JPH0498632A - Recording medium and information processing device using this medium and access method - Google Patents

Recording medium and information processing device using this medium and access method

Info

Publication number
JPH0498632A
JPH0498632A JP21376490A JP21376490A JPH0498632A JP H0498632 A JPH0498632 A JP H0498632A JP 21376490 A JP21376490 A JP 21376490A JP 21376490 A JP21376490 A JP 21376490A JP H0498632 A JPH0498632 A JP H0498632A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording medium
recording
electrode
probe electrode
probe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21376490A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuuko Morikawa
森川 有子
Kiyoshi Takimoto
瀧本 清
Hideyuki Kawagishi
秀行 河岸
Harunori Kawada
河田 春紀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP21376490A priority Critical patent/JPH0498632A/en
Publication of JPH0498632A publication Critical patent/JPH0498632A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B9/00Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
    • G11B9/12Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor
    • G11B9/14Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using near-field interactions; Record carriers therefor using microscopic probe means, i.e. recording or reproducing by means directly associated with the tip of a microscopic electrical probe as used in Scanning Tunneling Microscopy [STM] or Atomic Force Microscopy [AFM] for inducing physical or electrical perturbations in a recording medium; Record carriers or media specially adapted for such transducing of information
    • G11B9/1463Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means
    • G11B9/1472Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means characterised by the form

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To increase a recording density by providing continuous staircase-like rugged shapes on a surface and changing the thickness of a recording layer stepwise by the rugged shapes. CONSTITUTION:After a glass substrate 1 is washed, Cr is deposited as an under coating layer thereon and further Au is deposited by evaporation to form a counter electrode 2. A chloroform soln. prepd. by dissolving SOAZ at 0.2mg/ml concn. is then developed on a water phase consisting of pure water kept at 20 deg.C to form a monomolecular film on the water surface. The surface pressure of the monomolecular film is increased up to 20mN/m and further, while this pressure is kept constant, the electrode substrate is gently immersed into the water so as to cross the water surface and is further pulled up to accumulate two layers of the Y-shaped monomolecular films; in succession, the immersion distance of the substrate is decreased at 2mum pitch and two layers of the cumulative films are provided on the counter electrode, by which the recording layer 3 and the projecting step parts 4 are formed. The track pitch is made into several 100Angstrom to several mum in this way.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、走査型トンネル顕微鏡(STM)の原理を用
いることで超高密度メモリを可能とする記録媒体及びそ
れを用いた記録再生装置、記録装置、再生装置を含む情
報処理装置、アクセス方法に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a recording medium that enables ultra-high density memory by using the principle of a scanning tunneling microscope (STM), and a recording/reproducing device using the same. The present invention relates to information processing devices including recording devices and playback devices, and access methods.

[従来の技術] 近年メモリ材料の用途は、コンピュータ及びその関連機
器、ビデオディスク、デジタルオーディオディスク等の
エレクトロニクス産業の中核をなすものであり、その材
料開発も極めて活発に進んでいる。メモリ材料に要求さ
れる性能は用途により異なるが、一般的には 1)高密度で記録容量が大きい 2)記録再生の応答速度が速い 3)消費電力が少ない 4)生産性が高(価格が安い 等が挙げられる。
[Prior Art] In recent years, the use of memory materials has become the core of the electronics industry, such as computers and related equipment, video disks, digital audio disks, etc., and the development of these materials has been extremely active. The performance required of memory materials varies depending on the application, but in general, 1) high density and large storage capacity 2) fast response speed for recording and playback 3) low power consumption 4) high productivity (low price) Examples include cheap.

一方、導体の表面原子の電子構造を直接観察できる走査
型トンネル顕微鏡(STM)が開発され[G、B1nn
1g  et  al、  PhysRev、  Le
tt、49,57 (1982)]単結晶、非晶質を問
わず実空間像の高い分解能の測定ができるようになり、
しかも媒体に電流による損傷を与えずに低電力で観察で
きる利点をも有し、更に大気中でも動作し、種々の材料
に対して用いることができるため広範囲な応用が期待さ
れている。
On the other hand, a scanning tunneling microscope (STM) was developed that can directly observe the electronic structure of surface atoms of conductors [G, B1nn
1g et al, PhysRev, Le
tt, 49, 57 (1982)] It has become possible to measure real space images with high resolution regardless of whether they are single crystal or amorphous.
Furthermore, it has the advantage of being able to observe with low power without damaging the medium due to the current, and furthermore, it can operate in the atmosphere and can be used for various materials, so it is expected to have a wide range of applications.

かかるSTMは、金属の探針(プローブ電極)と導電性
物質の間に電圧を加えて10人(lnm)程度の距離ま
で近づけるとトンネル電流が流れることを利用している
。この電流は両者の距離変化に非常に敏感であり、トン
ネル電流を一定に保つように探針を走査することにより
実空間の表面構造を描くことができると同時に、表面原
子の全電子雲に関する種々の情報をも読みとることがで
きる。この際、面内方向の分解能は1人程度である。従
って、STMの原理を応用すれば十分に原子オーダー(
数人)で高密度記録再生を行うことが可能である。この
際の記録再生方法としては、粒子線(電子線、イオン線
)或はX線等の高エネルギー電磁波及び可視・紫外光等
のエネルギー線を用いて適当な記録層の表面状態を変化
させて記録を行い、STMで再生する方法や、記録層と
して電圧電流のスイッチング特性に対してメモリ効果を
もつ材料、例えばπ電子系有機化合物やカルコゲン化物
類の薄膜層を用い、STMにて記録・再生を行う方法等
が提案されている。
Such STM utilizes the fact that a tunnel current flows when a voltage is applied between a metal probe (probe electrode) and a conductive substance and the probe is brought close to a distance of about 10 nm (1 nm). This current is extremely sensitive to changes in the distance between the two, and by scanning the probe while keeping the tunneling current constant, it is possible to depict the surface structure in real space, and at the same time, it is possible to draw various information about the total electron cloud of surface atoms. information can also be read. At this time, the resolution in the in-plane direction is about one person. Therefore, by applying the principle of STM, it is sufficient to achieve the atomic order (
High-density recording and reproduction can be performed by several people. The recording and reproducing method at this time is to change the surface condition of the appropriate recording layer using high-energy electromagnetic waves such as particle beams (electron beams, ion beams) or X-rays, and energy rays such as visible and ultraviolet light. A method of recording and reproducing with STM, and a method of recording and reproducing with STM using a material that has a memory effect on the switching characteristics of voltage and current as a recording layer, such as a thin film layer of a π-electron organic compound or chalcogenide. Several methods have been proposed.

ところで、実際に装置としてメモリ媒体へ記録再生を行
うためには、いわゆるトラッキングという位置決めおよ
びデータ列への追跡を行う必要がある。この種の高密度
メモリのトラッキング方法として、 1)基準位置のマーカを予め書き込んでおく方法。(特
開昭64−53363号公報、特開昭64−53365
号公報) 2)V字型の溝を記録媒体表面に予め形成しプローブ電
極が常にこの溝の中央に(るように制御する方式。記録
時に溝を形成しながら溝の中に凹凸情報を記録し、読み
出すときはこの溝をなぞって読み出す方式。(特開平1
−107341号公報、特開平1−151035号公報
) 3)結晶の原子配列を応用し、ストライプ状に並んだ結
晶格子配列にそって情報を書き込み、または読み出す方
式。(特開平1−154332号公報) 4)記録媒体に導電体のトラック電極を埋め込み、この
電極とプローブ電極とのトンネル電流を利用してトラッ
キングを行う。(特開平1−133239号公報)など
が提案されている。
By the way, in order to actually perform recording and reproduction on a memory medium as an apparatus, it is necessary to perform so-called tracking, which is positioning and tracing to a data string. Tracking methods for this type of high-density memory include: 1) A method in which markers at reference positions are written in advance. (JP-A-64-53363, JP-A-64-53365
2) A method in which a V-shaped groove is formed in advance on the surface of the recording medium and the probe electrode is controlled so that it is always in the center of this groove.While forming the groove during recording, unevenness information is recorded in the groove. Then, when reading out, the method reads by tracing this groove.(Japanese Patent Application Laid-Open No.
107341, Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-151035) 3) A method of writing or reading information along the crystal lattice arrangement arranged in stripes by applying the atomic arrangement of the crystal. (Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-154332) 4) A conductive track electrode is embedded in the recording medium, and tracking is performed using a tunnel current between this electrode and a probe electrode. (Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-133239) and the like have been proposed.

[発明が解決しようとする課題] 1)基準位置マーカをあらかじめ書き込んでおく方法に
よると、記録データは2次元的にエリア書き込みが可能
となりSTMO高分解高分解生性され記録密度は極めて
高くなる。しかしながら、この基準位置マーカを検出す
るためには、記録媒体表面を(まな(2次元走査しなけ
ればならず、基準マーカを見いだすまでかなりの時間を
要した。
[Problems to be Solved by the Invention] 1) According to the method in which reference position markers are written in advance, recorded data can be written in two-dimensional areas, STMO high resolution and high resolving power are achieved, and the recording density is extremely high. However, in order to detect this reference position marker, the surface of the recording medium must be scanned in two dimensions, and it takes a considerable amount of time to find the reference marker.

2)媒体表面にトラッキングのための溝を形成するには
、以下のような問題があった。100人程度の記録ビッ
トサイズに対応した溝を形成するためには、300人程
度の溝を必要とする。これを実現するためにはイオンビ
ームによる加工がある。しかし、300人もの微細な溝
をピッチ300〜600人に制御して加工するためには
機械的精度30〜60人程度を有する超精密ステージを
必要とする。この種の装置は非常に大型で取扱いの環境
も限定され、メモリ媒体のように低コストで大量に生産
する必要のあるものには不向きであった。また電子ビー
ムによる加工あるいはX線露光などで溝を形成すること
もできるが、この場合は形成できる溝の幅は〜3000
人程度となり、STMの高分解能を生かした高密度記録
は不可能となる。
2) There are the following problems in forming grooves for tracking on the surface of a medium. In order to form grooves corresponding to the recording bit size of about 100 people, about 300 grooves are required. To achieve this, processing using an ion beam is used. However, in order to control and process as many as 300 fine grooves at a pitch of 300 to 600 people, an ultra-precision stage with mechanical accuracy of about 30 to 60 people is required. This type of device is very large and has a limited handling environment, making it unsuitable for things that need to be produced in large quantities at low cost, such as memory media. Grooves can also be formed by electron beam processing or X-ray exposure, but in this case the width of the groove that can be formed is ~3000 mm.
This would make it impossible to perform high-density recording that takes advantage of the high resolution of STM.

3)結晶の原子配列に対しトラッキングを行う場合は、
STMの高分解能を生かすことはできるが、記録媒体と
して必要な記録面の面積、例えば記録密度を100人/
 b i t、記録容量を1012bitとすると記録
面の面積はICm2であるが、このような面積にわたっ
て格子配列の乱れや欠陥のないかつストライブ状に格子
配列された結晶基板を容易に得ることは難しく記録媒体
に要求される低価格、高生産性を満たさない。
3) When tracking the atomic arrangement of a crystal,
Although it is possible to take advantage of the high resolution of STM, the area of the recording surface required for the recording medium, for example, the recording density, can be reduced to 100 people per person.
If the recording capacity is 1012 bits, the area of the recording surface is ICm2, but it is difficult to easily obtain a crystal substrate with a striped lattice arrangement over such an area without disorder or defects in the lattice arrangement. It is difficult to meet the low cost and high productivity requirements of recording media.

4)トラッキング電極を記録媒体内に埋め込み、この電
極にトラッキング信号を印加しプローブでこの信号を検
出してトラッキングを行う方法は、記録再生装置として
の制御機構は容易になるものの媒体にこのような電極を
加工し、2ないし3種類の異なる周波数のトラッキング
信号を注入する端子を設けることは、記録密度が極めて
低(なるばかりでな(記録媒体の作成プロセスも煩雑化
し生産性、および歩留まりを低下させ低価格の媒体を供
給できない。
4) The method of embedding a tracking electrode in a recording medium, applying a tracking signal to this electrode, and detecting this signal with a probe to perform tracking makes the control mechanism for the recording/reproducing device easier, but it Processing the electrodes and providing terminals for injecting tracking signals of two or three different frequencies not only results in extremely low recording density, but also complicates the recording medium creation process and reduces productivity and yield. and cannot supply low-cost media.

すなわち、本発明は上記の問題点を解決し、STMの特
徴を生かした高密度の記録再生を実現し、低価格で生産
性の高い記録媒体、記録再生に際し高速化が可能なアク
セス方法、およびかかる記録媒体を用いた記録再生装置
、記録装置、再生装置を含む情報処理装置を提供するも
のである。
That is, the present invention solves the above-mentioned problems, realizes high-density recording and reproducing by taking advantage of the characteristics of STM, provides a low-cost and highly productive recording medium, an access method that enables high-speed recording and reproducing, and The present invention provides a recording and reproducing device using such a recording medium, and an information processing device including a recording device and a reproducing device.

[課題を解決するための手段及び作用]本発明の特徴と
するところは、 第1に、プローブ電極を用いて情報の記録再生を行なう
記録媒体において、表面に連続した階段状の凹凸形状を
有する記録媒体、 第2に、前記凹凸形状が、記録層の厚みを階段状に変化
させた前記第1に記載の記録媒体、第3に、前記記録層
が、分子中にπ電子準位をもつ群とσ電子準位をもつ群
とを有する有機化合物を含む前記第2に記載の記録媒体
、 第4に、前記記録層が、基板上に設けた電極基板の上に
積層された有機化合物の単分子膜又は単分子累積膜を含
む前記第2に記載の記録媒体、第5に、前記階段状凹凸
形状の高低差が、3〜100人である前記第1に記載の
記録媒体、第6に、表面に階段状の凹凸形状を有する記
録媒体に対するアクセス方法であって、前記凹凸形状の
エツジ部を検出する行程と、該エツジ部と角度を有して
該プローブ電極を走査する行程と、該エツジ部に沿う方
向に記録媒体もしくはプローブ電極を移動する行程とを
含むアクセス方法、 第7に、表面に階段状の凹凸形状を有する記録媒体に対
するアクセス方法であって、前記エツジ部を検出する行
程と、記録再生するデータ列の該エツジに対する方位角
を決定する行程と、該エツジ部を起点としてデータ列方
位にプローブ電極を走査する行程とを含むアクセス方法
、 第8に、前記第1〜第5いずれかに記載の記録媒体を有
し、かつ前記第6に記載のアクセス方法を有する情報処
理装置、 第9に、前記第1〜第5いずれかに記載の記録媒体を有
し、かつ前言2第7に記載のアクセス方法を有する情報
処理装置、としている点にある。
[Means and effects for solving the problems] The present invention is characterized by: Firstly, a recording medium on which information is recorded and reproduced using a probe electrode has a continuous step-like uneven shape on the surface. A recording medium, secondly, the recording medium according to the first aspect, wherein the uneven shape changes the thickness of the recording layer in a stepwise manner; thirdly, the recording layer has a π electron level in the molecule. and a group having a σ electron level, and fourthly, the recording layer is made of an organic compound laminated on an electrode substrate provided on the substrate. The recording medium according to the second aspect, which includes a monomolecular film or a monomolecular cumulative film; A method for accessing a recording medium having a step-like unevenness on its surface, the method comprising: detecting an edge of the unevenness; scanning the probe electrode at an angle with the edge; An access method including the step of moving a recording medium or a probe electrode in a direction along the edge portion. Seventh, an access method for a recording medium having a step-like uneven shape on its surface, the method comprising: detecting the edge portion. an access method comprising: a step of determining an azimuth angle with respect to the edge of a data string to be recorded and reproduced; and a step of scanning a probe electrode in the data string direction starting from the edge portion; 5th, an information processing device having the recording medium according to any one of the above 6th items, and having the access method according to the 6th item; 9th, having the recording medium according to any one of the 1st to 5th items, and The present invention is an information processing apparatus having the access method as described in item 2 of the preceding statement.

すなわち本発明の一つには、記録媒体表面に配録情報よ
り大きな凹凸または電子状態の変化をもつ段差部(エツ
ジ)を設け、このエツジ部に沿って記録情報を2次元的
に記録再生することにょリ、高密度高速アクセス可能な
記録媒体を提供するものである。
In other words, one aspect of the present invention is to provide a stepped portion (edge) on the surface of a recording medium that has irregularities or changes in electronic state that are larger than the recorded information, and record information is two-dimensionally recorded and reproduced along this edge portion. Specifically, it provides a high-density, high-speed accessible recording medium.

かかる記録媒体の構成図を第1図に示す。本図は、基板
1の上に電極2と記録層3を積層したもので、記録層の
厚みを連続した階段状に変化させることにより段差を設
けたものである。
A block diagram of such a recording medium is shown in FIG. In this figure, an electrode 2 and a recording layer 3 are laminated on a substrate 1, and steps are provided by changing the thickness of the recording layer in a continuous step-like manner.

ところで、本発明での記録媒体を用いた記録・再生およ
びその為のトラッキング方法は、プローブ電極(導電性
探針)と導電性物質との間に電圧を印加しつつ、両者の
距離を10Å以下にするとトンネル電流が流れることを
利用している。また、本発明のアクセス方法によるとプ
ローブ電極は最初のエツジ部を検出し、そのエツジ部に
沿ってプローブ電極を2次元走査しデータを読み出すた
め、高速にデータの書き込みエリアをアクセスできる。
By the way, in the recording/reproduction using a recording medium and the tracking method for this purpose in the present invention, a voltage is applied between a probe electrode (conductive probe) and a conductive substance, and the distance between the two is maintained at 10 Å or less. It takes advantage of the fact that tunnel current flows when Further, according to the access method of the present invention, the probe electrode detects the first edge portion and reads data by two-dimensionally scanning the probe electrode along the edge portion, so that the data writing area can be accessed at high speed.

以下、図面に基づいて本発明のアクセス方法について説
明する。
The access method of the present invention will be explained below based on the drawings.

第2図中、6は記録再生領域、11は記録媒体を支持す
るステージで、このステージはリニア・アクチュエータ
16によりY軸方向に駆動される。13は記録再生ヘッ
ドで、プローブ電極12を支持し、それぞれXまたはZ
軸方向に駆動するアクチュエータ15.14により位置
制御される。
In FIG. 2, reference numeral 6 denotes a recording/reproducing area, and 11 a stage for supporting a recording medium. This stage is driven in the Y-axis direction by a linear actuator 16. 13 is a recording/reproducing head which supports the probe electrode 12 and has X or Z respectively.
The position is controlled by an axially driven actuator 15.14.

記録媒体表面とプローブ電極との間の距離は記録媒体の
表面とプローブ電極との間に流れるトンネル電流により
制御する。これはバイアス電圧■8により記録媒体プロ
ーブ電極間に流れるトンネル電流を負荷抵抗RLにより
検出しアンプ21により増幅され、プローブ高さ検出回
路22により適正プローブ高を決定し、2軸駆動制御回
路25によりプローブ高さが調整される。
The distance between the recording medium surface and the probe electrode is controlled by a tunnel current flowing between the recording medium surface and the probe electrode. This is done by detecting the tunnel current flowing between the recording medium probe electrodes using the bias voltage (8) by the load resistor RL, amplifying it by the amplifier 21, determining the appropriate probe height by the probe height detection circuit 22, and by the biaxial drive control circuit 25. Probe height is adjusted.

記録再生領域6はエツジ4を基準として決められる。す
なわち、X軸駆動制御部26およびアクチュエータ15
によりプローブ電極12はX軸方向に走査する。このと
き、プローブ電極がエツジ部4に接近するとプローブ電
極とエツジ部の電極の間でトンネル電流が急激に増加す
る。この急激に増加するトンネル電流をエツジ検出器2
3で検出する。この検出信号によりX軸駆動制御回路は
プローブの走査方向を反転する。そして、ある−定の時
間を経過後再びプローブ電極の走査方向を反転しエツジ
部に向かう方向に走査する。この時、Y軸駆動制御回路
に対し駆動信号を送り、Y軸方向に1ステップ分ステー
ジを移動させる。
The recording/reproducing area 6 is determined using the edge 4 as a reference. That is, the X-axis drive control section 26 and the actuator 15
Accordingly, the probe electrode 12 scans in the X-axis direction. At this time, when the probe electrode approaches the edge portion 4, the tunnel current increases rapidly between the probe electrode and the electrode at the edge portion. Edge detector 2 detects this rapidly increasing tunnel current.
Detect with 3. Based on this detection signal, the X-axis drive control circuit reverses the scanning direction of the probe. Then, after a certain period of time has elapsed, the scanning direction of the probe electrode is reversed again and scanning is performed in the direction toward the edge portion. At this time, a drive signal is sent to the Y-axis drive control circuit to move the stage by one step in the Y-axis direction.

以上の動作を繰り返すことによりプローブ電極は常にエ
ツジ部に沿ってかつエツジ部に対しである角度をもって
記録再生領域を走査することができる。
By repeating the above operations, the probe electrode can always scan the recording/reproducing area along the edge portion and at a certain angle with respect to the edge portion.

記録媒体に対し記録を行う場合は、プローブ電極がエツ
ジ部4を検出しX軸方向に反転走査を行う時点を基準と
しデータ変調器28よりSWを通じてプローブ電極より
書き込み電圧を印加する。
When recording on a recording medium, a write voltage is applied from the probe electrode through the SW from the data modulator 28 based on the point in time when the probe electrode detects the edge portion 4 and performs inversion scanning in the X-axis direction.

このときプローブ電極がX軸方向に一定時間走査し再び
エツジ部方向に反転走査を開始するまでの間、一連のデ
ータパルス列を記録する。
At this time, a series of data pulse trains are recorded until the probe electrode scans in the X-axis direction for a certain period of time and then starts reversing scanning in the edge direction again.

この記録動作をプローブ電極がエツジ部4を検出する毎
に行うことにより、エツジ部に対しある角度をもったデ
ータ列が書き込まれ、さらにY軸のステージがこれに同
期して順次送られ2次元的にデータ記録された領域6が
形成される。
By performing this recording operation every time the probe electrode detects the edge portion 4, a data string at a certain angle to the edge portion is written, and the Y-axis stage is sequentially moved in synchronization with this to create a two-dimensional An area 6 in which data is recorded is formed.

再生時は、記録時と同様にエツジ部を基準としてプロー
ブ電極を走査する。このときプローブ電極のX軸走査方
向と記録されているデータ列との方位調整は、特公昭5
4−15727号に開示されているようないわゆるウオ
ブリング法によってもよいし、2次元的に領域走査を行
いパターンマツチング等の手法によってデータを復調す
る際に補正してもよい。
During reproduction, the probe electrode is scanned with the edge portion as a reference, similar to during recording. At this time, the direction adjustment between the X-axis scanning direction of the probe electrode and the recorded data string was
A so-called wobbling method as disclosed in Japanese Patent No. 4-15727 may be used, or correction may be made when data is demodulated using a technique such as pattern matching that scans an area two-dimensionally.

第3図(a)に、記録媒体表面におけるデータ記録の様
子を示す。5はデータの記録ビット、31 (実線矢印
)はプローブ電極がエツジ部から遠ざかる方向に走査し
たときのプローブ先端の軌跡、32(破線矢印)はプロ
ーブ電極がエツジ部に向かうときのプローブ先端の軌跡
である。
FIG. 3(a) shows how data is recorded on the surface of the recording medium. 5 is the data recording bit, 31 (solid arrow) is the trajectory of the probe tip when the probe electrode scans away from the edge, and 32 (broken arrow) is the trajectory of the probe tip as the probe electrode moves toward the edge. It is.

第3図(b)に、エツジ部4が完全な直線ではなく乱れ
がある場合について示す。このような場合においてもエ
ツジ部に追随するようにデータ列がかきこまれるため記
録再生においては何の支障もない。すなわち、エツジ部
の形状は仕上り精度に対する許容値が大きい。
FIG. 3(b) shows a case where the edge portion 4 is not a perfect straight line but has irregularities. Even in such a case, there is no problem in recording and reproducing since the data string is written so as to follow the edge portion. That is, the shape of the edge portion has a large tolerance for finishing accuracy.

また、このエツジ部にそって2次元走査が行われるとい
う特徴から、このエツジをもちいてプローブ電極を任意
のデータ記録領域に導くことができる。例えば、記録媒
体を最初に情報処理装置に設置した場合、プローブ電極
と記録媒体の記録領域との位置関係は、取付の機械精度
により誤差が生じている。この誤差は、通常10〜10
0μm程度である。これはデータ記録領域に比べ非常に
大きい。しかし、このエツジ検出走査を用いることによ
り、容易にデータ領域を見いだしトラッキングすること
ができる。また、本発明の記録媒体およびアクセス方法
によれば、エツジ部は段差をもち、かつストライブもし
くはマトリックスに配置されているので、エツジ部の(
X、Y、2)座標を決定することができる。そのため、
任意の位置の検出が容易になり、アクセス速度の向上が
見込まれる。
Furthermore, since two-dimensional scanning is performed along this edge, the probe electrode can be guided to any data recording area using this edge. For example, when a recording medium is first installed in an information processing apparatus, an error occurs in the positional relationship between the probe electrode and the recording area of the recording medium due to the mechanical precision of the installation. This error is usually 10 to 10
It is about 0 μm. This is much larger than the data recording area. However, by using this edge detection scan, data areas can be easily found and tracked. Furthermore, according to the recording medium and access method of the present invention, the edge portion has a step and is arranged in a stripe or matrix.
X, Y, 2) coordinates can be determined. Therefore,
Detection of any location becomes easier, and access speed is expected to improve.

本発明に係る段差部(エツジ)の形成方法としては、例
えば、以下に述べるような方法が考えられる。先ず、基
板上にプローブ電極に対向する電極となる導電性材料を
形成し10次に、記録層を対向電極上の全面に均一に積
層する。その後に、断面を見たときに階段状になるよう
に記録層の基板上の積層面積を随時減少または増加させ
ることにより、所望の形状にエツジを形成する。この他
、エツジを形成したのち電極を形成し、記録層を別途設
けても良い。
As a method for forming the step portion (edge) according to the present invention, for example, the following method can be considered. First, a conductive material is formed on the substrate to serve as an electrode facing the probe electrode, and then a recording layer is uniformly laminated over the entire surface of the facing electrode. Thereafter, edges are formed in a desired shape by decreasing or increasing the laminated area of the recording layer on the substrate as needed so that the recording layer has a step-like shape when viewed in cross section. Alternatively, after forming the edges, electrodes may be formed and a recording layer may be provided separately.

具体的なエツジ部形成方法としては蒸着法やクラスター
イオンビーム法等の適用も可能であるが、制御性、容易
性そして再現性から公知の従来技術の中ではラングミュ
ア−プロジェット法(LB法)が極めて好適である。こ
のLB法によれば、1分子中に疎水性部位と親水性部位
とを有する有機化合物の単分子膜またはその累積膜を基
板上に容易に形成することができ、分子オーダーの厚み
を有し、かつ大面積にわたって均一、均質な有機超薄膜
を安定に供給することができる。
Although it is possible to apply a vapor deposition method, a cluster ion beam method, etc. as a specific method for forming the edge portion, the Langmuir-Prodgett method (LB method) is preferred among known conventional techniques due to its controllability, ease, and reproducibility. is extremely suitable. According to this LB method, a monomolecular film of an organic compound having a hydrophobic site and a hydrophilic site in one molecule or a cumulative film thereof can be easily formed on a substrate, and the thickness is on the order of a molecule. , and can stably supply a uniform and homogeneous ultra-thin organic film over a large area.

また、本発明で用いるLB膜製造装置では、浸漬及び引
き上げ距離を段差部のピッチに対応させるため、水相に
除振装置を設け、更に従来のDCモータによる基板上下
駆動をピエゾ素子で行った。より詳しくは、プローブを
用いて、例えばHOPG (Highly−Orien
ted−Pyrolithic−Gtraphite)
の格子間隔を測定し、所望のトラックピッチに対応する
ようにピエゾ素子で基板を駆動すれば良い。
In addition, in the LB film manufacturing apparatus used in the present invention, in order to make the immersion and lifting distance correspond to the pitch of the stepped portion, a vibration isolator was installed in the water phase, and further, the substrate was driven up and down by a conventional DC motor using a piezo element. . More specifically, using a probe, for example, HOPG (Highly-Orien
ted-Pyrolithic-Gtraphite)
It is sufficient to measure the lattice spacing of , and drive the substrate with a piezo element so as to correspond to the desired track pitch.

従って、本発明に係る段差部の形成方法では、そのピッ
チを数100人〜数μmまで容易に形成することが可能
なので、記録密度の高密度化が可能になる。
Therefore, in the method for forming the step portion according to the present invention, the pitch can be easily formed from several hundred to several μm, and therefore it is possible to increase the recording density.

本発明で用いる記録層は、電流−電圧特性に於いてメモ
リースイッチング現象(電気メモリー効果)を有する材
料、例えば、π電子準位をもつ群とσ電子準位のみを有
する群を併有する分子を電極上に積層した有機単分子膜
あるいはその累積膜を用いることが可能となる。
The recording layer used in the present invention is made of a material that has a memory switching phenomenon (electrical memory effect) in current-voltage characteristics, for example, molecules that have both a group having a π electron level and a group having only a σ electron level. It becomes possible to use an organic monomolecular film laminated on the electrode or a cumulative film thereof.

一般に有機材料の殆んどは、絶縁性もしくは半絶縁性を
示すことがら、本発明において適用可能なπ電子準位を
持つ群を有する有機材料は著しく多岐にわたる。本発明
に好適なπ電子系を有する色素の構造として例えば、フ
タロシアニン、テトラフェニルポルフィリン等のポルフ
ィリン骨格を有する色素、スクアリリウム基及びクロコ
ニックメチン基を結合鎖として持つアズレン系色素及び
キノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール等の
2個の含窒素複素環をスクアリリウム基及びクロコニッ
クメチン基により結合したシアニン系類似の色素、また
はシアニン色素、アントラセン及びピレン等の縮合多環
芳香族、及び芳香環及び複素環化合物が重合した鎖状化
合物及びジアセチレン基の重合体、さらにはテトラシア
ノキノジメタンまたはテトラチアフルバレンの誘導体お
よびその類縁体およびその電荷移動錯体、またさらには
フェロセン、トリスビピリジンルテニウム錯体等の金属
錯体化合物が挙げられる。
Since most organic materials generally exhibit insulating or semi-insulating properties, there is a wide variety of organic materials having a group having a π electron level that can be applied in the present invention. Examples of structures of dyes having a π-electron system suitable for the present invention include phthalocyanine, dyes having a porphyrin skeleton such as tetraphenylporphyrin, azulene dyes having squarylium groups and croconic methine groups as bonding chains, quinoline, benzothiazole, Cyanine-based similar dyes, such as benzoxazole, in which two nitrogen-containing heterocycles are bonded by a squarylium group and a croconic methine group, or cyanine dyes, fused polycyclic aromatics such as anthracene and pyrene, and aromatic and heterocyclic compounds and polymers of diacetylene groups, derivatives of tetracyanoquinodimethane or tetrathiafulvalene, analogs thereof, and charge transfer complexes thereof, and metal complexes such as ferrocene and trisbipyridine ruthenium complexes. Examples include compounds.

本発明に好適な高分子材料としては、例えばポリアクリ
ル酸誘導体等・の付加重合体、ポリイミド等の縮合重合
体、ナイロン等の開環重合体、バクテリオロドプシン等
の生体高分子が挙げられる。
Examples of polymeric materials suitable for the present invention include addition polymers such as polyacrylic acid derivatives, condensation polymers such as polyimide, ring-opening polymers such as nylon, and biopolymers such as bacteriorhodopsin.

これらのπ電子準位を有する化合物の電気メモリー効果
は、数10μm以下の膜厚のもので観測されているが、
前述した記録・再生方法を用いるにあたり、プローブ電
極とこれに対向する電極(対向電極)間にトンネル電流
が流れるように両者間の距離を近づけなければならない
ので、本発明に係る記録層の膜厚は、3Å以上100Å
以下、好ましくは、3Å以上30Å以下であることが好
ましい。
The electrical memory effect of compounds with these π-electron levels has been observed in films with a thickness of several tens of micrometers or less;
When using the recording/reproducing method described above, the distance between the probe electrode and the electrode facing it (counter electrode) must be made close so that a tunnel current flows between the two, so the film thickness of the recording layer according to the present invention is is 3 Å or more and 100 Å
Hereinafter, the thickness is preferably 3 Å or more and 30 Å or less.

本発明において、上記の如き有機材料が積層された薄膜
を支持するための基板としては、表面が平滑であればど
の様な材料を用いても良く、また、基板上に設ける対向
電極の材料も高い導電性を有するものであればよく、例
えばAu、Pt。
In the present invention, any material may be used as the substrate for supporting the thin film laminated with organic materials as described above as long as the surface is smooth, and the material of the counter electrode provided on the substrate may also be used. Any material having high conductivity may be used, such as Au or Pt.

Ag、Pd、Aff、In、Sn、Pb、W等の金属や
これらの合金、さらにはグラファイトやシリサイド、ま
たさらにはITO等の導電性酸化物を始めとして数多(
の材料が挙げられ、これらの本発明への適用が考えられ
る。かかる材料を用いた電極形成法としても従来公知の
薄膜技術で十分である。但し、基板上に直接形成される
電極材料は、表面がLB膜形成の際、絶縁性の酸化物を
つくらない導電材料、例えば貴金属やITO等の酸化物
導電体を用いることが望ましく、さらに、いずれの材料
を用いるにしてもその表面が平滑であることが好ましい
Metals such as Ag, Pd, Af, In, Sn, Pb, and W, and their alloys, as well as graphite, silicide, and conductive oxides such as ITO, as well as many other metals (
These materials can be considered to be applied to the present invention. Conventionally known thin film techniques are sufficient for forming electrodes using such materials. However, for the electrode material that is directly formed on the substrate, it is desirable to use a conductive material that does not form an insulating oxide when forming the LB film on the surface, such as a noble metal or an oxide conductor such as ITO. No matter which material is used, it is preferable that the surface thereof be smooth.

また、プローブ電極の材料は、導電性を示すものであれ
ば何を用いてもよ(、例えばPt。
Furthermore, any material may be used for the probe electrode as long as it exhibits conductivity (for example, Pt).

Pt−I r、W、Au、Ag等が挙げられる。プロー
ブ電極の先端は、記録・再生・消去の分解能を上げるた
めできるだけ尖らせる必要がある。本発明では、針状の
導電性材料を電界研磨法を用い先端形状を制御して、プ
ローブ電極を作製しているが、プローブ電極の作製方法
及び形状は何らこれに限定するものではない。更にはプ
ローブ電極の本数も一本に限る必要もなく、位置検出用
と記録・再生用とを分ける等、複数のプローブ電極を用
いても良い。
Examples include Pt-Ir, W, Au, and Ag. The tip of the probe electrode needs to be as sharp as possible to increase the resolution of recording, playback, and erasure. In the present invention, a probe electrode is produced by controlling the shape of the tip of a needle-shaped conductive material using an electropolishing method, but the method and shape of the probe electrode are not limited thereto. Furthermore, the number of probe electrodes does not need to be limited to one; a plurality of probe electrodes may be used, such as one for position detection and one for recording/reproduction.

次に、本発明の記録媒体を用いる情報処理装置を第4図
のブロック図により説明する。第4図中、12は記録媒
体に電圧を印加するためのプローブ電極であり、このプ
ローブ電極から記録層3に電圧を印加し、記録・再生を
行う。
Next, an information processing apparatus using the recording medium of the present invention will be explained with reference to the block diagram of FIG. In FIG. 4, reference numeral 12 denotes a probe electrode for applying a voltage to the recording medium, and a voltage is applied from this probe electrode to the recording layer 3 to perform recording and reproduction.

対象となる記録媒体は、XYステージll上に載置され
る。47はプローブ電流増幅器で、46はプローブ電流
を読み取りプローブ電極の高さが一定になるように圧電
素子を用いた微動機構44.45を制御するサーボ回路
、41はプローブ電極12と対向電極2との間に記録・
消去用のパルス電圧を印加するための電源である。
The target recording medium is placed on the XY stage II. 47 is a probe current amplifier; 46 is a servo circuit that reads the probe current and controls fine movement mechanisms 44 and 45 using piezoelectric elements so that the height of the probe electrode is constant; 41 is a probe electrode 12 and a counter electrode 2; Recorded between
This is a power supply for applying a pulse voltage for erasing.

パルス電圧を印加するときプローブ電流が急激に変化す
るため、サーボ回路46はHOLD回路をONにして、
その間の出力電流が一定になるように制御している。
Since the probe current changes rapidly when applying a pulse voltage, the servo circuit 46 turns on the HOLD circuit.
The output current is controlled to be constant during that time.

43はXY力方向プローブ電極12を移動制御するため
のXY走査駆動回路である。11と42は、あらかじめ
10−’A程度のプローブ電流が得られるようにプロー
ブ電極12と記録媒体との距離を粗動制御したり、プロ
ーブ電極と基板とのxy方向相対変位を大きくとる(微
動制御機構の範囲外)のに用いられる。
43 is an XY scanning drive circuit for controlling the movement of the XY force direction probe electrode 12. 11 and 42, the distance between the probe electrode 12 and the recording medium is roughly controlled in advance so that a probe current of about 10-'A is obtained, or the relative displacement between the probe electrode and the substrate in the x and y directions is large (fine movement). outside the control mechanism).

これらの各機器は、全てマイクロコンピュータ49によ
り中央制御されている。また5oは表示装置を表してい
る。
All of these devices are centrally controlled by a microcomputer 49. Further, 5o represents a display device.

また、圧電素子を用いた移動制御における機械的性能を
下記に示す。
In addition, the mechanical performance in movement control using piezoelectric elements is shown below.

Z方向微動制御範囲 : 0. 1 nm”−I LL
mZ方向粗動制御範囲 :lOnm−10mmXY方向
走査範囲  : Q、  1 nm〜1 g、mXY方
向粗動制御範囲=10nm〜10mm計測、制御許容誤
差 :<O,lnm (微動制御時) 計測、制御許容誤差 :<lnm (粗動制御時) [実施例] 以下、本発明の実施例について説明する。
Z direction fine movement control range: 0. 1 nm”-ILL
mZ direction coarse movement control range: lOnm-10mm Tolerance: <lnm (during coarse motion control) [Examples] Examples of the present invention will be described below.

1五■ユ 本実施例では、第1図に示すタイプの記録媒体を作製し
た。先ず、光学研磨したガラス基板1を中性洗剤および
トリクレンを用いて洗浄した後、下引き層としてCrを
真空蒸着(抵抗加熱)法により厚さ50人堆積させ、更
にAuを同法により400人蒸着し、対向電極2を形成
した。
15.1 In this example, a recording medium of the type shown in FIG. 1 was produced. First, an optically polished glass substrate 1 was cleaned using a neutral detergent and Triclean, and then Cr was deposited as an undercoat layer to a thickness of 50 layers by vacuum evaporation (resistance heating), and then Au was deposited to a thickness of 400 layers by the same method. A counter electrode 2 was formed by vapor deposition.

次にスクアリリウム−ビス−6−オクチルアズレン(以
下5OAZと略す)を濃度0.2mg/mρで溶かした
クロロホルム溶液を水温20℃の純水からなる水相上に
展開し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒の蒸発を待
ち、かかる単分子膜の表面圧を20mN/mまで高め、
更にこれを一定に保ちながら前記電極基板を水面に横切
るように速度5mm/分で静かに浸漬し、更に引き上げ
て、2層のY形単分子膜の累積を行い、引き続き基板の
浸漬距離を2μmピッチで減少させ、前記対向電極上に
2層の累積膜を設けて記録層3及びこのようにして凸状
の段差部(エツジ)4を形成した。このときの段差部の
高さは、30人である。
Next, a chloroform solution in which squarylium-bis-6-octylazulene (hereinafter abbreviated as 5OAZ) was dissolved at a concentration of 0.2 mg/mρ was spread on an aqueous phase consisting of pure water at a water temperature of 20°C, and a monomolecular film was formed on the water surface. was formed. Wait for the solvent to evaporate, increase the surface pressure of the monolayer to 20 mN/m,
Furthermore, while keeping this constant, the electrode substrate was gently immersed across the water surface at a speed of 5 mm/min, and then pulled up again to accumulate two Y-shaped monomolecular films, and then the immersion distance of the substrate was 2 μm. The recording layer 3 and the convex step portion (edge) 4 were thus formed by decreasing the pitch and providing a two-layer cumulative film on the counter electrode. The height of the stepped portion at this time is 30 people.

以上の様な方法により作成した記録媒体に、第4図に示
した情報処理装置を用いて記録・再生、消去の実験を行
った。
Recording, reproducing, and erasing experiments were conducted on the recording medium prepared by the method described above using the information processing apparatus shown in FIG.

まず、本発明による記録媒体のアクセス方法を実現する
情報処理装置の構成実施例を第5図に示す。第6図に記
録媒体上にプローブ電極の先端の軌跡を表した例を示す
。また、第7図に再生時と記録時における第5図の情報
処理装置の各信号線の波形例をそれぞれ示す。以下図面
に従って説明する。
First, FIG. 5 shows an example of the configuration of an information processing apparatus that implements the recording medium access method according to the present invention. FIG. 6 shows an example of the locus of the tip of the probe electrode on the recording medium. Further, FIG. 7 shows waveform examples of each signal line of the information processing apparatus of FIG. 5 during reproduction and recording, respectively. This will be explained below according to the drawings.

第5図中、1,2,3.4から成るのは本実施例に係る
記録媒体、11はステージで、記録媒体上の任意の記録
領域にプローブ電極を引き込むために、X、Y及びZ各
方向に10mmの範囲で移動できる。61は円筒型のP
ZTアクチュエータで、プローブ電極12を記録媒体上
のデータ列に沿って走査するためのもので、X、Y、及
びZ方向にそれぞれ2μmまで移動できる。
In FIG. 5, 1, 2, 3.4 are the recording medium according to this embodiment, 11 is a stage, and X, Y, and Z are arranged to draw the probe electrode into an arbitrary recording area on the recording medium. It can move within a range of 10mm in each direction. 61 is a cylindrical P
The ZT actuator is used to scan the probe electrode 12 along the data row on the recording medium, and can move up to 2 μm in each of the X, Y, and Z directions.

プローブ電極12は電流アンプ62に接続される。電流
アンプ62の出力は対数圧縮回路63を経由してサンプ
ルホールド回路64に入力される。サンプルホールド回
路の出力信号(a)はコンパレータ65、ピークホール
ド回路66、及び高域通過フィルター70にそれぞれ入
力される。
Probe electrode 12 is connected to current amplifier 62 . The output of the current amplifier 62 is input to a sample hold circuit 64 via a logarithmic compression circuit 63. The output signal (a) of the sample hold circuit is input to a comparator 65, a peak hold circuit 66, and a high pass filter 70, respectively.

ピークホールド回路66の出力(b)は誤差増幅器67
と低域通過フィルター68に接続される。誤差増幅器の
出力は円筒型PZTのΔ2駆動電極に接続される。一方
、低域通過フィルター68の出力は減衰器VR,を通じ
てコンパレータ69に入力される。高域通過フィルター
の出力(d)はコンパレータ69のもう一方の入力に接
続される。さらに、コンパレータ69の出力はデータ変
復調部75のデータ復調器に入力される。
The output (b) of the peak hold circuit 66 is output to the error amplifier 67.
and a low-pass filter 68. The output of the error amplifier is connected to a cylindrical PZT Δ2 drive electrode. On the other hand, the output of the low-pass filter 68 is input to a comparator 69 through an attenuator VR. The output (d) of the high-pass filter is connected to the other input of comparator 69. Furthermore, the output of the comparator 69 is input to a data demodulator of a data modulation/demodulation section 75 .

データ変復調部のデータ変調出力はパルス発生器73に
接続され、DCバイアス電圧■1と合成して記録媒体電
極2及び段差部4に接続される。
The data modulation output of the data modulation/demodulation section is connected to a pulse generator 73, combined with a DC bias voltage (1), and connected to the recording medium electrode 2 and the stepped portion 4.

トラッキング制御部74はアップダウンカウンタ71及
び、D/Aコンバーター72を介して円筒型PZTアク
チュエータ61を駆動する。アップダウンカウンタ71
のアップ入力(g)にはエツジ検出用のコンパレータ6
5の出力とトラッキング制御部からのアップ制御信号と
のORを接続する。一方アツブダウンカウンタ71のダ
ウン入力(f)にはトラッキング制御部のダウン制御信
号を接続する。アップダウンカウンタのカウント出力は
D/A変換器72によりアナログ電圧に変換され円筒型
PZTをΔX駆動する。
The tracking control section 74 drives the cylindrical PZT actuator 61 via an up/down counter 71 and a D/A converter 72. up/down counter 71
Comparator 6 for edge detection is connected to the up input (g) of
5 and the up control signal from the tracking control section. On the other hand, the down input (f) of the deep down counter 71 is connected to the down control signal of the tracking control section. The count output of the up/down counter is converted into an analog voltage by the D/A converter 72 and drives the cylindrical PZT by ΔX.

データの再生動作を想定すると、プローブ電極12の記
録媒体上での軌跡は第6図(a)となる。ステージ11
により初期設定されたプローブ位置80より円筒型PZ
T61がデータ走査を始めると81で表わされる軌跡を
通ってエツジ4を検出するとプローブ電極の走査は反転
し82の軌跡となる。更に一定距離を走査後、再び反転
しエツジ4に向かう方向に進む。
Assuming a data reproducing operation, the trajectory of the probe electrode 12 on the recording medium is as shown in FIG. 6(a). stage 11
Cylindrical PZ from the probe position 80 initially set by
When T61 starts data scanning and detects edge 4 through a locus 81, the scanning of the probe electrode is reversed and becomes a locus 82. After further scanning a certain distance, it turns around again and moves in the direction toward edge 4.

上記の動作を繰り返し、プローブ電極12がデータビッ
ト5列を検出すると、このデータ列に走査方位を調整し
つつ順次走査していく。
The above operation is repeated, and when the probe electrode 12 detects five data bit rows, it sequentially scans this data row while adjusting the scanning direction.

プローブ電極の走査方位は制御信号により可変抵抗R2
を変化させ、円筒型PZTアクチュエータ61のΔX/
ΔYの駆動比を変えて行う。また適正走査方位の検出は
、第6図には図示していないがウオブリング電圧(k)
をΔY駆動し、この時のトンネル電圧のピークホールド
されたエンベロープ信号(C)をモニターして判断され
る。
The scanning direction of the probe electrode is controlled by a variable resistor R2 using a control signal.
ΔX/ of the cylindrical PZT actuator 61
This is done by changing the drive ratio of ΔY. Although not shown in Fig. 6, detection of the proper scanning direction is performed using the wobbling voltage (k).
The determination is made by driving the tunnel voltage by ΔY and monitoring the peak-held envelope signal (C) of the tunnel voltage at this time.

また、第6図(b)にプローブ電極12が配録媒体のデ
ータ列を走査している様子を第6図(a)のA−A’断
面図にて示す。プローブ電極と記録媒体表面との距離の
制御は、トンネル電流の対数圧縮した値をピークホール
ドした信号(b)を、誤差増幅器67により基準電圧V
msと比較し円筒型PZTをΔZ駆動する。
Further, FIG. 6(b) shows the state in which the probe electrode 12 scans the data string of the recording medium in a sectional view taken along the line AA' in FIG. 6(a). To control the distance between the probe electrode and the surface of the recording medium, a signal (b) obtained by peak-holding the logarithmically compressed value of the tunnel current is input to a reference voltage V by an error amplifier 67.
ms and drives the cylindrical PZT by ΔZ.

この制御により、プローブ電極はデータ列の凸部分また
は電子状態の最も高い部分を包絡するように走査する。
With this control, the probe electrode scans to encompass the convex part of the data string or the part with the highest electronic state.

次に、再生時における動作を各信号の状態を表す第7図
のタイミングチャートを用いて説明する。
Next, the operation during reproduction will be explained using the timing chart of FIG. 7 showing the states of each signal.

プローブ電極により検出されたトンネル電流は第5図6
2の電流アンプにより増幅された後、63により対数圧
縮し、64でサンプルホールドされる。このサンプルホ
ールド回路は再生時にはスルー状態となり対数圧縮器の
圧力がそのまま出力される。
The tunneling current detected by the probe electrode is shown in Figure 5.6.
After being amplified by the current amplifier 2, it is logarithmically compressed by 63 and sampled and held by 64. During playback, this sample and hold circuit enters a through state and outputs the pressure of the logarithmic compressor as it is.

サンプルホールド出力(a)はエツジ検出用コンパレー
タによりスレッシュホールド電圧V8□と比較しプロー
ブ電極がエツジに接近するのを検出する。但し、■、2
はデータ列による出力電圧より太き(設定する。
The sample and hold output (a) is compared with a threshold voltage V8□ by an edge detection comparator to detect when the probe electrode approaches an edge. However, ■, 2
is thicker than the output voltage according to the data string (set.

エツジ検出した信号はアップダウンカウンタを強制的に
アップカウント動作に切り換える。さらに一定のカウン
ト値をアップカウントした後、再びダウンカウントに切
り換える。この時のアップダウンカウンタのアップ及び
ダウン制御信号を第7図の(g)、(f)にそれぞれ示
す。またΔX駆動出力を第7図(h)に示す。
The edge-detected signal forces the up-down counter to switch to up-count operation. After further up-counting a certain count value, it switches to down-counting again. The up and down control signals of the up/down counter at this time are shown in FIGS. 7(g) and 7(f), respectively. Further, the ΔX drive output is shown in FIG. 7(h).

この動作によりプローブ電極は記録媒体のエツジ部に衝
突することな(走査することができる。
This operation allows the probe electrode to scan without colliding with the edge portion of the recording medium.

サンプルホールド出力(a)は高域通過フィルターによ
り高域周波数成分すなわちデータ情報成分を抽出し、コ
ンパレータ69によりデータ列のエンベロープ信号(C
)を適当に減衰した電圧と比較し2値化データ(e)を
得る。この時のコンパレータのそれぞれの入力信号を第
7図(C)、(d)に示す。また、2値化された信号を
第7図(e)に示す。尚、エンベロープ信号(c)は、
ピークホールド出力(b)を低域通過フィルター68で
積分したものである。
The sample hold output (a) extracts a high frequency component, that is, a data information component, using a high-pass filter, and converts it into an envelope signal (C
) is compared with an appropriately attenuated voltage to obtain binarized data (e). The respective input signals of the comparators at this time are shown in FIGS. 7(C) and (d). Further, the binarized signal is shown in FIG. 7(e). In addition, the envelope signal (c) is
The peak hold output (b) is integrated by the low pass filter 68.

続いて、記録時における動作を各信号の状態を表す第7
図のタイミングチャート及び第5図を用いて説明する。
Next, the operation at the time of recording is shown in the seventh column, which represents the state of each signal.
This will be explained using the timing chart shown in the figure and FIG.

サンプルホールド64の圧力信号(a)をコンパレータ
65によりV□と比較し、エツジ接近を検出すると、ま
ずVanを所定のレベルに設定し書き込み動作に入る。
The pressure signal (a) of the sample hold 64 is compared with V□ by the comparator 65, and when edge approach is detected, Van is first set to a predetermined level and a write operation begins.

プローブ電極と記録媒体との間隔の制御が安定する時間
を待ってサンプルホールド制御信号(i)をデータ書き
込みクロックに同期してホールド状態とし、パルス発生
器73より書き込みパルス(j)を発生する。このデー
タパルスの書き込みはプローブ電極が反転走査するまで
書き込まれ、プローブが反転走査すると直ちに読みだし
走査に戻り、次のエツジを検出するまでのデータ書き込
み動作は待機状態となる。
After waiting for time for the control of the distance between the probe electrode and the recording medium to become stable, the sample hold control signal (i) is put into a hold state in synchronization with the data write clock, and the pulse generator 73 generates a write pulse (j). This data pulse is written until the probe electrode performs inversion scanning, and as soon as the probe performs inversion scanning, it returns to reading scanning, and the data writing operation is in a standby state until the next edge is detected.

次に、第4図を用いて記録再生方法を説明する。ただし
、プローブ電極12として電界研磨法によって作成した
白金/ロジウム製のプローブ電極を用いており、このプ
ローブ電極12は記録層3に電圧を印加できるように、
圧電素子により、その距離(Z)が制御されている。さ
らに上記機能を持ったままプローブ電極12が面内(X
Next, the recording and reproducing method will be explained using FIG. However, as the probe electrode 12, a platinum/rhodium probe electrode made by an electric field polishing method is used, and this probe electrode 12 is designed so that a voltage can be applied to the recording layer 3.
The distance (Z) is controlled by a piezoelectric element. Furthermore, the probe electrode 12 is in-plane (X
.

Y)方向にも移動制御できるように微動制御機構系が設
計されている。
The fine movement control mechanism system is designed so that movement can be controlled also in the Y) direction.

また、プローブ電極12は直接記録・再生・消去を行う
ことができる。また、記録媒体は高精度のXYステージ
11の上に置かれ、任意の位置に移動させることができ
る。よって、この移動制御機構によりプローブ電極12
で任意の位置のトラック上に記録・再生及び消去を行う
ことができる。
Further, the probe electrode 12 can directly perform recording, reproduction, and erasing. Further, the recording medium is placed on a high-precision XY stage 11 and can be moved to any position. Therefore, by this movement control mechanism, the probe electrode 12
Recording, playback, and erasing can be performed on tracks at arbitrary positions.

前述した記録層3を持つ記録媒体を記録・再生装置にセ
ットした。この時、トラックのY方向と記録・再生装置
のY方向がほぼ平行となる様に設置した。次に、プロー
ブ電極12と記録媒体の対面電極2との間に+1.5■
の電圧を印加し、記録層3に流れる電流をモニターしな
がらプローブ電極12と対向電極2との距離(Z)を調
整した。この時、プローブ電極12と対向電極2との距
離2を制御するためのプローブ電流工、を10−”A≧
Ip≧10−”Aになるように設定した。次に、距離2
を一定に保ちながら、プローブ電極12をX方向に走査
させ、記録媒体にトラックが形成されていることを確認
した後、プローブ電極12を任意のトラック(記録層)
上で保持した。次に、プローブ電極と対向電極の距離を
一定に保ちながら、プローブ電極をY方向に走査させた
。この時、前述した方法によりトラッキングを行うこと
により、任意のトラック上をこれから外れることな(プ
ローブ電極12を走査させることが可能であることがわ
かった。
A recording medium having the recording layer 3 described above was set in a recording/reproducing apparatus. At this time, the Y direction of the track and the Y direction of the recording/reproducing device were installed so that they were almost parallel. Next, +1.5■ between the probe electrode 12 and the facing electrode 2 of the recording medium.
voltage was applied, and the distance (Z) between the probe electrode 12 and the counter electrode 2 was adjusted while monitoring the current flowing through the recording layer 3. At this time, the probe current for controlling the distance 2 between the probe electrode 12 and the counter electrode 2 is set to 10-"A≧
It was set so that Ip≧10-”A. Next, distance 2
While keeping constant, probe electrode 12 is scanned in the X direction, and after confirming that a track is formed on the recording medium, move probe electrode 12 to any track (recording layer).
held above. Next, the probe electrode was scanned in the Y direction while keeping the distance between the probe electrode and the counter electrode constant. At this time, it has been found that by performing tracking using the method described above, it is possible to scan the probe electrode 12 on any desired track without straying from it.

次に、プローブ電極12をトラック上で走査させながら
、50人ピッチで情報の記録を行った。
Next, while scanning the probe electrode 12 on the track, information was recorded at a pitch of 50 people.

かかる情報の記録は、プローブ電極12を+側、対向電
極2を一側にして、電気メモリー材料が低抵抗状態(O
N状態)に変化する様に、第10図に示すしきい値電圧
VthoN以上の三角波パルス電圧を印加した。その後
、プローブ電極を記録開始点に戻し、再びトラック上を
走査させた。その結果、記録ビットに於いては0.7m
人程度のプローブ電流が流れ、ON状態となっているこ
とが示された。以上の再生実験に於いて、ピットエラー
レートは3X10−”であった。
Recording of such information is performed with the probe electrode 12 on the + side and the counter electrode 2 on the one side, so that the electrical memory material is in a low resistance state (O
A triangular wave pulse voltage higher than the threshold voltage VthoN shown in FIG. 10 was applied so as to change to the N state. Thereafter, the probe electrode was returned to the recording start point and scanned over the track again. As a result, the recording bit was 0.7m.
A probe current comparable to that of a human flowed, indicating that the probe was in an ON state. In the above playback experiment, the pit error rate was 3×10-''.

なお、プローブ電極を電気メモリー材料がON状態から
OFF状態に変化するしきい値電圧Vthoyy以上の
IOVに設定し、再び記録位置をトレースした結果、全
ての記録状態が消去されOFF状態に遷移したことも確
認した。
In addition, as a result of setting the probe electrode to an IOV higher than the threshold voltage Vthoyy at which the electric memory material changes from the ON state to the OFF state and tracing the recorded position again, all recorded states were erased and the state transitioned to the OFF state. Also confirmed.

なお、5OAZ 1層あたりの厚さは、小角X線回折法
により求めたところ、約15人であった。
The thickness of each 5OAZ layer was determined by small-angle X-ray diffraction and was about 15.

K血■ユ 実施例1と全(同様に、ガラス基板1上に対向電極2を
形成した後に、ポリイミドLB膜をX方向、Y方向にそ
れぞれ2.4.6.8.10層累積し記録層3を形成し
た。なお、ポリイミドLB膜の形成方法は以下の通りで
ある。
Example 1 and Example 1 (Similarly, after forming the counter electrode 2 on the glass substrate 1, 2, 4, 6, 8, and 10 layers of polyimide LB film were accumulated in the X direction and the Y direction, respectively, and recording was performed. Layer 3 was formed.The method for forming the polyimide LB film is as follows.

ポリアミック酸(分子量約20万)を濃度1×10−3
%(g / g )で溶かしたジメチルアセトアミド溶
液を、別途調整したN、N−ジメチルオクタデシルアミ
ンの同溶媒によるI X 10−3M溶液を1:2(v
/v)に混合し、ポリアミド酸オクタデシルアミン塩溶
液を調整した。ががる溶液を水温20℃の純水からなる
水相上に展開し、水面上に単分子膜を形成した。この単
分子膜の表面圧を25mN/mまで高め、更にこれを一
定に保ちながら、前記基板を水面に横切るように5mm
/分で移動させて浸漬、引き上げを行い、Y型単分子膜
の累積を行った。
Polyamic acid (molecular weight approximately 200,000) at a concentration of 1 x 10-3
A solution of dimethylacetamide dissolved at
/v) to prepare a polyamic acid octadecylamine salt solution. The solution was spread on an aqueous phase consisting of pure water at a water temperature of 20°C to form a monomolecular film on the water surface. The surface pressure of this monomolecular film was increased to 25 mN/m, and while keeping this constant, the substrate was stretched 5 mm across the water surface.
The Y-type monomolecular film was accumulated by dipping and pulling up while moving at a speed of 1/min.

引き続き基板の浸漬距離を1μmピッチで減少させるこ
とで、前記対向電極上に2.4.6.8.10層の累積
膜を形成した。次に、かがる基板を90”回転させ、前
記累積膜に直交するように2.4.6.8.10層の累
積膜を形成した。
Subsequently, by decreasing the immersion distance of the substrate at a pitch of 1 μm, a cumulative film of 2.4.6.8.10 layers was formed on the counter electrode. Next, the bent substrate was rotated 90'' to form a cumulative film of 2,4,6,8,10 layers perpendicular to the cumulative film.

更にこれらの膜を300’Cで1層分間加熱を行うこと
によりポリイミドにした。
Further, these films were heated at 300'C for one layer to form polyimide.

なおポリイミド1層あたりの厚さは、エリプソメトリ−
法により約4人と求められた。また、この様にして作成
した記録媒体の概略図を第1図に示す。
The thickness per polyimide layer is determined by ellipsometry.
Approximately four people were required by law. Furthermore, a schematic diagram of the recording medium produced in this manner is shown in FIG.

かかる記録媒体を用い、実施例1と同様にして記録・再
生実験を行ったところ、ピットエラーレートはlXl0
−’であり、消去も可能であった。
When recording and reproducing experiments were conducted in the same manner as in Example 1 using such a recording medium, the pit error rate was lXl0
-', and deletion was also possible.

犬」U糺且 実施例1と同様に対向電極を形成したガラス基板を水温
20℃の純水中に浸漬したのち、水面上に実施例2と同
様のポリアミック酸を展開し、単分子膜を形成した。こ
の単分子膜の表面圧を25 m N / mまで高め、
更にこれを一定に保ちながら前記基板を水面を横切るよ
うに5mm/分で引き上げた。かかる基板を浸漬距離を
500人として実施例2と同様に減少させ、基板上に1
.3.5.7.9層の累積膜をX、Y方向にそれぞれ形
成した。
After immersing a glass substrate with a counter electrode formed thereon in the same manner as in Example 1 in pure water at a water temperature of 20°C, a polyamic acid similar to that in Example 2 was spread on the water surface to form a monomolecular film. Formed. The surface pressure of this monomolecular film was increased to 25 mN/m,
Furthermore, while keeping this constant, the substrate was pulled up across the water surface at a rate of 5 mm/min. The immersion distance of such a substrate was reduced to 500 people in the same manner as in Example 2, and 1 person was immersed on the substrate.
.. 3.5.7.9 layers of cumulative films were formed in the X and Y directions, respectively.

更にこれらの膜を300℃で10分間加熱な行うことに
よりポリイミドにした。
Further, these films were heated at 300° C. for 10 minutes to form polyimide.

かかる記録媒体を用い、実施例1と同様にして記録・再
生実験を行ったところ、ビ・ントエラーレートはlXl
0−’であり、消去も可能であつた。
When recording and reproducing experiments were carried out in the same manner as in Example 1 using such a recording medium, the bit error rate was lXl.
0-' and could be erased.

叉」U引A 実施例2と同様にして、対向電極、記録層を形成した。叉”U pull A A counter electrode and a recording layer were formed in the same manner as in Example 2.

ただし、記録層の暦数が増加するときに基板の浸漬距離
を増加させて、記録媒体を形成した。
However, recording media were formed by increasing the immersion distance of the substrate as the number of records of the recording layer increased.

かかる記録媒体を用い、実施例1と同様にして記録・再
生実験を行ったところ、ピットエラーレートは2X10
−’であり、消去も可能であつた。
When recording and reproducing experiments were conducted in the same manner as in Example 1 using such a recording medium, the pit error rate was 2X10.
-' and could be erased.

叉if糺互 洗浄したガラス基板なヘキサメチルジシラザン(HMD
S)の飽和蒸気中に一昼夜放置して疎水処理したのち、
実施例2と同様にしてX方向、Y方向それぞれに2.4
,6.8.10層のポリイミド累積膜からなる段差を形
成した。
If the glass substrate was washed with hexamethyldisilazane (HMD)
After hydrophobic treatment by leaving it in saturated steam of S) for a day and night,
2.4 in each of the X direction and Y direction in the same manner as in Example 2.
, 6.8. A step consisting of 10 layers of polyimide cumulative film was formed.

次に、かかる基板上に実施例1と同様に下引き層として
Cr厚さ50人、さらにAu厚さ500人を真空蒸着法
によって形成した。
Next, as in Example 1, an undercoat layer of Cr with a thickness of 50 layers and Au with a thickness of 500 layers was formed on the substrate by vacuum evaporation.

その後、記録層として2層のポリイミド累積膜を形成し
た。
Thereafter, a two-layer polyimide cumulative film was formed as a recording layer.

かかる記録媒体を用い、実施例1と同様にして記録・再
生実験を行ったところ、ビ・ントエラーレートは3X1
0−’であり、消去も可能であつた。
When recording and reproducing experiments were conducted using such a recording medium in the same manner as in Example 1, the bit error rate was 3X1.
0-' and could be erased.

[発明の効果] 以上述べたように、本発明によれば、 1)記録領域のトラックピッチを数100人〜数μmに
制御することが可能で、かつ記録領域をユニット化する
ことができるので、記録面の全面積は制御されることが
なく、記録密度を極限まで大きくすることができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, 1) the track pitch of the recording area can be controlled to several hundreds to several μm, and the recording area can be made into units; , the total area of the recording surface is not controlled, and the recording density can be maximized to the maximum.

2)エツジを基準としたトラッキング動作は2次元のデ
ータ領域に対して行われるので、トラ・ソキング動作の
ための処理時間はデータ1ビ・ソトるこ対して極めて小
さく、高速なデータの読みだし書き込みが可能になる。
2) Since the edge-based tracking operation is performed on a two-dimensional data area, the processing time for the tracking operation is extremely small compared to 1 bit of data, allowing for high-speed data reading. Writing becomes possible.

3)記録媒体のエツジ部を基準としてデータ列を書き込
むので、読みだし時にプローブ電極がデータビット列上
を走査する際、データビットが記録されているタイミン
グを正確に予測することができるので、ウオブリング等
によるデータ列への走査方位決定が確実なものとなる。
3) Since the data string is written based on the edge of the recording medium, when the probe electrode scans the data bit string during reading, it is possible to accurately predict the timing at which the data bit is recorded, which eliminates wobbling etc. Therefore, the scanning direction for the data string can be determined reliably.

4)トラック形成材料と記録層が同一にすることが可能
で、かつその形成も簡便なので生産性に富、低コストに
なる。
4) The track forming material and the recording layer can be made of the same material and can be easily formed, resulting in high productivity and low cost.

といったような効果がある。There are effects like this.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明に係る記録媒体の構成を説明する図で
ある。 第2図は、本発明に係るアクセス方法を説明する図であ
る。 第3図は、本発明の詳細な説明するための図である。 第4図は、本発明に係る情報処理装置の構成ブロック図
である。 第5図は、本発明のアクセス方法を実施する情報処理装
置の構成を表す図である。 第6図は、第5図における情報処理装置のプローブ電極
の記録媒体面上の軌跡を表す図である。 第7図は、第6図の情報処理装置の再生時の信号波形を
示す。 第8図は、第5図の情報処理装置の記録時の各部の信号
波形を示す図である。 第9図は、本発明の記録媒体に記録を行う際に加えるパ
ルス信号波形である。 1・・・基板 2・・・電極(対向電極) 3・・・記録層 4・・・段差部(エツジ部) 5・・・記録ビット 6・・・記録再生領域 11・・・XYステージ 12・・・プローブ電極 13・・・記録再生ヘッド 4・・・ヘッドをZ軸方向に駆動するアクチュエータ5
・・・ヘッドをX軸方向に駆動するアクチュエータ6・
・・ステージをY軸方向に駆動するアクチュエータト・
・アンプ 2・・・プローブ高さ検出回路 3・・・エツジ検出器 4・・・データ復調器 5・・・2軸駆動制御回路 6・・・X軸駆動制御回路 7・・・Y軸駆動制御回路 8・・・データ変調器 1・・・プローブ電極がエツジから離れる方向に走査し
たときの軌跡 32・・・プローブ電極がエツジに接近する方向に走査
したときの軌跡 l・・・パルス電源 2・・・粗動機構 3・・・XY方向走査駆動回路 4・・・2方向微動制御機構 5・・・XY方向微動制御機構 6・・・サーボ回路 7・・・プローブ電流増幅器 8・・・粗動駆動回路 9・・・マイクロコンピュータ O・・・表示装置 1・・・円筒型PZTアクチュエータ 2・・・電流アンプ 3・・・対数圧縮回路 4・・・サンプルホールド回路 5・・・コンパレータ 6・・・ピークホールド回路 7・・・誤差増幅器 8・・・低域通過フィルター 9・・・コンパレータ O・・・高域通過フィルター ト・・アップダウンカウンタ 2・・・D/Aコンバータ 3・・・データ書き込み用のパルス発生器4・・・トラ
ッキング制御部 5・・・データ変復調部 76・・・ステージ制御部 80・・・初期設定されたプローブ位置81・・・デー
タ走査を始めた軌跡 82・・・エツジにより反転した軌跡 箆1 図
FIG. 1 is a diagram illustrating the configuration of a recording medium according to the present invention. FIG. 2 is a diagram illustrating an access method according to the present invention. FIG. 3 is a diagram for explaining the present invention in detail. FIG. 4 is a configuration block diagram of an information processing device according to the present invention. FIG. 5 is a diagram showing the configuration of an information processing device that implements the access method of the present invention. FIG. 6 is a diagram showing the locus of the probe electrode of the information processing device in FIG. 5 on the surface of the recording medium. FIG. 7 shows signal waveforms during reproduction by the information processing apparatus shown in FIG. FIG. 8 is a diagram showing signal waveforms of various parts of the information processing apparatus of FIG. 5 during recording. FIG. 9 shows a pulse signal waveform applied when recording on the recording medium of the present invention. 1... Substrate 2... Electrode (counter electrode) 3... Recording layer 4... Step portion (edge portion) 5... Recording bit 6... Recording/reproducing area 11... XY stage 12 ... Probe electrode 13 ... Recording and reproducing head 4 ... Actuator 5 that drives the head in the Z-axis direction
... Actuator 6 that drives the head in the X-axis direction.
・Actuator that drives the stage in the Y-axis direction・
・Amplifier 2...Probe height detection circuit 3...Edge detector 4...Data demodulator 5...Two-axis drive control circuit 6...X-axis drive control circuit 7...Y-axis drive Control circuit 8...Data modulator 1...Trajectory 32 when the probe electrode scans in the direction away from the edge...Trajectory l when the probe electrode scans in the direction approaching the edge...Pulse power supply 2...Coarse movement mechanism 3...XY direction scanning drive circuit 4...2 direction fine movement control mechanism 5...XY direction fine movement control mechanism 6...Servo circuit 7...Probe current amplifier 8... - Coarse movement drive circuit 9... Microcomputer O... Display device 1... Cylindrical PZT actuator 2... Current amplifier 3... Logarithmic compression circuit 4... Sample hold circuit 5... Comparator 6...Peak hold circuit 7...Error amplifier 8...Low pass filter 9...Comparator O...High pass filter...Up/down counter 2...D/A converter 3... ...Pulse generator for data writing 4...Tracking control section 5...Data modulation/demodulation section 76...Stage control section 80...Initialized probe position 81...Trajectory from which data scanning started 82...Trajectory reversed by edge 1 Figure

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)プローブ電極を用いて情報の記録再生を行なう記
録媒体において、表面に連続した階段状の凹凸形状を有
することを特徴とする記録媒体。
(1) A recording medium on which information is recorded and reproduced using probe electrodes, the recording medium having a continuous step-like uneven shape on its surface.
(2)前記凹凸形状が、記録層の厚みを階段状に変化さ
せたものであることを特徴とする請求項1に記載の記録
媒体。
(2) The recording medium according to claim 1, wherein the uneven shape is formed by changing the thickness of the recording layer in a stepwise manner.
(3)前記記録層が、分子中にπ電子準位をもつ群とσ
電子準位をもつ群とを有する有機化合物を含むことを特
徴とする請求項2に記載の記録媒体。
(3) The recording layer has a group having a π electron level in the molecule and a σ
3. The recording medium according to claim 2, comprising an organic compound having a group having an electronic level.
(4)前記記録層が、基板上に設けた電極基板の上にラ
ングミュアープロジェット法により積層された有機化合
物の単分子膜又は単分子累積膜を含むことを特徴とする
請求項2に記載の記録媒体。
(4) The recording layer includes a monomolecular film or a monomolecular cumulative film of an organic compound laminated by a Langmuir-Prodgett method on an electrode substrate provided on a substrate. recording medium.
(5)前記階段状凹凸形状の高低差が、3〜100Åで
あることを特徴とする請求項1に記載の記録媒体。
(5) The recording medium according to claim 1, wherein the height difference of the stepped uneven shape is 3 to 100 Å.
(6)表面に階段状の凹凸形状を有する記録媒体に対す
るアクセス方法であって、前記凹凸形状の段差部を検出
する行程と、該段差部と角度を有して該プローブ電極を
走査する行程と、該段差部に沿う方向に記録媒体もしく
はプローブ電極を移動する行程とを含むことを特徴とす
るアクセス方法。
(6) A method for accessing a recording medium having a step-like uneven shape on its surface, which includes a step of detecting a stepped portion of the uneven shape, and a step of scanning the probe electrode at an angle with the stepped portion. , a step of moving a recording medium or a probe electrode in a direction along the stepped portion.
(7)表面に階段状の凹凸形状を有する記録媒体に対す
るアクセス方法であって、前記段差部を検出する行程と
、記録再生するデータ列の該段差部に対する方位角を決
定する行程と、該段差部を起点としてデータ列方位にプ
ローブ電極を走査する行程とを含むことを特徴とするア
クセス方法。
(7) A method for accessing a recording medium having a step-like uneven shape on its surface, which includes a step of detecting the stepped portion, a step of determining an azimuth angle of a data string to be recorded and reproduced with respect to the stepped portion, and a step of determining the azimuth angle with respect to the stepped portion of the data string to be recorded and reproduced. 1. An access method comprising: scanning a probe electrode in a data column direction starting from the data column.
(8)請求項1〜5いずれかに記載の記録媒体を有し、
かつ、請求項6記載のアクセス方法を有することを特徴
とする情報処理装置。
(8) comprising a recording medium according to any one of claims 1 to 5;
An information processing device comprising the access method according to claim 6.
(9)請求項1〜5いずれかに記載の記録媒体を有し、
かつ、請求項7記載のアクセス方法を有することを特徴
とする情報処理装置。
(9) having a recording medium according to any one of claims 1 to 5;
An information processing device comprising the access method according to claim 7.
JP21376490A 1990-08-14 1990-08-14 Recording medium and information processing device using this medium and access method Pending JPH0498632A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21376490A JPH0498632A (en) 1990-08-14 1990-08-14 Recording medium and information processing device using this medium and access method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21376490A JPH0498632A (en) 1990-08-14 1990-08-14 Recording medium and information processing device using this medium and access method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0498632A true JPH0498632A (en) 1992-03-31

Family

ID=16644642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21376490A Pending JPH0498632A (en) 1990-08-14 1990-08-14 Recording medium and information processing device using this medium and access method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0498632A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2794348B2 (en) Recording medium, manufacturing method thereof, and information processing apparatus
JP2859715B2 (en) Recording medium substrate and manufacturing method thereof, recording medium, recording method, recording / reproducing method, recording apparatus, recording / reproducing apparatus
EP0551964B1 (en) Recording and reproducing device
US5481527A (en) Information processing apparatus with ferroelectric rewritable recording medium
EP0416920B1 (en) Information processing method and information processing device
EP0412829B1 (en) Recording medium, method for preparing the same, recording and reproducing device, and recording, reproducing and erasing method by use of such a recording medium
JPH041947A (en) Recording medium and access method thereof
JP2981789B2 (en) Recording medium and information processing device
JPH0498632A (en) Recording medium and information processing device using this medium and access method
JP3044421B2 (en) Recording medium manufacturing method
JP3220914B2 (en) Recording medium manufacturing method
JP2961451B2 (en) Smooth electrode substrate and its manufacturing method, recording medium and its manufacturing method, and information processing device
JP3054895B2 (en) recoding media
JP2748182B2 (en) Recording medium, method of manufacturing the same, recording method, recording / reproducing method, recording device, reproducing device, recording / reproducing device
JP2866165B2 (en) Recording medium, method of manufacturing the same, information processing method, and information processing apparatus
JP2992908B2 (en) Method for manufacturing substrate electrode and method for manufacturing recording medium
JP2936290B2 (en) Method for manufacturing recording medium, recording medium, and information processing apparatus having the same
JP2926522B2 (en) Recording medium, method of manufacturing the same, and information processing apparatus
JP2932220B2 (en) Recording medium manufacturing method
JP2866164B2 (en) Recording medium, method of manufacturing the same, information processing method, and information processing apparatus
JP3086988B2 (en) Information processing device
JP2782275B2 (en) Method of manufacturing electrode substrate and recording medium
JPH0490151A (en) Information processing method and information processor
JPH03295043A (en) Recording medium
JPH04114332A (en) Recording medium and information processing method and information processing device using the medium