JPH0480564B2 - - Google Patents

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JPH0480564B2
JPH0480564B2 JP60156441A JP15644185A JPH0480564B2 JP H0480564 B2 JPH0480564 B2 JP H0480564B2 JP 60156441 A JP60156441 A JP 60156441A JP 15644185 A JP15644185 A JP 15644185A JP H0480564 B2 JPH0480564 B2 JP H0480564B2
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transistor
transistors
current
voltage
circuit
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JP60156441A
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Japanese (ja)
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JPS6218111A (en
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Nobuaki Mizuguchi
Koichi Yoshimura
Shigeru Kuryama
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS6218111A publication Critical patent/JPS6218111A/en
Publication of JPH0480564B2 publication Critical patent/JPH0480564B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はフエイズ・ロツクド・ループやFM変
調器等に使用される電圧制御マルチバイブレータ
に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a voltage controlled multivibrator used in phased locked loops, FM modulators, and the like.

従来の技術 従来より、FM変調器としてマルチバイブレー
タ形の発振器が、半導体集積回路によく用いられ
ている。
BACKGROUND ART Conventionally, multivibrator type oscillators have been often used as FM modulators in semiconductor integrated circuits.

第2図は従来の電圧制御マルチバイブレータの
一例を示すもので第3図は第2図a〜fの波形を
示すものである(例えば特公昭57−37248号公
報)。トランジスタ1,2および8,9は差動の
スイツチング回路を構成し、トランジスタ41の
コレクタ電流I0および電流源10の電流経路を切
り換える。トランジスタ1,2のコレクタに、抵
抗5および6がそれぞれ接続され、トランジスタ
3,4のエミツタ間に容量素子7が接続されてい
る。トランジスタ11,12,13,14は比較
回路を構成しており、抵抗20,21とトランジ
スタ17で与えられる基準電位即ち、トランジス
タ17のエミツタ電位と、容量素子7の両端の電
位とを比較している。電流源15,16の電流値
は等しく電流源43も適当な電流値である。26
はトランジスタ等で構成されたフリツプフロツプ
回路である。端子22と23は比較回路からの入
力端子であり、端子24と25は互いに逆相の出
力端子である。
FIG. 2 shows an example of a conventional voltage controlled multivibrator, and FIG. 3 shows the waveforms a to f in FIG. 2 (for example, Japanese Patent Publication No. 57-37248). Transistors 1, 2 and 8, 9 constitute a differential switching circuit, and switch the collector current I 0 of transistor 41 and the current path of current source 10. Resistors 5 and 6 are connected to the collectors of transistors 1 and 2, respectively, and a capacitive element 7 is connected between the emitters of transistors 3 and 4. Transistors 11, 12, 13, and 14 constitute a comparison circuit, which compares the reference potential given by resistors 20, 21 and transistor 17, that is, the emitter potential of transistor 17 and the potential across capacitive element 7. There is. The current values of the current sources 15 and 16 are equal, and the current value of the current source 43 is also appropriate. 26
is a flip-flop circuit composed of transistors and the like. Terminals 22 and 23 are input terminals from the comparison circuit, and terminals 24 and 25 are output terminals having opposite phases.

以上の様に構成された従来例の動作の説明を以
下に行う。
The operation of the conventional example configured as above will be explained below.

フリツプフロツプ回路26は、トランジスタ1
1のコレクタ電流が一定レベル以下になつた時に
出力端子24は低レベル、出力端子25は高レベ
ルになり、次にトランジスタ14のコレクタ電流
が一定レベル以下になるまで、出力状態は保持さ
れる。トランジスタ14のコレクタ電流が一定レ
ベル以下になると、出力端子24は高レベル、出
力端子25は低レベルになり、次にトランジスタ
11のコレクタ電流が一定レベル以下になるま
で、出力状態が保持される。
The flip-flop circuit 26 includes a transistor 1
When the collector current of transistor 1 falls below a certain level, the output terminal 24 becomes a low level and the output terminal 25 becomes a high level, and the output state is maintained until the collector current of transistor 14 falls below a certain level. When the collector current of the transistor 14 falls below a certain level, the output terminal 24 becomes a high level and the output terminal 25 becomes a low level, and the output state is maintained until the collector current of the transistor 11 falls below a certain level.

端子24,25の出力電圧で、トランジスタ1
と8およびトランジスタ2と9がスイツチング動
作を行なう。
At the output voltage of terminals 24 and 25, transistor 1
and 8 and transistors 2 and 9 perform a switching operation.

トランジスタ41のコレクタ電流がI0のときの
トランジスタ3又は4のベース・エミツタ間の電
圧降下をVBE1、電流源43の電流がI1のときのト
ランジスタ17のベース・エミツタ間の電圧降下
をVBE2、トランジスタ17のベース電位をVB17
すると、基準電圧Vrefとバランスする時にはVE3
−ΔV=Vref即ち(+B)−VBE1−ΔV=VB17
VBE2が成立ち(1)式が導びかれる。
When the collector current of transistor 41 is I0 , the voltage drop between the base and emitter of transistor 3 or 4 is VBE1 , and when the current of current source 43 is I1 , the voltage drop between the base and emitter of transistor 17 is VBE1. BE2 , assuming that the base potential of transistor 17 is V B17 , when balanced with the reference voltage V ref , V E3
−ΔV=V ref i.e. (+B) −V BE1 −ΔV=V B17
V BE2 holds true and formula (1) is derived.

ここでVE3はトランジスタ3の導通時のエミツ
タ電位をいう。
Here, V E3 refers to the emitter potential of transistor 3 when it is conductive.

ΔV=+B−VB17−VBE1+VBE2 ……(1) (1)式でVBE1=VBE2のとき、ΔVは抵抗20によ
る電圧降下に等しく一定値である。容量両端波形
の振幅は第3図c,dの様に2ΔVであるから、
発振周波数は(2)式で表わされる。
ΔV=+B−V B17 −V BE1 +V BE2 (1) When V BE1 =V BE2 in equation (1), ΔV is equal to the voltage drop due to the resistor 20 and is a constant value. Since the amplitude of the waveform at both ends of the capacitance is 2ΔV as shown in Figure 3 c and d,
The oscillation frequency is expressed by equation (2).

=I0/4C0ΔV ……(2) ここでC0は容量素子7の容量値である。 =I 0 /4C 0 ΔV (2) Here, C 0 is the capacitance value of the capacitive element 7.

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、電流源43の電流値I1が固定で
あるのでトランジスタ41のコレクタ電流I0が変
化すれば、VBE1の値が変化するため(第4図参
照)(1)式において、−VBE1+VBE2の項が一定でな
くΔVの値がI0の値によつて変化することになる。
又、トランジスタ3(又は4)とトランジスタ1
7のエミツタ電流が異なるとベース・エミツタ間
の電圧降下VBEの温度変化の割合が異なるので、
VBE1とVBE2の温度特性が一致せず、I0の値によつ
て(1)式のΔVの温度特性が異なる。即ち第2図に
示す回路ではI0が大きくなる程、VBE1とVBE2の温
度変化のずれが大きくなり、発振周波数の温度
依存性が大きくなるという弱点を有している。
Problems to be Solved by the Invention However, since the current value I 1 of the current source 43 is fixed, if the collector current I 0 of the transistor 41 changes, the value of V BE1 changes (see Figure 4). In equation 1), the term -V BE1 +V BE2 is not constant, and the value of ΔV changes depending on the value of I0 .
Also, transistor 3 (or 4) and transistor 1
If the emitter current of 7 is different, the temperature change rate of the base-emitter voltage drop V BE will be different, so
The temperature characteristics of V BE1 and V BE2 do not match, and the temperature characteristics of ΔV in equation (1) differ depending on the value of I 0 . That is, the circuit shown in FIG. 2 has the disadvantage that as I 0 becomes larger, the difference in temperature change between V BE1 and V BE2 becomes larger, and the temperature dependence of the oscillation frequency becomes larger.

本発明は従来回路の欠点を改善し、入力の大小
にかかわらず、温度変化に対して周波数の安定し
た発振出力を得る電圧制御マルチバイブレータを
提供するものである。
The present invention improves the drawbacks of conventional circuits and provides a voltage-controlled multivibrator that obtains an oscillation output with a stable frequency against temperature changes, regardless of the magnitude of the input.

問題点を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の電圧制御マ
ルチバイブレータは、差動結合された第1および
第2のトランジスタのコレクタに一端が共通の電
源に接続された第1および第2の抵抗をそれぞれ
接続し、第3のトランジスタのベースを第1のト
ランジスタのコレクタに接続し第4のトランジス
タのベースを第2のトランジスタのコレクタに接
続し、第3及び第4のトランジスタのエミツタ間
に容量素子を結合してなる回路と、ベースに電圧
が与えられエミツタを基準電圧出力とする第5の
トランジスタを出力段にもつ基準電圧発生回路
と、第3および第4のトランジスタのうち導通し
ている方のトランジスタより容量素子を介して流
れる電流、および第5のトランジスタに流れる電
流を入力電圧或は入力電流に対して直線的に変化
させる可変電流源回路と、第3及び第4のトラン
ジスタのエミツタ電圧と基準電圧とを比較する比
較回路と、比較回路の出力状態を反転させ、反転
信号により第1及び第2のトランジスタの導通、
非導通状態を反転させるフリツプフロツプ回路と
から構成されている。
Means for Solving the Problems To achieve this object, the voltage controlled multivibrator of the present invention provides a first transistor having one end connected to a common power supply to the collectors of the first and second transistors which are differentially coupled. and a second resistor, respectively, the base of the third transistor is connected to the collector of the first transistor, the base of the fourth transistor is connected to the collector of the second transistor, and the third and fourth transistors are connected to each other. a reference voltage generating circuit having a fifth transistor in its output stage whose base is supplied with a voltage and whose emitter outputs a reference voltage; a variable current source circuit that changes the current flowing from the conducting transistor through the capacitive element and the current flowing to the fifth transistor linearly with respect to the input voltage or input current; A comparator circuit that compares the emitter voltage of transistor No. 4 with a reference voltage, and an output state of the comparator circuit is inverted, and the first and second transistors are made conductive by the inverted signal.
It consists of a flip-flop circuit that reverses the non-conducting state.

作 用 この構成により、基準電圧発生回路出力段の第
5のトランジスタに第3及び第4のトランジスタ
のうち導通している方のトランジスタに流れる電
流と同一の電流I0を可変電流源回路から流すこと
で、電流I0に対するVBEの値及び温度変化を同一
にすることができ、基準電圧をVBEの変化に伴つ
て変化させることができ、第3及び第4のトラン
ジスタの導通時に流れる電流の大小によるエミツ
タ電位のゆらぎとVBEの温度変動によるエミツタ
電位の変化を打消すことがき周波数の安定した発
振出力が得られる。
Effect: With this configuration, the variable current source circuit causes the same current I0 to flow through the fifth transistor of the output stage of the reference voltage generation circuit as the current flowing through the conductive one of the third and fourth transistors. By doing so, the value of V BE and the temperature change with respect to the current I0 can be made the same, the reference voltage can be changed in accordance with the change in V BE , and the current that flows when the third and fourth transistors are conductive can be made the same. Fluctuations in the emitter potential due to the magnitude of VBE and changes in the emitter potential due to temperature fluctuations in VBE can be canceled out, and an oscillation output with a stable frequency can be obtained.

実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しな
がら説明する。
Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は、本発明の電圧制御マルチバイブレー
タの一実施例を示す。
FIG. 1 shows an embodiment of the voltage controlled multivibrator of the present invention.

第1図において、1,2は差動結合された第1
及び第2のトランジスタ5,6は第1および第2
の抵抗であり、トランジスタ8,9とともに差動
のスイツチング回路を構成し、可変電流源回路2
7の電流I0および電流源10の電流経路を切換え
る。3,4は、第3および第4のトランジスタで
あり、それぞれのエミツタ間は容量7で結合され
ている。トランジスタ11,12,13,14お
よび電流源15,16は比較回路であり、第3,
第4のトランジスタ3,4のエミツタ電位と基準
電圧とを比較し、出力はフリツプフロツプ回路2
6の端子22,23に入力される。
In FIG. 1, 1 and 2 are differentially coupled first
and the second transistors 5 and 6 are the first and second transistors.
This resistor constitutes a differential switching circuit together with transistors 8 and 9, and is a variable current source circuit 2.
7 and the current path of the current source 10 are switched. 3 and 4 are third and fourth transistors whose emitters are coupled through a capacitor 7. Transistors 11, 12, 13, 14 and current sources 15, 16 are comparators, and the third,
The emitter potentials of the fourth transistors 3 and 4 are compared with the reference voltage, and the output is from the flip-flop circuit 2.
It is input to terminals 22 and 23 of 6.

可変電流源回路27は、電圧−電流変換回路
と、トランジスタ28,29,30及び抵抗3
1,32によるカレントミラー回路で構成されて
いる。
The variable current source circuit 27 includes a voltage-current conversion circuit, transistors 28, 29, 30, and a resistor 3.
It is composed of a current mirror circuit of 1 and 32.

基準電圧発生回路は、トランジスタ17,18
及び抵抗19,20,21で構成されており、ト
ランジスタ18のベースは、可変電流源回路27
のトランジスタ28及び29のベースに接続され
ている。
The reference voltage generation circuit includes transistors 17 and 18.
and resistors 19, 20, and 21, and the base of the transistor 18 is connected to the variable current source circuit 27.
is connected to the bases of transistors 28 and 29.

以上のように構成された電圧制御マルチバイブ
レータについて、以下その動作について説明す
る。
The operation of the voltage controlled multivibrator configured as above will be described below.

従来例と同じ動作のところは説明を省略し、本
実施例の特長となるところを説明する。
The description of the same operations as in the conventional example will be omitted, and the features of this embodiment will be described.

可変電流源回路27の入力端子33に印加され
た電圧V0は、まず、電圧−電流変換回路で直線
的に電流I0に変換され、この電流I0がトランジス
タ28に流れる。トランジスタ28,29,30
及び抵抗31,32は、カレントミラー回路を構
成しており、トランジスタ29には、トランジス
タ28と同じ電流I0が流される。よつて、トラン
ジスタ8或は9のうちどちらか導通している方に
電流I0が流される。
The voltage V 0 applied to the input terminal 33 of the variable current source circuit 27 is first linearly converted into a current I 0 by the voltage-current conversion circuit, and this current I 0 flows through the transistor 28 . Transistors 28, 29, 30
The resistors 31 and 32 constitute a current mirror circuit, and the same current I 0 as that of the transistor 28 flows through the transistor 29 . Therefore, current I 0 is caused to flow through whichever of transistors 8 and 9 is conductive.

基準電圧Vrefは、抵抗20,21及びトランジ
スタ17で与えられる電位即ち、トランジスタ1
7のエミツタ電位VE17であり、 Vref=VE17=(+B)R21/R20+R21−VBE2 ……(3) (VBE2はトランジスタ17のベース・エミツタ
間の電圧降下) で表わされる。
The reference voltage V ref is the potential given by the resistors 20 and 21 and the transistor 17, that is, the potential given by the transistor 1
The emitter potential V E17 of transistor 17 is V ref = V E17 = (+B) R 21 / R 20 + R 21 − V BE2 ...(3) (V BE2 is the voltage drop between the base and emitter of transistor 17). It will be done.

基準電圧発生回路の出力段のトランジスタ17
に流される電流I1は、トランジスタ18及び抵抗
19で構成される電流源から供給される。この電
流源は、トランジスタ18のベースを可変電流源
回路27のトランジスタ28,29のベースに接
続することによつて、トランジスタ28,29,
30、抵抗31,32とともにカレントミラー回
路を構成している。
Transistor 17 in the output stage of the reference voltage generation circuit
The current I 1 flowing through is supplied from a current source composed of a transistor 18 and a resistor 19. By connecting the base of transistor 18 to the bases of transistors 28 and 29 of variable current source circuit 27, this current source is connected to transistors 28, 29,
30 and resistors 31 and 32 constitute a current mirror circuit.

従つて、抵抗19の値を選べばこの電流源にも
トランジスタ29と同じ電流I0が流れ、I1=I0
なる。よつて、トランジスタ17には、トランジ
スタ3或は4のうちどちらか導通している方と同
じ値の電流を流すことができ、それぞれのベー
ス・エミツタ間の電圧降下VBE1とVBE2を常に同じ
値にすることができる。
Therefore, if the value of the resistor 19 is selected, the same current I 0 as that of the transistor 29 flows through this current source, so that I 1 =I 0 . Therefore, the same current as that of transistor 3 or 4, whichever is conducting, can flow through transistor 17, and the voltage drops V BE1 and V BE2 between their respective bases and emitters are always the same. Can be a value.

一般に、VBEは、 VBE=kT/q)*ln(IE/IS) K:ボルツマン定数 T:絶対温度 IS:飽和電流 で表わされ、同一の半導体プロセスによる同一種
のトランジスタのVBEは、エミツタ電流IEが同じ
であれば、同じ値であり、温度による値の変化も
同じである。
In general, V BE is expressed as: V BE =kT/q)*ln(I E /I S ) K: Boltzmann's constant T: Absolute temperature I S : Saturation current; V BE has the same value if the emitter current I E is the same, and the change in value due to temperature is also the same.

トランジスタ3の導通時の、エミツタ電位VE3
は、 VE3=(+B)−VBE1 ……(4) (VBE1はトランジスタ3のベース・エミツタ間
の電圧降下) 基準電圧とバランスする時には、VE3−ΔV=
Vref即ち(3),(4)式より (+B)−VBE1−ΔV=(+B)R21/R20+R21− VBE2が成り立ち、 ΔVは、 ΔV=VE3−Vref =(+B−VBE1)−VE17 =(+B−VBE1)−(VB17−VBE2) =(+B)R20/R20+R21−(VBE1−VBE2)……(5) となる。ここで、トランジスタ3および17には
可変電流源回路のカレントミラー回路により、同
じ電流I0が流されるので、VBEの変化も同じ様に
変化し、 VBE1=VBE2 ……(6) が常に成り立ち、(5)式は ΔV=R20/R20+R21×(+B) ……(7) となる。ΔVは、R20の両端の電圧(電源電圧と
ベース電圧との差)の式で表わされる。(7)式で抵
抗R20とR21の温度特性は相対的に打消されるた
めΔVの温度依存性はない。
Emitter potential V E3 when transistor 3 is conductive
is, V E3 = (+B) - V BE1 ...(4) (V BE1 is the voltage drop between the base and emitter of transistor 3) When balancing with the reference voltage, V E3 - ΔV =
V ref, that is, from equations (3) and (4), (+B) − V BE1 − ΔV = (+B) R 21 /R 20 +R 21 − V BE2 holds, and ΔV is ΔV=V E3 −V ref = (+B -V BE1 ) -V E17 = (+B - V BE1 ) - (V B17 - V BE2 ) = (+B) R 20 /R 20 + R 21 - (V BE1 - V BE2 )...(5). Here, since the same current I 0 is passed through transistors 3 and 17 by the current mirror circuit of the variable current source circuit, the change in V BE also changes in the same way, and V BE1 = V BE2 ...(6) This is always true, and formula (5) becomes ΔV=R 20 /R 20 +R 21 ×(+B)...(7). ΔV is expressed as the voltage across R 20 (the difference between the power supply voltage and the base voltage). In equation (7), the temperature characteristics of resistors R 20 and R 21 are relatively canceled, so there is no temperature dependence of ΔV.

よつてΔVが入力電流I0の大きさ及びVBE1
VBE2に依存しない式で表わせるようになるので、
容量素子7に容量値の温度変化の少ないものを選
ぶと(3)式からわかるように発振周波数の入力に対
する直線性がよく発振周波数の温度変化による変
動が少ない。
Therefore, ΔV is the magnitude of input current I 0 and V BE1 ,
Since it can be expressed by an expression that does not depend on V BE2 ,
If a capacitive element 7 is selected whose capacitance value changes little with temperature, as can be seen from equation (3), linearity with respect to the oscillation frequency input is good and fluctuations in the oscillation frequency due to temperature changes are small.

以上ように本実施例によればトランジスタ3又
は4及びトランジスタ17には常に同じ電流を流
して各々のVBEの特性を合わせ、比較回路の基準
電圧即ちトランジスタ17のエミツタ電位、トラ
ンジスタ3又は4の導通時のエミツタ電位が常に
同じように変化する構成になつている。即ち、ト
ランジスタ18及び抵抗19で構成される電流源
において、トランジスタ18のベースを可変電流
源回路27のトランジスタ28,29のベースに
接続し、トランジスタ28,29,30、抵抗3
1,32とともにカレントミラー回路を構成する
ことによつて、可変電流源回路に入力された電圧
V0を変換した電流I0と同じ電流値I0を基準発生回
路出力段のトランジスタ17に流し、常にVBE2
VBE1を同一値にしている。
As described above, according to this embodiment, the same current is always passed through the transistors 3 or 4 and the transistor 17 to match the V BE characteristics of each, and the reference voltage of the comparator circuit, that is, the emitter potential of the transistor 17, the emitter potential of the transistor 3 or 4, The structure is such that the emitter potential always changes in the same way when conducting. That is, in a current source composed of a transistor 18 and a resistor 19, the base of the transistor 18 is connected to the bases of transistors 28 and 29 of the variable current source circuit 27, and the transistors 28, 29, 30 and the resistor 3 are connected to each other.
By forming a current mirror circuit with 1 and 32, the voltage input to the variable current source circuit
The same current value I 0 as the current I 0 converted from V 0 is passed through the transistor 17 of the output stage of the reference generation circuit, and V BE2 is always maintained.
V BE1 is set to the same value.

これにより、VBE2がI0の大きさに従つて変化
し、基準電圧VrefがVBE2の変化分だけ変化するの
でVBE1がI0の大きさに従つて変化或は温度変化し
ても入力電圧の大小にかかわらず、温度変化にも
依存しないで常に一定のΔVが得られ温度変動に
対して非常に周波数の安定した発振出力が得ら
れ、入力電圧対発振周波数の直線性も向上する。
As a result, V BE2 changes according to the magnitude of I 0 , and the reference voltage V ref changes by the change in V BE2 , so even if V BE1 changes according to the magnitude of I 0 or the temperature changes. Regardless of the magnitude of the input voltage, a constant ΔV is always obtained regardless of temperature changes, and an oscillation output with an extremely stable frequency against temperature fluctuations is obtained, and the linearity of input voltage vs. oscillation frequency is also improved. .

発明の効果 以上のように本発明は、出力段の第5のトラン
ジスタに流れる電流を可変電流源回路から供給
し、比較回路の基準電圧を変化させる基準電圧発
生回路を設けたことにより、第3および第4のト
ランジスタのうち、導通している方のトランジス
タのエミツタ電位の変動に応じて基準電圧を変化
させることができるので、温度変動に依存しない
安定した発振出力が得られ、又、入力の大小にか
かわらず入力電圧対発振周波数の直線性のよい優
れた電圧制御マルチバイブレータを実現すること
ができるものである。
Effects of the Invention As described above, the present invention provides a reference voltage generation circuit that supplies the current flowing to the fifth transistor of the output stage from the variable current source circuit and changes the reference voltage of the comparator circuit. Since the reference voltage can be changed according to fluctuations in the emitter potential of the conductive transistor and the fourth transistor, a stable oscillation output that is independent of temperature fluctuations can be obtained. This makes it possible to realize an excellent voltage-controlled multivibrator with good linearity of input voltage versus oscillation frequency, regardless of its size.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例における電圧制御マ
ルチバイブレータの回路図、第2図は従来例の回
路図、第3図は第2図に示す回路の主要部a〜f
の信号波形図、第4図はトランジスタのコレクタ
電流と、VBE及び温度の関係を示す図である。 1,2,3,4……トランジスタ、5,6……
抵抗、7……容量素子、8,9……トランジス
タ、10……電流源、11,12,13,14…
…トランジスタ、15,16…電流源、17,1
8……トランジスタ、19,20,21……抵
抗、22,23……フリツプフロツプ入力端子、
24,25……フリツプフロツプ出力端子、26
……フリツプフロツプ回路、27……可変電流源
回路、28,29,30……トランジスタ、3
1,32……抵抗、33……入力端子。
Fig. 1 is a circuit diagram of a voltage controlled multivibrator according to an embodiment of the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram of a conventional example, and Fig. 3 is a main part a to f of the circuit shown in Fig. 2.
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the collector current of the transistor, V BE and temperature. 1, 2, 3, 4...transistor, 5, 6...
Resistor, 7... Capacitive element, 8, 9... Transistor, 10... Current source, 11, 12, 13, 14...
...Transistor, 15,16...Current source, 17,1
8...Transistor, 19,20,21...Resistor, 22,23...Flip-flop input terminal,
24, 25...Flip-flop output terminal, 26
...Flip-flop circuit, 27...Variable current source circuit, 28, 29, 30...Transistor, 3
1, 32...Resistor, 33...Input terminal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 差動結合された第1および第2のトランジス
タのコレクタに一端が共通の電源に接続された第
1および第2の抵抗をそれぞれ接続し、第3のト
ランジスタのベースを前記第1のトランジスタの
コレクタに接続し、第4のトランジスタのベース
を前記第2のトランジスタのコレクタに接続し、
前記第3および第4のトランジスタのエミツタ間
に容量素子を結合してなる回路と、 ベースに電圧が与えられエミツタを基準電圧出
力とする第5のトランジスタを出力段にもつ基準
電圧発生回路と、 前記第3および第4のトランジスタのうち導通
している方のトランジスタより前記容量素子を介
して流れる電流を、入力電圧或は入力電流に対し
て直線的に変化させ、かつ、前記容量素子を介し
て流れる電流と同じ値の電流を前記第5のトラン
ジスタに流す可変電流源回路と、 前記第3および第4のトランジスタのエミツタ
電圧と前記第5のトランジスタのエミツタ電圧と
を比較する比較回路と、 前記比較回路の出力信号により出力状態を反転
させ、前記反転信号により前記第1および第2の
トランジスタの導通、非導通状態を反転させるフ
リツプフロツプ回路とを備えたことを特徴とする
電圧制御マルチバイブレータ。
[Claims] 1. First and second resistors each having one end connected to a common power supply are connected to the collectors of the first and second transistors that are differentially coupled, and the base of the third transistor is connected to the collectors of the first and second transistors that are differentially coupled. connected to the collector of the first transistor, and the base of the fourth transistor connected to the collector of the second transistor;
a circuit comprising a capacitive element coupled between the emitters of the third and fourth transistors; and a reference voltage generating circuit having a fifth transistor in its output stage, the base of which is supplied with a voltage and the emitter of which outputs a reference voltage; A current flowing through the capacitive element from one of the third and fourth transistors that is conducting is varied linearly with respect to the input voltage or input current, and the current flowing through the capacitive element is changed linearly with respect to the input voltage or input current. a variable current source circuit that causes a current having the same value as the current flowing through the fifth transistor to flow through the fifth transistor; a comparison circuit that compares the emitter voltages of the third and fourth transistors with the emitter voltage of the fifth transistor; A voltage-controlled multivibrator comprising: a flip-flop circuit that inverts an output state based on an output signal of the comparison circuit, and inverts conduction and non-conduction states of the first and second transistors based on the inversion signal.
JP60156441A 1985-07-16 1985-07-16 Voltage controlled multivibrator Granted JPS6218111A (en)

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