JPH047890A - セラミック基板の前処理方法 - Google Patents
セラミック基板の前処理方法Info
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- JPH047890A JPH047890A JP11151490A JP11151490A JPH047890A JP H047890 A JPH047890 A JP H047890A JP 11151490 A JP11151490 A JP 11151490A JP 11151490 A JP11151490 A JP 11151490A JP H047890 A JPH047890 A JP H047890A
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
各種電子機器の回路構成に広く使用されるセラミック基
板の薄膜形成前に行う前処理方法に関し、絶縁基板のビ
ア内に侵入した研削および洗浄液を完全に除去して、配
線パターンへの影響を防止することを目的とし、 セラミック基板となる配線パターン形成前の絶縁基板洗
浄において、上記絶縁基板をクロロセン等の洗浄液にデ
ィップした後に、前記クロロセン等の飽和蒸気中に挿入
する工程と、該洗浄液の沸点以上の温度で一定時間保持
する乾燥工程と、上記乾燥後の該絶縁基板を常温の純水
で洗浄する純水洗浄工程と、イソプロピールアルコール
の飽和蒸気で洗浄するイソプロピールアルコールベーパ
洗浄工程と、当該イソプロピールアルコールベーパ洗浄
後の該絶縁基板を高温の不活性ガス雰囲気中で、該イソ
プロピールアルコールを蒸発させる高温ベーク工程の順
序により絶縁基板を洗浄する。
板の薄膜形成前に行う前処理方法に関し、絶縁基板のビ
ア内に侵入した研削および洗浄液を完全に除去して、配
線パターンへの影響を防止することを目的とし、 セラミック基板となる配線パターン形成前の絶縁基板洗
浄において、上記絶縁基板をクロロセン等の洗浄液にデ
ィップした後に、前記クロロセン等の飽和蒸気中に挿入
する工程と、該洗浄液の沸点以上の温度で一定時間保持
する乾燥工程と、上記乾燥後の該絶縁基板を常温の純水
で洗浄する純水洗浄工程と、イソプロピールアルコール
の飽和蒸気で洗浄するイソプロピールアルコールベーパ
洗浄工程と、当該イソプロピールアルコールベーパ洗浄
後の該絶縁基板を高温の不活性ガス雰囲気中で、該イソ
プロピールアルコールを蒸発させる高温ベーク工程の順
序により絶縁基板を洗浄する。
〔産業上の利用分野］
本発明は、各種電子機器の回路構成に広く使用されるセ
ラミック基板の薄膜形成前に行う前処理方法に関する。
ラミック基板の薄膜形成前に行う前処理方法に関する。
最近、大型電算機あるいは大型通信機器等に使用される
セラミック基板は回路規模の増大と高速化の要求に伴い
、絶縁基板に形成される配線パターンは微細化と高密度
化が行われるとともに多層化が必要となっている。その
ため多数枚のグリーンシートを積層して絶縁基板を焼成
しているが、この絶縁基板に形成される導体ビアには多
数個の空間（以下ボアと略称する）が発生しており、配
線パターンを形成する前の絶縁基板両面研削において、
その研削液が上記ボアに侵入して絶縁基板両面に形成さ
れる微細な配線パターンに障害が発生するので、ボア内
の研削液およびこの研削液除去用の洗浄液が完全に排除
されるセラミック基板の前処理方法が必要とされている
。
セラミック基板は回路規模の増大と高速化の要求に伴い
、絶縁基板に形成される配線パターンは微細化と高密度
化が行われるとともに多層化が必要となっている。その
ため多数枚のグリーンシートを積層して絶縁基板を焼成
しているが、この絶縁基板に形成される導体ビアには多
数個の空間（以下ボアと略称する）が発生しており、配
線パターンを形成する前の絶縁基板両面研削において、
その研削液が上記ボアに侵入して絶縁基板両面に形成さ
れる微細な配線パターンに障害が発生するので、ボア内
の研削液およびこの研削液除去用の洗浄液が完全に排除
されるセラミック基板の前処理方法が必要とされている
。
セラミック基板に形成された多数個のビア２は導電性の
優れた金属粉末を焼成して形成しているので、第３図に
示すようにその内部に多くのボア２ａが発生しており、
洗浄工程の直前に行われる絶縁基板の表面を研削する工
程においてエチレングリコール等の有機物を含む研削液
がビア２に多発したボア２ａの中に侵入している。
優れた金属粉末を焼成して形成しているので、第３図に
示すようにその内部に多くのボア２ａが発生しており、
洗浄工程の直前に行われる絶縁基板の表面を研削する工
程においてエチレングリコール等の有機物を含む研削液
がビア２に多発したボア２ａの中に侵入している。
そのため従来より広く採用されているセラミック基板の
前処理方法は、第２図の工程順ブロック図で示すように
、 （１１）は、洗浄槽に注入したクロロセン等の洗浄液に
セラミックよりなる絶縁基板をディップした後に、その
絶縁基板を沸点（約７６°Ｃ）に上昇させたクロロセン
蒸気中に挿入して、絶縁基板に付着した油脂および研削
液を除去するクロロセン洗浄工程。
前処理方法は、第２図の工程順ブロック図で示すように
、 （１１）は、洗浄槽に注入したクロロセン等の洗浄液に
セラミックよりなる絶縁基板をディップした後に、その
絶縁基板を沸点（約７６°Ｃ）に上昇させたクロロセン
蒸気中に挿入して、絶縁基板に付着した油脂および研削
液を除去するクロロセン洗浄工程。
（１２）は、上記クロロセン洗浄で付着した溶剤を常温
の純水で流し取る純水洗浄工程。
の純水で流し取る純水洗浄工程。
の順序により絶縁基板の洗浄が行われている。
以上説明した従来の前処理方法で問題となるのは、第３
図に示すように絶縁基板１のビア２に多発したボア２ａ
の奥に研削工程の有機物を含む研削液が残留したり、ま
たは上記前処理工程のクロロセン液および純水がボア２
ａの中に残っている。
図に示すように絶縁基板１のビア２に多発したボア２ａ
の奥に研削工程の有機物を含む研削液が残留したり、ま
たは上記前処理工程のクロロセン液および純水がボア２
ａの中に残っている。
そのためこのビア２の導体金属と純水によりクロロセン
の分解が促進されてその塩素成分が絶縁基板１の中に残
留し、アルミニウム等の薄膜配線パターン３等を腐食す
るとともに、電子部品実装等の加熱でボア２ａに残留し
た液体が気化して配線パターン３が断線するという問題
が生じている。
の分解が促進されてその塩素成分が絶縁基板１の中に残
留し、アルミニウム等の薄膜配線パターン３等を腐食す
るとともに、電子部品実装等の加熱でボア２ａに残留し
た液体が気化して配線パターン３が断線するという問題
が生じている。
本発明は上記のような問題点に鑑み、絶縁基板のビア内
に侵入した研削および洗浄液を完全に除去して、配線パ
ターンへの影響を防止することができる新しいセラミッ
ク基板の前処理方法の提供を目的とする。
に侵入した研削および洗浄液を完全に除去して、配線パ
ターンへの影響を防止することができる新しいセラミッ
ク基板の前処理方法の提供を目的とする。
本発明は、第１図に示すように セラミック基板となる
配線パターン形成前の絶縁基板洗浄において、上記絶縁
基板をクロロセン等の洗浄液にディップした後に、前記
クロロセン等の飽和蒸気中に挿入する工程２１と、該洗
浄液の沸点以上の温度で一定時間保持する乾燥工程２２
と、上記乾燥後の該絶縁基板を常温の純水で洗浄する純
水洗浄工程２３と、イソプロピールアルコール（以下Ｉ
ＰＡと略称する）の飽和蒸気で洗浄するＩＰＡヘーパ洗
浄工程２４と、当該ＩＰＡベーパ洗浄後の該絶縁基板を
高温の不活性ガス雰囲気中で、該ＩＰＡを蒸発させる高
温ヘーク工程２５の順序により絶縁基板を洗浄する。
配線パターン形成前の絶縁基板洗浄において、上記絶縁
基板をクロロセン等の洗浄液にディップした後に、前記
クロロセン等の飽和蒸気中に挿入する工程２１と、該洗
浄液の沸点以上の温度で一定時間保持する乾燥工程２２
と、上記乾燥後の該絶縁基板を常温の純水で洗浄する純
水洗浄工程２３と、イソプロピールアルコール（以下Ｉ
ＰＡと略称する）の飽和蒸気で洗浄するＩＰＡヘーパ洗
浄工程２４と、当該ＩＰＡベーパ洗浄後の該絶縁基板を
高温の不活性ガス雰囲気中で、該ＩＰＡを蒸発させる高
温ヘーク工程２５の順序により絶縁基板を洗浄する。
〔作 用］
本発明では、クロロセン洗浄工程２１において絶縁基板
に付着した油脂およびビアのボアに侵入した研削液はク
ロロセン洗浄と置換され、次の乾燥工程２２で絶縁基板
の表面およびボア内に残留するクロロセン洗浄液が蒸発
する。その後に絶縁基板を純水洗浄工程２３で洗浄して
ＩＰＡベーパ洗浄工程２４のＩＰＡ蒸気中で保持すると
、ビアの奥に残留したボア内のクロロセン等はＩＰＡと
置換されて、その絶縁基板を高温ヘーク工程２５で高温
の不活性ガス雰囲気中に一定時間挿入することで、ボア
内に侵入した研削液およびクロロセン等の洗浄液を排除
することが可能となる。
に付着した油脂およびビアのボアに侵入した研削液はク
ロロセン洗浄と置換され、次の乾燥工程２２で絶縁基板
の表面およびボア内に残留するクロロセン洗浄液が蒸発
する。その後に絶縁基板を純水洗浄工程２３で洗浄して
ＩＰＡベーパ洗浄工程２４のＩＰＡ蒸気中で保持すると
、ビアの奥に残留したボア内のクロロセン等はＩＰＡと
置換されて、その絶縁基板を高温ヘーク工程２５で高温
の不活性ガス雰囲気中に一定時間挿入することで、ボア
内に侵入した研削液およびクロロセン等の洗浄液を排除
することが可能となる。
以下図面に示した実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
第１図は本実施例によるセラミック基板の前処理方法の
工程図を示す。
工程図を示す。
本実施例のセラミック基板の前処理方法は、第１図の工
程図に示すように、 （２１）は、洗浄槽に注入したクロロセン等の洗浄液に
絶縁基板をディップした後に沸点（約７６°）に上昇さ
せたクロロセン蒸気中に挿入し、その絶縁基板に付着し
た油脂および研削液を除去する従来と同一のクロロセン
洗浄工程。
程図に示すように、 （２１）は、洗浄槽に注入したクロロセン等の洗浄液に
絶縁基板をディップした後に沸点（約７６°）に上昇さ
せたクロロセン蒸気中に挿入し、その絶縁基板に付着し
た油脂および研削液を除去する従来と同一のクロロセン
洗浄工程。
（２２）は、上記クロロセン洗浄後の絶縁基板を約８０
°Ｃの温度に上昇させた恒温槽に約３０分間挿入し、ビ
アのボアに侵入して研削液と置換したクロロセン洗浄液
を完全に蒸発させる乾燥工程。
°Ｃの温度に上昇させた恒温槽に約３０分間挿入し、ビ
アのボアに侵入して研削液と置換したクロロセン洗浄液
を完全に蒸発させる乾燥工程。
（２３）は、上記乾燥後の絶縁基板を常温の純水で流し
取る従来と同一の純水洗浄工程。
取る従来と同一の純水洗浄工程。
（２４）は、約８０″Ｃの温度に上昇させたＩＰＡの蒸
気中で保持するＩＰＡヘーパ洗浄工程。
気中で保持するＩＰＡヘーパ洗浄工程。
（２５）は、上記ＩＰＡヘーパ洗浄後の絶縁基板を約４
００°Ｃの温度に上昇させた窒素ガスの雰囲気中に約２
時間挿入して、ビアのボアに侵入したＩＰＡを蒸発させ
る高温ベーク工程。
００°Ｃの温度に上昇させた窒素ガスの雰囲気中に約２
時間挿入して、ビアのボアに侵入したＩＰＡを蒸発させ
る高温ベーク工程。
の順序により絶縁基板を洗浄している。
その結果、絶縁基板のビアに多発するボアへ侵入した研
削液を除去するとともにその研削液と置換された洗浄液
も完全に除去されるので、絶縁基板の表面に形成される
配線パターンへの悪影響を防止することができる。
削液を除去するとともにその研削液と置換された洗浄液
も完全に除去されるので、絶縁基板の表面に形成される
配線パターンへの悪影響を防止することができる。
以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて簡
単な方法で、絶縁基板の表面に形成される配線パターン
の悪影響を防止できる等の利点があり、著しい経済的及
び、信頼性向上の効果が期待できるセラミック基板の前
処理方法を提供することができる。
単な方法で、絶縁基板の表面に形成される配線パターン
の悪影響を防止できる等の利点があり、著しい経済的及
び、信頼性向上の効果が期待できるセラミック基板の前
処理方法を提供することができる。
第１図は本発明によるセラミック基板の前処理方法を示
す工程図、 第２図は従来の前処理方法を示す工程図、第３図は絶縁
基板に形成されたビアを示す拡大断面図である。 図において、 ２１はクロロセン洗浄、 ２２は乾燥、 ２３は純水洗浄、 ２４はＩＰＡベーパ洗浄、 ２５は高温ベーク、 を示す。
す工程図、 第２図は従来の前処理方法を示す工程図、第３図は絶縁
基板に形成されたビアを示す拡大断面図である。 図において、 ２１はクロロセン洗浄、 ２２は乾燥、 ２３は純水洗浄、 ２４はＩＰＡベーパ洗浄、 ２５は高温ベーク、 を示す。
Claims (1)
- セラミック基板となる配線パターン形成前の絶縁基板
洗浄において、上記絶縁基板をクロロセン等の洗浄液に
ディップした後に、前記クロロセン等の飽和蒸気中に挿
入する工程（２１）と、該洗浄液の沸点以上の温度で一
定時間保持する乾燥工程（２２）と、上記乾燥後の該絶
縁基板を常温の純水で洗浄する純水洗浄工程（２３）と
、イソプロピールアルコールの飽和蒸気で洗浄するイソ
プロピールアルコールベーパ洗浄工程（２４）と、当該
イソプロピールアルコールベーパ洗浄後の該絶縁基板を
高温の不活性ガス雰囲気中で、該イソプロピールアルコ
ールを蒸発させる高温ベーク工程（２５）の順序により
絶縁基板を洗浄してなることを特徴とするセラミック基
板の前処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11151490A JPH047890A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | セラミック基板の前処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11151490A JPH047890A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | セラミック基板の前処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH047890A true JPH047890A (ja) | 1992-01-13 |
Family
ID=14563245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11151490A Pending JPH047890A (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 | セラミック基板の前処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH047890A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109451665A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-03-08 | 博罗康佳精密科技有限公司 | 一种光电板的制作工艺 |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP11151490A patent/JPH047890A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109451665A (zh) * | 2018-11-09 | 2019-03-08 | 博罗康佳精密科技有限公司 | 一种光电板的制作工艺 |
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