JPH0468802B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野及び背景技術） 本発明は、ソリヅド・ステートのマイクロ波増
幅器に関し、更に詳細には、１つ以上の増幅器か
らの出力電力を適切に結合することによつて、１
つのソリツド・ステート増幅器から得られるより
も大きな電力出力を得られる分割器／結合器回路
に関する。更に詳述すれば、本発明による円周形
分割器／結合器回路は、適度の数の高周波バイポ
ーラ・トランジスタ及び（又は）電界効果トラン
ジスタの出力電力を結合して８〜20GHzの周波数
帯において大電力増幅を行う。この周波数帯での
電力増幅技術は、１ポート負性抵抗半導体装置へ
の限定された応用等、熱イオン・カソード・マイ
クロ波管によつて殆んど占められている。大電力
ソリツド・ステート・マイクロ波増幅器に対する
必要性が、現在入手し得るものよりも小さく、軽
量で信頼性が高く、そして安価な増幅器を提供す
るために高まつている。

従来において、10GHzの周波数範囲の増幅に使
用し得る半導体装置は、供給し得る出力電力の点
で制限されてしまう。これらは帯域幅が広く熱イ
オン・カソードを使用しないという利点を有すけ
れども、大電力を供給する能力に欠けるというこ
とが応用することに制限を加えている。これらの
能動半導体装置は、従来、これらの多くを並列に
することによつて出力電力を増大させていた。し
かし、個々の半導体装置を並列にすることによつ
てその装置の入力及び出力インピーダンスの有効
性及び効果を低下させしてしまい、並列に接続し
得る数が制限されるという欠点を有する。

１つのデバイス（例えば高周波トランジスタ）
の能力を越える出力が必要なとき１以上の増幅器
を使用する場合、幾つかの増幅器を並列に接続す
ることがある。しかし、単に並列に接続すると不
都合なこと、そして危険が伴うことがある。例え
ば、1.22の入力VSWRは１％の反射電力損失を表
わす。しかし、共に1.22のVSWRを有する２つの
装置を並列に接続すると、これらの電力分割はイ
ンピーダンス比に依存し、この比は２つの反射波
の位相が180°離れていると1.5にもなる。同じこ
とが出力インピーダンスにも当てはまる。均一に
電力が分解されないばかりか、不均一の電力分割
又は他の理由で１ユニツトが故障すると、高い
VSWRが他のユニツトに悪影響を与えてしまう。
インテグラル（integral）減衰抵抗を利用して並
列接続されたソリツド．ステート増幅器間を分離
する従来の分割器／結合器回路には問題がある。
このインテグラル減衰抵抗は不安定を引き起こ
し、動作モードにおける効率を低下させてしま
う。従来の分割器／結合器回路の分離抵抗は、動
作モードでは電流が流れないように接続されなけ
ればならないが、回路内の分布リアクタンスが動
作モードで分離抵抗に電流を流し、分割器／結合
器回路の安定性及び有効性が低下する。

ソリツド・ステート電力増幅器は、負性抵抗ダ
イオードを結合して使用することにより８〜20G
Hzの周波数帯で使用することが可能になるけれど
も、ノイズに対する性能、ダイナミツク・レンジ
の制限、不安定性等その有用性を低下させる固有
の問題がある。トランジスタは、現在、この周波
数範囲で動作し得るものが開発され、8GHzで5db
の利得、５ワツトの出力、20GHzで5dbの利得、
１／２ワツトの出力のものが発表されている。また、
10〜50ワツト出力のソリツド・ステート・マイク
ロ波増増器が考察されている。90％の結合効率が
達成されるとすれば、適当な数のトランジスタ
で、所望の出力電力を供給することができる。

（発明の概要） 前述の問題は本発明による円周形分割器／結合
器回路によつて解決され、更に別の利点が得ら
れ、動作モードの場（field）が分離抵抗に到達
しないような場パターン及び電極形状が与えられ
る。分離抵抗は、１又はそれ以上の増幅器ポート
で不整合が生じなければ回路から除外され、その
抵抗が場によつて結合される場合には能動素子に
ダメージを与え得る高いＱの共振の発生を防止す
る。分離抵抗は、整合した負荷を供給することに
よつて発生される不整合モードのエネルギーの反
射を減少させるためテーパーが付けられる。

分割器／結合器増幅回路は円筒の円周上に離間
して設けられる１以上のソリツド・ステート増幅
器の出力電力を結合する。円筒は、扇形に分割さ
れた同軸ラインを介して増幅されるべき入力エネ
ルギを並列チヤンネルに分割する入力ポートを有
し、周知のFET又はバイポーラのトランジスタ
によつて各チヤンネルを増幅し、その後扇形に分
割した同軸ラインを介して各トランジスタからの
出力電力を結合して出力ポートに供給する。円周
方向に離間されたチヤンネルは、縦方向（長さ方
向）にスロツトを設けた同心の内部及び外部で電
気的に接続する円筒から形成される。各チヤンネ
ルは各増幅器の入力及び出力に接続され、動作モ
ードのマイクロ波エネルギをチヤンネルに閉じ込
めるマイクロ波導波管として作用する。導波管の
内部及び外部導体は放射状に、そして円筒の縦方
向に伸び、各導体は空間によつて隣接する壁から
円周方向に離間され、放射方向への動作モードに
対しカツトオフ以下の導波管を形成する。１又は
それ以上の増幅素子が故障した場合、放射状導波
管は故障モードが内部にそして外部に向つて放射
状にマイクロ波吸収材（分離抵抗）へ伝搬し、そ
こで吸収されて、縦方向チヤンネルへ反射して戻
ることを防止し、故障を有効に分離することによ
つて、素子の故障による増幅回路の効率の低下を
ゆるやかにする。この構造は、また、チヤンネル
の端部に扇形に分割した同軸ライン・インピーダ
ンス整合回路を提供して、入力ポートからの入力
電力をチヤンネル入力に結合し、チヤンネル出力
からの電力出力を出力ポートに結合する。

（目的） 本発明の目的は、単一デバイスよりも大きな出
力電力を得るために使用し得る多重デバイス構造
を提供し、デバイスの故障時に装置全体の動作を
わずかな低下に抑え、各デバイスを保存的に動作
させることによつて装置の寿命を延ばすことであ
る。本発明の他の目的は、トランジスタの電力出
力を結合して、前述した周波数範囲で電力増幅管
と代替し得る大電力出力を供給することである。
本発明の他の目的は、小さいサイズで、軽量で製
造コストの低い構造を提供することである。本発
明の他の目的は、現存する制限された電力出力の
高周波トランジスタで動作し得る構造は提供する
ことである。本発明の更に他の目的は、８〜20G
Hzの周波数帯で少なくとも20％の帯域幅を有して
動作可能な低損失回路であつて入力及び出力ポー
ト間の充分な分離を与える構造を提供することで
ある。

（実施例の説明） 本発明を以下実施例に従つて詳細に説明する。

本発明による円周形分割器／結合器回路１０
は、従来の電力結合器に存在した挿入損失、帯域
幅、及び分離特性に関する問題を解決するトラン
ジスタ増幅器のための新規な電力結合手段であ
る。円周形分割器／結合器の重要な特徴は、ライ
ン損失が低く抑え帯域増を広くするため銅ステツ
プ２４０によつて形成される同軸変成器２４１及
び２４２の幾何学的形状にある。この円周形にす
る方法は、また、外部減衰抵抗１４と共に個々の
増幅器には存在しなかつた複数増幅器回路網の過
負荷又は安定性の問題をも解決する。

更に、電気的問題を解決するため、本発明によ
る電力結合方法はトランジスタ増幅器を冷却する
ためのすぐれた構造を提供する。分割器／結合器
回路に対する電力の限界は、通常、装置の温度を
制御する能力によつて設定される。

10チヤンネルに構成した円周形分割器／結合器
回路１０を図面に示す。この回路１０は、分割器
に分割した４ステツヴ同軸変成器２４１に続いて
結合器回路に分離した４ステツプ同軸変成器２４
２を設けたものと考えることができる。内部同軸
円筒導体２６及び外部同軸円筒導体２４は10個の
区分に分割され、適切なモード及び分離特性が与
えられる。中心領域２４３，２４４は10個の50オ
ーム平行面伝送ライン１２に分割されて離され、
50オーム増幅器１７がその領域に挿入される。第
２図に示すように、増幅器１７は伝送ライン３３
の内側の外部導体に装着され、冷却に適した構造
をとつている。この銅ヒート・シンク（伝送ライ
ン３３）の長さは、整合回路３４，４３及びトラ
ンジスタ増幅器１７を搭載し得る長さとなつてい
る。トランジスタ１７が装着されるヒート・シン
ク３３はネジ２０，２１によつて取りはずすこと
ができ、そして別の電力増幅器に欠陥のある増幅
器と取りかえることができる。トランジスタ増幅
器に加えて、トランジスタ装置及びインパツト・
ダイオードをヒートシンク３３に搭載して円周形
分割器／結合器１０と接続することができる。

円周形分割器／結合器１０は、広帯域幅、低損
失及び高分離という電気的特徴と共に高電力で使
用することが可能であるということを注目すべき
である。個別の分離（絶縁）抵抗がなく、分離は
非常に大きな電力に耐えることができる内部同軸
負荷３２及び外部同軸負荷１４によつて達成され
る。これらの負荷は１又はそれ以上のトランジス
タ・ポートに不整合がなければ回路から有効に取
り出される。

10チヤンネルの円周形分割器／結合器が示され
るが、より多くのチヤンネル（Ｎ）を組込むこと
は容易である。入力同軸ラインはＮ区分に分解さ
れる。中心導体及び外部導体の継続手段が設けら
れる。もし各増幅器が同軸ライン・インピーダン
スと等しいインピーダンスで動作すると、並列組
合せはＮ対１のインピーダンス不整合となる。こ
のように、広い幅の段状又はテーパー状整合区分
が必要になる。

全体の構成が軸２７に関し対称であるので、
（個々の増幅器接続端子の代りに）１組の対称な
端子を使用するのに好都合であり、各モードがリ
ングの周りの対称な電圧分布から構成される。こ
のような装置では、円周形分割器のＳマトリツク
ス（scattering matrix）は分割器において励起
されるあらゆる対称波パターン（所望のものを除
く）が無反射減衰抵抗によつて吸収されるべきで
ある（対称では伝送は不可能）ことを示すマトリ
ツクス情報によつて得られる。もしそのような整
合終端が達成されれば分割器効率は理想的なもの
になる。

抵抗１４，３２によつて与えられる整合終端は
段状の又はテーパをつけた抵抗を示唆している。
終端構造は内側又は外側の抵抗３２，１４あるい
はその両方から第２図に示すように形成される。
もし抵抗がチヤンネル１２の一方側だけに設けら
れる場合には、他方側はスロツト１３，２８をな
くして一緒に接続された接地面を形成する。この
接地面にする変形例は図示しないが、性能がより
よいと考えられる図示の実施例からその実施態様
は明らかである。

第１図乃至第４図を参照すると、本発明による
増幅器アセンブリ１０は、マイクロ波エネルギの
増幅のための複数のチヤンネル１２を含む円筒構
造１１を有する。チヤンネル１２は電磁エネルギ
を各チヤンネル１２に閉じ込める空隙スロツト１
３によつて分離される。チヤンネル１２及びスロ
ツト１３の外側は、マイクロ波エネルギ吸収材か
ら成る中空円筒１４によつて包まれる。この吸収
材は一般に炭素充てんエポキシから作られる。増
幅器アセンブリ１０の入力端子１５は円筒１１の
一端にあり、出力端子１６はアセンブリ１０の他
端にある。第１図には、また増幅器サブアセンブ
リ１７が示され、該アセンブリの端子１８及び１
９を介して、電力が増幅器サブアセンブリ１７の
増幅素子に与えられる。増幅器サブアセンブリ１
７は各チヤンネル１２内にネジ２０，２１によつ
て圧接固定される。電源に接続される周知の電気
的コネクタ（図示せず）から適切な電力が増幅器
サブアセンブリ１７のトランジスタ４６の端子１
８，１９に与えられる。円筒吸収体１４は線１４
２に沿つて境を接する２つの半円筒１４′，１
４″から組立てられ、増幅器サブアセンブリ１７
及び円筒１１の上に配置されたとき、リード１８
及び１９を妨害しないように充分な大きさの孔１
４１の有する。典型的には、10個の増幅器サブア
センブリ１７が円筒１１の周囲に均一に配置され
る。

第２図を参照すると、増幅器回路１０が一部断
面図で、一部分解図で示される。マイクロ波入力
コネクタ１５は、ネジ２３によつて円筒構造２
４′に取り付けられる円筒ブロツク２２′に取り付
けられる。円筒構造２４′は軸２７の方向に縦に
伸びる放射状スロツト１３を有する。円筒構造２
４′内のスロツト１３は、円筒２２，２４の境界
２２１から短矩離２９のところから始まる。円筒
２４′は、円筒ブロツク２２′を介してコネクタ１
５の外部導体に電気的に接続される。コネクタ１
５の内部導体２５は増幅器アセンブリ１０の中心
に向つて内側に縦方向に伸び、増幅器アセンブリ
１０の軸２７と同軸の段状円筒導体２６′と電気
的に接触する。内部段状導体２６′は、段状外部
導体２４のスロツト１３に対応して、それと半径
方向に一直線に並びスロツト２８を有する。スロ
ツト１３，２８間の内部及び外部段状導体２４′
２６′の部分は、コネクタ１５から入る電磁エネ
ルギを空間３６′に閉じ込めるための段状同軸導
波管を構成する。スロツト１３，２８の開始位置
２９，３１は、夫々、段状同軸ライン３６′にお
ける入力マイクロ波のチヤンネル１２への分割開
始点を決定する。内部段状円筒導体２６のスロツ
ト２８は、アセンブリ１０の縦方向中心にスロツ
ト１３よりも近い位置３１から始まり、アセンブ
リ１０の中心軸２７に向つて半径方向に伸びる。
スロツト２８及び１３が軸方向の異なつた位置か
ら始まることによつて、境界２２１′に近いスロ
ツトのない同軸ライン２５からチヤンネル１２に
徐々に推移していき、この推移領域のインピーダ
ンス不整合を減少させることができる。段状導体
２４，２６の段の半径方向及び縦方向の長さは、
トランジスタ増幅素子４６のエミツタ及びベース
に接続される入出力ライン３７，３８の入出力端
子１５，１６における同軸ライン２５のインピー
ダンス間の広範囲のインピーダンス整合を与える
ように選ばれる。トランジスタ４６のベースは導
体３３に接続される。

段状導体２６′，２６″の内側に配置され、導体
２６′，２６″間に縦方向に伸びる整合段状円筒マ
イクロ波吸収体３２は、典型的には炭素充てんエ
ポキシから成り、段状内部導体２６のスロツト２
８を介して漏れるマイクロ波エネルギを吸収す
る。

外側段状導体２４は、固定ネジ２３によつて端
ブロツク２２に取り付けられる。外側段状導体２
４の入力端２４′及び出力端２４″は、第２図の増
幅器アセンブリ１０に示される入力及び出力導体
１５，１６に夫々接続される。増幅器サブアセン
ブリ１７は内部及び外部段状導体２６，２４にネ
ジ２０，２１によつて固定され、チヤンネル１２
を形成する。

増幅器サブアセンブリ１７は第２図及び第３図
に示され、段状導体２４と電気的に接触している
外部導体３３から構成される。サブアセンブリ１
７は、また、内部導体３４′，３４″を有し、そこ
にはトランジスタ４６の入力及び出力端子が夫々
電気的に接触する。導体３３，３４はチヤンネル
１２の導体２４，２６と同じ幅を有する。増幅器
アセンブリ１０の対称性により、該アセンブリ１
０の出力端子１６に接続される結合器部は、入力
端子１５に接続される分割器部とほぼ同一であ
る。第２図の下半分は、完全な増幅器アセンブリ
１０の断面を示し、コネクタ１５への入力電気信
号はインピーダンス整合段状同軸導波管領域３６
’に入り、そこで信号は導体２４′，２６′間のス
ロツト１３，２８よつて形成されるチヤンネル１
２に分割される。各チヤンネル１２内の信号は、
チヤンネル１２と内部及び出力導体３４，３３に
接着されるセラミツク４３′との間のチヤンネル
空間３６１に沿つて伝送される。線４−４からの
分割器／結合器１０の断面図が第４図に示され、
動作モード（TEN）の電界５０は各チヤンネル
１２の半径方向に分離した内部及び外部導体２
４，２６間の空間３６１に集中している。導体２
４，２６間の半径方向の空間１３，２８は、吸収
体１４，３２から動作モードの場を分離するカツ
トオフ以下の導波管を夫々形成する。少なくとも
30dbの分離度を必要とし、空間１３，２８の幅
及び半径方向の広がりは、少なくともカツトオフ
導波管のリアクテイブ減衰による分離量を与える
ように選ばれる。導体２４は、また、トランジス
タ４６によつて発生される熱を端ブロツク２２′，
２２″に伝導する目的にも使用され、熱は端ブロ
ツクで消費される。トランジスタが故障したとき
発生されるモードは空間１３，２８を介して伝搬
し、吸収体１４，３２で消費される。マイクロ波
エネルギは、金属３５上に形成されるマイクロス
トリツプ・ライン３７を構成する市販されている
高周波FETトランジスタ４６の入力端子に入る。
マイクロ波エネルギはトランジスタ４６で増幅さ
れ、その出力はマイクロストリツプ・ライン３８
に与えられ、そこでセラミツク・セパレータ４
３″に伝搬し、そこから増幅された信号が段状同
軸ライン導体２４″，２６″のチヤンネル空間３
６″を介して堺界２２１″の付近の同軸領域に通過
する。その境界付近で各トランジスタからの出力
出号が出力コネクタ１６に出力される前に結合さ
れる。

増幅器サブアセンブリ１７の平面図が第３図に
示され、高周波エネルギを所望の領域に限定し、
インピーダンス不整合を最小限にする構成が詳細
に示される。サブアセンブリ１７の導体３３は一
定の幅を有し、チヤンネル１２のいちばん外側の
連続性を維持する。内部導体３４は端部３４０付
近では一定の幅であるがサブアセンブリ１７の中
心線４１に向つて内側にテーパをつけられる。典
型的には、テーパーのつけられた区分３４１は
0.3インチ（7.62mm）から0.1インチ（2.54mm）の
幅に傾斜して、トランジスタ４６の入力マイク
ロ・ストリツプ・ライン３７よりも幅が広くなつ
ている。導体３４も、また、領域３４２でテーパ
ーが付けられ、その厚さは第２図に示すようにト
ランジスタ４６に近い端部で減少して、そこに取
り付けられた導電スプリング４０の長さを抑えて
いる。該スプリングは、導体３４と３７とのギヤ
ツプにまたがり、導体３７とスプリングを接触さ
せている。テーパーのついた領域３４１と外部導
体３３との間の空間は、中心線４１に関して対称
なテーパーのついたセラミツク材４３を有する。
セラミツク材４３の幅は導体３４の傾斜３４１が
開始する領域で狭く、その幅は軸方向に導体３４
の端部４５に向つてリニアに増加し、そこでセラ
ミツク４３の幅はマイクロストリツプ導体３７の
幅とほぼ等しくなる。テーパーのついた導体３４
１と逆方向にテーパーのついたセラミツク４３の
組合せによつて、導体３３と３４の間の全領域４
６に分布されるエネルギを導体３４１の端部４５
におけるこれら導体間のセラミツク４３に集中さ
せると共に、インピーダンスの不連続性を最小に
抑える。周囲の空気に比較してセラミツク４３の
誘電率が高いのでセラミツクにエネルギが集中す
る。領域４４のセラミツク４３の幅は狭く、イン
ピーダンス不整合を最小にして導体３３と３４と
の間にセラミツクを導く。領域４４におけるセラ
ミツク４３の幅は、典型的には0.1インチ（2.54
mm）であるが、テーパーのついた区分３４１の他
端４５の幅は0.05インチ（1.27mm）で、これはト
ランジスタ４６の入力及び出力端子と電気的に接
続するマイクロストリツプ導体３７，３８の幅で
ある。トランジスタ４６のベースは導体３３によ
つて与えられる接地面に電気的にそして熱的に結
合される。トランジスタ４６のエミツタとコレク
タは電力端子１８及び１９に接続され、その端子
には電力供給のための外部接続が行なわれる。ト
ランジスタ搭載基板３５はその上に導体３７及び
３８が形成される熱伝導セラミツクで接地面３３
と組合されるマイクロストリツプ伝送ラインを供
給する。トランジスタは典型的には市販されてい
る高周波FETトランジスタである。バイポー
ラ・トランジスタもまた、使用することができ
る。サブアセンブリ１７の導体３３及び３４は、
夫々段状チヤンネル導体２４，２６と孔４８内の
ネジ２０′２１により与えられる圧力によつて電
気的に接触する。導体３４のスロツト３４３は比
較的柔軟性のある導体３４の部分３４４に電気的
影響を与えないようにして、ネジ２０がサブアセ
ンブリ１７を破壊しないで固定されるようにして
いる。

段状円筒体３２は、段状導体２６とサブアセン
ブリ１７によつて境界をつけられる領域との内部
に収容される。円筒３２は、典型的にはチタン酸
等の炭素充てんエポキシ又は振動減衰性セラミツ
ク（lossy ceramic）で、導体２６のスロツト２
８を介してチヤンネル１２から漏れたエネルギ又
はトランジスタ・サブアセンブリ１７から出たエ
ネルギを吸収するマイクロ波吸収体として作用す
る。同様に、マイクロ波吸収半円筒１４′及び１
４″は、吸収体３２と同じ材料で、サブアセンブ
リ１７及び段状円筒２４′，２４″の外部を完全に
取り囲み、チヤンネル１２間のスロツト１３から
漏れた又はその周囲のエネルギに対するマイクロ
波吸収体として作用する。マイクロ波吸収体１
４，３２の抵抗値は傾きをつけることができ、ス
ロツト１３，２８の非常に近接したところの抵抗
値が低くなるのを防止して、スロツト１３，２８
を通過する不所望モードのマイクロ波エネルギの
反射を最小にする。抵抗値は、また不所望モード
の軸方向のフイールド・パターンに従つて、軸２
７方向に傾きをもたせることもできる。

要約すれば、入力エネルギは最初スロツトのつ
いた段状伝送ライン３６１内の複数の分離したチ
ヤンネルに分解され、RFインピーダンス推移領
域３９でRFエネルギが小さな領域に集中されて
マイクロストリツプ・ライン３７，３８に導びか
れ、トランジスタ４６を出る。各トランジスタか
らの電力出力は同様のマイクロ波ラインで結合さ
れて出力コネクタに与えられる。

円周形分割器／結合基装置１０は、故障したト
ランジスタ４６によつて生じる反射の問題をその
ユニツトを他のものと分離することによつて解決
する。円周形Ｎ−ウエイ分割器又は結合器のＳマ
トリツクスは次の様に与えられる。

ここで、端子対１は外部端子で他のＮ端子対は
個々のユニツトに接続される。もし、すべての端
子が整合したユニツトで終端するならば電力の分
割は等しくなる。ユニツトの不整合による反射電
力は他のユニツトに直接的には到達しないで反射
電力の１／Ｎだけの再反射によつてソース不整合
から離れる。Ｓマトリツクスで零とするには、こ
れは各素子間を完全に分離することを表わし、動
作モードを除く円周形分割器／結合器回路の他の
すべてのモードが増幅器ユニツトからみて整合し
ていることになる。この目的のため、分離素子は
テーパーがつけられる。これらの分離素子は動作
モードから分離される吸収体１４，３２における
円筒形減衰抵抗から成る。

円周形分割器／結合器装置１０は第４図に示す
ような形状を有する。これは回転対称である。す
べてのユニツトが等しければ、各セグメントに生
じる電圧は対称的に等しい。

本発明の増幅器と従来装置との顕著な差異は、
本発明は安定化減衰負荷１４，３２を分離する装
置を有し、効率よく動作することであり、消費素
子は隣接の扇形分割間に接続される複数の分離抵
抗で、そこでは寄生容量が動作モードで分離抵抗
内に消費を行なわせる。

10チヤンネル円周形分割器／結合器回路１０に
ついての測定データによれば、帯域幅は70％で結
合器２４１／分割器２４２の損失は0.2dBであつ
た。これは、量が非常に大きくなければ１つの結
合器だけの損失約0.1dBに近づくことを意味す
る。測定結果は、内部及び外部減衰抵抗は所望の
モードでは損失を生じなかつたことを示してい
る。更に測定データはVSWRが4.0乃至12.0GHzの
１ 1/2オクターブで低かつたことを示した。

以上、本発明の実施例について説明したが、本
発明の範囲内で他の実施例が可能であることは当
業者には明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の構造を一部断面で示す斜視図
である。第２図は分解図を用いた本発明の構造の
断面図である。第３図は、本発明の構造の各チヤ
ンネルに搭載されるトランジスタ及びトランジス
タ取付部を示す。第４図は第１図の線４−４から
の部分断面図である。 （符号説明）、１０：円周形分割器／結合器回
路、１２：チヤンネル、１３：スロツト、１４：
外部同軸負荷、１５：入力端子、１６：出力端
子、１７：トランジスタ増幅器、１８，１９：端
子、３２：内部同軸負荷。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ マイクロ波伝搬空間によつて第１方向に分離
   された第１及び第２導体からなり、並列に接続さ
   れる複数の第１導波路手段と、 前記第１導波路手段の各々に接続され、１つの
   入力と１つの出力を有する導波路増幅器を形成す
   る増幅手段と、 隣接する前記第１導体間、及び隣接する前記第
   ２導体間のそれぞれに前記第１方向と交差する第
   ２方向に形成される第２導波路手段と、 前記第２導波路手段の各々を終端するマイクロ
   波吸収体と、 から構成され、前記第２導波路手段は、前記第
   １導波路手段の動作モードに対してリアクテイブ
   減衰を行うカツトオフ導波路として作用し、前記
   第１導波路手段の他の動作モードに対しては前記
   マイクロ波吸収体と前記第１導波路手段との間で
   伝送導波路として作用し、前記マイクロ波吸収体
   が前記第１導波路手段から前記第２導波路手段を
   通つて伝搬するマイクロ波エネルギを吸収する、
   マイクロ波増幅器。 ２ 前記複数の第１導波路手段が円筒状に配列さ
   れ、前記第１導体と第２導体が同心状に配置され
   る、特許請求の範囲第１項記載のマイクロ波増幅
   器。 ３ 前記マイクロ波吸収体が、中空の円筒状吸収
   体からなり、前記第１導波路手段を包囲する、特
   許請求の範囲第２項記載のマイクロ波増幅器。 ４ 前記第１導波路手段によつて包囲されるマイ
   クロ波吸収体を有する、特許請求の範囲第３項記
   載のマイクロ波増幅器。