JPH05107211A - Defect determining apparatus by thermography - Google Patents

Defect determining apparatus by thermography

Info

Publication number
JPH05107211A
JPH05107211A JP27118991A JP27118991A JPH05107211A JP H05107211 A JPH05107211 A JP H05107211A JP 27118991 A JP27118991 A JP 27118991A JP 27118991 A JP27118991 A JP 27118991A JP H05107211 A JPH05107211 A JP H05107211A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
defect
level
detected
unit
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP27118991A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoji Ishino
洋二 石野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Avio Infrared Technologies Co Ltd
Original Assignee
NEC Avio Infrared Technologies Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Avio Infrared Technologies Co Ltd filed Critical NEC Avio Infrared Technologies Co Ltd
Priority to JP27118991A priority Critical patent/JPH05107211A/en
Publication of JPH05107211A publication Critical patent/JPH05107211A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To enable highly-precise detection of a defect from temperature information corresponding to the position of a moving specimen CONSTITUTION:A temperature change detecting means 7 for detecting the part of a temperature change of a temperature signal and a first defect level detecting means 8 for detecting a first defect level from an output of this temperature change detecting means 7 are provided. Moreover, an apparatus is constructed by providing it with a second defect level detecting means 12 for detecting a second defect level from an output of the temperature change detecting means 7 and a defect determining means 15 for determining a defect of a body O to be detected, on the basis of an output of this second defect level detecting means 12 and a line movement pulse.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、走行する帯状物等の被
検出体の温度分布変化から、欠陥を検出するサーモグラ
フィによる欠陥判定装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a defect determination device by thermography for detecting a defect from a temperature distribution change of an object to be detected such as a running belt.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、走行する鋼板、製紙等の帯状物の
被検出体の欠陥を検出する際、サーモグラフィ装置を使
用して検出を行っている。かかる装置は、図3に示す如
く構成されている。走行する被検出体Oを、走査部1に
より被検出体Oの走行方向Fと直行する方向に走査し
(走行方向SC)、赤外線検出器2により被検出体Oか
ら放出される赤外線を検出する。この時、被検出体Oの
正常温度部分に対して、例えば、異常な高温部分(又は
低温部分)があると、正常部分とは異なった赤外線が検
出される。検出された赤外線は温度変換部3により、赤
外線のエネルギーに対応した温度信号に変換され、比較
部4の一方の入力に送られる。また、この比較部4の他
方の入力には、欠陥レベル設定部5より設定された欠陥
レベル信号が基準値として送出されている。比較部4
は、温度変換部3より欠陥レベル信号以上の信号、即
ち、被検出体の異常部分の温度信号が入力されると、欠
陥信号としてバッファアンプ6を介して出力し、被検出
体Oの欠陥を判定するようにしていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, when detecting a defect in an object to be detected such as a running steel plate, papermaking or the like, a thermography device is used. Such a device is constructed as shown in FIG. The traveling detection target O is scanned by the scanning unit 1 in a direction orthogonal to the traveling direction F of the detection target O (traveling direction SC), and the infrared detector 2 detects infrared rays emitted from the detection target O. .. At this time, for example, if there is an abnormally high temperature portion (or low temperature portion) with respect to the normal temperature portion of the detected object O, infrared rays different from the normal portion are detected. The detected infrared ray is converted by the temperature converting section 3 into a temperature signal corresponding to the energy of the infrared ray and sent to one input of the comparing section 4. The defect level signal set by the defect level setting unit 5 is sent to the other input of the comparing unit 4 as a reference value. Comparison unit 4
When a signal of a defect level signal or higher, that is, a temperature signal of an abnormal portion of the object to be detected is input from the temperature conversion unit 3, the signal is output as a defect signal via the buffer amplifier 6 to detect the defect of the object to be detected O. I was trying to judge.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の欠陥判定においては、欠陥信号の大きさだけで欠陥の
判定を行っていた。このため、小レベルの欠陥を確実に
検出しようとして判定レベルを下げると、微小ノイズ等
による信号レベルも欠陥信号として検出してしまい、誤
検出の原因となる。また、微小ノイズの誤検出を避ける
ため、判定レベルを上げると誤検出は少なくなるが、逆
に、小レベルの欠陥を見逃すことになる。このように、
従来の装置においては、微小な欠陥は検出が難しく、高
精度の検出が出来ないという不都合があった。本発明
は、かかる事情に鑑みてなされたもので、走行する被検
出体の位置に対応した温度情報より欠陥を高精度で検出
できるサーモグラフィによる欠陥判定装置を提供するこ
とを目的とする。
However, in the above-mentioned conventional defect judgment, the defect is judged only by the magnitude of the defect signal. For this reason, if the judgment level is lowered in order to surely detect a small level defect, the signal level due to minute noise or the like will also be detected as a defect signal, which will cause erroneous detection. Further, in order to avoid erroneous detection of minute noise, raising the determination level reduces erroneous detection, but conversely misses small level defects. in this way,
In the conventional device, it is difficult to detect a minute defect and it is impossible to detect with high precision. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a defect determination device by thermography that can detect a defect with high accuracy based on temperature information corresponding to the position of a traveling object to be detected.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明はこのような目的
を達成するため、例えば図1に示す如く、走行する被検
出体Oをその走行方向に直交する方向に走査する走査部
1と、該被検出体Oより放射される赤外線を検出する赤
外線検出器2と、この赤外線検出器2の出力を温度信号
に変換する温度変換部3及び上記被検出体Oの所定値以
上の欠陥を判定する欠陥判定手段4、5を有するサーモ
グラフィによる欠陥判定装置において、温度信号の温度
変化分を検出する温度変化検出手段7と、温度変化検出
手段7の出力より第一の欠陥レベルを検出する第一の欠
陥レベル検出手段8と、温度変化検出手段7の出力より
第二の欠陥レベルを検出する第二の欠陥レベル検出手段
12と、この第二の欠陥レベル検出手段12の出力と、
ライン移動パルスとに基づき、被検出体Oの欠陥の判定
を行う欠陥判定手段15とにより、構成される。
In order to achieve such an object, the present invention, for example, as shown in FIG. 1, a scanning unit 1 for scanning a traveling object to be detected O in a direction orthogonal to its traveling direction, An infrared detector 2 for detecting infrared rays emitted from the detected object O, a temperature conversion unit 3 for converting an output of the infrared detector 2 into a temperature signal, and a defect of the detected object O having a predetermined value or more are determined. In a thermographic defect determining apparatus having defect determining units 4 and 5, a temperature change detecting unit 7 for detecting a temperature change amount of a temperature signal, and a first defect level is detected from an output of the temperature change detecting unit 7. Defect level detecting means 8; second defect level detecting means 12 for detecting the second defect level from the output of the temperature change detecting means 7; and output of the second defect level detecting means 12,
The defect determination unit 15 determines a defect of the detected object O based on the line movement pulse.

【0005】[0005]

【作用】このように構成される本発明によれば、被検出
体の欠陥を、大きな欠陥と小さな欠陥に分けて検出し、
大きな欠陥が検出された場合はそのまま出力し、小レベ
ルの欠陥が検出された場合は、更に、単位長さ当りの欠
陥信号を順次加算して、その加算出力を所定の欠陥レベ
ルと比較して判定することにより、小さな欠陥を見逃す
ことなく検出できるため、信頼性の高い欠陥判定が可能
となる。
According to the present invention having such a configuration, the defects of the object to be detected are detected by dividing them into large defects and small defects,
If a large defect is detected, it is output as it is.If a small level defect is detected, the defect signals per unit length are sequentially added, and the added output is compared with a predetermined defect level. By making a determination, it is possible to detect a small defect without overlooking, so that it is possible to make a highly reliable defect determination.

【0006】[0006]

【実施例】以下、本発明のサーモグラフィによる欠陥判
定装置の実施例を図1乃至図2を参照して説明するが、
従来と対応する部分は同一符号を附して説明を省略す
る。本発明が図3の従来例と異なる第一の点は、本例に
おいては、被検出体Oの大きな欠陥を検出する第一の欠
陥レベル検出部8と、小さな欠陥を検出する第二の欠陥
検出部12とを具えている点であり、第二の相違点は、
小さな欠陥を検出する場合、第二の欠陥検出部12で検
出された欠陥信号を、ライン情報と共に欠陥判定部15
に加え、被検出体Oの単位長さについて加算し、最終的
に欠陥の判定を行うようにしている点である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of a thermographic defect determination apparatus of the present invention will be described below with reference to FIGS.
The parts corresponding to the conventional ones are given the same reference numerals and the description thereof will be omitted. The first difference of the present invention from the conventional example of FIG. 3 is that in the present example, the first defect level detection unit 8 that detects a large defect of the detected object O and the second defect that detects a small defect. The second difference is that the detection unit 12 is provided.
When a small defect is detected, the defect signal detected by the second defect detection unit 12 is used as the defect determination unit 15 together with the line information.
In addition to this, the unit length of the object to be detected O is added, and the defect is finally determined.

【0007】被検出体Oの欠陥レベルを判定する構成に
ついて、以下に説明する。温度変化検出部7は、例えば
微分器等より構成され、温度信号変換部3より1走査毎
の温度信号を入力し、被検出体Oの温度に異常が有れ
ば、欠陥信号を温度信号の変化分として抽出し、第一の
欠陥レベル検出部8及び第二の欠陥レベル検出部12へ
夫々出力する。第一の欠陥レベル検出部8は、大きな欠
陥を検出するもので、欠陥レベル設定部9及び比較部1
0より構成されている。大きな欠陥については、欠陥レ
ベル設定部9により、対応する所要の欠陥レベルが予め
設定され、基準レベルとして比較部10の一方の入力へ
送出される。欠陥レベル設定部9のレベルは任意に設定
可能である。比較部10の他方の入力には温度変化検出
部7より抽出された温度信号の変化分が入力され、基準
とする欠陥レベルと比較され、この欠陥レベルを超えた
場合、欠陥信号としてバッファアンプ11を介して出力
される。大きな欠陥の場合は、ノイズ等の影響を受けに
くいため、欠陥レベルが1つでも検出された場合は欠陥
と判定する。一方、第二の欠陥レベル検出部12は、小
さな欠陥を検出するもので、欠陥レベル設定部13及び
比較部14により構成される。小さな欠陥については、
欠陥レベル設定部13により、対応する所要の欠陥レベ
ルが予め設定され、基準レベルとして比較部14の一方
の入力へ送出される。欠陥レベル設定部13のレベルも
任意に設定可能となっている。比較部14の他方の入力
には温度変化検出部7より抽出された温度信号の変化分
が入力され、基準とする欠陥レベルと比較され、この欠
陥レベルを超えた場合、欠陥信号として欠陥判定部15
へ出力される。
The structure for determining the defect level of the object to be detected O will be described below. The temperature change detection unit 7 is composed of, for example, a differentiator or the like, inputs a temperature signal for each scan from the temperature signal conversion unit 3, and if the temperature of the detected object O is abnormal, a defect signal The variation is extracted and output to the first defect level detecting unit 8 and the second defect level detecting unit 12, respectively. The first defect level detecting unit 8 detects a large defect, and includes a defect level setting unit 9 and a comparing unit 1.
It consists of zero. For large defects, the defect level setting unit 9 sets a corresponding required defect level in advance and sends it to one input of the comparison unit 10 as a reference level. The level of the defect level setting unit 9 can be set arbitrarily. The change of the temperature signal extracted by the temperature change detecting unit 7 is input to the other input of the comparing unit 10 and compared with a reference defect level. When the defect level is exceeded, the buffer amplifier 11 outputs a defect signal. Is output via. Since a large defect is less likely to be affected by noise or the like, if even one defect level is detected, it is determined as a defect. On the other hand, the second defect level detection unit 12 detects a small defect and is composed of a defect level setting unit 13 and a comparison unit 14. For small defects,
The defect level setting unit 13 presets a corresponding required defect level and sends it to one input of the comparing unit 14 as a reference level. The level of the defect level setting unit 13 can also be set arbitrarily. The change of the temperature signal extracted by the temperature change detecting unit 7 is input to the other input of the comparing unit 14 and is compared with a reference defect level. When the defect level is exceeded, the defect determining unit determines that the defect signal is a defect signal. 15
Is output to.

【0008】図2により、被検出体Oの欠陥検出につい
て説明する。Aは、走査部1の走査で赤外線検出器2に
より検出された被検出体Oの1走査分の温度信号を示す
波形であり、正常な温度状態であることを示す。Bは、
この温度信号を温度変化検出部7により変化分を検出し
た微分波形で、Aの温度信号の立ち上がり及び立ち下が
り部分のみが検出され、異常な温度部分はない。被検出
体Oが走行し、例えば、異常な大きな温度変化がある場
合、検出される温度信号はCの波形の如くなる。Cの温
度信号は微分されて、その温度変化分はDのようにな
る。この変化分を例えば、大欠陥レベルGを設定するこ
とにより、このレベルGを超えた信号が欠陥信号として
取り出される。また、Eは、被検出体Oに小さな欠陥が
有る場合の温度信号の検出波形である。この場合も、大
欠陥レベルGの設定と同様に、Eの温度信号を微分した
Fに示す微分波形に、小欠陥レベルSを設定して、この
レベルS以上の信号を欠陥信号として取り出すようにし
ている。
The defect detection of the object to be detected O will be described with reference to FIG. A is a waveform showing a temperature signal for one scan of the detected object O detected by the infrared detector 2 in the scan of the scanning unit 1, and shows that it is in a normal temperature state. B is
Only the rising and falling portions of the temperature signal of A are detected in the differential waveform of the temperature signal detected by the temperature change detecting unit 7, and there is no abnormal temperature portion. When the detected object O runs and there is an abnormal large temperature change, for example, the detected temperature signal has a waveform of C. The temperature signal of C is differentiated, and the temperature change amount becomes like D. By setting a large defect level G for this change, for example, a signal exceeding this level G is extracted as a defect signal. Further, E is a detected waveform of the temperature signal when the detected object O has a small defect. Also in this case, similarly to the setting of the large defect level G, the small defect level S is set to the differential waveform shown in F obtained by differentiating the temperature signal of E, and the signal of the level S or higher is taken out as the defect signal. ing.

【0009】欠陥判定部15においては、小さな欠陥は
温度信号変化も小さく、ノイズ等と紛らわしいため、通
常1つの検出では欠陥と判定せず、被検出体Oの単位長
さ当りの発生頻度により欠陥を判定する。この欠陥判定
部15は、例えば、シリアルインーパラレルアウト形の
nビットのシフトレジスタ16、アナログ加算器17、
欠陥基準設定部18及び比較部19より構成される。上
述した第二の欠陥レベル検出部12より、検出された小
さな欠陥の欠陥信号がシフトレジスタ16の一方の入力
へ加えられ、このレジスタ16の他方の入力にはライン
移動パルスLが加えられる。ライン移動パルスLは、例
えば、被検出体Oの製造ラインに設けられたパルス発生
器(図示せず)より入力するようにしている。シフトレ
ジスタ16はライン移動パルスLをクロック信号として
動作するようになっている。被検出体Oの欠陥として判
定する単位長さを、例えば、1mとし、ライン移動パル
スLが50mm毎に発生するとすれば、シフトレジスタ
16のビット数は20ビットとなり、20ビットの各値
(1又は0)がパラレルにアナログ加算器17に出力さ
れる。このアナログ加算器17は、ライン移動パルスL
が入力される毎に、シフトレジスタ16内の‘1’の信
号、即ち、第二の欠陥レベル検出部12により検出され
出力される欠陥信号に応じた信号を全て加算し、加算さ
れた電圧を出力として比較部19へ送出する。従って加
算器17の出力電圧は、被検出体Oの単位長さの小欠陥
の検出個数に比例したものとなる。
In the defect judgment unit 15, since a small defect has a small change in temperature signal and is confused with noise or the like, it is usually not judged as a defect by one detection, and a defect is generated according to the occurrence frequency per unit length of the object to be detected O. To judge. The defect determination unit 15 includes, for example, a serial-in / parallel-out type n-bit shift register 16, an analog adder 17,
It is composed of a defect reference setting unit 18 and a comparison unit 19. From the second defect level detection unit 12 described above, the defect signal of the detected small defect is applied to one input of the shift register 16, and the line movement pulse L is applied to the other input of this register 16. The line movement pulse L is input from, for example, a pulse generator (not shown) provided in the production line of the detection target O. The shift register 16 operates using the line movement pulse L as a clock signal. Assuming that the unit length to be determined as a defect of the detected object O is, for example, 1 m and the line movement pulse L is generated every 50 mm, the number of bits of the shift register 16 is 20 bits, and each value of 20 bits (1 Or 0) is output in parallel to the analog adder 17. This analog adder 17 has a line moving pulse L
Every time is input, the signal of '1' in the shift register 16, that is, all the signals corresponding to the defect signals detected and output by the second defect level detection unit 12 are added, and the added voltage is calculated. The output is sent to the comparison unit 19. Therefore, the output voltage of the adder 17 becomes proportional to the number of detected small defects of the detection target O having a unit length.

【0010】欠陥基準設定部18は、シフトレジスタ1
6のビット数nと定数Kを乗算した欠陥判定レベルn・
Kを有し、この値を基準レベルとして比較部19の他方
の入力へ送出する。定数Kは、通常、0.5〜0.8に
選定する。これは、欠陥が小さい場合、常時小レベル欠
陥信号として検出されるとは限らないためである。但
し、被検出体Oの種類によりこの欠陥判定レベルは任意
に設定できることはいうまでもない。
The defect reference setting unit 18 is provided in the shift register 1
Defect determination level n
K, and sends this value to the other input of the comparison unit 19 as a reference level. The constant K is usually selected to be 0.5 to 0.8. This is because when the defect is small, it is not always detected as a low level defect signal. However, it goes without saying that this defect determination level can be arbitrarily set depending on the type of the object to be detected O.

【0011】比較部19は、加算器17の出力及び欠陥
基準設定部18の欠陥判定レベルを入力して比較し、欠
陥判定レベルn・Kを超えた場合、欠陥と判定し、バッ
ファアンプ20を介して出力する。
The comparison unit 19 inputs the output of the adder 17 and the defect determination level of the defect reference setting unit 18 and compares them. If the output exceeds the defect determination level n · K, it is determined as a defect and the buffer amplifier 20 is activated. Output through.

【0012】このように、シフトレジスタを用い、被検
出体の移動に伴ってその内容をシフトさせるので、各ビ
ット出力の加算値、即ち、欠陥が常時単位長さで判定で
き、小さな欠陥の見逃しは発生しないことになる。
As described above, since the shift register is used to shift the contents as the object to be detected is moved, the added value of each bit output, that is, the defect can always be judged by the unit length, and a small defect can be overlooked. Will not occur.

【0013】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明はこれ等の実施例に限定されるものではなく、本発明
の趣旨を逸脱しない範囲で種々変更できるものである。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

【0014】[0014]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、被
検出体に単位長さを設定し、欠陥の発生頻度により判定
するようにしたので、小さな欠陥も見逃すことなく検出
でき、精度の高い欠陥検出が可能となり、例えば、検査
ラインに使用した場合、欠陥検出の歩止りが格段に向上
するという利点を有する。
As described above, according to the present invention, since the unit length is set for the object to be detected and the judgment is made based on the frequency of occurrence of defects, even small defects can be detected without overlooking, and accuracy can be improved. High defect detection becomes possible, and when used in an inspection line, for example, there is an advantage that the yield of defect detection is significantly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のサーモグラフィによる欠陥判定装置の
実施例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a defect determination device using thermography according to the present invention.

【図2】欠陥検出の信号波形を説明するための図であ
る。
FIG. 2 is a diagram for explaining a signal waveform for defect detection.

【図3】従来例の構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

7 温度変化検出部 8、12 第1及び第2の欠陥レベル検出部 9、13 欠陥レベル設定部 10、14、19 比較部 15 欠陥判定部 16 シフトレジスタ 17 加算器 18 欠陥基準設定部 7 Temperature Change Detection Section 8, 12 First and Second Defect Level Detection Section 9, 13 Defect Level Setting Section 10, 14, 19 Comparison Section 15 Defect Judgment Section 16 Shift Register 17 Adder 18 Defect Reference Setting Section

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 走行する被検出体を、その走行方向と直
交する方向に走査する走査部と、該被検出体より放射さ
れる赤外線を検出する赤外線検出器と、この赤外線検出
器の出力を温度信号に変換する温度変換部及び上記被検
出体の所定値以上の欠陥を判定する欠陥判定手段を有す
るサーモグラフィによる欠陥判定装置において、 上記温度信号の温度変化分を検出する温度変化検出手段
と、 該温度変化検出手段の出力より第一の欠陥レベルを検出
する第一の欠陥レベル検出手段と、 上記温度変化検出手段の出力より第二の欠陥レベルを検
出する第二の欠陥レベル検出手段と、 該第二の欠陥レベル検出手段の出力と、ライン移動パル
スとに基づき、上記被検出体の欠陥の判定を行う欠陥判
定手段とを具えることを特徴とするサーモグラフィによ
る欠陥判定装置。
1. A scanning unit for scanning a traveling detection object in a direction orthogonal to the traveling direction thereof, an infrared detector for detecting infrared rays emitted from the detection object, and an output of the infrared detector. In a defect determination device by thermography having a temperature conversion unit for converting into a temperature signal and a defect determination unit for determining a defect of a predetermined value or more of the object to be detected, a temperature change detection unit for detecting a temperature change amount of the temperature signal, First defect level detecting means for detecting a first defect level from the output of the temperature change detecting means, and second defect level detecting means for detecting a second defect level from the output of the temperature change detecting means, According to the thermography, the image forming apparatus further comprises defect determining means for determining a defect of the object to be detected based on an output of the second defect level detecting means and a line moving pulse. Defect determination unit.
JP27118991A 1991-10-18 1991-10-18 Defect determining apparatus by thermography Pending JPH05107211A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27118991A JPH05107211A (en) 1991-10-18 1991-10-18 Defect determining apparatus by thermography

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP27118991A JPH05107211A (en) 1991-10-18 1991-10-18 Defect determining apparatus by thermography

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05107211A true JPH05107211A (en) 1993-04-27

Family

ID=17496593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP27118991A Pending JPH05107211A (en) 1991-10-18 1991-10-18 Defect determining apparatus by thermography

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05107211A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008531286A (en) * 2005-02-23 2008-08-14 ファウ・ウント・エム・ドイチュラント・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング Method and apparatus for monitoring a machining process for producing a hot work tube from steel

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008531286A (en) * 2005-02-23 2008-08-14 ファウ・ウント・エム・ドイチュラント・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング Method and apparatus for monitoring a machining process for producing a hot work tube from steel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6161616B2 (en)
US4652765A (en) Edge detecting device in optical measuring instrument
JPS60122307A (en) Device for detecting defect of regularity pattern
MXPA03011520A (en) Motion detector, image processing system, motion detecting method, program, and recording medium.
GB2165044A (en) Edge detecting device in optical measuring instrument
JPH05107211A (en) Defect determining apparatus by thermography
EP0008010B1 (en) Method of detecting flaws on surfaces
HU180322B (en) Method and apparatus for detecting at least roughly periodic components of yarn signals superimposed the irregularity
JPH09264727A (en) Inspecting instrument
JP2500649B2 (en) IC foreign matter inspection device
JPH06109432A (en) Size measuring apparatus
SU1446549A1 (en) Apparatus for eddy-current inspection
JP2575438B2 (en) Resolution measurement equipment for video equipment
JPH08122442A (en) Spectral data collection unit
JPH0627037A (en) Flaw inspecting apparatus
JPS59226802A (en) Edge detector of optical measuring equipment
JPH08219734A (en) Surface profile measuring equipment
JPH07306963A (en) Method and device for discriminating normal/defective condition of paper
JPS62233712A (en) Method for measuring sharpness
SU991293A2 (en) Flaw detector
JP3544748B2 (en) Surface inspection equipment
JPH0239737B2 (en)
JPH06308049A (en) Surface flaw discriminating device
JPH0718814B2 (en) Surface inspection device
JPS612091A (en) Seam tape detector