JP3233178B2 - 所望の波長において高スペクトル密度を有する光源 - Google Patents
所望の波長において高スペクトル密度を有する光源Info
- Publication number
- JP3233178B2 JP3233178B2 JP30331493A JP30331493A JP3233178B2 JP 3233178 B2 JP3233178 B2 JP 3233178B2 JP 30331493 A JP30331493 A JP 30331493A JP 30331493 A JP30331493 A JP 30331493A JP 3233178 B2 JP3233178 B2 JP 3233178B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- light source
- spontaneous emission
- optical
- optical waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/25—Arrangements specific to fibre transmission
- H04B10/2507—Arrangements specific to fibre transmission for the reduction or elimination of distortion or dispersion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06795—Fibre lasers with superfluorescent emission, e.g. amplified spontaneous emission sources for fibre laser gyrometers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/10084—Frequency control by seeding
- H01S3/10092—Coherent seed, e.g. injection locking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
- H01S5/0608—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature controlled by light, e.g. optical switch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
- H01S5/06213—Amplitude modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/25—Arrangements specific to fibre transmission
- H04B10/2507—Arrangements specific to fibre transmission for the reduction or elimination of distortion or dispersion
- H04B10/2537—Arrangements specific to fibre transmission for the reduction or elimination of distortion or dispersion due to scattering processes, e.g. Raman or Brillouin scattering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/03—Suppression of nonlinear conversion, e.g. specific design to suppress for example stimulated brillouin scattering [SBS], mainly in optical fibres in combination with multimode pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0085—Modulating the output, i.e. the laser beam is modulated outside the laser cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0604—Crystal lasers or glass lasers in the form of a plate or disc
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0627—Construction or shape of active medium the resonator being monolithic, e.g. microlaser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094003—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light the pumped medium being a fibre
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0085—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for modulating the output, i.e. the laser beam is modulated outside the laser cavity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/065—Mode locking; Mode suppression; Mode selection ; Self pulsating
- H01S5/0651—Mode control
- H01S5/0652—Coherence lowering or collapse, e.g. multimode emission by additional input or modulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4006—Injection locking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
ム、特にAMまたはその他の情報信号を伝送するのに使
われる、例えば光ファイバ−中の非線形状態を減少させ
るのに有効な光源に関するものである。
されており、例えば電話システムでは、現在光ファイバ
−技術を利用して遠距離へ音声およびデ−タ信号を送っ
ている。同じくケ−ブルテレビジョン網もアナログおよ
びデジタル信号の両者を光ファイバ−技術を適用して送
信している。
ファイバ−を通じて送信するためには、光ビ−ム(搬送
波)を情報信号で変調しなければならない。その後この
変調搬送波を光ファイバ−を経て受信機に送信するので
ある。高出力レベルでシリカファイバ−はファイバ−を
横切る局所的な電界およびファイバ−材質の相互作用に
よる非線形状態を現す。この非線形状態はまたファイバ
−長が増すにつれて、性能の累積的変化を伴い、ファイ
バ−長に基因して出現する。
る非線形状態は4波混合,ブリルアン利得,ラマン利得
である。これらの相互作用の強さは適用する場のスペク
トル密度によっている。光信号の出力はまた非線形状態
のきびしさを決めるファクタ−でもある。
ベルのしきい値以下に現れる。臨界出力密度レベルの始
まりで、出力は波長内で進行波と材質間に非線形相互作
用によりシフトされる。光ファイバ−は小さな断面にパ
ワ−が集中するので、控え目な絶対パワ−レベルでこれ
らの効果がはっきりと起こるためには、大きな場が必要
である。信号を遠距離に伝送するためには、これらの非
線形性状態は送信すべきパワ−レベルの上限を決めるこ
とになる。
ミト(Y.Aoki, K.Tajima, I.Mi
to),“光通信システムにおいてシュミレ−トされた
ブリルアン散乱による単一モ−ド光ファイバ−の入力パ
ワ−制限”,IEEE Journal of Lig
htwave Technology,1988年5
月,pp.710〜727およびアグラワル,ゴビン
P.(Agrawal,Govind P),“非線形
性ファイバ−光学”,Academic Press,
ISBN 0−12−045140−9を参照された
い。光ファイバ−での非線形性状態は通常のアナログテ
レビジョン信号放送に使われている振幅変調(AM)信
号の送信に特に厄介な問題となる。
SB−AM)テレビジョン信号のような情報信号の送信
用の光ファイバ−中の非線形状態を減少させる技術を提
供することは有益なことであろう。本発明は、例えば光
搬送波を出力するレ−ザ−のライン幅を広げるのに有効
な自然放出光源を提供するもので、この搬送波は光ファ
イバ−網を通じて情報信号を伝送するために利用でき
る。
高出力レベルで伝送するために使用する光ファイバ−中
の非線形状態を減少させる自然放出光源を提供するもの
である。 本発明ではレ−ザ−出力信号が供給され、こ
の信号のライン幅は拡張され、光信号として供給され
る。
で外部変調され、受信機へ送信するために光ファイバ−
回路に接続される。レ−ザの縦モ−ドのライン幅を拡げ
るため縦モ−ドを有する光信号を出力するようにレ−ザ
−空洞が設けられている。レ−ザ−空洞の励起波長かま
たはこの近辺の波長で過剰自然放出光源とするため、能
動媒質をポンプレ−ザ−で励起させる。前記モ−ドのラ
イン幅を広げるため放出源からの過剰自然放出光がレ−
ザ−空洞に注入されている間、ポンプレ−ザ−で励起す
るのである。図示した実施例では、自然放出光源を通じ
てポンプレ−ザ−から受け取ったエネルギ−でレ−ザ−
空洞が励起されている。
光搬送波を供給するために自然放出光源を利用する例を
示してある。レ−ザ−空洞が縦モ−ドの光信号を出力
し、レ−ザ−空洞に接続された出力部を持つ活性化メデ
ィアが、空洞中にモ−ドの波長かまたはその近辺の波長
で自然放出光源を注入するために備えられている。光信
号を発生させるためレ−ザ−空洞を同時にポンピングし
ている間、自然放出光源を発生させるための活性化メデ
ィアをポンピングするポンプレ−ザ−が設けられてい
る。この方法でレ−ザ−空洞中の自然放出光源はモ−ド
の有効ライン幅を拡げることができる。
レ−ザ−空洞に対するポンピングエネルギ−と一緒に注
入する例を示してある。活性化メディアにはレ−ザ−空
洞、例えばポンプレ−ザ−とレ−ザ−空洞間に直列に接
続された格子とゲインメディアが含まれる。
信号を供給するためのレ−ザ−装置は光サ−キュレ−タ
の第1の部分に光信号を出力するレ−ザ−空洞で構成さ
れている。光サ−キュレ−タの第2の部分に接続された
出力部を持つ自然放出光源の手段が、光信号の縦モ−ド
の波長かまたはその近辺の波長の自然放出光源を光サ−
キュレ−タの第1の部分を経てレ−ザ空洞中に注入す
る。
光源により拡げられた前記モ−ドの有効ライン幅を持っ
た光信号を出力する。レ−ザ−空洞は光サ−キュレ−タ
の第1部分に接続された第1の端部と第3の部分に接続
された第2の端部を持つ環状レ−ザ−中に含まれてい
る。更に装置には拡げられた有効ライン幅を伴う光信号
を出力するため、環状レ−ザ−に接続された光結合器が
含まれる。
のに、半導体レ−ザ−が使われている。 光信号を増幅
するためレ−ザ−の出力部と直列に光増幅器が接続され
ている。 増幅器には、光信号の縦モ−ドの波長かまた
はその近辺の波長で自然放出光源を発生させるための手
段が含まれている。増幅器はレ−ザ−出力に自然放出光
源を注入し、このためモ−ドの有効ライン幅が広がる。
レ−ザ−出力中に注入される自然放出光源の少なくとも
一特性を選ぶため、光学フィルタ−がレ−ザ−と光増幅
器の間に直列に接続されている。例えばこのフィルタ−
は放出光の強さとスペクトル特性を選定することができ
る。
力信号を供給するためマイクロチップまたは固体レ−ザ
−を使ったものがある。レ−ザ−は光信号を出力するた
めポンプエネルギ−に対応する。光信号の縦モ−ドの波
長かまたはその近辺の波長で自然放出光源を発生させる
手段が備わっており、この出力はマイクロチップレ−ザ
−に入力するためにポンプエネルギ−と結合させられ
る。レ−ザ−に入力した自然放出光源はモ−ドの有効ラ
イン幅を広げる役目をする。
放出光源源もまた提供されており、格子及び活性化メデ
ィアを含む導波管の光経路で構成されている。光エネル
ギ−は光経路中の格子及び能動媒体を横切り通過する。
光エネルギ−は、格子で定まる波長で光経路から自然放
出光源を出力させるためにレ−ジングなしで能動媒体を
刺激する。格子は光経路の能動媒体の部分に位置してい
る。望ましい実施例として、能動媒体は、光ファイバ−
の稀土類ド−ピングした部分で構成されたものがよく、
導波経路は半導体またはシリカ基質が望ましい。実施例
では、シリカ基板のプレ−ナ導波管が開示されている。
ベルの時に光信号スペクトル密度によって現れる非線形
状態を減少させるのに使用する自然放出光源を提供する
ものである。この非線形状態は、比較的高パワ−レベル
でのAM通信信号の伝送を可能ならしめるレベルまで減
少させる。現在通信用のハイパワ−固定レ−ザ−即ち半
導体レ−ザ−は30ミリワットぐらいのオ−ダ−の信号
を発生させる。このようなレ−ザの出力は速いペ−スで
増えており、将来的には出力は4ワットぐらいのオ−ダ
−のものが商品化されると期待されている。この程度の
よりハイパワ−のレ−ザ−が通信の目的のために使われ
るようになるのも、それほど遠い将来ではないのであろ
う。
の経路(例えば樹枝状配信網)に分割出来て有利であ
る。加えてハイパワ−のために信号の増幅の必要がな
く、より遠くへ送信でき、通信システムのコストが減少
できる。4波混合及びブリルアン利得のような非線形結
果はケ−ブルテレビジョン網へ送信されるテレベジョン
信号のようなAM信号に対し、コスト面で有効なハイパ
ワ−光通信システムが与える効果を妨げることになる。
出力のAM信号の非線形状態に打ちかったために、本発
明はファイバ−の非線形性の状態を減少させるために搬
送波の光源(例えばレ−ザ−)の有効ライン幅を拡げて
いる。光学ライン幅を広げることで信号のスペクトル密
度が減少し、同一パワ−でより広範囲に配信が出来るよ
うになる。一例をあげるとブリルアン利得のしきい値は
数1の比で減少する。
性を誘導する光学的場のライン幅)で、ΔνB はブリル
アン利得のゲイン帯域幅である。通常の単一モ−ドファ
イバ−ではΔνB は約100MHzで、変調された分布
帰還形(DFB)レ−ザ−ではΔνP は10GHzまた
はそれ以上のオ−ダ−である。持続波(CW)レ−ザ−
と外部変調器がポンプレ−ザ−として備えられていると
きは、特定のレ−ザ−源によっては数KHz程度に小さ
くすることが可能である。このため使用されるレ−ザ−
の型式によって広範囲のΔνP が存在することになる。
Mシステムでは、ほぼ95%の光パワ−がνo でνp 内
に集中する。ここでνo は非線形ポンプの光学周波数で
ある。通常の約100MHzのブリルアン利得の単一モ
−ドファイバ−に対しては、2KHzのライン幅のレ−
ザ−はゲイン数1=1となる。
ては数1=0.016であるので、ブリルアン利得は2
KHzのライン幅のレ−ザ−よりも高い。
ば100MHzから300MHzの帯域幅のホワイトノ
イズ)または周期関数(例えば正弦波)により駆動され
る光学角度変調器、例えば周波数または位相変調によ
り、効果的に光学ライン幅を増やして実施することがで
きる。レ−ザ−空洞に過剰の自然放出光を注入すること
で信力信号の光学ライン幅を拡張することもまた使われ
ている。
学周波数νo の光スペクトル12を発生している。レ−
ザ−出力信号の狭いライン幅は端子16で光変調器14
に入力する広帯域幅の電気ノイズで変調されることによ
り拡げられるのである。光変調器14から出力するスペ
クトル18は十分に拡げられたライン幅Δを備えてい
る。この光信号は光学周波数νo のところに中心があ
り、ファイバ−回路網24を通して通常の受信機26に
情報信号を伝送する光送信波とされる。
部変調器20が備えられており、この変調器は例えばマ
ッハ- ツェンダ−変調器のような電気光学的要素で構成
されている。外部光変調器は周知の技術で、例えばS.
E.ミラ−,T.リ−,及びE.A.J.マ−キャッチ
ィリ(S.E.Miller, T.Li, and
E.A.J.Marcatili),“光ファイバ−送
信システムに関する研究”,Proc. IEEE,
Vol.61,pp.34〜35,1973年12月,
を参照してもらいたい。
信号のようなRF- AM信号は同軸ケ−ブルを経て端子
22で外部変調器20に入力する。AM変調された光搬
送波はそれからファイバ−網を通して受信機26で受信
される。
調器のいずれかから構成されている。変調器14からの
信号出力のライン幅は電気ノイズの帯域幅および(また
は)光変調器の変調係数をコントロ−ルすることによっ
て選定されている。本発明で使われている光位相変調器
は市販されているもので、例えばパロ・アルト,カリフ
ォルニアのクリスタル・テクノロジ−(Crystal
Technology)のモデルPM315変調器、
及びウィルミントン,デラウエアのBT&Dより販売さ
れているモデル10C 1000変調器等である。
位相変調器を現実に採用することには難点があり、もし
も反射が少しでもあれば位相変調器はファブリ- ペロ−
干渉計として働き望ましくない振幅ノイズ即ち相対強度
ノイズ(RIN)を誘導する。近年ニオブ酸リチウムが
実質的に理想的な位相変調を行うことが報告されてい
る。
tky, et al),“調節可能のチャ−プパラメ
−タを備えた高速、低出力光学変調器”,Integr
ated Photonics Research C
onference, Paper TuG2,199
1年4月9〜11日,モンテレ−,カリフォルニアを参
照してもらいたい。かかる変調器は図1の様に広帯域電
気ノイズ源を使ってライン幅を広げるのであるが、一方
図2の実施例のように正弦波を利用してライン幅を広げ
ることも可能である。
31の光出力信号を発生し、位相変調器32で供給源3
4からの正弦波のような周期関数で変調される。この変
調によってモ−ド31の有効ライン幅は点線33で示す
ように拡げられ、正弦波変調の当初の側波帯成分間に拡
張される。このため位相変調器32に入力する周期関数
が正弦波であれば、モ−ド31の有効ライン幅は拡げら
れる。技術上はモ−ド31の実際の幅は狭いままで残っ
ているけれども、その有効ライン幅は正弦波変調によっ
て生ずる周波数信号によって増大するのである。
変調20と同じ外部変調器36に接続される。外部変調
器に入力する情報信号がファイバ−回路40を経て受信
機42へ情報を伝送するため光信号を変調する。
が発生源52により供給される正弦波のような周期関数
で直接変調される実施例である。DFBレ−ザ−の変調
により光学ライン幅が拡げられ、コヒ−レンスが減少さ
れる。ケ−ブルテレビジョンへの応用に対する光搬送波
はRFサインウェ−ブでDFBレ−ザ−を直接変調する
ことで供給される。レ−ザ−の出力はサインウェ−ブ変
調で前後に掃引する縦モ−ドを持った光信号から構成さ
れている。
入力周期関数の周波数で設定された境界の間をゆれ動い
ているのである。この効果は平均のライン幅が拡げら
れ、高出力動作のもとで、システムのブリルアンしきい
値を減少させるため拡大された出力信号を供給すること
である。減少したコヒ−レンス長がビ−トノイズ劣化に
対するシステムのかかりやすさを減少できる効果をつけ
加えることができる。直接変調のDFBレ−ザ−ではビ
−トノイズ劣化がシステムに相対強度ノイズ(RIN)
が増えるにつれてシステム内ではっきりしてくる。標準
的な外部変調VSB−AMシステムではビ−トノイズ劣
化がRF搬送波の位相ノイズ中に増えてくる。
器54及び60が図示されており、これは外部変調器5
6の入力及び出力端にそれぞれ備えられている。図1及
び図2の実施例の様に変調器56は、情報信号が同軸ケ
−ブルを経て端子58で入力するマッハ- ツェンダ−型
式の変調器で構成されており、情報はファイバ−回路網
62を経て受信機63へ通常の方法で運ばれる。
ることで縦波モ−ドのライン幅を拡げることが可能であ
る。このようなシステムの種々の配置を図4から図9に
示してある。半導体およびシリカ基板上に設けた自然放
出源の例を図10および図11に示してある。図4から
図9のいずれの放出源も図10および図11に図示した
いずれの放出源と置換することができる。図4は直線状
の例で、エルビウム・ファイバ−レ・レ−ザのライン幅
が、レ−ザ−空洞中に過剰な自然放出光が注入されるこ
とを経て増大するのである。格子72と光アイソレ−タ
76の間の活性化ファイバ−74がレ−ザ−空洞80に
よって供給されるレ−ジング波長かまたはその近くの波
長で過剰の自然放出光を発生させる。
8で決まり、活性化ファイバ−はアイソレ−タの後方反
射が非常に低い値なので励起することはない。このため
格子72からアイソレ−タ76に延びるエルビウムファ
イバ−は、ポンプレ−ザ70によりポンピングされてい
るとき、アイソレ−タ76を経てレ−ザ−空洞80中に
自然放出光のための自然放出光源となるのである。また
ポンプレ−ザ70からの非吸収ポンプパワ−はアイソレ
−タ76を経てレ−ザ−空洞80を刺激するために伝え
られる。
4の間に位置を決められているエルビウムファイバ−レ
−ザ−をポンピングする。このような設計はレ−ジング
波長から離れた波長で自然放出光を導くことに対しては
最も効率的ではあるが、レ−ジング波長(即ち格子78
により決まる波長)かまたはその近くの波長における自
然放出光は、もし格子78が比較的多量の放出源からの
自然放出光量を通過させるように反射率を選んで供給で
きるのである。
で50%のオ−ダ−であればこのような結果になる。レ
−ザ−空洞内でのモ−ド選定は、レ−ザ−空洞内に設置
された狭域ファブリ- ペロ−のような通常の手段82で
行われる。モ−ド選定の特別な方法は米国特許出願中の
No.07/770,762,1991年10月9日に
詳説されている。モ−ド選定後、レ−ザ−空洞80から
の光は光アイソレ−タ86を通り、情報信号に対する外
部変調器に出力される。
出光を結合するのに光サ−キュレ−タ100が使用され
ている。自然放出光源とレ−ザ−が空洞の両者のために
同一のポンプレ−ザ−が使われていた図4の実施例とは
異なり、図5の実施例では別々のポンプレ−ザ−が備え
られている。ポンプレ−ザ−90はファイバ−レ−ザ−
94を刺激するのに使われている。格子92はレ−ジン
グ波長を定めるのに使われ、通常のモ−ド選定装置96
は望みの縦モ−ドを選定する。レ−ザ−空洞は格子92
と反射器98の間に延びており、出力は光サ−キュレ−
タ100の第1入力部102に接続されている。
バ−114を刺激させる。格子112は自然放出光の波
長を選定する。自然放出光は光サ−キュレ−タ100の
第2入力部104に入力する。自然放出光は光サ−キュ
レ−タ100の第1入力部102から自然放出波長を通
す反射器98を経てレ−ザ−空洞94に帰還される。そ
の結果生成した拡張された光信号は光サ−キュレ−タの
出力部から光アイソレ−タ108に出力される。光サ−
キュレ−タ自然放出光をレ−ザ−空洞に結合するのには
効率的な方法である。
使用する実施例を示してある。ポンプレ−ザ−120が
レ−ザ−空洞を刺激するためには設けられており、この
エネルギ−は波長分割マルチプレクサ122を経て環状
空洞に接続されている。例えばエルビウム・ド−ピング
・ファイバ−のような活性化レ−ザ−141がマルチプ
レクサ122とモ−ド選定器124の間に延びており、
自然放出光源142は自然放出光の波長を決める格子1
44を備えたエルビウムファイバ−線である。
然放出光を発生させるためポンプレ−ザ−148が備え
られている。自然放出光の出力は光サ−キュレ−タ12
6の入力部130に接続されており、128部を経てレ
−ザ−空洞140に注入される。その結果としてレ−ザ
−出力信号は128部を経てサ−キュレ−タ126に入
り132部より出力される。光結合器がレ−ザ−信号を
光アイソレ−タ138を経て出力させるのに使われてい
る。レ−ザ−環状空洞内に光アイソレ−タ136が通常
の方法で取り付けられている。
てあり、ここでポンプレ−ザ−150がレ−ザ−空洞1
56をポンピングし、モ−ド選定は通常の装置154で
行われる。光サ−キュレ−タ158が162部を経て放
出源168からの自然放出光を受ける。放出源にはポン
プレ−ザ−172,格子170,及びエルビウム・ド−
ピング・ファイバ−のような活性化ファイバ−167が
含まれている。レ−ザ−空洞156にはモ−ド選定器と
光サ−キュレ−タ158間にエルビウムファイバ−のよ
うな活性化ファ−バ−155が含まれている。
レ−タ158の160部に入力し164部を経て光結合
器152及び光アイソレ−タ166を経て出力する。自
然放出光はまた半導体レ−ザ−信号のライン幅を拡げる
のにも使うことができる。図8は実施例で、光増幅器か
らの自然放出光が半導体レ−ザ−180に注入される。
本例ではオプションとしての光学フィルタ182が設け
られており、レ−ザ−に戻る自然放出光の大きさとスペ
クトル特性を選定している。レ−ザ−180に自然放出
光を注入することにより前述の様にラインが広くなり、
レ−ザ−で発生された光信号は光アイソレ−タ186を
経て出力される。
プレ−ザ−もまた本発明に使用することが出来る。この
ようなシステムの一例を図9に示してある。エルビウム
・マイクロチップ・レ−ザ−196がエルビウムとイツ
テルビウム(Yb3+)とで一緒にド−ピングされてお
り、そのため1.06μmでポンプレ−ザ−190によ
りポンピングされるのを容易にしている。ポンピングエ
ネルギ−は通常の手法でレンズ194を経てマイクロチ
ップレ−ザ−196に接続されている。
2,格子204,及びエルビウムファイバ−線のような
活性化ファイバ−205が含まれている。他の例の様に
格子204が自然放出光の波長を決めるのである。この
放出光は波長分割マルチプレクサ192を経てマイクロ
チップレ−ザ−の入力に接続されている。マイクロチッ
プレ−ザ−の波長はチップの表面の塗布、またポンプレ
−ザ−のスポットの大きさを調節したりする周知の手法
でコントロ−ルできる。
高反射率及び1.06μmで透過率が高く、この場合レ
−ザ−の出力側表面197を塗布すると1.06μmで
高反射率で1.5μmで低透過率を示す。レ−ザ−19
6からの拡大されたモ−ドはレンズ198,光ファイバ
−199,及び光アイソレ−タ200を経て出力され
る。
要な自然放出光を発生させ、図4ないし図9までのいず
れにも利用可能な自然放出光源を図示してある。この実
施例では、放出源210は、その中に含まれている導波
管214を具えた半導体基板212で構成される光学的
集積回路として機能しているのである。導波管部分中の
格子216により放出光の波長が決定される。基板21
2は、例えばニオブ酸リチウムで、例えばフォトリトグ
ラフ法による局部ド−ピングを行い、集積化導波管とし
て使用される。導波管は、エルビウムのような稀土類材
で形成されており、基板212の表層にイオン移植また
は内部拡散により稀土類材でド−ピングし、集積化導波
管の光経路を構成している。
ラッド224内に集積化された光導波路226が形成さ
れており、自然放出光源の別の実施例が図示されてい
る。放出源220の光導波路226は、稀土類元素のよ
うな活性媒体でド−ピングされている。導波路内の格子
228により導波管から出力される放出光の波長が決ま
る。活性媒体を含んだ導波路は、その一端230でポン
ピングされ、その結果他端から自然放出光を出力する。
レ−ザ−のような通常の励起源がデバイスをポンピング
するのに使用されている。 ポリマ−フィルムのような
ポリマ−もシリカ基板222およびまたはクラッド22
4の代わりに利用することも可能である。
管は周知の技術により組み立てられている。このような
技術の例としては、P.ベッカ−等(P.Becke
r,et al,)の 「エルビウムをド−ピングした
集積化光学増幅器およびニオブ酸リチウム中のレ−ザ
−」(Optical Amplifiers and
Their Applications, 1992
TechnicalDigest Series, v
ol.17,pp. ThB4−4, 1992年6月
24−26日,サンタフェ、ニュ−メキシコ(集積化光
導波管および半導体基板))およびT.キタガワ等の
「エルビウムをド−ピングしたシリカ基板のプレ−ナ光
回路」(Optical Amplifiers an
d Their Applications, Pos
tdeadline Papers,PD1,pp.1
−4,1992年6月24日−26日,サンタフェ、ニ
ュ−メキシコ(フレ−ム加水分解析出および反応性イオ
ンエッチングによりシリカ基板上に組まれた導波管))
がある。
ン幅を持った出力信号を供給できる。これらの信号はマ
ッハ- ツェンダ−変調器のような外部変調器を使って情
報信号で信号を変調することによって、通信システムで
光変調波として有利に利用できる。本発明の広いライン
幅の光源はブリルアン利得から受けるいかなる変調フォ
−マットにも適用できる。
ステムが使用されているが、本発明の考えはネオジムシ
ステムを含むがこれに限定されず、その他のレ−ザ−シ
ステムに適用できることは明らかであろう。本発明の拡
張された光信号は通信システムのブリルアンしきい値を
減少させ、送出パワ−をより高出力にでき、そのため光
回路網の予算がより大きく節約できる。この有利性はV
SB−AM信号を使用するケ−ブルテレビジョン向けの
通信システムで有用である。
げることで、回路網中の非線形状態を減少する技術を提
供するものであることが明確になったと思う。実施例の
一つでは、光変調器を使用して広帯域電気ノイズでレ−
ザ−出力を変調することによりその光学ライン幅を拡げ
ている。このことはファイバ−の非線形性を減少させる
ためにライン幅を拡げたことになる。かかる非線形性に
は4波混合,ブリルアン利得,ラマン利得が含まれる。
数を利用してレ−ザ−を外部でまたは直接変調してライ
ン幅を拡げ、またはレ−ザ−空洞中に自然放出光を注入
して拡張した光信号を得ている。各種の変調フォ−マッ
トがVSB−AM,FM,PM,及びデジタルシステム
を含めて拡張されたライン幅源から利益を得ることにな
る。
密度に基因するファイバ−の非線形状態を減少させるの
に有効である。この結果送出パワ−がより高出力で供給
できる。本発明を特定の実施例と共に詳述してきたが、
当業者ならば特許請求の範囲の本発明の真意及び範囲か
ら離脱することなく、数々の改善及び応用がはかること
ができると思われる。
り、光搬送波を出力するレ−ザ−のライン幅を広げるの
に有効な自然放出光源を可能とし、この搬送波は光ファ
イバ−網を通じて情報信号を伝送するために利用でき
る。すなわち光ファイバ−における非線形性状態を減少
させて、例えば高出力レベルにおけるAM残留側波帯
(VSB−AM)テレビジョン信号のような情報信号の
光ファイバ−による送信を良好適切に行うことができ
る。
の第1の実施例の装置を示した構成図である。
周期関数を使用する本発明の第2の実施例の装置の構成
図である。
−を変調する本発明の第3の実施例の構成図である。
然放出光源に使用する本発明の第4の実施例の装置の構
成図である。
出光源に接続する本発明の第5の実施例の構成図であ
る。
出光源を接続する光サ−キュレ−タに使用する本発明の
第6の実施例の構成図である。
装置の実施例である。
出光を注入するのに光増幅器を使用する本発明の第8の
実施例の装置の構成図である。
ップレ−ザ−に入力する本発明の第9の実施例の装置の
構成図である。
れている自然放出光源の透視図である。
れている自然放出光源の透視図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 広いライン幅を有する出力信号を供給す
る光源であって、縦モ−ドを有して光信号を出力するレ−ザ−と 、前記縦モ−ドの近傍で自然放出光を生成するための自然
放出光源とからなり、 前記自然放出光源は 、半導体基板内に集積されて形成された光学導波路と 、 前記光学導波路に設けられた格子と、 前記光学導波路に設けられた能動媒体と、 前記格子および能動媒体を横断して光エネルギ−を通過
させる手段と、を具えることにより、 前記光エネルギ−が格子により定められた波長で前記光
学導波路からレ−ジングなしで自然放出光を出力すべく
前記能動媒体を励起させており、さらに、レ−ザ−外部に設けられ自然放出光源から前記
レ−ザ−へ出力された自然放出光を入力するための手段
を具備して 、前記レ−ザ−に入力された自然放出光が前記縦モ−ドの
ライン幅を効果的に増加するようにしたことを特徴とす
る光源 。 - 【請求項2】 特許請求項1において、前記格子は前記
光学導波路における能動媒体にあることを特徴とする光
源。 - 【請求項3】 前記能動媒体は、前記半導体基板の稀土
類元素をド−ピングした部分からなることを特徴とする
請求項1または2いずれか記載の光源。 - 【請求項4】 広いライン幅を有する出力信号を供給す
る光源であって、光信号を出力するためのレ−ザ−と 、前記光信号の縦モ−ドの波長近傍で自然放出光を生成す
るための自然放出光源とからなり、 前記自然放出光源は 、半導体基板内に集積されて形成された光学導波路と 、 前記光学導波路に設けられた格子と、 前記光学導波路に設けられた能動媒体と、 前記格子および能動媒体を横断して光エネルギ−を通過
させる手段と、 を具えることにより、 前記光エネルギ−が格子により定められた波長で前記光
学導波路からレ−ジングなしで自然放出光を出力すべく
前記能動媒体を励起させており、さらに 、レ−ザ−外部に設けられ自然放出光源から前記
レ−ザ−へ出力された自然放出光を入力するための手段
を具備して、前記レ−ザ−に入力された自然放出光が前記縦モ−ドの
ライン幅を効果的に増加するようにしたことを特徴とす
る光源 。 - 【請求項5】 特許請求項4において、前記格子は前記
光学導波路における能動媒体であることを特徴とする光
源。 - 【請求項6】 前記能動媒体は、前記半導体基板の稀土
類元素をド−ピングした部分からなることを特徴とする
請求項4または5いずれか記載の光源。 - 【請求項7】 前記光学導波路は、プレ−ナ導波管から
なることを特徴とする請求項4ないし6いずれか記載の
光源。 - 【請求項8】 前記基板は、シリカ基板であることを特
徴とする請求項4ないし7いずれか記載の光源。 - 【請求項9】 前記基板は、ポリマ−基板であることを
特徴とする請求項4ないし7いずれか記載の光源。 - 【請求項10】 請求項1において、前記レ−ザ−は、
前記光エネルギ−に応答して前記光信号を出力するとと
もに、レ−ザ−外に設けられた前記入力手段は自然放出
光と前記光エネルギ−とを結合してレ−ザ−に入力する
ようにしたことを特徴とする光源。 - 【請求項11】 請求項1において、前記格子は、前記
光学導波路の能動媒体にあるとともにレ−ザ−外に設け
られた前記入力手段は自然放出光と前記光エネルギ−と
を結合してレ−ザ−に入力するようにしたことを特徴と
する光源。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/974,185 US5295209A (en) | 1991-03-12 | 1992-11-10 | Spontaneous emission source having high spectral density at a desired wavelength |
US07/974,185 | 1992-11-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06317823A JPH06317823A (ja) | 1994-11-15 |
JP3233178B2 true JP3233178B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=25521709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30331493A Expired - Fee Related JP3233178B2 (ja) | 1992-11-10 | 1993-11-10 | 所望の波長において高スペクトル密度を有する光源 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5295209A (ja) |
EP (1) | EP0597436A1 (ja) |
JP (1) | JP3233178B2 (ja) |
CA (1) | CA2102644C (ja) |
TW (1) | TW243564B (ja) |
Families Citing this family (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5434876A (en) * | 1992-10-23 | 1995-07-18 | At&T Bell Laboratories | Article comprising an optical waveguide laser |
US5365538A (en) * | 1992-10-29 | 1994-11-15 | The Charles Stark Draper Laboratory Inc. | Slab waveguide pumped channel waveguide laser |
GB2281670B (en) * | 1993-09-01 | 1998-01-28 | Northern Telecom Ltd | WDM optical communication system |
US5351324A (en) * | 1993-09-10 | 1994-09-27 | The Regents Of The University Of California, Office Of Technology Transfer | Fiber optic security seal including plural Bragg gratings |
US5485481A (en) * | 1994-06-28 | 1996-01-16 | Seastar Optics Inc. | Fibre-grating-stabilized diode laser |
US5473625A (en) * | 1994-09-26 | 1995-12-05 | At&T Corp. | Tunable distributed Bragg reflector laser for wavelength dithering |
US5566381A (en) * | 1995-03-02 | 1996-10-15 | Lucent Technologies Inc. | Multifrequency lightwave source using phase modulation for suppressing stimulated brillouin scattering in optical fibers |
NO302441B1 (no) * | 1995-03-20 | 1998-03-02 | Optoplan As | Fiberoptisk endepumpet fiber-laser |
US9191117B2 (en) * | 1995-05-11 | 2015-11-17 | Ciena Corporation | High-speed optical transponder systems |
US6233077B1 (en) | 1995-05-11 | 2001-05-15 | Ciena Corporation | Remodulating channel selectors for WDM optical communication systems |
US5504609A (en) * | 1995-05-11 | 1996-04-02 | Ciena Corporation | WDM optical communication system with remodulators |
JP3460840B2 (ja) * | 1995-06-02 | 2003-10-27 | 松下電器産業株式会社 | 光素子、レーザ光源及びレーザ装置並びに光素子の製造方法 |
US5828477A (en) * | 1995-11-16 | 1998-10-27 | Harmonic Lightwaves, Inc. | Multi-tone phase modulation for light wave communication system |
EP0784362B1 (en) * | 1996-01-12 | 2003-03-26 | Corning O.T.I. S.p.A. | Rare-earth doped lithium niobate DBR laser |
US5798858A (en) * | 1996-02-01 | 1998-08-25 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for reducing adverse effects of optical beat interference in optical communication systems |
JPH09325227A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Fujikura Ltd | 光導波路グレーティング |
US5949934A (en) * | 1996-04-05 | 1999-09-07 | Fujikura, Ltd. | Optical waveguide grating and production method therefor |
US6052393A (en) | 1996-12-23 | 2000-04-18 | The Regents Of The University Of Michigan | Broadband Sagnac Raman amplifiers and cascade lasers |
US5963567A (en) * | 1997-02-13 | 1999-10-05 | Lucent Technologies, Inc. | Multi-wavelength laser source |
WO2005022705A2 (en) * | 1997-03-21 | 2005-03-10 | Imra America, Inc. | High energy optical fiber amplifier for picosecond-nanosecond pulses for advanced material processing applications |
US5878071A (en) * | 1997-03-26 | 1999-03-02 | Lucent Technologies Inc. | Fabry-perot pulsed laser having a circulator-based loop reflector |
GB2327546A (en) * | 1997-07-18 | 1999-01-27 | Northern Telecom Ltd | Optical frequency channel assignment plan and filtering technique to support it |
US6374006B1 (en) * | 1998-03-20 | 2002-04-16 | Xtera Communications, Inc. | Chirped period gratings for raman amplification in circulator loop cavities |
US6600592B2 (en) | 1998-03-24 | 2003-07-29 | Xtera Communications, Inc. | S+ band nonlinear polarization amplifiers |
US6760148B2 (en) | 1998-03-24 | 2004-07-06 | Xtera Communications, Inc. | Nonlinear polarization amplifiers in nonzero dispersion shifted fiber |
US6631025B2 (en) | 2000-01-12 | 2003-10-07 | Xtera Communications, Inc. | Low-noise distributed Raman amplifier using bi-directional pumping using multiple Raman orders |
US6356384B1 (en) | 1998-03-24 | 2002-03-12 | Xtera Communications Inc. | Broadband amplifier and communication system |
US6693737B2 (en) | 1998-03-24 | 2004-02-17 | Xtera Communications, Inc. | Dispersion compensating nonlinear polarization amplifiers |
US6885498B2 (en) | 1998-06-16 | 2005-04-26 | Xtera Communications, Inc. | Multi-stage optical amplifier and broadband communication system |
US6618192B2 (en) | 1998-06-16 | 2003-09-09 | Xtera Communications, Inc. | High efficiency raman amplifier |
US6359725B1 (en) | 1998-06-16 | 2002-03-19 | Xtera Communications, Inc. | Multi-stage optical amplifier and broadband communication system |
US6574037B2 (en) | 1998-06-16 | 2003-06-03 | Xtera Communications, Inc. | All band amplifier |
US6335820B1 (en) | 1999-12-23 | 2002-01-01 | Xtera Communications, Inc. | Multi-stage optical amplifier and broadband communication system |
JP5069825B2 (ja) | 1998-06-16 | 2012-11-07 | エクステラ コミュニケイションズ インコーポレイテッド | 分散、利得傾斜、及び帯域ポンピング非線形性の光ファイバーの補償 |
US6192058B1 (en) * | 1998-09-18 | 2001-02-20 | Sarnoff Corporation | Multiwavelength actively mode-locked external cavity semiconductor laser |
US6567430B1 (en) | 1998-09-21 | 2003-05-20 | Xtera Communications, Inc. | Raman oscillator including an intracavity filter and amplifiers utilizing same |
US6330388B1 (en) | 1999-01-27 | 2001-12-11 | Northstar Photonics, Inc. | Method and apparatus for waveguide optics and devices |
US6795477B1 (en) * | 1999-08-12 | 2004-09-21 | Cortek Inc. | Method for modulating an optically pumped, tunable vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) |
WO2001035539A2 (en) * | 1999-10-27 | 2001-05-17 | California Institute Of Technology | Opto-electronic devices for processing and transmitting rf signals based on brillouin selective sideband amplification |
CA2326980A1 (en) * | 1999-12-02 | 2001-06-02 | Jds Uniphase Inc. | Low cost amplifier using bulk optics |
RU2163048C1 (ru) * | 2000-01-24 | 2001-02-10 | РЕЙТЭК Лазер Индастрис Лтд. | Источник излучения на основе лазерных диодов |
US6760509B2 (en) | 2000-02-14 | 2004-07-06 | The Regents Of The University Of Michigan | SNR booster for WDM systems |
EP1293018B1 (de) * | 2000-06-20 | 2004-10-13 | Evotec OAI AG | Faser-laser |
US20020085270A1 (en) * | 2000-11-27 | 2002-07-04 | Bendett Mark P. | Apparatus and method for integrated photonic devices having add/drop ports and gain |
US6532101B2 (en) | 2001-03-16 | 2003-03-11 | Xtera Communications, Inc. | System and method for wide band Raman amplification |
US7346083B2 (en) * | 2001-04-10 | 2008-03-18 | Hrl Laboratories, Llc | Bandwidth enhanced self-injection locked DFB laser with narrow linewidth |
US6693925B2 (en) | 2001-04-18 | 2004-02-17 | Chromaplex, Inc | Modulatable multi-wavelength fiber laser source |
US6832026B2 (en) | 2001-07-20 | 2004-12-14 | Nufern | Optical fiber having high temperature insensitivity over a temperature range centered on a selected temperature and method of making same |
US7039076B2 (en) * | 2001-08-10 | 2006-05-02 | Jds Uniphase Corporation | Fiber amplifier system for producing visible light |
EP1343227B1 (en) * | 2002-03-06 | 2006-04-26 | Aston University | Generating electronic carrier signals in the optical domain |
US20030185514A1 (en) * | 2002-03-29 | 2003-10-02 | Bendett Mark P. | Method and apparatus for tapping a waveguide on a substrate |
US6813405B1 (en) * | 2002-03-29 | 2004-11-02 | Teem Photonics | Compact apparatus and method for integrated photonic devices having folded directional couplers |
US20030196455A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-10-23 | Mccov Michael A. | Apparatus and method for photonic waveguide fabrication |
US6904214B2 (en) * | 2002-05-14 | 2005-06-07 | Nufern | Method of providing an optical fiber having a minimum temperature sensitivity at a selected temperature |
US7046432B2 (en) * | 2003-02-11 | 2006-05-16 | Coherent, Inc. | Optical fiber coupling arrangement |
KR100559469B1 (ko) * | 2003-06-09 | 2006-03-10 | 한국전자통신연구원 | 이득고정형 광증폭기 |
US7280568B2 (en) * | 2003-08-29 | 2007-10-09 | New Focus, Inc. | Laser coherence control using homogeneous linewidth broadening |
US7116687B2 (en) * | 2003-09-12 | 2006-10-03 | Jds Uniphase Corporation | High repetition rate passively Q-switched laser for blue laser based on interactions in fiber |
US7539231B1 (en) | 2005-07-15 | 2009-05-26 | Lockheed Martin Corporation | Apparatus and method for generating controlled-linewidth laser-seed-signals for high-powered fiber-laser amplifier systems |
JP5013407B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2012-08-29 | 株式会社アドバンテスト | レーザ発振器 |
US7450813B2 (en) | 2006-09-20 | 2008-11-11 | Imra America, Inc. | Rare earth doped and large effective area optical fibers for fiber lasers and amplifiers |
WO2010065788A1 (en) | 2008-12-04 | 2010-06-10 | Imra America, Inc. | Highly rare-earth-doped optical fibers for fiber lasers and amplifiers |
FR2986379B1 (fr) * | 2012-01-30 | 2017-03-17 | Agilent Tech Inc (A Delaware Corporation) | "laser accordable en phase continue" |
WO2014055880A2 (en) * | 2012-10-05 | 2014-04-10 | David Welford | Systems and methods for amplifying light |
US10992097B2 (en) * | 2017-06-09 | 2021-04-27 | Honeywell International Inc. | Apparatus and method for an optical resonator with an integrated Bragg grating |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4039249A (en) * | 1973-03-28 | 1977-08-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Integrated optical devices including tunable fixed grating |
JP2624279B2 (ja) * | 1988-01-20 | 1997-06-25 | キヤノン株式会社 | スラブ導波光出射半導体レーザー |
US5080503A (en) * | 1989-12-12 | 1992-01-14 | Ecole Polytechnique | Optical waveguide device and method for making such device |
US5134620A (en) * | 1990-11-20 | 1992-07-28 | General Instrument Corporation | Laser with longitudinal mode selection |
US5142660A (en) * | 1991-03-07 | 1992-08-25 | Litton Systems, Inc. | Broadband light source using rare earth doped glass waveguide |
US5200964A (en) * | 1991-03-12 | 1993-04-06 | General Instrument Corporation | Broad linewidth lasers for optical fiber communication systems |
US5222089A (en) * | 1992-01-08 | 1993-06-22 | General Instrument Corporation | Optical signal source for overcoming distortion generated by an optical amplifier |
-
1992
- 1992-11-10 US US07/974,185 patent/US5295209A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-11-08 CA CA002102644A patent/CA2102644C/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-11-09 EP EP93118110A patent/EP0597436A1/en not_active Withdrawn
- 1993-11-10 JP JP30331493A patent/JP3233178B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-11-10 TW TW082109443A patent/TW243564B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2102644A1 (en) | 1994-05-11 |
TW243564B (ja) | 1995-03-21 |
US5295209A (en) | 1994-03-15 |
JPH06317823A (ja) | 1994-11-15 |
CA2102644C (en) | 2002-01-01 |
EP0597436A1 (en) | 1994-05-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3233178B2 (ja) | 所望の波長において高スペクトル密度を有する光源 | |
JP3369212B2 (ja) | 光ファイバ−通信システム用の広ライン幅レ−ザ−の設置方法とその装置 | |
US5166821A (en) | Reduction of non-linear effects in optical fiber communication systems and method of using same | |
US5268910A (en) | Superluminescent optical source | |
US6847758B1 (en) | Method, optical device, and system for optical fiber transmission | |
US5917179A (en) | Brillouin opto-electronic oscillators | |
JP3004517B2 (ja) | 光通信システムにおける誘導ブリユアン散乱の抑制方法 | |
US5930030A (en) | Apparatus for pumping an optical gain medium with multiple light wavelengths | |
US6678294B1 (en) | Distributed feedback laser apparatus for avoiding stimulated brillouin scattering | |
EP0524558A2 (en) | Superluminescent optical source | |
JPH08195519A (ja) | モード同期レーザの動作安定化装置 | |
JP2816303B2 (ja) | 光導波レーザ装置 | |
US6697394B2 (en) | Directly modulatable laser | |
CN109643878B (zh) | 光谱窄化模块、细化光谱线装置及其相关联的方法 | |
WO2002077686A1 (en) | Multi-channel light source with high-power and highly flattened output | |
CA2202304C (en) | Broadwidth linewidth lasers for optical fiber communication systems | |
US20030114117A1 (en) | Tunable RF signal generation | |
JP2957199B2 (ja) | 光送信器 | |
JPH0745889A (ja) | モードロックリングレーザ | |
JPH06252476A (ja) | モード同期リングレーザ装置 | |
JP3162185B2 (ja) | 光ファイバ通信方式 | |
JPH08136959A (ja) | 光増幅器 | |
JPH0240632A (ja) | ファイバブリュアン光増幅中継装置 | |
Ismail et al. | Multi-wavelength Brillouin Raman Erbium Fiber Laser utilizing Captured Residual Raman Pump Power | |
Livas et al. | Recent progress with tapered-gain-region devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010731 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |