JP2866165B2 - Recording medium, method of manufacturing the same, information processing method, and information processing apparatus - Google Patents

Recording medium, method of manufacturing the same, information processing method, and information processing apparatus

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JP2866165B2 JP2199252A JP19925290A JP2866165B2 JP 2866165 B2 JP2866165 B2 JP 2866165B2 JP 2199252 A JP2199252 A JP 2199252A JP 19925290 A JP19925290 A JP 19925290A JP 2866165 B2 JP2866165 B2 JP 2866165B2
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【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、プロープ電極によって記録・再生を行なう
情報処理装置、情報処理方法、及びこれに用いる記録媒
体とその製造方法に関する。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information processing apparatus for performing recording / reproduction with a probe electrode, an information processing method, a recording medium used for the same, and a method for manufacturing the same.

[従来の技術] 近年、メモリ材料の用途は、コンピュータおよびその
関連機器、ビデオディスク、ディジタルオーディオディ
スク等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであ
り、その材料開発も極めて活発に進んでいる。メモリ材
料に要求される性能は用途により異なるが、一般的に
は、 高密度で記録容量が大きい、 記録再生の応答速度が早い、 消費電力が少ない、 生産性が高く、価格が安い、 などが上げられる。
[Prior Art] In recent years, applications of memory materials are at the core of the electronics industry, such as computers and related equipment, video disks, digital audio disks, and the like, and the development of such materials has been extremely active. The performance required for memory materials varies depending on the application, but in general, high density, large recording capacity, fast response time for recording and reproduction, low power consumption, high productivity, low price, etc. Can be raised.

従来までは磁性体や半導体を素材とした半導体メモリ
や磁気メモリが主であったが、近年レーザー技術の進展
にともない、有機色素、フォトポリマーなどの有機薄膜
を用いた光メモリによる安価で高密度な記録媒体が登場
してきた。
Until now, semiconductor memories and magnetic memories using magnetic materials or semiconductors as the main material were mainly used.However, with the advancement of laser technology in recent years, inexpensive and high-density optical memories using organic thin films such as organic dyes and photopolymers have been developed. Recording media has appeared.

一方、最近、導体の表面原子の電子構造を直接観察で
きる走査型トンネル顕微鏡(以後、STMと略す)が開発
され[G.Binnig et al.Phys.Rev.Lett,49,57(198
2)]、単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分解能
の測定ができるようになり、しかも試料に電流による損
傷を与えずに低電力で観測できる利点も有し、さらに大
気中でも動作し、種々の材料に対して用いることができ
るため広範囲な応用が期待されている。
On the other hand, recently, a scanning tunneling microscope (hereinafter abbreviated as STM) capable of directly observing the electronic structure of surface atoms of a conductor has been developed [G. Binnig et al. Phys. Rev. Lett, 49, 57 (198
2)], it is possible to measure high resolution real-space images regardless of whether they are single crystal or amorphous, and they also have the advantage that they can be observed with low power without damaging the sample by current. It is expected to have a wide range of applications because it operates and can be used for various materials.

STMは金属の探針(プローブ電極)と導電性物質間に
電圧を加えて1nm程度の距離まで近づけると、トンネル
電流が流れることを利用している。この電流は両者の距
離変化に非常に敏感である。トンネル電流を一定に保つ
ように探針を走査することにより実空間の全電子雲に関
する種々の情報をも読み取ることができる。この際、面
内方向の分解能は0.1nm程度である。
STM utilizes the fact that a tunnel current flows when a voltage is applied between a metal probe (probe electrode) and a conductive substance to a distance of about 1 nm. This current is very sensitive to changes in the distance between them. By scanning the probe so as to keep the tunnel current constant, it is possible to read various kinds of information on all electron clouds in the real space. At this time, the resolution in the in-plane direction is about 0.1 nm.

したがって、STMの原理を応用すれば、十分に原子オ
ーダー(サブ・ナノメートル)での高密度記録再生を行
なうことが可能である。例えば、特開昭61-80536号に開
示されている記録再生装置では、電子ビーム等によって
媒体表面に吸着した原子粒子を取り除き、書き込みを行
ない、STMによりこのデータを再生している。
Therefore, if the principle of STM is applied, it is possible to perform high-density recording / reproduction sufficiently in the atomic order (sub-nanometer). For example, in a recording / reproducing apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-80536, atomic particles adsorbed on the medium surface are removed by an electron beam or the like, writing is performed, and this data is reproduced by STM.

記録層として電圧電流のスイッチング特性に対してメ
モリ効果を持つ材料、例えばπ電子系有機化合物やカル
コゲン化合物類の薄膜層を用いて、記録,再生をSTMで
行なう方法が提案されている[特開昭63-161552号公
報、特開昭63-161553号公報]。この方法によれば、記
録のビットサイズを10nmとすれば、1012bit/cm2もの大
容量記録再生が可能である。
A method has been proposed in which recording and reproduction are performed by STM using a material having a memory effect on the switching characteristics of voltage and current as a recording layer, for example, a thin film layer of a π-electron organic compound or a chalcogen compound [ JP-A-63-161552, JP-A-63-161553]. According to this method, if the recording bit size is 10 nm, large-capacity recording / reproduction of 10 12 bits / cm 2 is possible.

[発明が解決しようとする課題] 第7図にSTMを応用した情報処理装置の構成例を示
す。以下図面に従って説明する。
[Problem to be Solved by the Invention] FIG. 7 shows a configuration example of an information processing apparatus to which STM is applied. This will be described below with reference to the drawings.

101は基板、102は金属の電極層、103は記録層であ
る。201はXYステージ、202はプローブ電極、203はプロ
ーブ電極の支持体、204はプローブ電極をZ方向に駆動
するZ軸リニアアクチュエータ、205,206はXYステージ
をそれぞれX,Y方向に駆動するリニアアクチュエータ、2
07はパルス電圧回路である。
101 is a substrate, 102 is a metal electrode layer, and 103 is a recording layer. 201 is an XY stage, 202 is a probe electrode, 203 is a probe electrode support, 204 is a Z-axis linear actuator that drives the probe electrode in the Z direction, 205 and 206 are linear actuators that drive the XY stage in the X and Y directions, respectively.
07 is a pulse voltage circuit.

301はプローブ電極202から記録層103を介して電極層1
02へ流れるトンネル電流を検出する増幅器である。302
はトンネル電流の変化をプローブ電極202と記録層103の
間隙距離に比例する値に変換するための対数圧縮器、30
3の記録層103の表面凹凸成分を抽出するための低域通過
フィルタである。304は基準電圧VREFと低域通過フィル
タ303の出力との誤差を検出する誤差増幅器、305はアク
チュエータ204を駆動するドライバーである。306はXYス
テージ201の位置制御を行う駆動回路である。307はデー
タ成分を分離する高域通過フィルタである。
Reference numeral 301 denotes an electrode layer 1 from the probe electrode 202 via the recording layer 103.
This is an amplifier that detects the tunnel current flowing to 02. 302
Is a logarithmic compressor for converting the change in tunnel current into a value proportional to the gap distance between the probe electrode 202 and the recording layer 103, 30
This is a low-pass filter for extracting the surface unevenness component of the third recording layer 103. An error amplifier 304 detects an error between the reference voltage V REF and the output of the low-pass filter 303, and a driver 305 drives the actuator 204. Reference numeral 306 denotes a drive circuit for controlling the position of the XY stage 201. 307 is a high-pass filter that separates data components.

第8図に従来例の記録媒体の断面とプローブ電極202
の先端を示す。
FIG. 8 shows a cross section of a conventional recording medium and the probe electrode 202.
Show the tip of.

101は基板、102は電極層、103は記録層、104はトラッ
クである。202はプローブ電極である。
101 is a substrate, 102 is an electrode layer, 103 is a recording layer, and 104 is a track. 202 is a probe electrode.

また、401は記録層103に記録されたデータビット、40
2は基板101上に電極層102を形成したときにできた結晶
粒である。この結晶粒402の大きさは電極層102の製法と
して通常の真空蒸着法、スパッタ法等を用いると30〜50
nm程度である。
401 is a data bit recorded on the recording layer 103, 40
Reference numeral 2 denotes crystal grains formed when the electrode layer 102 is formed on the substrate 101. The size of the crystal grains 402 is 30 to 50 when a normal vacuum deposition method, a sputtering method, or the like is used as a method for manufacturing the electrode layer 102.
It is about nm.

プローブ電極202と記録層103との間隙は第7図に示さ
れた回路構成により一定に保つことができる。すなわち
プローブ電極202と記録層103の間に流れるトンネル電流
を検出し、対数圧縮器302、低域通過フィルタ303を介し
た後、この値を基準電圧と比較し、この比較値が零に近
付くようにプローブ電極202を支持するZ軸リニアアク
チュエータ204を制御することにより、プローブ電極202
と記録層103の間隙を一定にすることができる。
The gap between the probe electrode 202 and the recording layer 103 can be kept constant by the circuit configuration shown in FIG. That is, a tunnel current flowing between the probe electrode 202 and the recording layer 103 is detected, and after passing through a logarithmic compressor 302 and a low-pass filter 303, this value is compared with a reference voltage so that the comparison value approaches zero. By controlling the Z-axis linear actuator 204 that supports the probe electrode 202,
And the recording layer 103 can be kept constant.

さらに、XYステージ201を駆動することにより記録媒
体の表面をプローブ電極202がなぞり、点の信号の高
域周波数成分を分離することにより記録層103のデータ
を検出できる。
Further, the probe electrode 202 traces the surface of the recording medium by driving the XY stage 201, and the data of the recording layer 103 can be detected by separating the high frequency components of the point signal.

このときの点の信号の周波数に対する信号強度スペ
クトラムを第9図に示す。
FIG. 9 shows the signal intensity spectrum with respect to the frequency of the signal at this point.

f0以下の周波数成分の信号は基板101の反り、歪等に
よる媒体の緩やかな起伏によるものである。f1を中心と
した信号は記録層103の表面の凹凸によるもので、主と
して電極材料形成時に生じる結晶粒402によるものであ
る。f2は記録データの搬送波成分で、403はデータ信号
帯域である。f3は記録層103の原子、分子配列から生じ
る信号成分である。fTはトラッキング信号である。第7
図の情報処理装置においては図示されていないが、この
トラッキング信号fTはデータ列をプローブ電極202が追
跡できるようにするための信号で、媒体上に段差を形成
するか、トラックから外れると検出できる信号を書込む
ことにより実現している。
signal f 0 following frequency components is due gently rolling the medium due to warping of the substrate 101, distortion, or the like. signal centered on f 1 is due to unevenness of the surface of the recording layer 103, it is due to the crystal grain 402 primarily occurs during electrode material formed. f 2 is a carrier component of the recording data, 403 is a data signal band. f 3 is a signal component generated from the arrangement of atoms and molecules in the recording layer 103. f T is a tracking signal. Seventh
Although not shown in the information processing apparatus of FIG, a signal so that the tracking signal f T can track the data sequence probe electrodes 202, or forming a step on a medium, and out of the track detection This is achieved by writing the signals that can be generated.

従来例に示された記録媒体を使用した場合以下のよう
な問題点があった。
When the recording medium shown in the conventional example is used, there are the following problems.

(1)STMの特徴である高分解能を生かし高密度記録を
行うには、データ信号帯域403をf1とf3の間に置かなけ
ればならない。この場合、データ成分を分離するため遮
断周波数fcの高域通過フィルタ303を用いる。しかしな
がら、f1の信号成分の裾野がデータ信号帯域403と重な
っている。これはf1の信号成分が電極層102の結晶粒402
に起因しているためであり、結晶粒402の30〜50nmに対
しデータの記録サイズおよびビット間隔が1〜10nmと接
近していることによる。
(1) To perform high-density recording utilizing the high resolution which is a feature of the STM, we must place the data signal band 403 between f 1 and f 3. In this case, using a high pass filter 303 of the cut-off frequency f c for separating the data component. However, base of the signal components of f 1 overlaps the data signal band 403. This signal component of f 1 is the electrode layer 102 crystal grains 402
This is because the data recording size and the bit interval are close to 1 to 10 nm with respect to the crystal grain 402 of 30 to 50 nm.

このためデータ再生のS/N比が低下し、読取りデータ
の誤り率を著しく高くしている。
For this reason, the S / N ratio for data reproduction is reduced, and the error rate of read data is significantly increased.

(2)トラッキング信号fTはf0の近傍にしか置くことが
できない。このため、トラッキング信号fTはデータ信号
帯域403に比べかなり低い周波数となってしまいトラッ
キングのデータ追跡精度が落ちる。このことは結果とし
てデータの読取り誤り率を高め、情報処理装置としての
信頼性を低下させるなどの問題点を有することとなって
いる。
(2) tracking signal f T can not be placed only in the vicinity of f 0. Therefore, the tracking signal f T is the tracking data tracking accuracy becomes a much lower frequency than the data signal band 403 falls. This results in problems such as an increase in the data read error rate and a decrease in the reliability of the information processing apparatus.

そこで本発明の目的は、上記問題点に鑑み、高いS/N
比、高速再生が可能な記録媒体、かかる記録媒体を用い
た情報処理装置、情報処理方法を提供することにある。
In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a high S / N ratio.
It is an object of the present invention to provide a recording medium capable of high-speed reproduction, an information processing apparatus and an information processing method using the recording medium.

また、本発明の目的は、十分にS/N比が向上し、読取
りデータの誤り率を著しく低下させ、さらにトラッキン
グの追跡精度を著しく向上させた記録媒体、かかる記録
媒体を用いた情報処理装置、情報処理方法を提供するこ
とにある。
Further, an object of the present invention is to provide a recording medium in which the S / N ratio is sufficiently improved, the error rate of read data is significantly reduced, and the tracking accuracy of the tracking is significantly improved, and an information processing apparatus using such a recording medium. , An information processing method.

[課題を解決するための手段及び作用] 上記の目的は、以下の本発明によって達成される。[Means and Actions for Solving the Problems] The above object is achieved by the present invention described below.

すなわち本発明の第一は、プローブ電極から電圧を印
加することにより情報の記録又は再生が行なわれる記録
媒体において、基板と、該基板上に形成され、前記プロ
ーブ電極に対向する側の表面に、凹凸の高さの差が1nm
以下であり、大きさが1μm□以上の平滑面及び該平滑
面に隣接して平滑面に対して凸状又は凹状に形成された
トラックを有する電極層と、該電極層の平滑面上に形成
され、電圧を印加することによって互いに導電率が異な
る2つ以上の状態の間でその特性が遷移する記録層とか
らなることを特徴とする記録媒体である。
That is, the first of the present invention, in a recording medium on which information is recorded or reproduced by applying a voltage from a probe electrode, a substrate, and formed on the substrate, the surface on the side facing the probe electrode, 1nm difference in height of unevenness
Or less, an electrode layer having a smooth surface having a size of 1 μm square or more, a track formed adjacent to the smooth surface and formed in a convex or concave shape with respect to the smooth surface, and formed on the smooth surface of the electrode layer. And a recording layer whose characteristics transition between two or more states having different electric conductivities when a voltage is applied.

第二は、プローブ電極から電圧を印加することにより
情報の記録又は再生が行なわれるトラックを有する記録
媒体の製造方法において、凹凸の高さの差が1nm以下で
あり、大きさが1μm□以上の平滑面及び該平滑面に隣
接して前記トラックに対応した形状の凸部又は凹部を有
する母材を用意する工程と、該母材の平滑面及び凸部又
は凹部上に電極層を形成する工程と、該電極層の母材と
接している面と反対側の面に基板を貼り合わせる工程
と、前記電極層を母材から引き剥がすことにより、電極
層を基板に転写する工程と、基板に転写された電極層の
前記母材の平滑面及び凸部又は凹部に接していた面上
に、電圧を印加することによって互いに導電率が異なる
2つ以上の状態の間でその特性が遷移する記録層を形成
する工程とからなることを特徴とする記録媒体の製造方
法である。
Second, in a method of manufacturing a recording medium having a track on which information is recorded or reproduced by applying a voltage from a probe electrode, the difference in height of the unevenness is 1 nm or less, and the size is 1 μm or more. A step of preparing a base material having a smooth surface and a convex or concave portion adjacent to the smooth surface and having a shape corresponding to the track; and forming an electrode layer on the smooth surface and the convex or concave portion of the base material. Bonding a substrate to a surface of the electrode layer opposite to the surface in contact with the base material, transferring the electrode layer to the substrate by peeling the electrode layer from the base material, A recording in which the characteristics are transited between two or more states having different conductivity by applying a voltage on the smooth surface of the base material of the transferred electrode layer and the surface in contact with the protrusions or recesses of the base material. And forming the layer. A method for producing a recording medium according to symptoms.

第三は、上記第一の発明の記録媒体を用い、該記録媒
体の記録層の表面を該表面に近接配置された導電性プロ
ーブで相対的に走査しながら、前記電極層と導電性プロ
ーブとの間にパルス電圧を印加することによって情報を
記録し、情報が記録された記録層の表面を該表面に近接
配置された導電性プローブで相対的に走査しながら、前
記電極層と導電性プローブとの間にバイアス電圧を印加
し、導電性プローブに流れる電流を検出することによっ
て情報を再生する情報処理方法である。
Third, using the recording medium of the first invention, the electrode layer and the conductive probe while relatively scanning the surface of the recording layer of the recording medium with a conductive probe disposed close to the surface. The information is recorded by applying a pulse voltage between the electrodes and the electrode layer and the conductive probe while relatively scanning the surface of the recording layer on which the information is recorded by a conductive probe disposed close to the surface. And an information processing method for reproducing information by applying a bias voltage between the two and detecting a current flowing through the conductive probe.

第四は、上記第一の発明の記録媒体と、該記録媒体の
記録層の表面に近接配置された導電性プローブと、該導
電性プローブを記録媒体に対して相対的に走査させる走
査手段と、前記記録媒体の電極層と導電性プローブとの
間にパルス電圧を印加することによって情報を記録する
記録回路と、前記記録媒体の電極層と導電性プローブと
の間にバイアス電圧を印加し、導電性プローブにを流れ
る電流を検出することによって前記記録媒体に記録層に
記録された情報を再生する再生回路とからなる情報処理
装置である。
Fourth, the recording medium of the first invention, a conductive probe disposed close to the surface of the recording layer of the recording medium, and a scanning unit that relatively scans the conductive probe with respect to the recording medium. A recording circuit for recording information by applying a pulse voltage between the electrode layer of the recording medium and the conductive probe, and applying a bias voltage between the electrode layer of the recording medium and the conductive probe, A reproduction circuit for reproducing information recorded on the recording layer on the recording medium by detecting a current flowing through the conductive probe.

本発明による平滑面を有する記録媒体を提供すること
により、STMの原理を応用した情報処理装置の機能を十
分に生かすことを可能とした。
By providing a recording medium having a smooth surface according to the present invention, it has become possible to make full use of the function of an information processing apparatus to which the principle of STM is applied.

以下、図面に従って本発明を説明する。 Hereinafter, the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明による記録媒体の断面図を示す。101
は基板、102は平滑面を有する電極層、103は記録層、10
4はトラックである。
FIG. 1 shows a sectional view of a recording medium according to the present invention. 101
Is a substrate, 102 is an electrode layer having a smooth surface, 103 is a recording layer, 10
4 is a truck.

第3図は本発明にかかわる記録媒体の作成の各工程に
おける断面図を示したものである。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing each step of the production of a recording medium according to the present invention.

第3図(a)に於てまず平滑基板11を用意する。この
平滑基板は表面凹凸の高さの差が1nm以下で、大きさが
1μm□以上の平滑面を有するものを必要とする。
In FIG. 3A, first, a smooth substrate 11 is prepared. This smooth substrate needs to have a smooth surface with a height difference of 1 nm or less and a size of 1 μm square or more.

表面凹凸の測定は、微小プローブの先端を試料基板表
面に接近させ、該微小プローブの先端原子と試料基板表
面の原子との間に働く原子間力を計測し試料表面形状を
観察するAFM(Atomic-Force-Microscopy)という手法を
用いて行うことができる。
Surface irregularities are measured by bringing the tip of a microprobe close to the sample substrate surface, measuring the interatomic force acting between the tip of the microprobe and the atoms on the sample substrate surface, and observing the sample surface shape using AFM (Atomic). -Force-Microscopy).

かかるAFMを用いると、試料の導電性,絶縁性を問わ
ず原子オーダーの分解能で試料の表面形状を計測するこ
とができる。本発明者等はAFMを用いて各種材料の表面
を評価したところ、以下の材料が本発明における平滑基
板11として適していることが判明した。
By using such an AFM, it is possible to measure the surface shape of a sample at an atomic order resolution regardless of the conductivity or insulation of the sample. The present inventors evaluated the surfaces of various materials using AFM, and found that the following materials were suitable as the smooth substrate 11 in the present invention.

.結晶の劈開面…結晶の劈開面はきわめて平滑な表面
を容易に得ることができ、結晶材料としてはマイカ,Mg
O,Tic,Si,HOPG,等が挙げられる。
. Crystal cleavage plane: The crystal cleavage plane can easily obtain an extremely smooth surface, and the crystal material is mica or Mg
O, Tic, Si, HOPG, and the like.

.溶融したガラス表面…例えば、フロートガラス,#
7059フュージョン溶融石英,等が挙げられる。
. Melted glass surface ... for example, float glass, #
7059 fusion fused quartz.

AFMにより上記材料の表面形状を測定したところ、10
μm□の領域において全て表面凹凸の高さの差は1nm以
下であった。特にマイカ劈開面は、劈開時に生じる格子
面の段差も少なく、大面積(mm)に亘って空間周波数
3.3×105cm-1以下の凹凸の高さの差が1nm以下であり、
本発明に用いる平滑基板として好適である。
When the surface shape of the above material was measured by AFM, 10
The difference in the height of the surface irregularities was 1 nm or less in all the μm square regions. In particular, the mica cleavage plane has few steps in the lattice plane generated during cleavage, and has a spatial frequency over a large area (mm).
3.3 × 10 5 cm -1 or less height difference of unevenness is 1 nm or less,
It is suitable as a smooth substrate used in the present invention.

次に第3図(b)に示すように、トラック104を平滑
基板11に形成する。該トラック104はデータの記録再生
を行う時に効率よくランダムアクセス、位置決め、デー
タ列への追跡を行うためのトラッキングに用いるもので
あり、記録情報より大きな凹または凸形状の段差を設け
ることにより形成する。該トラック104の形成方法は凸
状の場合、平滑基板11上に薄膜を形成し、通常のフォト
エッチングにより形成される。好ましくはリフトオフ法
により形成するのが良い。また、より好ましくはマスク
レス加工によりトラック104パターン状に選択堆積させ
形成するのが良い。凹状の場合は通常のフォトエッチン
グにより直接、平滑基板11を加工し形成される。好まし
くはマスクレス加工により、トラック104パターン状に
選択的にエッチングし形成するのが良い。さらに、いず
れの場合でもトラック104以外の平滑面は粗さないよう
に注意すべきである。
Next, as shown in FIG. 3B, a track 104 is formed on the smooth substrate 11. The track 104 is used for efficient random access, positioning, and tracking for performing tracking to a data string when recording and reproducing data, and is formed by providing a concave or convex step larger than the recorded information. . When the track 104 is formed in a convex shape, a thin film is formed on the smooth substrate 11 and formed by ordinary photoetching. Preferably, it is formed by a lift-off method. Further, it is more preferable to selectively deposit and form the track 104 pattern by maskless processing. In the case of a concave shape, it is formed by processing the smooth substrate 11 directly by ordinary photoetching. It is preferable to selectively etch and form the track 104 pattern by maskless processing. Furthermore, in any case, care should be taken not to roughen the smooth surface other than the track 104.

次に第3図(c)に示すように、電極層102をトラッ
ク104を含む平滑基板11上に形成する。本発明に係る電
極層102としては高導電性を有するもので、さらに平滑
基板11と密着性の良くない材料が好ましい。例えばAu,A
g,Pt,Pdなどの貴金属およびAu-Pd,Pt-Pdなどの合金、さ
らにそれらの積層膜が挙げられる。このような材料を用
いた電極形成法としても従来公知の薄膜形成技術で十分
である。
Next, as shown in FIG. 3C, an electrode layer 102 is formed on the smooth substrate 11 including the tracks 104. As the electrode layer 102 according to the present invention, a material having high conductivity and further having poor adhesion to the smooth substrate 11 is preferable. For example, Au, A
Noble metals such as g, Pt, and Pd; alloys such as Au-Pd and Pt-Pd; As a method for forming an electrode using such a material, a conventionally known thin film forming technique is sufficient.

次に第3図(d)に示すように電極層102上に接着層1
3を形成する。本発明にかかる接着層13としては無溶剤
型の体積収縮がないものが好ましく、例えばエポキシ樹
脂系、α−シアノアクリレート系などの絶縁性接着剤や
エポテック銀シリーズなどの導電性接着剤などが挙げら
れる。
Next, as shown in FIG. 3 (d), an adhesive layer 1 is formed on the electrode layer 102.
Form 3. The adhesive layer 13 according to the present invention is preferably a solventless type having no volume shrinkage, for example, an epoxy resin-based, α-cyanoacrylate-based insulating adhesive or a conductive adhesive such as Epotek silver series. Can be

次に第3図(e)に示すように接着層13上に基板101
をはり付ける。この工程に於て基板101と電極層102が直
接接合される場合、例えば共晶結合、電鋳などの場合は
接着層13を省くことができる。本発明にかかる基板101
としては接着層13を介する場合は金属、ガラス、セラミ
ックス、プラスチック材料等いずれの材料も使用でき
る。また直接、基板101と接合させる場合は比較的平滑
な材料が好ましい。さらに電極層102が厚い場合は、基
板101を省くことも可能である。
Next, as shown in FIG.
Attach. In this step, when the substrate 101 and the electrode layer 102 are directly bonded, for example, in the case of eutectic bonding, electroforming, or the like, the adhesive layer 13 can be omitted. Substrate 101 according to the present invention
Any material such as metal, glass, ceramics, and plastic materials can be used when the bonding layer 13 is interposed. In the case of directly bonding to the substrate 101, a relatively smooth material is preferable. Further, when the electrode layer 102 is thick, the substrate 101 can be omitted.

次に第3図(f)に示すように、平滑基板11を電極層
102から引き剥すことにより表面凹凸の高さの差が1nm以
下で、大きさが1μm□以上の平滑面を有する平滑電極
基板が形成できる。
Next, as shown in FIG. 3 (f), the smooth substrate 11 is
By peeling off from the substrate 102, a smooth electrode substrate having a smooth surface with a difference in height of surface unevenness of 1 nm or less and a size of 1 μm □ or more can be formed.

次に第3図(g)に示すように平滑電極基板の電極層
102上に記録層103を形成することにより記録媒体が得ら
れる。
Next, as shown in FIG. 3 (g), the electrode layer of the smooth electrode substrate
By forming the recording layer 103 on the recording layer 102, a recording medium is obtained.

前記記録層103としては、電流−電圧特性に於いてメ
モリースイッチング現象(電気メモリー効果)を有する
材料、例えば、π電子準位をもつ群とσ電子準位のみを
有する群を併有する分子を電極上に積層した有機単分子
膜あるいはその累積膜を用いることが可能となる。電気
メモリー効果は前記の有機単分子膜、その累積膜等の薄
膜を一対の電極間に配置させた状態でそれぞれ異なる2
つ以上の導電率を示す状態(第11図ON状態、OFF状態)
へ遷移させることが可能な閾値を越えた電圧を印加する
ことにより可逆的に低抵抗状態(ON状態)および高抵抗
状態(OFF状態)へ遷移(スイッチング)させることが
できる。またそれぞれの状態は電圧を印加しなくとも保
持(メモリー)しておくことができる。
As the recording layer 103, a material having a memory switching phenomenon (electric memory effect) in current-voltage characteristics, for example, a molecule having both a group having a π electron level and a group having only a σ electron level is used as an electrode. It is possible to use an organic monomolecular film or a cumulative film thereof laminated on the organic monomolecular film. The electric memory effect is different when a thin film such as the above-mentioned organic monomolecular film and its cumulative film is disposed between a pair of electrodes.
State showing more than one conductivity (Fig. 11 ON state, OFF state)
By applying a voltage exceeding a threshold value that can make a transition to the low-resistance state (ON state) and a high-resistance state (OFF state), switching (switching) can be performed. Each state can be held (memory) without applying a voltage.

一般に有機材料のほとんどは絶縁性もしくは半絶縁性
を示すことから、かかる本発明に於いて適用可能なπ電
子準位を持つ群を有する有機材料は著しく多岐にわた
る。本発明に好適なπ電子系を有する色素の構造として
例えば、フタロシアニン、テトラフェニルポリフィリン
等のポルフィリン骨格を有する色素、スクアリリウム基
およびクロコニックメチン基を結合鎖として持つアズレ
ン系色素およびキノリン、ベンゾチアゾール、ベンゾオ
キサゾール等の2個の含窒素複素環をスクアリリウム基
およびクロコニックメチン基により結合したシアニン系
類似の色素、またはシアニン色素、アントラセンおよび
ピレン等の縮合多環芳香族、および芳香環および複素環
化合物が重合した鎖状化合物およびジアセチレン基の重
合体、さらにはテトラシアノキノジメタンまたはテトラ
チアフルバレンの誘導体およびその類縁体およびその電
荷移動錯体、またさらにはフェロセン、トリスビピリジ
ンルテニウム錯体等の金属錯体化合物が挙げられる。
In general, most of organic materials have insulating or semi-insulating properties, and thus the organic materials having a group having a π-electron level applicable in the present invention are remarkably diversified. As a structure of a dye having a π-electron system suitable for the present invention, for example, phthalocyanine, a dye having a porphyrin skeleton such as tetraphenylporphyrin, an azulene-based dye having a squarylium group and a croconic methine group as a bonding chain, quinoline, benzothiazole, Cyanine-like dyes in which two nitrogen-containing heterocycles such as benzoxazole are bonded by a squarylium group and a croconic methine group, or condensed polycyclic aromatics such as cyanine dyes, anthracene and pyrene, and aromatic rings and heterocyclic compounds Polymerized chain compound and diacetylene group, furthermore, derivatives of tetracyanoquinodimethane or tetrathiafulvalene and their analogs and their charge transfer complexes, and furthermore, ferrocene, trisbipyridine ruthenium complex, etc. Metal complex compounds.

本発明に好適な高分子材料としては、例えばポリアク
リル酸誘導体等の付加重合体、ポリイミド等の縮合重合
体、ナイロン等の開環重合体等の生体高分子が挙げられ
る。
Examples of the polymer material suitable for the present invention include biopolymers such as addition polymers such as polyacrylic acid derivatives, condensation polymers such as polyimide, and ring-opening polymers such as nylon.

前記記録層103の形成に関しては、具体的には蒸着法
やクラスターイオンビーム法等の適用も可能であるが、
制御性、容易性そして再現性から公知の従来技術の中で
はLB法が極めて好適である。
Regarding the formation of the recording layer 103, specifically, it is possible to apply a vapor deposition method, a cluster ion beam method, or the like,
Among the known prior arts from the viewpoint of controllability, easiness and reproducibility, the LB method is extremely suitable.

このLB法によれば、1分子中に疎水性部位と親水性部
位とを有する有機化合物の単分子膜またはその累積膜を
基板上に容易に形成することができ、分子オーダーの厚
みを有し、かつ大面積にわたって均一、均質な有機超薄
膜を安定に供給することができる。
According to this LB method, a monomolecular film of an organic compound having a hydrophobic site and a hydrophilic site in one molecule or a cumulative film thereof can be easily formed on a substrate, and has a thickness on a molecular order. In addition, a uniform and uniform organic ultrathin film can be stably supplied over a large area.

LB法は分子内に親水性部位と疎水性部位とを有する構
造の分子において、両者のバランス(両親媒性のバラン
ス)が適度に保たれているとき、分子は水面上で親水性
基を下に向けて単分子の層になることを利用して単分子
膜またはその累積膜を形成する方法である。
In the LB method, when a molecule having a structure having a hydrophilic site and a hydrophobic site in the molecule and the balance between them (the balance of amphipathicity) is appropriately maintained, the molecule moves down the hydrophilic group on the water surface. This is a method of forming a monomolecular film or a cumulative film thereof by utilizing a monomolecular layer.

疎水性部位を構成する基としては、一般に広く知られ
ている飽和および不飽和炭化水素基や縮合多環芳香族基
および鎖状多環フェニル基等の各種疎水基が挙げられ
る。これらは各々単独またはその複数が組み合わされて
疎水性部位を構成する。一方、親水性部位の構成要素と
しても最も代表的なものは、例えばカルボキシル基、エ
ステル基、酸アミド基、イミド基、ヒドロキシル基、さ
らにはアミノ基(1,2,3級および4級)等の親水性基等
が挙げられる。
Examples of the group constituting the hydrophobic site include various generally known saturated and unsaturated hydrocarbon groups, condensed polycyclic aromatic groups, and linear polycyclic phenyl groups. Each of these constitutes a hydrophobic site alone or in combination with a plurality thereof. On the other hand, the most typical constituents of the hydrophilic site include, for example, carboxyl group, ester group, acid amide group, imide group, hydroxyl group, and amino group (1, 2, tertiary and quaternary). And the like.

これらの疎水性基と親水性基をバランス良く併有した
有機分子であれば、水面上で単分子膜を形成することが
可能であり、本発明に対して極めて好適な材料となる。
An organic molecule having both a hydrophobic group and a hydrophilic group in a well-balanced manner can form a monomolecular film on the water surface, and is a very suitable material for the present invention.

これらのπ電子準位を有する化合物の電気メモリー効
果は数十nm以下の膜厚のもので観測されているが、成膜
性、均一性の観点から5〜300Åの厚さとすることが好
ましい。
Although the electric memory effect of these compounds having a π-electron level has been observed at a film thickness of several tens nm or less, the thickness is preferably 5 to 300 mm from the viewpoints of film formability and uniformity.

本発明による記録媒体を第7図の情報処理装置に用い
た場合の、点の信号の周波数スペクトラムを第2図に
示す。
FIG. 2 shows a frequency spectrum of a point signal when the recording medium according to the present invention is used in the information processing apparatus shown in FIG.

f0以下の周波数成分の信号は基板101の反り、歪等に
よる媒体の緩やかな起伏によるものである。f2は記録デ
ータの搬送波成分で、403はデータ信号帯域を示す。f3
は記録層103の原子、分子配列から生じる信号成分であ
る。また、fTはトラッキング信号である。f1を中心とし
た信号は母材の表面の僅かな凹凸が電極層102の表面に
転写されたもので、この凹凸はデータの記録信号と同等
もしくは記録信号より小さく作成される。この凹凸の変
化はSTMを応用した記録再生では1nm以下である。また本
発明による記録媒体では、記録層103表面の平滑面の大
きさが1μm□以上になる。このことにより、以下のよ
うな作用効果が得られる。
signal f 0 following frequency components is due gently rolling the medium due to warping of the substrate 101, distortion, or the like. f 2 is a carrier component of the recording data, 403 denotes a data signal band. f 3
Is a signal component generated from the arrangement of atoms and molecules in the recording layer 103. FT is a tracking signal. centered signal of the f 1 is intended to slight unevenness of the surface of the base material is transferred to the surface of the electrode layer 102, the irregularities are created smaller than the recording signals equal to or recorded signal data. The change in this unevenness is 1 nm or less in recording and reproduction using STM. In the recording medium according to the present invention, the size of the smooth surface on the surface of the recording layer 103 is 1 μm square or more. As a result, the following operation and effect can be obtained.

(1)記録層103表面の凹凸による信号成分f1とデータ
信号帯域403は重なりあうことはなく、f1のスペクトラ
ムの拡がりによるS/Nの低下はない。すなわち、データ
誤り率を小さくすることができる。
(1) recording layer 103 signal component due to unevenness of the surface f 1 and the data signal band 403 is never overlap, there is no reduction in S / N due to spreading of the spectrum of f 1. That is, the data error rate can be reduced.

(2)トラッキング信号fTをデータ信号帯域403の近傍
に置くことができる。これは、トラッキングの周波数を
高く採れることから、トラッキングの追跡精度を十分に
確保することができる。
(2) tracking signal f T can be placed in the vicinity of the data signal band 403. Since a high tracking frequency can be used, sufficient tracking accuracy of the tracking can be ensured.

(3)またトラッキングの周波数が高いことから、この
トラッキングのための段差を記録媒体へ形成する場合
は、データビットサイズとほぼ同程度の形状で良く、記
録密度を犠牲にすることなくトラッキングを行うことが
できる。
(3) Since the tracking frequency is high, when a step for this tracking is formed on the recording medium, the shape may be substantially the same as the data bit size, and the tracking is performed without sacrificing the recording density. be able to.

(4)記録層103表面の凹凸がないため、記録層103の表
面とプローブ電極202との間隙を一定にしながらXY走査
を行う時のプローブ電極202のZ軸の変位は少ない。こ
のため、極めて高速にXYステージ201を駆動することが
できる。
(4) Since there is no unevenness on the surface of the recording layer 103, the displacement of the Z-axis of the probe electrode 202 during XY scanning while keeping the gap between the surface of the recording layer 103 and the probe electrode 202 constant is small. For this reason, the XY stage 201 can be driven extremely quickly.

(5)記録層103表面の凹凸がないことから、プローブ
電極202の先端、すなわちトンネル電流が流れる先端原
子の位置が安定して選択される。凹凸のある記録層103
表面でみられるような、プローブ電極202の複数の原子
と記録層103との間で、トンネル電流が流れる所謂ゴー
スト現象がなくなる。
(5) Since there is no unevenness on the surface of the recording layer 103, the tip of the probe electrode 202, that is, the position of the tip atom through which the tunnel current flows is stably selected. Uneven recording layer 103
The so-called ghost phenomenon in which a tunnel current flows between a plurality of atoms of the probe electrode 202 and the recording layer 103 as seen on the surface is eliminated.

[実施例] 以下、実施例を用いて、本発明をさらに詳しく説明す
る。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.

実施例1 本発明の実施例1を第3図(a)〜(g)を参照しつ
つ説明する。
Embodiment 1 Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 (a) to 3 (g).

まず第3図(a)に示すように、大気中でマイカ板を
劈開し平滑基板11とする。
First, as shown in FIG. 3 (a), a mica plate is cleaved in the air to form a smooth substrate 11.

次に第3図(b)に示すよう集束イオンビームにより
幅0.1μm,ピッチ1.0μm,深さ50Åのトラック104を平滑
基板11上に形成した。該集束イオンビームは加速電圧40
KV,イオン電流14pA,ドーズ量1.0×1016/cm2,Auイオン
の条件で行った。
Next, as shown in FIG. 3 (b), a track 104 having a width of 0.1 μm, a pitch of 1.0 μm and a depth of 50 ° was formed on the smooth substrate 11 by a focused ion beam. The focused ion beam has an accelerating voltage of 40
The test was performed under the conditions of KV, ion current of 14 pA, dose of 1.0 × 10 16 / cm 2 , and Au ions.

次に第3図(c)に示すように平滑基板11上に真空蒸
着法により金を成膜し電極層102を形成する。該電極層1
02は基板温度を室温に保ち、蒸着速度10Å/sec、到達圧
力2×10-6Torr、膜厚2000Åの条件で行った。
Next, as shown in FIG. 3C, a gold film is formed on the smooth substrate 11 by a vacuum evaporation method to form an electrode layer 102. The electrode layer 1
02 was performed under the conditions that the substrate temperature was kept at room temperature, the deposition rate was 10 ° / sec, the ultimate pressure was 2 × 10 −6 Torr, and the film thickness was 2000 °.

次に第3図(d)に示すように、接着層13(コニシ製
ハイテンプHT-10)を電極層102上に塗布する。
Next, as shown in FIG. 3 (d), an adhesive layer 13 (Konishi High Temp HT-10) is applied on the electrode layer 102.

次に第3図(e)に示すように、基板101を接着層13
上に貼り付ける。該基板101の接着は加圧力5kg/cm2、温
度200℃、硬化時間1時間の条件で行った。
Next, as shown in FIG.
Paste on top. The bonding of the substrate 101 was performed under the conditions of a pressure of 5 kg / cm 2 , a temperature of 200 ° C., and a curing time of 1 hour.

次に第3図(f)に示すように、平滑基板11を電極層
102から引き剥し、基板101、接着層13、電極層102、ト
ラック104からなる平滑電極基板を得た。このようにし
て得られた平滑電極基板の表面をSTMで観察したとこ
ろ、10μm□において表面凹凸の高さの差は1nm以下で
あった。
Next, as shown in FIG. 3 (f), the smooth substrate 11 is
By peeling off from the substrate 102, a smooth electrode substrate including the substrate 101, the adhesive layer 13, the electrode layer 102, and the track 104 was obtained. Observation of the surface of the thus obtained smooth electrode substrate by STM revealed that the difference in height of the surface irregularities at 10 μm □ was 1 nm or less.

次に第3図(g)に示すようにこの平滑電極基板上に
4層のポリイミドLB膜を形成し記録層103とした。以
下、ポリイミドLB膜を用いた記録層103形成方法につい
て述べる。
Next, as shown in FIG. 3 (g), a four-layer polyimide LB film was formed on the smooth electrode substrate to form a recording layer 103. Hereinafter, a method for forming the recording layer 103 using the polyimide LB film will be described.

(1)式に示すポリアミド酸をN,N′−ジメチルアセ
トアミド−ベンゼン混合溶媒(1:1V/V)に溶解させた
(単量体換算濃度1×10-3M)後、別途調整したN,N−
ジメチルオクタデシルアミンの同溶媒による1×10-3
溶液とを1:2(V/V)に混合して(2)式に示すポリアミ
ド酸オクタデシルアミン塩溶液を調製した。
The polyamic acid represented by the formula (1) was dissolved in a mixed solvent of N, N'-dimethylacetamide-benzene (1: 1 V / V) (concentration in terms of monomer: 1 × 10 −3 M), and N was separately adjusted. , N−
1 × 10 -3 M of dimethyloctadecylamine in the same solvent
The solution was mixed at a ratio of 1: 2 (V / V) to prepare a polyamic acid octadecylamine salt solution represented by the formula (2).

かかる溶液を水温20℃の純水から成る水相上に展開
し、水面上に単分子膜を形成した。溶媒蒸発除去後、表
面圧を25mN/mにまで高めた。表面圧を一定に保ちながら
上述平滑電極基板を水面を横切る方向に速度5mm/minで
静かに浸漬した後、続いて5mm/minで静かに引き上げて
2層のY型単分子累積膜を作製した。かかる操作を繰り
返して4層のポリアミド酸オクタデシルアミン塩の単分
子累積膜を形成した。次に、この基板を減圧(〜1mmH
g)下、300℃で10分間加熱焼成してポリアミド酸オクタ
デシルアミン塩をイミド化し(式3)、 4層のポリイミド単分子累積膜を得た。
This solution was spread on an aqueous phase composed of pure water at a water temperature of 20 ° C., and a monomolecular film was formed on the water surface. After removing the solvent by evaporation, the surface pressure was increased to 25 mN / m. After keeping the surface pressure constant, the above-mentioned smooth electrode substrate was immersed gently at a speed of 5 mm / min in a direction across the water surface, and then gently pulled up at a speed of 5 mm / min to produce a two-layer Y-type monomolecular cumulative film. . This operation was repeated to form a four-layer monomolecular cumulative film of polyamic acid octadecylamine salt. Next, the substrate was decompressed (~ 1 mmH
g) Below, calcination by heating at 300 ° C. for 10 minutes to imidize polyamic acid octadecylamine salt (formula 3), Four layers of polyimide single molecule cumulative films were obtained.

次に上述した方法により作製した記録媒体を用いて、
第7図に示す情報処理装置により表面形状を調べたとこ
ろ、記録媒体表面が電極の平滑面およびトラック104を
反映しており、10μm□に於いてトラック104は高さ50
Åに形成されており該トラック104以外の表面凹凸の高
さの差は1nm以下であった。このためトラック104が明確
に判別できた。
Next, using the recording medium produced by the method described above,
When the surface shape was examined by the information processing apparatus shown in FIG. 7, the surface of the recording medium reflected the smooth surface of the electrode and the track 104, and the track 104 had a height of 50 μm at 10 μm square.
The difference in height of the surface irregularities other than the track 104 was 1 nm or less. Therefore, the track 104 could be clearly identified.

次に記録・再生の実験を行った。プローブ電極202と
して白金/ロジウム製のプローブ電極202を用いた。こ
のプローブ電極202は記録層103の表面との距離(Z)を
制御するためのもので電流を一定に保つように、圧電素
子により、その距離(Z)が微動制御されている。さら
にリニアアクチュエータ204,205,206は距離Zを一定に
保ったまま、面内(X,Y)方向にも微動制御できるよう
に設計されている。
Next, an experiment of recording and reproduction was performed. A probe electrode 202 made of platinum / rhodium was used as the probe electrode 202. The probe electrode 202 is for controlling the distance (Z) to the surface of the recording layer 103, and the distance (Z) is finely controlled by a piezoelectric element so as to keep the current constant. Further, the linear actuators 204, 205, and 206 are designed so that fine movement control can be performed in the in-plane (X, Y) direction while keeping the distance Z constant.

また、プローブ電極202は直接記録・再生・消去を行
うことができる。また、記録媒体は高精度のXYステージ
201の上に置かれ、任意の位置に移動させることができ
る。
Further, the probe electrode 202 can directly perform recording / reproduction / erasing. The recording medium is a high-precision XY stage
It is placed on 201 and can be moved to any position.

前述したポリイミド4層を累積した記録層103を有す
る記録媒体を、XYステージ202上に置いた。次にプロー
ブ電極202と記録媒体の電極層102との間に+1.5Vの電圧
を印加し、電流をモニターしながらプローブ電極202と
記録層103表面との距離(Z)を調整した。この時、プ
ローブ電極202と記録層103表面との距離Zを制御するた
めのプローブ電流Ipを10-10A≧Ip≧10-11Aになるよう
に設定した。
The recording medium having the recording layer 103 in which four polyimide layers were accumulated was placed on the XY stage 202. Next, a voltage of +1.5 V was applied between the probe electrode 202 and the electrode layer 102 of the recording medium, and the distance (Z) between the probe electrode 202 and the surface of the recording layer 103 was adjusted while monitoring the current. At this time, the probe current Ip for controlling the distance Z between the probe electrode 202 and the surface of the recording layer 103 was set to be 10 −10 A ≧ Ip ≧ 10 −11 A.

次に、プローブ電極202を走査させながら、トラック1
04を検出した。このトラック104は記録再生時に於ける
位置決めおよびデータ列への追跡を行うためのものであ
る。このときプローブ電極202がトラック104に接近する
とトラック104が凸状の場合、プローブ電極202とトラッ
ク104の間でトンネル電流が急激に増加することを利用
しており、トラック104が凹状の場合にはトンネル電流
が急激に低下することを利用している。また、該トラッ
ク104に沿って記録情報を2次元的に記録再生すること
によって、高速アクセスを行うものである。次に100Å
ピッチで情報の記録を行った。かかる情報の記録におい
ては、プローブ電極202を+側、電極層102を−側にし
て、電気メモリー材料(ポリイミドLB膜4層)が低抵抗
状態(ON状態)に変化する第10図に示す閾値電圧VthON
を越えた矩形パルス電圧(第1のパルス電圧)を加え
た。その後、プローブ電極202を記録開始点に戻し、ト
ラック104を検知したあと再び記録層103上を走査させ
た。この時、記録の読み出し時に於いてはZ=一定にな
るように調整した。その結果、記録ビットに於いては10
nA程度のプローブ電流が流れ、ON状態となっていること
が示された。
Next, while scanning the probe electrode 202,
04 was detected. The track 104 is used for positioning during recording and reproduction and tracking to a data string. At this time, when the probe electrode 202 approaches the track 104, when the track 104 is convex, the tunnel current between the probe electrode 202 and the track 104 is rapidly increased, and when the track 104 is concave, It utilizes the fact that the tunnel current drops sharply. Also, high-speed access is performed by recording and reproducing recording information two-dimensionally along the track 104. Then 100Å
Information was recorded at the pitch. In recording such information, the probe electrode 202 is set to the + side and the electrode layer 102 is set to the-side, and the electric memory material (the four polyimide LB films) changes to a low resistance state (ON state) as shown in FIG. Voltage V th ON
A rectangular pulse voltage (first pulse voltage) exceeding the threshold voltage was applied. Thereafter, the probe electrode 202 was returned to the recording start point, and after the track 104 was detected, the recording layer 103 was scanned again. At this time, adjustment was made so that Z = constant at the time of reading the recording. As a result, in the recording bit, 10
A probe current of about nA flowed, indicating that the probe was in the ON state.

なお、プローブ電圧を電気メモリー材料がON状態から
OFF状態に変化する閾値電圧VthOFFを越えた10V(第2の
パルス電圧)に設定し、再び記録位置をトレースした結
果、全ての記録状態が消去されOFF状態に遷移したこと
も確認した。さらに情報の読取り誤り率を読取り速度を
一定にして調べたところ、従来技術では10-4であった
が、本実施例では10-7と著しく向上することが判明し
た。またトラックは記録媒体の表面凹凸の高さの差が小
さいため、段差を低く形成できることから、プローブ電
極202のZ軸変化を小さくおさえられ、情報の読取り、
ランダムアクセスが高速に行えることも確認した。
Note that the probe voltage is changed from the ON state of the electric memory material.
The threshold voltage Vth OFF that changes to the OFF state was set to 10 V (second pulse voltage), which was higher than the threshold voltage, and the recording position was traced again. As a result, it was confirmed that all the recording states were erased and the state transited to the OFF state. Further, when the reading error rate of the information was examined with the reading speed kept constant, it was found that the reading error rate was 10 -4 in the prior art, but was significantly improved to 10 -7 in the present embodiment. In addition, since the track has a small difference in height of the surface irregularities of the recording medium, the step can be formed to be low, so that the change in the Z axis of the probe electrode 202 can be suppressed small, and information can be read,
We also confirmed that random access can be performed at high speed.

実施例2 本発明の実施例2を第4図(a)〜(e)を参照しつ
つ説明する。
Embodiment 2 Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 (a) to 4 (e).

まず第4図(a)に示すように大気中でマイカ板を劈
開し平滑基板11とする。
First, as shown in FIG. 4A, the mica plate is cleaved in the air to form a smooth substrate 11.

次に第4図(b)に示すように、集束イオンビームに
より幅0.1μm,ピッチ1.0μm,深さ100Åのトラック104を
平滑基板11上に形成した。該集束イオンビームは加速電
圧40KV,イオン電流14pA,ドーズ量1.0×1016/cm2,Auイ
オンの条件で行った。
Next, as shown in FIG. 4B, a track 104 having a width of 0.1 μm, a pitch of 1.0 μm and a depth of 100 ° was formed on the smooth substrate 11 by a focused ion beam. The focused ion beam was performed under the conditions of an acceleration voltage of 40 KV, an ion current of 14 pA, a dose of 1.0 × 10 16 / cm 2 , and Au ions.

次に第4図(c)に示すように、平滑基板11上に真空
蒸着法により金を成膜し、電極層102を形成する。該電
極層102は基板温度を室温に保ち、蒸着速度10Å/sec、
到達圧力2×10-6Torr、膜厚5000Åの条件で行った。
Next, as shown in FIG. 4C, a gold film is formed on the smooth substrate 11 by a vacuum evaporation method to form an electrode layer 102. The electrode layer 102 maintains the substrate temperature at room temperature, and has a deposition rate of 10 ° / sec,
The test was performed under the conditions of an ultimate pressure of 2 × 10 −6 Torr and a film thickness of 5000 °.

次に第4図(d)に示すようにSiウェハーを基板101
として、ヒータにより加熱し一定の温度に保ち、続いて
平滑基板11に形成された電極層102の表面を基板101に軽
くこすり付けることにより、電極層102と基板101を共晶
接合させる。該接合は基板温度を400℃に保ち、加圧力2
kg/cm2、保持時間1分の条件で行った。
Next, as shown in FIG.
Then, the electrode layer 102 and the substrate 101 are eutectic-bonded by heating with a heater to maintain a constant temperature, and then lightly rubbing the surface of the electrode layer 102 formed on the smooth substrate 11 onto the substrate 101. The bonding maintains the substrate temperature at 400 ° C and applies a pressure of 2
The test was performed under the conditions of kg / cm 2 and a retention time of 1 minute.

次に第4図(e)に示すように平滑基板11を電極層10
2から引き剥し、基板101、電極層102、トラック104から
なる平滑電極基板を得た。このようにして得られた平滑
電極基板の表面をSTMで観察したところ、10μm□にお
いて表面凹凸の高さの差が1nm以下であった。
Next, as shown in FIG.
The substrate was peeled off from 2 to obtain a smooth electrode substrate including the substrate 101, the electrode layer 102, and the tracks 104. Observation of the surface of the smooth electrode substrate thus obtained by STM revealed that the difference in height of the surface irregularities was 10 nm or less at 10 μm square.

次に第4図(f)に示すように平滑電極基板上に4層
のポリイミドLB膜を形成し記録層103とした。
Next, as shown in FIG. 4 (f), a four-layer polyimide LB film was formed on the smooth electrode substrate to form a recording layer 103.

次に上述した方法により作製した記録媒体を用いて、
第7図に示す情報処理装置により表面形状を調べたとこ
ろ、記録媒体表面が電極の平滑性およびトラック104を
反映しており、10μm□に於いてトラック104は高さ50
Åに形成されており、該トラック104以外の表面凹凸の
高さの差は1nm以下であった。このため、トラック104が
明確に判別できた。
Next, using the recording medium produced by the method described above,
When the surface shape was examined by the information processing apparatus shown in FIG. 7, the surface of the recording medium reflected the smoothness of the electrodes and the tracks 104. At 10 μm square, the tracks 104 had a height of 50 μm.
The difference in height of the surface irregularities other than the track 104 was 1 nm or less. Therefore, the track 104 could be clearly identified.

次に記録,再生,消去の実験を行ったところ、実施例
1と同様に記録,再生,消去が行えることを確認した。
Next, experiments of recording, reproduction, and erasing were performed, and it was confirmed that recording, reproduction, and erasing could be performed in the same manner as in Example 1.

実施例3 本発明の実施例3を第5図(a)〜(f)を参照しつ
つ説明する。
Embodiment 3 Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 (a) to 5 (f).

まず第5図(a)に示すように、大気中でマイカ板を
劈開し平滑基板11とする。
First, as shown in FIG. 5 (a), a mica plate is cleaved in the atmosphere to form a smooth substrate 11.

次に第5図(b)に示すように集束イオンビームによ
り幅0.1μm,ピッチ1.0μm,深さ100Åのトラック104を平
滑基板11上に形成した。該集束イオンビームは加速電圧
40KV,イオン電流14pA,ドーズ量1.0×1016/cm2,Auイオ
ンの条件で行った。
Next, as shown in FIG. 5B, a track 104 having a width of 0.1 μm, a pitch of 1.0 μm and a depth of 100 ° was formed on the smooth substrate 11 by a focused ion beam. The focused ion beam has an accelerating voltage
The test was performed under the conditions of 40 KV, an ion current of 14 pA, a dose of 1.0 × 10 16 / cm 2 , and Au ions.

次に第5図(c)に示すように、平滑基板11上に真空
蒸着法によりAu-Pdを成膜し、電極層102を形成する。該
電極層102は基板温度を室温に保ち、蒸着速度10Å/se
c、到達圧力2×10-6Torr、膜厚1000Åの条件で行っ
た。
Next, as shown in FIG. 5C, an Au-Pd film is formed on the smooth substrate 11 by a vacuum evaporation method to form an electrode layer 102. The electrode layer 102 maintains the substrate temperature at room temperature, and has a deposition rate of 10 ° / se.
c, the ultimate pressure was 2 × 10 −6 Torr, and the film thickness was 1000 ° C.

次に第5図(d)に示すように、電極層102上にニッ
ケルを電鋳により形成し基板101とする。該電鋳はワッ
ト浴を用いて温度を50℃に保ち、電流密度0.06A/cm2
電鋳時間2時間の条件で行い、厚さ100μmを得た。
Next, as shown in FIG. 5D, nickel is formed on the electrode layer 102 by electroforming to obtain a substrate 101. The electroforming uses a Watt bath to maintain the temperature at 50 ° C., the current density is 0.06 A / cm 2 ,
The electroforming was performed for 2 hours to obtain a thickness of 100 μm.

次に第5図(e)に示すように、平滑基板11を電極層
102から引き剥し、基板101、電極102、トラック104から
なる平滑電極基板を得た。このようにして得られた平滑
電極基板の表面をSTMで観察したところ、10μm□にお
いて表面凹凸の高さの差が1nm以下であった。
Next, as shown in FIG. 5 (e), the smooth substrate 11 is
By peeling off from the substrate 102, a smooth electrode substrate composed of the substrate 101, the electrodes 102 and the tracks 104 was obtained. Observation of the surface of the smooth electrode substrate thus obtained by STM revealed that the difference in height of the surface irregularities was 10 nm or less at 10 μm square.

次に第5図(f)に示すように、平滑電極基板上に4
層のポリイミドLB膜を形成し記録層103とした。
Next, as shown in FIG.
A recording layer 103 was formed by forming a layer of a polyimide LB film.

次に上述した方法により作製した記録媒体を用いて、
第7図に示す情報処理装置により表面形状を調べたとこ
ろ、記録媒体表面が電極の平滑性およびトラック104を
反映しており、10μm□に於いて、トラック104は高さ5
0Åに形成されており、トラック104以外の表面凹凸の高
さの差は1nm以下であった。このため、トラック104が明
確に判別できた。
Next, using the recording medium produced by the method described above,
When the surface shape was examined by the information processing apparatus shown in FIG. 7, the surface of the recording medium reflected the smoothness of the electrode and the track 104. At 10 μm square, the track 104 had a height of 5 μm.
The difference between the heights of the surface irregularities other than the tracks 104 was 1 nm or less. Therefore, the track 104 could be clearly identified.

次に、記録,再生,消去の実験を行ったところ、実施
例1と同様に記録,再生,消去が行えることを確認し
た。
Next, experiments of recording, reproduction, and erasing were performed, and it was confirmed that recording, reproduction, and erasing could be performed in the same manner as in Example 1.

実施例4 本発明の実施例4を第6図(a)〜(g)を参照しつ
つ説明する。
Embodiment 4 Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 (a) to 6 (g).

まず第6図(a)に示すように、大気中でマイカ板を
劈開し平滑基板11とする。
First, as shown in FIG. 6 (a), a mica plate is cleaved in the air to form a smooth substrate 11.

次に第6図(b)に示すように、平滑基板11上に通常
のフォトリソプロセスによりレジストパターン22を形成
する。該レジストパターン22にはRD-2000N(日立化成
製)を用いた。
Next, as shown in FIG. 6B, a resist pattern 22 is formed on the smooth substrate 11 by an ordinary photolithography process. As the resist pattern 22, RD-2000N (manufactured by Hitachi Chemical) was used.

次に第6図(c)に示すように、SiO2を膜厚50Åで蒸
着しリフトオフ法を用いてトラック104を形成する。
Next, as shown in FIG. 6C, SiO 2 is deposited to a thickness of 50 ° and a track 104 is formed by a lift-off method.

次に第6図(d)に示すように、トラック104を含む
平滑基板11上に真空蒸着法により金を成膜し、電極層10
2を形成する。該電極層102は基板温度を室温に保ち、蒸
着速度10Å/sec、到達圧力2×10-6Torr、膜厚5000Åの
条件で行った。
Next, as shown in FIG. 6 (d), a gold film is formed on the smooth substrate 11 including the track 104 by a vacuum evaporation method, and the electrode layer 10 is formed.
Form 2. The electrode layer 102 was formed at a substrate temperature of room temperature, a deposition rate of 10 ° / sec, an ultimate pressure of 2 × 10 −6 Torr, and a film thickness of 5000 °.

次に第6図(e)に示すように電極層102上にニッケ
ルを電鋳により形成し基板101とする。該電鋳はワット
浴を用いて温度を50℃に保ち、電流密度0.06A/cm2、電
鋳時間2時間の条件で行い、厚さ100μmを得た。
Next, nickel is formed on the electrode layer 102 by electroforming as shown in FIG. The electroforming was performed using a Watt bath at a temperature of 50 ° C., under the conditions of a current density of 0.06 A / cm 2 and an electroforming time of 2 hours to obtain a thickness of 100 μm.

次に第6図(f)に示すように平滑基板11を電極層10
2から引き剥し、基板101、電極層102、トラック104から
なる平滑電極基板を得た。このようにして得られた平滑
電極基板の表面をSTMで観察したところ、10μm□にお
いて表面凹凸の高さの差が1nm以下であった。
Next, as shown in FIG.
The substrate was peeled off from 2 to obtain a smooth electrode substrate including the substrate 101, the electrode layer 102, and the tracks 104. Observation of the surface of the smooth electrode substrate thus obtained by STM revealed that the difference in height of the surface irregularities was 10 nm or less at 10 μm square.

次に第6図(g)に示すように、平滑電極基板上に4
層のポリイミドLB膜を形成し記録層103とした。
Next, as shown in FIG.
A recording layer 103 was formed by forming a layer of a polyimide LB film.

次に上述した方法により作製した記録媒体を用いて、
第7図に示す情報処理装置により表面形状を調べたとこ
ろ、記録媒体表面が電極の平滑性およびトラック104を
反映しており、10μm□に於いてトラック104は高さ50
Åに形成されており、トラック104以外の表面凹凸の高
さの差は1nm以下であった。このため、トラックが明確
に判別できた。
Next, using the recording medium produced by the method described above,
When the surface shape was examined by the information processing apparatus shown in FIG. 7, the surface of the recording medium reflected the smoothness of the electrodes and the tracks 104. At 10 μm square, the tracks 104 had a height of 50 μm.
The difference in the height of the surface irregularities other than the track 104 was 1 nm or less. For this reason, the track could be clearly identified.

次に、記録,再生,消去の実験を行ったところ、実施
例1と同様に記録,再生,消去が行えることを確認し
た。
Next, experiments of recording, reproduction, and erasing were performed, and it was confirmed that recording, reproduction, and erasing could be performed in the same manner as in Example 1.

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、下記の効果を有
する。
[Effects of the Invention] As described above, the present invention has the following effects.

(1)基板の有する表面形状を転写させることにより、
トラック以外の表面凹凸の高さの差が1nm以下となり、
トラックが明確に判別可能な記録媒体の形成ができる。
(1) By transferring the surface shape of the substrate,
The difference in the height of the surface irregularities other than the track is 1 nm or less,
It is possible to form a recording medium whose tracks can be clearly distinguished.

(2)母材の表面形状を転写できるので、基板上の任意
の場所に平滑面を形成することが可能となり、基準マー
カ等の形成も同時に行なうことができる。
(2) Since the surface shape of the base material can be transferred, a smooth surface can be formed at an arbitrary position on the substrate, and a reference marker and the like can be formed at the same time.

(3)電極層は母材上に形成した後、基板に貼りつける
ことができるので、基板はどのような材料、形態のもの
でも用いることができる。たとえば記録媒体を例にとる
とSi chip上に書込み、読出しの制御回路を組込み、こ
のchipを基板として本発明の電極基板を形成する。これ
により、書き込み、読出しの制御回路と記録層が一体に
形成された記録媒体を提供できる。
(3) After the electrode layer is formed on the base material, it can be attached to the substrate, so that the substrate can be of any material and form. For example, taking a recording medium as an example, a control circuit for writing and reading is incorporated on a Si chip, and the electrode substrate of the present invention is formed using this chip as a substrate. This makes it possible to provide a recording medium in which a write / read control circuit and a recording layer are formed integrally.

最近のマイクロメカニクス技術を応用し、Si chip上
に駆動アクチュエータを組込み、このアクチュエータ上
に、本発明の電極層を設け、微動機構付の記録媒体とす
ることもできる。
By applying a recent micromechanics technology, a drive actuator is incorporated on a Si chip, and the electrode layer of the present invention is provided on this actuator to provide a recording medium with a fine movement mechanism.

さらにかかる記録媒体を用いれば読取りデータの誤り
率を著しく低下させることができ、またトラッキングの
追跡精度が著しく向上させることができ、高速再生が可
能となる。
Further, if such a recording medium is used, the error rate of read data can be remarkably reduced, the tracking accuracy can be significantly improved, and high-speed reproduction can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1図は本発明に用いられる記録媒体の模式断面図、第
2図は本発明の再生信号の周波数スペクトラムのダイヤ
グラム、第3図〜第6図は各実施例に於ける製造工程
図、第7図はSTMを応用した情報処理装置の構成図、第
8図は従来例の記録媒体の模式断面図、第9図は従来例
の再生信号の周波数スペクトラムのダイヤグラム、第10
図は本発明の記録媒体に記録を行う際に加えるパルス電
圧の波形図、第11図電流−電圧特性グラフである。 101:基板、102:電極層 103:記録層、11:平滑基板 104:トラック
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a recording medium used in the present invention, FIG. 2 is a diagram of a frequency spectrum of a reproduced signal of the present invention, and FIGS. 3 to 6 are manufacturing process diagrams in each embodiment. 7 is a configuration diagram of an information processing apparatus to which STM is applied, FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a conventional recording medium, FIG. 9 is a diagram of a frequency spectrum of a reproduction signal of the conventional example, FIG.
FIG. 11 is a waveform diagram of a pulse voltage applied when recording is performed on the recording medium of the present invention, and FIG. 11 is a current-voltage characteristic graph. 101: substrate, 102: electrode layer 103: recording layer, 11: smooth substrate 104: track

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平2−66805 (32)優先日 平2(1990)3月19日 (33)優先権主張国 日本(JP) (72)発明者 江口 健 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 森川 有子 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 松田 宏 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 武田 俊彦 東京都大田区下丸子3丁目30番2号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平3−71453(JP,A) 特開 平3−503463(JP,A) 特開 平3−156749(JP,A) 特開 平4−1950(JP,A) 特開 平4−90151(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) G11B 9/00──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (31) Priority claim number Japanese Patent Application No. 2-66805 (32) Priority date Hei 2 (1990) March 19 (33) Priority claim country Japan (JP) (72) Inventor Ken Eguchi 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Inventor Yuko Morikawa 3-30-2 Shimomaruko 3-chome, Ota-ku, Tokyo Inside Canon Inc. (72) Hiroshi Matsuda Tokyo 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (72) Inventor Toshihiko Takeda 3-30-2 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo Canon Inc. (56) References JP-A-3-71453 ( JP, A) JP-A-3-503463 (JP, A) JP-A-3-15649 (JP, A) JP-A-4-1950 (JP, A) JP-A-4-90151 (JP, A) (58) ) Surveyed field (Int.Cl. 6 , DB name) G11B 9/00

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】プローブ電極から電圧を印加することによ
り情報の記録又は再生が行なわれる記録媒体において、
基板と、該基板上に形成され、前記プローブ電極に対向
する側の表面に、凹凸の高さの差が1nm以下であり、大
きさが1μm□以上の平滑面及び該平滑面に隣接して平
滑面に対して凸状又は凹状に形成されたトラックを有す
る電極層と、該電極層の平滑面上に形成され、電圧を印
加することによって互いに導電率が異なる2つ以上の状
態の間でその特性が遷移する記録層とからなることを特
徴とする記録媒体。
1. A recording medium on or from which information is recorded or reproduced by applying a voltage from a probe electrode,
A substrate, formed on the substrate, on the surface on the side facing the probe electrode, the difference in height of the unevenness is 1 nm or less, and the size is 1 μm square or more. An electrode layer having tracks formed in a convex or concave shape with respect to a smooth surface, and between two or more states formed on the smooth surface of the electrode layer and having different electrical conductivity from each other by applying a voltage. A recording medium comprising: a recording layer whose characteristics change.
【請求項2】前記記録層が、π電子準位をもつ群とσ電
子準位のみをもつ群とを併有する分子を有する有機材料
からなる請求項1に記載の記録媒体。
2. The recording medium according to claim 1, wherein the recording layer is made of an organic material having molecules having both a group having a π-electron level and a group having only a σ-electron level.
【請求項3】前記記録層が、前記有機材料の単分子膜又
はこの単分子膜の累積膜からなる請求項2に記載の記録
媒体。
3. The recording medium according to claim 2, wherein said recording layer comprises a monomolecular film of said organic material or a cumulative film of said monomolecular film.
【請求項4】前記記録層の厚さが、5Å〜300Åの範囲
にある請求項1〜3のいずれかに記載の記録媒体。
4. The recording medium according to claim 1, wherein said recording layer has a thickness in a range of 5 ° to 300 °.
【請求項5】プローブ電極から電圧を印加することによ
り情報の記録又は再生が行なわれるトラックを有する記
録媒体の製造方法において、凹凸の高さの差が1nm以下
であり、大きさが1μm□以下の平滑面及び該平滑面に
隣接して前記トラックに対応した形状の凸部又は凹部を
有する母材を用意する工程と、該母材の平滑面及び凸部
又は凹部上に電極層を形成する工程と、該電極層の母材
と接している面と反対側の面に基板を貼り合わせる工程
と、前記電極層を母材から引き剥がすことにより、電極
層を基板に転写する工程と、基板に転写された電極層の
前記母材の平滑面及び凸部又は凹部に接していた面上
に、電圧を印加することによって互いに導電率が異なる
2つ以上の状態の間でその特性が遷移する記録層を形成
する工程とからなることを特徴とする記録媒体の製造方
法。
5. A method for manufacturing a recording medium having a track on or from which information is recorded or reproduced by applying a voltage from a probe electrode, wherein the difference in height of the unevenness is 1 nm or less and the size is 1 μm □ or less. Preparing a base material having a smooth surface and a convex portion or a concave portion adjacent to the smooth surface and corresponding to the track; and forming an electrode layer on the smooth surface and the convex portion or the concave portion of the base material. A step of bonding a substrate to a surface of the electrode layer opposite to a surface in contact with the base material, a step of transferring the electrode layer to the substrate by peeling the electrode layer from the base material, By applying a voltage on the smooth surface of the base material of the electrode layer transferred to the surface and the surface in contact with the protrusions or recesses, the characteristics are changed between two or more states having different conductivity from each other. Forming a recording layer. Method of manufacturing a recording medium characterized.
【請求項6】前記記録層が、π電子準位をもつ群とσ電
子準位のみをもつ群とを併有する分子を有する有機材料
から形成される請求項5に記載の記録媒体の製造方法。
6. The method for manufacturing a recording medium according to claim 5, wherein said recording layer is formed of an organic material having a molecule having both a group having a π-electron level and a group having only a σ-electron level. .
【請求項7】前記記録層が、ラングミュア−ブロジェッ
ト法(LB法)により、前記有機材料の単分子膜又はこの
単分子膜の累積膜から形成される請求項6に記載の記録
媒体の製造方法。
7. The production of a recording medium according to claim 6, wherein the recording layer is formed from a monomolecular film of the organic material or a cumulative film of the monomolecular film by a Langmuir-Blodgett method (LB method). Method.
【請求項8】前記記録層の厚さが、5Å〜300Åの範囲
となるように形成される請求項5〜7のいずれかに記載
の記録媒体の製造方法。
8. The method for manufacturing a recording medium according to claim 5, wherein said recording layer is formed to have a thickness in a range of 5 ° to 300 °.
【請求項9】前記母材の平滑面が、結晶基板の劈開面か
らなる請求項5〜8のいずれかに記載の記録媒体の製造
方法。
9. The method for manufacturing a recording medium according to claim 5, wherein the smooth surface of the base material is a cleavage surface of a crystal substrate.
【請求項10】前記母材の平滑面が、溶融によって形成
されたガラス面からなる請求項5〜8のいずれかに記載
の記録媒体の製造方法。
10. The method for manufacturing a recording medium according to claim 5, wherein the smooth surface of the base material is a glass surface formed by melting.
【請求項11】請求項1〜4のいずれかに記載の記録媒
体を用い、該記録媒体の記録層の表面を該表面に近接配
置された導電性プローブで相対的に走査しながら、前記
電極層と導電性プローブとの間にパルス電圧を印加する
ことによって情報を記録し、情報が記録された記録層の
表面を該表面に近接配置された導電性プローブで相対的
に走査しながら、前記電極層と導電性プローブとの間に
バイアス電圧を印加し、導電性プローブに流れる電流を
検出することによって情報を再生する情報処理方法。
11. The recording medium according to claim 1, wherein said electrode is formed by relatively scanning a surface of a recording layer of said recording medium with a conductive probe disposed close to said surface. The information is recorded by applying a pulse voltage between the layer and the conductive probe, and the surface of the recording layer on which the information is recorded is relatively scanned by a conductive probe disposed close to the surface, An information processing method for reproducing information by applying a bias voltage between an electrode layer and a conductive probe and detecting a current flowing through the conductive probe.
【請求項12】請求項1〜4のいずれかに記載の記録媒
体と、該記録媒体の記録層の表面に近接配置された導電
性プローブと、該導電性プローブを記録媒体に対して相
対的に走査させる走査手段と、前記記録媒体の電極層と
導電性プローブとの間にパルス電圧を印加することによ
って情報を記録する記録回路と、前記記録媒体の電極層
と導電性プローブとの間にバイアス電圧を印加し、導電
性プローブに流れる電流を検出することによって前記記
録媒体の記録層に記録された情報を再生する再生回路と
からなる情報処理装置。
12. A recording medium according to claim 1, a conductive probe disposed close to a surface of a recording layer of said recording medium, and a conductive probe positioned relative to said recording medium. Scanning means for scanning, a recording circuit that records information by applying a pulse voltage between the electrode layer of the recording medium and the conductive probe, and between the electrode layer of the recording medium and the conductive probe. A reproducing circuit for reproducing information recorded on the recording layer of the recording medium by applying a bias voltage and detecting a current flowing through the conductive probe;
JP2199252A 1990-02-07 1990-07-30 Recording medium, method of manufacturing the same, information processing method, and information processing apparatus Expired - Fee Related JP2866165B2 (en)

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