.011 cd / m 2 was observed. The brightness was proportional to the current density.

【手続補正6】[Procedure correction 6]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0031[Correction target item name] 0031

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0031】実施例2 スパッタリングにより200Åの厚みでITO膜を付け
たガラス基板に電荷(正孔)輸送層として4,4’−ビ
ス(3−メチル−ジフェニルアミノ)ビフェニル(以下
TPD)を3×10-6Torrの真空下で蒸着により1
000Åの厚みで成膜した。次いで、その上に発光層と
して参考例2で合成した1,2,4,5−テトラキス
(フェニルエニル)ベンゼンを1000Å、更にその
上に陰極としてインジウムを6000Å蒸着して有機E
L素子を作製した。蒸着のときの真空度はすべて3×1
-6Torr以下であった。この素子に電圧18Vを印
加したところ、電流密度156mA/cm2 の電流が流
れ、輝度0.692cd/m 2 の青白色の均一なEL発
光が観察された。輝度は電流密度に比例していた。
Example 2 An ITO film was attached to a thickness of 200 Å by sputtering.
4,4'-bilayer as a charge (hole) transport layer on a glass substrate.
Sus (3-methyl-diphenylamino) biphenyl (hereinafter
TPD) 3 x 10-61 by vapor deposition under a vacuum of Torr
A film was formed with a thickness of 000Å. Then a light emitting layer on top of it
1,2,4,5-tetrakis synthesized in Reference Example 2
(PhenyleTeNil) benzene 1000 Å, then
6000Å vapor deposition of indium as cathode on top of organic E
An L element was produced. The degree of vacuum during vapor deposition is 3 x 1
0-6It was below Torr. Apply a voltage of 18V to this device.
When added, the current density is 156 mA / cm2Current flows
Brightness 0.692 cd / m 2Blue-white uniform EL emission
Light was observed. The brightness was proportional to the current density.

【手続補正7】[Procedure Amendment 7]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0032[Name of item to be corrected] 0032

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0032】実施例3 スパッタリングにより200Åの厚みでITO膜を付け
たガラス基板上に、0.1%のポリアニリンのN−メチ
ルピロリドン溶液をスピンコート後乾燥することによ
り、200Åの電荷(正孔)輸送層を作製した。次い
で、その上に発光層として参考例3で合成した1,2,
4,5−テトラキス(2,5−ジメトキシフェニルエ
ニル)ベンゼンを1000Å、更にその上に陰極として
インジウムを6000Å蒸着して有機EL素子を作製し
た。蒸着のときの真空度はすべて3×10-6Torr以
下であった。この素子に電圧16Vを印加したところ、
電流密度119mA/cm2 の電流が流れ、輝度3cd
/m2 の青白色の均一なEL発光が観察された。輝度は
電流密度に比例していた。
Example 3 A glass substrate having an ITO film with a thickness of 200 Å formed by sputtering was spin-coated with 0.1% N-methylpyrrolidone solution of polyaniline to give 200 Å charges (holes). A transport layer was prepared. Then, 1, 2,
4,5-tetrakis (2,5-dimethoxyphenyl et te <br/> sulfonyl) 1000 Å benzene, to produce an organic EL device was further 6000Å depositing indium as a cathode thereon. The degree of vacuum at the time of vapor deposition was 3 × 10 −6 Torr or less. When a voltage of 16 V was applied to this element,
A current with a current density of 119 mA / cm 2 flows and the brightness is 3 cd
A uniform bluish white EL emission of / m 2 was observed. The brightness was proportional to the current density.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも一方が透明または半透明である
一対の電極間に少なくとも発光層を有する有機エレクト
ロルミネッセンス素子において、該発光層が下記化1 【化1】 〔式中A1 、A2 、A3 、A4 はそれぞれ独立に下記化
2および化3から選ばれる基を表わす。 【化2】 及び 【化3】 (R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、R6 、R7 、R8
9 、R10、R11、R12、R13、R14はそれぞれ独立に
水素、炭素数1〜12のアルキル基またはアルコキシ
基、炭素数6〜14のアリール基またはアリールオキシ
基、ニトロ基、複素環化合物基で示される基を意味す
る。)〕で表される化合物から選ばれた少なくとも一種
の芳香族化合物を含有することを特徴とする有機エレク
トロルミネッセンス素子。
1. An organic electroluminescent device having at least a light emitting layer between a pair of electrodes, at least one of which is transparent or semitransparent, wherein the light emitting layer is represented by the following chemical formula 1. [In the formula, A 1 , A 2 , A 3 and A 4 each independently represent a group selected from the following chemical formulas 2 and 3. [Chemical 2] And (R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 ,
R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 , and R 14 are each independently hydrogen, an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group or an aryloxy group having 6 to 14 carbon atoms, or a nitro group. , Means a group represented by a heterocyclic compound group. )] At least one aromatic compound selected from the compounds represented by the formula (1).
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