JPH0486803A - 導波路型光デバイス - Google Patents
導波路型光デバイスInfo
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
収容する筐体の光フアイバ取出し部の気密化構造を改良
した導波路型光デバイスに関する。
からなる基板中に、光を閉じ込めて導波させる屈折率の
高い導波路を形成したものとされている。この導波路の
上部または近傍に、電圧を印加するたtの電極が形成さ
れている。この電極に外部から電圧を印加することによ
って基板中の導波路の屈折率を変化させ、光の位相や強
度の変調、あるいは光路の切換えが行われる。
材料の中で比較的高い電気光学効果を有するニオブ酸リ
チウム基板(LiNb03基板)を用いた光デバイスが
知られている。この光デバイスは、第3図および第4図
に示すように、LiNbO3基板1にチタン膜(Ti膜
)を成膜し、所望の導波路パターンにパターニングした
後、1000’C前後の高温で数時間熱拡散して導波路
2を形成し、これに二酸化シリコンバッファ層(S10
2 層)3を成膜し、その上面に金属膜により電極4を
形成し、これを機能素子とした光デバイスである。
、端面研摩されてチップ化され、さらに光導波路と光フ
ァイバとの光軸調整および固定の後、筐体に実装される
。そして、筐体に設けられた信号端子と光導波路素子の
電極パッド間がワイヤボンディングにより接続される。
向性結合型光スィッチであり、その作動原理を簡単に説
明する。上述のように、LiNbO3基板1に一定の長
さで近接した部分を有する2本の導波路2が形成されて
おり、この2本の導波路2の上部に3102バッファ層
3を介して金属膜からなる電極4が形成されている。電
極4に電圧が印加されていない状態では、2本の近接し
た導波路2間でモード結合が起こり、一方の導波路2A
から人力された光は、他方の導波路2Bへ移行する。近
接部分の長さを導波路2の製作条件に応じて適当に選択
すると、導波路2Aからの光は略100%導波路2Bへ
移行させることができる(この場合の近接部の長さは「
完全結合長」と呼ばれる)。一方、導波路2の上部に設
けられた2本の電極4の片方をグランドにし、他方に電
圧を印加すると、第4図に示すように、基板1中の導波
路2に縦方向に電界Cが発生し、LiNbO3基板のも
つ電気光学効果により導波路2の屈折率が変化し、2本
の導波路2の結合状態が変化し、印加電圧を適当な電圧
値に設定すると、導波路2Aから入力した光をそのまま
導波路2Aから出力させることができる。このようにし
て導波路2を用いてスイッチング機能を実現できる。
グ機能を基板上に集積できることから、光交換システム
用マトリクス光スィッチや、0TDR用の光路切換え用
光スィッチとして開発が進約られている。また、光を高
速に変調することができるので、大容量光通信用の外部
変調器としても実用化が期待されている。
スの構造を示している。
チップ両端面に光ファイバが固着される。
された導波路基板1を筐体6に実装する際に、予め筐体
5の側面に上部からU溝7を設けておき、このU溝7部
分に光ファイバ5をのせて樹脂8により固着し、筐体6
にカバー9を被せている。なお10は上ヤトイである。
イバ5を、予め筐体6の側面に設けられた孔11から挿
入して、導波路と光軸調整した後、筐体6と素線の隙間
を半田12により固着し、気密化を図っている。
高い信頼性を得るために特に耐湿生を充分検討する必要
がある。すなわち、導波路デバイスは前述のように、基
板中に形成された数μm幅の導波路の上部に、これと固
定度の数μm幅の電極が形成されており、スイッチング
させるには通常、数Vから100V程度の電圧をこの電
極に印加する。すると、特に高湿度中では、電極近傍で
空気中の水分が電気分解が起こり、電極が著しく劣化す
るのである。また、導波路と光ファイバとの固着は、両
者を直接当接して行うので、接着剤を用いて行われるこ
とが多いが接着剤は一般に湿度に対して弱く、この点で
も耐湿性を高給ておく必要がある。さらに、導波路素子
と信号端子間の接続には、ワイヤボンディングが用いら
れるのが一般的であり、やはり耐湿性が重要となる。
、筐体6の側面にU溝7を設け、このU溝7に光ファイ
バ5を樹脂8により固着するため、充分な気密がなされ
ず高湿下では信頼性が低下する。また、第6図に示すも
のでは、光ファイバ5と筐体6との隙間を半田12によ
り埋めるため、第4図のものに比して耐湿性は優れるが
、予め光ファイバ5を筐体6の側面の孔11に通し、先
端に端末付をしなければならないうえ、光フアイバ素線
をメタライズして素線の状態で先端に端末を付けなけれ
ばならず、これが非常に困難である。
光ファイバ5を筐体6側面の孔11から通した状態で、
筐体6の内部で行われなければならず、著しく作業性が
悪い。
かつ確実に筐体内部の気密化が実現でき、導波路素子お
よび電極の信頼性向上、導波路と光ファイバとの固着箇
所やワイヤボンディング部の信頼性向上等が図れる導波
路型光デバイスを提供することを目的とする。
路基板の端面で前記導波路と光学的に結合される第1の
光ファイバと、これら導波路基板および第1の光ファイ
バを収容する筐体と、この筐体の外側で前記第1の光フ
ァイバと光学的に結合される第2の光ファイバとを備え
た導波路型光デバイスにおいて、前記筐体の側面に、前
記第1および第2の光フアイバ素線の外径よりも僅かに
大きな内径を有するキャピラリを設け、このキャピラリ
内に前記第1および第2の光ファイバの先端を挿入して
互いに当接することにより光学的に接続し、もって機密
性を向上させて前記の目的を達成するものである。
て説明する。なお、本実施例は導波路型光スイッチにつ
いてのもので、電圧を外部より印加することにより、光
を0N−OFFできる機能を有するものである。
この導波路基板21の端面で導波路と光学的に結合され
る第1の光ファイバ22と、これら導波路基板21およ
び第1の光ファイバ22を収容する筐体23と、この筐
体23の外側で第1の光ファイバ22と光学的に結合さ
れる第2の光ファイバ24とが備えられ、筐体の側面に
、前記第1および第2の光ファイバ22.24の素線2
2a、24aの外径よりも僅かに大きな内径を有するキ
ャピラリ25が設けられ、このキャピラリ25内に第1
および第2の光ファイバの素線22a、24aの先端が
挿入されて、互いに当接することにより光学的に接続さ
れている。なお、キャピラリ25の筐体23内方に突出
する部分の周壁に、その外周面とキャピラリ25内の孔
26とを連通ずる横孔27をあけ、この横孔27の部分
で第1の光ファイバの素線22aと第2の光ファイバ2
4の素線24aとを当接するとともに、キャピラリ25
の横孔27近傍に樹脂28が充填されている。また、第
2の光ファイバ24の素線24aがメタライズされると
ともに、キャピラリ25が金属パイプ29に収容され、
この金属パイプ29と第2の光ファイバ24のメタライ
ズ部との隙間に半田30が充填されている。
膜を成膜して方向性結合パターンを形成し、熱拡散した
後、5102バッファ層を介してCr−Au電極を形成
し、チップ化して導波路素子としたものである。また、
導波路基板21には保持ガラス31および上ヤトイ32
が設けられ、これらは導波路基板21の切断後に接着し
て端末研摩されている。第1の光ファイバ22の一端に
は光フアイバ端末33が取付けられており、フランジ付
金具34を用いて導波路基板21に光軸調整された後、
接着剤により固着されている。
に低融点ガラス35でキャピラリ25を固着、収容した
コバー製の金属パイプ29を、ろう付けにより固着する
。そして、導波路基板21を筐体23に固着し、一方の
光ファイバ22の先端素線22aの部分をキャピラリ2
5に挿入する。
4は、筐体23の外側から先端素線24aをキャピラリ
25に挿入する。そして、キャピラリ25の筐体23内
側に突出した部分の横孔27部分で、2本の光ファイバ
22.24の素線22a、24aの先端を当接させ、こ
こから樹脂28を注入し、キャピラリ25の内部に充填
させる。
いた。また、ここで光ファイバ22.24には、シング
ルモードファイバを用い、この外径が126μmである
ため、内径127μmのキャピラリ25を用いた。この
ときの接続による過剰損失は入出力2箇所で、0.3d
Bであった。次に、キャピラリ25を収容している金属
パイプ29と、第2の光ファイバ24の素線24aのメ
タライズ部分と隙間に半田30を充填し、さらに素線部
分と芯線部分とを樹脂36により補強する。
ディングワイヤにより接続し、カバー37をシーム溶接
部38により筐体に固着する。
固定される第1の光ファイバ22とデバイスとのピグテ
ールとなる第2の光ファイバ24とを分けておき、これ
らを筐体23の側面に設けられた光フアイバ外径よりも
わずかに大きい内径を持つキャピラリ25に挿入固着す
ればよいので、容易に筐体23の内外部の光ファイバ2
2.24を接続できる。したがって、筐体23の外側に
ある第2の光ファイバ24の素線24Hにメタライズを
施すことが可能となり、キャピラリ25を金属パイプ2
9に収容しておき、このキャピラリ金属部分と光フアイ
バメタライズ箇所との隙間を半田30で充填することで
、筐体23の光フアイバ取出し部分の気密化が実現でき
る。
して高温高湿試験を行ったところ、以下の結果が得られ
た。なお、本実施例の導波路型光スインチと、第5図に
示した樹脂を用いた従来の導波路型光スイッチとを比較
した。試験条件は60′C195%であり、従来の導波
路型光スイッチでは約200時間の連続使用でスイッチ
ング特性に劣化が生じ、十分なスイッチング機能を果た
さなくなった。特に電圧を印加した状態で、光が完全に
OFF状態とならなくなることから、湿度が樹脂部分か
ら筐体内部に侵入し、電極を部分的に破壊したものと推
定される。また、約600時間後には、試料の一部に全
く動作しないものが見られた。カバーを外し、内部を観
察すると、導波路基板の電極と照合入力端子とを接続す
るボンディングワイヤが、湿気によると考えられる腐食
により電極膜からはずれていた。
500時間経過後も特性劣化は認められず、従来例のよ
うな不具合はなんら生じることなく、正常な動作が持続
した。したがって、本実施例によれば、完全な気密化が
図れ、デバイス全体の耐湿性を飛躍的に向上できること
が確認された。
純な構成の2×2光スイツチに適用したが、これに限ら
ず種々の構成の導波路型光デバイスに適用できることは
勿論である。例えば8×8光スインチのように、片側に
複数の光ファイバを有する光デバイスに適用する場合に
は、筐体の側面にその個数のスリーブを設ける構成とす
ればよい。
バ素線の外径よりわずかに大きい内径を有するキャピラ
リを設け、筐体内部にある光ファイバの先端とデバイス
のピグテールコードとなる外部の光ファイバの先端とを
、キャピラリに挿入して当接することにより、容易に筐
体の光フアイバ取出し分を気密化できる。したがって、
導波路素子の特性変化の防止および電極の信頼性向上が
図れ、さらに導波路と光ファイバとの固着箇所やワイヤ
ボンディング部等の信頼性向上も図れる等の優れた効果
が奏される。
1図の要部拡大図、第3図は導波路型光デバイスである
方向性結合型スイッチ素子作動原理を示す上面図、第4
図は第3図のIV−IV線断面図、第5図は従来例を示
す斜視図、第6図は他の従来例を示す斜視図である。 21・・・・・・導波路基板、 22・・・・・・第1の光ファイバ、 22a・・・・・・素線、23・・・・・・筐体、24
・・・・・・第2の光ファイバ、 24a・・・・・・素線、25・・・・・・キャピラリ
。 出 願 人 日本電気株式会社代 理 人
弁理士 山内梅雄第3図 第4図 第1 第2区 φ8 //7
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、導波路が形成された導波路基板と、この導波路基板
の端面で前記導波路と光学的に結合される第1の光ファ
イバと、これら導波路基板および第1の光ファイバを収
容する筺体と、この筐体の外側で前記第1の光ファイバ
と光学的に結合される第2の光ファイバとを備えた導波
路型光デバイスにおいて、前記筐体の側面に、前記第1
および第2の光ファイバの素線外径よりも僅かに大きな
内径を有するキャピラリを設け、このキャピラリ内に前
記第1および第2の光ファイバの素線先端を挿入して互
いに当接することにより光学的に接続してなることを特
徴とする導波路型光デバイス。 2、キャピラリの筐体内方に突出する部分の周壁に、そ
の外周面とこのキャピラリ内の孔とを連通する横孔をあ
け、この横孔の部分で第1の光ファイバの素線と第2の
光ファイバの素線とを当接するとともに、前記キャピラ
リの横孔近傍に樹脂を充填してなることを特徴とする請
求項1記載の導波路型光デバイス。 3、第2の光ファイバの素線をメタライズするとともに
、キャピラリを金属パイプに収容し、この金属パイプと
前記第2の光ファイバのメタライズ部との隙間に半田を
充填させてなることを特徴とする請求項2記載の導波路
型光デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2203444A JP2682208B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 導波路型光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2203444A JP2682208B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 導波路型光デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0486803A true JPH0486803A (ja) | 1992-03-19 |
JP2682208B2 JP2682208B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=16474216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2203444A Expired - Lifetime JP2682208B2 (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 導波路型光デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2682208B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6788848B2 (en) | 2000-09-14 | 2004-09-07 | Nec Corporation | Arrayed waveguide grating device, process for producing the same, arrayed waveguide module, and optical communication system |
JP2009092694A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-30 | Anritsu Corp | 導波路型光デバイスモジュールおよびその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01101207U (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-07 | ||
JPH0267508A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバ固定法 |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP2203444A patent/JP2682208B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01101207U (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-07 | ||
JPH0267508A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ファイバ固定法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6788848B2 (en) | 2000-09-14 | 2004-09-07 | Nec Corporation | Arrayed waveguide grating device, process for producing the same, arrayed waveguide module, and optical communication system |
JP2009092694A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-30 | Anritsu Corp | 導波路型光デバイスモジュールおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2682208B2 (ja) | 1997-11-26 |
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