JPS60252929A - Reference voltage generating circuit - Google Patents

Reference voltage generating circuit

Info

Publication number
JPS60252929A
JPS60252929A JP10852484A JP10852484A JPS60252929A JP S60252929 A JPS60252929 A JP S60252929A JP 10852484 A JP10852484 A JP 10852484A JP 10852484 A JP10852484 A JP 10852484A JP S60252929 A JPS60252929 A JP S60252929A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
voltage
transistor
current
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10852484A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Sakai
坂井 良広
Fumio Ogawa
小川 富美雄
Koichi Saito
公一 斉藤
Shinichi Yonemoto
伸一 米本
Fujito Fukutome
福留 不二燈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP10852484A priority Critical patent/JPS60252929A/en
Publication of JPS60252929A publication Critical patent/JPS60252929A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities

Abstract

PURPOSE:To obtain an optional stabilized output voltage level from variation of a resistance ratio between a collector and an emitter, by connecting the bases of transistors to each other after inserting a diode between a current source and a voltage stabilizing circuit of a band gap reference type voltage generating circuit. CONSTITUTION:The voltage of a resistance R5 is set so that an approximately equal level is obtained between a current I3 flowing to a transistor TRQ4 and a current I4 flowing to a TRQ5. Thus the base-emitter voltage VBE4 of the TRQ4 is equal to that of the TRQ5. Therefore the voltage VR5 obtained at both ends of a resistance R5 is equal to the output voltage V1 of a circuit VG. While the voltage V0 of an output terminal OUT is equal to VR5.R4/R5. In this case, V1 means the output of the circuit VG, i.e., a band gap reference type voltage generating circuit and is stable to the variation of temperatures.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、基準電圧発生回路に関し、特にバンドギャッ
プリファレンス型等の安定化電圧回路を用い、出力電圧
を任意に設定できるようにした基準電圧発生回路に関す
る。
Detailed Description of the Invention (Industrial Field of Application) The present invention relates to a reference voltage generation circuit, and in particular to a reference voltage generating circuit that uses a stabilized voltage circuit such as a bandgap reference type and allows the output voltage to be set arbitrarily. Regarding generation circuits.

(従来の技術) 第4図は、従来型のバンドギャップリファレンス型の温
度補償基準電圧発生回路を示す。同図において、Q +
 、 Q t、 Q sはNPli型トランジスタであ
り、特にトランジスタQIとQ、とにより一種のカレン
トミラー回路を構成する。R1はダイオード接続された
トランジスタQ1に流す電流を決定する抵抗であり、R
2とR1は基準出力電圧v0の温度勾配が例えば零とな
るように設定される抵抗である。ISはこのような基準
電圧発生回路に電流を供給する電流源である。
(Prior Art) FIG. 4 shows a conventional band gap reference type temperature compensated reference voltage generation circuit. In the same figure, Q +
, Qt, and Qs are NPli type transistors, and in particular, transistors QI and Q constitute a kind of current mirror circuit. R1 is a resistor that determines the current flowing through the diode-connected transistor Q1;
2 and R1 are resistors set so that the temperature gradient of the reference output voltage v0 becomes, for example, zero. IS is a current source that supplies current to such a reference voltage generation circuit.

第4図の回路においては、トランジスタQ1とQtの回
路がカレントミラーを構成しているから、これらの各ト
ランジスタQ、およびQzに流れる電流1.および■2
の比It/1gの値は温度によらず一定となる。なお、
この電流比1 +/ I zは1より大きな値となる。
In the circuit of FIG. 4, since the circuit of transistors Q1 and Qt constitutes a current mirror, the current 1. and ■2
The value of the ratio It/1g remains constant regardless of temperature. In addition,
This current ratio 1 +/I z has a value larger than 1.

抵抗R5の両端の電圧をVllとすると ■。=Vlll!l VIIE□ ・・・(11である
が、各トランジスタQ1およびQ2のベースエミッタ間
電圧■□、およびvIIE□はそれぞれとなるから となる。また抵抗R8の両端の電圧■R□はしたがって
、基準電圧出力V0は v、 = Vl123 + vxz となる。ここで、トランジスタQ3のベースエミッタ間
電圧v mtsは負の温度特性(約−2mV/℃)を有
するから、I +/ I zおよびR1/R3の値を適
切に選択することにより(6)式において第1項と第2
項の温度特性が相殺され結局基準電圧出力■。
If the voltage across the resistor R5 is Vll, then ■. =Vllll! l VIIE□ ... (11, but this is because the base-emitter voltage ■□ and vIIE□ of each transistor Q1 and Q2 are respectively. Also, the voltage ■R□ across the resistor R8 is therefore the reference The voltage output V0 is v, = Vl123 + vxz. Here, since the base-emitter voltage v mts of the transistor Q3 has a negative temperature characteristic (approximately -2 mV/℃), I + / I z and R1 / R3 By appropriately selecting the value of , the first term and the second term in equation (6)
The temperature characteristics of the term cancel out and the reference voltage output ■.

の温度特性を例えば零にすることができる。For example, the temperature characteristics of can be set to zero.

ところが、第4図の回路におていは、(6)式より明ら
かなように出力■。の温度特性が零になるようI I/
 I *およびR1/R3の値を決めると基準電圧出力
v0の大きさもおのずと決まった値となってしまい、温
度特性が零という条件下で任意の出力電圧を得ることが
できないという不都合があった。
However, in the circuit of FIG. 4, as is clear from equation (6), the output is ■. so that the temperature characteristics of I/I/
When the values of I* and R1/R3 are determined, the magnitude of the reference voltage output v0 naturally becomes a determined value, which is disadvantageous in that it is not possible to obtain an arbitrary output voltage under the condition that the temperature characteristic is zero.

(発明が解決しようとする問題点) 本発明の目的は、前述の従来形における問題点に鑑み、
基準電圧発生回路において、トランジスタと抵抗等によ
って構成される電圧倍率変更回路を用いるという構想に
基づき、簡単な回路構成によって温度補償された任意の
出力電圧が得られるようにすることにある。
(Problems to be Solved by the Invention) The purpose of the present invention is to solve the problems of the conventional type described above.
The present invention is based on the concept of using a voltage magnification changing circuit constituted by a transistor, a resistor, etc. in a reference voltage generation circuit, and the objective is to make it possible to obtain an arbitrary temperature-compensated output voltage with a simple circuit configuration.

(問題点を解決するための手段) 上述の問題を解決するため、本発明によれば第1および
第2の端子を有し、第1の端子に電流源回路を介して電
源電流が供給され、該第1の端子から安定化された電圧
を出力する電圧安定回路、該電圧安定回路の第1の端子
と該電流源回路間に順方向に挿入されたダイオード回路
、該ダイオード回路と該電流源回路との接続点にベース
が接続されエミッタがインピーダンス素子を介して前記
電圧安定化回路の第2の端子に接続されたトランジスタ
、および該トランジスタに流れる電流に応じた出力電圧
を発生する回路を具備する基準電圧発生回路が提供され
る。
(Means for Solving the Problems) In order to solve the above-mentioned problems, the present invention has a first terminal and a second terminal, and a power supply current is supplied to the first terminal via a current source circuit. , a voltage stabilizing circuit that outputs a stabilized voltage from the first terminal, a diode circuit inserted in a forward direction between the first terminal of the voltage stabilizing circuit and the current source circuit, and the diode circuit and the current. A transistor whose base is connected to a connection point with a source circuit and whose emitter is connected to a second terminal of the voltage stabilizing circuit via an impedance element, and a circuit that generates an output voltage according to the current flowing through the transistor. A reference voltage generation circuit is provided.

(作 用) 本発明においては、上述のような構成を用いることによ
り、バンドギャップリファレンス型等の基準電圧発生回
路によって得られた電圧を2個の抵抗器の抵抗の比率に
応じて変換して出力できるから、温度補償されかつ任意
の電圧値を有する基準電圧を発生することが可能になる
(Function) In the present invention, by using the above-described configuration, the voltage obtained by a reference voltage generation circuit such as a bandgap reference type is converted according to the ratio of the resistances of two resistors. Since it can be output, it becomes possible to generate a reference voltage that is temperature compensated and has an arbitrary voltage value.

(実施例) 以下、図面により本発明の詳細な説明する。(Example) Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.

第1図は、本発明の1実施例に係わる基準電圧発生回路
を示す。同図の回路は、第4図の回路にさらにトランジ
スタQ 4 、 Q sおよび抵抗R,,R,を追加し
たものである。すなわち、1点鎖線で囲まれた回路VC
と電流源回路Isは第4図の回路のものと同じであり、
これらの電流源ISと回路VCとの間にダイオード接続
されたトランジスタQ4が挿入されている。そして、電
流源回路isとトランジスタQ4との接続点すなわちト
ランジスタQ4のコレクタおよびベースにトランジスタ
QSのベースが接続されている。トランジスタQ。
FIG. 1 shows a reference voltage generation circuit according to one embodiment of the present invention. The circuit shown in FIG. 4 is obtained by adding transistors Q 4 , Q s and resistors R, , R, to the circuit shown in FIG. 4. In other words, the circuit VC surrounded by the dashed line
and the current source circuit Is is the same as that of the circuit in FIG.
A diode-connected transistor Q4 is inserted between these current sources IS and the circuit VC. The base of the transistor QS is connected to the connection point between the current source circuit is and the transistor Q4, that is, the collector and base of the transistor Q4. Transistor Q.

のエミッタは抵抗R3を介して接地され、コレクタは抵
抗R4を介して電源V ccに接続されている。
The emitter of is grounded via a resistor R3, and the collector is connected to the power supply Vcc via a resistor R4.

なお、トランジスタQ4とQ5とは例えば同じ大きさの
ものが使用される。
Note that the transistors Q4 and Q5 are of the same size, for example.

第1図の回路において、トランジスタQ4に流れる電流
i、とトランジスタQ、に流れる電流■4とがほぼ等し
くなるように抵抗R7の値を設定すると各トランジスタ
Q4おびQ、のベースエミッタ間電圧V 114および
■□、が等しくなる。したがって、抵抗R2の両端の電
圧■□は回路VGの出力電圧■1と等しくなる。また、
出力端子OUTすなわちトランジスタQ5のコレクタと
電源Vce間の電圧■。と電圧■。の間には 4 ■。−□■□ ・・・(7) 5 の関係がある。したがって、 4 ■。=□■、 ・・・(8) R3 となる、上式において、電圧■、は回路VGすなわちバ
ンドギャップリファレンス型の基準電圧発生回路の出力
であり、前述のように温度変化に対して安定化されてし
室したがって、電圧■。の値は抵抗R4,Rsの比と電
圧■1で決まるから、該電圧■。も温度変化に対して安
定化された電圧となる。また、電圧■。の値は抵抗R4
とR3の比を変えることにより任意の値に設定すること
が可能となる。したがって、第1図の回路を用いること
により任意の電圧の安定化された出力電圧を得ることが
可能となる。
In the circuit shown in FIG. 1, if the value of resistor R7 is set so that the current i flowing through transistor Q4 and the current ■4 flowing through transistor Q are approximately equal, the base-emitter voltage V 114 of each transistor Q4 and Q is set. and ■□ are equal. Therefore, the voltage ■□ across the resistor R2 becomes equal to the output voltage ■1 of the circuit VG. Also,
Voltage ■ between the output terminal OUT, that is, the collector of the transistor Q5 and the power supply Vce. and voltage ■. There are 4 ■ between them. −□■□ ...(7) There is the following relationship. Therefore, 4 ■. =□■, ...(8) R3 In the above equation, the voltage ■ is the output of the circuit VG, that is, the bandgap reference type reference voltage generation circuit, and as mentioned above, it is stabilized against temperature changes. Therefore, the voltage in the chamber ■. Since the value of is determined by the ratio of the resistors R4 and Rs and the voltage ■1, the voltage ■. Also, the voltage is stabilized against temperature changes. Also, the voltage ■. The value of resistor R4
By changing the ratio of R3 and R3, it is possible to set it to an arbitrary value. Therefore, by using the circuit shown in FIG. 1, it is possible to obtain a stabilized output voltage of any voltage.

第2図は、本発明の他の実施例に係わる基準電圧発生回
路を示す。同図の回路は、第2図の回路にトランジスタ
Q4.Q!1と同じ特性を有するトランジスタQ、と抵
抗Rh、R’rを追加したものである。
FIG. 2 shows a reference voltage generation circuit according to another embodiment of the present invention. The circuit shown in the same figure has a transistor Q4 in addition to the circuit shown in FIG. Q! A transistor Q having the same characteristics as 1 and resistors Rh and R'r are added.

第2図の回路におていは、各トランジスタQ a 。In the circuit of FIG. 2, each transistor Qa.

Q s、 Q hに流れる電流13.In、Isが等し
くなるように抵抗R1およびR?の値を設定すると各ト
ランジスタQa、QS、Q6のベースエミ・ツタ間電圧
V B!4+ ■BE%+ ■□6が等しくなる。した
がって、これらの各トランジスタQ a、 Q s、 
Q hのエミッタとグランド間の電圧Vl、 VIS 
、 Vatがすべて等しくなるから、各出力電圧V、、
、V。8はそれぞれとなる。これらの式から明らかなよ
うに、抵抗R4とR1およびR4とR1の比を設定する
ことによって2種類の独立した基準電圧■。、および■
。2を得ることができる。
Current flowing through Q s, Q h 13. Resistors R1 and R? so that In and Is are equal. When the value of is set, the base-emitter voltage of each transistor Qa, QS, and Q6 becomes VB! 4+ ■BE%+ ■□6 become equal. Therefore, each of these transistors Q a, Q s,
The voltage between the emitter of Q h and ground Vl, VIS
, Vat are all equal, so each output voltage V, ,
,V. 8 will be each. As is clear from these equations, two types of independent reference voltages can be created by setting the resistors R4 and R1 and the ratio of R4 and R1. , and ■
. You can get 2.

第3図は、本発明のさらに他の実施例に係わる基準電圧
発生回路を示す。同図の回路は、第1図の回路における
トランジスタQ、のコレクタ抵抗R4に替えてダイオー
ド接続されたPNP型トランジスタQ、を用い、PNP
型トランジスタQ、とベースおよびエミッタがそれぞれ
共通接続されたPNP型トランジスタQ、と該トランジ
スタQ、のコレクタとグランド間に接続された抵抗R4
を追加したものである。その他の部分は第1図の回路と
同じであり、同一部分には同一参照符号が付されている
。なお、トランジスタQ、とQ、は例えば同じ大きさの
ものが使用される。
FIG. 3 shows a reference voltage generation circuit according to still another embodiment of the present invention. The circuit of the same figure uses a diode-connected PNP type transistor Q in place of the collector resistor R4 of the transistor Q in the circuit of FIG.
type transistor Q, a PNP type transistor Q whose base and emitter are each commonly connected, and a resistor R4 connected between the collector of the transistor Q and the ground.
is added. The other parts are the same as the circuit of FIG. 1, and the same parts are given the same reference numerals. Note that the transistors Q and Q are of the same size, for example.

第3図の回路においては、前述の各実施例の回路と同様
に抵抗R3の両端の電圧■。が温度に対して安定な基準
電圧■1に等しくなる。また、トランジスタQ7とQ、
はカレントミラー回路を構成するから抵抗R3を流れる
電流■4と抵抗R4を流れる電流■、とは等しくなる。
In the circuit of FIG. 3, the voltage (2) across the resistor R3 is the same as in the circuits of the respective embodiments described above. becomes equal to the reference voltage ■1 which is stable with respect to temperature. In addition, transistors Q7 and Q,
constitutes a current mirror circuit, so the current (4) flowing through the resistor R3 and the current (2) flowing through the resistor R4 are equal.

したがって、となる。すなわち、温度に対して安定な基
準電圧を接地電位に対して得ることが可能となり、その
大きさは抵抗R3とR4との比によって任意に設定する
ことができる。なお、第3図の回路において、トランジ
スタQ、および抵抗R4からなる回路と同様の回路をト
ランジスタQ7のベースに複数組接続して複数種類の基
準電圧を得るようにすることも可能である。
Therefore, it becomes. That is, it becomes possible to obtain a reference voltage stable with respect to temperature with respect to the ground potential, and its magnitude can be arbitrarily set by the ratio of resistors R3 and R4. In the circuit of FIG. 3, it is also possible to connect a plurality of circuits similar to the circuit consisting of the transistor Q and the resistor R4 to the base of the transistor Q7 to obtain a plurality of types of reference voltages.

(発明の効果) このように、本発明によれば、簡単な回路構成により、
任意の電圧の安定化された出力電圧を得ることが可能に
なり、バンドギャップリファレンス型等の温度補償基準
電圧発生回路の応用範囲をさらに広げることが可能とな
る。また、本発明によれば、少数の部品の追加で複数系
統の任意の値の基準電圧を出力することが可能となり、
基準電圧発生回路の回路構成を簡単にしてコストを低下
させることが可能になる。
(Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, with a simple circuit configuration,
It becomes possible to obtain a stabilized output voltage of any voltage, and it becomes possible to further expand the range of applications of temperature-compensated reference voltage generation circuits such as band gap reference type. Further, according to the present invention, it is possible to output reference voltages of arbitrary values in multiple systems by adding a small number of components.
It becomes possible to simplify the circuit configuration of the reference voltage generation circuit and reduce costs.

44、図面の簡単な説明 第1図、第2図及び第3図はそれぞれ本発明の実施例に
係わる基準電圧発生回路を示す電気回路図、そして第4
図は従来形の基準電圧発生回路を示す電気回路図である
44. Brief Description of the Drawings FIGS. 1, 2, and 3 are electrical circuit diagrams showing a reference voltage generation circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is an electrical circuit diagram showing a conventional reference voltage generation circuit.

Q、、Q、、・・・、Qll:)ランジスタ、R,、R
,、・・・1 R7:抵抗、 IS:電流源回路。
Q,,Q,,...,Qll:) transistor,R,,R
,,...1 R7: Resistor, IS: Current source circuit.

特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁護士内田幸男 弁理士 山 口 昭 之 第2図 cc 第3図 ccpatent applicant Fujitsu Limited patent application agent Patent Attorney Akira Aoki Patent attorney Kazuyuki Nishidate Lawyer Yukio Uchida Patent attorney Akira Yamaguchi Figure 2 cc Figure 3 cc

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、第1および第2の端子を有し、第1の端子に電流源
回路を介して電源電流が供給され、該第1の端子から安
定化された電圧を出力する電圧安定化回路、該電圧安定
化回路の第1の端子と該電流源回路間に1頓方向に挿入
されたダイオード回路、該ダイオード回路と該電流源回
路との接続点にベースが接続されエミッタがインピーダ
ンス素子を介して前記電圧安定化回路の第2の端子に接
続されたトランジスタ、および8亥トランジスタに流れ
る電流に応じた出力電圧を発生する回路を具備する基準
電圧発生回路。 2、該ダイオード回路はコレクタとベース間が接続され
たトランジスタによって構成される特許請求の範囲第1
項に記載の基準電圧発生回路。
[Claims] 1. It has a first and a second terminal, a power supply current is supplied to the first terminal via a current source circuit, and a stabilized voltage is output from the first terminal. a voltage stabilizing circuit, a diode circuit inserted in one direction between a first terminal of the voltage stabilizing circuit and the current source circuit, a base connected to a connection point between the diode circuit and the current source circuit, and an emitter; A reference voltage generating circuit comprising: a transistor connected to a second terminal of the voltage stabilizing circuit via an impedance element; and a circuit that generates an output voltage according to a current flowing through the transistor. 2. Claim 1 in which the diode circuit is constituted by a transistor whose collector and base are connected.
The reference voltage generation circuit described in .
JP10852484A 1984-05-30 1984-05-30 Reference voltage generating circuit Pending JPS60252929A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10852484A JPS60252929A (en) 1984-05-30 1984-05-30 Reference voltage generating circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10852484A JPS60252929A (en) 1984-05-30 1984-05-30 Reference voltage generating circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60252929A true JPS60252929A (en) 1985-12-13

Family

ID=14486984

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10852484A Pending JPS60252929A (en) 1984-05-30 1984-05-30 Reference voltage generating circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60252929A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06102947A (en) * 1992-09-24 1994-04-15 Nec Kansai Ltd Power circuit
US6363029B1 (en) 1985-07-22 2002-03-26 Hitachi, Ltd. Semiconductor device incorporating internal power supply for compensating for deviation in operating condition and fabrication process conditions

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6363029B1 (en) 1985-07-22 2002-03-26 Hitachi, Ltd. Semiconductor device incorporating internal power supply for compensating for deviation in operating condition and fabrication process conditions
US6970391B2 (en) 1985-07-22 2005-11-29 Renesas Technology Corporation Semiconductor device incorporating internal power supply for compensating for deviation in operating condition and fabrication process conditions
US7002856B2 (en) 1986-07-18 2006-02-21 Renesas Technology Corporation Semiconductor device incorporating internal power supply for compensating for deviation in operating condition and fabrication process conditions
JPH06102947A (en) * 1992-09-24 1994-04-15 Nec Kansai Ltd Power circuit

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5229711A (en) Reference voltage generating circuit
JPS6327912A (en) Reference voltage generation circuit
GB2212633A (en) Two-terminal temperature-compensated current source circuit
US4507573A (en) Current source circuit for producing a small value output current proportional to an input current
JPH04266110A (en) Band-gap reference circuit
US4264873A (en) Differential amplification circuit
JPS5925244B2 (en) current stabilization circuit
JPH0544845B2 (en)
JP3157746B2 (en) Constant current circuit
KR100251576B1 (en) Reference voltage generator
JPS60252929A (en) Reference voltage generating circuit
JP4674947B2 (en) Constant voltage output circuit
JPS58144920A (en) Constant current circuit
JPH0225561B2 (en)
KR0152161B1 (en) Band gap reference voltage generating circuit
JP3736077B2 (en) Voltage comparison circuit
JPH0477329B2 (en)
KR900008361B1 (en) Current mirror type amplifier circuit having gain control measure
JP3547895B2 (en) Constant current generation circuit
JP3403054B2 (en) Temperature characteristic correction circuit
JP2966428B2 (en) Micro current source
JP3161929B2 (en) Voltage conversion circuit
JPH067379Y2 (en) Reference voltage source circuit
JPH09146648A (en) Reference voltage generating circuit
JP3407833B2 (en) Voltage limit circuit