JPH051113B2 - - Google Patents

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JPH051113B2
JPH051113B2 JP62097765A JP9776587A JPH051113B2 JP H051113 B2 JPH051113 B2 JP H051113B2 JP 62097765 A JP62097765 A JP 62097765A JP 9776587 A JP9776587 A JP 9776587A JP H051113 B2 JPH051113 B2 JP H051113B2
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JP
Japan
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laser
optical axis
fuse
slit
trimming device
Prior art date
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JP62097765A
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Japanese (ja)
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JPS63264286A (en
Inventor
Naoto Sakagami
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS63264286A publication Critical patent/JPS63264286A/en
Publication of JPH051113B2 publication Critical patent/JPH051113B2/ja
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  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザーを利用した加工装置に関し、
特に半導体ウエハー上に作られた高集積ICメモ
リーの不良アドレスを、アドレス切り替えヒユー
ズを溶断する事により予備のアドレスに切り替え
て良品とするリダンダンシー技術に用いられるレ
ーザートリミング装置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a processing device using a laser,
In particular, it relates to a laser trimming device used in redundancy technology that converts defective addresses in highly integrated IC memories fabricated on semiconductor wafers to spare addresses by blowing out address switching fuses.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図Aは従来のレーザートリミング装置の概
略図である。従来この種のレーザートリミング装
置は、レーザー発振器1と減衰器2とスリツト3
と結像レンズ4とウエハーステージ5とステージ
ドライバー6とコントローラ7とを有している。
予めICテストシステム等で測定判断された被加
工ウエハー8は、ウエハーステージ5に搭載さ
れ、得られた加工情報に従いコントローラ7の制
御のもとにステージドライバー6によりウエハー
との被溶断ヒユーズを結像レンズ4の焦点位置に
位置決めされる。レーザー発振器1より出力され
たレーザー光軸は、減衰器2により加工に最適の
エネルギーに減衰されスリツト3に照射される。
スリツト3は第3図Bの構造を持ち、2枚のスリ
ツト板9a,9bの重なり量を加減して開口部1
0のサイズを定められた範囲において任意に変更
出来る構造となつている。スリツト3の開口部1
0を通過したレーザー光は、結像レンズ4により
スリツト3の開口部10の像として被加工ウエハ
ー8の被溶断ヒユーズ上に結像され、該ヒユーズ
を溶断する。また、第4図の如き他の種のレーザ
ートリミング装置では被加工ウエハー8はウエハ
ーステージ5上に固定され、レーザー発振器1か
ら結像レンズ4までの光学系のうちの一部を位置
決め装置11により移動して被溶断ヒユーズ上に
位置決めするものもある。本発明はこれらウエハ
ー上の被溶断ヒユーズ上へのレーザー光の位置決
め手段には関わらず、各種のレーザートリミング
装置に共通に適用可能な為以降の説明は第3図に
示した従来のレーザートリミング装置に関しての
み記述する。
FIG. 3A is a schematic diagram of a conventional laser trimming device. Conventionally, this type of laser trimming device consists of a laser oscillator 1, an attenuator 2, and a slit 3.
It has an imaging lens 4, a wafer stage 5, a stage driver 6, and a controller 7.
The wafer 8 to be processed, which has been measured and determined in advance by an IC test system, etc., is mounted on the wafer stage 5, and the fuse to be blown between the wafer and the wafer is imaged by the stage driver 6 under the control of the controller 7 according to the processing information obtained. It is positioned at the focal position of the lens 4. A laser beam outputted from a laser oscillator 1 is attenuated by an attenuator 2 to the optimum energy for processing, and then irradiated onto a slit 3.
The slit 3 has the structure shown in FIG. 3B, and the opening 1 is formed by adjusting the amount of overlap between the two slit plates 9a and 9b.
The structure is such that the size of 0 can be changed arbitrarily within a predetermined range. Opening 1 of slit 3
The laser beam that has passed through 0 is focused by the imaging lens 4 on the fuse to be blown of the wafer 8 to be processed as an image of the opening 10 of the slit 3, and blows the fuse. In another type of laser trimming apparatus as shown in FIG. Some move and position over the fuse to be blown. The present invention can be commonly applied to various laser trimming devices regardless of the means for positioning the laser beam onto the fuse to be blown on the wafer, so the following explanation will be given to the conventional laser trimming device shown in FIG. I will only write about it.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

一般に半導体ウエハー上のヒユーズは第5図A
の如き形状をしており、その幅は1〜3ミクロ
ン、長さ十数ミクロンの長方形となつている。ま
た、将来の高集積メモリーICにおいてはさらに
微細化、高密度化が必至であり、このヒユーズ上
に正確に前記第3図のスリツト3の開口部10の
結像が位置する為にはステージドライバー6は1
ミクロン以下程度の位置決め精度が必要である。
しかしながら第5図Aのヒユーズを溶断する場
合、X方向の位置決め精度はヒユーズ長Lx程度
あれば十分であるが、Y方向に関してはヒユーズ
幅Ly以内にする必要がある。前記従来のレーザ
ートリミング装置では結像の形状は第3図スリツ
ト3の開口部10の形状そのものであり、第5図
Aのヒユーズに対してはスリツト3の開口部10
の形状をKx×Kyの長方形に設定して同図Bの様
に位置決めしている。これによれば要求されるY
方向の位置決め精度は結像のY方向長Kyとなり
緩和される効果がある。しかしながらヒユーズの
方向は第5図Aの如くX方向のみでなく、将来の
高集積メモリーICにおいてはチツプ設計上の自
由度を得る為にY方向にも設けられるのは十分予
想される。この様なX、Y両方向のヒユーズを有
するICメモリーのヒユーズを溶断する場合、従
来のレーザートリミング装置ではX方向のヒユー
ズに対しては前記した通りであるが、Y方向のヒ
ユーズに対しては第5図Cの様に結像が位置する
ことになる。この場合、X方向の要求される位置
決め精度が厳しくなるのは明白である。また、結
像のX方向の長さKxを大きくすれば要求される
位置決め精度は緩和されるがレーザーエネルギー
の照射面積が大きくなるためICチツプへの熱の
影響を考えると好ましくはない。また、スリツト
3の開口部10の形状をヒユーズに合わすY方向
側が長い長方形に変更することも可能であるが多
数のX方向ヒユーズとY方向ヒユーズが混在する
場合、形状変更に要する時間は1本のヒユーズ溶
断に要する時間と比較して多大であるためレーザ
ートリミング装置の処理能力を低下させる事にな
る。
Generally, fuses on semiconductor wafers are shown in Figure 5A.
It has a rectangular shape with a width of 1 to 3 microns and a length of more than ten microns. In addition, further miniaturization and higher density are inevitable in future highly integrated memory ICs, and in order for the image of the opening 10 of the slit 3 shown in FIG. 6 is 1
Positioning accuracy on the order of microns or less is required.
However, when blowing the fuse shown in FIG. 5A, positioning accuracy in the X direction is sufficient if the fuse length Lx is sufficient, but in the Y direction it is necessary to keep the fuse width Ly within. In the conventional laser trimming device, the shape of the image is exactly the shape of the opening 10 of the slit 3 in FIG. 3, and for the fuse shown in FIG.
The shape is set to a rectangle of Kx×Ky, and the position is determined as shown in Figure B. According to this, the required Y
The positioning accuracy in the direction is reduced by the Y-direction length Ky of the image formation. However, it is fully expected that the direction of the fuse will be not only in the X direction as shown in FIG. 5A, but also in the Y direction in order to gain more freedom in chip design in future highly integrated memory ICs. When blowing the fuse of such an IC memory that has fuses in both the X and Y directions, conventional laser trimming equipment blows the fuses in the X direction as described above, but the The image will be positioned as shown in Figure 5C. In this case, it is obvious that the required positioning accuracy in the X direction becomes stricter. Furthermore, if the length Kx of the image formation in the X direction is increased, the required positioning accuracy can be relaxed, but the area irradiated with laser energy becomes larger, which is not preferable in view of the influence of heat on the IC chip. It is also possible to change the shape of the opening 10 of the slit 3 to a rectangle with a longer Y-direction side that matches the fuse, but if there are many X-direction fuses and Y-direction fuses, the time required to change the shape is only one. Since the time required to blow the fuse is longer than the time required to blow the fuse, the processing capacity of the laser trimming device is reduced.

上述した従来のレーザートリミング装置に対
し、本発明によるレーザートリミング装置はX方
向、Y方向のヒユーズ各々に最適な形状の結像を
高速に切り替える事が可能であり、X方向、Y方
向のヒユーズが混在するメモリーICにおいても
処理能力、信頼性を低下させる事のないという独
創性を有する。
In contrast to the conventional laser trimming device described above, the laser trimming device according to the present invention is capable of quickly switching the optimal shape of the image for each of the fuses in the X and Y directions. It is unique in that it does not reduce processing performance or reliability even when mixed memory ICs are used.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明のレーザートリミング装置は、レーザー
発振器と、レーザー発振器から出力された1軸の
レーザー光軸を2軸に切り替える光軸切り替え器
と、前記切り替えられた2本のレーザー光軸上に
位置し、独立にその開口形状を変更可能なスリツ
トと、前記光軸切替え器とスリツトを透過した2
軸のレーザー光軸を1軸のレーザー光軸に統合す
る統合器と、前記レーザー光軸上に位置しレーザ
ー光のエネルギーを任意に減衰可能な減衰器とを
有している。
The laser trimming device of the present invention includes a laser oscillator, an optical axis switcher that switches a single laser optical axis output from the laser oscillator to two laser optical axes, and a laser trimming device located on the switched two laser optical axes, A slit whose aperture shape can be changed independently, and a slit that passes through the optical axis switch and the slit.
It has an integrator that integrates two laser optical axes into one laser optical axis, and an attenuator that is located on the laser optical axis and can arbitrarily attenuate the energy of the laser beam.

〔実施例〕〔Example〕

次に本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は本発明の第一の実施例を示す構成図で
ある。レーザー発振器1から出力されたレーザー
光12は光軸切り替え器13のおいてコントロー
ラ14からの電気信号により2軸のレーザー光
(光軸A15a、光軸B15b)に任意に切り替
えられる。2軸の光軸上には各々減衰器16a,
16bがありコントローラー14からの電気信号
により2軸のレーザー光のパワーを各々任意の値
に調整出来る。各々の減衰器16a,16bを通
過したレーザー光はその開口形状を変更可能で同
一の開口面積のスリツト17a,17bによりビ
ーム断面形状を各々のスリツト開口形状に制限さ
れる。スリツト17a,17bを通過した2軸の
レーザー光は全反射ミラー18a、ハーフミラー
18bを組み合わせた統合器19により同軸光に
統合される。同軸に統合されたレーザー光は結像
レンズ4により前記スリツト17a,17bの像
として被加工ウエハー8上に結像される。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. The laser beam 12 output from the laser oscillator 1 is arbitrarily switched into two-axis laser beams (optical axis A 15a, optical axis B 15b) by an electric signal from a controller 14 at an optical axis switch 13. Attenuators 16a are provided on the two optical axes, respectively.
16b, and the power of each of the two axes of laser light can be adjusted to an arbitrary value by an electric signal from the controller 14. The aperture shape of the laser beam that has passed through each attenuator 16a, 16b can be changed, and the beam cross-sectional shape is limited to the respective slit aperture shape by slits 17a, 17b having the same aperture area. The biaxial laser beams that have passed through the slits 17a and 17b are combined into coaxial beams by an integrator 19 that combines a total reflection mirror 18a and a half mirror 18b. The coaxially integrated laser beams are imaged by the imaging lens 4 onto the wafer 8 to be processed as images of the slits 17a and 17b.

一般的にレーザートリミング装置では予めIC
テストシステム等で測定判断され、得られた加工
情報をフロツピーデイスク等の記録媒体あるいは
ローカルエリアネツトワーク等の手段によりコン
トローラ14に入力し、コントローラはそのデー
タに基づき被加工ウエハー8の被溶断ヒユーズを
結像レンズ4の結像位置に順次位置決めしながら
レーザー光により被溶断ヒユーズを溶断する。本
発明のレーザートリミング装置においてはソフト
的なプログラミング手法により前記加工情報にヒ
ユーズの方向情報を付与しておく。スリツト17
a,17bには第6図A,Bの如くスリツト17
aにはX方向(同図A)の開口部、スリツト17
bにはY方向(同図B)の開口部を設けておく。
コントローラ14は加工情報に基づき被加工ウエ
ハー8の被溶断ヒユーズを結像レンズ4の結像位
置に順次位置決めするとともにヒユーズの方向情
報に基づき光軸切り替え器13を、該被溶断ヒユ
ーズがX方向であれば光軸Aに、又、該被溶断ヒ
ユーズがY方向であれば光軸Bに切り替えるよう
制御する。よつて被溶断ヒユーズがX方向であれ
ば第5図Bの如き形状のレーザー光が、またY方
向であれば第5図Dの如き形状のレーザー光が照
射される。
Generally, in laser trimming equipment, the IC is
The processing information measured and determined by a test system or the like is input to the controller 14 using a recording medium such as a floppy disk or a means such as a local area network, and the controller determines the fuse to be blown on the wafer 8 to be processed based on the data. The fuses to be blown are fused with laser light while being sequentially positioned at the imaging position of the imaging lens 4. In the laser trimming apparatus of the present invention, fuse direction information is added to the processing information using a software programming method. slit 17
a and 17b have slits 17 as shown in Figure 6 A and B.
a has an opening in the X direction (A in the same figure), and a slit 17
An opening in the Y direction (B in the figure) is provided in b.
Based on the processing information, the controller 14 sequentially positions the fuses to be blown on the wafer 8 to be blown at the imaging positions of the imaging lens 4, and also controls the optical axis switch 13 based on the direction information of the fuses so that the fuses to be blown are in the X direction. If so, control is performed to switch to optical axis A, and if the fuse to be blown is in the Y direction, to switch to optical axis B. Therefore, if the fuse to be blown is in the X direction, a laser beam having a shape as shown in FIG. 5B is irradiated, and if it is in the Y direction, a laser beam having a shape as shown in FIG. 5D is irradiated.

前記光軸切り替え器13には、一般に光変調素
子として用いられている音響光学素子を使用すれ
ば極めて高速に光軸を切り替えることが可能であ
り光軸切り替えによる処理能力の低下は極微であ
る。
If an acousto-optic element, which is generally used as a light modulation element, is used as the optical axis switch 13, it is possible to switch the optical axis at extremely high speed, and the decrease in processing performance due to optical axis switching is minimal.

また、スリツト17a,17bは第7図Aの如
き金属板20に各種開口部10を設けたものを必
要に応じて交換してもよいし、また、第7図Bの
如き形状の金属板21a,21bの重なり具合い
を変更してその開口部10の形状を任意に変更す
る事も可能である。
Furthermore, the slits 17a and 17b may be replaced by a metal plate 20 with various openings 10 as shown in FIG. 7A, or a metal plate 21a having a shape as shown in FIG. 7B. , 21b can be changed to arbitrarily change the shape of the opening 10.

また、統合器19は2軸のレーザー光に1軸の
レーザー光い統合できるものであれば本実施例で
示したハーフミラー、全反射ミラーを用いたもの
とは限らない、 本実施例においては2軸のレーザー光のエネル
ギーを個別に設定出来るため光軸切り替え器1
3、統合器19において2軸のレーザー光にエネ
ルギー差が生じても問題はない。またヒユーズの
隣接回路との距離等の設置環境により大きめの結
像で溶断するのが好ましいヒユーズと小さめの結
像で溶断するのが好ましいヒユーズが混在する可
能性がある。この場合スリツト17a,17bの
開口面積を各々最適な開口面積、形状に設定すれ
ばよいが開口面積の違いによりスリツト通過後の
レーザー光のエネルギーに差異を生じる。本実施
例においては2軸のレーザー光軸各々に減衰器1
6a,16bが設置されているのでスリツト17
a,17bの開口面積、形状が異なつても減衰器
16a,16bを通過後のレーザー光のエネルギ
ーを等しくすることができ、加工に最適なエネル
ギーの2つの結像を得ることが出来る。
In addition, the integrator 19 does not necessarily use the half mirror or total reflection mirror shown in this embodiment, as long as it can integrate two-axis laser light and one-axis laser light. Optical axis switcher 1 allows you to set the energy of the two axes of laser light individually.
3. There is no problem even if there is an energy difference between the two axes of laser light in the integrator 19. Further, depending on the installation environment such as the distance between the fuse and the adjacent circuit, there may be a mixture of fuses that are preferably blown when a larger image is formed and fuses that are preferably blown when a smaller image is formed. In this case, the aperture areas of the slits 17a and 17b may be set to optimal aperture areas and shapes, but the difference in aperture area causes a difference in the energy of the laser beam after passing through the slits. In this embodiment, an attenuator 1 is provided for each of the two laser optical axes.
Since 6a and 16b are installed, slit 17
Even if the aperture area and shape of a and 17b are different, the energy of the laser light after passing through attenuators 16a and 16b can be made equal, and two images with optimal energy for processing can be obtained.

第2図は本発明の第2の実施例を示す構成図で
ある。
FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention.

本実施例においては第1の実施例における減衰
器16a,16bが、2軸の分割前のレーザー光
軸中に減衰器16として設置されておりそれ以外
は第1の実施例と同一であり、第1の実施例と同
一の効果を有する。本実施例においては2軸のレ
ーザー光のエネルギーを個別に設定出来無いため
光軸切り替え器13、統合器19において2軸の
レーザー光にエネルギー差が生じる可能性があ
る。またヒユーズの隣接回路との距離等の設置環
境により大きめの結像で溶断するのが好ましいヒ
ユーズと小さめの結像で溶断するのが好ましいヒ
ユーズが混在する可能性がある。この場合スリツ
ト17a,17bの開口面積を各々最適な開口面
積、形状に設置すればよいが開口面積の違いによ
りスリツト17a,17b通過後のレーザー光の
エネルギーに差異を生じる。このため本実施例に
おいては2軸のレーザー光軸各々に光軸切り替え
器13で切り替えた場合、各々の光軸に最適なエ
ネルギーになるよう、コントローラ14により減
衰器16の減衰率を高速に切り替え可能な構造と
なつている。この為の減衰器16には一般に光変
調素子等として用いられている音響光学素子を使
用すれば極めて高速に減衰率の変更が可能であ
る。
In this embodiment, the attenuators 16a and 16b in the first embodiment are installed as an attenuator 16 in the laser optical axis before the two-axis division, and other than that, the attenuators 16a and 16b in the first embodiment are the same as in the first embodiment. It has the same effect as the first embodiment. In this embodiment, since the energies of the two axes of laser light cannot be set individually, there is a possibility that an energy difference will occur between the two axes of laser light in the optical axis switcher 13 and the integrator 19. Further, depending on the installation environment such as the distance between the fuse and the adjacent circuit, there may be a mixture of fuses that are preferably blown when a larger image is formed and fuses that are preferably blown when a smaller image is formed. In this case, the opening areas of the slits 17a and 17b may be set to the optimum opening area and shape, but the difference in opening area causes a difference in the energy of the laser light after passing through the slits 17a and 17b. Therefore, in this embodiment, when switching between two laser optical axes using the optical axis switcher 13, the attenuation rate of the attenuator 16 is switched at high speed by the controller 14 so that the energy is optimal for each optical axis. It has a possible structure. If the attenuator 16 used for this purpose is an acousto-optic element that is generally used as a light modulation element, the attenuation rate can be changed extremely quickly.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明は、レーザー発振器
と、レーザー発振器から出力された1種のレーザ
ー光軸を2軸に切り替える光軸切り替え器と、2
本のレーザー光軸上に位置し、独立にその開口形
状を変更可能なスリツトと、前記スリツトを透過
した2軸のレーザー光軸を1軸のレーザー光軸に
統合する統合器と、レーザー光軸上に位置しレー
ザー光のエネルギーを任意に減衰可能な減衰器と
を有することにより、2種の形状の結像をヒユー
ズの設置方向に応じ高速に選択しながら溶断が行
なえるため、高集積メモリーICにおいて回路設
計上の自由度のため、異なる設置方向のヒユーズ
が混在した場合においてもレーザートリミング装
置の位置決め精度に影響させる事無く安定した処
理結果を得られ、その効果は多大である。
As explained above, the present invention includes a laser oscillator, an optical axis switcher that switches one type of laser optical axis output from the laser oscillator to two axes, and two optical axis switches.
a slit that is located on the laser optical axis of the book and whose aperture shape can be changed independently; an integrator that integrates two laser optical axes transmitted through the slit into one laser optical axis; and a laser optical axis. By having an attenuator located above that can arbitrarily attenuate the energy of the laser beam, it is possible to perform fusing while selecting two types of image formation at high speed according to the installation direction of the fuse, resulting in highly integrated memory. Because of the degree of freedom in circuit design in ICs, stable processing results can be obtained without affecting the positioning accuracy of the laser trimming device even when fuses installed in different directions are mixed, which is highly effective.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の第1の実施例を示す構成図、
第2図は本発明の第2の実施例を示す構成図、第
3図Aは従来のレーザートリミング装置の概略
図、第3図Bはスリツトの概略構造図、第4図は
従来の他のレーザートリミング装置の概略図、第
5図A,B,C,Dは半導体ウエハー上のヒユー
ズ方向と結像の位置関係の概略図、第6図A,B
はスリツトの開口部の概略図、第7図A,Bはス
リツトの概略図である。 1はレーザー発振器、2a,2bは従来の減衰
器、3はスリツト、4は結像レンズ、5はウエハ
ーステージ、6はステージドライバー、7は従来
のコントローラ、8は被加工ウエハー、9a,9
bはスリツト板、10は開口部、11は位置決め
装置、12はレーザー光、13aは光軸切り替え
器、14は本発明のコントローラ、15aは光軸
A、15bは光軸B、16a,16bは減衰器、
17a,17bはスリツト、18a,18cは全
反射ミラー、18bはハーフミラー、19は統合
器、20は金属板、21a,21bは金属板であ
る。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of the present invention,
Fig. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention, Fig. 3A is a schematic diagram of a conventional laser trimming device, Fig. 3B is a schematic structural diagram of a slit, and Fig. 4 is a schematic diagram of a conventional laser trimming device. A schematic diagram of the laser trimming device, Figures 5A, B, C, and D are schematic diagrams of the positional relationship between the fuse direction and image formation on a semiconductor wafer, and Figures 6A, B.
7 is a schematic diagram of the opening of the slit, and FIGS. 7A and 7B are schematic diagrams of the slit. 1 is a laser oscillator, 2a and 2b are conventional attenuators, 3 is a slit, 4 is an imaging lens, 5 is a wafer stage, 6 is a stage driver, 7 is a conventional controller, 8 is a wafer to be processed, 9a, 9
b is a slit plate, 10 is an opening, 11 is a positioning device, 12 is a laser beam, 13a is an optical axis switch, 14 is a controller of the present invention, 15a is an optical axis A, 15b is an optical axis B, 16a and 16b are attenuator,
17a and 17b are slits, 18a and 18c are total reflection mirrors, 18b is a half mirror, 19 is an integrator, 20 is a metal plate, and 21a and 21b are metal plates.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 リダンダンシー手法を用いたICメモリーの
アドレス切り替えヒユーズを、レーザーを用いて
溶断する為のレーザートリミング装置において、
レーザー発振器と、前記レーザー発振器から出力
された1軸のレーザー光軸を2軸に切り替える光
軸切り替え器と、前記切り替えられた2本のレー
ザー光軸上に位置し、独立にその開口形状を変更
可能なスリツトと、前記それぞれのスリツトを透
過した2軸のレーザー光軸を1軸のレーザー光軸
に統合する統合器と、前記レーザー光軸上に位置
しレーザー光のエネルギーを任意に減衰可能な減
衰器とを有する事を特徴とするレーザートリミン
グ装置。
1 In a laser trimming device that uses a laser to blow out the address switching fuse of an IC memory using a redundancy method,
a laser oscillator, an optical axis switcher that switches from one laser optical axis outputted from the laser oscillator to two laser optical axes, and is located on the two switched laser optical axes and independently changes the aperture shape. an integrator that integrates the two laser optical axes that have passed through the respective slits into one laser optical axis, and a consolidator that is located on the laser optical axis and can arbitrarily attenuate the energy of the laser beam. A laser trimming device characterized by having an attenuator.
JP62097765A 1987-04-20 1987-04-20 Laser beam trimming device Granted JPS63264286A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62097765A JPS63264286A (en) 1987-04-20 1987-04-20 Laser beam trimming device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62097765A JPS63264286A (en) 1987-04-20 1987-04-20 Laser beam trimming device

Publications (2)

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JPS63264286A JPS63264286A (en) 1988-11-01
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