JPH0510848B2 - - Google Patents

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JPH0510848B2
JPH0510848B2 JP59157915A JP15791584A JPH0510848B2 JP H0510848 B2 JPH0510848 B2 JP H0510848B2 JP 59157915 A JP59157915 A JP 59157915A JP 15791584 A JP15791584 A JP 15791584A JP H0510848 B2 JPH0510848 B2 JP H0510848B2
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JP
Japan
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circuit
oscillation
output
transistor
proximity switch
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JP59157915A
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Japanese (ja)
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Fumio Kamya
Hisatoshi Nodera
Kenji Ueda
Keinosuke Imazu
Hidehiro Tomioka
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
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Priority to AT85109516T priority patent/ATE64043T1/en
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 本発明は物体検知の応答速度を向上させた近接
スイツチに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a proximity switch with improved object detection response speed.

従来技術とその問題点 高周波発振型近接スイツチは検出ヘツドに検出
コイルを有し、検出コイルを発振コイルとして発
振回路が構成され、発振出力の低下に基づいて物
体を検知している。この発振回路は検出コイルL
の形状、巻数値やその他の回路定数を調整するこ
とにより発振停止時の速度が変化する。しかし近
接体が接近し検出コイルのコンダクタンスが大き
くなればいずれ発振は停止する。従つて近接スイ
ツチの応答速度は発振の開始速度と停止速度との
合計時間であると考えることができる。一般的に
発振回路は発振の立上り(開始)速度は非常に遅
いが停止速度は比較的速い。発振が開始し成長し
て物体を検知することができる振幅レベルに達す
る時間τは次式によつて示される。
Prior Art and Its Problems A high frequency oscillation type proximity switch has a detection coil in its detection head, an oscillation circuit is configured with the detection coil as an oscillation coil, and objects are detected based on a decrease in the oscillation output. This oscillation circuit is the detection coil L
By adjusting the shape, winding value, and other circuit constants, the speed when oscillation stops changes. However, if a nearby object approaches and the conductance of the detection coil increases, the oscillation will eventually stop. Therefore, the response speed of the proximity switch can be considered to be the total time of the oscillation start speed and oscillation stop speed. Generally, an oscillation circuit has a very slow rise (start) speed of oscillation, but a relatively fast stop speed. The time τ for oscillation to start and grow to reach an amplitude level at which an object can be detected is given by the following equation.

τ=2C/Δg×lnVo/Vs …(1) Vo…出力反転レベル Vs…発振開始時の振幅レベル C …共振コンデンサの容量 Δg…発振開始点からのコンダクタンス変
化量 一般的に発振が停止すればその時の振幅レベル
Vsはノイズレベルであつて、例えば数mV程度で
ある。そして検出コイルの形状が大きくなれば応
答速度が遅くなり、変化の速い物体の近接を適確
に検知することができないという問題点があつ
た。そこで発振回路に始動信号を与えるため始動
信号発生器を設けた装置が提案されているが(特
開昭58−1327号)、始動信号を発振周波数に合わ
せておかなければならず回路構成が複雑になると
いう欠点があつた。
τ=2C/Δg×lnVo/Vs…(1) Vo…Output inversion level Vs…Amplitude level at the start of oscillation C…Capacitance of the resonant capacitor Δg…Amount of change in conductance from the oscillation starting point Generally, when oscillation stops, amplitude level at that time
Vs is a noise level, for example, about several mV. When the shape of the detection coil becomes larger, the response speed becomes slower, and there is a problem in that it is not possible to accurately detect the proximity of objects that change rapidly. Therefore, a device equipped with a starting signal generator to provide a starting signal to the oscillation circuit has been proposed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 1327/1983), but the starting signal must be matched to the oscillation frequency, resulting in a complicated circuit configuration. It had the disadvantage of becoming.

又抵抗溶接機等の数万Aの大電流が流れ強力な
交流磁界が加わる環境下においては、検出コイル
のフエライトコアが飽和し検出コイルの損失が増
加して発振が停止してしまう。従つてこのような
環境下では高周波発振型の近接スイツチを使用す
ることができなくなるという問題点があつた。
Furthermore, in an environment such as a resistance welding machine where a large current of tens of thousands of amperes flows and a strong alternating current magnetic field is applied, the ferrite core of the detection coil becomes saturated, the loss of the detection coil increases, and oscillation stops. Therefore, there is a problem in that a high frequency oscillation type proximity switch cannot be used under such an environment.

発明の目的 本発明はこのような従来の近接スイツチの問題
点に鑑みてなされたものであつて、発振開始を速
くすることによつて応答速度を向上させ、もしく
は強力な交流磁界が加わる環境下において使用す
ることができるように、耐磁界型として構成する
ことができる近接スイツチを提供することを目的
とする。
Purpose of the Invention The present invention has been made in view of the problems of the conventional proximity switch. It is an object of the present invention to provide a proximity switch which can be configured as magnetic field resistant so that it can be used in

発明の構成と効果 本発明は発振回路と、発振出力の低下により物
体を検知する検知回路を有する近接スイツチであ
つて、発振回路は、外部からの出力に基づいて発
振利得を向上させる発振回路であり、発振回路の
出力を整流し、所定の時定数で平滑する第1の整
流回路と、発振回路の出力を整流し第1の整流回
路より小さい時定数で平滑し発振回路の発振利得
制御信号を与える第2の整流回路と、第1の整流
回路の出力を基準レベルと比較することによつて
出力低下を検知し物体検知信号とする比較回路
と、を具備し、発振回路は発振利得制御信号に基
づいて利得を向上することを特徴とするものであ
る。
Structure and Effects of the Invention The present invention provides a proximity switch having an oscillation circuit and a detection circuit that detects an object by reducing the oscillation output, the oscillation circuit being an oscillation circuit that improves the oscillation gain based on the output from the outside. There is a first rectifier circuit that rectifies the output of the oscillation circuit and smoothes it with a predetermined time constant, and an oscillation gain control signal for the oscillation circuit that rectifies the output of the oscillation circuit and smoothes it with a smaller time constant than the first rectifier circuit. and a comparison circuit that detects a decrease in output by comparing the output of the first rectifier circuit with a reference level and uses it as an object detection signal, and the oscillation circuit has an oscillation gain control. The feature is that the gain is improved based on the signal.

このような特徴を有する本発明によれば、発振
回路の出力を信号検出用と発振低下時の利得調整
用の二つの回路部に分割し、夫々に整流回路を設
けることによつて所定の放電時定数によつて物体
検知信号を得ると共に利得調整を行つている。そ
のため利得調整用の時定数を小さくすることによ
つて発振振幅の変化に対応して迅速に利得調整を
行うことができる。又近接スイツチの使用環境、
例えば耐ノイズ特性や耐磁界特性の要否に応じて
適切な放電時定数を選択して物体検知信号を出力
することができ、使い易い近接スイツチを提供す
ることができる。
According to the present invention having such features, the output of the oscillation circuit is divided into two circuit parts, one for signal detection and the other for gain adjustment when oscillation decreases, and a rectifier circuit is provided for each, thereby achieving a predetermined discharge. The object detection signal is obtained and the gain is adjusted using the time constant. Therefore, by reducing the time constant for gain adjustment, it is possible to quickly adjust the gain in response to changes in the oscillation amplitude. Also, the usage environment of the proximity switch,
For example, an object detection signal can be output by selecting an appropriate discharge time constant depending on whether noise resistance or magnetic field resistance is required, and an easy-to-use proximity switch can be provided.

実施例の説明 第2図は本発明による近接スイツチ発振回路の
一実施例を示す回路図である。この発振回路は物
体が近接して発振出力が低下し物体を検出した後
も微小な振幅によつて発振を継続させるようにし
ている。本図において、近接スイツチの前面に設
けられた検出コイルLと並列にコンデンサCが接
続され共振回路を構成している。そしてこのLC
共振回路に定電流源2より電源3を介して電流が
供給されており、その共通接続端がトランジスタ
4に与えられて電流増幅される。トランジスタ4
のコレクタはPNP型トランジスタ5のコレクタ
に接続され、トランジスタ5,6によつて電流ミ
ラー回路CM1が形成されている。又トランジス
タ4のエミツタはコレクタ電流を定める可変抵抗
器7を介して接地されている。トランジスタ6の
コレクタはトランジスタ8のエミツタに接続され
る。トランジスタ8は図示のように4つのコレク
タを有するマルチコレクタトランジスタであつ
て、その3本のコレクタ端子8aを共通接続して
LC共振回路にフイードバツクするようにしてい
る。他のコレクタ端子8bはNPN型トランジス
タ9のコレクタ・ベース共通端子に接続される。
トランジスタ9はトランジスタ10と共に電流ミ
ラー回路CM2を構成しており、トランジスタ1
0のエミツタはトランジスタ9のエミツタ面積の
n倍としてICチツプ上に形成されているものと
する。そしてトランジスタ10のコレクタはマル
チコレクタトランジスタ11のベース・コレクタ
共通接続端に接続されている。マルチコレクタト
ランジスタ11の他のコレクタ端子はLC共振回
路に接続されている。更にトランジスタ9のベー
ス及びコレクタはトランジスタ12のコレクタ端
子に接続される。トランジスタ12は発振出力が
上昇した時に与えられる信号によつて動作して、
電流ミラー回路CM2の動作を制御するものであ
る。
DESCRIPTION OF THE EMBODIMENTS FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the proximity switch oscillation circuit according to the present invention. This oscillation circuit is designed to continue oscillating with a small amplitude even after the oscillation output decreases when an object approaches and the object is detected. In this figure, a capacitor C is connected in parallel with a detection coil L provided in front of the proximity switch to form a resonant circuit. And this LC
A current is supplied to the resonant circuit from a constant current source 2 via a power supply 3, and its common connection terminal is applied to a transistor 4 to amplify the current. transistor 4
The collector of is connected to the collector of a PNP transistor 5, and the transistors 5 and 6 form a current mirror circuit CM1. Further, the emitter of the transistor 4 is grounded via a variable resistor 7 that determines the collector current. The collector of transistor 6 is connected to the emitter of transistor 8. The transistor 8 is a multi-collector transistor having four collectors as shown in the figure, and its three collector terminals 8a are commonly connected.
Feedback is provided to the LC resonant circuit. The other collector terminal 8b is connected to the collector-base common terminal of the NPN transistor 9.
Transistor 9 constitutes a current mirror circuit CM2 together with transistor 10, and transistor 1
It is assumed that the emitter of transistor 9 is formed on the IC chip with n times the area of the emitter of transistor 9. The collector of the transistor 10 is connected to the base-collector common connection terminal of the multi-collector transistor 11. The other collector terminal of multi-collector transistor 11 is connected to the LC resonant circuit. Furthermore, the base and collector of transistor 9 are connected to the collector terminal of transistor 12. The transistor 12 is operated by a signal given when the oscillation output increases,
It controls the operation of the current mirror circuit CM2.

第1図は本発明による近接スイツチの全体構成
を示すブロツク図である。本図において第2図で
示した発振回路1の発振出力は二つの比較回路2
0,21に与えられている。比較回路20,21
は夫々異なるスレツシユホールドレベルを定める
基準電圧Vre1,Vref2が与えられており、入力信
号を方形波に変換するものである。比較回路2
0,21の出力端には夫々容量の異なる平滑用の
コンデンサ22,23が接続されている。比較回
路20とコンデンサ22及び比較回路21とコン
デンサ23によつて夫々所定レベルの信号を直流
レベルに変換する整流回路が構成されている。比
較回路20は発振出力の低下を検知するものであ
つて、その出力は更に比較回路24に与えられ
る。比較回路24は与えられた比較値信号を所定
のスレツシユホールドレベルで弁別して出力回路
25を介して物体検知出力を外部に出力する。一
方比較回路21は発振出力を所定レベルと比較す
るものでその出力端に接続された平滑用コンデン
サ23の時定数を小さくしておく。そして平滑出
力端は前述した発振回路1のトランジスタ12に
与えるように構成されている。
FIG. 1 is a block diagram showing the overall structure of a proximity switch according to the present invention. In this figure, the oscillation output of the oscillation circuit 1 shown in FIG.
0,21. Comparison circuits 20, 21
are given reference voltages Vre1 and Vref2 that define different threshold levels, respectively, and convert the input signal into a square wave. Comparison circuit 2
Smoothing capacitors 22 and 23 having different capacitances are connected to the output terminals 0 and 21, respectively. The comparator circuit 20 and the capacitor 22 and the comparator circuit 21 and the capacitor 23 each constitute a rectifier circuit that converts a signal at a predetermined level into a DC level. The comparator circuit 20 detects a decrease in the oscillation output, and its output is further provided to a comparator circuit 24. The comparison circuit 24 discriminates the applied comparison value signal at a predetermined threshold level and outputs an object detection output to the outside via the output circuit 25. On the other hand, the comparison circuit 21 compares the oscillation output with a predetermined level, and the time constant of the smoothing capacitor 23 connected to its output terminal is set small. The smoothed output terminal is configured to be applied to the transistor 12 of the oscillation circuit 1 described above.

次に本実施例の動作について説明する。第3図
は本実施例による検出コイルと近接体の距離Lに
対する各部の波形を示す波形図である。本図にお
いて近接体が充分離れている場合にはコイルLは
ほとんど損失のない状態となつている。そして発
振回路1ではLC共振回路の電圧がトランジスタ
4に与えられて電流増幅され、トランジスタ5,
4を通つてコレクタ電流が流れる。そのため電流
ミラー回路CM1の他方のトランジスタ6にミラ
ー電流が流れ、その電流がトランジスタ8によつ
て分割される。それ故トランジスタ6のコレクタ
電流のほぼ3/4がトランジスタ8のコレクタ端子
8aを介してLC共振回路に電流帰還されること
となる。そして近接体が遠く離れており発振レベ
ルが高い場合には比較回路21から出力が得ら
れ、平滑用コンデンサ23によつて平滑されて、
第3cに示すように発振利得制御信号が発振回路
1のトランジスタ12に与えられる。従つてトラ
ンジスタ12がオンとなり電流ミラー回路CM2
は動作せずトランジスタ11を通つてLC共振回
路に電流帰還が成されない。それ故LC共振回路
に帰還される電流値はトランジスタ8のコレクタ
端子8aの電流のみとなつている。
Next, the operation of this embodiment will be explained. FIG. 3 is a waveform diagram showing the waveforms of various parts with respect to the distance L between the detection coil and the proximate object according to this embodiment. In this figure, when the adjacent object is sufficiently far away, the coil L is in a state with almost no loss. In the oscillation circuit 1, the voltage of the LC resonant circuit is applied to the transistor 4, where the current is amplified.
A collector current flows through 4. Therefore, a mirror current flows through the other transistor 6 of the current mirror circuit CM1, and the current is divided by the transistor 8. Therefore, approximately 3/4 of the collector current of the transistor 6 is fed back to the LC resonant circuit via the collector terminal 8a of the transistor 8. When the nearby object is far away and the oscillation level is high, an output is obtained from the comparator circuit 21, smoothed by the smoothing capacitor 23,
As shown in 3c, an oscillation gain control signal is applied to the transistor 12 of the oscillation circuit 1. Therefore, transistor 12 is turned on and current mirror circuit CM2
does not operate, and no current is fed back to the LC resonant circuit through transistor 11. Therefore, the current value fed back to the LC resonant circuit is only the current at the collector terminal 8a of the transistor 8.

さて物体が近接すれば第3図aに示すように発
振回路1の発振出力は急激に低下する。物体が距
離L1まで近接し発振出力が低下して比較回路2
0の出力が基準値レベルVref1以下となれば、比
較回路20より比較回路24に信号が与えられな
くなる。従つて比較回路24はこれを検知して第
3図bに示すように物体検知信号を出力回路25
を介して外部に与える。更に物体が近接して発振
レベルが低下すれば第3図cに示すように比較回
路21の出力も低下し、トランジスタ12に与え
られる発振利得制御信号が低下する。従つてトラ
ンジスタ9,10によつて形成される電流ミラー
回路CM2が徐々に能動状態となり、トランジス
タ8のコレクタ端子8bのコレクタ電流が電流ミ
ラー回路CM2に流入し、電流ミラー回路CM2
を介してマルチコレクタトランジスタ11が駆動
される。トランジスタ12が完全にオフ状態とな
ればトランジスタ10のエミツタ面積はトランジ
スタ9のエミツタのn倍に形成されているので、
トランジスタ8のコレクタ端子8bの電流は電流
ミラー回路CM2によつて電流増幅される。そし
てマルチコレクタトランジスタ11の他方のコレ
クタ電流がLC共振回路に電流帰還される。そう
すれば発振回路1の利得が向上し、第3図aに示
すように近接体がそれ以上近接スイツチに近づい
ても微小レベルで発振を継続させることができ
る。
Now, when an object approaches, the oscillation output of the oscillation circuit 1 decreases rapidly, as shown in FIG. 3a. When the object approaches distance L1, the oscillation output decreases and comparison circuit 2
If the output of 0 becomes less than the reference value level Vref1, the comparison circuit 20 will no longer provide a signal to the comparison circuit 24. Therefore, the comparator circuit 24 detects this and outputs an object detection signal to the circuit 25 as shown in FIG. 3b.
Give it to the outside via. Furthermore, if the object approaches and the oscillation level decreases, the output of the comparison circuit 21 will also decrease as shown in FIG. 3c, and the oscillation gain control signal applied to the transistor 12 will decrease. Therefore, the current mirror circuit CM2 formed by the transistors 9 and 10 gradually becomes active, and the collector current of the collector terminal 8b of the transistor 8 flows into the current mirror circuit CM2.
The multi-collector transistor 11 is driven through. When transistor 12 is completely off, the area of the emitter of transistor 10 is n times larger than that of transistor 9.
The current at the collector terminal 8b of the transistor 8 is amplified by the current mirror circuit CM2. The other collector current of the multi-collector transistor 11 is fed back to the LC resonant circuit. By doing so, the gain of the oscillation circuit 1 is improved, and oscillation can be continued at a minute level even if a nearby object approaches the proximity switch even further, as shown in FIG. 3a.

ここで比較回路21の出力に接続されるコンデ
ンサ23の容量は小さく時定数も小さくしている
ので、発振振幅の変動に対応して速やかに利得を
変化させることが可能となる。又比較回路20の
出力に接続されているコンデンサ22の容量によ
つて物体検知の応答速度を変えることができる。
即ち前述の式(1)に示したように発振開始応答時間
τは初期状態の振幅に依存し、初期振幅レベル
Vsが高ければ発振立上り時間が大幅に短縮され
る。従つて第3図aに示すように近接体が近づき
物体検知出力を出した以後も発振を低いレベルで
継続させるようにすることによつて、発振の立上
り速度が向上させることとなる。
Since the capacitor 23 connected to the output of the comparison circuit 21 has a small capacitance and a small time constant, it is possible to quickly change the gain in response to fluctuations in the oscillation amplitude. Furthermore, the response speed of object detection can be changed by the capacitance of the capacitor 22 connected to the output of the comparison circuit 20.
That is, as shown in equation (1) above, the oscillation start response time τ depends on the initial state amplitude, and the initial amplitude level
If Vs is high, the oscillation rise time will be significantly shortened. Therefore, as shown in FIG. 3a, by continuing oscillation at a low level even after a nearby object approaches and outputs an object detection output, the rise speed of oscillation can be improved.

それ故雑音の少ない場所で使用する場合には比
較回路20の出力端に設けられているコンデンサ
22の容量を小さく平滑の時定数を小さくするこ
とによつて、応答速度を向上することができる。
又耐ノイズ特性を高める必要があれば比較的大き
な値のコンデンサを用いることによつて雑音の影
響を除去することができる。更に抵抗溶接機等の
大電流が流れ強力な交流磁界が加わる環境下にお
いて近接スイツチを使用することもできる。この
場合には交流磁界のゼロクロス点に近づけば発振
し易い状態となつているため発振が急激に開始す
る。従つて例えば60Hzの交流磁界が加わつている
場合には、発振回路1からその倍の120Hzで発振
を断続するバースト波形が得られる。そこで比較
回路20の出力端のコンデンサ22の容量を更に
大きくし平滑の時定数を大きくし、比較回路24
で所定のスレツシユホールドレベルと比較すれば
このバースト発振の有無が検知できるため、耐磁
界型の近接スイツチを構成することができる。
Therefore, when used in a place with little noise, the response speed can be improved by reducing the capacitance of the capacitor 22 provided at the output end of the comparator circuit 20 and reducing the smoothing time constant.
Furthermore, if it is necessary to improve the noise resistance characteristics, the influence of noise can be removed by using a capacitor with a relatively large value. Furthermore, the proximity switch can also be used in an environment where a large current flows and a strong alternating current magnetic field is applied, such as in a resistance welding machine. In this case, as the AC magnetic field approaches the zero-crossing point, oscillation is likely to occur, so oscillation starts abruptly. Therefore, for example, when an alternating current magnetic field of 60 Hz is applied, a burst waveform in which oscillation is intermittent at twice that frequency, 120 Hz, is obtained from the oscillation circuit 1. Therefore, the capacitance of the capacitor 22 at the output end of the comparison circuit 20 is further increased to increase the smoothing time constant.
Since the presence or absence of this burst oscillation can be detected by comparing it with a predetermined threshold level, a magnetic field resistant type proximity switch can be constructed.

次に第4図は本発明による近接スイツチの他の
実施例を示す全体構成図である。本図において発
振回路1の出力は二つの整流回路30,31に与
えられる。整流回路30は前述した比較回路20
と同様に発振出力を直流成分に変換するものであ
つて、その出力端には近接スイツチの使用環境に
対応して選択された容量のコンデンサ32が接続
されている。又整流回路30の出力は比較回路3
4に与えられて物体検知信号としてスイツチ出力
回路36を介して出力される。整流回路31は発
振出力を直流成分に変換するものであつて、その
出力端には前述したコンデンサ23と同様に小容
量で時定数を小さくした平滑用のコンデンサ33
が接続される。そしてその出力は低い発振振幅に
基準レベルを有する比較回路35によつて方形波
に変換され、発振出力の低下に基づいて前述した
発振回路1のトランジスタ12を動作させる。本
実施例では発振利得制御信号を二値信号とし発振
回路1のトランジスタ12を断続させて発振回路
1の振幅を制御している。
Next, FIG. 4 is an overall configuration diagram showing another embodiment of the proximity switch according to the present invention. In the figure, the output of the oscillation circuit 1 is given to two rectifier circuits 30 and 31. The rectifier circuit 30 is the same as the comparison circuit 20 described above.
Similarly, the oscillation output is converted into a DC component, and a capacitor 32 having a capacitance selected in accordance with the operating environment of the proximity switch is connected to the output terminal thereof. Also, the output of the rectifier circuit 30 is connected to the comparator circuit 3.
4 and outputted as an object detection signal via the switch output circuit 36. The rectifier circuit 31 converts the oscillation output into a DC component, and has a smoothing capacitor 33 with a small capacity and a small time constant at its output terminal, similar to the capacitor 23 described above.
is connected. The output is converted into a square wave by a comparison circuit 35 having a reference level at a low oscillation amplitude, and the transistor 12 of the oscillation circuit 1 described above is operated based on the decrease in the oscillation output. In this embodiment, the oscillation gain control signal is a binary signal, and the transistor 12 of the oscillation circuit 1 is turned on and off to control the amplitude of the oscillation circuit 1.

次に第5図は本発明による近接スイツチ発振回
路の第2の実施例を示す回路図である。本実施例
において第1図と同一部分は同一符号を用いて示
している。本実施例は電流増幅用トランジスタの
前段にエミツタフオロワ回路を設け、帰還電流量
をエミツタ抵抗を変えることによつて変化させる
ようにしたものであ。即ち電源3の一端はトラン
ジスタ41のベースに与えられる。トランジスタ
41はエミツタフオロワ型に接続されておりその
コレクタは電源に接続され、エミツタ端に二つの
抵抗42,43が直列接続されて接地される。そ
して抵抗43の両端には抵抗44とスイツチング
トランジスタ45の直列接続体が並列接続されて
いる。この共通接続端には前述した電流増幅用ト
ランジスタ4のベースが接続され、そのコレクタ
はトランジスタ5,6から成る電流ミラー回路に
接続される。そして第1図又は第3図の比較回路
25又は35の出力がトランジスタ45のベース
に与えられる。この発振回路においては大振幅時
にはトランジスタ45が導通し、トランジスタ4
1のエミツタ抵抗は抵抗42と抵抗43,44の
並列抵抗との直列接続体となつている。しかし振
幅が低下し比較回路25,35からの出力が停止
すればトランジスタ45がオフとなり、抵抗43
に抵抗44が直列接続された状態となつてトラン
ジスタ41のエミツタ電圧比を上げることによつ
て電流増幅用トランジスタ4の電流値を増加させ
ることができる。従つてトランジスタ5,6の電
流ミラー回路を介して与えられる帰還電流値が多
くなり、前述した実施例と同様に低いレベルで発
振を継続させ続けることができる。
Next, FIG. 5 is a circuit diagram showing a second embodiment of the proximity switch oscillation circuit according to the present invention. In this embodiment, the same parts as in FIG. 1 are indicated using the same reference numerals. In this embodiment, an emitter follower circuit is provided before the current amplifying transistor, and the amount of feedback current is varied by changing the emitter resistance. That is, one end of the power supply 3 is applied to the base of the transistor 41. The transistor 41 is connected in an emitter follower type, with its collector connected to a power supply, and two resistors 42 and 43 connected in series to the emitter end and grounded. A series connection body of a resistor 44 and a switching transistor 45 is connected in parallel to both ends of the resistor 43. The base of the current amplifying transistor 4 described above is connected to this common connection end, and the collector thereof is connected to a current mirror circuit consisting of transistors 5 and 6. The output of the comparator circuit 25 or 35 in FIG. 1 or 3 is then applied to the base of the transistor 45. In this oscillation circuit, when the amplitude is large, the transistor 45 becomes conductive, and the transistor 4
The emitter resistor 1 is a series connection of a resistor 42 and parallel resistors 43 and 44. However, if the amplitude decreases and the output from the comparator circuits 25, 35 stops, the transistor 45 turns off, and the resistor 43
A resistor 44 is connected in series to increase the emitter voltage ratio of the transistor 41, thereby increasing the current value of the current amplifying transistor 4. Therefore, the feedback current value provided through the current mirror circuit of transistors 5 and 6 increases, and oscillation can continue at a low level as in the previously described embodiment.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明による近接スイツチの全体構成
を示すブロツク図、第2図は本発明による近接ス
イツチの発振回路の一実施例を示す回路図、第3
図は近接体の距離に対する各部の波形を示す波形
図、第4図は本発明による近接回路の他の実施例
の全体構成を示すブロツク図、第5図は本発明に
よる近接スイツチの発振回路の他の実施例を示す
回路図である。 1……発振回路、4〜6,8〜12,41,4
5……トランジスタ、20,21,24,34,
35……比較回路、22,23,32,33……
コンデンサ、25,36……出力回路、30,3
1……整流回路、42〜44……抵抗、CM1,
CM2……電流ミラー回路。
FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of the proximity switch according to the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the oscillation circuit of the proximity switch according to the present invention, and FIG.
4 is a block diagram showing the overall configuration of another embodiment of the proximity circuit according to the present invention. FIG. FIG. 7 is a circuit diagram showing another embodiment. 1...Oscillation circuit, 4-6, 8-12, 41, 4
5...transistor, 20, 21, 24, 34,
35... Comparison circuit, 22, 23, 32, 33...
Capacitor, 25, 36... Output circuit, 30, 3
1... Rectifier circuit, 42-44... Resistor, CM1,
CM2...Current mirror circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 発振回路と、発振出力の低下により物体を検
知する検知回路を有する近接スイツチにおいて、 前記発振回路は、外部からの出力に基づいて発
振利得を向上させる発振回路であり、 前記発振回路の出力を整流し、所定の時定数で
平滑する第1の整流回路と、 前記発振回路の出力を整流し前記第1の整流回
路より小さい時定数で平滑し前記発振回路の発振
利得制御信号を与える第2の整流回路と、 前記第1の整流回路の出力を基準レベルと比較
することによつて出力低下を検知し物体検知信号
とする比較回路と、を具備し、 前記発振回路は前記発振利得制御信号に基づい
て利得を向上するものであることを特徴とする近
接スイツチ。 2 前記第2の整流回路は、前記発振回路の出力
が所定値以上のときに出力を与える比較回路と、
その比較出力を平滑するコンデンサとを有するも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の近接スイツチ。 3 前記発振回路は、帰還電流を制御するスイツ
チング素子を有し、前記第2の整流回路の出力に
よつて帰還電流を変化させて発振利得を変化させ
る電流帰還型発振回路であることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の近接スイツチ。 4 前記発振回路は帰還電流を定める抵抗分圧回
路を有し、その分圧の有無によつて発振利得を変
化させる発振回路であることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載の近接スイツチ。
[Claims] 1. In a proximity switch having an oscillation circuit and a detection circuit that detects an object by reducing the oscillation output, the oscillation circuit is an oscillation circuit that improves oscillation gain based on an external output, a first rectifier circuit that rectifies the output of the oscillation circuit and smoothes it with a predetermined time constant; and a first rectifier circuit that rectifies the output of the oscillation circuit and smoothes it with a time constant smaller than that of the first rectifier circuit to obtain an oscillation gain of the oscillation circuit. a second rectifier circuit that provides a control signal; and a comparison circuit that detects a decrease in output by comparing the output of the first rectifier circuit with a reference level and generates an object detection signal, the oscillation circuit is a proximity switch that improves the gain based on the oscillation gain control signal. 2. The second rectifier circuit includes a comparison circuit that provides an output when the output of the oscillation circuit is equal to or higher than a predetermined value;
2. The proximity switch according to claim 1, further comprising a capacitor for smoothing the comparison output. 3. The oscillation circuit is a current feedback type oscillation circuit that includes a switching element that controls a feedback current, and changes the feedback current and oscillation gain according to the output of the second rectifier circuit. A proximity switch according to claim 1. 4. The proximity switch according to claim 1, wherein the oscillation circuit has a resistive voltage divider circuit that determines a feedback current, and changes the oscillation gain depending on the presence or absence of the voltage divider. .
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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GB2075201A (en) * 1980-05-02 1981-11-11 Honeywell Gmbh Electronic proximity switch

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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GB2075201A (en) * 1980-05-02 1981-11-11 Honeywell Gmbh Electronic proximity switch

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