JPH11245060A - Laser processing device - Google Patents

Laser processing device

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Publication number
JPH11245060A
JPH11245060A JP10066198A JP6619898A JPH11245060A JP H11245060 A JPH11245060 A JP H11245060A JP 10066198 A JP10066198 A JP 10066198A JP 6619898 A JP6619898 A JP 6619898A JP H11245060 A JPH11245060 A JP H11245060A
Authority
JP
Japan
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laser
laser beam
processed
fuse
processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP10066198A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyasu Kamo
裕康 加茂
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH11245060A publication Critical patent/JPH11245060A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser processing device which is capable of continuing a processing even when an output power of a laser beam is reduced or stopped. SOLUTION: This is referred to a laser processing device to carry out a processing of a fuse being 'a part to be processed' by irradiating a semi-conductor device 23 mounted on a stage 24 as 'an object to be processed' with the plural laser beams. The device has the first, second light-receiptive parts 21, 22 as 'the detective units' to detect when each of the above laser beam output is lowered below a reference value, and a main controller being 'a controller' to control a relative movement of the semi-conductor device 23 and the other laser beam upon receipt of signals from the first, second light-receiptive parts 21, 22 so that a fuse originally scheduled to be processed with the laser beam, output power of which is lowered below the reference value, is processed with the other laser beam.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ステージ上に載
置された被加工物に複数のレーザビームを照射して被加
工部位の加工を行うレーザ加工装置、特に、あるレーザ
ビームの出力が低下した場合でも加工を継続できるレー
ザ加工装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser processing apparatus for processing a workpiece by irradiating a workpiece mounted on a stage with a plurality of laser beams, and in particular, reducing the output of a laser beam. The present invention relates to a laser processing apparatus capable of continuing processing even when the processing is performed.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、この種のレーザ加工装置とし
て、例えば半導体デバイス中のヒューズを加工するもの
がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, as this type of laser processing apparatus, for example, there is an apparatus for processing a fuse in a semiconductor device.

【0003】半導体デバイスには、ヒューズと呼ばれる
レーザ光切断を予定した配線部分が設けられることがあ
る。例えばDRAMにおいては、設計・製造時に各メモ
リセル列にヒューズを付設しておくと共に予備のメモリ
セル列を配置しておき、検査時に不良が判明したメモリ
セル列のヒューズを切断することにより、当該セル列を
デバイス中で隔離すると共に、予備のメモリセル列を不
良列のアドレスに指定するためのヒューズを切断するこ
とにより予備列に代替させ、DRAMの歩留まり向上を
図っている。また、ゲートアレイにおいては、プログラ
ムリンクと呼ばれる回路中のヒューズの一部を切断し、
一部を選択的に残すことにより、特定のプログラムをデ
バイス中に造り込むことが行われている。前者をレーザ
リペア、後者をレーザトリミングと呼ぶ。
In some cases, a semiconductor device is provided with a wiring portion called a fuse, which is intended to cut a laser beam. For example, in a DRAM, a fuse is attached to each memory cell column at the time of design / manufacture, and a spare memory cell column is arranged. The cell column is isolated in the device, and the spare memory cell column is replaced with the spare column by cutting a fuse for designating the address of the defective column, thereby improving the yield of the DRAM. In a gate array, a part of a fuse in a circuit called a program link is cut,
By leaving a part selectively, a specific program is built in a device. The former is called laser repair, and the latter is called laser trimming.

【0004】このような半導体デバイス中のヒューズ
は、一般的に、ポリシリコンやアルミニウムからなる細
い線(幅0.8〜1.5μm、厚0.3〜1.0μm、
切断部の長さ3〜10μm)である。このヒューズにY
AGレーザ等の加工レーザ光源からのレーザ光を集光さ
せて照射し、ヒューズを構成する物質を光エネルギによ
って昇温蒸発させて除去することによりヒューズを切断
する。なお、ヒューズは通常、透明なSiO2膜(0.
2〜0.5μm)の下に形成されている。
A fuse in such a semiconductor device is generally formed of a thin line made of polysilicon or aluminum (width 0.8 to 1.5 μm, thickness 0.3 to 1.0 μm,
The length of the cut portion is 3 to 10 μm). This fuse has Y
A laser beam from a processing laser light source such as an AG laser is focused and irradiated, and the material constituting the fuse is heated and evaporated by light energy to remove the fuse, thereby cutting the fuse. The fuse is usually made of a transparent SiO 2 film (0.
2 to 0.5 μm).

【0005】切断すべきヒューズの位置データについて
は、不良部分を検査する別装置であるテスターからのデ
ータが、オンライン通信やFDなどのメディアを介して
レーザリペア装置に入力される。レーザリペア装置で
は、半導体デバイスをXーYテーブル上に載置して位置
決めし、切断すべきヒューズの位置をレーザ光の集光点
に自動的に位置合わせしながらヒューズを順次切断す
る。
As for the position data of the fuse to be blown, data from a tester, which is another device for inspecting a defective portion, is input to a laser repair device via a medium such as online communication or FD. In a laser repair apparatus, a semiconductor device is placed on an XY table and positioned, and the fuses are sequentially cut while automatically adjusting the position of the fuse to be cut to the focal point of the laser beam.

【0006】ところで、近年メモリの高集積化に伴い、
メモリセル救済用のヒューズ本数が激増し、加工すべき
ヒューズ本数も膨大となると共に、高集積化のために救
済用ヒューズの占める面積を縮小する要請もあり、ヒュ
ーズピッチが狭まる傾向にある。
By the way, in recent years, with high integration of memories,
The number of fuses for memory cell rescue has increased dramatically, the number of fuses to be processed has become enormous, and the area occupied by the rescue fuses for high integration has been demanded, and the fuse pitch tends to be narrowed.

【0007】しかし、加工に必要なエネルギを維持しな
がら加工レーザの発振周波数(約数kHz)を上げるに
は限界があり、同周波数によって規定されるヒューズ間
の移動速度を現状以上に上げることが困難であるため、
レーザ加工装置の切断処理能力にも自ずと限界が生じ
る。
However, there is a limit in increasing the oscillation frequency (about several kHz) of the processing laser while maintaining the energy required for processing, and it is necessary to increase the moving speed between the fuses specified by the frequency more than the current level. Because it ’s difficult
The cutting capability of the laser processing apparatus is naturally limited.

【0008】そこで、2つのレーザビームを用いて加工
を行い、そのような問題を解決しようとするものが提案
されている。例えば、図3に示すように、半導体デバイ
スが載置されたステージが矢印方向(X軸方向)に移動
されるようになっていると共に、その半導体デバイス上
には、ある間隔を隔てて平行な2本の線P1,P2上に
複数のヒューズ1がそれぞれ配置されている。そして、
第1レーザビームで、図中「×」で示す加工点のヒュー
ズ1を切断(加工)し、又、第2レーザビームで、図中
「○」で示す加工点のヒューズ1を切断(加工)するよ
うにしている。
[0008] Therefore, there has been proposed an apparatus which performs processing using two laser beams to solve such a problem. For example, as shown in FIG. 3, the stage on which the semiconductor device is mounted is moved in the direction of the arrow (the X-axis direction), and on the semiconductor device, the stage is parallel at a certain interval. A plurality of fuses 1 are respectively arranged on two lines P1 and P2. And
The first laser beam cuts (processes) the fuse 1 at the processing point indicated by "x" in the figure, and the second laser beam cuts (processes) the fuse 1 at the processing point indicated by "o" in the figure. I am trying to do it.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、2つの
レーザビームでそれぞれ割り当てられた異なるヒューズ
1を加工するようにしているため、一方のレーザビーム
が故障により出力が低下したり、あるいは停止した場合
には、正常な他方のレーザビームによる加工も停止させ
て、その一方のレーザビームの光源等の修理を行うよう
にしており、その間は加工を停止せざるを得ないことか
ら、加工に非常に手間取る、という問題があった。
However, since two different laser beams are used to machine different fuses 1 respectively assigned to the two laser beams, if one of the laser beams fails to output due to a failure or stops. Is designed to stop processing by the other normal laser beam and repair the light source of the one laser beam, etc. During that time, processing has to be stopped, so it takes a lot of time to process There was a problem.

【0010】そこで、この発明は、あるレーザビームの
出力が低下したり、あるいは停止した場合でも、加工を
継続できるレーザ加工装置を提供することを課題として
いる。
Therefore, an object of the present invention is to provide a laser processing apparatus capable of continuing processing even when the output of a certain laser beam is reduced or stopped.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】かかる課題に着目し、請
求項1に記載された発明は、ステージ上に載置された被
加工物に複数のレーザビームを照射して被加工部位の加
工を行うレーザ加工装置において、前記各レーザビーム
の出力が基準値より低下したことを検知する検知手段
と、該検知手段からの信号を受け、前記基準値より低下
したレーザビームにて加工される予定であった被加工部
位を、他のレーザビームで加工するように、前記被加工
物と前記他のレーザビームとの相対移動を制御するコン
トローラとを有するレーザ加工装置としたことを特徴と
する。
In view of such a problem, the invention described in claim 1 irradiates a plurality of laser beams to a workpiece mounted on a stage to process a workpiece. In the laser processing apparatus to be performed, a detecting means for detecting that the output of each of the laser beams has dropped below a reference value, and a signal from the detecting means, which is to be processed with the laser beam having dropped below the reference value. A laser processing apparatus having a controller for controlling the relative movement between the workpiece and the other laser beam so that the existing workpiece is processed by another laser beam.

【0012】請求項2に記載された発明は、請求項1に
記載の構成に加え、前記被加工部位は、ある間隔を隔て
て平行な複数の線上に複数配置され、前記各レーザビー
ムは、前記複数の異なる線上を走査するように設定され
たことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in addition to the configuration of the first aspect, a plurality of the processing portions are arranged on a plurality of parallel lines at a certain interval, and each of the laser beams is The apparatus is set to scan on the plurality of different lines.

【0013】請求項3に記載された発明は、請求項1又
は2に記載の構成に加え、前記被加工部位は、半導体デ
バイス上に配置されているヒューズであることを特徴と
する。
According to a third aspect of the present invention, in addition to the configuration of the first or second aspect, the processed portion is a fuse disposed on a semiconductor device.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below.

【0015】図1及び図2には、この発明の実施の形態
を示す。
1 and 2 show an embodiment of the present invention.

【0016】まず、構成について説明すると、この実施
の形態に係るレーザ加工装置は、図1に示すように、2
台のYAGレーザ等の第1,第2レーザ光源11,12
を有し、これらレーザ光源11,12は、「コントロー
ラ」としてのメインコントローラ13からステージコン
トローラ14を介して発せられたトリガにより、それぞ
れ独立に任意のタイミングでレーザ発振されるようにな
っている。なお、レーザ光源11,12の電源は図示を
省略してある。
First, the structure will be described. As shown in FIG.
First and second laser light sources 11 and 12 such as YAG lasers
These laser light sources 11 and 12 are independently oscillated at arbitrary timings by a trigger issued from a main controller 13 as a “controller” via a stage controller 14. The power sources of the laser light sources 11 and 12 are not shown.

【0017】各第1,第2レーザ光源11,12から射
出されたレーザ光は、それぞれ第1レーザ用光学系15
及び第2レーザ用光学系16を通過するようになってお
り、この第1,第2レーザ用光学系15,16は、レー
ザパワーコントローラ17に接続され、このコントロー
ラ17により、加工レーザのエネルギー値や加工レーザ
ビームのビームサイズが制御されるようになっている。
The laser light emitted from each of the first and second laser light sources 11 and 12 is applied to a first laser optical system 15 respectively.
The first and second optical systems for laser 15 and 16 are connected to a laser power controller 17, which controls the energy value of the processing laser. And the beam size of the processing laser beam is controlled.

【0018】その第1,第2レーザ用光学系15,16
を通過したレーザ光は、それぞれ第1,第2反射ミラー
18,19に入射し、このレーザ光の大部分は第1,第
2反射ミラー18,19よって下方に反射されて対物レ
ンズ20に入射され、又、レーザ光の一部は第1,第2
反射ミラー18,19を透過して「検知手段」としての
第1,第2受光部21,22に入射されるようになって
おり、この受光部21は、前記メインコントローラ13
に接続されている。
The first and second laser optical systems 15, 16
Are incident on the first and second reflecting mirrors 18 and 19, respectively. Most of the laser light is reflected downward by the first and second reflecting mirrors 18 and 19 and is incident on the objective lens 20. And a part of the laser light is
The light passes through the reflection mirrors 18 and 19 and enters the first and second light receiving sections 21 and 22 as “detecting means”.
It is connected to the.

【0019】また、その第1,第2反射ミラー18,1
9は、各レーザビームの光軸が平行になるように設定さ
れている。
The first and second reflection mirrors 18, 1
Reference numeral 9 is set so that the optical axes of the laser beams are parallel.

【0020】そして、対物レンズ20に入射されたレー
ザビームは、この対物レンズ20を通過して集光され、
スポットビームとなり、「被加工物」としての半導体デ
バイス23の「被加工部位」であるヒューズ23aに照
射されるようになっている。なお、両スポットビームの
ビーム径は、5μm程度である。
The laser beam incident on the objective lens 20 passes through the objective lens 20 and is condensed.
The beam becomes a spot beam and is radiated to the fuse 23a, which is a “working part” of the semiconductor device 23 as a “workpiece”. The beam diameter of both spot beams is about 5 μm.

【0021】また、その半導体デバイス23は、図示省
略のチャックを介してステージ24上に載置されてお
り、このステージ24は、XYの2方向及び上下方向に
動き、更に上下方向を軸として回転するように構成さ
れ、ステージコントローラ14からの指令により、ステ
ージ用アクチュエータ26にて所定方向に駆動されるよ
うになっている。この際に、ステージ24の位置は位置
モニタ27により検出されるようになっている。
The semiconductor device 23 is mounted on a stage 24 via a chuck (not shown). The stage 24 moves in two directions, XY and up and down, and rotates about the up and down direction. The actuator 26 is driven in a predetermined direction by a stage actuator 26 in response to a command from the stage controller 14. At this time, the position of the stage 24 is detected by the position monitor 27.

【0022】さらに、加工用の前記第1,第2レーザ光
源15,16の他に、半導体デバイス23の位置合わせ
を行うヘリウムーネオンレーザであるアライメントレー
ザ光源28を別に備えている。このアライメントレーザ
光源28から射出されたアライメント用レーザ光は、ア
ライメント用光学系29を通過して前記対物レンズ20
に入射して、半導体デバイス23上に投射されるように
なっている。そのアライメント用光学系29はアライメ
ントコントローラ30を介してメインコントローラ13
に接続されている。これにより、半導体デバイス23内
のヒューズ23a相互間の位置が計測され、アライメン
トレーザと加工レーザとのオフセット量が測定され、ア
ライメントレーザから得られた位置情報と前記オフセッ
ト量とを補正して加工が行われるようにしている。
Further, in addition to the first and second laser light sources 15 and 16 for processing, an alignment laser light source 28 which is a helium-neon laser for positioning the semiconductor device 23 is separately provided. The alignment laser light emitted from the alignment laser light source 28 passes through an alignment optical system 29 and passes through the objective lens 20.
And is projected on the semiconductor device 23. The alignment optical system 29 is connected to the main controller 13 via the alignment controller 30.
It is connected to the. Thereby, the position between the fuses 23a in the semiconductor device 23 is measured, the offset amount between the alignment laser and the processing laser is measured, and the position information obtained from the alignment laser and the offset amount are corrected to perform the processing. To be done.

【0023】さらにまた、図示省略の保管ケースとステ
ージ24との間で、半導体デバイスの搬送を行うローダ
コントローラ31が設けられ、このローダコントローラ
31もメインコントローラ13に接続されて制御される
ようになっている。
Further, a loader controller 31 for transferring semiconductor devices is provided between a storage case (not shown) and the stage 24, and the loader controller 31 is also connected to the main controller 13 and controlled. ing.

【0024】そして、このメインコントローラ13で
は、前記第1,第2受光部21,22からの信号によ
り、前記各レーザビームの出力が基準値より低下したこ
とを検知し、一方のレーザビームが前記基準値より低下
している場合には、このレーザビームにて加工される予
定であったヒューズ23aを、他のレーザビームで加工
するように、ステージコントローラ14やレーザパワー
コントローラ17等を制御し、半導体デバイス23と当
該他のレーザビームとを相対移動させるように構成され
ている。
The main controller 13 detects from the signals from the first and second light receiving sections 21 and 22 that the output of each of the laser beams has dropped below a reference value, and one of the laser beams is turned off. When it is lower than the reference value, the stage controller 14 and the laser power controller 17 are controlled so that the fuse 23a to be processed by this laser beam is processed by another laser beam. The semiconductor device 23 and the other laser beam are relatively moved.

【0025】さらに、図2に示すように、この半導体デ
バイス23が載置されたステージ24の移動方向である
矢印方向(X軸方向)に沿って、その半導体デバイス2
3上には、ある間隔を隔てて平行な2本の線P1,P2
(仮想の線)上に複数のヒューズ23aが配置されてい
る。そして、2本の線P1,P2上を2本のレーザビー
ムが走査し、それら線P1,P2上に配置されたヒュー
ズ23aの任意の箇所が切断されるようになっている。
Further, as shown in FIG. 2, the semiconductor device 2 is moved along an arrow direction (X-axis direction) which is a moving direction of the stage 24 on which the semiconductor device 23 is mounted.
3, two parallel lines P1 and P2 at a certain interval
A plurality of fuses 23a are arranged on the (virtual line). Then, two laser beams scan on the two lines P1 and P2, and an arbitrary portion of the fuse 23a arranged on the lines P1 and P2 is cut.

【0026】次に、作用について説明する。Next, the operation will be described.

【0027】第1,第2レーザ光源11,12から出射
された第1,第2レーザビームは、第1,第2レーザ用
光学系15,16にて所定の加工エネルギー値及びビー
ムサイズに制御される。そして、この第1,第2レーザ
用光学系15,16を通過したレーザビームは、第1,
第2反射ミラー18,19に入射し、このレーザ光の大
部分は第1,第2反射ミラー18,19よって下方に反
射されて対物レンズ20に入射され、又、レーザ光の一
部は第1,第2反射ミラー18,19を透過して第1,
第2受光部21,22に入射される。
The first and second laser beams emitted from the first and second laser light sources 11 and 12 are controlled to predetermined processing energy values and beam sizes by first and second laser optical systems 15 and 16, respectively. Is done. The laser beams passing through the first and second laser optical systems 15 and 16 are the first and second optical systems.
Most of the laser light is incident on the second reflecting mirrors 18 and 19, is reflected downward by the first and second reflecting mirrors 18 and 19, and is incident on the objective lens 20, and a part of the laser light is reflected on the second reflecting mirror 18 and 19. 1, through the second reflecting mirrors 18 and 19,
The light enters the second light receiving units 21 and 22.

【0028】そして、対物レンズ20にて集光された各
レーザビームにより、任意のヒューズ23aが切断され
ることとなる。
Then, an arbitrary fuse 23a is cut by each laser beam focused by the objective lens 20.

【0029】一方、第1,第2受光部21,22にその
レーザビームの一部が入射され、これら第1,第2受光
部21,22からの信号をメインコントローラ13へ入
力されることにより、各レーザビームの出力が基準値よ
り低下したか否かが検知される。
On the other hand, a part of the laser beam is incident on the first and second light receiving sections 21 and 22, and signals from the first and second light receiving sections 21 and 22 are input to the main controller 13. It is detected whether the output of each laser beam has dropped below the reference value.

【0030】図2中、領域Aでは、両レーザビームの出
力は共に基準値より低下しておらず、正常であり、第1
レーザ光源11からの第1レーザビームで図中「×」で
示す加工点のヒューズ23aが、又、第2レーザ光源1
2からの第2レーザビームで図中「○」で示す加工点の
ヒューズ23aが正常に切断される。
In FIG. 2, in the area A, the outputs of both laser beams are not lower than the reference value, are normal, and the first
The first laser beam from the laser light source 11 causes the fuse 23a at the processing point indicated by "x" in the figure to
With the second laser beam from No. 2, the fuse 23a at the processing point indicated by “○” in the figure is normally cut.

【0031】その後、同図中領域Bで、第2レーザビー
ムの出力が基準値より低下したことが第2受光部22に
て検知されると、装置全体が停止されることなく、メイ
ンコントローラ13により、ステージ24の移動方向や
第1レーザビームの発振パルス等が制御されて、この
「他のレーザビーム」としての第1レーザビームで、上
の段の領域Cの図中「×」で示す加工点のヒューズ23
aが切断される。次いで、この第1レーザビームは、矢
印に示すように、ステージ24をY方向(図中上方)に
移動させることにより、線P1の右端から線P2の右端
に移動させた後、ステージ24をX方向(図中右方)に
移動させることにより、線P2を左方向に移動させて、
この線P2上で領域Cの図中「×」で示す加工点のヒュ
ーズ23aを切断する。この線P2上で領域Cの図中
「×」で示す加工点のヒューズ23aが、「基準値より
低下したレーザビームにて加工される予定であった被加
工部位」である。
Thereafter, when the second light receiving section 22 detects that the output of the second laser beam has dropped below the reference value in the area B in the figure, the main controller 13 is operated without stopping the entire apparatus. Thus, the moving direction of the stage 24, the oscillation pulse of the first laser beam, and the like are controlled, and the first laser beam as this "other laser beam" is indicated by "x" in the upper region C of the figure. Working point fuse 23
a is disconnected. Next, the first laser beam moves the stage 24 from the right end of the line P1 to the right end of the line P2 by moving the stage 24 in the Y direction (upward in the figure) as shown by the arrow, and then moves the stage 24 to the X direction. By moving the line P2 in the left direction by moving the line P2 in the right direction in the drawing,
On this line P2, the fuse 23a at the processing point indicated by “x” in the area C is cut. On this line P2, the fuse 23a at the processing point indicated by "x" in the area C in the drawing is "the part to be processed which was to be processed by the laser beam lower than the reference value".

【0032】このように2つのレーザビームの出力を常
に監視し、一方のレーザ光源11又は12の故障等によ
り、当該一方のレーザビームによりヒューズ23aの加
工が不能となった場合には、自動的に他方のレーザビー
ムを制御することにより、本来、その一方のレーザビー
ムで加工される予定であったヒューズ23aが、その他
方のレーザビームで加工されることとなる。
As described above, the outputs of the two laser beams are constantly monitored, and if the processing of the fuse 23a cannot be performed by the one laser beam due to the failure of one of the laser light sources 11 or 12, an automatic operation is performed. By controlling the other laser beam, the fuse 23a originally intended to be processed by the one laser beam is processed by the other laser beam.

【0033】従って、この変更を自動的に行うために装
置が故障で止まっている時聞を最小限にすることが出来
る。
[0033] Therefore, when this change is made automatically, it is possible to minimize the hearing when the device is stopped due to a failure.

【0034】また、この変更があった場合には、オペレ
ータに知らせるようにしている。しかも、その変更を自
動的に行うか否かの選択をすることが出来る。
When this change occurs, the operator is notified. In addition, it is possible to select whether or not to make the change automatically.

【0035】なお、上記実施の形態では、2つのレーザ
ビームで加工を行うようにしているが、3つ以上でも良
いことは勿論であると共に、「被加工部位」も半導体デ
バイスのヒューズに限定されるものでない。また、「検
知手段」として第1,第2受光部21,22を用いてい
るが、これに限らず、第1,第2レーザ用光学系15,
16に各レーザビームの出力を検知するセンサを設けて
も良い。
In the above-described embodiment, the processing is performed by two laser beams. However, it is needless to say that three or more laser beams may be used, and the "processed portion" is limited to the fuse of the semiconductor device. Not something. In addition, the first and second light receiving units 21 and 22 are used as the “detection unit”, but the present invention is not limited to this, and the first and second laser optical systems 15 and
16 may be provided with a sensor for detecting the output of each laser beam.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明してきたように、各請求項に記
載された発明によれば、複数のレーザビームの出力を常
に監視し、あるレーザ光源等の故障により、当該あるレ
ーザビームにより被加工部位の加工が不能となった場合
には、自動的に他方のレーザビームを制御することによ
り、本来、前記あるレーザビームで加工される予定であ
った被加工部位を、その他方のレーザビームで加工する
ことにより、装置が故障で止まっている時聞を最小にす
ることができ、加工性能を向上させることが出来る。
As described above, according to the inventions described in the claims, the outputs of a plurality of laser beams are constantly monitored, and when a laser light source or the like fails, the laser beam is processed by the laser beam. When the processing of the part becomes impossible, by automatically controlling the other laser beam, the part to be processed originally intended to be processed by the certain laser beam is replaced by the other laser beam. By processing, it is possible to minimize the hearing when the apparatus is stopped due to a failure, thereby improving the processing performance.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の実施の形態に係るレーザ加工装置の
全体構成を模式的に示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram schematically showing an overall configuration of a laser processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】同実施の形態に係るレーザ加工装置を使用して
半導体デバイスのヒューズを切断する場合を示す説明図
である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a case where a fuse of a semiconductor device is cut using the laser processing apparatus according to the embodiment;

【図3】従来のレーザ加工装置を使用して半導体デバイ
スのヒューズを切断する場合を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a case where a fuse of a semiconductor device is cut using a conventional laser processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 第1レーザ光源 12 第2レーザ光源 13 メインコントローラ(コントローラ) 15 第1レーザ用光学系 16 第2レーザ用光学系 20 対物レンズ 21 第1受光部(検知手段) 22 第2受光部(検知手段) 23 半導体デバイス(被加工物) 23a ヒューズ(被加工部位) 24 ステージ P1,P2 ある間隔を隔てて平行な複数の線 11 First laser light source 12 Second laser light source 13 Main controller (controller) 15 First laser optical system 16 Second laser optical system 20 Objective lens 21 First light receiving section (detection means) 22 Second light receiving section (detection means) ) 23 Semiconductor device (workpiece) 23a Fuse (workpiece part) 24 Stage P1, P2 Plural parallel wires at a certain interval

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ステージ上に載置された被加工物に複数
のレーザビームを照射して被加工部位の加工を行うレー
ザ加工装置において、 前記各レーザビームの出力が基準値より低下したことを
検知する検知手段と、該検知手段からの信号を受け、前
記基準値より低下したレーザビームにて加工される予定
であった被加工部位を、他のレーザビームで加工するよ
うに、前記被加工物と前記他のレーザビームとの相対移
動を制御するコントローラとを有することを特徴とする
レーザ加工装置。
1. A laser processing apparatus for processing a portion to be processed by irradiating a plurality of laser beams to a workpiece mounted on a stage, wherein an output of each laser beam is reduced below a reference value. A detecting means for detecting, and a signal to be processed from the detecting means, wherein the portion to be processed, which was to be processed by a laser beam lower than the reference value, is processed by another laser beam. A laser processing apparatus comprising: a controller that controls a relative movement between an object and the another laser beam.
【請求項2】 前記被加工部位は、ある間隔を隔てて平
行な複数の線上に複数配置され、前記各レーザビーム
は、前記複数の異なる線上を走査するように設定された
ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工装置。
2. The method according to claim 1, wherein the plurality of processing portions are arranged on a plurality of parallel lines at a certain interval, and each of the laser beams is set to scan on the plurality of different lines. The laser processing apparatus according to claim 1.
【請求項3】 前記被加工部位は、半導体デバイス上に
配置されているヒューズであることを特徴とする請求項
1又は2に記載のレーザ加工装置。
3. The laser processing apparatus according to claim 1, wherein the portion to be processed is a fuse disposed on a semiconductor device.
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