JPH0511135A - 光フアイバと光導波路の接続方法 - Google Patents
光フアイバと光導波路の接続方法Info
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- JPH0511135A JPH0511135A JP16060291A JP16060291A JPH0511135A JP H0511135 A JPH0511135 A JP H0511135A JP 16060291 A JP16060291 A JP 16060291A JP 16060291 A JP16060291 A JP 16060291A JP H0511135 A JPH0511135 A JP H0511135A
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- optical
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- waveguide
- optical waveguide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、効率よくしかも高精度に光導波路と
光ファイバとの位置合わせができる光ファイバと光導波
路の接続方法を提供することを目的とする。 【構成】基板上にクラッド層およびコア層を順次形成
し、フォトリソグラフィー法によりコア層をパターニン
グすることにより、所定の間隔を有して並設する複数の
光ファイバに対応した導波回路および導波回路から所定
の距離を有して位置する第１のマーカーを形成し、第１
のマーカーを除く領域上にクラッド層を形成して光導波
路を作製し、光ファイバを内挿するため光ファイバ用穴
および第１のマーカーと位置合わせするための第２のマ
ーカーを形成した基体の光ファイバ用穴に光ファイバを
載置して光コネクタを作製し、第１のマーカーと第２の
マーカーとを位置合わせすることによりそれぞれの光フ
ァイバと導波回路とを接続することを特徴としている。
光ファイバとの位置合わせができる光ファイバと光導波
路の接続方法を提供することを目的とする。 【構成】基板上にクラッド層およびコア層を順次形成
し、フォトリソグラフィー法によりコア層をパターニン
グすることにより、所定の間隔を有して並設する複数の
光ファイバに対応した導波回路および導波回路から所定
の距離を有して位置する第１のマーカーを形成し、第１
のマーカーを除く領域上にクラッド層を形成して光導波
路を作製し、光ファイバを内挿するため光ファイバ用穴
および第１のマーカーと位置合わせするための第２のマ
ーカーを形成した基体の光ファイバ用穴に光ファイバを
載置して光コネクタを作製し、第１のマーカーと第２の
マーカーとを位置合わせすることによりそれぞれの光フ
ァイバと導波回路とを接続することを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信技術における光
ファイバと光導波路の接続方法に関する。
ファイバと光導波路の接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光ファイバと光導波路の接続方法
は、図３に示すような方法により行われている。この方
法は、次のようにして行われる。まず、光導波路基板３
０を水平な載置台３１上に設置する。導波回路が露出し
た光導波路基板３０の一方の端面と、６軸（ｘ，ｙ，
ｚ，θｘ，θｙ，θｚ）の調心可能な微調台３２上に設
置された多心もしくは単心の入射側の光コネクタ３３の
接続端面とを突き合わせる。なお、入射側の光コネクタ
３３に取り付けられているファイバテープ３４は光源
（図示せず）に取り付けられている。また、導波回路が
露出した光導波路基板３０の他方の端面の近傍には、導
波回路からの出射光をモニタリングするためのＮＦＰ
（near-filed-pattern）装置３５が設置されている。
は、図３に示すような方法により行われている。この方
法は、次のようにして行われる。まず、光導波路基板３
０を水平な載置台３１上に設置する。導波回路が露出し
た光導波路基板３０の一方の端面と、６軸（ｘ，ｙ，
ｚ，θｘ，θｙ，θｚ）の調心可能な微調台３２上に設
置された多心もしくは単心の入射側の光コネクタ３３の
接続端面とを突き合わせる。なお、入射側の光コネクタ
３３に取り付けられているファイバテープ３４は光源
（図示せず）に取り付けられている。また、導波回路が
露出した光導波路基板３０の他方の端面の近傍には、導
波回路からの出射光をモニタリングするためのＮＦＰ
（near-filed-pattern）装置３５が設置されている。
【０００３】この状態で光源から入射側の光ファイバに
光を入射し、光導波路基板３０の導波回路を通過して出
射された光をＮＦＰ装置３５のテレビカメラでモニタリ
ングしながら微調台３２の６軸を微調節して入射側の光
ファイバのコアと光導波路基板３０の導波回路との位置
合わせを行う。
光を入射し、光導波路基板３０の導波回路を通過して出
射された光をＮＦＰ装置３５のテレビカメラでモニタリ
ングしながら微調台３２の６軸を微調節して入射側の光
ファイバのコアと光導波路基板３０の導波回路との位置
合わせを行う。
【０００４】次に、ＮＦＰ装置３５を取り除き、６軸の
調心可能な微調台３６上に載置された出射側の光コネク
タ３７と、導波回路が露出した光導波路基板３０の他方
の端面とを突き合わせる。なお、出射側の光コネクタ３
７に取り付けられているファイバテープ３８はパワーメ
ータ（図示せず）に接続されている。
調心可能な微調台３６上に載置された出射側の光コネク
タ３７と、導波回路が露出した光導波路基板３０の他方
の端面とを突き合わせる。なお、出射側の光コネクタ３
７に取り付けられているファイバテープ３８はパワーメ
ータ（図示せず）に接続されている。
【０００５】この状態で光源から入射側の光ファイバに
光を入射し、光導波路基板３０の導波回路を通過して出
射された光をパワーメータでモニタリングしながら微調
台３６の６軸を微調節してパワーが最大となるようにし
て位置合わせを行う。
光を入射し、光導波路基板３０の導波回路を通過して出
射された光をパワーメータでモニタリングしながら微調
台３６の６軸を微調節してパワーが最大となるようにし
て位置合わせを行う。
【０００６】その後、入射側の光コネクタ３３、光導波
路基板３０、および出射側の光コネクタ３７を融着接
続、ＹＡＧレーザ接続、またはＵＶ樹脂固定により取り
付ける。
路基板３０、および出射側の光コネクタ３７を融着接
続、ＹＡＧレーザ接続、またはＵＶ樹脂固定により取り
付ける。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、光コネクタと光導波路を位置合わせする際に
モニタリングしながら６軸方向において調心しなければ
ならず、大変手間がかかる。また、光コネクタに内挿さ
れる光ファイバ数が増加するにしたがい、ますます軸調
心が難しくなり時間がかかるという問題がある。
方法では、光コネクタと光導波路を位置合わせする際に
モニタリングしながら６軸方向において調心しなければ
ならず、大変手間がかかる。また、光コネクタに内挿さ
れる光ファイバ数が増加するにしたがい、ますます軸調
心が難しくなり時間がかかるという問題がある。
【０００８】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、効率よくしかも高精度に光導波路と光ファイバと
の位置合わせを行うことができる光ファイバと光導波路
の接続方法を提供することを目的とする。
あり、効率よくしかも高精度に光導波路と光ファイバと
の位置合わせを行うことができる光ファイバと光導波路
の接続方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にクラ
ッド層およびコア層を順次形成し、フォトリソグラフィ
ー法により該コア層をパターニングすることにより、所
定の間隔を有して並設する複数の光ファイバに対応した
導波回路および該導波回路から所定の距離を有して位置
する第１のマーカーを形成し、該第１のマーカーを除く
領域上にクラッド層を形成して光導波路を作製し、光フ
ァイバを内挿するため光ファイバ用穴および前記第１の
マーカーと位置合わせするための第２のマーカーを形成
した基体の光ファイバ用穴に光ファイバを載置して光コ
ネクタを作製し、前記第１のマーカーと前記第２のマー
カーとを位置合わせすることによりそれぞれの光ファイ
バと導波回路とを接続することを特徴とする光ファイバ
と光導波路の接続方法を提供する。
ッド層およびコア層を順次形成し、フォトリソグラフィ
ー法により該コア層をパターニングすることにより、所
定の間隔を有して並設する複数の光ファイバに対応した
導波回路および該導波回路から所定の距離を有して位置
する第１のマーカーを形成し、該第１のマーカーを除く
領域上にクラッド層を形成して光導波路を作製し、光フ
ァイバを内挿するため光ファイバ用穴および前記第１の
マーカーと位置合わせするための第２のマーカーを形成
した基体の光ファイバ用穴に光ファイバを載置して光コ
ネクタを作製し、前記第１のマーカーと前記第２のマー
カーとを位置合わせすることによりそれぞれの光ファイ
バと導波回路とを接続することを特徴とする光ファイバ
と光導波路の接続方法を提供する。
【００１０】ここで、基板材料としては、シリコン、ガ
リウム砒素等を用いることができる。コア層の材料とし
ては、ＴｉＯ2 またはＧｅＯ2 ドープＳｉＣｌ4 、Ｇａ
Ａｓ等を用いることができる。また、クラッド層の材料
としては、純ＳｉＣｌ4 、ＡｌＧａＡｓ等を用いること
ができる。
リウム砒素等を用いることができる。コア層の材料とし
ては、ＴｉＯ2 またはＧｅＯ2 ドープＳｉＣｌ4 、Ｇａ
Ａｓ等を用いることができる。また、クラッド層の材料
としては、純ＳｉＣｌ4 、ＡｌＧａＡｓ等を用いること
ができる。
【００１１】第１のマーカーを除く領域上にクラッド層
を形成する方法としては、例えば、第１のマーカーを含
む領域にマスクをしてクラッド層材料を被着する方法等
が挙げられる。
を形成する方法としては、例えば、第１のマーカーを含
む領域にマスクをしてクラッド層材料を被着する方法等
が挙げられる。
【００１２】コア層およびクラッド層を形成する方法と
しては、材料により異なるが、火炎堆積法、スパッタリ
ング法、スピンコーティング法、電子線蒸着法、抵抗加
熱蒸着法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、電子線エピ
タキシー法、ゾルゲル法、ＰＣＶＤ法等の方法によりコ
ア層材料またはクラッド層材料を被着する方法が挙げら
れる。
しては、材料により異なるが、火炎堆積法、スパッタリ
ング法、スピンコーティング法、電子線蒸着法、抵抗加
熱蒸着法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、電子線エピ
タキシー法、ゾルゲル法、ＰＣＶＤ法等の方法によりコ
ア層材料またはクラッド層材料を被着する方法が挙げら
れる。
【００１３】光コネクタの製造方法としては、樹脂の射
出成形法による一体成形、セラミックス、切削等を採用
することができる。このときの樹脂材料としては、エポ
キシ系樹脂等を用いることができる。
出成形法による一体成形、セラミックス、切削等を採用
することができる。このときの樹脂材料としては、エポ
キシ系樹脂等を用いることができる。
【００１４】
【作用】本発明の光ファイバと光導波路の接続方法は、
光導波路を通常の半導体製造方法により作製し、さらに
樹脂の一体成形等の方法により一工程で光コネクタを作
製し、光ファイバのコア部と光導波路の導波回路との調
心を第１および第２のマーカーを用いて１次元的に行う
ものである。
光導波路を通常の半導体製造方法により作製し、さらに
樹脂の一体成形等の方法により一工程で光コネクタを作
製し、光ファイバのコア部と光導波路の導波回路との調
心を第１および第２のマーカーを用いて１次元的に行う
ものである。
【００１５】光導波路の製造において通常の半導体製造
方法を用いているので、基板の底面を基準面とすること
により基板の底面から導波回路の中心までの距離を高精
度に制御することができる。
方法を用いているので、基板の底面を基準面とすること
により基板の底面から導波回路の中心までの距離を高精
度に制御することができる。
【００１６】また、通常の半導体製造方法、すなわちフ
ォトリソグラフィー法を用いているので、隣接する導波
回路の中心間の距離および導波回路の中心と第１のマー
カーの中心までの距離も高精度に制御することができ
る。
ォトリソグラフィー法を用いているので、隣接する導波
回路の中心間の距離および導波回路の中心と第１のマー
カーの中心までの距離も高精度に制御することができ
る。
【００１７】また、光コネクタも樹脂の一体成形等によ
り作製されるので、光ファイバ用穴間の距離や光ファイ
バ用穴と第２のマーカーとの間の距離を高精度に制御す
ることができる。
り作製されるので、光ファイバ用穴間の距離や光ファイ
バ用穴と第２のマーカーとの間の距離を高精度に制御す
ることができる。
【００１８】このように高精度に作製された光導波路と
光コネクタとを２軸方向に移動させながら位置合わせす
ることができるので、従来の６軸方向の位置合わせより
も容易にしかも精度よく光ファイバのコア部と光導波路
の導波回路とを接続することができる。
光コネクタとを２軸方向に移動させながら位置合わせす
ることができるので、従来の６軸方向の位置合わせより
も容易にしかも精度よく光ファイバのコア部と光導波路
の導波回路とを接続することができる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て具体的に説明する。
て具体的に説明する。
【００２０】まず、光導波路を次のようにして作製す
る。
る。
【００２１】図１（Ａ）に示すように、シリコンウェハ
１０上に火炎堆積法によりＳｉＯ2 を被着してクラッド
層１１を形成し、クラッド層１１上に火炎堆積法により
ＴｉＯ2 またはＧｅＯ2 ドープのＳｉＯ2 を被着してコ
ア層１２を形成する。形成されたクラッド層１１および
コア層１２を一括ガラス化する。図１（Ｂ）に示すよう
に、コア層１２上にスパッタリング法によりアモルファ
スシリコンを被着してマスク用薄膜１３を形成する。
１０上に火炎堆積法によりＳｉＯ2 を被着してクラッド
層１１を形成し、クラッド層１１上に火炎堆積法により
ＴｉＯ2 またはＧｅＯ2 ドープのＳｉＯ2 を被着してコ
ア層１２を形成する。形成されたクラッド層１１および
コア層１２を一括ガラス化する。図１（Ｂ）に示すよう
に、コア層１２上にスパッタリング法によりアモルファ
スシリコンを被着してマスク用薄膜１３を形成する。
【００２２】このマスク用薄膜１３上にレジスト層１４
を形成し、通常のフォトリソグラフィー法により図１
（Ｃ）に示すような１×８モードスプリッタの導波回路
パターン１５および第１のマーカーパターン１６を形成
する。すなわち、マスク用薄膜１３上に形成されたレジ
スト層１４を導波回路パターン１５および第１のマーカ
ーパターン１６に対応するマスクを用いて露光し、その
後現像する。
を形成し、通常のフォトリソグラフィー法により図１
（Ｃ）に示すような１×８モードスプリッタの導波回路
パターン１５および第１のマーカーパターン１６を形成
する。すなわち、マスク用薄膜１３上に形成されたレジ
スト層１４を導波回路パターン１５および第１のマーカ
ーパターン１６に対応するマスクを用いて露光し、その
後現像する。
【００２３】次いで、図１（Ｄ）に示すように、第１の
マーカーパターン１６を含む領域上方にマスク１７を配
置して導波回路パターン１５および第１のマーカーパタ
ーン１６を形成したマスク用薄膜１３をＲＩＢＥ（reac
tive ion beam etching ）装置を用いてＣＢｒＦ3 ガス
でエッチングする。なお、マスク１７としては、アルミ
ニウム箔、ＳＵＳ板等を用いることができる。
マーカーパターン１６を含む領域上方にマスク１７を配
置して導波回路パターン１５および第１のマーカーパタ
ーン１６を形成したマスク用薄膜１３をＲＩＢＥ（reac
tive ion beam etching ）装置を用いてＣＢｒＦ3 ガス
でエッチングする。なお、マスク１７としては、アルミ
ニウム箔、ＳＵＳ板等を用いることができる。
【００２４】次いで、エッチングされたマスク用薄膜１
３をマスクとしてコア層１２をＲＩＢＥ装置を用いてＣ
2 Ｆ6 ガスでエッチングし、残存したレジスト層１４を
除去する。その後、マスク用薄膜１３をＲＩＢＥ装置を
用いてＣＢｒＦ3 ガスでエッチングして、図１（Ｅ）に
示すように導波回路１８および第１のマーカー１９を形
成する。
３をマスクとしてコア層１２をＲＩＢＥ装置を用いてＣ
2 Ｆ6 ガスでエッチングし、残存したレジスト層１４を
除去する。その後、マスク用薄膜１３をＲＩＢＥ装置を
用いてＣＢｒＦ3 ガスでエッチングして、図１（Ｅ）に
示すように導波回路１８および第１のマーカー１９を形
成する。
【００２５】次いで、導波回路１８上にクラッド層２０
として純ＳｉＯ2 を火炎堆積法により堆積させる。この
ようにして図１（Ｆ）に示すような光導波路１を作製す
る。
として純ＳｉＯ2 を火炎堆積法により堆積させる。この
ようにして図１（Ｆ）に示すような光導波路１を作製す
る。
【００２６】次に、エポキシ系樹脂の一体成形により光
ファイバ用穴および第２のマーカーを有する８心の光コ
ネクタを作製する。このとき、光ファイバ用穴のピッチ
は、光導波路１の導波回路１８のピッチと同じとなるよ
うに設定され、光コネクタに内挿される光ファイバのコ
ア部の中心と第２のマーカーとの距離は、光ファイバに
対応する導波回路の中心と第１のマーカー１９との距離
と同じとなるように設定されている。なお、光導波路１
の下端面から導波回路の中心までの距離と、光コネクタ
の下端面から光ファイバのコア部の中心までの距離は、
製造工程においてあらかじめ同じとなるように設定され
ている。
ファイバ用穴および第２のマーカーを有する８心の光コ
ネクタを作製する。このとき、光ファイバ用穴のピッチ
は、光導波路１の導波回路１８のピッチと同じとなるよ
うに設定され、光コネクタに内挿される光ファイバのコ
ア部の中心と第２のマーカーとの距離は、光ファイバに
対応する導波回路の中心と第１のマーカー１９との距離
と同じとなるように設定されている。なお、光導波路１
の下端面から導波回路の中心までの距離と、光コネクタ
の下端面から光ファイバのコア部の中心までの距離は、
製造工程においてあらかじめ同じとなるように設定され
ている。
【００２７】次に、図２に示すように、光導波路１と光
コネクタ２の接続の一例について説明する。
コネクタ２の接続の一例について説明する。
【００２８】まず、表面を平坦に加工した支持板３上に
光導波路１を設置する。一方、マイクロメーターを備え
微調整が可能であるＸ−Ｙステージ４上に光コネクタ２
を設置する。このとき、支持板３とＸ−Ｙステージ４
は、表面があらかじめ同じ高さとなるように調節されて
いる。
光導波路１を設置する。一方、マイクロメーターを備え
微調整が可能であるＸ−Ｙステージ４上に光コネクタ２
を設置する。このとき、支持板３とＸ−Ｙステージ４
は、表面があらかじめ同じ高さとなるように調節されて
いる。
【００２９】次いで、光導波路１の一方の接続端面と光
コネクタ２の接続端面とを突き合わせ、Ｘ−Ｙステージ
４のマイクロメーターを調整して図２中の矢印方向に光
コネクタ２を移動させる。この操作を光導波路１の第１
のマーカー１９と光コネクタ２の第２のマーカー５が位
置合わせされるまで行う。このようにして光導波路１の
導波回路１８と光コネクタ２に載置された光ファイバの
コア部６との位置合わせが完了した後、光導波路１と光
コネクタ２の接合部分を接着剤等により固定する。この
場合、例えば、光導波路１と光コネクタ２の接合部分に
ＵＶ硬化型接着剤を滴下し、接着剤にＵＶ光を照射す
る。
コネクタ２の接続端面とを突き合わせ、Ｘ−Ｙステージ
４のマイクロメーターを調整して図２中の矢印方向に光
コネクタ２を移動させる。この操作を光導波路１の第１
のマーカー１９と光コネクタ２の第２のマーカー５が位
置合わせされるまで行う。このようにして光導波路１の
導波回路１８と光コネクタ２に載置された光ファイバの
コア部６との位置合わせが完了した後、光導波路１と光
コネクタ２の接合部分を接着剤等により固定する。この
場合、例えば、光導波路１と光コネクタ２の接合部分に
ＵＶ硬化型接着剤を滴下し、接着剤にＵＶ光を照射す
る。
【００３０】同様にして、光導波路１の他方の接続端面
とＸ−Ｙステージ７に設置された他の光コネクタ８とを
接続する。
とＸ−Ｙステージ７に設置された他の光コネクタ８とを
接続する。
【００３１】本実施例においては、クラッド層材料とし
てＳｉＯ2 を用い、コア層材料としてＴｉＯ2 ドープの
ＳｉＯ2 を用い、その形成方法として火炎堆積法を用い
たが、上記した他のクラッド層材料、コア層材料を用
い、または上記した他の形成方法を用いても本発明の効
果を得ることができる。また、本実施例においては、エ
ッチング工程において、ＲＩＢＥ装置を用いたが、ＲＩ
Ｅ（reactive ion etching）装置を用いてもよい。
てＳｉＯ2 を用い、コア層材料としてＴｉＯ2 ドープの
ＳｉＯ2 を用い、その形成方法として火炎堆積法を用い
たが、上記した他のクラッド層材料、コア層材料を用
い、または上記した他の形成方法を用いても本発明の効
果を得ることができる。また、本実施例においては、エ
ッチング工程において、ＲＩＢＥ装置を用いたが、ＲＩ
Ｅ（reactive ion etching）装置を用いてもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上説明した如く本発明の光ファイバと
光導波路の接続方法によれば、効率よくしかも高精度に
光導波路と光ファイバとの位置合わせを行うことができ
る。
光導波路の接続方法によれば、効率よくしかも高精度に
光導波路と光ファイバとの位置合わせを行うことができ
る。
【図１】本発明の光ファイバと光導波路の接続方法を説
明するための図。
明するための図。
【図２】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の方法に使用される光
導波路の製造過程を示す図。
導波路の製造過程を示す図。
【図３】従来の光ファイバと光導波路の接続方法を説明
するための図。
するための図。
１…光導波路、２，８…光コネクタ、３…支持板、４，
７…Ｘ−Ｙステージ、５…第２のマーカー、６…コア
部、１０…シリコンウェハ、１１，２０…クラッド層、
１２…コア層、１３…マスク用薄膜、１４…レジスト
層、１５…導波回路パターン、１６…第１のマーカーパ
ターン、１７…マスク、１８…導波回路、１９…第１の
マーカー。
７…Ｘ−Ｙステージ、５…第２のマーカー、６…コア
部、１０…シリコンウェハ、１１，２０…クラッド層、
１２…コア層、１３…マスク用薄膜、１４…レジスト
層、１５…導波回路パターン、１６…第１のマーカーパ
ターン、１７…マスク、１８…導波回路、１９…第１の
マーカー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳川 久治 東京都千代田区丸の内２丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 基板上にクラッド層およびコア層を順次
形成し、フォトリソグラフィー法により該コア層をパタ
ーニングすることにより、所定の間隔を有して並設する
複数の光ファイバに対応した導波回路および該導波回路
から所定の距離を有して位置する第１のマーカーを形成
し、該第１のマーカーを除く領域上にクラッド層を形成
して光導波路を作製し、光ファイバを内挿するため光フ
ァイバ用穴および前記第１のマーカーと位置合わせする
ための第２のマーカーを形成した基体の光ファイバ用穴
に光ファイバを載置して光コネクタを作製し、前記第１
のマーカーと前記第２のマーカーとを位置合わせするこ
とによりそれぞれの光ファイバと導波回路とを接続する
ことを特徴とする光ファイバと光導波路の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16060291A JPH0511135A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 光フアイバと光導波路の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16060291A JPH0511135A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 光フアイバと光導波路の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511135A true JPH0511135A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=15718494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16060291A Pending JPH0511135A (ja) | 1991-07-01 | 1991-07-01 | 光フアイバと光導波路の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0511135A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006004031A1 (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-12 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 光機能回路 |
-
1991
- 1991-07-01 JP JP16060291A patent/JPH0511135A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006004031A1 (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-12 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 光機能回路 |
| US7580597B2 (en) | 2004-07-02 | 2009-08-25 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical functional circuit |
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