JPH11245060A - Laser processing device - Google Patents

Laser processing device

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JPH11245060A
JPH11245060A JP10066198A JP6619898A JPH11245060A JP H11245060 A JPH11245060 A JP H11245060A JP 10066198 A JP10066198 A JP 10066198A JP 6619898 A JP6619898 A JP 6619898A JP H11245060 A JPH11245060 A JP H11245060A
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laser
laser beam
fuse
processed
reference value
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JP10066198A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyasu Kamo
裕康 加茂
Original Assignee
Nikon Corp
株式会社ニコン
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser processing device which is capable of continuing a processing even when an output power of a laser beam is reduced or stopped. SOLUTION: This is referred to a laser processing device to carry out a processing of a fuse being 'a part to be processed' by irradiating a semi-conductor device 23 mounted on a stage 24 as 'an object to be processed' with the plural laser beams. The device has the first, second light-receiptive parts 21, 22 as 'the detective units' to detect when each of the above laser beam output is lowered below a reference value, and a main controller being 'a controller' to control a relative movement of the semi-conductor device 23 and the other laser beam upon receipt of signals from the first, second light-receiptive parts 21, 22 so that a fuse originally scheduled to be processed with the laser beam, output power of which is lowered below the reference value, is processed with the other laser beam.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ステージ上に載置された被加工物に複数のレーザビームを照射して被加工部位の加工を行うレーザ加工装置、特に、あるレーザビームの出力が低下した場合でも加工を継続できるレーザ加工装置に関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention is a laser processing apparatus which irradiates a plurality of laser beams to the workpiece placed on the stage for machining of the machining area, in particular, reduced output of one laser beam relates laser processing apparatus can continue processing even if the.

【0002】 [0002]

【従来の技術】従来から、この種のレーザ加工装置として、例えば半導体デバイス中のヒューズを加工するものがある。 Heretofore, as a laser machining apparatus of this type, for example, there is to process the fuses in a semiconductor device.

【0003】半導体デバイスには、ヒューズと呼ばれるレーザ光切断を予定した配線部分が設けられることがある。 [0003] Semiconductor devices may interconnect portion scheduled to laser beam cutting called fuse is provided. 例えばDRAMにおいては、設計・製造時に各メモリセル列にヒューズを付設しておくと共に予備のメモリセル列を配置しておき、検査時に不良が判明したメモリセル列のヒューズを切断することにより、当該セル列をデバイス中で隔離すると共に、予備のメモリセル列を不良列のアドレスに指定するためのヒューズを切断することにより予備列に代替させ、DRAMの歩留まり向上を図っている。 For example, in DRAM, should be placed in a spare memory cell columns with keep attaching a fuse to each memory cell row in the design and manufacture, by cutting the fuse of the memory cell column defect is found during inspection, the together to isolate the cell columns in the device, it is replaced by spare column by cutting the fuses for specifying a memory cell column spare address of the defective column, thereby achieving a yield improvement of the DRAM. また、ゲートアレイにおいては、プログラムリンクと呼ばれる回路中のヒューズの一部を切断し、 In the gate array, to cut the portion of the fuse in the circuit called a program link,
一部を選択的に残すことにより、特定のプログラムをデバイス中に造り込むことが行われている。 By leaving a part selectively, it is build in specific program in the device have been made. 前者をレーザリペア、後者をレーザトリミングと呼ぶ。 Lasers former repair, called latter as laser trimming.

【0004】このような半導体デバイス中のヒューズは、一般的に、ポリシリコンやアルミニウムからなる細い線(幅0.8〜1.5μm、厚0.3〜1.0μm、 [0004] Fuse in such semiconductor devices are generally thin line (width 0.8~1.5μm made of polysilicon or aluminum, thickness 0.3 to 1.0 [mu] m,
切断部の長さ3〜10μm)である。 The length 3 to 10 [mu] m) of the cutting unit. このヒューズにY Y to this fuse
AGレーザ等の加工レーザ光源からのレーザ光を集光させて照射し、ヒューズを構成する物質を光エネルギによって昇温蒸発させて除去することによりヒューズを切断する。 The laser beam from the processing laser light source AG laser, is irradiated by focusing, the fuse by removing the material constituting the fuse warmed evaporated by the light energy. なお、ヒューズは通常、透明なSiO 2膜(0. In addition, the fuse is usually, transparent SiO 2 film (0.
2〜0.5μm)の下に形成されている。 It is formed under the 2~0.5μm).

【0005】切断すべきヒューズの位置データについては、不良部分を検査する別装置であるテスターからのデータが、オンライン通信やFDなどのメディアを介してレーザリペア装置に入力される。 [0005] The position data of the fuses to be cut is, data from a separate device tester for inspecting the defective portion is input to the laser repair device through the media, such as online communications and FD. レーザリペア装置では、半導体デバイスをXーYテーブル上に載置して位置決めし、切断すべきヒューズの位置をレーザ光の集光点に自動的に位置合わせしながらヒューズを順次切断する。 In laser repair apparatus, a semiconductor device positioned by placing on the X-Y table, successively cutting the fuse while automatically aligning the position of the fuses to be cut at the focal point of the laser beam.

【0006】ところで、近年メモリの高集積化に伴い、 [0006] By the way, due to the high integration of recent memory,
メモリセル救済用のヒューズ本数が激増し、加工すべきヒューズ本数も膨大となると共に、高集積化のために救済用ヒューズの占める面積を縮小する要請もあり、ヒューズピッチが狭まる傾向にある。 Fuse number of memory cells repair increases rapidly, fuse number to be processed with also becomes huge, there are also demands to reduce the area occupied by the relief fuses for high integration, there is a tendency that the fuse pitch is narrowed.

【0007】しかし、加工に必要なエネルギを維持しながら加工レーザの発振周波数(約数kHz)を上げるには限界があり、同周波数によって規定されるヒューズ間の移動速度を現状以上に上げることが困難であるため、 However, there is a limit to increase while maintaining the energy required for processing the working laser oscillation frequency (about several kHz), is to increase the movement speed between the fuse defined by the frequency above situation since it is difficult,
レーザ加工装置の切断処理能力にも自ずと限界が生じる。 Naturally a limit to the cutting capacity of the laser processing apparatus is generated.

【0008】そこで、2つのレーザビームを用いて加工を行い、そのような問題を解決しようとするものが提案されている。 [0008] Therefore, performs processing by using two laser beams, intended to solve such problems have been proposed. 例えば、図3に示すように、半導体デバイスが載置されたステージが矢印方向(X軸方向)に移動されるようになっていると共に、その半導体デバイス上には、ある間隔を隔てて平行な2本の線P1,P2上に複数のヒューズ1がそれぞれ配置されている。 For example, as shown in FIG. 3, together with the stage on which the semiconductor device is mounted is adapted to be moved in the arrow direction (X axis direction), on the semiconductor device, parallel at a certain interval a plurality of fuses 1 on two lines P1, P2 are disposed. そして、 And,
第1レーザビームで、図中「×」で示す加工点のヒューズ1を切断(加工)し、又、第2レーザビームで、図中「○」で示す加工点のヒューズ1を切断(加工)するようにしている。 In the first laser beam, the cutting (machining) a fuse 1 of the working point shown in the drawing "×", and also, the second laser beam, cutting the fuse 1 of the working point shown in the drawing "○" (processed) It is way.

【0009】 [0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、2つのレーザビームでそれぞれ割り当てられた異なるヒューズ1を加工するようにしているため、一方のレーザビームが故障により出力が低下したり、あるいは停止した場合には、正常な他方のレーザビームによる加工も停止させて、その一方のレーザビームの光源等の修理を行うようにしており、その間は加工を停止せざるを得ないことから、加工に非常に手間取る、という問題があった。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, since you have to machine different fuse 1 assigned respectively two laser beams, when one of the laser beam output may be lowered due to a failure, or stopped is also processed by the other normal laser beam is stopped, take time and to perform the repair of the light source such that one of the laser beams, since during which inevitably stops working, the very process , there is a problem in that.

【0010】そこで、この発明は、あるレーザビームの出力が低下したり、あるいは停止した場合でも、加工を継続できるレーザ加工装置を提供することを課題としている。 [0010] Therefore, the present invention is in lowered output of a laser beam, or even when stopped, to provide a laser processing apparatus capable of continuously processing an object.

【0011】 [0011]

【課題を解決するための手段】かかる課題に着目し、請求項1に記載された発明は、ステージ上に載置された被加工物に複数のレーザビームを照射して被加工部位の加工を行うレーザ加工装置において、前記各レーザビームの出力が基準値より低下したことを検知する検知手段と、該検知手段からの信号を受け、前記基準値より低下したレーザビームにて加工される予定であった被加工部位を、他のレーザビームで加工するように、前記被加工物と前記他のレーザビームとの相対移動を制御するコントローラとを有するレーザ加工装置としたことを特徴とする。 Focusing on SUMMARY OF THE INVENTION The above problem, the invention described in claim 1, the machining of the machining area by irradiating a plurality of laser beams to the workpiece placed on the stage in the laser processing apparatus for performing a detecting means for detecting that the output of each laser beam becomes lower than the reference value, receiving a signal from said detecting means, is scheduled to be processed by the laser beam lower than the reference value the there was workpiece site, as processed by the other laser beam, and characterized in that said laser processing apparatus comprising a controller for controlling the relative movement of the other laser beams and the workpiece.

【0012】請求項2に記載された発明は、請求項1に記載の構成に加え、前記被加工部位は、ある間隔を隔てて平行な複数の線上に複数配置され、前記各レーザビームは、前記複数の異なる線上を走査するように設定されたことを特徴とする。 [0012] The invention described in claim 2, in addition to the configuration of claim 1, wherein the machined portion is a plurality arranged in a plurality of parallel lines at a certain interval, wherein the laser beam is wherein the set to scan the plurality of different lines.

【0013】請求項3に記載された発明は、請求項1又は2に記載の構成に加え、前記被加工部位は、半導体デバイス上に配置されているヒューズであることを特徴とする。 [0013] The invention described in claim 3, in addition to the configuration according to claim 1 or 2, wherein the machined portion is characterized by a fuse disposed on a semiconductor device.

【0014】 [0014]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態について説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, detailed description of the present invention.

【0015】図1及び図2には、この発明の実施の形態を示す。 [0015] Figures 1 and 2 show an embodiment of the present invention.

【0016】まず、構成について説明すると、この実施の形態に係るレーザ加工装置は、図1に示すように、2 [0016] First, to describe the structure, the laser processing apparatus according to this embodiment, as shown in FIG. 1, 2
台のYAGレーザ等の第1,第2レーザ光源11,12 The first YAG laser or the like of the base, the second laser light source 11 and 12
を有し、これらレーザ光源11,12は、「コントローラ」としてのメインコントローラ13からステージコントローラ14を介して発せられたトリガにより、それぞれ独立に任意のタイミングでレーザ発振されるようになっている。 Has, these laser light sources 11 and 12, the main controller 13 triggers emitted via the stage controller 14 as a "controller", and is lasing at arbitrary timing independently. なお、レーザ光源11,12の電源は図示を省略してある。 The power of the laser light source 11 and 12 are omitted.

【0017】各第1,第2レーザ光源11,12から射出されたレーザ光は、それぞれ第1レーザ用光学系15 [0017] Each first, laser light emitted from the second laser light source 11 includes an optical system 15 for the first laser, respectively
及び第2レーザ用光学系16を通過するようになっており、この第1,第2レーザ用光学系15,16は、レーザパワーコントローラ17に接続され、このコントローラ17により、加工レーザのエネルギー値や加工レーザビームのビームサイズが制御されるようになっている。 And is adapted to pass through the second laser optical system 16, the first optical system 15 and 16 for the second laser, is connected to the laser power controller 17, this controller 17, the energy value of the working laser and beam size of the processing laser beam are controlled.

【0018】その第1,第2レーザ用光学系15,16 [0018] The first, second laser optical system 15 and 16
を通過したレーザ光は、それぞれ第1,第2反射ミラー18,19に入射し、このレーザ光の大部分は第1,第2反射ミラー18,19よって下方に反射されて対物レンズ20に入射され、又、レーザ光の一部は第1,第2 Laser light that has passed through the first respectively incident on the second reflecting mirror 18 and 19, most of the laser beam is incident on the first, second reflecting mirror 18, 19 therefore the objective lens 20 is reflected downward are, also, the first part of the laser beam, the second
反射ミラー18,19を透過して「検知手段」としての第1,第2受光部21,22に入射されるようになっており、この受光部21は、前記メインコントローラ13 Is transmitted through the reflecting mirror 18, 19 first as a "detection means" is adapted to be incident on the second light receiving portions 21 and 22, the light receiving unit 21, the main controller 13
に接続されている。 It is connected to the.

【0019】また、その第1,第2反射ミラー18,1 [0019] In addition, the first, the second reflection mirror 18, 1
9は、各レーザビームの光軸が平行になるように設定されている。 9, the optical axis of each laser beam is set to be parallel.

【0020】そして、対物レンズ20に入射されたレーザビームは、この対物レンズ20を通過して集光され、 [0020] Then, the laser beam incident on the objective lens 20 is condensed through the objective lens 20,
スポットビームとなり、「被加工物」としての半導体デバイス23の「被加工部位」であるヒューズ23aに照射されるようになっている。 Becomes a spot beam, are irradiated to the fuse 23a is "workpiece site" of the semiconductor device 23 as a "workpiece". なお、両スポットビームのビーム径は、5μm程度である。 The beam diameter of the two spot beams is about 5 [mu] m.

【0021】また、その半導体デバイス23は、図示省略のチャックを介してステージ24上に載置されており、このステージ24は、XYの2方向及び上下方向に動き、更に上下方向を軸として回転するように構成され、ステージコントローラ14からの指令により、ステージ用アクチュエータ26にて所定方向に駆動されるようになっている。 Further, the semiconductor device 23 is placed on the stage 24 via a not shown chucking, the stage 24 moves in two directions and the vertical direction of the XY, further rotation of the vertical direction as an axis It is configured to, in response to a command from the stage controller 14, and is driven by the stage actuator 26 in a predetermined direction. この際に、ステージ24の位置は位置モニタ27により検出されるようになっている。 At this time, the position of the stage 24 is adapted to be detected by the position monitor 27.

【0022】さらに、加工用の前記第1,第2レーザ光源15,16の他に、半導体デバイス23の位置合わせを行うヘリウムーネオンレーザであるアライメントレーザ光源28を別に備えている。 Furthermore, the first for processing, in addition to the second laser light source 15, a separate alignment laser light source 28 is a helium over neon laser for aligning the semiconductor device 23. このアライメントレーザ光源28から射出されたアライメント用レーザ光は、アライメント用光学系29を通過して前記対物レンズ20 The alignment laser light source 28 for alignment laser beam emitted from the objective lens passes through the alignment optical system 29 20
に入射して、半導体デバイス23上に投射されるようになっている。 It is incident on, and is projected onto the semiconductor device 23. そのアライメント用光学系29はアライメントコントローラ30を介してメインコントローラ13 The main controller 13 that the alignment optical system 29 via an alignment controller 30
に接続されている。 It is connected to the. これにより、半導体デバイス23内のヒューズ23a相互間の位置が計測され、アライメントレーザと加工レーザとのオフセット量が測定され、アライメントレーザから得られた位置情報と前記オフセット量とを補正して加工が行われるようにしている。 Thus, the position between the fuse 23a mutually in the semiconductor device 23 is measured, the measured offset amount between the alignment laser and the working laser machining by correcting the amount the position information obtained from the alignment laser offset It is to be performed.

【0023】さらにまた、図示省略の保管ケースとステージ24との間で、半導体デバイスの搬送を行うローダコントローラ31が設けられ、このローダコントローラ31もメインコントローラ13に接続されて制御されるようになっている。 [0023] Furthermore, between the storage case and the stage 24 (not shown), the loader controller 31 is provided for conveying the semiconductor device, adapted to be controlled the loader controller 31 also is connected to the main controller 13 ing.

【0024】そして、このメインコントローラ13では、前記第1,第2受光部21,22からの信号により、前記各レーザビームの出力が基準値より低下したことを検知し、一方のレーザビームが前記基準値より低下している場合には、このレーザビームにて加工される予定であったヒューズ23aを、他のレーザビームで加工するように、ステージコントローラ14やレーザパワーコントローラ17等を制御し、半導体デバイス23と当該他のレーザビームとを相対移動させるように構成されている。 [0024] Then, in the main controller 13, the first, the signal from the second light receiving portions 21 and 22, wherein detecting that the output of each laser beam becomes lower than the reference value, one of the laser beam is the If you are lower than the reference value, the fuse 23a was to be processed in this laser beam, as processed in other laser beams, and controls the stage controller 14 and the laser power controller 17 or the like, and it is configured with a semiconductor device 23 and the other laser beam so as to relatively move.

【0025】さらに、図2に示すように、この半導体デバイス23が載置されたステージ24の移動方向である矢印方向(X軸方向)に沿って、その半導体デバイス2 Furthermore, as shown in FIG. 2, along the arrow direction (X axis direction) The semiconductor device 23 is a moving direction of the stage 24 that is mounted, the semiconductor device 2
3上には、ある間隔を隔てて平行な2本の線P1,P2 3 On two parallel lines at a certain interval P1, P2
(仮想の線)上に複数のヒューズ23aが配置されている。 A plurality of fuses 23a on (imaginary line) is arranged. そして、2本の線P1,P2上を2本のレーザビームが走査し、それら線P1,P2上に配置されたヒューズ23aの任意の箇所が切断されるようになっている。 Then, on the two lines P1, P2 two laser beams are scanned, any point located fuse 23a on their lines P1, P2 is adapted to be disconnected.

【0026】次に、作用について説明する。 [0026] Next, a description will be given of the operation.

【0027】第1,第2レーザ光源11,12から出射された第1,第2レーザビームは、第1,第2レーザ用光学系15,16にて所定の加工エネルギー値及びビームサイズに制御される。 The first, first emitted from the second laser light source 11 and 12, the second laser beam, first, a predetermined machining energy value at the second laser optical system 15, 16 and control the beam size It is. そして、この第1,第2レーザ用光学系15,16を通過したレーザビームは、第1, Then, the first, the laser beam passing through the second laser optical system 15 and 16, first,
第2反射ミラー18,19に入射し、このレーザ光の大部分は第1,第2反射ミラー18,19よって下方に反射されて対物レンズ20に入射され、又、レーザ光の一部は第1,第2反射ミラー18,19を透過して第1, Incident on the second reflecting mirror 18 and 19, most of the laser beam is incident on the first, second reflecting mirror 18, 19 therefore the objective lens 20 is reflected downward, also, part of the laser beam is first 1, first passes through the second reflecting mirror 18, 19,
第2受光部21,22に入射される。 It is incident on the second light receiving portions 21 and 22.

【0028】そして、対物レンズ20にて集光された各レーザビームにより、任意のヒューズ23aが切断されることとなる。 [0028] Then, by the laser beam focused by the objective lens 20, and that any fuse 23a is cut.

【0029】一方、第1,第2受光部21,22にそのレーザビームの一部が入射され、これら第1,第2受光部21,22からの信号をメインコントローラ13へ入力されることにより、各レーザビームの出力が基準値より低下したか否かが検知される。 On the other hand, first, a part of the laser beam is incident on the second light receiving portions 21 and 22, these first, by inputting a signal from the second light receiving portions 21 and 22 to the main controller 13 , the output of each laser beam is whether lower than the reference value is detected.

【0030】図2中、領域Aでは、両レーザビームの出力は共に基準値より低下しておらず、正常であり、第1 [0030] In FIG. 2, the region A, output of the two laser beams are not both lower than the reference value, a normal, first
レーザ光源11からの第1レーザビームで図中「×」で示す加工点のヒューズ23aが、又、第2レーザ光源1 Fuse 23a of the working point shown in the drawing by the first laser beam from the laser light source 11 by "×" is also the second laser light source 1
2からの第2レーザビームで図中「○」で示す加工点のヒューズ23aが正常に切断される。 Fuse 23a of the working point shown in the figure by "○" second laser beam from the 2 is successfully disconnected.

【0031】その後、同図中領域Bで、第2レーザビームの出力が基準値より低下したことが第2受光部22にて検知されると、装置全体が停止されることなく、メインコントローラ13により、ステージ24の移動方向や第1レーザビームの発振パルス等が制御されて、この「他のレーザビーム」としての第1レーザビームで、上の段の領域Cの図中「×」で示す加工点のヒューズ23 [0031] Thereafter, in the same drawing region B, and that the output of the second laser beam becomes lower than the reference value is detected by the second light receiving portion 22, without the entire apparatus is stopped, the main controller 13 the is controlled oscillation pulses, etc. of the moving direction and the first laser beam of the stage 24, shown in this "other laser beam" first laser beam as in FIG region C of the upper stage "×" of the machining point fuse 23
aが切断される。 a is disconnected. 次いで、この第1レーザビームは、矢印に示すように、ステージ24をY方向(図中上方)に移動させることにより、線P1の右端から線P2の右端に移動させた後、ステージ24をX方向(図中右方)に移動させることにより、線P2を左方向に移動させて、 Then, the first laser beam, as indicated by an arrow, by moving the stage 24 in the Y direction (upward in the drawing), after moving from the right end of the line P1 to the right end of the line P2, the stage 24 X by moving in the direction (right in the drawing), by moving the line P2 to the left,
この線P2上で領域Cの図中「×」で示す加工点のヒューズ23aを切断する。 The fuse 23a of the working point shown on the line P2 in the figure in the region C by "×". この線P2上で領域Cの図中「×」で示す加工点のヒューズ23aが、「基準値より低下したレーザビームにて加工される予定であった被加工部位」である。 Fuse 23a of the working point shown on the line P2 in the figure in the region C by "×" is "the work site was to be processed by the laser beam lower than the reference value".

【0032】このように2つのレーザビームの出力を常に監視し、一方のレーザ光源11又は12の故障等により、当該一方のレーザビームによりヒューズ23aの加工が不能となった場合には、自動的に他方のレーザビームを制御することにより、本来、その一方のレーザビームで加工される予定であったヒューズ23aが、その他方のレーザビームで加工されることとなる。 [0032] Thus constantly monitors the output of the two laser beams, the one laser light source 11 or 12 failure of, when the processing of the fuse 23a becomes impossible by said one laser beam, automatically a by controlling the other laser beam, originally fuse 23a was to be processed on the other hand the laser beam comes to be processed at its other laser beam.

【0033】従って、この変更を自動的に行うために装置が故障で止まっている時聞を最小限にすることが出来る。 [0033] Accordingly, it is possible to the Toki聞 the device is stopped at the failure to make this change automatically to a minimum.

【0034】また、この変更があった場合には、オペレータに知らせるようにしている。 Further, if there is this change is to inform the operator. しかも、その変更を自動的に行うか否かの選択をすることが出来る。 Moreover, it is possible to make a choice of whether or not automatically make that change.

【0035】なお、上記実施の形態では、2つのレーザビームで加工を行うようにしているが、3つ以上でも良いことは勿論であると共に、「被加工部位」も半導体デバイスのヒューズに限定されるものでない。 [0035] Incidentally, in the above embodiment, so that for machining the two laser beams, with may be three or more as a matter of course, "the work site" is also limited to a fuse of a semiconductor device not shall. また、「検知手段」として第1,第2受光部21,22を用いているが、これに限らず、第1,第2レーザ用光学系15, The first as a "detection means", while using the second light receiving portions 21 and 22 is not limited to this, first, for the second laser optical system 15,
16に各レーザビームの出力を検知するセンサを設けても良い。 16 may be provided a sensor for detecting the output of each laser beam.

【0036】 [0036]

【発明の効果】以上説明してきたように、各請求項に記載された発明によれば、複数のレーザビームの出力を常に監視し、あるレーザ光源等の故障により、当該あるレーザビームにより被加工部位の加工が不能となった場合には、自動的に他方のレーザビームを制御することにより、本来、前記あるレーザビームで加工される予定であった被加工部位を、その他方のレーザビームで加工することにより、装置が故障で止まっている時聞を最小にすることができ、加工性能を向上させることが出来る。 As has been described in the foregoing, according to the invention described in the claims, the outputs of the plurality of laser beams constantly monitored, due to a failure such as certain laser source, to be processed by the certain laser beam when the working site becomes impossible, by automatically controlling the other laser beam originally to be machined portion was to be processed in the certain laser beam, at its other laser beam by processing apparatus Toki聞 that has stopped a malfunction can be minimized, it is possible to improve the processing performance.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】この発明の実施の形態に係るレーザ加工装置の全体構成を模式的に示すブロック図である。 1 is a block diagram schematically showing the overall configuration of a laser processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図2】同実施の形態に係るレーザ加工装置を使用して半導体デバイスのヒューズを切断する場合を示す説明図である。 FIG. 2 is an explanatory view showing the case of cutting the fuse of a semiconductor device using the laser processing apparatus according to the embodiment.

【図3】従来のレーザ加工装置を使用して半導体デバイスのヒューズを切断する場合を示す説明図である。 [3] using the conventional laser machining apparatus is an explanatory diagram showing a case of cutting the fuse of a semiconductor device.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

11 第1レーザ光源 12 第2レーザ光源 13 メインコントローラ(コントローラ) 15 第1レーザ用光学系 16 第2レーザ用光学系 20 対物レンズ 21 第1受光部(検知手段) 22 第2受光部(検知手段) 23 半導体デバイス(被加工物) 23a ヒューズ(被加工部位) 24 ステージ P1,P2 ある間隔を隔てて平行な複数の線 11 the first laser light source 12 and the second laser light source 13 the main controller (controller) 15 first first light receiving portion laser optical system 16 and the second laser optical system 20 objective lens 21 (detection means) 22 second light receiving section (detecting means ) 23 semiconductor devices (workpiece) 23a fuse (workpiece sites) 24 stage P1, a plurality of lines parallel at a P2 certain intervals

Claims (3)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 ステージ上に載置された被加工物に複数のレーザビームを照射して被加工部位の加工を行うレーザ加工装置において、 前記各レーザビームの出力が基準値より低下したことを検知する検知手段と、該検知手段からの信号を受け、前記基準値より低下したレーザビームにて加工される予定であった被加工部位を、他のレーザビームで加工するように、前記被加工物と前記他のレーザビームとの相対移動を制御するコントローラとを有することを特徴とするレーザ加工装置。 1. A laser machining apparatus by irradiating a plurality of laser beams to the workpiece placed on the stage for machining of the workpiece portions, said output of each laser beam is lower than the reference value a detecting means for detecting that receives a signal from the detecting means, the work site which was scheduled to be processed by the laser beam lower than the reference value, so that processing in other laser beams, the object to be processed laser processing apparatus characterized by comprising a controller for controlling the relative movement of the the object other laser beam.
  2. 【請求項2】 前記被加工部位は、ある間隔を隔てて平行な複数の線上に複数配置され、前記各レーザビームは、前記複数の異なる線上を走査するように設定されたことを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。 Wherein said workpiece portion is more arranged at a certain distance in parallel to a plurality of lines, each laser beam is characterized in that it has been set to scan the plurality of different lines the laser processing apparatus according to claim 1.
  3. 【請求項3】 前記被加工部位は、半導体デバイス上に配置されているヒューズであることを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザ加工装置。 Wherein the processed site, the laser processing apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that a fuse is disposed on the semiconductor device.
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