JPH0486623A - 光ソリトン発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〉 本発明は、例えば光フアイバ通信等における光ソリトン
伝送システムに用いられ、伝搬特性に優れた光パルスで
ある光ソリトンを発生する光ソリトン発生装置の構造に
関するものである。

（従来の技術） 従来、例えば光ファイバにより光信号を伝送する光フア
イバ通信では、光の信号を光パルスとして断続的に送る
。電波に比べて周波数の高い光は、単位時間当りに伝送
可能な情報量が大きい。ところが、光ファイバは、ガラ
ス材料で構成されているので、その光フアイバ中を伝搬
する光パルスは、その波長の幅に応した光の分散を生じ
て波長の異なる波は異なる速度で伝搬するため、光フア
イバ中を伝搬するにつれてパルス幅が広がると共に、パ
ルス強度が減少してしまう。これにより、光フアイバ中
を断続的に伝送されるパルス間に重なりが生じたり、信
号の歪み等が起こり、伝送特性が劣化してしまう。

そこで、従来、ファイバ伝搬中にパルス波形が歪まず、
伝搬特性に優れた光パルスである光ソリトンを光通信シ
ステム等に適用する試みがなされ、その光ソリトンを発
生する装置の開発か行われている。

従来、このような分野の技術としては、例えば文献　０
ＰＴＩＣ３ＬＥＴＴＥＲ３，１ｏ１：；；（１９８５−
５）Ｐ、２２９−２３１に記載される技術があった。以
下、その構成を図を用いて説明する。

第２図は、従来の光ソリトン発生装置の一構成例を示す
構成ブロック図である。

この光ソリトン発生装置１０は、モードロック（モード
同期）ＹＡＧレーザ１１を有しており、そのＹＡＧレー
ザ１１には光ファイバ１２を介してカラーセンターレー
ザ（色中心レーザ）１３が接続されている。

ＹＡＧレーザ１１は、カラーセンターレーザ１３の励起
光源であり、母体としてイツトリウムアルミニウムガー
ネット（Ｙ３　Ａ　１５０１２）を用い、活性媒質とし
てＮｄ３“イオンを含んだレーザである。

カラーセンターレーザ１３は、液体窒素温度で安定に動
作する固定レーザの一種であり、アルカリハライド結晶
にできる色中心（カラーセンター）と呼ばれる格子欠陥
等により光ソリトンの発生が可能な発振波長でレーザ発
振を起こし光ソリトンを発生させるためのものであり、
ゲイン媒質としては、例えばアルカリハライド結晶とし
て、リチウムイオンまたはタリウムイオンを含んだ塩化
カリウム結晶等を用いて構成されている。

次に、光ソリトン発生装置１０の動作を説明する。

モード同期したＹＡＧレーザ１１により光パルスが発生
されると、その光パルスは光ファイバ１２を通じてカラ
ーセンターレーザ１３へ入射する。

これにより、カラーセンターレーザ１３は、励起されて
レーザ発振し、モードロック法によって短光パルスを発
生する。この短光パルスは、以下のようなソリトン条件
を満たすことにより光ソリトンＬＳとしてカラーセンタ
ーレーザ１３から出力される。

そのソリトン条件としては、光パルスのヒークバワー（
臨界パワー）が、ソリ［・ン的な解を持つ非線形波動方
程式の解、例えば所定の非線形シュレディンガ一方程式
の解であること、光パルスのパルス幅及びスペクトル幅
が所定のフーリエ変換リミットを満たすことなどが挙げ
られる。

このようなソリトン条件を満たす光パルスは、光フアイ
バ伝搬中、光フアイバ中の光の分散特性による分散効果
と、光力−効果によるパルス圧縮特性などをもたらす非
線形効果とのバランスによりパルス整形がなされパルス
幅及び振幅等を含むパルス波形の安定化をもたらすソリ
トン効果が得られる光ソリトンＬｓとなる。

以上のような光ソリトン発生装置１０を用いた光ソリト
ン伝送システムでは、光信号として光ソリトンを用いる
ので波形歪みが生じないため、時間多重または高速変調
により、信号となるパルス密度を高めることができて、
長距離大容量伝送等が可能となり、さらには長距離大容
量伝送等において中継器等により光信号の波形整形を行
う手間を省略でき、高速化及び低コスト化等を図ｉとる
という利点が得られる、 （発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記構成の光ソリ［・ン発生装置では、
次のような課題かあった。

従来の光ソリトン発生装置」０は、光ソリトン発生用の
光源としてカラーセンターレーザ１３を用いているため
、励起光源として例えばＹＡＧレーザ１１等が必要であ
る。また、カラーセンターレーザ１３は、室温での発振
が不安定なため液体窒素でゲイン媒質を常に冷やしてお
かなければならなず、そのために冷却装置等を必要とす
る。さらに、光ソリトン発生装置１０は、振動により機
能劣化を起こすおそれがあり、装置自体が大型であるた
めその機能劣化の防止を図るためには大型の除振板上に
設けたりする必要がある。

従って、従来の光ソリトン発生装置１０では、装置が大
型化、高価格化し、かつ保守が困難であり、実用化に適
さないという問題点があった。

このような問題を解決するために、光ソリトン発生装置
１０の光ソ［月・ン発生用光源として、小型で低価格で
あり、保守も容易な半導体レーザを用いることか考えら
）仁る。

ところか、この場合、半導体レーザを直接変調すると、
活性層内のキャリア密度か変化し、これがレーザ内の屈
折率の変化をもたらして発振波長の波長シフトを来し、
チャーピングと呼ばれるスペクトル幅の広がりが生じて
しまう。このチャーピングによって光パルスのスペクト
ル幅か広がってしまうと、その光パルスはパルス幅とス
ペクトル幅かフーリエ変換リミットを満たすというソリ
トン条件を満足しなくなってしまい、光ソリトンから外
れてしまう。

本発明は、装置の小型化、低価格化が困難であり、かつ
保守に手間がかかるなど実用化に適さない点について解
決した光ソリトン発生装置を提供するものである。

（課題を解決するための手段） 第１の発明は、前記課題を解決するために、レーザを光
源として光ソリトンを発生する光ソリトン発生装置を、
前記レーザから発生した光パルスの発振波長を選択して
ソリ［−ン条件に応じたスペクトル幅の選択を行う波長
選択手段と、前記光パルスの強度を前記ソリトン条件に
応じて増幅するレーザ光増幅手段とを設けて構成したも
のである。

第２の発明は、第１の発明において、前記光パルスのパ
ルス幅を前記ソリトン条件に応じて圧縮するパルス幅圧
縮手段を設けたものである。

第３の発明は、第１または第２の発明において、前記波
長選択手段を、回折格子を用いて構成したものである。

第４の発明は、第１または第２の発明において、前記波
長選択手段を、ファブリペローエタロンを用いて構成し
たものである。

第５の発明は、第１または第２の発明において、前記波
長選択手段を、狭帯域光学フィルタを用いて構成したも
のである。

第６の発明は、第２の発明において、前記パルス幅圧縮
手段を分散値がマイナスのファイバを用いて構成したも
のである。

第７の発明は、第２の発明において、前記パルス幅圧縮
手段をＧｉｒｅｓ−Ｔｏｕｒｎｏｉｓ干渉計（以下、Ｇ
Ｔ干渉計という）を用いて構成したものである。

（作用） 第１の発明によれば、以上のように光ソリトン発生装置
を構成したので、前記波長選択手段は、前記レーザから
発生した光パルスの発振波長を選択してソリトン条件に
応じたスペクトル幅の選択を行うように働く。

即ち前記波長選択手段は、例えば光ソリトンではパルス
幅とスペクトル幅が所定のフーリエ変換リミットを満た
すというソリトン条件に応じて、前記レーザから発生し
た光パルスに対して、そのパルス幅を考慮して該ソリト
ン条件を満たすように波長選択してスペクトル幅の選択
を行う。

前記波長選択手段によるスペクトル幅の選択については
、例えばスペクトル幅の選択自体で前記ソリトン条件を
みたすように行う場合や、該スペクトル幅の選択の仕方
等によりその光パルスのパルス幅が変動するような時に
はそのパルス幅との関連を考慮してその光パルスが前記
９１月・ン条件を満たすようにして行う場合などが挙げ
られる。

前記レーザ光増幅手段は、例えば前記波長選択手段の前
段または後段に配置されて、前記レーザから発生した光
パルスの強度を増幅するが、この増幅は、光ソリトンで
はピークパワーがソリトン的な解を持つ非線形波動方程
式、例えば所定の非線形シュレディンガ一方程式を満た
すというソリトン条件を前記光パルスが満足するように
行う。

即ち、前記レーザ光増幅手段は、例えば前記波長選択手
段でのスペクトル幅の選択により光パルスの強度が減少
してソリトン条件を満たさなくなるのを阻止するように
前記波長選択手段での強度の低減の度合いに応じて増幅
を行ったり、さらには前記レーザの出力等を考慮して前
記レーザから発生した光パルスがソリトン条件を満たす
ように増幅を行ったりする。

第２の発明によれば、前記パルス幅圧縮手段は、例えば
前記波長選択手段または前記レーザ光増幅手段の前段ま
たは後段に配置され、前記波長選択手段及びレーザ光増
幅手段の作用と共同して、前記レーザから発生した光パ
ルスが前記ソリトン条件を満たすようにその光パルスの
パルス幅の圧縮を行うように働く。

第３、第４及び第５の発明によれば、前記波長選択手段
は、それぞれ回折格子、ファフリへローエタロン、狭帯
域光学フィルタを用いて構成され、それぞれの手段の波
長選択特性に基づいて前記発振波長の選択を行い前記ソ
リトン条件に応じたスペクトル幅の選択を行うように働
く。

第６及び第７の発明によれば、前記パルス幅圧縮手段は
、それぞれ前記ファイバ、ＧＴ干渉計を用いて構成され
、それぞれの手段のパルス幅圧縮特性に基づいて前記光
パルスのパルス幅を前記ソリトン条件に応じて圧縮する
ように働く。

従って、前記課題を解決できるのである。

（実施例） 第１図は、本発明の第１の実施例を示す光ソリトン発生
装置の構成ブロック図である。

この光ソリトン発生装置２０は、レーザ駆動部３０、レ
ーザ４０、波長選択手段ヲ０、パルス幅圧縮手段６０、
及びレーザ光増幅手段７０等を有している。

レーザ駆動部３０は、レーザ４０を駆動するために例え
ば注入励起用のパルスを発生する機能を有し、正弦波等
を発生するシンセサイザ３１、シンセサイザ３１の出力
を増幅する増幅器３２、増幅器３２の出力により櫛状の
電気パルス列（櫛状波）を発生する櫛状波発生器３３、
ノイズ除去用のコンデンサ３４、インピーダンスマツチ
ング用抵抗３５、交流遮断用のコイル３６、及びバイア
ス印加用の直流電源３７を有している。

レーザ４０は、光ソリトンを発生させるための光源であ
って、例えばＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系等の半導体材料
を用いて形成され、所定の光パルスＬｐを発生する半導
体レーザダイオード（以下、ＬＤという）４１で構成さ
れている。

波長選択手段５０は、光パルスＬｌ）の発振波長を選択
してソリトン条件に応じたスペクトル幅の選択を行うも
のであり、例えば回折格子う１及びレンズ５２．５３や
図示しないミラー等で構成されている。

パルス幅圧縮手段６０は、光パルスＬｐのパルス幅の圧
縮を行うものであり、レーザの発振波長における分散値
がマイナスで、例えばその分散の絶対値が通常の光ファ
イバよりも大きい分散シフトファイバ６１で構成されて
いる。

レーザ光増幅手段７０は、光パルスＬｐの強度をソリト
ン条件に応じて増幅するためのものであり、例えば励起
用光源７１、励起用光源７１からの光に起因して励起状
態となるエルビュームドープファイバ７２、励起光源７
１からの光及び光パルスＬｐをエルビュームドープファ
イバ７２へ送出する結合器７３、及び反射戻り光を除去
する光アイソレータ７４等からなる光フアイバアンプで
構成されている。

次に、光ソリトン発生装置２０の動作を説明する。

レーザ駆動部３０により櫛状波が発生され、その櫛状波
が直流電源３７によりしきい値以下に直流バイアスされ
たＬＤ４１に注入されると、利得スイッチングが起こり
、ＬＤ４１により数１０ｐｓｅｃ以下の超短パルスであ
る光パルスＬｆ）か発生される。その光パルスＬｐは、
波長選択手段５０のレンズ５２に入射し、回折格子５１
の透過特性により波長選択がなされ、ソリトン条件に応
じたスペクトル幅の選択を受ける。回折格子５１により
スペクトル幅の選択を受けた光パルスＬｌ）は、パルス
幅圧縮手段６０に入射し、分散値により規定される分散
シフトファイバ６１のもつ波長分散特性によってソリト
ン条件に応じたパルス幅の圧縮効果を受ける。分散シフ
トファイバ６１を透過した光パルスＬｌ）は、励起用光
源７１からの光に起因して励起状態となるエルビューム
ドープファイバ７２を通ることにより増幅される。エル
ビュームドープファイバ７２からの光パルスＬＯは、パ
ルス幅及びスペクトル幅と、パルス振幅（ピークパワー
）とがいずれもソリトン条件を満たし、光ソリントＬＳ
として光アイソレータ７４より出力される５ この第１の実施例では、次のような利点を有している、 （ａ＞本実施例では、レーザ４０をＬＤ４１を甲いて構
成しているため、装置の小型化及び低価格化を図れ、か
つ室温動咋が可能で保守が容易であり、実用的な光ソリ
トン発生装置２０を実現できる。

（ｂ）光ソリトン発生装置２０では、波長選択手段５０
を設けたので、レーザ４０からの光パルスＬｐの発振波
長に広がりが生じても、波長選択手段ヲ０によりソリト
ン条件に応じた所望のスペクトル幅の選択を行える。ま
た、波長選択手段５０は、回折格子５１を用いて構成し
たので、分解能が得やすいという利点が得られる。

（Ｃ）光ソリトン発生装置２０では、パルス幅圧縮手段
６０を設けたので、波長選択手段５０でのスペクトル幅
の選択と共働して、光パルスＬｐがソリトン条件を満た
すようにパルス幅の圧縮を行える。また、パルス幅圧縮
手段６０として分散シフトファイバ６１を用いたので、
そのファイバ長で分散値の設定を行うことにより、比較
的簡単な構成でパルス幅の圧縮効果か得られる。

（ｄ）光ソリトン発生装置２０ては、レーザ光増幅手段
７０を設けたので、光パルスＬ＋）のパルス振幅（ピー
クパワー）がソリトン条件を満たすようにパルスＬｐの
強度を増幅させることができ、特に、波長選択手段５０
の波長選択により低減した場合の光パルスＬｌ）の強度
を回復でき、ソリトン条件を満たす光パルスＬｐのパル
ス振幅を確実に確保できる。

第３図は、本発明の第２の実施例を示すものであり、波
長選択手段を構成するファブリペローエタロンの構成図
である。

このファブリペローエタロン８０は、例えば第１図の波
長選択手段５０において回折格子５１に代えて設けられ
るものであり、水晶板またはガラス等の２枚の平行平板
８１．８２を有しており、平行平板８１．８２の対向す
る側のそれぞれ面に高反射率層８１ａ、８２ａが、それ
ぞれ他の面には低反射率層８１ｂ、８２ｂが形成されて
いるこの第２の実施例では、レーザ４０で発生した光パ
ルスＬｐカルンス５２を介してファブリペローエタロン
８０に入射すると、その光パルスＬｐは、平行平板８１
及び８２間の間隔等によって決まる所定の波長の波だけ
が透過して平行平板８２かちレンズ′う３を介して出力
される。

この第２の実施例では、第１の実施例と同様の効果が得
られると共に、低損失の波長選択を行えるという利点が
得られる。

第４図は、本発明の第３の実施例を示すものであり、波
長選択手段を構成する他のファブリペローエタロンの構
成図である。

このファブリペローエタロン８０Ａは、例えばファブリ
ペローエタロン８０と同様に光ソリトン発生装置２０４
二設けられて、光パルスＬｐの波長選択を行うものであ
り、水晶板またはガラス板等の平行平板８３を有してお
り、その平行平板８３の両面には高反射率層８３ａ、８
３ｂが形成されている。

この第３の実施例では、第２の実施例とほぼ同様の作用
、効果が得られる、 第う図は、本発明の第４の実施例を示すものであり、波
長選択手段を構成する狭帯域光学フィルタの構成図であ
るに の狭帯域光学フィルタ９０は、例えば第１図の波長選択
手段５０において回折格子５１に代えて光ソリトン発生
装置２０に設けられるものであり、例えば反射防止用の
背面傾斜を有するガラス基板９１を備え、そのガラス基
板９１の光入射面上には単一の誘電体層を積層してなる
誘電体多層膜９２が形成されている。

この第４の実施例では、レーザ４０で発生しレンズ５２
を介して誘電体多層膜９２に入射した光パルスＬｐは、
誘電体多層膜９２を透過することにより、所定の波長選
択を受けて、所望のスペクトル幅を有する光パルスＬｐ
がガラス基板９１の背面から反射することなく出射され
てレンズ５３を介して出力される。

この第４の実施例では、第１の実施例とほぼ同様の効果
が得へりると共に、損失の少ない波長選択が行えるとい
う利点が得られる。

なお、本発明は、図示の実施例に限定されず、種々の変
形が可能である。その変形例としては、例えば次のよう
なものがある。

（Ｉ）光ソリトン発生装置２０は、レーザ駆動部３０、
レーザ４０、波長選択手段５０、パルス幅圧縮手段６０
、及びレーザ光増幅手段７０の構成の変更や省略、ある
いは他の手段、素子、回路等の付加か可能である。その
−例としては次のようなものがある。

■　レーザ駆動部３０は、例えば利得スイッチングによ
りレーザ４０を駆動する場合の一構成例を示したもので
あり、レーザ４０の駆動方法及び構成等を変更すること
が可能である。例えば、シンセサイザ３１の発生波の変
更や、櫛状波を発生する櫛状波発生器３３を他の形状の
電気パルス列を発生するパルス発生器等にするなどの変
更が可能である。さらに、レーザ駆動部３０は、レーザ
４０の構成に応して、例えば光励起を行うためのし−サ
駆動部として構成したりしてもよい、；２　例えば、レ
ーザ４０は、ＩｎＧａＡｓＰＩｎＰ系以外の半導体材料
からなるＬＤで構成してもよいし、ＬＤ以外の半導体レ
ーザ、あるいは好適な半導体レーザ以外のレーザを用い
て構成することもできる。

■　波長選択手段５０は、回折格子５１、ファブリペロ
ーエタロン８０．８０Ａ、及び狭帯域光学フィルタ９０
等の構成の変更が可能であるし、他の手段、例えばプリ
ズム等で構成してもよい。

また、レンズ５２．５３の構成及び設置については変更
が可能である。

■　パルス幅圧縮手段６０は、分散シフトファイバ６１
以外の手段で構成してもよい。その−例としてＧＴ干渉
計を用いることが挙げられる。

このＧＴ干渉計としては、例えば、間隔ｄ隔てて対向配
置された２枚の平行平板を有し、一方の平行平板の対向
しない面を光入出力面としてその面に無反射膜（ＡＲコ
ート）を形成し、該一方の平行平板の他の面に反射膜（
反射率Ｒ）を形成すると共に、他方の平行平板の対向す
る面に高反射膜（）（Ｒヨー１〜）を形成したものを一
構成例として挙けることができる。

パルス幅圧縮手段６０としてこのＧＴ干渉計を用いた場
合には、光入出力面から入射光が入射すると、その入射
光はパルス圧縮が施されてその光入出力面から出射光と
して出射されるが、反射膜の反射率Ｒ及び間隔ｄ等を適
宜設定することにより、分散値の連続可変を容易に行う
ことができ、パルス幅圧縮における分散値の最適化を促
進できるという利点が得られる。

また、パルス幅圧縮手段６０は、波長選択手段３０にお
ける波長選択によるスペクトル幅の選択により十分ソリ
トン条件が満たされる場合や、そのスペクトル幅の選択
の際に、パルス幅の圧縮効果も同時に得られ、波長選択
手段５０により、ソリトン条件が満たされる場合には、
省略することが可能である。

■　レーザ光増幅手段７０は、その構成の変更が可能で
ある。例えば複数段接続された光ファイバアンプで構成
したりしてもよい。また、その増幅の度合いは、レーザ
４０の出力強度、波長選択手段う０による強度の低：戊
等に応じて光パルスＬｐの強度がソリトン条件を満たす
ように適宜設定される。

■　光アイソレータ７４は、必要に応して他の構成に変
更したり、省略したりできる。

■　波長選択手段５０、パルス幅圧縮手段６０、及びレ
ーザ光増幅手段７０は、その配置の順番の変更が可能で
ある。例えば、波長選択手段うＯかレーザ光増幅手段７
０の後段に配置されても構わない。

（ＩＩ）光ソリトン発生装置２０は、光フアイバ通信用
の光源以外にも、光ソリトンを用いるあらゆる技術分野
に適用が可能である。

（発明の効果） 以上詳細に説明したように、第１の発明によれば、レー
ザを光源として光ソリトンを発生させる光ソリトン発生
装置において、前記波長選択手段及びレーザ光増幅手段
を設けた。そのため、前記波長選択手段により、前記レ
ーザから発生しな光ハルスの波長選択を行え、ソリ［・
ン条件に応したスペクトル１福の選択を行える。前記レ
ーザ光増幅手段により、前記光パルスの強度をソリトン
条件に応して増幅できる。

従って、第１の発明によれは、前記レーザとして半導体
レーザ等を用いることかでき、それ（こより装置の小型
化、低価格化か可能で、かつ保守か容易であり、実用化
に適した光ソリトン発生装置を実現できる。

第２の発明によれば、第１の発明において、前記パルス
幅圧縮手段を設けたので、ソリトン条件に応して前記光
パルスのパルス幅の圧縮を行え、前記波長選択手段のス
ペクトル幅の選択と共働して、前記光パルスのパルス幅
及びスペクトルが前記ソリトン条件を満たすようにでき
る。従って、第２の発明では、第１の発明の効果に加え
て、例えば前記波長選択手段のスペクトル幅の選択のみ
では前記光パルスかソリトン条件を満たさないような場
合にも、そのパルス幅の圧縮により該光パルスに確実に
ソリトン条件を満足させることかて′きるという効果が
得られる。

第３の発明によれば、前記波長選択手段は、回折格子を
用いて構成したので、簡単な構成で高分解能を得ること
ができる。

第４及び第５の発明によれば、前記波長選択手段は、そ
れぞれファブリペローエタロン、狭帯域光学フィルタを
用いて構成したので、損失の少ない波長選択を実現でき
る。

第６の発明によれば、前記パルス幅圧縮手段は、分散値
がマイナスの光ファイバを用いて構成したので、簡単な
構成によりパルス幅圧縮効果が得られる。

第７の発明によれば、前記パルス幅圧縮手段は、ＧＴ干
渉計を用いて構成したので、最適なパルス幅圧縮効果が
得られるように設計（分散値の設定等）の最適化を図る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示す光ソリトン発生装
置の構成ブロック図、第２図は従来の光ソリトン発生装
置の構成フロック図、第３図は本発明の第２の実施例を
示す波長選択手段を構成するファブリペローエタロンの
構成図、第４図は本発明の第３の実施例を示す波長選択
手段を構成するファブリペローエタロンの構成図、第５
図は本発明の第４の実施例を示す波長選択手段を構成す
る狭帯域光学フィルタの構成図である。 ３０・・ル・−ザ駆動部、４０・・・レーザ、５０・・
・波長選択手段、５１・・・回折格子、６０・・・パル
ス幅圧縮手段、７０・・・レーザ光増幅手段、８０．８
０Ａフアブリペローエタロン、９０・・・狭帯域光学フ
ィルタ、Ｌｐ・・・光パルス、ＬＳ・・・光ソリトン。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、レーザを光源として光ソリトンを発生する光ソリト
   ン発生装置において、 前記レーザから発生した光パルスの発振波長を選択して
   ソリトン条件に応じたスペクトル幅の選択を行う波長選
   択手段と、 前記光パルスの強度を前記ソリトン条件に応じて増幅す
   るレーザ光増幅手段とを、 備えたことを特徴とする光ソリトン発生装置。 ２、請求項１記載の光ソリトン発生装置において、 前記光パルスのパルス幅を前記ソリトン条件に応じて圧
   縮するパルス幅圧縮手段を設けた光ソリトン発生装置。 ３、請求項１または２記載の光ソリトン発生装置におい
   て、 前記波長選択手段は、回折格子を用いて構成した光ソリ
   トン発生装置。 ４、請求項１または２記載の光ソリトン発生装置におい
   て、 前記波長選択手段は、ファブリペローエタロンを用いて
   構成した光ソリトン発生装置。 ５、請求項１または２記載の光ソリトン発生装置におい
   て、 前記波長選択手段は、狭帯域光学フィルタを用いて構成
   した光ソリトン発生装置。 ６、請求項２記載の光ソリトン発生装置において、 前記パルス幅圧縮手段は、分散値がマイナスのファイバ
   を用いて構成した光ソリトン発生装置。 ７、請求項２記載の光ソリトン発生装置において、 前記パルス幅圧縮手段は、Ｇｉｒｅｓ−Ｔｏｕｒｎｏｉ
   ｓ干渉計を用いて構成した光ソリトン発生装置。