JPH0479997B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0479997B2 JPH0479997B2 JP61010261A JP1026186A JPH0479997B2 JP H0479997 B2 JPH0479997 B2 JP H0479997B2 JP 61010261 A JP61010261 A JP 61010261A JP 1026186 A JP1026186 A JP 1026186A JP H0479997 B2 JPH0479997 B2 JP H0479997B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- elastic body
- single crystal
- control device
- force bar
- diameter control
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 claims description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 10
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims 2
- 210000005056 cell body Anatomy 0.000 claims 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004260 weight control Methods 0.000 description 1
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、チヨクラルスキー法（以下CZ法と
いう）における成長単結晶の重量式直径制御装置
の改良に関り、特に、単結晶を吊り下げ引張力を
測定するロードセルへの伝達部、いわゆるフオー
スバーの支持装置に関するものである。
［従来の技術］
CZ法単結晶の直径制御方式のひとつとして重
量式制御がある。
これは、成長中の結晶重量を測定してモデル結
晶重量と比較し、その偏差の大きさにより結晶成
長炉内の温度及び結晶引上げ速度を変化させて、
結晶直径をモデル結晶の直径に近似させるように
制御するものである。
この方式において成長中の結晶重量を測定する
ために、成長単結晶を引上げるキヤリツジに固定
されたロードセルを使用するが、このロードセル
の検出端と、種結晶を保持するシードチヤツク間
に設けられて、結晶重量による引張力をロードセ
ルに伝達する棒状の剛体を一般にフオースバーと
称する。
通常、結晶は回転しながら成長するが、この回
転運動を付与するためロードセル、シードチヤツ
ク及びフオースバーは共に同一の回転軸上で回転
させる必要がある。
また、フオースバーが成長結晶重量を正確にロ
ードセルに伝達するためには、ロードセル検出端
から吊り下げられた状態で他の固定部分に接触し
て摩擦を生じてはならない。
この様な機構において、結晶を回転させた場合
ロードセル検出端を支点として、そこからフオー
スバー、シードチヤツク及び成長中の結晶の重量
で決まる重心位置までの長さを振り子長さとする
単振動の固有振動数が結晶回転数に近づき共振現
象を起こして、成長結晶がその回転に同期した振
幅の大きい歳差運動を始める。その結果、有害な
転位が発生したり、成長時の結晶の曲がりが起き
たりする。
この固有振動数は、概略値として
[Industrial Application Field] The present invention relates to an improvement of a gravimetric diameter control device for growing single crystals in the Czyochralski method (hereinafter referred to as CZ method), and in particular to a load cell for suspending a single crystal and measuring tensile force. The present invention relates to a support device for a so-called force bar. [Prior Art] Gravimetric control is one of the diameter control methods for CZ single crystals. This is done by measuring the weight of the growing crystal, comparing it with the model crystal weight, and changing the temperature in the crystal growth furnace and the crystal pulling rate depending on the size of the deviation.
This is to control the crystal diameter so that it approximates the diameter of the model crystal. In order to measure the weight of a growing crystal in this method, a load cell fixed to a carriage that pulls up the growing single crystal is used, and a load cell is installed between the detection end of this load cell and a seed chuck that holds the seed crystal. A rod-shaped rigid body that transmits the tensile force due to the weight of the crystal to the load cell is generally called a force bar. Normally, crystals grow while rotating, and in order to provide this rotational motion, the load cell, seed chuck, and force bar must all be rotated on the same rotation axis. In addition, in order for the force bar to accurately transmit the weight of the grown crystal to the load cell, the force bar must not come into contact with other fixed parts and cause friction while suspended from the load cell detection end. In such a mechanism, when the crystal is rotated, the natural frequency of simple harmonic vibration is the length of the pendulum from the load cell detection end as a fulcrum to the center of gravity determined by the weight of the force bar, seed chuck, and growing crystal. approaches the crystal rotational speed, a resonance phenomenon occurs, and the growing crystal begins to precess with a large amplitude in synchronization with the rotation. As a result, harmful dislocations occur and the crystal bends during growth. This natural frequency is approximately
【式】で与えられるが、通常のCZ法
単結晶成長炉では、ｌ＝２(m)であるから、ｆ＝
21.1（min-1）となり、結晶回転数範囲15〜30rpm
に入る。
従来このような共振による歳差運動を防ぐた
め、第７図に示すように、フオースバー１とシー
ドチヤツク２の結合部近くに、カラー３と称され
るフオースバー直径よりわずかに大きな内径のリ
ング状の部品を、フオースバー、ロードセル４と
同一軸上で回転するガイドシヤフト５に取付け
て、フオースバーの振幅を機械的に規制してい
た。
しかし、このような方法であるとカラーとフオ
ースバーが共振時に接触するため、前述の理由で
摩擦による重量測定の不安定を生じてロードセル
出力にノイズとして現れ、直径制御が却つて不正
確になるおそれがある。
また、カラーとガイドシヤフトの結合部は比較
的高温に曝されやすいため、カラーの材質を通常
黒鉛にしなければならないが、フオースバーとカ
ラーが接触すると、カラーの一部が破壊されて原
料融液中に落下して成長中の結晶成長界面に付着
して単結晶化を妨げることも起こる。
フオースバーもまた高温下での長期間の使用に
より変形することがある。この場合には、初期調
整時には、わずかにクリアランスを保つてカラー
と接触しないように維持されていたとしても、や
がて共振時以外でも、常に接触を起こしてしまう
ことになる。その結果はまた前記したのと同様で
ある。
［発明が解決しようとする問題点］
このように、単結晶の振れ防止のために設けた
前記のようなカラーは、フオースバーとの接触と
いうあらたな問題のために、却つて重量制御には
不安定さをもたらす。さらに、接触が起きてカラ
ーが破損すれば、この時落下した破損物は結晶成
長界面に付着して単結晶化を阻害してしまう。当
然のことながら、これによる収率の低下、製造効
率の低下は避けられない。
また、従来からある引上げ時の成長単結晶の歳
差運動による結晶曲がりや転位の発生という現象
も収率低下や製造効率の悪化につながる。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、以上のような問題点を解決するため
になされたもので、フオースバーの揺れの幅を強
制的に規制する方法とは異なり、
チヨクラルスキー法による単結晶製造装置の単
結晶の重量式直径制御装置において、
フオースバーの軸方向には剛性が小さく、直角
方向には剛性が大きくなるごとくフオースバーと
ガイドシヤフトを弾性体で連結するもので、
ロードセル検出端から成長結晶重心までを振り
子長さとする単振動の固有振動数を、通常のCZ
法単結晶成長に使用される結晶回転数とは異なら
せることを特徴とする。
また、前記弾性体にはスプリング、薄板、ゴム
等を用いることができる。フオースバーとガイド
シヤフト間を直接弾性体で連結してもいいが、一
旦フオースバー又はガイドシヤフトのいずれかに
弾性体保持器を固定し、この弾性体保持器とフオ
ースバー間、あるいは弾性体保持器とガイドシヤ
フト間を弾性体で結ぶ方法もある。
さらにガイドシヤフトの上端は通常はロードセ
ル下面に取付けられているが、本発明の実施にお
いては成長単結晶の回転を行なうための回転伝達
用歯車下面に取付けてもいい。
［作用］
本発明は、フオースバーとガイドシヤフト間の
弾性体の連結形態、さらには弾性体の形状の作用
により、その弾性体のフオースバーの軸方向への
剛性を小さくして、ロードセルの重量検出には影
響をあたえないようにし、直角方向には剛性を大
きくすることで、フオースバーの直角方向への変
位量に比例した復元力を、重力だけの場合より増
加させる。さらにまた、所望のバネ定数を有する
弾性体の作用により、ロードセル検出端を支点と
して、そこからフオースバー、シードチヤツク及
び成長中の結晶の重量で決まる重心位置までの長
さを振り子長さとする単振動の固有振動数を成長
単結晶の回転数と異ならせる。
すなわち、たとえば弾性体としてスプリングを
用いた場合、通常ロードセルのフルスパンでの変
位量は20μm以下と考えられるので、バネ定数
20000N／ｍ、長さ30mmのものを用いれば、スプ
リングによる軸方向の引張力は0.4Nとなる。
これは、フルスパン重量を50Kgと考えると、
0.1％以下となり、実用的な範囲では直径制御精
度には影響を与えない。
このように本発明は、弾性体のバネ定数に起因
する作用及びその取付け形態の作用により、ロー
ドセルの重量検出に影響を与えないようにして、
しかも成長単結晶の歳差運動を防止するのであ
る。
［実施例 １］
第１図は本発明の一実施例を示す弾性体保持器
部分の一部断面拡大図。
第２図は本発明の一実施例を示す要部の縦断面
図である。
また、第３図には本実施例における弾性体保持
器部分の平面図を示す。
第６図は通常のCZ法単結晶製造装置を示し、
第７図には従来CZ法のフオースバー支持装置の
縦断面図を示す。
第１図および第２図に示す一実施例において、
成長単結晶６（第６図参照）の引上げを行なうキ
ヤリツジ７上にロードセル４は据えられており、
このキヤリツジを貫通してフオースバー１、ガイ
ドシヤフト５は結晶成長炉内８（第６図参照）中
に伸びている。
フオースバー１の先端にはシードチヤツク２が
取付けられており、シード９を掴み結晶を引上げ
る。ガイドシヤフト５とキヤリツジ７間には軸受
１０が設けられている。ロードセル４を含めて本
装置全体は結晶成長炉内にある。
ガイドシヤフト５の上端はロードセル下面に固
定され、下端はフオースバー長さの途中まで達し
ている。フオースバー１の、ガイドシヤフト下端
付近の位置には、弾性体保持器１１が取付けら
れ、弾性体保持器とガイドシヤフト５の下端はス
プリング止用のスペーサー２５を介してスプリン
グ１３で連結されている。
ロードセル４は回転伝達用歯車１４に軸設され
ていて、成長単結晶６（第６図参照）の回転を行
なう。ガイドシヤフト５、フオースバー１も、し
たがつて同様に回転する。回点数は15〜30rpmで
ある。
引上げ単結晶長さ700mm、重量Ｍは25Kg、結晶
長さの１／２の点に重心があると仮定すると、ロ
ードセル検出端１４からの成長単結晶を振子とす
る振子長さｌは２ｍである。またスプリングが取
付けられた位置までのロードセル検出端１５から
の長さｘは2/3ｍで、したがつてｌとの比率ａは
ｌ／ｘ＝３である。
３本のスプリングの総合バネ定数ｋは
30000N／ｍである。したがつてスプリングを設
けたことによる前記成長単結晶を振子とした単振
動の固有振動数f′は
より、f′＝112（min-1）となる。
結晶回転数は前記のとおり15〜30rpmである。
こうして引上げを行なつたところ、回転に伴う
歳差運動及びロードセル出力のノイズは生じなか
つた。また、カラー等を使用していないので融体
中への異物の混入もなく容易に単結晶化した。
本実施例においては、第１図ないし第２図に示
した機構を用いたがこれ以外に第４図に示した機
構でも同様の結果が得られた。
［実施例 ２］
第５図は本発明の一実施例を示す弾性体保持器
部分の平面図である。
ガイドシヤフト５と弾性体保持器内側壁１２間
にはスリツト１６を有した薄板１７が設けられて
いる。実施例１におけるスプリングを薄板に換え
た構造となつている。
バネ定数は実施例１同様30000N／ｍである。
実施例１と同様の引上げ実験を行なつたとこ
ろ、回転に伴う歳差運動及びロードセル出力のノ
イズは生じなかつた。また、カラー等を使用して
いないので融体中への異物の混入もなく容易に単
結晶化した。
［発明の効果］
本発明によれば、ガイドシヤフトとフオースバ
ー間にカラーが無いのでフオースバーの振動接触
によりカラー破損物が単結晶成長界面に付着する
問題が生じなくなる。
さらに、接触によるロードセル出力へのノイズ
の発生も無くなり、重量式直径制御が正確に行な
える。
前記実施例からも分かるように従来法によるも
のであれば、成長単結晶を振子とした単振動の固
有振動数は通常のCZ法による結晶回転数の範囲
に入るため、共振により振幅の大きい歳差運動が
発生し、結晶が曲がつて成長したり転位が発生し
たりするが、本発明によれば、この範囲内に固有
振動数は入らないから以上のような問題は皆無と
なる。
この結果、本発明はCZ法単結晶製造において
製品取得率を向上させ、作業の効率化を計るもの
である。It is given by [Formula], but in a normal CZ method single crystal growth furnace, l = 2 (m), so f =
21.1 (min -1 ), crystal rotation speed range 15 to 30 rpm
to go into. Conventionally, in order to prevent such precession due to resonance, a ring-shaped component with an inner diameter slightly larger than the diameter of the force bar, called a collar 3, was installed near the joint between the force bar 1 and the seed chuck 2, as shown in Fig. 7. was attached to a guide shaft 5 rotating on the same axis as the force bar and load cell 4, and the amplitude of the force bar was mechanically regulated. However, with this method, the collar and force bar come into contact during resonance, which causes instability in weight measurement due to friction for the reason mentioned above, which appears as noise in the load cell output, which may make diameter control even more inaccurate. There is. In addition, since the joint between the collar and the guide shaft is easily exposed to relatively high temperatures, the material of the collar must normally be graphite, but when the force bar and collar come into contact, a part of the collar is destroyed and the material melts into the raw material melt. It also happens that the crystals fall and adhere to the growing crystal growth interface, interfering with single crystallization. Force bars can also become deformed due to long-term use at high temperatures. In this case, even if a slight clearance is maintained so as not to contact the collar at the time of initial adjustment, contact will eventually occur all the time even at times other than resonance. The results are also similar to those described above. [Problems to be Solved by the Invention] As described above, the above-mentioned collar provided to prevent swinging of the single crystal is rather ineffective in weight control due to the additional problem of contact with the force bar. brings stability. Furthermore, if contact occurs and the collar is damaged, the broken material that falls at this time will adhere to the crystal growth interface and inhibit single crystallization. Naturally, this inevitably leads to a decrease in yield and production efficiency. Furthermore, the conventional phenomenon of crystal bending and generation of dislocations due to precession of the growing single crystal during pulling also leads to lower yields and production efficiency. [Means for Solving the Problems] The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and unlike the method of forcibly regulating the swing width of the force bar, it uses the Czyochralski method. In the single crystal gravimetric diameter control device for single crystal manufacturing equipment by , the force bar and guide shaft are connected by an elastic body so that the force bar has low rigidity in the axial direction and high rigidity in the orthogonal direction, and the load cell detects the force bar. Normal CZ
The crystal rotation speed is different from that used for method single crystal growth. Moreover, a spring, a thin plate, rubber, etc. can be used as the elastic body. The force bar and the guide shaft may be directly connected by an elastic body, but once an elastic body retainer is fixed to either the force bar or the guide shaft, the elastic body retainer and the guide shaft can be connected between the elastic body retainer and the force bar, or between the elastic body retainer and the guide shaft. There is also a method of connecting the shafts with an elastic body. Further, the upper end of the guide shaft is normally attached to the lower surface of the load cell, but in the practice of the present invention, it may be attached to the lower surface of the rotation transmission gear for rotating the grown single crystal. [Function] The present invention reduces the rigidity of the elastic body in the axial direction of the force bar through the connection form of the elastic body between the force bar and the guide shaft, and also the shape of the elastic body, thereby making it possible to detect the weight of the load cell. By making the force bar have no influence and increasing the rigidity in the perpendicular direction, the restoring force proportional to the amount of displacement of the force bar in the perpendicular direction is increased compared to the case of gravity alone. Furthermore, by the action of an elastic body having a desired spring constant, a simple harmonic wave whose pendulum length is the length from the load cell detection end as a fulcrum to the center of gravity determined by the weight of the force bar, seed chuck, and growing crystal. The natural frequency is made different from the rotational speed of the growing single crystal. In other words, for example, when a spring is used as an elastic body, the displacement in the full span of the load cell is usually considered to be less than 20μm, so the spring constant
If a spring of 20000N/m and a length of 30mm is used, the tensile force in the axial direction due to the spring will be 0.4N. This is assuming that the full span weight is 50Kg.
It is 0.1% or less, and does not affect diameter control accuracy within a practical range. In this way, the present invention prevents the weight detection of the load cell from being affected by the effect caused by the spring constant of the elastic body and the effect of its mounting form.
Moreover, it prevents the precession of the growing single crystal. [Embodiment 1] FIG. 1 is an enlarged partial cross-sectional view of an elastic body retainer portion showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional view of essential parts showing an embodiment of the present invention. Further, FIG. 3 shows a plan view of the elastic body retainer portion in this embodiment. Figure 6 shows a typical CZ method single crystal manufacturing equipment.
FIG. 7 shows a vertical sectional view of a force bar support device for the conventional CZ method. In one embodiment shown in FIGS. 1 and 2,
A load cell 4 is placed on a carriage 7 that pulls up a growing single crystal 6 (see Fig. 6).
A force bar 1 and a guide shaft 5 extend through this carriage into a crystal growth furnace 8 (see FIG. 6). A seed chuck 2 is attached to the tip of the force bar 1, which grasps the seed 9 and pulls up the crystal. A bearing 10 is provided between the guide shaft 5 and the carriage 7. The entire apparatus including the load cell 4 is located in a crystal growth furnace. The upper end of the guide shaft 5 is fixed to the lower surface of the load cell, and the lower end reaches halfway along the length of the force bar. An elastic body retainer 11 is attached to the force bar 1 at a position near the lower end of the guide shaft, and the elastic body retainer and the lower end of the guide shaft 5 are connected by a spring 13 via a spacer 25 for spring stop. The load cell 4 is axially connected to the rotation transmission gear 14, and rotates the grown single crystal 6 (see FIG. 6). The guide shaft 5 and force bar 1 therefore rotate in the same way. The number of rotations is 15-30 rpm. Assuming that the length of the pulled single crystal is 700 mm, the weight M is 25 kg, and the center of gravity is at 1/2 of the crystal length, the pendulum length l of the grown single crystal from the load cell detection end 14 is 2 m. . Further, the length x from the load cell detection end 15 to the position where the spring is attached is 2/3 m, so the ratio a to l is l/x=3. The overall spring constant k of the three springs is
It is 30000N/m. Therefore, the natural frequency f′ of the simple harmonic motion with the grown single crystal as a pendulum due to the provision of a spring is Therefore, f'=112 (min -1 ). The crystal rotation speed is 15 to 30 rpm as described above. When the device was pulled up in this manner, no precession caused by rotation and no noise in the load cell output occurred. Furthermore, since no collar or the like was used, single crystallization was easily achieved without contamination of foreign matter into the melt. In this example, the mechanism shown in FIGS. 1 and 2 was used, but similar results were obtained with the mechanism shown in FIG. 4. [Embodiment 2] FIG. 5 is a plan view of an elastic body retainer portion showing an embodiment of the present invention. A thin plate 17 having a slit 16 is provided between the guide shaft 5 and the inner wall 12 of the elastic retainer. It has a structure in which the spring in Example 1 is replaced with a thin plate. The spring constant is 30000 N/m as in Example 1. When a pulling experiment similar to that in Example 1 was conducted, no precession due to rotation and no noise in the load cell output occurred. Furthermore, since no collar or the like was used, single crystallization was easily achieved without contamination of foreign matter into the melt. [Effects of the Invention] According to the present invention, since there is no collar between the guide shaft and the force bar, there is no problem that damage to the collar adheres to the single crystal growth interface due to vibrational contact of the force bar. Furthermore, the generation of noise in the load cell output due to contact is eliminated, and weight-based diameter control can be performed accurately. As can be seen from the above examples, if the conventional method is used, the natural frequency of the simple harmonic vibration with the grown single crystal as a pendulum falls within the range of the crystal rotation frequency obtained by the normal CZ method. Differential motion occurs, causing the crystal to grow in a crooked manner and causing dislocations, but according to the present invention, the natural frequency does not fall within this range, so the above-mentioned problems are completely eliminated. As a result, the present invention improves the product yield rate and improves work efficiency in single crystal production using the CZ method.
第１図は本発明の一実施例を示す弾性体保持器
部分の一部断面拡大図。第２図は本発明の一実施
例を示す要部の縦断面図。第３図乃至第５図は本
発明の一実施例を示した弾性体保持器部分の横断
面図。第６図は一般のCZ法単結晶製造装置の縦
断面図。第７図は従来CZ法のフオースバー支持
装置の縦断面図。
１…フオースバー、２…シードチヤツク、３…
カラー、４…ロードセル、５…ガイドシヤフト、
６…成長単結晶、７…キヤリツジ、８…結晶成長
炉内、９…シード、１０…軸受、１１…弾性体保
持器、１２…スプリング支持棒、１３…スプリン
グ、１４…回転伝達用歯車、１５…ロードセル検
出端、１６…スリツト、１７…薄板、１８…石英
ルツボ、１９…黒鉛ヒーター、２０…黒鉛熱遮蔽
部、２１…上部スプリングマウント、２２…下部
スプリングマウント、２３…反射板、２４…風
防、２５…スペーサー。
FIG. 1 is an enlarged partial cross-sectional view of an elastic retainer portion showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a vertical cross-sectional view of a main part showing an embodiment of the present invention. 3 to 5 are cross-sectional views of an elastic retainer portion showing an embodiment of the present invention. Figure 6 is a vertical cross-sectional view of a general CZ method single crystal manufacturing apparatus. FIG. 7 is a vertical cross-sectional view of a force bar support device for the conventional CZ method. 1...Force bar, 2...Seed chuck, 3...
Collar, 4...Load cell, 5...Guide shaft,
6... Growing single crystal, 7... Carriage, 8... Inside the crystal growth furnace, 9... Seed, 10... Bearing, 11... Elastic body retainer, 12... Spring support rod, 13... Spring, 14... Rotation transmission gear, 15 ...Load cell detection end, 16...Slit, 17...Thin plate, 18...Quartz crucible, 19...Graphite heater, 20...Graphite heat shield, 21...Upper spring mount, 22...Lower spring mount, 23...Reflector, 24...Windshield , 25...Spacer.
Claims (1)
の単結晶の重量式直径制御装置において、フオー
スバーの軸方向には剛性が小さく、直角方向には
剛性が大きくなるごとにフオースバーとガイドシ
ヤフトを弾性体で連結したことを特徴とするCZ
単結晶製造装置の直径制御装置。 ２ 前記ガイドシヤフトはロードセル本体下面又
はキヤリツジ下面にその一端が固定され、他端は
フオースバーの途中長さ又は下端長さまで達する
特許請求の範囲第１項記載のCZ単結晶製造装置
の直径制御装置。 ３ 前記ガイドシヤフトに弾性体保持器を固定
し、該弾性体保持器とフオースバー間を弾性体で
連結した特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
CZ単結晶製造装置の直径制御装置。 ４ 前記フオースバーに弾性体保持器を固定し、
該弾性体保持器とガイドシヤフト間を弾性体で連
結した特許請求の範囲第１項又は第２項記載の
CZ単結晶製造装置の直径制御装置。 ５ 前記ガイドシヤフトはフオースバーを中心と
した管状体、又はフオースバーに沿う棒状もしく
は板状体である特許請求の範囲第１項乃至第４項
のいずれか一項に記載のCZ単結晶製造装置の直
径制御装置。 ６ 前記弾性体は、ロードセル検出端から成長結
晶重心までを振り子長さとする単振動の固有振動
数を、結晶回転数と異ならしめる作用を有する特
許請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか一項に
記載のCZ単結晶製造装置の直径制御装置。 ７ 前記弾性体は、ロードセル検出端から成長結
晶重心までを振り子長さとする単振動の固有振動
数を、結晶回転数より高める作用を有する特許請
請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか一項に記
載のCZ単結晶製造装置の直径制御装置。 ８ 前記弾性体は、スプリングである特許請求の
範囲第１項乃至第７項のいずれか一項に記載の
CZ単結晶製造装置の直径制御装置。 ９ 前記弾性体は、薄板である特許請求の範囲第
１項乃至第７項のいずれか一項に記載のCZ単結
晶製造装置の直径制御装置。[Claims] 1. In a gravimetric diameter control device for a single crystal in a single crystal manufacturing apparatus using the Czyochralski method, the stiffness of the force bar is small in the axial direction, and as the stiffness increases in the perpendicular direction, the force bar is CZ characterized by a guide shaft connected with an elastic body
Diameter control device for single crystal production equipment. 2. The diameter control device for a CZ single crystal production apparatus according to claim 1, wherein the guide shaft has one end fixed to the lower surface of the load cell body or the lower surface of the carriage, and the other end reaches the middle length or lower end length of the force bar. 3. The method according to claim 1 or 2, wherein an elastic body holder is fixed to the guide shaft, and the elastic body holder and the force bar are connected by an elastic body.
Diameter control device for CZ single crystal manufacturing equipment. 4 fixing an elastic body retainer to the force bar;
Claim 1 or 2, wherein the elastic body holder and the guide shaft are connected by an elastic body.
Diameter control device for CZ single crystal manufacturing equipment. 5. The diameter of the CZ single crystal manufacturing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the guide shaft is a tubular body centered on the force bar, or a rod-shaped or plate-shaped body along the force bar. Control device. 6. The elastic body has the function of making the natural frequency of a simple harmonic motion, whose pendulum length is from the load cell detection end to the center of gravity of the growing crystal, different from the crystal rotation speed. A diameter control device for a CZ single crystal manufacturing device according to item 1. 7. The elastic body has the effect of increasing the natural frequency of a simple harmonic motion whose pendulum length is from the detection end of the load cell to the center of gravity of the growing crystal, higher than the rotational speed of the crystal. A diameter control device for a CZ single crystal manufacturing device according to item 1. 8. The elastic body according to any one of claims 1 to 7, wherein the elastic body is a spring.
Diameter control device for CZ single crystal manufacturing equipment. 9. The diameter control device for a CZ single crystal production apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the elastic body is a thin plate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1026186A JPS62171987A (en) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | Cz single crystal production apparatus and production method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1026186A JPS62171987A (en) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | Cz single crystal production apparatus and production method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62171987A JPS62171987A (en) | 1987-07-28 |
| JPH0479997B2 true JPH0479997B2 (en) | 1992-12-17 |
Family
ID=11745367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1026186A Granted JPS62171987A (en) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | Cz single crystal production apparatus and production method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62171987A (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0390930B1 (en) | 1988-09-26 | 1993-03-03 | Teijin Limited | Stable aqueous preparation of active vitamin d 3 |
| JPH0649632B2 (en) * | 1988-12-16 | 1994-06-29 | コマツ電子金属株式会社 | Single crystal diameter control device |
| CN102534760A (en) * | 2011-12-28 | 2012-07-04 | 苏州优晶光电科技有限公司 | Device for monitoring crystal growth |
| CN102534761A (en) * | 2011-12-28 | 2012-07-04 | 苏州优晶光电科技有限公司 | Device for monitoring crystal growth |
| CN102425004B (en) * | 2011-12-28 | 2013-02-13 | 苏州优晶光电科技有限公司 | Crystal growth monitoring device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59156994A (en) * | 1983-02-22 | 1984-09-06 | ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | Device for pulling out monocrystal |
| JPS6065789A (en) * | 1983-09-21 | 1985-04-15 | Toshiba Mach Co Ltd | Apparatus for preventing lateral oscillation of pulling shaft of semiconductor pulling device |
-
1986
- 1986-01-22 JP JP1026186A patent/JPS62171987A/en active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59156994A (en) * | 1983-02-22 | 1984-09-06 | ライボルト−ヘレ−ウス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | Device for pulling out monocrystal |
| JPS6065789A (en) * | 1983-09-21 | 1985-04-15 | Toshiba Mach Co Ltd | Apparatus for preventing lateral oscillation of pulling shaft of semiconductor pulling device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62171987A (en) | 1987-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0479997B2 (en) | ||
| JPS60145988A (en) | Control of single crystal pull out machine | |
| JPH0431386A (en) | Pulling up semiconductor single crystal | |
| CN106048713A (en) | Method for monitoring and regulating solid-liquid interface height in silicon carbide solution process in real time | |
| JP2023514801A (en) | Piezoelectric crystal weighing crystal growth apparatus and method of operation | |
| CN107208307A (en) | The control system and control method of single crystal rod diameter | |
| US8257496B1 (en) | Crucible weight measurement system for controlling feedstock introduction in Czochralski crystal growth | |
| US6068699A (en) | Apparatus for fabricating semiconductor single crystal | |
| JP2939919B2 (en) | Semiconductor single crystal pulling equipment | |
| KR100216360B1 (en) | Apparatus for weighing a grown crystal | |
| JPH02164790A (en) | Diameter control device of single crystal | |
| EP1029955B1 (en) | Apparatus and method for producing single crystal | |
| JP2939920B2 (en) | Semiconductor single crystal manufacturing equipment | |
| EP0653382B1 (en) | Method and apparatus for manufacturing an optical fibre preform | |
| RU2555481C1 (en) | Unit for growth of sapphire monocrystals by kyropoulos method | |
| JP2019167254A (en) | Polycrystal raw material holding tool of fz furnace | |
| JPS5930795A (en) | Apparatus for pulling up single crystal | |
| JP3758743B2 (en) | Semiconductor single crystal manufacturing equipment | |
| JPH07172980A (en) | Apparatus for producing semiconductor single crystal | |
| EP1030354A1 (en) | Compression bonded semiconductor device and power converter using the same | |
| JPS6126596A (en) | Method and deivce for pulling up crystal | |
| JPH05208893A (en) | Single crystal pulling apparatus and controlling method therefor | |
| CN212533194U (en) | Crystal growth pulling device and crystal growth furnace | |
| JP3870650B2 (en) | Single crystal manufacturing method and single crystal manufacturing apparatus | |
| JP2855498B2 (en) | Semiconductor single crystal pulling equipment |