JPH05102013A - Ｘ線マスク構造体、その製造方法及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法 - Google Patents
Ｘ線マスク構造体、その製造方法及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法Info
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- JPH05102013A JPH05102013A JP28728091A JP28728091A JPH05102013A JP H05102013 A JPH05102013 A JP H05102013A JP 28728091 A JP28728091 A JP 28728091A JP 28728091 A JP28728091 A JP 28728091A JP H05102013 A JPH05102013 A JP H05102013A
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- JP
- Japan
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- ray
- mask structure
- absorber
- film
- pattern
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 Ｘ線マスクの温度変化に対してマスクパター
ンの位置ズレの無い安定なＸ線マスクを提供すること。 【構成】 所望のパターンのＸ線吸収体３と該吸収体を
保持するＸ線透過膜２と該Ｘ線透過膜を支持する支持枠
１とからなるＸ線マスク構造体において、上記Ｘ線吸収
体パターン上にＸ線透過膜２の線膨張係数と同様の線膨
張係数を有する少なくとも１種の材料からなる層を有す
ることを特徴とするＸ線マスク構造体、及びその製造方
法。
ンの位置ズレの無い安定なＸ線マスクを提供すること。 【構成】 所望のパターンのＸ線吸収体３と該吸収体を
保持するＸ線透過膜２と該Ｘ線透過膜を支持する支持枠
１とからなるＸ線マスク構造体において、上記Ｘ線吸収
体パターン上にＸ線透過膜２の線膨張係数と同様の線膨
張係数を有する少なくとも１種の材料からなる層を有す
ることを特徴とするＸ線マスク構造体、及びその製造方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、大規模集積回路（ＬＳ
Ｉ）やマイクロマシン等の微細パターンをＸ線露光によ
りウエーハ等に焼き付ける際に用いるリソグラフィー用
マスク構造体、該マスク構造体の製造方法及びＸ線露光
方法に関する。
Ｉ）やマイクロマシン等の微細パターンをＸ線露光によ
りウエーハ等に焼き付ける際に用いるリソグラフィー用
マスク構造体、該マスク構造体の製造方法及びＸ線露光
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＤＲＡＭに代表される大規模集積回路は
今や４ＭＤＲＡＭの量産期にあり、しかも１６ＭＤＲＡ
Ｍから６４ＭＤＲＡＭへと急速に技術的に進歩してい
る。これに伴いデバイスに要求される最小線幅も、ハー
フミクロンからクォーターミクロンへと縮小している。
これらの半導体デバイスは近紫外光若しくは遠紫外光を
利用してマスクから半導体基板へと転写されるが、これ
らの光の波長では加工出来るデバイスの線幅も限界に近
付きつつある。又、微細化に伴う焦点深度の低下も免れ
ない。そこで、Ｘ線によるリソグラフィー技術は上記の
問題を同時に解決するものとして期待が大きい。Ｘ線露
光に使用するマスク構造体では、一般的に、図１に示す
様に適当な支持枠１上に形成されたＸ線透過膜２上に、
更にＸ線吸収体３が形成された構造を有する。又、マス
クのハンドリングの為に適当な保持枠４を使用する事も
ある。Ｘ線吸収体として使用される材料は、重金属、特
にＡｕ、Ｗ、Ｔａ等が発表されている。更に、これらの
Ｘ線吸収体のパターンを支持固定するＸ線透過膜にはＳ
ｉ、ＳｉＮ、ＳｉＣ等のシリコン化合物が発表されてい
る。
今や４ＭＤＲＡＭの量産期にあり、しかも１６ＭＤＲＡ
Ｍから６４ＭＤＲＡＭへと急速に技術的に進歩してい
る。これに伴いデバイスに要求される最小線幅も、ハー
フミクロンからクォーターミクロンへと縮小している。
これらの半導体デバイスは近紫外光若しくは遠紫外光を
利用してマスクから半導体基板へと転写されるが、これ
らの光の波長では加工出来るデバイスの線幅も限界に近
付きつつある。又、微細化に伴う焦点深度の低下も免れ
ない。そこで、Ｘ線によるリソグラフィー技術は上記の
問題を同時に解決するものとして期待が大きい。Ｘ線露
光に使用するマスク構造体では、一般的に、図１に示す
様に適当な支持枠１上に形成されたＸ線透過膜２上に、
更にＸ線吸収体３が形成された構造を有する。又、マス
クのハンドリングの為に適当な保持枠４を使用する事も
ある。Ｘ線吸収体として使用される材料は、重金属、特
にＡｕ、Ｗ、Ｔａ等が発表されている。更に、これらの
Ｘ線吸収体のパターンを支持固定するＸ線透過膜にはＳ
ｉ、ＳｉＮ、ＳｉＣ等のシリコン化合物が発表されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとしている問題点】このＸ線吸収体
パターンの形成方法には、レジストによる“め型パター
ン”に対するメッキ法、又、重金属吸収体の薄膜を反応
性イオンエッチング等のドライプロセスでパターンニン
グする方法又は適当なエッチング液を用いてウェットプ
ロセスでパターンニングする方法等がある。一方、Ｘ線
マスクでは僅か数ミクロンのＸ線透過膜上に、透過膜と
同等或は透過膜の数倍の膜厚のＸ線吸収体を有している
ので、吸収体材料とＸ線透過膜材料の線膨張係数が異な
っている場合、マスクの温度が変化すると、その線膨張
係数の違いによってＸ線マスクのパターン領域で局部的
に歪みを発生し、その結果位置ズレの無い正確なパター
ン転写が出来なくなってしまうという問題がある。従っ
て、本発明の目的は、Ｘ線マスクの温度変化に対してマ
スクパターンの位置ズレの無い安定なＸ線マスクを提供
することにある。
パターンの形成方法には、レジストによる“め型パター
ン”に対するメッキ法、又、重金属吸収体の薄膜を反応
性イオンエッチング等のドライプロセスでパターンニン
グする方法又は適当なエッチング液を用いてウェットプ
ロセスでパターンニングする方法等がある。一方、Ｘ線
マスクでは僅か数ミクロンのＸ線透過膜上に、透過膜と
同等或は透過膜の数倍の膜厚のＸ線吸収体を有している
ので、吸収体材料とＸ線透過膜材料の線膨張係数が異な
っている場合、マスクの温度が変化すると、その線膨張
係数の違いによってＸ線マスクのパターン領域で局部的
に歪みを発生し、その結果位置ズレの無い正確なパター
ン転写が出来なくなってしまうという問題がある。従っ
て、本発明の目的は、Ｘ線マスクの温度変化に対してマ
スクパターンの位置ズレの無い安定なＸ線マスクを提供
することにある。
【０００４】
【問題点を解決する為の手段】上記目的は以下の本発明
によって達成される。即ち、本発明は、所望のパターン
のＸ線吸収体と該吸収体を保持するＸ線透過膜と該Ｘ線
透過膜を支持する支持枠とからなるＸ線マスク構造体に
おいて、上記Ｘ線吸収体パターン上にＸ線透過膜の線膨
張係数と同様の線膨張係数を有する少なくとも１種の材
料からなる層を有することを特徴とするＸ線マスク構造
体、その製造方法及び該Ｘ線マスク構造体を用いたＸ線
露光方法をである。
によって達成される。即ち、本発明は、所望のパターン
のＸ線吸収体と該吸収体を保持するＸ線透過膜と該Ｘ線
透過膜を支持する支持枠とからなるＸ線マスク構造体に
おいて、上記Ｘ線吸収体パターン上にＸ線透過膜の線膨
張係数と同様の線膨張係数を有する少なくとも１種の材
料からなる層を有することを特徴とするＸ線マスク構造
体、その製造方法及び該Ｘ線マスク構造体を用いたＸ線
露光方法をである。
【０００５】
【作用】Ｘ線吸収体パターン上に、Ｘ線透過膜の線膨張
係数と同様の線膨張係数を有する少なくとも１種の材料
からなる層を設けることによって、Ｘ線マスクの温度変
化に対してマスクパターンの位置ズレの無い安定なＸ線
マスクを提供することが出来、又、該Ｘ線マスク構造体
を使用することで高精度のＸ線露光が実現される。
係数と同様の線膨張係数を有する少なくとも１種の材料
からなる層を設けることによって、Ｘ線マスクの温度変
化に対してマスクパターンの位置ズレの無い安定なＸ線
マスクを提供することが出来、又、該Ｘ線マスク構造体
を使用することで高精度のＸ線露光が実現される。
【０００６】
【好ましい実施態様】次に好ましい実施態様を挙げて本
発明を更に詳しく説明する。本発明のＸ線マスク構造体
は、図２及び図３に示す様にマスク支持枠としてのシリ
コーンウェーハ、Ｘ線透過膜、Ｘ線吸収体パターン、吸
収体パターンの上面に設けたＸ線透過膜と同様の線膨張
係数を有する層、更に必要に応じてこれら全体を保持す
る保持枠からなる。又、これらの材料の他にもＸ線吸収
体の保護膜、導電膜、光反射防止膜等も使用してもよ
い。Ｘ線透過膜としては、１〜１０μｍの厚みのＳｉ、
ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＢＮ、ＢＮＣ等の無機膜、
ポリイミド等の耐放射線性有機膜等の公知の材料を使用
することが出来る。又、この他にＸ線透過膜として使用
出来るものであれば使用しても構わない。これらの膜の
成膜方法は各種のスパッタ法、化学気相蒸着法等の方法
を用いることが出来る。又、Ｘ線吸収体材料としてはＡ
ｕ、Ｗ、Ｔａ等の公知の重金属材料を使用することが出
来る。これらの吸収体の形成方法としては、メッキ法、
スパッタ法等の方法を用いる事が出来る。
発明を更に詳しく説明する。本発明のＸ線マスク構造体
は、図２及び図３に示す様にマスク支持枠としてのシリ
コーンウェーハ、Ｘ線透過膜、Ｘ線吸収体パターン、吸
収体パターンの上面に設けたＸ線透過膜と同様の線膨張
係数を有する層、更に必要に応じてこれら全体を保持す
る保持枠からなる。又、これらの材料の他にもＸ線吸収
体の保護膜、導電膜、光反射防止膜等も使用してもよ
い。Ｘ線透過膜としては、１〜１０μｍの厚みのＳｉ、
ＳｉＯ2 、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＢＮ、ＢＮＣ等の無機膜、
ポリイミド等の耐放射線性有機膜等の公知の材料を使用
することが出来る。又、この他にＸ線透過膜として使用
出来るものであれば使用しても構わない。これらの膜の
成膜方法は各種のスパッタ法、化学気相蒸着法等の方法
を用いることが出来る。又、Ｘ線吸収体材料としてはＡ
ｕ、Ｗ、Ｔａ等の公知の重金属材料を使用することが出
来る。これらの吸収体の形成方法としては、メッキ法、
スパッタ法等の方法を用いる事が出来る。
【０００７】更に、Ｘ線吸収体上に設ける層の材料とし
ては、Ｘ線透過膜材料の線膨脹係数と同等である事が必
要であり、Ｘ線透過膜の材料と同じ材料であることが特
に望ましい。即ちＸ線透過膜がＳｉＣの場合は、吸収体
上の層もＳｉＣを、Ｘ線透過膜がＳｉＮの場合は、吸収
体上の層もＳｉＮを用いることが望ましい。一方、この
吸収体パターンの上面にＸ線透過膜と同様の線膨張係数
を有する材料の層を形成する方法として、好ましい方法
は次の如き方法であるが、該方法に限定されることはな
い。先ず、Ｘ線吸収体をめっき法で形成する場合は、め
っきステンシル用のレジストパターンを形成し、次い
で、ステンシルに対してめっきを行う。この後、スパッ
タ法によってＸ線透過膜と線膨脹係数が同等の膜を成膜
し、更にこの上にＸ線レジストを塗布する。Ｘ線マスク
の裏面よりＸ線を照射し、現像後、該付加膜をエッチン
グ除去し、Ｘ線吸収体間のレジストステンシルを除去す
る事によって、Ｘ線吸収体パターン上にＸ線透過膜と同
等の線膨脹係数を有する構造体を得る事が出来る。尚、
Ｘ線吸収体パターンの上面に形成する層は、Ｘ線吸収体
を含むＸ線透過膜全面に設けてもよいし、又、Ｘ線吸収
体の上面にのみ設けてもよい。以上において形成される
Ｘ線透過膜、Ｘ線吸収体、Ｘ線透過膜の支持体等は従来
技術と同等であり、Ｘ線吸収体の上面に設ける膜の厚み
は、約１〜１０μｍ程度が好適であり、更に付加膜の厚
みはＸ線透過膜の厚みと同等であることが望ましい。最
後に、必要に応じてＸ線マスクの保持枠に上記構造体を
接着して、本発明のＸ線マスク構造体とすることが出来
る。このＸ線マスクの保持枠の材料はその線膨脹係数が
支持枠のシリコンウェーハに近い事が必要で、この目的
にはパイレックスガラス、Ｔｉ等が望ましい。本発明の
Ｘ線露光方法は、図４に示す様に、上記本発明のＸ線マ
スク構造体を使用することを特徴とし、該方法に使用す
るＸ線発生源、被露光部材、その他の関連装置及び操作
は従来技術と同様でよく特に限定されない。
ては、Ｘ線透過膜材料の線膨脹係数と同等である事が必
要であり、Ｘ線透過膜の材料と同じ材料であることが特
に望ましい。即ちＸ線透過膜がＳｉＣの場合は、吸収体
上の層もＳｉＣを、Ｘ線透過膜がＳｉＮの場合は、吸収
体上の層もＳｉＮを用いることが望ましい。一方、この
吸収体パターンの上面にＸ線透過膜と同様の線膨張係数
を有する材料の層を形成する方法として、好ましい方法
は次の如き方法であるが、該方法に限定されることはな
い。先ず、Ｘ線吸収体をめっき法で形成する場合は、め
っきステンシル用のレジストパターンを形成し、次い
で、ステンシルに対してめっきを行う。この後、スパッ
タ法によってＸ線透過膜と線膨脹係数が同等の膜を成膜
し、更にこの上にＸ線レジストを塗布する。Ｘ線マスク
の裏面よりＸ線を照射し、現像後、該付加膜をエッチン
グ除去し、Ｘ線吸収体間のレジストステンシルを除去す
る事によって、Ｘ線吸収体パターン上にＸ線透過膜と同
等の線膨脹係数を有する構造体を得る事が出来る。尚、
Ｘ線吸収体パターンの上面に形成する層は、Ｘ線吸収体
を含むＸ線透過膜全面に設けてもよいし、又、Ｘ線吸収
体の上面にのみ設けてもよい。以上において形成される
Ｘ線透過膜、Ｘ線吸収体、Ｘ線透過膜の支持体等は従来
技術と同等であり、Ｘ線吸収体の上面に設ける膜の厚み
は、約１〜１０μｍ程度が好適であり、更に付加膜の厚
みはＸ線透過膜の厚みと同等であることが望ましい。最
後に、必要に応じてＸ線マスクの保持枠に上記構造体を
接着して、本発明のＸ線マスク構造体とすることが出来
る。このＸ線マスクの保持枠の材料はその線膨脹係数が
支持枠のシリコンウェーハに近い事が必要で、この目的
にはパイレックスガラス、Ｔｉ等が望ましい。本発明の
Ｘ線露光方法は、図４に示す様に、上記本発明のＸ線マ
スク構造体を使用することを特徴とし、該方法に使用す
るＸ線発生源、被露光部材、その他の関連装置及び操作
は従来技術と同様でよく特に限定されない。
【０００８】
【実施例】次に図面に示す実施例及び比較例を挙げて本
発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施
例のみに限定されない。 実施例１（図２参照） シリコンウェーハ上に化学気相成長法によって形成され
た２μｍ厚のＳｉＣ膜を有する基板を実験用の基板とし
た（ａ〜ｂ）。この基板上にめっき用の電極として、Ｃ
ｒ及びＡｕを夫々５０Å及び５００Åの厚みにＥＢ蒸着
によって形成した（ｃ）。この上に電子線レジストであ
るＰＭＭＡを１．３μｍの厚みでスピンコートし、加速
電圧２０ｋＶでＥＢ描画を行い、現像後０．２５μｍの
めっき用ステンシルパターンを形成した（ｄ）。この
後、亜硫酸系のＡｕめっき液を用いてＸ線吸収体である
Ａｕを０．７μｍの厚みにめっきした（ｅ）。次いでこ
の上にスパッタ法によってＳｉＣを２μｍ成膜し、続け
てＸ線レジストであるヘキスト社のＲＡＹ−ＰＦを１．
５μｍの厚みに塗布した（ｆ）。常法に従ってＳｉ基板
をバックエッチした後、Ｘ線マスクの裏面よりＸ線を照
射して、Ｘ線吸収体のない所のみＲＡＹ−ＰＦを露光し
た（ｇ）。現像後、ＲＡＹ−ＰＦをマスクにしてＳｉＣ
をエッチングし、次いで、Ｘ線吸収体間のレジストステ
ンシルをＯ2 アッシングした後、電極を除去した
（ｈ）。最後にこのマスク基板をパイレックスの保持枠
に装着して本発明のＸ線マスクとした（ｉ）。
発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施
例のみに限定されない。 実施例１（図２参照） シリコンウェーハ上に化学気相成長法によって形成され
た２μｍ厚のＳｉＣ膜を有する基板を実験用の基板とし
た（ａ〜ｂ）。この基板上にめっき用の電極として、Ｃ
ｒ及びＡｕを夫々５０Å及び５００Åの厚みにＥＢ蒸着
によって形成した（ｃ）。この上に電子線レジストであ
るＰＭＭＡを１．３μｍの厚みでスピンコートし、加速
電圧２０ｋＶでＥＢ描画を行い、現像後０．２５μｍの
めっき用ステンシルパターンを形成した（ｄ）。この
後、亜硫酸系のＡｕめっき液を用いてＸ線吸収体である
Ａｕを０．７μｍの厚みにめっきした（ｅ）。次いでこ
の上にスパッタ法によってＳｉＣを２μｍ成膜し、続け
てＸ線レジストであるヘキスト社のＲＡＹ−ＰＦを１．
５μｍの厚みに塗布した（ｆ）。常法に従ってＳｉ基板
をバックエッチした後、Ｘ線マスクの裏面よりＸ線を照
射して、Ｘ線吸収体のない所のみＲＡＹ−ＰＦを露光し
た（ｇ）。現像後、ＲＡＹ−ＰＦをマスクにしてＳｉＣ
をエッチングし、次いで、Ｘ線吸収体間のレジストステ
ンシルをＯ2 アッシングした後、電極を除去した
（ｈ）。最後にこのマスク基板をパイレックスの保持枠
に装着して本発明のＸ線マスクとした（ｉ）。
【０００９】実施例２（図３参照） シリコンウェーハ上に化学気相成長法によって形成され
た２μｍ厚のＳｉＣ膜を有する基板を実験用の基板とし
た（ａ〜ｂ）。この基板上に吸収体として、Ｗをスパッ
タ法によって０．８μｍの厚みに成膜した。この後、ス
パッタ法によって更にＳｉＣを２μｍ成膜した（ｃ）。
この基板上にヘキスト社のＲＡＹ−ＰＮを０．５μｍの
厚みに塗布し、加速電圧２５ｋＶの電子線で描画しパタ
ーンを形成した。Ｗ上のＳｉＣ、次いでＷを続けてエッ
チングしＷパターン上にＳｉＣを有する構造体を得た
（ｄ〜ｅ）。常法に従ってＳｉ基板をバックエッチした
後、最後にこのマスク基板をＴｉ製の保持枠に装着して
本発明のＸ線マスクとした（ｆ〜ｇ）。
た２μｍ厚のＳｉＣ膜を有する基板を実験用の基板とし
た（ａ〜ｂ）。この基板上に吸収体として、Ｗをスパッ
タ法によって０．８μｍの厚みに成膜した。この後、ス
パッタ法によって更にＳｉＣを２μｍ成膜した（ｃ）。
この基板上にヘキスト社のＲＡＹ−ＰＮを０．５μｍの
厚みに塗布し、加速電圧２５ｋＶの電子線で描画しパタ
ーンを形成した。Ｗ上のＳｉＣ、次いでＷを続けてエッ
チングしＷパターン上にＳｉＣを有する構造体を得た
（ｄ〜ｅ）。常法に従ってＳｉ基板をバックエッチした
後、最後にこのマスク基板をＴｉ製の保持枠に装着して
本発明のＸ線マスクとした（ｆ〜ｇ）。
【００１０】実施例３（図５参照） 実施例１及び２のＸ線マスク構造体を用いて図４に示す
如くＸ線によるパターンニングを行った。その結果Ｘ線
露光中、Ｘ線の吸収によるマスク構造体の温度上昇が発
生しても本発明のＸ線マスク構造体の場合にはＸ線透過
膜上のＸ線吸収体パターンの位置ずれは発生しなかっ
た。 比較例（図６参照） Ｘ線吸収体の上に層を形成しなかった以外は実施例１及
び２と同様にして比較例のＸ線マスク構造体を得た。こ
れらのマスク構造体を用いて実施例３と同じ条件でＸ線
露光によるパターンニングを行ったところ、Ｘ線露光中
の温度上昇に伴うバイメタル効果によって、Ｘ線透過膜
上のＸ線吸収体パターンが図６に示す様の△Ｌ分だけ位
置ずれが発生した。
如くＸ線によるパターンニングを行った。その結果Ｘ線
露光中、Ｘ線の吸収によるマスク構造体の温度上昇が発
生しても本発明のＸ線マスク構造体の場合にはＸ線透過
膜上のＸ線吸収体パターンの位置ずれは発生しなかっ
た。 比較例（図６参照） Ｘ線吸収体の上に層を形成しなかった以外は実施例１及
び２と同様にして比較例のＸ線マスク構造体を得た。こ
れらのマスク構造体を用いて実施例３と同じ条件でＸ線
露光によるパターンニングを行ったところ、Ｘ線露光中
の温度上昇に伴うバイメタル効果によって、Ｘ線透過膜
上のＸ線吸収体パターンが図６に示す様の△Ｌ分だけ位
置ずれが発生した。
【００１１】
【発明の効果】以上説明した様に、Ｘ線吸収体パターン
上にＸ線透過膜の線膨張係数と同様の線膨張係数を有す
る少なくとも１種の材料からなる層を設けることによっ
て、Ｘ線マスクの温度変化に対してマスクパターンの位
置ズレの無い安定なＸ線マスクを提供することが出来、
又、該Ｘ線マスク構造体を使用することで高精度のＸ線
露光が実現される。
上にＸ線透過膜の線膨張係数と同様の線膨張係数を有す
る少なくとも１種の材料からなる層を設けることによっ
て、Ｘ線マスクの温度変化に対してマスクパターンの位
置ズレの無い安定なＸ線マスクを提供することが出来、
又、該Ｘ線マスク構造体を使用することで高精度のＸ線
露光が実現される。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＸ線マスク構造体の断面を図解的に説明
する図。
する図。
【図２】実施例１のＸ線マスク構造体の製造方法を図解
的に説明する図。
的に説明する図。
【図３】実施例２のＸ線マスク構造体の製造方法を図解
的に説明する図。
的に説明する図。
【図４】Ｘ線露光方法を図解的に説明する図。
【図５】本発明のＸ線マスク構造体の露光前後の状態を
図解的に説明する図。
図解的に説明する図。
【図６】比較例のＸ線マスク構造体の露光前後の状態を
図解的に説明する図。
図解的に説明する図。
１：支持枠 ２：Ｘ線透過膜 ３：Ｘ線吸収体 ４：保持枠
Claims (4)
- 【請求項１】 所望のパターンのＸ線吸収体と該吸収体
を保持するＸ線透過膜と該Ｘ線透過膜を支持する支持枠
とからなるＸ線マスク構造体において、上記Ｘ線吸収体
パターン上にＸ線透過膜の線膨張係数と同様の線膨張係
数を有する少なくとも１種の材料からなる層を有するこ
とを特徴とするＸ線マスク構造体。 - 【請求項２】 Ｘ線吸収体上に設けた材料の膜厚が、Ｘ
線透過膜の膜厚と同等である請求項１に記載のＸ線マス
ク構造体。 - 【請求項３】 請求項１のＸ線マスク構造体の製造にお
いて、吸収体パターンの上面のみに層を形成する場合、
該層膜上に塗布されたレジストをマスク裏面よりＸ線を
照射しパターンニングする事を特徴とするＸ線マスク構
造体の製造方法。 - 【請求項４】 Ｘ線マスク構造体を通してＸ線を被露光
部材を露光するＸ線露光方法において、上記Ｘ線マスク
が、所望のパターンのＸ線吸収体と該吸収体を保持する
Ｘ線透過膜と該Ｘ線透過膜を支持する支持枠とからな
り、上記Ｘ線吸収体パターン上にＸ線透過膜の線膨張係
数と同様の線膨張係数を有する少なくとも１種の材料か
らなる層を有するＸ線マスク構造体であることを特徴と
するＸ線露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28728091A JPH05102013A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | Ｘ線マスク構造体、その製造方法及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28728091A JPH05102013A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | Ｘ線マスク構造体、その製造方法及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102013A true JPH05102013A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17715360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28728091A Pending JPH05102013A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | Ｘ線マスク構造体、その製造方法及び該ｘ線マスク構造体を用いたｘ線露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102013A (ja) |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP28728091A patent/JPH05102013A/ja active Pending
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