JPH0499389A - 狭帯域エキシマレーザ - Google Patents
狭帯域エキシマレーザInfo
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- JPH0499389A JPH0499389A JP21762990A JP21762990A JPH0499389A JP H0499389 A JPH0499389 A JP H0499389A JP 21762990 A JP21762990 A JP 21762990A JP 21762990 A JP21762990 A JP 21762990A JP H0499389 A JPH0499389 A JP H0499389A
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- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 11
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Landscapes
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は狭帯域エキシマレーザに関するものである。
[従来の技術]
第7図は、例えば文献(Can、、1.Phys、63
(1984)p2+4)に示された、従来の狭帯域エ
キシマレーザの構成を示す構成図である。図において、
(1)はレーザ媒質を励起し、光を発生させろ放電部
、(2)は全反射鏡、 (3)は部分反射鏡、 (4)
(5)は狭帯域化素子であるエタロン、 (6)はアパ
ーチャ、 (10)はエタロンからの反射光である。
(1984)p2+4)に示された、従来の狭帯域エ
キシマレーザの構成を示す構成図である。図において、
(1)はレーザ媒質を励起し、光を発生させろ放電部
、(2)は全反射鏡、 (3)は部分反射鏡、 (4)
(5)は狭帯域化素子であるエタロン、 (6)はアパ
ーチャ、 (10)はエタロンからの反射光である。
次に各部の働きについて説明する。
放電部(1)にエネルギーが投入されると強い光か発生
する。この放電部(1)をはさんで、全反射鏡(2)と
部分反射鏡(3)とからなる光共振器を構成すると、放
電部(1)より出た光は共振器中を何度も往復するよう
になる。その際、光は放電部(1)ここより増幅され、
より強い光となる。
する。この放電部(1)をはさんで、全反射鏡(2)と
部分反射鏡(3)とからなる光共振器を構成すると、放
電部(1)より出た光は共振器中を何度も往復するよう
になる。その際、光は放電部(1)ここより増幅され、
より強い光となる。
光の一部は部分反射鏡(3)より光共振器外に取り出さ
れる。
れる。
ところで、レーザの内、半導体レーザや色素レーザ、あ
るいはエキシマレーザのスペクトルを調へてみると数n
rnの広がりを持っている。このようなレーザては光
共振器中に波長選択素子を入れることによりスペクトル
を狭くすることができる。
るいはエキシマレーザのスペクトルを調へてみると数n
rnの広がりを持っている。このようなレーザては光
共振器中に波長選択素子を入れることによりスペクトル
を狭くすることができる。
波長選択素子としてエタロンを用いる場合ζよエタロン
の反射面と光共振器の間で複合共振器が構成され、スペ
クトルが広がるのを防ぐため、エタロン(4)(5)は
光共振器の光軸に対して傾けて設定する。また、アパー
チャ(6)はレーザビームの断面積と発散角を制限し、
エタロンの狭帯域性能を高める働きをしている。
の反射面と光共振器の間で複合共振器が構成され、スペ
クトルが広がるのを防ぐため、エタロン(4)(5)は
光共振器の光軸に対して傾けて設定する。また、アパー
チャ(6)はレーザビームの断面積と発散角を制限し、
エタロンの狭帯域性能を高める働きをしている。
[発明が解決しようとする課題]
従来の狭帯域エキシマレーザは以上のように構成されて
いたので、エタロンの傾きを必要以上に大きくすると、
米国特許3358243号にあるようにレーザビームの
発散角が制限され干渉性(コヒーレンシー)が増す。そ
の場合、このレーザを加工に使う場合には光の干渉によ
るスペックルの影響が無視てきなくなるという問題があ
った。
いたので、エタロンの傾きを必要以上に大きくすると、
米国特許3358243号にあるようにレーザビームの
発散角が制限され干渉性(コヒーレンシー)が増す。そ
の場合、このレーザを加工に使う場合には光の干渉によ
るスペックルの影響が無視てきなくなるという問題があ
った。
一方、傾きを小さくすると同米国特許335824:3
号にもあるように、共振器の反射鏡とエタロンとの間で
第20共撮器が構成され、スペクトルが広がるという問
題があり、これをさけるには光の回折ここより広がる角
度、λ/πa(入は波長、aはビーム径)よりエタロン
の設定角度を大きくする必要が指摘されている。ところ
が、エキシマレーザでは回折により決まる角度(IQμ
rad程度)より大きくてもこの第2の共振器の影響が
無視てきなかった。
号にもあるように、共振器の反射鏡とエタロンとの間で
第20共撮器が構成され、スペクトルが広がるという問
題があり、これをさけるには光の回折ここより広がる角
度、λ/πa(入は波長、aはビーム径)よりエタロン
の設定角度を大きくする必要が指摘されている。ところ
が、エキシマレーザでは回折により決まる角度(IQμ
rad程度)より大きくてもこの第2の共振器の影響が
無視てきなかった。
上記角度の基準を示すものとして、例えは特開昭62−
276888号公報にも、この事情が記されており、ビ
ームの大きざを S (cm2)とすると、エタロンの
傾きθ(θは光共振器の光軸とエタロンの反射面の法線
がなす角度)は θ> jan−’ S / 2 し てあることを規定している。ところが、この例はディメ
ンションがあいまいであるはかりでなく、実際に数値を
代入してみると、S=0.7cm2、L=130cmと
すると θ> 3xlO−3 となるが、これてはまだ第2の共振器の影響が無視でき
ず、上記式が適切でないことがわかった。
276888号公報にも、この事情が記されており、ビ
ームの大きざを S (cm2)とすると、エタロンの
傾きθ(θは光共振器の光軸とエタロンの反射面の法線
がなす角度)は θ> jan−’ S / 2 し てあることを規定している。ところが、この例はディメ
ンションがあいまいであるはかりでなく、実際に数値を
代入してみると、S=0.7cm2、L=130cmと
すると θ> 3xlO−3 となるが、これてはまだ第2の共振器の影響が無視でき
ず、上記式が適切でないことがわかった。
本発明は上記のような問題点を解決するためになされた
ものであり、共振器の反射鏡とエタロンとの間で第2の
共振器が構成されてスペクトルが広がるのを防ぐととも
に、コヒーレンシーが低く、加工に適した狭帯域エキシ
マレーザを提供することを目的とする。
ものであり、共振器の反射鏡とエタロンとの間で第2の
共振器が構成されてスペクトルが広がるのを防ぐととも
に、コヒーレンシーが低く、加工に適した狭帯域エキシ
マレーザを提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明に係わる狭帯域エキシマレーザは、光共振器の光
軸とエタロンの反射面の法線がなす角度θを少なくとも 1θ l > jan”’(、y/L)(x (cm)
は法線に対して光軸が傾いている方向のビーム径、L(
cm)はエタロンと部分反射鏡との間の距離)とし、か
つ、 1θ1〈△λ/(△θ・入) (λは波長、△λは必要な波長幅、△θは必要なビーム
の発散角)としたものである。
軸とエタロンの反射面の法線がなす角度θを少なくとも 1θ l > jan”’(、y/L)(x (cm)
は法線に対して光軸が傾いている方向のビーム径、L(
cm)はエタロンと部分反射鏡との間の距離)とし、か
つ、 1θ1〈△λ/(△θ・入) (λは波長、△λは必要な波長幅、△θは必要なビーム
の発散角)としたものである。
また、本発明の別の発明に係わる狭帯域エキシマレーザ
は、エタロンを挟んて2つの】/4波長板を設け、上記
1/4波長板及び上記エタロンより放電部側に直線偏光
板を設けたものである。
は、エタロンを挟んて2つの】/4波長板を設け、上記
1/4波長板及び上記エタロンより放電部側に直線偏光
板を設けたものである。
[作用コ
本発明ζこおけるエタロンは、その傾き角θを、エタロ
ンからの反射光が共振器を1往復するあいだに放電部か
ら逃げるように設定するとともに、コヒーレンシーを低
下するために必要とする発散角と、必要とする波長幅よ
りその上限を設定して、第2の共振器が構成されるのを
防ぐとともに、コヒーレンシーを低くおさえている。
ンからの反射光が共振器を1往復するあいだに放電部か
ら逃げるように設定するとともに、コヒーレンシーを低
下するために必要とする発散角と、必要とする波長幅よ
りその上限を設定して、第2の共振器が構成されるのを
防ぐとともに、コヒーレンシーを低くおさえている。
また、本発明の別の発明においては、174波長板と直
線偏光板を使って、第2の共振器が構成されるのを防ぐ
とともに、コヒーレンシーを低くおさえている。
線偏光板を使って、第2の共振器が構成されるのを防ぐ
とともに、コヒーレンシーを低くおさえている。
[実施例]
以下、本発明の一実施例について説明する。
第1図は本発明の一実施例による狭帯域エキシマレーザ
の構成を示す図である。図において、(1)は放電部、
(2)は全反射鏡、 (3)は部分反射鏡、 (4)
(5)はエタロン、 (6)はアパーチャ、 (10)
はエタロンからの反射光、 (11)は放電方向、 (
12)はガス流方向である。
の構成を示す図である。図において、(1)は放電部、
(2)は全反射鏡、 (3)は部分反射鏡、 (4)
(5)はエタロン、 (6)はアパーチャ、 (10)
はエタロンからの反射光、 (11)は放電方向、 (
12)はガス流方向である。
次に各部の働きについて説明する。
放電部(1)には希ガスやハロゲン等の高圧のガスが封
入されており、ここに放電によるエネルギーが投入され
ると強い光が発生する。この放電部(1)をはさんで、
全反射鏡(2)と部分反射鏡(3)からなる光共振器を
構成すると、放電部より出た光は共振器中を何度も往復
するようになる。
入されており、ここに放電によるエネルギーが投入され
ると強い光が発生する。この放電部(1)をはさんで、
全反射鏡(2)と部分反射鏡(3)からなる光共振器を
構成すると、放電部より出た光は共振器中を何度も往復
するようになる。
その際、光は放電部(1)により増幅され、より強い光
となる。光の一部は部分反射鏡(3)より光共振器外に
取り出される。
となる。光の一部は部分反射鏡(3)より光共振器外に
取り出される。
ところで、エキシマレーザのスペクトルを調へてみろと
、数nmの広がりを持っている。エキシマレーザでは光
共振器中に波長選択素子を入れることにより、スペクト
ルを3pmまで狭くすることができる。波長選択素子と
してエタロン(4)(5)を用いる場合はエタロンの反
射面と光共振器の間で複合共振器が構成され、スペクト
ルがひろがるのを防ぐため、エタロンは光共振器の光軸
に対して傾けて設定する。複合共振器の効果を調べるた
め、光共振器中にエタロンを挿入した場合のエタロンと
部分反射鏡による発振出力の関係を第2図に示す。ガス
流方向(12)には3mrad、放電方向(11)には
6mradずれても出力が観測された。従って、エタロ
ンを挿入したエキシマレーザの場合、複合共振器になる
のを防ぐためには、エタロンをガス流方向ならば4mr
ad以上、放電方向であれば7 m r a d以上ず
らせはよいことがわかる。これは、エキシマレーザの出
力が1ないし2往復の切に決まっていることを示してい
る。即ち、エキシマレーザは増輻率の非常に大きなレー
ザであるために、弱い光が放電部を1回通ると光の強度
が数100倍になる。そのため、エタロンからの反射光
の一部が放電部に戻るとその光は増幅され、全反射鏡と
部分反射鏡間の往復により得られるビームと変わらない
強度となることによる。
、数nmの広がりを持っている。エキシマレーザでは光
共振器中に波長選択素子を入れることにより、スペクト
ルを3pmまで狭くすることができる。波長選択素子と
してエタロン(4)(5)を用いる場合はエタロンの反
射面と光共振器の間で複合共振器が構成され、スペクト
ルがひろがるのを防ぐため、エタロンは光共振器の光軸
に対して傾けて設定する。複合共振器の効果を調べるた
め、光共振器中にエタロンを挿入した場合のエタロンと
部分反射鏡による発振出力の関係を第2図に示す。ガス
流方向(12)には3mrad、放電方向(11)には
6mradずれても出力が観測された。従って、エタロ
ンを挿入したエキシマレーザの場合、複合共振器になる
のを防ぐためには、エタロンをガス流方向ならば4mr
ad以上、放電方向であれば7 m r a d以上ず
らせはよいことがわかる。これは、エキシマレーザの出
力が1ないし2往復の切に決まっていることを示してい
る。即ち、エキシマレーザは増輻率の非常に大きなレー
ザであるために、弱い光が放電部を1回通ると光の強度
が数100倍になる。そのため、エタロンからの反射光
の一部が放電部に戻るとその光は増幅され、全反射鏡と
部分反射鏡間の往復により得られるビームと変わらない
強度となることによる。
エキシマレーザは一般に矩形のビームである。実験に用
いたレーザのビームサイズは0.6x1.2cm2てあ
った。また、エタロンと部分反射鏡との間の距離は13
0 cmであった。エタロンからの反射光が部分反射鏡
に達するまでに放電が生じている場所をできるだけ横切
らない条件として、ガス流方向では、 jan−’0.6/130=4.6xlO” (ra
d)放電方向では、 tarr’1.2/130=9.2xlO−3(rad
)を定義することができる。この式により決まる角度よ
り大きくすれば複合共振器になるのを防ぐことができる
のは第2図に示した結果より明かであ一般的には、エタ
ロンの反射面に対して光軸を投影し、この投影された線
がビームと交わる点をA、 Bとして、距RABをX
と定義すれば、即ち、法線に対して光軸が傾いている方
向のビーム径をXとして θ> jan−’ x / L とすれは、複合共振器になるのを防ぐことがてきる。
いたレーザのビームサイズは0.6x1.2cm2てあ
った。また、エタロンと部分反射鏡との間の距離は13
0 cmであった。エタロンからの反射光が部分反射鏡
に達するまでに放電が生じている場所をできるだけ横切
らない条件として、ガス流方向では、 jan−’0.6/130=4.6xlO” (ra
d)放電方向では、 tarr’1.2/130=9.2xlO−3(rad
)を定義することができる。この式により決まる角度よ
り大きくすれば複合共振器になるのを防ぐことができる
のは第2図に示した結果より明かであ一般的には、エタ
ロンの反射面に対して光軸を投影し、この投影された線
がビームと交わる点をA、 Bとして、距RABをX
と定義すれば、即ち、法線に対して光軸が傾いている方
向のビーム径をXとして θ> jan−’ x / L とすれは、複合共振器になるのを防ぐことがてきる。
なお、特に光軸をビームの短辺方向に傾けると、Xとし
てはビームの短辺の長さに等しくなり(実験ではガス流
方向(12))、より小さい角度で複合共振器になるこ
とを防ぐことができる。θを小さくすると、後で述べる
ように、波長安定度をよくすることができる。なお、こ
の場合には矩形ビームとしたが、楕円ビームの場合には
Xとして短軸の長さを用いればよい。
てはビームの短辺の長さに等しくなり(実験ではガス流
方向(12))、より小さい角度で複合共振器になるこ
とを防ぐことができる。θを小さくすると、後で述べる
ように、波長安定度をよくすることができる。なお、こ
の場合には矩形ビームとしたが、楕円ビームの場合には
Xとして短軸の長さを用いればよい。
なお、第3図にあるように、エキシマレーザ中にはエタ
ロンに限らず、放電部(1)の窓(7a)(7b)や共
振器を構成する反射鏡の裏面などが複合共振器を構成す
る可能性を持つ。これらもここで得られた角度以上ずら
せておけはよい。
ロンに限らず、放電部(1)の窓(7a)(7b)や共
振器を構成する反射鏡の裏面などが複合共振器を構成す
る可能性を持つ。これらもここで得られた角度以上ずら
せておけはよい。
さらに、第4図はギヤツブ長d=440ミクロン、反射
率R=80%のエタロンを用いた場合の透過特性の差を
調べたもので、エタロンの設定角度θが大きくなると、
設定角度からのずれに対する透過率低下の割合が大きく
なる。そのため、放電部から出た光のうち、光軸からず
れた角度を持つ成分はエタロンにより反射され発振でき
ず、結果として発散角の狭い、コヒーレンシーのよいレ
ーザビームが発生する。そこで、エタロンの設定角度は
可能な限り小さく設定する必要がある。
率R=80%のエタロンを用いた場合の透過特性の差を
調べたもので、エタロンの設定角度θが大きくなると、
設定角度からのずれに対する透過率低下の割合が大きく
なる。そのため、放電部から出た光のうち、光軸からず
れた角度を持つ成分はエタロンにより反射され発振でき
ず、結果として発散角の狭い、コヒーレンシーのよいレ
ーザビームが発生する。そこで、エタロンの設定角度は
可能な限り小さく設定する必要がある。
第5図は第4図の内容を再度示した図で、よく知られた
エタロンの透過波長を現す式をもとに描いたものである
。即ち、 λ= 2 n d /cosθ n:屈折率(封入圧力により変わる) d:ギャップ長 θ:設定角度 第5図において、2重線で示した範囲の中がエタロンの
透過率の高い範囲を示している。図より明らかなように
、設定角度θを小さくすると許容できる角度範囲が大き
くなる。また、波長幅△入と角度幅Δθの間には設定角
度θが小さいとすると、上の式から次の関係が成り立つ
。
エタロンの透過波長を現す式をもとに描いたものである
。即ち、 λ= 2 n d /cosθ n:屈折率(封入圧力により変わる) d:ギャップ長 θ:設定角度 第5図において、2重線で示した範囲の中がエタロンの
透過率の高い範囲を示している。図より明らかなように
、設定角度θを小さくすると許容できる角度範囲が大き
くなる。また、波長幅△入と角度幅Δθの間には設定角
度θが小さいとすると、上の式から次の関係が成り立つ
。
Δλ:入・θ・Δθ
エキシマレーザを露光に用いるさいに必要な波長幅Δλ
は3pm以下である必要があること、コヒーレンシーを
低下するためには角度幅△θが1 mrad以上はしい
ことから、設定角度θは12mrad以下である必要が
ある。
は3pm以下である必要があること、コヒーレンシーを
低下するためには角度幅△θが1 mrad以上はしい
ことから、設定角度θは12mrad以下である必要が
ある。
ところで、第5図の特性はエタロンのギャップ長や封入
圧力により決っている。特定の波長で発振させたい場合
、エタロンの設定角度は一意的に決ってしまい、小さい
角度に設定できない場合かある。そこで、屈折率やギャ
ップ長を変えて特性を変化させ、小さい設定角度でも希
望する発振波長が得られるようにすることが望ましい。
圧力により決っている。特定の波長で発振させたい場合
、エタロンの設定角度は一意的に決ってしまい、小さい
角度に設定できない場合かある。そこで、屈折率やギャ
ップ長を変えて特性を変化させ、小さい設定角度でも希
望する発振波長が得られるようにすることが望ましい。
実施例ではエアギャップタイプのエタロンを圧力容器に
封入し、封入圧力を変えることによって屈折率を変化さ
せた。
封入し、封入圧力を変えることによって屈折率を変化さ
せた。
さらに、エタロンの設定角度を小ざくした場合、エタロ
ンからの反射光が加工台まで達することがある。反射光
の強度は弱いので多くの場合加工ζこ影響することはな
いが、これをふせぐには、第1図にあるように、反射光
を遮断するためにアパーチャ(6)を置けばよい。エタ
ロンの設定角度をθ、エタロンからの距離をLw、ビー
ムサイズをx (c+n)とすると L w > X / 2・θ を満足する位置にXの幅を持つアパーチャを置けば反射
光を遮断することができる。
ンからの反射光が加工台まで達することがある。反射光
の強度は弱いので多くの場合加工ζこ影響することはな
いが、これをふせぐには、第1図にあるように、反射光
を遮断するためにアパーチャ(6)を置けばよい。エタ
ロンの設定角度をθ、エタロンからの距離をLw、ビー
ムサイズをx (c+n)とすると L w > X / 2・θ を満足する位置にXの幅を持つアパーチャを置けば反射
光を遮断することができる。
次に、この発明の別の発明による狭帯域エキシマレーザ
の一実施例を第6図に示す。前の実施例では複合共振器
が形成されるのを防ぐために、エタロンの角度を制限し
たが、光の偏光を利用することもできる。第6図におい
て、 (8)は偏光子、(9a)(9b)はλ/4板で
ある。
の一実施例を第6図に示す。前の実施例では複合共振器
が形成されるのを防ぐために、エタロンの角度を制限し
たが、光の偏光を利用することもできる。第6図におい
て、 (8)は偏光子、(9a)(9b)はλ/4板で
ある。
第6図において、左に進む光は偏光子(8)によって特
定方向の直線偏光成分のみになる。次にλ/4板(9a
)(9b)を通過すると、直線偏光の成分が回転する。
定方向の直線偏光成分のみになる。次にλ/4板(9a
)(9b)を通過すると、直線偏光の成分が回転する。
入/4板には、2回通過すると通過後の偏光は入射光の
偏光成分に直交するようになり、4回通過すると入射光
の偏光成分と同しになるという性質がある。そこで、第
6図のように配置すると、エタロン(4)からの反射光
は入/4板を2回、全反射鏡(2)からの反射光は4回
通過することになる。従って、再び偏光子(8)に戻っ
てきた光のうち、エタロンから反射してきた光は偏光子
により反射され、全反射鏡からの光は偏光子を通過して
放電部に達することができる。このように、偏光を利用
した場合は、偏光子によりエタロンの反射光を区別する
ことができるので、エタロンの設定角度を小さくしても
、複合共振器は形成されず、より安定なレーザが構成で
きる。
偏光成分に直交するようになり、4回通過すると入射光
の偏光成分と同しになるという性質がある。そこで、第
6図のように配置すると、エタロン(4)からの反射光
は入/4板を2回、全反射鏡(2)からの反射光は4回
通過することになる。従って、再び偏光子(8)に戻っ
てきた光のうち、エタロンから反射してきた光は偏光子
により反射され、全反射鏡からの光は偏光子を通過して
放電部に達することができる。このように、偏光を利用
した場合は、偏光子によりエタロンの反射光を区別する
ことができるので、エタロンの設定角度を小さくしても
、複合共振器は形成されず、より安定なレーザが構成で
きる。
[発明の効果コ
以上のように、本発明によれば光共振器の光軸とエタロ
ンの反射面の法線がなす角度θを少なくとも 1θ l > jan−1(x/L) (x (cm)は法線に対して光軸が傾いている方向の
ビーム径、L(cm)はエタロンと部分反射鏡との間の
距離)とし、かつ、 1θ1〈Δλ/(Δθ・λ) (λは波長、Δλは必要な波長幅、Δθは必要なビーム
の発散角)としたので、共振器の反射鏡とエタロンとの
間で第2の共振器が構成されてスペクトルが広がるのを
防ぐとともに、コヒーレンシーが低く、加工に適した狭
帯域エキシマレーザを得ることが出来る。
ンの反射面の法線がなす角度θを少なくとも 1θ l > jan−1(x/L) (x (cm)は法線に対して光軸が傾いている方向の
ビーム径、L(cm)はエタロンと部分反射鏡との間の
距離)とし、かつ、 1θ1〈Δλ/(Δθ・λ) (λは波長、Δλは必要な波長幅、Δθは必要なビーム
の発散角)としたので、共振器の反射鏡とエタロンとの
間で第2の共振器が構成されてスペクトルが広がるのを
防ぐとともに、コヒーレンシーが低く、加工に適した狭
帯域エキシマレーザを得ることが出来る。
また、本発明の別の発明によれば、エタロンを挟んで2
つの1/4波長板を設け、上記1/4波長板及び上記エ
タロンより放電部側に直線偏光板を設けたので、上記発
明と同様、第2の共振器が構成されてスペクトルが広が
るのを防ぐとともに、コヒーレンシーが低く、加工に適
した狭帯域エキシマレーザを得ることが出来る効果があ
る。
つの1/4波長板を設け、上記1/4波長板及び上記エ
タロンより放電部側に直線偏光板を設けたので、上記発
明と同様、第2の共振器が構成されてスペクトルが広が
るのを防ぐとともに、コヒーレンシーが低く、加工に適
した狭帯域エキシマレーザを得ることが出来る効果があ
る。
第1図は本発明の一実施例による狭帯域エキシマレーザ
を示す構成図、第2図はエタロンのふれ角によるレーザ
出力変化を示す特性図、第4図及び第5図は各々エタロ
ンの透過特性を示す特性図、第3図及び第6図は各々本
発明の他の実施例による狭帯域エキシマレーザを示す構
成図、並びに第7図は従来の狭帯域エキシマレーザを示
す構成図である。 図において、 (1)は放電部、 (2〉は全反射鏡、
(3)は部分反射鏡、 (4)(5)はエタロン、1
0)は反射光、 (8)は偏光子、 (9a)(9b)
は入/4板である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
を示す構成図、第2図はエタロンのふれ角によるレーザ
出力変化を示す特性図、第4図及び第5図は各々エタロ
ンの透過特性を示す特性図、第3図及び第6図は各々本
発明の他の実施例による狭帯域エキシマレーザを示す構
成図、並びに第7図は従来の狭帯域エキシマレーザを示
す構成図である。 図において、 (1)は放電部、 (2〉は全反射鏡、
(3)は部分反射鏡、 (4)(5)はエタロン、1
0)は反射光、 (8)は偏光子、 (9a)(9b)
は入/4板である。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)レーザ媒質を励起し、光を発生させる放電部と、
部分反射鏡と全反射鏡とからなる光共振器と、波長選択
素子としてのエタロンとを備えた狭帯域エキシマレーザ
において、上記光共振器の光軸と上記エタロンの反射面
の法線がなす角度θを少なくとも |θ|>tan^−^1(x/L) (x(cm)は法線に対して光軸が傾いている方向のビ
ーム径、L(cm)はエタロンと部分反射鏡との間の距
離)とし、かつ、 |θ|<Δλ/(Δθ・λ) (λは波長、Δλは必要な波長幅、Δθは必要なビーム
の発散角)としたことを特徴とする狭帯域エキシマレー
ザ。 - (2)レーザ媒質を励起し、光を発生させる放電部と、
部分反射鏡と全反射鏡とからなる光共振器と、波長選択
素子としてのエタロンとを備えた狭帯域エキシマレーザ
において、上記エタロンを挟んで2つの1/4波長板を
設け、上記1/4波長板及び上記エタロンより放電部側
に直線偏光板を設けたことを特徴とする狭帯域エキシマ
レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21762990A JPH0499389A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 狭帯域エキシマレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21762990A JPH0499389A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 狭帯域エキシマレーザ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0499389A true JPH0499389A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16707274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21762990A Pending JPH0499389A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | 狭帯域エキシマレーザ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0499389A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027624A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Komatsu Ltd | 2ステージ狭帯域化レーザ装置 |
CN110666343A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-01-10 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 激光转折装置、激光加工光路系统及光路调试方法 |
-
1990
- 1990-08-18 JP JP21762990A patent/JPH0499389A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007027624A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Komatsu Ltd | 2ステージ狭帯域化レーザ装置 |
CN110666343A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-01-10 | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) | 激光转折装置、激光加工光路系统及光路调试方法 |
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