JPS59108413A - Automatic level adjusting circuit - Google Patents

Automatic level adjusting circuit

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JPS59108413A
JPS59108413A JP21891682A JP21891682A JPS59108413A JP S59108413 A JPS59108413 A JP S59108413A JP 21891682 A JP21891682 A JP 21891682A JP 21891682 A JP21891682 A JP 21891682A JP S59108413 A JPS59108413 A JP S59108413A
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    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3005Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers
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Abstract

PURPOSE:To realize the direct coupling of a signal transmitting section by controlling the level of an input signal when a DC level of an input signal exceeds a reference level. CONSTITUTION:A voltage comparison circuit 66 compares the reference level with a value of an output signal of an amplifier 52 and generates a pulse having a width corresponding to the section of an input signal level higher than the reference voltage level. This pulse turns on a transistor (TR) 72. A capacitor 76 is charged by a current flowing to the TR72. A variable resistive element 58 is controlled by a terminal voltage of the capacitor 76. The input signal is attenuated corresponding to a value where the peak value of an inputted AC signal exceeds the reference voltage. Since no coupling capacitor is used for the controlling part, the circuit integration is attained easily.

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は自動レベル調整回路に係り、特にオーディオ
信号等の交流信号のレベルを調整する自動レベル調整回
路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an automatic level adjustment circuit, and more particularly to an automatic level adjustment circuit that adjusts the level of an alternating current signal such as an audio signal.

第1図は従来の自動レベル調整回路を示している。入力
端子2に与えられる入力信号は、抵抗4及びコンデンサ
6を介して増幅器8.10に与えられるとともに、抵抗
4とコンデンサ6との間に(1) 形成された端子12から可変抵抗素子としてのトランジ
スタ14のコレクタに印加される。トランジスタ14の
エミッタは、入力信号の動作点電位と同じ点に接地され
ている。
FIG. 1 shows a conventional automatic level adjustment circuit. The input signal applied to the input terminal 2 is applied to the amplifier 8.10 via the resistor 4 and the capacitor 6, and is also applied from the terminal 12 formed between the resistor 4 and the capacitor 6 (1) as a variable resistance element. Applied to the collector of transistor 14. The emitter of the transistor 14 is grounded at the same point as the operating point potential of the input signal.

増幅器8.10で順次増幅された信号は、コンデンサ1
6を介して出力端子18から取出されるとともに、端子
20からレベル検出回路22に与えられる。即ち、端子
20は抵抗24を介して接地され、前記増幅出力の動作
点を接地電位に変換し、ダイオード26で検波された後
、抵抗28を介してフィルタを構成するコンデンサ30
に印加され、端子32には前記出力信号レベルに応じた
レベルを持つ直流電圧が発生する。
The signals sequentially amplified by amplifiers 8 and 10 are transferred to capacitor 1.
The signal is taken out from the output terminal 18 via the terminal 6, and is applied to the level detection circuit 22 from the terminal 20. That is, the terminal 20 is grounded via a resistor 24, and the operating point of the amplified output is converted to ground potential, and after being detected by a diode 26, a capacitor 30 forming a filter is connected via a resistor 28.
A DC voltage having a level corresponding to the output signal level is generated at the terminal 32.

この直流電圧は、コレクタをVccに接続した電流バッ
ファ回路34にて電流増幅され、トランジスタ36のヘ
ースに印加される。即ち、前記コンデンサ30に蓄えら
れた電荷の微少電流を用いてトランジスタ36を可変抵
抗素子として働かせるに充分なヘース電流を電源Vcc
より供給し、入力抵抗を高くしている。
This DC voltage is amplified by a current buffer circuit 34 whose collector is connected to Vcc, and is applied to the base of a transistor 36. That is, by using the minute current of the charge stored in the capacitor 30, a sufficient Hase current is applied to the power supply Vcc to cause the transistor 36 to function as a variable resistance element.
supply, and has a higher input resistance.

(2) そして、このトランジスタ36のエミッタには前記トラ
ンジスタ14のベースが接続され、このトランジスタ1
4のベース電流がトランジスタ36の出力電流で制御さ
れるように成っている。この結果、トランジスタ14は
入力端子2に与えられる入力信号に対して可変抵抗とし
て機能することになる。
(2) The emitter of this transistor 36 is connected to the base of the transistor 14, and this transistor 1
The base current of transistor 4 is controlled by the output current of transistor 36. As a result, the transistor 14 functions as a variable resistance with respect to the input signal applied to the input terminal 2.

このようなトランジスタの飽和特性を利用した自動レベ
ル調整回路では、増幅器8の入力レベルを可変抵抗素子
として設置されたトランジスタ14で制御し、出力信号
レベルを一定に保っている。
In such an automatic level adjustment circuit that utilizes the saturation characteristics of a transistor, the input level of the amplifier 8 is controlled by the transistor 14 installed as a variable resistance element, and the output signal level is kept constant.

しかしながら、このような回路の場合、ダイオード26
及びトランジスタ14.36の順方向降下電圧vFがレ
ベル調整に寄与しているため、レベル調整出力にはその
温度特性が大きく影響する。
However, in such a circuit, the diode 26
Since the forward direction drop voltage vF of the transistors 14 and 14 and 36 contributes to level adjustment, the level adjustment output is greatly influenced by its temperature characteristics.

また、増幅器10と制御系統との間には、コンデンサ1
6を設置することが必要であり、この回路を集積回路で
構成する場合、外付は部品となるコンデンサ16のため
にピン数が増加する欠点がある。さらに、この回路では
、交流動作点よりのピ(3) −ク電圧がダイオード26及びトランジスタ14.36
の順方向降下電圧にて決まるレベルに固定され自由に調
節できないとともに、そのレベル自体もダイオード及び
トランジスタのばらつきにより、そのばらつき範囲が大
きくなる等の欠点がある。
Further, a capacitor 1 is connected between the amplifier 10 and the control system.
6, and when this circuit is constructed from an integrated circuit, there is a drawback that the number of pins increases because of the capacitor 16 which is an external component. Furthermore, in this circuit, the peak (3) voltage from the AC operating point is applied to the diode 26 and transistor 14.
It is fixed at a level determined by the forward drop voltage of , and cannot be adjusted freely, and the level itself has drawbacks such as a wide range of variation due to variations in diodes and transistors.

また、前記電流バッファ回路34は第2図に示すように
構成することも可能である。即ち、電流バッファ回路3
4は端子32から制御入力が与えられるトランジスタ、
40と、定電流回路を構成するトランジスタ42.44
とで構成されている。
Further, the current buffer circuit 34 can also be configured as shown in FIG. That is, the current buffer circuit 3
4 is a transistor to which a control input is given from the terminal 32;
40 and transistors 42 and 44 forming a constant current circuit
It is made up of.

このような電流バッファ回路34を用いても交流動作点
よりピーク電圧が2つのダイオード(トランジスタ)の
順方向降下電圧にて決まるレベルに固定される他、前記
と同様な欠点がある。
Even if such a current buffer circuit 34 is used, the peak voltage from the AC operating point is fixed at a level determined by the forward drop voltage of the two diodes (transistors), and there are the same drawbacks as described above.

この発明は、レベルが自由に設定でき、そのレベルばら
つきをも少なくすることができ、温度特性を改善し、出
力部と制御系統との直結を可能にした自動レベル調整回
路の提供を目的とする。
The purpose of this invention is to provide an automatic level adjustment circuit that can freely set the level, reduce level variations, improve temperature characteristics, and enable direct connection between the output section and the control system. .

この発明は、レベル調整すべき入力信号の直流レベルと
任意に設定された基準レベルとを比較しく4) 入力信号のビークレベルが基準レベルを越えているとき
出力を発生する電圧比較回路と、この電圧比較回路が発
生する出力を平滑する平滑回路と、この平滑回路で形成
した直流出力に応じて抵抗値が制御され入力信号レベル
を調整する可変抵抗素子とから構成したことを特徴とす
る。
The present invention provides a voltage comparator circuit that compares the DC level of an input signal to be level-adjusted with an arbitrarily set reference level; It is characterized by consisting of a smoothing circuit that smoothes the output generated by the voltage comparison circuit, and a variable resistance element whose resistance value is controlled according to the DC output generated by the smoothing circuit and whose input signal level is adjusted.

この発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。第
3図はこの発明の自動レベル調整回路の実施例を示して
いる。図において、レベル調整すべき入力信号が与えら
れる入力端子50と増幅器52の入力部との間には、抵
抗54及びコンデンサ56が直列に接続され、抵抗54
及びコンデンサ56の接続点は可変抵抗素子58が通じ
て接地されている。また、増幅器52の入力部は抵抗6
0を介して電圧源62が接続され、増幅器52にバイア
ス電圧VBを与えており、増幅器52の出力動作点もこ
のバイアス電圧VBで設定されるものである。この増幅
回路52の出力部には、出力信号を取り出すための出力
端子64が形成されているとともに、電圧比較回路66
の非反転入力端(5) 子(+)が接続されている。この電圧比較回路66の反
転入力端子(−)には、基準レベルを設定するためのレ
ベル設定端子68が形成され、このレベル設定端子68
には図示していない可変電圧源から基準電圧vRE F
が設定される。なお、この電圧源62は前記バイアス電
圧値v日と温度特性、電源電圧変動特性等を同一にする
ものとする。
Embodiments of the invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 3 shows an embodiment of the automatic level adjustment circuit of the present invention. In the figure, a resistor 54 and a capacitor 56 are connected in series between an input terminal 50 to which an input signal whose level is to be adjusted is applied and an input section of an amplifier 52.
The connection point between the capacitor 56 and the capacitor 56 is connected to the ground through a variable resistance element 58. In addition, the input section of the amplifier 52 is connected to a resistor 6.
A voltage source 62 is connected through 0 to apply a bias voltage VB to the amplifier 52, and the output operating point of the amplifier 52 is also set by this bias voltage VB. An output terminal 64 for taking out an output signal is formed at the output part of this amplifier circuit 52, and a voltage comparison circuit 66 is formed.
The non-inverting input terminal (5) of the terminal (+) is connected. A level setting terminal 68 for setting a reference level is formed at the inverting input terminal (-) of this voltage comparison circuit 66.
The reference voltage vRE F is supplied from a variable voltage source (not shown).
is set. It is assumed that this voltage source 62 has the same temperature characteristics, power supply voltage fluctuation characteristics, etc. as the bias voltage value v.

電圧比較回路66の出力部と基準電位点との間には抵抗
70が接続され、この抵抗70の高電位側端子にはトラ
ンジスタ72のベースが接続されている。トランジスタ
72はバッファ回路を構成し、コレクタには電源ライン
が接続され、また、エミッタにはアクツクタイムを決め
る低抵抗73を介して端子74が形成され、この端子7
4は事情用のコンデンサ76を介して接地されている。
A resistor 70 is connected between the output part of the voltage comparison circuit 66 and the reference potential point, and the base of a transistor 72 is connected to the high potential side terminal of the resistor 70. The transistor 72 constitutes a buffer circuit, a collector is connected to a power supply line, and an emitter is formed with a terminal 74 via a low resistance 73 that determines the active time.
4 is grounded via a special capacitor 76.

また、図示していないが、リカバリータイムを決める高
抵抗をコンデンサ76に並列で接地させてもよい。トラ
ンジスタ72のエミッタから取り出される直流電圧は、
前記可変抵抗素子58の制御信号と成っている。
Further, although not shown, a high resistance that determines the recovery time may be grounded in parallel to the capacitor 76. The DC voltage extracted from the emitter of transistor 72 is
It serves as a control signal for the variable resistance element 58.

(6) 以上の構成において、入力端子50に与えられた入力信
号は可変抵抗素子58の端子間に印加されるとともに、
増幅器52に与えられて増幅される。この場合、入力信
号はバイアス電圧源62の出力レベルでその直流レベル
が与えられる増幅器52に入力される。
(6) In the above configuration, the input signal given to the input terminal 50 is applied between the terminals of the variable resistance element 58, and
The signal is applied to an amplifier 52 and amplified. In this case, the input signal is input to amplifier 52 whose DC level is given by the output level of bias voltage source 62 .

増幅器52の出力信号は電圧比較回路66に与えられ、
レベル設定端子68に印加されている基準電圧レベルV
RE Fと比較される。即ち、電圧比較回路66は、バ
イアス電圧源62で設定された増幅器の出力信号と基準
レベルとを比較し、基準電圧レベルVRE Fより高い
入力信号レベルの区間に対応する幅を持つパルスを発生
し、このパルスは抵抗70からトランジスタ72のベー
スに印加される。トランジスタ72には入力パルスに応
じた電流が流れるが、この断続電流はコンデンサ76で
充電されて直流電圧に変換される。即ち、トランジスタ
72に発生する直流電圧は、可変抵抗素子58の制御入
力となり、制御入力に応じた抵抗値が可変抵抗素子58
に形成される。この結(7) 果、交流出力のピーク値が前記VREFとVBの差とな
るように入力信号の振幅レベルの調整が行われ、出力端
子64からレベル調整された信号出力を取り出すことが
できる。
The output signal of the amplifier 52 is given to a voltage comparator circuit 66,
Reference voltage level V applied to level setting terminal 68
Compared to REF. That is, the voltage comparison circuit 66 compares the output signal of the amplifier set by the bias voltage source 62 with a reference level, and generates a pulse having a width corresponding to the section of the input signal level higher than the reference voltage level VRE_F. , this pulse is applied from resistor 70 to the base of transistor 72. A current corresponding to the input pulse flows through the transistor 72, but this intermittent current is charged by the capacitor 76 and converted into a DC voltage. That is, the DC voltage generated in the transistor 72 becomes a control input to the variable resistance element 58, and the resistance value according to the control input is changed to the variable resistance element 58.
is formed. As a result (7), the amplitude level of the input signal is adjusted so that the peak value of the AC output becomes the difference between the VREF and VB, and the level-adjusted signal output can be taken out from the output terminal 64.

このような構成によれば、電圧比較回路66のレベル設
定端子68にバイアス電圧VB以上の任意のレベルの直
流電圧VRE Fを設定することで、入力信号の振幅レ
ベルを調整することができる。
According to such a configuration, the amplitude level of the input signal can be adjusted by setting the DC voltage VREF at an arbitrary level equal to or higher than the bias voltage VB to the level setting terminal 68 of the voltage comparison circuit 66.

また、回路構成については、従来の整流回路を電圧比較
回路66で置き換えているため、結合用コンデンサを伴
う必要がなく、増幅器52と制御系統とを直結すること
ができ、集積回路で構成する際、コンデンサを外付けす
るためのピン数を削減することができる。また、温度特
性については、電圧比較回路66を構成するトランジス
タ等の素子の温度特性を相殺させることができるので、
温度特性が改善できる。
In addition, regarding the circuit configuration, since the conventional rectifier circuit is replaced with the voltage comparator circuit 66, there is no need for a coupling capacitor, and the amplifier 52 and the control system can be directly connected. , the number of pins for externally connecting capacitors can be reduced. Furthermore, regarding the temperature characteristics, since the temperature characteristics of elements such as transistors that constitute the voltage comparison circuit 66 can be canceled out,
Temperature characteristics can be improved.

第4図はこの発明の他の実施例を示し、第3図の回路と
同一部分には同一符号が付しである。この実施例では、
電圧比較回路66は差動増幅器で(8) 構成され、また前記可変抵抗素子58はトランジスタ7
8で構成され、このトランジスタ78のベースにはトラ
ンジスタ72のエミッタに発生させた直流電圧を電圧電
流変換回路80で電流に変換して与えるように成ってい
る。即ち、一対のトランジスタ81.82のエミッタは
共通に接続され、このエミッタと基準電位点との間には
、両トランジスタ81.82に流れる電流を規制する定
電流源84が接続されている。トランジスタ81のベー
スには抵抗86を介して増幅器52の出力部が接続され
、一方のトランジスタ82のベースには、電圧印加端子
88と基準電位点との間に接続した可変抵抗90の可動
片から基準電圧VRE Fが設定されている。なお、こ
の場合、バイアス電圧源62は温度特性を持たないもの
とする。
FIG. 4 shows another embodiment of the invention, in which the same parts as in the circuit of FIG. 3 are given the same reference numerals. In this example,
The voltage comparison circuit 66 is composed of a differential amplifier (8), and the variable resistance element 58 is a transistor 7.
The DC voltage generated at the emitter of the transistor 72 is converted into a current by a voltage-current conversion circuit 80 and applied to the base of the transistor 78. That is, the emitters of the pair of transistors 81 and 82 are connected in common, and a constant current source 84 that regulates the current flowing through both transistors 81 and 82 is connected between the emitters and a reference potential point. The base of the transistor 81 is connected to the output part of the amplifier 52 via a resistor 86, and the base of one transistor 82 is connected to a movable piece of a variable resistor 90 connected between the voltage application terminal 88 and the reference potential point. A reference voltage VREF is set. Note that in this case, it is assumed that the bias voltage source 62 does not have temperature characteristics.

また、トランジスタ81と電圧印加端子88との間には
、ダイオード接続されたトランジスタ92が接続され、
このトランジスタ92のベース・コレクタにはトランジ
スタ94のベースが接続されている。即ち、トランジス
タ92.94はカレ(9) ントミラー回路を構成しており、トランジスタ94のエ
ミッタは電圧印加端子88に接続され、コレクタと基準
電位点との間には定電流源84とともに電圧比較器の電
圧利得、パルス最大振幅を決定する比較的高い抵抗96
が接続されている。
Further, a diode-connected transistor 92 is connected between the transistor 81 and the voltage application terminal 88.
The base and collector of this transistor 92 are connected to the base of a transistor 94. That is, the transistors 92 and 94 constitute a current mirror circuit, the emitter of the transistor 94 is connected to the voltage application terminal 88, and a constant current source 84 and a voltage comparator are connected between the collector and the reference potential point. A relatively high resistance 96 determines the voltage gain of, the maximum pulse amplitude.
is connected.

トランジスタ72及びコンデンサ76については、第3
図に示す回路と同様に接続されており、トランジスタ7
2のエミッタには抵抗73を介してトランジスタ98の
ベースが接続されている。
Regarding the transistor 72 and the capacitor 76, the third
The transistor 7 is connected in the same way as the circuit shown in the figure.
The base of a transistor 98 is connected to the emitter of the transistor 2 via a resistor 73.

トランジスタ98のエミッタは抵抗100を介して接地
されるとともにトランジスタ98のベースに接続される
。電圧比較回路の利得を大きくとることにより抵抗10
0も大きくとることができるので、トランジスタ98の
ベース入力抵抗を高くすることができ、リカバリータイ
ムを長くし、強入力時の入力抵抗の低下により生ずる放
電時定数の低下を防ぐことができる。トランジスタ98
のコレクタと電圧印加端子88との間には、ダイオード
接続されたトランジスタ102が接続されている。この
トランジスタ102のベース・コレツ(10) 夕にはトランジスタ104のベースが接続され、カレン
トミラー回路を構成するトランジスタ104のエミッタ
は電圧印加端子88に、そのコレクタはトランジスタ7
8のベースに接続されている。
The emitter of transistor 98 is grounded through a resistor 100 and connected to the base of transistor 98. By increasing the gain of the voltage comparator circuit, the resistance of 10
Since 0 can also be made large, the base input resistance of the transistor 98 can be made high, the recovery time can be lengthened, and a decrease in the discharge time constant caused by a decrease in the input resistance at the time of strong input can be prevented. transistor 98
A diode-connected transistor 102 is connected between the collector of the voltage application terminal 88 and the voltage application terminal 88 . The base of this transistor 102 (10) is connected to the base of the transistor 104, forming a current mirror circuit.The emitter of the transistor 104 is connected to the voltage application terminal 88, and its collector is connected to the transistor 7.
It is connected to the base of 8.

以上の構成に基づき、その動作を第5図に示す動作波形
を参照して説明する。第5図の動作波形は過渡状態を示
している。仮に、電圧比較回路66から可変抵抗素子と
してのトランジスタ78が無い場合を想定し、この場合
、入力端子50に与えられた入力信号に基づき、第5図
Aに示す出力信号が出力端子64から取り出されるもの
とする。
Based on the above configuration, its operation will be explained with reference to the operation waveforms shown in FIG. The operating waveforms in FIG. 5 show a transient state. Assuming that the voltage comparison circuit 66 does not include the transistor 78 as a variable resistance element, in this case, based on the input signal applied to the input terminal 50, the output signal shown in FIG. shall be provided.

そして、この信号波形において、基準電圧レベルをvR
E Fとすると、この信号波形には基準電圧レベルvR
E Fを越える信号が存在している。
In this signal waveform, the reference voltage level is set to vR
E F, this signal waveform has a reference voltage level vR
A signal exceeding EF exists.

この場合において、電圧比較回路66に基準電圧レベル
VRE Fを可変抵抗90で設定すると、このv、、E
 Fと第5図に示す信号との比較に基づき、抵抗96の
端子間には第5図Cに示すパルスが発生する。このパル
スはトランジスタ72を介してコンデンサ76に印加さ
れ、コンデンサ76(11) の充電によって平滑され、Cにおいて、一点鎖線で示す
ような直流電圧に変換される。この直流電圧は制御電圧
としてトランジスタ98のベースに印加され、トランジ
スタ98のコレクタ電流はこの直流電圧によって制御さ
れ、トランジスタ104から制御電流がトランジスタ7
8のベースに与えられることになる。
In this case, if the reference voltage level VRE F is set in the voltage comparator circuit 66 by the variable resistor 90, this v, , E
Based on the comparison between F and the signal shown in FIG. 5, a pulse shown in FIG. 5C is generated across the terminals of resistor 96. This pulse is applied to the capacitor 76 via the transistor 72, smoothed by charging the capacitor 76 (11), and converted into a DC voltage at C as shown by the dashed line. This DC voltage is applied as a control voltage to the base of transistor 98, the collector current of transistor 98 is controlled by this DC voltage, and the control current is transmitted from transistor 104 to transistor 7.
It will be given to the base of 8.

この結果、トランジスタ78の内部抵抗が制御電圧に対
応して変化し、パルスによるコンデンサ76への充電電
流とコンデンサからの放電電流がつりあうようにパルス
幅が狭くなり、入力信号の振幅レベルが調整され、出力
端子64からレベル調整された第5図Bに示す出力信号
が取り出される。なお、第5図Bに示す波形の振幅が除
々に基準電圧レベルに近づき、また、第5図Cに示すパ
ルスの幅が除々に小さく成っているのは、この自動レベ
ル調整回路が帰還系の動作を説明するために過渡状態を
拡大して示したためである。
As a result, the internal resistance of the transistor 78 changes in response to the control voltage, the pulse width narrows so that the charging current to the capacitor 76 due to the pulse and the discharging current from the capacitor are balanced, and the amplitude level of the input signal is adjusted. , a level-adjusted output signal shown in FIG. 5B is taken out from the output terminal 64. The reason why the amplitude of the waveform shown in Figure 5B gradually approaches the reference voltage level and the width of the pulse shown in Figure 5C gradually becomes smaller is that this automatic level adjustment circuit is a feedback system. This is because the transient state is shown enlarged to explain the operation.

以上の動作は入力信号波形が変動してその出力波形が基
準電圧レベルvRE Fを超えた場合にも(]2) 同様に行われ、入力信号のレベル振幅の調整が行われる
ことは言うまでもない。
It goes without saying that the above operation is similarly performed even when the input signal waveform fluctuates and its output waveform exceeds the reference voltage level vREF (2), and the level amplitude of the input signal is adjusted.

このように信号レベルを基準電圧VRE Fを任意に設
定することにより、出力信号の振幅レベルを調整するこ
とができ、レベル設定は可変抵抗90で自由に行うこと
ができる。従来の検波回路は電圧比較回路66で構成で
きるため、コンデンサを介することなく、増幅器52と
電圧比較回路66とは直結することができ、tC化に適
する回路構成と成っている。
By arbitrarily setting the signal level to the reference voltage VREF in this manner, the amplitude level of the output signal can be adjusted, and the level setting can be freely performed using the variable resistor 90. Since the conventional detection circuit can be configured with the voltage comparison circuit 66, the amplifier 52 and the voltage comparison circuit 66 can be directly connected without using a capacitor, and the circuit configuration is suitable for tC.

また、このような回路構成から明らかなように、レベル
設定に関係するトランジスタの温度特性を相殺する構成
となっており、温度特性の影響を回避でき、安定した動
作を得ることができる。
Further, as is clear from such a circuit configuration, the configuration is such that the temperature characteristics of the transistors related to level setting are offset, the influence of the temperature characteristics can be avoided, and stable operation can be obtained.

以上説明したようにこの発明によれば、信号振幅レベル
を自由に調整することができ、増幅器の出力動作点と基
準レベルとの緒特性を一致させることによりレベルばら
つきをも押さえることができ、増幅器の出力部と制御系
統との間にコンデンサを介することなく、直結が可能に
なるため、集(13) 積回路で構成する際、外付は用のビン数の削減ができ、
また温度特性の改善により、安定した動作を得ることが
できる。
As explained above, according to the present invention, the signal amplitude level can be adjusted freely, and level variations can be suppressed by matching the characteristics of the output operating point of the amplifier and the reference level. Since it is possible to connect directly between the output section and the control system without using a capacitor, the number of external bins can be reduced when configured with an integrated circuit.
In addition, stable operation can be achieved by improving temperature characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の自動レベル調整回路を示す回路図、第2
図は自動レベル調整回路の電流バソフプ回路を示す回路
図、第3図及び第4図はこの発明の自動レベル1周整回
路の実施例を示す回路図、第5図は第4図の回路の動作
を示す説明図である。 58・・・可変抵抗素子、66・・・電圧比較回路、7
6・・・コンデンサ、78・・・可変抵抗素子としての
トランジスタ。 (14)
Figure 1 is a circuit diagram showing a conventional automatic level adjustment circuit, Figure 2 is a circuit diagram showing a conventional automatic level adjustment circuit.
The figure is a circuit diagram showing the current bath control circuit of the automatic level adjustment circuit, FIGS. It is an explanatory diagram showing operation. 58... Variable resistance element, 66... Voltage comparison circuit, 7
6... Capacitor, 78... Transistor as a variable resistance element. (14)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] レベル調整すべき入力信号の直流レベルと任意に設定さ
れた基準レベルとを比較し入力信号のピークレベルが基
準レベルを越えているとき出力を発生する電圧比較回路
と、この電圧比較回路が発生する出力を平滑する平滑回
路と、この平滑回路で形成した直流出力に応じて抵抗値
が制御され入力信号レベルを調整する可変抵抗素子とか
ら構成したことを特徴とする自動レベル調整回路。
A voltage comparison circuit that compares the DC level of the input signal to be level-adjusted with an arbitrarily set reference level and generates an output when the peak level of the input signal exceeds the reference level; An automatic level adjustment circuit comprising a smoothing circuit that smoothes an output, and a variable resistance element whose resistance value is controlled according to the DC output formed by the smoothing circuit and adjusts the input signal level.
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Cited By (3)

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JPS61273006A (en) * 1985-05-28 1986-12-03 Fujitsu Ten Ltd Sound volume control circuit
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